JP2020031063A - 導電性ペーストおよび伸縮性配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】導電安定性に優れた導電性樹脂膜を実現できる導電性ペーストを提供する。【解決手段】本発明の導電性ペーストは、エラストマー組成物と、導電性フィラーと、溶剤と、を含むものであり、伸縮性配線基板を構成する配線を形成するために用いられる、導電性ペーストであって、導電性フィラーは、タップ密度が２．８０ｇ／ｃｍ３以上４．５０ｇ／ｃｍ３以下であり、平均粒径Ｄ５０が２．３０μｍ以上１４．０μｍ以下である鱗片状の金属粉（Ｇ）を含むものである。【選択図】図１

Description

本発明は、導電性ペーストおよび伸縮性配線基板に関する。

近年、伸縮性配線基板を構成する配線に用いる材料について様々な開発がなされている。この種の技術としては、例えば、特許文献１に記載の技術が知られている。同文献によれば、バインダーゴムポリマーと導電粉とを２：８（重量比）で混合し、３本ロールミルにて分散した後、溶剤にて粘度調整を行い導電性ペーストとした、と記載されている（特許文献１の段落００３７）。同文献には、導電粉として、平均粒径約１〜５μｍの不定形銀粒子（ＳＦ−７０、フェロジャパン（株）製、アスペクト比５、密度１０．５ｇ／ｃｍ^３）を使用したことが記載されている。

特開２０１５−５５６１５号公報

しかしながら、本発明者が検討したところ、上記文献に記載の導電性ペーストにおいて、導電安定性の点で、改善の余地を有していることが判明した。

本発明者はさらに検討したところ、導電性フィラーを含有する導電性ペーストに対して、所定の特性を有する鱗片状の金属粉を使用することにより、導電性ペーストから得られた導電性樹脂膜における導電安定性を向上できること、そして、鱗片状の金属粉の、タップ密度と平均粒径Ｄ_５０とを指標とすることにより、導電安定性を安定的に評価することが判明した。
このような知見に基づいて鋭意検討した結果、鱗片状の金属粉の指標（タップ密度および平均粒径Ｄ_５０）が適切な範囲となるものを採用することにより、導電性ペーストを用いた配線などの導電性樹脂膜において、導電安定性を向上できることを見出し、本発明を完成するに至った。

本発明によれば、
エラストマー組成物と、導電性フィラーと、溶剤と、を含むものであり、伸縮性配線基板を構成する配線を形成するために用いられる、導電性ペーストであって、
前記導電性フィラーは、タップ密度が２．８０ｇ／ｃｍ^３以上４．５０ｇ／ｃｍ^３以下であり、平均粒径Ｄ_５０が２．３０μｍ以上１４．０μｍ以下である鱗片状の金属粉（Ｇ）を含む、導電性ペーストが提供される。

また本発明によれば、基板と配線とを備えており、前記配線が上記導電性ペーストのエラストマーで構成される、伸縮性配線基板が提供される。

本発明によれば、導電安定性に優れた導電性樹脂膜を実現できる導電性ペーストおよびそれを用いた伸縮性配線基板が提供される。

本実施形態における電子装置の概略を示す断面図である。 本実施形態における電子装置の製造工程の概略を示す断面図である。 金属粉（Ｇ）の「タップ密度」および「平均粒径Ｄ_５０」と「平均値（Ｒ_{ｔｏｐ１００}）」との関係を示す図である。 金属粉（Ｇ）の「比表面積」および「平均粒径Ｄ_５０」と「平均値（Ｒ_{ｔｏｐ１００}）」との関係を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、本明細書中において、「〜」は特に断りがなければ以上から以下を表す。

本実施形態の導電性ペーストは、エラストマー組成物と、導電性フィラーと、溶剤と、を含むことができる。導電性ペースト中において、当該導電性フィラーは、タップ密度が２．８０ｇ／ｃｍ^３以上４．５０ｇ／ｃｍ^３以下であり、平均粒径Ｄ_５０が２．３０μｍ以上１４．０μｍ以下である鱗片状の金属粉（Ｇ）を含むことができる。このような導電性ペーストは、導電安定性に優れた導電性樹脂膜を実現できるため、伸縮性配線基板を構成する配線を形成するために用いることができる。

本実施形態の導電性ペーストは、溶剤を含むペースト状の導電性樹脂組成物で構成されているため、基板上に対する塗布性や成膜性に優れており、またスクリーン印刷等の印刷性に優れている。したがって、本実施形態の導電性ペーストは、例えば、伸縮性配線基板を構成する配線を形成する用途に適する。

以下、本実施形態の導電性ペーストの各成分について説明する。

本実施形態の導電性ペーストは、エラストマー組成物を含むことがきる。これにより、導電性ペーストからなるエラストマーを配線などに利用した際も、当該エラストマーに対して適度な伸縮性を発現することができる。

エラストマー組成物は、上記エラストマーを形成するために用いるものであり、例えば、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上の熱硬化性エラストマーを形成するために用いる熱硬化性エラストマー組成物を含むことができ、好ましくは、シリコーンゴム系硬化性組成物を含むことができる。

（エラストマー）
上記エラストマーとしては、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム等を用いることができる。この中でも、エラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上の熱硬化性エラストマーを含むことができる。また、エラストマーは、化学的に安定であり、また、機械的強度にも優れる観点からシリコーンゴムを含むことができる。
上記熱硬化性エラストマーは、熱硬化性エラストマー組成物の硬化物で構成することができる。例えば、上記シリコーンゴムは、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成することができる。なお熱可塑性エラストマーは、熱可塑性エラストマーの乾燥物で構成することができる。本明細書中、導電性ペーストのエラストマーとは、導電性ペーストを乾燥または硬化して形成されたエラストマーを意味するものとする。

以下、本実施形態のエラストマーの一例であるシリコーンゴムとして、シリコーンゴム系硬化性組成物を用いた場合について説明する。

本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を含むことができる。ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物の主成分となる重合物である。

上記ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、直鎖構造を有するビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を含むことができる。

上記ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）は、直鎖構造を有し、かつ、ビニル基を含有しており、かかるビニル基が硬化時の架橋点となる。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）のビニル基の含有量は、特に限定されないが、例えば、分子内に２個以上のビニル基を有し、かつ１５モル％以下であるのが好ましく、０．０１〜１２モル％であるのがより好ましい。これにより、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）中におけるビニル基の量が最適化され、後述する各成分とのネットワークの形成を確実に行うことができる。本実施形態において、「〜」は、その両端の数値を含むことを意味する。

なお、本明細書中において、ビニル基含有量とは、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を構成する全ユニットを１００モル％としたときのビニル基含有シロキサンユニットのモル％である。ただし、ビニル基含有シロキサンユニット１つに対して、ビニル基１つであると考える。

また、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の重合度は、特に限定されないが、例えば、好ましくは１０００〜１００００程度、より好ましくは２０００〜５０００程度の範囲内である。なお、重合度は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）におけるポリスチレン換算の数平均重合度（又は数平均分子量）等として求めることができる。

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の比重は、特に限定されないが、０．９〜１．１程度の範囲であるのが好ましい。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、上記のような範囲内の重合度および比重を有するものを用いることにより、得られるシリコーンゴムの耐熱性、難燃性、化学的安定性等の向上を図ることができる。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）としては、特に、下記式（１）で表される構造を有するものであるが好ましい。

式（１）中、Ｒ^１は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられ、中でも、ビニル基が好ましい。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基等が挙げられる。

また、Ｒ^２は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

また、Ｒ^３は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

さらに、式（１）中のＲ^１およびＲ^２の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、Ｒ^３の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。

なお、式（１）中、複数のＲ^１は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。さらに、Ｒ^２、およびＲ^３についても同様である。

さらに、ｍ、ｎは、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは０〜２０００の整数、ｎは１０００〜１００００の整数である。ｍは、好ましくは０〜１０００であり、ｎは、好ましくは２０００〜５０００である。

また、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の具体的構造としては、例えば下記式（１−１）で表されるものが挙げられる。

式（１−１）中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して、メチル基またはビニル基であり、少なくとも一方がビニル基である。

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）としては、ビニル基含有量が分子内に２個以上のビニル基を有し、かつ０．４モル％以下である第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と、ビニル基含有量が０．５〜１５モル％である第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを含有するものであるのが好ましい。シリコーンゴムの原料である生ゴムとして、一般的なビニル基含有量を有する第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と、ビニル基含有量が高い第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを組み合わせることで、ビニル基を偏在化させることができ、シリコーンゴムの架橋ネットワーク中に、より効果的に架橋密度の疎密を形成することができる。その結果、より効果的にシリコーンゴムの引裂強度を高めることができる。

具体的には、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、例えば、上記式（１−１）において、Ｒ^１がビニル基である単位および／またはＲ^２がビニル基である単位を、分子内に２個以上有し、かつ０．４モル％以下を含む第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と、Ｒ^１がビニル基である単位および／またはＲ^２がビニル基である単位を、０．５〜１５モル％含む第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを用いるのが好ましい。

また、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）は、ビニル基含有量が０．０１〜０．２モル％であるのが好ましい。また、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）は、ビニル基含有量が、０．８〜１２モル％であるのが好ましい。

さらに、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを組み合わせて配合する場合、（Ａ１−１）と（Ａ１−２）の比率は特に限定されないが、例えば、重量比で（Ａ１−１）：（Ａ１−２）が５０：５０〜９５：５であるのが好ましく、８０：２０〜９０：１０であるのがより好ましい。

なお、第１および第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）および（Ａ１−２）は、それぞれ１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、分岐構造を有するビニル基含有分岐状オルガノポリシロキサン（Ａ２）を含んでもよい。

＜＜オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）を含むことができる。
オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）は、直鎖構造を有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐構造を有する分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）とに分類され、これらのうちのいずれか一方または双方を含むことができる。

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、直鎖構造を有し、かつ、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ−Ｈ）を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分が有するビニル基とヒドロシリル化反応し、これらの成分を架橋する重合体である。

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の分子量は特に限定されないが、例えば、重量平均分子量が２００００以下であるのが好ましく、１０００以上、１００００以下であることがより好ましい。

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の重量平均分子量は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）におけるポリスチレン換算により測定することができる。

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。

以上のような直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）としては、例えば、下記式（２）で表される構造を有するものが好ましく用いられる。

式（２）中、Ｒ^４は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

また、Ｒ^５は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

なお、式（２）中、複数のＲ^４は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。Ｒ^５についても同様である。ただし、複数のＲ^４およびＲ^５のうち、少なくとも２つ以上がヒドリド基である。

また、Ｒ^６は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。複数のＲ^６は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。

なお、式（２）中のＲ^４，Ｒ^５，Ｒ^６の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、分子内の架橋反応を防止する観点から、メチル基が好ましい。

さらに、ｍ、ｎは、式（２）で表される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは２〜１５０整数、ｎは２〜１５０の整数である。好ましくは、ｍは２〜１００の整数、ｎは２〜１００の整数である。

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、分岐構造を有するため、架橋密度が高い領域を形成し、シリコーンゴムの系中の架橋密度の疎密構造形成に大きく寄与する成分である。また、上記直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）同様、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ−Ｈ）を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分のビニル基とヒドロシリル化反応し、これら成分を架橋する重合体である。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の比重は、０．９〜０．９５の範囲である。

さらに、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）としては、下記平均組成式（ｃ）で示されるものが好ましい。

平均組成式（ｃ）
（Ｈ_ａ（Ｒ^７）_３−ａＳｉＯ_１／２）_ｍ（ＳｉＯ_４／２）_ｎ
（式（ｃ）において、Ｒ^７は一価の有機基、ａは１〜３の範囲の整数、ｍはＨ_ａ（Ｒ^７）_３−ａＳｉＯ_１／２単位の数、ｎはＳｉＯ_４／２単位の数である）

式（ｃ）において、Ｒ^７は一価の有機基であり、好ましくは、炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

式（ｃ）において、ａは、ヒドリド基（Ｓｉに直接結合する水素原子）の数であり、１〜３の範囲の整数、好ましくは１である。

また、式（ｃ）において、ｍはＨ_ａ（Ｒ^７）_３−ａＳｉＯ_１／２単位の数、ｎはＳｉＯ_４／２単位の数である。

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は分岐状構造を有する。直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、その構造が直鎖状か分岐状かという点で異なり、Ｓｉの数を１とした時のＳｉに結合するアルキル基Ｒの数（Ｒ／Ｓｉ）が、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）では１．８〜２．１、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）では０．８〜１．７の範囲となる。

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、分岐構造を有しているため、例えば、窒素雰囲気下、１０００℃まで昇温速度１０℃／分で加熱した際の残渣量が５％以上となる。これに対して、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、直鎖状であるため、上記条件で加熱した後の残渣量はほぼゼロとなる。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の具体例としては、下記式（３）で表される構造を有するものが挙げられる。

式（３）中、Ｒ^７は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基、もしくは水素原子である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。Ｒ^７の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。

なお、式（３）中、複数のＲ^７は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。

また、式（３）中、「−Ｏ−Ｓｉ≡」は、Ｓｉが三次元に広がる分岐構造を有することを表している。

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）において、Ｓｉに直接結合する水素原子（ヒドリド基）の量は、それぞれ、特に限定されない。ただし、シリコーンゴム系硬化性組成物において、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）中のビニル基１モルに対し、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の合計のヒドリド基量が、０．５〜５モルとなる量が好ましく、１〜３．５モルとなる量がより好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）および分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）と、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）との間で、架橋ネットワークを確実に形成させることができる。

本実施形態において、導電性ペースト中におけるエラストマー組成物の含有量は、導電性ペースト全体に対して、１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、５質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中におけるエラストマー組成物の含有量は、導電性ペースト全体に対して、２５質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以下であることがさらに好ましい。
エラストマー組成物の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストのエラストマーが適度な柔軟性を持つことができる。また、エラストマー組成物の含有量を上記上限値以下とすることにより、エラストマーの機械的強度の向上を図ることができる。

＜＜シリカ粒子（Ｃ）＞＞
本実施形態の導電性ペーストは、必要に応じ、シリカ粒子（Ｃ）を含むことができる。これにより、導電性ペーストから形成されるエラストマーの硬さや機械的強度の向上を図ることができる。

本実施形態の導電性ペーストは、導電性フィラーに加えてシリカ粒子を含有することにより、当該導電性ペーストの硬化物等で構成されるエラストマーの機械的強度や耐久性を向上させることができる。このような導電性ペーストからなるエラストマーを、伸縮性配線基板を構成する配線などの導電性樹脂膜に適用することによって、その導電性樹脂膜の機械的強度や耐久性を向上させることができる。これにより、本実施形態の導電性ペーストで形成された配線を備える伸縮性配線基板の伸縮電気特性を高めることができる。

シリカ粒子（Ｃ）としては、特に限定されないが、例えば、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、沈降シリカ等が用いられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

シリカ粒子（Ｃ）は、例えば、ＢＥＴ法による比表面積が例えば５０〜４００ｍ^２／ｇであるのが好ましく、１００〜４００ｍ^２／ｇであるのがより好ましい。また、シリカ粒子（Ｃ）の平均一次粒径は、例えば１〜１００ｎｍであるのが好ましく、５〜２０ｎｍ程度であるのがより好ましい。

シリカ粒子（Ｃ）として、かかる比表面積および平均粒径の範囲内であるものを用いることにより、形成されるシリコーンゴムの硬さや機械的強度の向上、特に引張強度の向上をさせることができる。

本実施形態において、導電性ペースト中におけるシリカ粒子（Ｃ）の含有量は、導電性ペーストの全体に対して、１質量％以上であることが好ましく、２質量％以上であることがより好ましく、３質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中におけるシリカ粒子（Ｃ）の含有量は、導電性ペーストの全体に対して、１５質量％以下であることが好ましく、１２質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがさらに好ましい。
シリカ粒子（Ｃ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストのエラストマーが適度な機械的強度を持つことができる。また、シリカ粒子（Ｃ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、エラストマーが適度な導電特性を持つことができる。

＜＜シランカップリング剤（Ｄ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、シランカップリング剤（Ｄ）を含むことができる。
シランカップリング剤（Ｄ）は、加水分解性基を有することができる。加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子（Ｃ）表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子（Ｃ）の表面改質を行うことができる。

また、このシランカップリング剤（Ｄ）は、疎水性基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子（Ｃ）の表面にこの疎水性基が付与されるため、シリコーンゴム系硬化性組成物中ひいてはシリコーンゴム中において、シリカ粒子（Ｃ）の凝集力が低下（シラノール基による水素結合による凝集が少なくなる）し、その結果、シリコーンゴム系硬化性組成物中のシリカ粒子の分散性が向上すると推測される。これにより、シリカ粒子とゴムマトリックスとの界面が増加し、シリカ粒子の補強効果が増大する。さらに、ゴムのマトリックス変形の際、マトリックス内でのシリカ粒子の滑り性が向上すると推測される。そして、シリカ粒子（Ｃ）の分散性の向上及び滑り性の向上によって、シリカ粒子（Ｃ）によるシリコーンゴムの機械的強度（例えば、引張強度や引裂強度など）が向上する。

さらに、シランカップリング剤（Ｄ）は、ビニル基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子（Ｃ）の表面にビニル基が導入される。そのため、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化の際、すなわち、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）が有するビニル基と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）が有するヒドリド基とがヒドロシリル化反応して、これらによるネットワーク（架橋構造）が形成される際に、シリカ粒子（Ｃ）が有するビニル基も、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）が有するヒドリド基とのヒドロシリル化反応に関与するため、ネットワーク中にシリカ粒子（Ｃ）も取り込まれるようになる。これにより、形成されるシリコーンゴムの低硬度化および高モジュラス化を図ることができる。

シランカップリング剤（Ｄ）としては、疎水性基を有するシランカップリング剤およびビニル基を有するシランカップリング剤を併用することができる。

シランカップリング剤（Ｄ）としては、例えば、下記式（４）で表わされるものが挙げられる。

Ｙ_ｎ−Ｓｉ−（Ｘ）_４−ｎ・・・（４）
上記式（４）中、ｎは１〜３の整数を表わす。Ｙは、疎水性基、親水性基またはビニル基を有するもののうちのいずれかの官能基を表わし、ｎが１の時は疎水性基であり、ｎが２または３の時はその少なくとも１つが疎水性基である。Ｘは、加水分解性基を表わす。

疎水性基は、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基等が挙げられ、中でも、特に、メチル基が好ましい。

また、親水性基は、例えば、水酸基、スルホン酸基、カルボキシル基またはカルボニル基等が挙げられ、中でも、特に、水酸基が好ましい。なお、親水性基は、官能基として含まれていてもよいが、シランカップリング剤（Ｄ）に疎水性を付与するという観点からは含まれていないのが好ましい。

さらに、加水分解性基は、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、クロロ基またはシラザン基等が挙げられ、中でも、シリカ粒子（Ｃ）との反応性が高いことから、シラザン基が好ましい。なお、加水分解性基としてシラザン基を有するものは、その構造上の特性から、上記式（４）中の（Ｙ_ｎ−Ｓｉ−）の構造を２つ有するものとなる。

上記式（４）で表されるシランカップリング剤（Ｄ）の具体例は、例えば、官能基として疎水性基を有するものとして、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン；メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシランのようなクロロシラン；ヘキサメチルジシラザンが挙げられ、官能基としてビニル基を有するものとして、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシランのようなアルコキシシラン；ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロロシランのようなクロロシラン；ジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられるが、中でも、上記記載を考慮すると、特に、疎水性基を有するものとしてはヘキサメチルジシラザン、ビニル基を有するものとしてはジビニルテトラメチルジシラザンであるのが好ましい。

本実施形態において、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量の下限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対して、１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、５質量％以上であることがさらに好ましい。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量上限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対して、１００質量％以下であることが好ましく、８０質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以下であることがさらに好ましい。
シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストのエラストマーが基板との適度な密着性を持ち、また、シリカ粒子（Ｃ）を用いる場合においては、エラストマー全体としての機械的強度の向上に資することができる。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、エラストマーが適度な機械特性を持つことができる。

＜＜白金または白金化合物（Ｅ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、白金または白金化合物（Ｅ）を含むことができる。
白金または白金化合物（Ｅ）は、硬化の際の触媒として作用する触媒成分である。白金または白金化合物（Ｅ）の添加量は触媒量である。

白金または白金化合物（Ｅ）としては、公知のものを使用することができ、例えば、白金黒、白金をシリカやカーボンブラック等に担持させたもの、塩化白金酸または塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とオレフィンの錯塩、塩化白金酸とビニルシロキサンとの錯塩等が挙げられる。

なお、白金または白金化合物（Ｅ）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本実施形態において、導電性ペースト中における白金または白金化合物（Ｅ）の含有量は、導電性ペーストの全体に対して、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００２質量％以上であることがより好ましく、０．０００３質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中における白金または白金化合物（Ｅ）の含有量は、導電性ペーストの全体に対して、１質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましく、０．１質量％以下であることがさらに好ましい。
白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストが適切な速度で硬化することが可能となる。また、白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、導電性ペーストを作製する際のコストの削減に資することができる。

＜＜水（Ｆ）＞＞
また、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物には、上記成分（Ａ）〜（Ｅ）以外に、水（Ｆ）が含まれていてもよい。

水（Ｆ）は、シリコーンゴム系硬化性組成物に含まれる各成分を分散させる分散媒として機能するとともに、シリカ粒子（Ｃ）とシランカップリング剤（Ｄ）との反応に寄与する成分である。そのため、シリコーンゴム中において、シリカ粒子（Ｃ）とシランカップリング剤（Ｄ）とを、より確実に互いに連結したものとすることができ、全体として均一な特性を発揮することができる。

さらに、水（Ｆ）を含有する場合、その含有量は、適宜設定することができるが、具体的には、シランカップリング剤（Ｄ）１００重量部に対して、例えば、１０〜１００重量部の範囲であるのが好ましく、３０〜７０重量部の範囲であるのがより好ましい。これにより、シランカップリング剤（Ｄ）とシリカ粒子（Ｃ）との反応をより確実に進行させることができる。

（その他の成分）
さらに、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、上記（Ａ）〜（Ｆ）成分以外に、他の成分をさらに含むことができる。この他の成分としては、例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等のシリカ粒子（Ｃ）以外の無機充填材、反応阻害剤、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等の添加剤が挙げられる。

（導電性フィラー）
本実施形態の導電性ペーストは、導電性フィラーを含むことができる。この導電性フィラーとしては、公知の導電材料を用いてもよいが、以下のような金属粉（Ｇ）を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記導電性フィラーとして、タップ密度が２．８０ｇ／ｃｍ^３以上４．５０ｇ／ｃｍ^３以下であり、かつ、平均粒径Ｄ_５０が２．３０μｍ以上１４．０μｍ以下の条件Ａを満たす鱗片状の金属粉（Ｇ）を用いることができる。これにより、繰り返し伸張中における、導電性ペーストから得られた導電性樹脂膜における導電安定性を向上させることができる。

また、上記導電性フィラーとして、比表面積が０．５０ｍ^２／ｇ以上２．００ｍ^２／ｇ以下であり、かつ、平均粒径Ｄ_５０が２．３０μｍ以上１０．０μｍ以下の条件Ｂをさらに満たす鱗片状の金属粉（Ｇ）用いることができる。これにより、繰り返し伸張試験後における、伸張時や伸張解放時の導電性が低下せず、耐久性に優れた導電性樹脂膜を実現することができる。

また、上記鱗片状の金属粉（Ｇ）の平均粒径Ｄ_５０としては、例えば、２．３０μｍ以上１４．０μｍ以下であり、より好ましくは２．３０μｍ以上１０．０μｍ以下であり、さらに好ましくは３．００μｍ以上９．４０μｍ以下である。
なお、金属粉（Ｇ）の平均粒径Ｄ_５０は、レーザー回折粒度測定装置にて測定された５０％粒子径とする。体積基準粒度分布において粒子径の小さい方から累積して５０質量％となる点の粒径である。

また、上記鱗片状の金属粉（Ｇ）のタップ密度としては、例えば、２．８０ｇ／ｃｍ^３以上４．５０ｇ／ｃｍ^３以下であり、好ましくは３．２０ｇ／ｃｍ^３以上４．０５ｇ／ｃｍ^３以下であり、より好ましくは３．３０ｇ／ｃｍ^３以上４．００ｇ／ｃｍ^３以下である。
金属粉（Ｇ）のタップ密度は、ＩＳＯ ３９５３−１９８５（Ｅ）の「金属粉−タップ密度の測定方法」に従って測定される。

また、上記鱗片状の金属粉（Ｇ）の比表面積としては、例えば、０．５０ｍ^２／ｇ以上２．００ｍ^２／ｇ以下であり、好ましくは０．５１ｍ^２／ｇ以上１．８０ｍ^２／ｇ以下であり、さらに好ましくは０．５２ｍ^２／ｇ以上１．６０ｍ^２／ｇ以下である。
金属粉（Ｇ）の比表面積は、自動比表面積測定装置を用いて測定されたＢＥＴ比表面積とする。

上記金属粉（Ｇ）として、鱗片状の金属粉（Ｇ）以外の他のものを含有してもよい。その他の金属粉（Ｇ）の形状には制限がないが、樹枝状、球状等の従来から用いられているものが使用できる。

上記金属粉（Ｇ）を構成する金属は特に限定はされないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらを合金化した金属粉のうち少なくとも一種類、あるいは、これらのうちの二種以上を含むことができる。
これらのうち、金属粉（Ｇ）としては、導電性の高さや入手容易性の高さから、銀または銅を含むこと、すなわち、銀粉または銅粉を含むことが好ましい。
なお、これらの金属粉（Ｇ）は他種金属でコートしたものも使用できる。

本実施形態において、導電性ペースト中における導電性フィラーの含有量は、導電性ペーストの全体に対して、３０質量％以上であることが好ましく、４０質量％以上であることがより好ましく、５０質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中における導電性フィラーの含有量は、導電性ペーストの全体に対して、８５質量％以下であることが好ましく、７５質量％以下であることがより好ましく、６５質量％以下であることがさらに好ましい。
導電性フィラーの含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストのエラストマーが適度な導電特性を持つことができる。また、導電性フィラーの含有量を上記上限値以下とすることにより、エラストマーが適度な柔軟性を持つことができる。

上記金属粉（Ｇ）の含有量としては、導電性フィラー１００質量％に対して、たとえば、９０質量％以上であり、好ましくは９５質量％以上であり、より好ましくは９９質量％以上であり、一方で、１００質量％以下としてもよい。

また、本実施形態の導電性ペースト中における上記シリカ粒子（Ｃ）の含有量の下限値は、シリカ粒子（Ｃ）および導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、例えば、１質量％以上であり、好ましくは３質量％以上であり、より好ましくは５質量％以上とすることができる。これにより、導電性ペーストのエラストマーの機械的強度を向上させることができる。一方で、上記導電性ペースト中における上記シリカ粒子（Ｃ）の含有量の上限値は、シリカ粒子（Ｃ）および導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、例えば、２０質量％以下であり、好ましくは１５質量％以下であり、より好ましくは１０質量％以下である。これにより、導電性ペーストのエラストマーにおける伸縮電気特性と機械的強度のバランスを図ることができる。

（溶剤）
本実施形態の導電性ペーストは、溶剤を含むものである。この溶剤としては、公知の各種溶剤を用いることができるが、例えば、高沸点溶剤を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記高沸点溶剤の沸点の下限値は、例えば、１００℃以上であり、好ましくは１３０℃以上であり、より好ましくは１５０℃以上である。これにより、スクリーン印刷などの印刷安定性を向上させることができる。一方で、上記高沸点溶剤の沸点の上限値は、特に限定されないが、例えば、３００℃以下でもよく、２９０℃以下でもよく、２８０℃以下でもよい。これにより、配線形成時においての過度の熱履歴を抑制できるので、下地基板へのダメージや、導電性ペーストで形成された配線の形状を良好に維持することができる。

また、本実施形態の溶剤としては、エラストマー組成物の溶解性や沸点の観点から適切に選択できるが、例えば、炭素数５以上２０以下の脂肪族炭化水素、好ましくは炭素数８以上１８以下の脂肪族炭化水素、より好ましくは炭素数１０以上１５以下の脂肪族炭化水素を含むことができる。

また、本実施形態の溶剤の一例としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカンなどの脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリフルオロメチルベンゼン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類；ジクロロメタン、クロロホルム、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタンなどのハロアルカン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド類；ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類などを例示することができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ここで用いられる溶媒は、上記の導電性ペースト中の組成成分を均一に溶解ないし分散させることのできる溶媒の中から適宜選択すればよい。

室温２５℃においてせん断速度２０〔１／ｓ〕で測定した時の導電性ペーストの粘度の下限値は、例えば、１Ｐａ・ｓ以上であり、好ましくは５Ｐａ・ｓ以上であり、より好ましくは１０Ｐａ・ｓ以上である。これにより、成膜性を向上させることができる。また、厚膜形成時においても形状保持性を高めることができる。一方で、室温２５℃における導電性ペーストの粘度の上限値は、例えば、１００Ｐａ・ｓ以下であり、好ましくは９０Ｐａ・ｓ以下であり、より好ましくは８０Ｐａ・ｓ以下である。これにより、導電性ペーストにおける印刷性を向上させることができる。

（導電性ペーストの製造方法）
以下、本実施形態に係る導電性ペーストの製造方法について説明する。

本実施形態の導電性ペーストは、たとえば、以下に示すような工程を経ることにより製造することができる。

まず、シリコーンゴム系硬化性組成物の各成分を、任意の混練装置により、均一に混合してシリコーンゴム系硬化性組成物を調製する。

［１］たとえば、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）と、シリカ粒子（Ｃ）と、シランカップリング剤（Ｄ）とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置により、混練することで、これら各成分（Ａ）、（Ｃ）、（Ｄ）を含有する混練物を得る。

なお、この混練物は、予めビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とシランカップリング剤（Ｄ）とを混練し、その後、シリカ粒子（Ｃ）を混練（混合）して得るのが好ましい。これにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）中におけるシリカ粒子（Ｃ）の分散性がより向上する。

また、この混練物を得る際には、水（Ｆ）を必要に応じて、各成分（Ａ）、（Ｃ）、および（Ｄ）の混練物に添加するようにしてもよい。これにより、シランカップリング剤（Ｄ）とシリカ粒子（Ｃ）との反応をより確実に進行させることができる。

さらに、各成分（Ａ）、（Ｃ）、（Ｄ）の混練は、第１温度で加熱する第１ステップと、第２温度で加熱する第２ステップとを経るようにするのが好ましい。これにより、第１ステップにおいて、シリカ粒子（Ｃ）の表面をカップリング剤（Ｄ）で表面処理することができるとともに、第２ステップにおいて、シリカ粒子（Ｃ）とカップリング剤（Ｄ）との反応で生成した副生成物を混練物中から確実に除去することができる。その後、必要に応じて、得られた混練物に対して、成分（Ａ）を添加し、更に混練してもよい。これにより、混練物の成分のなじみを向上させることができる。

第１温度は、例えば、４０〜１２０℃程度であるのが好ましく、例えば、６０〜９０℃程度であるのがより好ましい。第２温度は、例えば、１３０〜２１０℃程度であるのが好ましく、例えば、１６０〜１８０℃程度であるのがより好ましい。

また、第１ステップにおける雰囲気は、窒素雰囲気下のような不活性雰囲気下であるのが好ましく、第２ステップにおける雰囲気は、減圧雰囲気下であるのが好ましい。

さらに、第１ステップの時間は、例えば、０．３〜１．５時間程度であるのが好ましく、０．５〜１．２時間程度であるのがより好ましい。第２ステップの時間は、例えば、０．７〜３．０時間程度であるのが好ましく、１．０〜２．０時間程度であるのがより好ましい。

第１ステップおよび第２ステップを、上記のような条件とすることで、前記効果をより顕著に得ることができる。

［２］次に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）と、白金または白金化合物（Ｅ）とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置を用いて、上記工程［１］で調製した混練物に、各成分（Ｂ）、（Ｅ）を混練することで、シリコーンゴム系硬化性組成物（エラストマー組成物）を得る。

なお、この各成分（Ｂ）、（Ｅ）の混練の際には、予め上記工程［１］で調製した混練物とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）とを、上記工程［１］で調製した混練物と白金または白金化合物（Ｅ）とを混練し、その後、それぞれの混練物を混練するのが好ましい。これにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）との反応を進行させることなく、各成分（Ａ）〜（Ｅ）をシリコーンゴム系硬化性組成物中に確実に分散させることができる。

各成分（Ｂ）、（Ｅ）を混練する際の温度は、ロール設定温度として、例えば、１０〜７０℃程度であるのが好ましく、２５〜３０℃程度であるのがより好ましい。

さらに、混練する時間は、例えば、５分〜１時間程度であるのが好ましく、１０〜４０分程度であるのがより好ましい。

上記工程［１］および上記工程［２］において、温度を上記範囲内とすることにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）との反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。また、上記工程［１］および上記工程［２］において、混練時間を上記範囲内とすることにより、各成分（Ａ）〜（Ｅ）をシリコーンゴム系硬化性組成物中により確実に分散させることができる。

なお、各工程［１］、［２］において使用される混練装置としては、特に限定されないが、例えば、ニーダー、２本ロール、バンバリーミキサー（連続ニーダー）、加圧ニーダー等を用いることができる。

また、本工程［２］において、混練物中に１−エチニルシクロヘキサノールのような反応抑制剤を添加するようにしてもよい。これにより、混練物の温度が比較的高い温度に設定されたとしても、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）との反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。

［３］次に、工程［２］で得られたエラストマー組成物（シリコーンゴム系硬化性組成物）を、溶剤に溶解させ、金属粉（Ｇ）を加えることで、本実施形態の導電性ペーストを得ることができる。

［用途］
以下、本実施形態の導電性ペーストの用途の一例について、図１を示しながら説明する。図１には、係る配線を備えた電子装置１００の概略を断面図として図示している。

電子装置１００は、図１に示すように、配線基板５０と、電子部品６０と、を備えることができる。この配線基板５０は、基板２０上に配線１０を備えることにより構成される。基板２０は、伸縮性を有する絶縁基板を用いることできる。一方、配線１０は、本実施形態の導電性ペーストのエラストマー（具体的には、当該導電性ペーストを硬化させた硬化物）で構成することができる。電子部品６０は、このような伸縮性配線基板（配線基板５０）を構成する配線１０に電気的に接続するように構成されていてもよい。

本実施形態の導電性ペーストは、得られる硬化物に対して機械的強度を高めつつも、繰り返し伸縮したときの伸縮電気特性を維持することができるため、接続信頼性や耐久性に優れた電子装置１００の構造を実現することができる。
本実施形態の電子装置１００は、たとえばウェアラブルデバイスとして用いられるものであり、各方向に繰り返し伸縮される装置に好適に用いることができる。

また、本実施形態の電子装置１００を構成する基板２０は、通常、柔軟性を有する材料により構成される。
この材料としては、前述のエラストマーと同様のものを採用することができる。具体的には、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム等エラストマーを用いることができ、用途等に応じ、この材料を適宜選択することができる。また、基板２０は、上記のシリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成されていてもよい。

また、基板２０は、上述のエラストマー組成物からなるエラストマーを用いることができる。また、このエラストマーは、シリカ粒子を含有するエラストマー組成物と溶剤とを含む絶縁性ペーストを用いて構成されていてもよい。この溶剤としては、前述の溶剤と同様の上述の溶剤種を用いることができるが、この中でも上記導電性ペーストや導電性ペーストの硬化物である導電性シートに対して溶解性を示す溶剤を用いることができる。具体的な絶縁性ペーストの溶剤としては、例えば、高沸点溶剤等を用いることができる。

また、上記電子部品６０は、用途に応じ、公知の部品の中から適宜選択すればよい。具体的には、半導体素子、及び半導体素子以外の抵抗やコンデンサ等を挙げることができる。半導体素子としては、たとえば、トランジスタや、ダイオード、ＬＥＤ、コンデンサ等を挙げることができる。本実施形態の電子装置１００において、この電子部品６０は配線１０により導通が図られている。

また、本実施形態の電子装置１００は、必要に応じ、カバー材３０が備えられていてもよい。このカバー材３０を備えることにより、配線１０、電子部品６０が損傷されることを防ぐことができる。カバー材３０は、電子部品６０や、基板２０上の配線１０を覆うように構成されていてもよい。
また、このカバー材３０は、基板２０と同様の材料により構成することができる。このようなカバー材３０が基板２０や配線１０の伸縮に追従することから、電子装置１００全体として、偏りなく伸縮することができ、この電子装置１００の長寿命化にも資することができる。

次に、本実施形態の電子装置１００の製造工程の一例について図２を用いて説明する。
図２は、本実施形態における電子装置１００の製造工程の概略を示す断面図である。

まず図２（ａ）に示すように、作業台１１０上に支持体１２０を設置し、その支持体１２０上に絶縁性ペースト１３０を塗工する。塗工方法としては、各種の方法を用いることができるが、例えば、スキージ１４０を用いたスキージ方法などの印刷法を用いることができる。続いて、塗膜状の絶縁性ペースト１３０を乾燥させて、支持体１２０上に絶縁層１３２（乾燥した絶縁性シート）を形成することができる。乾燥条件は、絶縁性ペースト１３０中の溶剤の種類や量に応じて適宜設定することができるが、例えば、乾燥温度を１５０℃〜１８０℃、乾燥時間を１分〜３０分等とすることができる。

続いて、図２（ｂ）に示すように、絶縁層１３２上に、所定の開口パターン形状を有するマスク１６０を配置する。そして、図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、マスク１６０を介して、絶縁層１３２上に導電性ペースト１５０を塗工する。塗工方法は、絶縁性ペースト１３０の塗工方法と同様の手法を用いることができ、例えば、スキージ１４０によるスキージ印刷を用いてもよい。ここで、絶縁性ペースト１３０および導電性ペースト１５０がそれぞれ熱硬化性エラストマー組成物を含む場合、乾燥した絶縁層１３２上に、所定のパターン形状を有する導電性塗膜（導電層１５２）を積層した後、これらを一括して硬化処理してもよい。硬化処理としては、熱硬化性エラストマー組成物に応じて適宜設定できるが、例えば、硬化温度を１６０℃〜２２０℃、硬化時間を１時間〜３時間等とすることができる。硬化処理後または硬化処理前に、図２（ｄ）に示すように、マスク１６０を取り外すことができる。これにより、絶縁層１３２の硬化物で構成される基板上に、所定のパターン形状を有する、導電層１５２の硬化物である配線を形成することができる。

続いて、図２（ｅ）に示すように、絶縁層１３２およびパターン状の導電層１５２の上に、さらに絶縁性ペースト１７０を塗工し、図２（ｆ）に示すように絶縁層１７２を形成することができる。これらの工程を適宜、繰り返してもよい。また、絶縁層１３２から支持体１２０を分離することも可能である。
以上により、図２（ｆ）に示す電子装置１００を得ることができる。

なお、絶縁性ペーストに代えて絶縁性シートを使用する場合、図２（ｂ）に示す工程から開始してもよい。すなわち、支持体１２０上に絶縁性シートを設置し、所定の乾燥を行った後、その絶縁性シート上にマスク１６０を介して導電性ペースト１５０を塗布してもよい。以後の工程は、上述の工程に従って行うことができる。これにより、図２（ｆ）に示す電子装置１００を得ることが可能である。

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。

以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

実施例および比較例において用いた材料は以下の通りである。

（ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ））
（Ａ１−１）：第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン：ビニル基含有量は０．１３モル％、Ｍｎ＝２２７，７３４、Ｍｗ＝５７３，９０３、ＩＶ値（ｄｌ／ｇ）＝０．８９）、下記の合成スキーム１により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン（上記式（１−１）で表わされる構造）
（Ａ１−２）：第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン：ビニル基含有量は０．９２モル％、下記の合成スキーム２により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン（上記式（１−１）で表わされる構造でＲ^１およびＲ^２がビニル基である構造）

（オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ））
（Ｂ）：オルガノハイドロジェンポリシロキサン：モメンティブ社製、「８８４６６」

（シリカ粒子（Ｃ））
（Ｃ）：シリカ微粒子（粒径７ｎｍ、比表面積３００ｍ^２／ｇ）、日本アエロジル社製、「ＡＥＲＯＳＩＬ３００」

（シランカップリング剤（Ｄ））
（Ｄ）：ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＺ）、Ｇｅｌｅｓｔ社製、「ＨＥＸＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＡＺＡＮＥ（ＳＩＨ６１１０．１）」

（白金または白金化合物（Ｅ））
（Ｅ）：白金化合物、ＰＬＡＴＩＮＵＭ ＤＩＶＩＮＹＬＴＥＴＲＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＯＸＡＮＥ ＣＯＭＰＬＥＸ（ｉｎ ｘｙｌｅｎｅ） （Ｇｅｌｅｓｔ社製、商品名「ＳＩＰ６８３１．２」）

（水（Ｆ））
（Ｆ）：純水

（添加剤）
（反応阻害剤１）：１−エチニル−１−シクロヘキサノール（東京化成社製）

（金属粉（Ｇ））
各実施例、各比較例で使用した金属粉Ｇ１〜金属粉Ｇ１０を表１に示す。

表１中の平均粒径Ｄ_５０、比表面積、タップ密度は次のようにして測定した。
金属粉（Ｇ）の平均粒径Ｄ_５０は、レーザー回折粒度測定装置（島津製作所社製、ＳＡＬＤ−３０００Ｊ）にて測定された５０％粒子径とした。体積基準粒度分布において粒子径の小さい方から累積して５０質量％となる点の粒径である。
金属粉（Ｇ）の比表面積は、自動比表面積測定装置（島津製作所社製、製品名：フローソーブ２３００型）を用いて測定されたＢＥＴ比表面積とした。
金属粉（Ｇ）のタップ密度は、ＩＳＯ ３９５３−１９８５（Ｅ）の「金属粉−タップ密度の測定方法」に従って測定した。

（ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合成）
［合成スキーム１：第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）の合成］
下記式（７）にしたがって、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）を合成した。
すなわち、Ａｒガス置換した、冷却管および攪拌翼を有する３００ｍＬセパラブルフラスコに、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）、カリウムシリコネート０．１ｇを入れ、昇温し、１２０℃で３０分間攪拌した。なお、この際、粘度の上昇が確認できた。
その後、１５５℃まで昇温し、３時間攪拌を続けた。そして、３時間後、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン０．１ｇ（０．６ｍｍｏｌ）を添加し、さらに、１５５℃で４時間攪拌した。
さらに、４時間後、トルエン２５０ｍＬで希釈した後、水で３回洗浄した。洗浄後の有機層をメタノール１．５Ｌで数回洗浄することで、再沈精製し、オリゴマーとポリマーを分離した。得られたポリマーを６０℃で一晩減圧乾燥し、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）を得た（Ｍｗ＝５７３，９０３、Ｍｎ＝２２７，７３４）。また、Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定により算出したビニル基含有量は０．１３モル％であった。

［合成スキーム２：第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）の合成］
上記（Ａ１−１）の合成工程において、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）に加えて２，４，６，８−テトラメチル２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン０．８６ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、（Ａ１−１）の合成工程と同様にすることで、下記式のように、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）を合成した。また、Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定により算出したビニル基含有量は０．９２モル％であった。

［導電性ペーストの作製］
（シリコーンゴム系硬化性組成物１の調製）
次のようにしてシリコーンゴム系硬化性組成物１を調整した。まず、下記の表２に示す割合で、９０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シランカップリング剤（Ｄ）および水（Ｆ）の混合物を予め混練し、その後、混合物にシリカ粒子（Ｃ）を加えてさらに混練し、混練物（シリコーンゴムコンパウンド）を得た。
ここで、シリカ粒子（Ｃ）添加後の混練は、カップリング反応のために窒素雰囲気下、６０〜９０℃の条件下で１時間混練する第１ステップと、副生成物（アンモニア）の除去のために減圧雰囲気下、１６０〜１８０℃の条件下で２時間混練する第２ステップとを経ることで行い、その後、冷却し、残り１０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を２回に分けて添加し、２０分間混練した。
続いて、下記の表２に示す割合で、得られた混練物（シリコーンゴムコンパウンド）１００重量部に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）、白金または白金化合物（Ｅ）および反応阻害剤１を加えて、ロールで混練し、シリコーンゴム系硬化性組成物１（エラストマー組成物１）を得た。

＜実施例１〜４：導電性ペースト１〜４＞
得られた１３．７重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物１（エラストマー組成物１）を、３１．８重量部のテトラデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、５４．５重量部の表３に記載の金属粉（Ｇ）を加えた後に三本ロールで混練することで、液状の導電性ペースト１〜４を得た。

＜比較例１〜６：導電性ペースト５〜１０＞
得られた１３．７重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物１（エラストマー組成物１）を、３１．８重量部のテトラデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、５４．５重量部の表３に記載の金属粉（Ｇ）を加えた後に三本ロールで混練することで、液状の導電性ペースト５〜１０を得た。

［導電性ペーストの評価］
得られた導電性ペースト１〜１０については以下の評価項目に従い評価を行った。評価結果を表３、４に示す。

（抵抗値測定）
得られたシリコーンゴム系硬化性組成物１（エラストマー組成物１）を１７０℃、１２０分で硬化して、シート状に成形し、シリコーンゴムで形成された幅２ｃｍ×高さ５００μｍ×長さ５ｃｍの「基板」を作製した。
続いて、各実施例および各比較例で得られた導電性ペースト１〜１０を用いて、得られた「基板」上に、配線パターンを描き、これを１７０℃１２０分の条件で硬化し、幅５００μｍ×高さ５０μｍ×長さ３０ｍｍの配線パターンを有する試験片を作製した。
この試験片について、（株）エーディーシー製直流電圧・電流源／モニタ（６２４１Ａ）を用い、抵抗を測定しながら長さ方向に３秒で２０％伸長させ、１０秒間保持し、３秒で当該伸長を解放し、１０秒間保持する試験を１００回行った。
この抵抗値（Ω）の変化は常にモニタリングを行い、この試験中における変化についての解析を行った。

「１回目から１００回目までの伸長開始時から解放終了時までに生じる抵抗値のピークトップの平均値（Ｒ_{ｔｏｐ１００}）」を「２０％伸長１００回最大値（平均値）」とし、「１００回目の伸長の終了時における抵抗値（Ｒ_{ｅｘ１００}）」を「２０％伸長１００回伸長状態抵抗（平均値）」とし、「１００回目の伸長解放の終了時における抵抗値（Ｒ_{ｒｅ１００}）」を「２０％伸長１００回解放状態抵抗（平均値）」とした。抵抗値（Ｒ_{ｅｘ１００}）、抵抗値（Ｒ_{ｒｅ１００}）については、３つのサンプルで行い、３つの平均値を測定値とした。

また、各実施例、各比較例の導電性ペーストにおいて、金属粉（Ｇ）の「タップ密度」および「平均粒径Ｄ_５０」と「平均値（Ｒ_{ｔｏｐ１００}）」との関係を図３に示し、「比表面積」および「平均粒径Ｄ_５０」と「平均値（Ｒ_{ｔｏｐ１００}）」との関係を図４に示した。
図３、４中の「平均値（Ｒ_{ｔｏｐ１００}）」について、１０〜９９Ωを「●」、１００〜９９９Ωを「▲」、１０００〜９９９９Ωを「×」、１００００〜１１０００Ωを「―」で表す。
また、図３中の囲い線は、金属粉（Ｇ）のタップ密度が２．８０ｇ／ｃｍ^３以上４．５０ｇ／ｃｍ^３以下であり、平均粒径Ｄ_５０が２．３０μｍ以上１４．０μｍ以下である領域を示す。図４中の囲い線は、金属粉（Ｇ）の比表面積が０．５０ｍ^２／ｇ以上２．００ｍ^２／ｇ以下であり、平均粒径Ｄ_５０が２．３０μｍ以上１０．０μｍ以下である領域を示す。

実施例１〜４の導電性ペーストは、比較例１〜６と比べて、繰り返し伸張試験中における最大抵抗値が小さいことから、導電安定性に優れた導電性樹脂膜を実現できることが分かった。このため、実施例１〜４の導電性ペーストは、繰り返して伸縮されるデバイスの用途、具体的には、伸縮性配線に好適に用いられることが分かった。
この中でも、実施例１、２、４の導電性ペーストは、実施例３の導電性ペーストと比べて、繰り返し伸張試験後の伸張時の導電性や伸張解放時の導電性に優れることから、耐久性に優れた導電性樹脂膜を実現できることが分かった。

１０ 配線
２０ 基板
３０ カバー材
５０ 配線基板
６０ 電子部品
１００ 電子装置
１１０ 作業台
１２０ 支持体
１３０ 絶縁性ペースト
１３２ 絶縁層
１４０ スキージ
１５０ 導電性ペースト
１５２ 導電層
１６０ マスク
１７０ 絶縁性ペースト
１７２ 絶縁層

Claims (12)

1. エラストマー組成物と、導電性フィラーと、溶剤と、を含むものであり、伸縮性配線基板を構成する配線を形成するために用いられる、導電性ペーストであって、
   前記導電性フィラーは、タップ密度が２．８０ｇ／ｃｍ^３以上４．５０ｇ／ｃｍ^３以下であり、平均粒径Ｄ_５０が２．３０μｍ以上１４．０μｍ以下である鱗片状の金属粉（Ｇ）を含む、導電性ペースト。
2. 請求項１に記載の導電性ペーストであって、
   前記導電性フィラーは、比表面積が０．５０ｍ^２／ｇ以上２．００ｍ^２／ｇ以下であり、平均粒径Ｄ_５０が２．３０μｍ以上１０．０μｍ以下である鱗片状の金属粉（Ｇ）を含む、導電性ペースト。
3. 請求項１または２に記載の導電性ペーストであって、
   前記導電性フィラーの含有量が、当該導電性ペースト全体に対して、３０質量％以上８５質量％以下である、導電性ペースト。
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載の導電性ペーストであって、
   前記エラストマー組成物が、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上のエラストマーを形成するための熱硬化性エラストマー組成物を含む、導電性ペースト。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の導電性ペーストであって、
   前記エラストマー組成物が、シリカ粒子（Ｃ）を含有する、導電性ペースト。
6. 請求項５に記載の導電性ペーストであって、
   前記シリカ粒子（Ｃ）の含有量が、前記シリカ粒子（Ｃ）および前記導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、１質量％以上２０質量％以下である、導電性ペースト。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の導電性ペーストであって、
   前記エラストマー組成物が、シリコーンゴム系硬化性組成物を含む、導電性ペースト。
8. 請求項７に記載の導電性ペーストであって、
   前記シリコーンゴム系硬化性組成物が、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を含む、導電性ペースト。
9. 請求項７または８に記載の導電性ペーストであって、
   前記シリコーンゴム系硬化性組成物が、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）をさらに含む、導電性ペースト。
10. 請求項７から９のいずれか１項に記載の導電性ペーストであって、
    前記シリコーンゴム系硬化性組成物が、白金又は白金化合物（Ｅ）をさらに含む、導電性ペースト。
11. 請求項１から１０のいずれか１項に記載の導電性ペーストであって、
    前記エラストマー組成物の含有量が、当該導電性ペースト全体に対して、１質量％以上２５質量％以下である、導電性ペースト。
12. 基板と配線とを備えており、前記配線が請求項１から１１のいずれか１項に記載の導電性ペーストのエラストマーで構成される、伸縮性配線基板。

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