JP2020031404A - 電磁波伝送路、電磁波伝送路の製造方法、および電子デバイス - Google Patents
電磁波伝送路、電磁波伝送路の製造方法、および電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020031404A JP2020031404A JP2018157716A JP2018157716A JP2020031404A JP 2020031404 A JP2020031404 A JP 2020031404A JP 2018157716 A JP2018157716 A JP 2018157716A JP 2018157716 A JP2018157716 A JP 2018157716A JP 2020031404 A JP2020031404 A JP 2020031404A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- electromagnetic wave
- medium
- insulator
- wave transmission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 142
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 98
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims abstract description 74
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 131
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 11
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000002889 diamagnetic material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 31
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 31
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 19
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 1
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態であるマイクロストリップ線路1の構成を示す断面図である。マイクロストリップ線路1は、所定の間隔を隔てて構成される第1の導体(以下、導体10という)および第2の導体(以下、導体11という)を有し、所定の周波数の電磁波を伝送する電磁波伝送路であって、導体10と導体11との間に、導体10および導体11よりも電気抵抗率の高い絶縁体が配されている。電磁波は、電界と磁界の相互作用によってマイクロストリップ線路1を伝搬してゆく。電界と磁界は、互いに直交している。
ここで、マイクロストリップ線路1の位相速度vおよび特性インピーダンスZ0は、絶縁体20の比透磁率μrと比誘電率εrに依存する。マイクロストリップ線路1のインダクタンスLは、(1)式
L=μ・h/W ・・・(1)
で表され、透磁率μが小さくなることによってインダクタンスLは小さくなる。一方、位相速度vは、(2)式
v=1/√(L・C) ・・・(2)
で表される。したがって、インダクタンスLが小さくなると、位相速度vは大きくなる。
f0=1/(2π√(C・L)) ・・・(3)
インダクタンスLを小さくすると、無損失周波数f0を大きくすることができる。通常、無損失周波数f0は、25MHz程度であるが、マイナス透磁率に設定することによって、100GHz以上になる。したがって、マイクロストリップ線路1が発振器の共振器に接続される場合、無損失周波数f0を発振周波数に近づけることができる。この結果、発振周波数の電磁波を低損失で伝送することができる。
Z0=√(L/C) ・・・(4)
したがって、インダクタンスLを小さくすると特性インピーダンスZ0を小さくすることができる。
つぎに、マイクロストリップ線路1の製造方法について説明する。図7は、マイクロストリップ線路1の製造手順を示すフロー図である。図7に示すように、まず、基板30上に、下部の導体11をスパッタリングなどによって成膜する(図7(a))。その後、微粒子の磁性体22を生成する(図7(b))。この磁性体22の微粒子化は、スパッタリング法、研磨法、アーク加熱法、プラズマCVD法などによって行うことができる。
つぎに、マイクロストリップ線路1の変形例1の製造方法について説明する。図7に示したマイクロストリップ線路1では、絶縁体20内の磁性体22が絶縁体20内で均一に分散させるものであったが、この変形例1では、絶縁体20内の磁性体22を厚さ方向(Z方向)に向けて層状に形成するようにしている。
上記の実施の形態及び変形例1では、絶縁体20をポリイミド21に磁性体22を混入させて絶縁体20の透磁率が所定の周波数及び温度において一時的または定常的に0またはマイナスになるようにしていたが、これに限らず、分子量または密度の異なる2種類の樹脂(例えば、ポリイミドとエポキシ)を混ぜる構成でもよい。この構成の場合、分子量または密度の異なる2種類の樹脂それぞれの磁気分極が、ある周波数で正反対の関係になり、透磁率を相殺し、絶縁体20全体の透磁率を0またはマイナスにすることができる。なお、透磁率は、温度依存性があるため、使用する環境に応じて設計する必要がある。
また、磁性体22でなくても、重さ(分子量または密度)の異なる二つの物質(半導体および樹脂)が混入されていてもよい。例えば、ポリイミドとシリコン微粒子の組み合わせなどである。
図9は、マイクロストリップ線路1の絶縁体20に能動素子としてのガンダイオード40を設けた電子デバイス2の一例を示す図である。ガンダイオード40は、電子双極子を周期的に走行させるガン効果を用いた発振器である。このような能動素子と、マイクロストリップ線路1との組み合わせにより、図5に示した無損失周波数f0をガンダイオード40の発振周波数に近づけることができる。
上記の実施の形態及び変形例では、電磁波伝送路の一例としてマイクロストリップ線路1を中心に説明したが、マイクロストリップ線路1に限らず、コプレーナ線路または同軸ケーブル線路であってもよい。
図13は、マイクロストリップ線路1の変形例6の構成を示す断面図である。図13に示すように、変形例6のマイクロストリップ線路1は、ガラス製のセル60内に、磁性体22が混入されたポリイミド21である絶縁体20が密封される。この絶縁体20が密封された状態で、磁石M1,M2を用いて磁性体22の磁気分極の方向を一定方向に配向した後、ポリイミド21が硬化される。一定方向とは、電磁波が伝送される方向に対して直交するとともに、導体10と導体11とが対向する方向に対して直交する方向である。直交とは、直角に交わること、および、直角に交わっているとみなせる誤差の範囲を含むことをいう。なお、導体10,11は、例えばアルミテープで形成される。この変形例6によれば、マイクロストリップ線路1を簡易に製造することができる。
図14は、マイクロストリップ線路1の絶縁体20にガンダイオード40を配置した電磁波発振器の構成を示す断面図である。図14に示すように、変形例7では、絶縁体20及びガンダイオード40がガラス製のセル60内に配される。その他の構成及び製造方法は、変形例6と同じである。変形例7によれば、電磁波発振器を簡易に製造することができる。
2 電子デバイス
3 コプレーナ線路
4 同軸ケーブル線路
10,11 導体
20,42,53 絶縁体
21 ポリイミド
22 磁性体
30 基板
40 ガンダイオード
41 導体線路
44 絶縁体
50 内部導体線路
51 外部導体線路
54 基準媒質
55 調整媒質
60 セル
C キャパシタンス
f0 無損失周波数
H 磁界
L インダクタンス
M1,M2 磁石
v 位相速度
W 幅
Z インピーダンス
Z0 特性インピーダンス
ε 誘電率
εr 比誘電率
μ 透磁率
μr 比透磁率
Claims (14)
- 所定の間隔を隔てて構成される第1の導体および第2の導体を有し、所定の周波数の電磁波を伝送する電磁波伝送路であって、
前記第1の導体と前記第2の導体との間に、前記第1の導体および前記第2の導体よりも電気抵抗率の高い絶縁体が配されており、
前記絶縁体は、第1媒質に前記所定の周波数において透磁率が0またはマイナスになる第2媒質が含まれて構成されることを特徴とする電磁波伝送路。 - 前記第2媒質は、軟磁性体または反磁性体を含む磁性体であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波伝送路。
- 前記絶縁体は、複数の粒子で構成される前記第2媒質が前記第1媒質内に分散されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電磁波伝送路。
- 前記第2媒質の磁気分極の方向は、前記電磁波が伝送される方向に対して直交するとともに、前記第1の導体と前記第2の導体とが対向する方向に対して直交するように構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の電磁波伝送路。
- 前記第2媒質は、前記第1の導体と前記第2の導体に対して層状に形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の電磁波伝送路。
- 前記第1媒質に対する前記第2媒質の体積比は、前記第2媒質の透磁率の絶対値に対する前記第2媒質の透磁率の絶対値の比の逆数であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の電磁波伝送路。
- 前記体積比は、1/20以下であることを特徴とする請求項6に記載の電磁波伝送路。
- 前記第2媒質の分子量または密度は、前記第1媒質の分子量または密度より大きいことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の電磁波伝送路。
- 所定の間隔を隔てて構成される第1の導体および第2の導体を有し、前記第1の導体と前記第2の導体との間に、前記第1の導体および前記第2の導体よりも電気抵抗率の高い絶縁体が配されており、前記絶縁体が、第1媒質に所定の周波数において透磁率が0またはマイナスになる磁性体である第2媒質が含まれて構成され、前記所定の周波数の電磁波を伝送する電磁波伝送路の製造方法であって、
基板上に前記第1の導体を形成する第1導体形成工程と、
磁性体を微粒子化し、微粒子化された磁性体である前記第2媒質を前記第1媒質に混入して拡散した絶縁材を前記第1の導体上に塗布し、前記第2媒質の磁化方向を調整した後、前記絶縁材を硬化する処理を1回以上繰り返して前記絶縁体を生成する絶縁体生成工程と、
前記絶縁体上に前記第2の導体を形成する第2導体形成工程と、
を含むことを特徴とする電磁波伝送路の製造方法。 - 所定の間隔を隔てて構成される第1の導体および第2の導体を有し、前記第1の導体と前記第2の導体との間に、前記第1の導体および前記第2の導体よりも電気抵抗率の高い絶縁体が配されており、前記絶縁体が、第1媒質に所定の周波数において透磁率が0またはマイナスになる磁性体である第2媒質が含まれて構成され、前記所定の周波数の電磁波を伝送する電磁波伝送路の製造方法であって、
基板上に前記第1の導体を形成する第1導体形成工程と、
前記第1の導体上に前記第1媒質を塗布して硬化し、該硬化した第1媒質上に前記第2媒質を成膜し、該成膜した前記第2媒質の磁化方向を調整する処理を1以上繰り返し、その後、磁化方向が調整された前記第2媒質上に前記第1媒質を塗布し硬化して前記絶縁体を生成する絶縁体生成工程と、
前記絶縁体上に前記第2の導体を形成する第2導体形成工程と、
を含むことを特徴とする電磁波伝送路の製造方法。 - 所定の間隔を隔てて構成される第1の導体および第2の導体を有し、前記第1の導体と前記第2の導体との間に、前記第1の導体および前記第2の導体よりも電気抵抗率の高い絶縁体が配されており、前記絶縁体が、第1媒質に所定の周波数において透磁率が0またはマイナスになる磁性体である第2媒質が含まれて構成され、前記所定の周波数の電磁波を伝送する電磁波伝送路の製造方法であって、
前記第1媒質に微粒子化された前記第2媒質が拡散された絶縁材を、絶縁材で形成されたセル内に密封する密封工程と、
前記セル内の前記第2媒質の磁化方向を調整した後、前記第1媒質を硬化して前記絶縁体を生成する絶縁体生成工程と、
前記絶縁体を包む前記セルの表面及び裏面にそれぞれ前記第1の導体および前記第2の導体を形成する導体形成工程と、
を含むことを特徴とする電磁波伝送路の製造方法。 - 請求項1から8のいずれか一項に記載の電磁波伝送路を構成する絶縁体に電磁波発振器または電磁波増幅器を配することを特徴とする電子デバイス。
- 前記電磁波発振器または前記電磁波増幅器は、一つ以上の端面に金属の反射鏡が形成されていることを特徴とする請求項12に記載の電子デバイス。
- 前記電磁波発振器は、ガンダイオードまたはインパットダイオードであることを特徴とする請求項13に記載の電子デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018157716A JP7072470B2 (ja) | 2018-08-24 | 2018-08-24 | 電磁波伝送路、電磁波伝送路の製造方法、および電子デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018157716A JP7072470B2 (ja) | 2018-08-24 | 2018-08-24 | 電磁波伝送路、電磁波伝送路の製造方法、および電子デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020031404A true JP2020031404A (ja) | 2020-02-27 |
JP7072470B2 JP7072470B2 (ja) | 2022-05-20 |
Family
ID=69622941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018157716A Active JP7072470B2 (ja) | 2018-08-24 | 2018-08-24 | 電磁波伝送路、電磁波伝送路の製造方法、および電子デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7072470B2 (ja) |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5398764A (en) * | 1977-01-25 | 1978-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Oscillator |
JPH10270914A (ja) * | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | ストリップ線路及び分波回路 |
JP2002171104A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Daido Steel Co Ltd | チップ型フィルターとその製造方法 |
US20040000977A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-01 | Killen William D. | Transmission line structure for reduced coupling of signals between circuit elements on a circuit board |
JP2004088460A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | New Japan Radio Co Ltd | ガンダイオード発振器及びその発振周波数の調整方法 |
JP2005286306A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-10-13 | Sony Corp | 配線基板 |
CN1694244A (zh) * | 2004-03-03 | 2005-11-09 | 索尼株式会社 | 印刷电路板 |
JP2006005887A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Toshiba Corp | マイクロ波伝送線路およびマイクロ波フィルタ |
US20100003503A1 (en) * | 2008-03-03 | 2010-01-07 | Nokia Corporation | Electromagnetic wave transmission lines using magnetic nanoparticle composites |
JP2010021703A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 導波管及び配線基板 |
JP2010041555A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 伝送線路 |
JP2015181211A (ja) * | 2014-03-03 | 2015-10-15 | 国立大学法人京都工芸繊維大学 | 非相反伝送線路装置とその測定方法 |
JP2016195394A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 | 伝送線路、配線基板、及び、これらを用いた高周波装置、並びに、伝送線路の設計方法 |
-
2018
- 2018-08-24 JP JP2018157716A patent/JP7072470B2/ja active Active
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5398764A (en) * | 1977-01-25 | 1978-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Oscillator |
JPH10270914A (ja) * | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | ストリップ線路及び分波回路 |
JP2002171104A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Daido Steel Co Ltd | チップ型フィルターとその製造方法 |
US20040000977A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-01 | Killen William D. | Transmission line structure for reduced coupling of signals between circuit elements on a circuit board |
JP2004088460A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | New Japan Radio Co Ltd | ガンダイオード発振器及びその発振周波数の調整方法 |
US20050238858A1 (en) * | 2004-03-03 | 2005-10-27 | Mikihisa Mizuno | Printed circuit board |
JP2005286306A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-10-13 | Sony Corp | 配線基板 |
CN1694244A (zh) * | 2004-03-03 | 2005-11-09 | 索尼株式会社 | 印刷电路板 |
KR20060043326A (ko) * | 2004-03-03 | 2006-05-15 | 소니 가부시끼 가이샤 | 배선 기판 |
JP2006005887A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Toshiba Corp | マイクロ波伝送線路およびマイクロ波フィルタ |
US20100003503A1 (en) * | 2008-03-03 | 2010-01-07 | Nokia Corporation | Electromagnetic wave transmission lines using magnetic nanoparticle composites |
JP2010021703A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 導波管及び配線基板 |
JP2010041555A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 伝送線路 |
JP2015181211A (ja) * | 2014-03-03 | 2015-10-15 | 国立大学法人京都工芸繊維大学 | 非相反伝送線路装置とその測定方法 |
JP2016195394A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 | 伝送線路、配線基板、及び、これらを用いた高周波装置、並びに、伝送線路の設計方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7072470B2 (ja) | 2022-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Sinha et al. | Electromagnetic radiation under explicit symmetry breaking | |
Zhou et al. | General impedance matching via doped epsilon-near-zero media | |
Morales et al. | Tunable magneto-dielectric polymer nanocomposites for microwave applications | |
CN105074490A (zh) | 用于电子自旋共振的共振器装置 | |
Wang et al. | Integrating nanopatterned ferromagnetic and ferroelectric thin films for electrically tunable RF applications | |
Zebiri et al. | Gyro-chirality effect of bianisotropic substrate on the operational of rectangular microstrip patch antenna | |
Wang et al. | Novel electrically tunable microwave solenoid inductor and compact phase shifter utilizing permaloy and PZT thin films | |
Kraftmakher et al. | Microwave tunable and switchable planar non‐reciprocal three‐layer multiresonant wire–ferrite metastructure | |
Pham et al. | Enhanced efficiency of asymmetric wireless power transmission using defects in 2D magnetic metamaterials | |
Liu et al. | Spin‐Controlled Reconfigurable Excitations of Spoof Surface Plasmon Polaritons by a Compact Structure | |
Efimkin et al. | Topological spin-plasma waves | |
WO2005124926A1 (en) | Ferroelectric antenna | |
JP7072470B2 (ja) | 電磁波伝送路、電磁波伝送路の製造方法、および電子デバイス | |
Dewar | CANDIDATES FOR μ< 0,∊< 0 NANOSTRUCTURES | |
US10892728B2 (en) | Virtual inductors using ferroelectric capacitance and the fabrication method thereof | |
Gardner | Ferrite dominated cavities | |
US8537053B2 (en) | Left handed body, wave guide device and antenna using this body, manufacturing method for this body | |
Wu et al. | A three-terminal spin-wave device for logic applications | |
JP2009260088A (ja) | パルストランス | |
Xu et al. | Controlling the radiative damping of an on-chip artificial magnon mode | |
Caloz | Next-generation metamaterials for unprecedented microwave systems | |
WO2016100713A1 (en) | Ferrite resonators using magnetic-biasing and spin precession | |
US11946878B2 (en) | Device and related method for providing unidirectional microwave propagation | |
Saha et al. | Microwave magnetoelectric particles: An experimental study of oscillating spectrums | |
Sova et al. | Planar waveguide defect for photon-magnon coupling improvement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210318 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220419 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220510 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7072470 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |