JP6828784B2 - 伸縮性配線基板およびウェアラブルデバイス - Google Patents
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Description
本発明は、伸縮性配線基板およびウェアラブルデバイスに関する。
近年、伸縮性配線基板を構成する配線に用いる材料について様々な開発がなされている。この種の技術としては、例えば、特許文献１に記載の技術が知られている。特許文献１には、伸縮可能な電極や配線に好適な導電性膜を作製するための導電性ペーストとして、樹脂エマルジョン中に凝集銀粉が分散されたものが記載されている（特許文献１の表２等）。
しかしながら、本発明者が検討したところ、上記特許文献１に記載の導電性ペーストにおいて、基板伸長時における通電性の点で、改善の余地を有していることが判明した。
本発明者はさらに検討したところ、鱗片状の金属粉（Ｇ）を含む導電性フィラーの配向性を適切に選択することで、伸長時における配線の通電性を制御できることを見出した。
このような知見に基づいて鋭意検討した結果、配線の幅方向の断面ａ１におけるアスペクトＡ１、配線の厚み方向に直交する方向の断面ａ２におけるアスペクトＡ２を指標とすることで、伸長時の通電性を安定的に評価できることを見出し、本発明を完成するに至った。
このような知見に基づいて鋭意検討した結果、配線の幅方向の断面ａ１におけるアスペクトＡ１、配線の厚み方向に直交する方向の断面ａ２におけるアスペクトＡ２を指標とすることで、伸長時の通電性を安定的に評価できることを見出し、本発明を完成するに至った。
本発明によれば、
エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に積層されており、エラストマー、導電性フィラー、及びシリカ粒子（Ｃ）を含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
導電性フィラーが鱗片状の金属粉（Ｇ）を含み、
前記配線中の前記導電性フィラーの含有量が、５０質量％以上９０質量％以下であり、
前記鱗片状の金属粉（Ｇ）の含有量が、前記導電性フィラー１００質量％中、９０質量％以上１００質量％以下であり、
前記配線中の前記シリカ粒子（Ｃ）の含有量が、前記シリカ粒子（Ｃ）および前記導電性フィラーの合計量１００質量％中、１質量％以上１０質量％以下であり、
下記の手順（１）〜（３）に基づいて求められる、前記配線を幅方向に沿って厚み方向に切断したときの断面ａ１における前記導電性フィラーの平均アスペクトをＡ１とし、前記配線を厚み方向に対して直交する方向に切断したときの断面ａ２における前記導電性フィラーの平均アスペクトをＡ２としたとき、Ａ１およびＡ２が、下記式（Ｉ）を満たす、伸縮性配線基板が提供される。
１．３≦Ａ１／Ａ２ ・・・式（Ｉ）
（手順）
（１）前記配線の幅方向に沿って、前記配線を厚み方向に切断して得られた切断面を、イオンビームを用いて研磨して断面ａ１を得る。
（２）イオンビームを用いて、前記配線の表面を深さ方向に０．００５ｍｍ〜０．０２ｍｍ研磨して、断面ａ２を得る。
（３）得られた断面ａ１および断面ａ２の各々について、視野領域：１２８μｍ×１０２μｍ、倍率：１０００倍の条件で、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察像を得る。得られた観察像を階調対ピクセル数でヒストグラムを取った際に、２つのピークの谷となっている階調で二値化処理した画像に基づいて画像解析を行い、前記導電性フィラーにおける正射影のアスペクトを測定し、測定値が大きい方から３０個の平均値を平均アスペクトとして算出する。前記断面ａ１から算出された平均アスペクトをＡ１とし、前記断面ａ２から算出された平均アスペクトをＡ２とする。
エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に積層されており、エラストマー、導電性フィラー、及びシリカ粒子（Ｃ）を含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
導電性フィラーが鱗片状の金属粉（Ｇ）を含み、
前記配線中の前記導電性フィラーの含有量が、５０質量％以上９０質量％以下であり、
前記鱗片状の金属粉（Ｇ）の含有量が、前記導電性フィラー１００質量％中、９０質量％以上１００質量％以下であり、
前記配線中の前記シリカ粒子（Ｃ）の含有量が、前記シリカ粒子（Ｃ）および前記導電性フィラーの合計量１００質量％中、１質量％以上１０質量％以下であり、
下記の手順（１）〜（３）に基づいて求められる、前記配線を幅方向に沿って厚み方向に切断したときの断面ａ１における前記導電性フィラーの平均アスペクトをＡ１とし、前記配線を厚み方向に対して直交する方向に切断したときの断面ａ２における前記導電性フィラーの平均アスペクトをＡ２としたとき、Ａ１およびＡ２が、下記式（Ｉ）を満たす、伸縮性配線基板が提供される。
１．３≦Ａ１／Ａ２ ・・・式（Ｉ）
（手順）
（１）前記配線の幅方向に沿って、前記配線を厚み方向に切断して得られた切断面を、イオンビームを用いて研磨して断面ａ１を得る。
（２）イオンビームを用いて、前記配線の表面を深さ方向に０．００５ｍｍ〜０．０２ｍｍ研磨して、断面ａ２を得る。
（３）得られた断面ａ１および断面ａ２の各々について、視野領域：１２８μｍ×１０２μｍ、倍率：１０００倍の条件で、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察像を得る。得られた観察像を階調対ピクセル数でヒストグラムを取った際に、２つのピークの谷となっている階調で二値化処理した画像に基づいて画像解析を行い、前記導電性フィラーにおける正射影のアスペクトを測定し、測定値が大きい方から３０個の平均値を平均アスペクトとして算出する。前記断面ａ１から算出された平均アスペクトをＡ１とし、前記断面ａ２から算出された平均アスペクトをＡ２とする。
本発明によれば、基板伸長時における通電性に優れた伸縮性配線基板およびそれを用いたウェアラブルデバイスが提供される。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、本明細書中において、「〜」は特に断りがなければ以上から以下を表す。
本実施形態の伸縮性配線基板の概要を説明する。
本実施形態の伸縮性配線基板は、エラストマーを含有する基板と、基板の一面上に積層されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する。配線中の導電性フィラーが鱗片状の金属粉（Ｇ）を含むものである。
この伸縮性配線基板は、下記の手順（１）〜（３）に基づいて求められる、配線を幅方向に沿って厚み方向に切断したときの断面ａ１における導電性フィラーの平均アスペクトをＡ１とし、配線を厚み方向に対して直交する方向に切断したときの断面ａ２における導電性フィラーの平均アスペクトをＡ２としたとき、Ａ１およびＡ２が、下記式（Ｉ）を満たすという特性を有する。
１．１≦Ａ１／Ａ２ ・・・式（Ｉ）
本実施形態の伸縮性配線基板は、エラストマーを含有する基板と、基板の一面上に積層されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する。配線中の導電性フィラーが鱗片状の金属粉（Ｇ）を含むものである。
この伸縮性配線基板は、下記の手順（１）〜（３）に基づいて求められる、配線を幅方向に沿って厚み方向に切断したときの断面ａ１における導電性フィラーの平均アスペクトをＡ１とし、配線を厚み方向に対して直交する方向に切断したときの断面ａ２における導電性フィラーの平均アスペクトをＡ２としたとき、Ａ１およびＡ２が、下記式（Ｉ）を満たすという特性を有する。
１．１≦Ａ１／Ａ２ ・・・式（Ｉ）
上記配線に含まれる導電性フィラーのアスペクトの測定手順について、図３を用いて簡単に説明する。図３は、伸縮性配線基板（配線基板５０）の概要を示す斜視図である。図３中、配線基板５０は上記「伸縮性配線基板」、配線１０は上記「配線」、基板２０は上記「基板」を表す。図３中、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、３次元空間において互いに直交する。
配線１０が上面視形状が矩形状である場合、Ｚ軸方向は、配線の厚み方向、Ｘ軸方向は、配線１０の短手方向、Ｙ軸方向は、配線１０の長手方向を意味する。
配線１０が上面視形状が矩形状である場合、Ｚ軸方向は、配線の厚み方向、Ｘ軸方向は、配線１０の短手方向、Ｙ軸方向は、配線１０の長手方向を意味する。
（手順）
（１）配線１０の幅方向（Ｘ方向）に沿って、すなわち、配線１０の幅方向と平行な方向に沿って、配線１０を厚み方向（Ｚ方向）に切断して切断面を得る。配線１０の長手方向（Ｙ方向）の所定部分、例えば、中央部分を通るように切断され得る。得られた切断面を、イオンビームを用いて研磨して断面ａ１を得る。断面ａ１は図３中のａ１−ａ１矢視の断面を表す。
上記断面ａ１として、配線１０の長手方向に対して直交する方向に切断した断面、または配線１０の伸長方向に対して直交する方向に配線１０を切断した断面を用いてもよい。
配線の上面視形状が円形状または正方形状の電極パッドの場合、断面ａ１は、上面視における電極パッドの中心または中心近傍を通過する断面を用いることができる。
なお、本手順において、断面ａ１は、配線１０の所定方向に延在する部分、または電極パット部分において、少なくとも１カ所を用いればよい。
（１）配線１０の幅方向（Ｘ方向）に沿って、すなわち、配線１０の幅方向と平行な方向に沿って、配線１０を厚み方向（Ｚ方向）に切断して切断面を得る。配線１０の長手方向（Ｙ方向）の所定部分、例えば、中央部分を通るように切断され得る。得られた切断面を、イオンビームを用いて研磨して断面ａ１を得る。断面ａ１は図３中のａ１−ａ１矢視の断面を表す。
上記断面ａ１として、配線１０の長手方向に対して直交する方向に切断した断面、または配線１０の伸長方向に対して直交する方向に配線１０を切断した断面を用いてもよい。
配線の上面視形状が円形状または正方形状の電極パッドの場合、断面ａ１は、上面視における電極パッドの中心または中心近傍を通過する断面を用いることができる。
なお、本手順において、断面ａ１は、配線１０の所定方向に延在する部分、または電極パット部分において、少なくとも１カ所を用いればよい。
（２）イオンビームを用いて、配線１０の表面１２を深さ方向（Ｚ方向とは反対方向）に０．００５ｍｍ〜０．０２ｍｍの所定深さ研磨して、断面ａ２を得る。断面ａ２は図３中のａ２−ａ２矢視の断面を表す。
上記のイオンビームを用いた研磨方法は、減圧・アルゴンガス雰囲気中、研磨対象に対して、電圧を印加して加速したアルゴンイオンにより、研磨対象の表面を深さ方向に研磨できる。イオンビームは、表面に対して鉛直方向から照射し得る。イオンビームの条件である電圧量や電圧を印加する時間は、研磨対象であるや配線の材料や配線厚みに応じて適切に選択できる。上記（２）中の研磨される所定深さは、配線１０の表面１２からある程度の深さ方向に研磨したことを意味し、０．００５ｍｍ〜０．０２ｍｍのいずれかであればよい。なお、研磨される所定深さは、測定精度のばらつきを許容し得る。
なお、本手順において、断面ａ２は、配線１０の表面１２、または電極パットの表面において、少なくとも１カ所を用いればよい。また、断面ａ２は、断面ａ１の対象とした配線１０から得られるものでもよい。
上記のイオンビームを用いた研磨方法は、減圧・アルゴンガス雰囲気中、研磨対象に対して、電圧を印加して加速したアルゴンイオンにより、研磨対象の表面を深さ方向に研磨できる。イオンビームは、表面に対して鉛直方向から照射し得る。イオンビームの条件である電圧量や電圧を印加する時間は、研磨対象であるや配線の材料や配線厚みに応じて適切に選択できる。上記（２）中の研磨される所定深さは、配線１０の表面１２からある程度の深さ方向に研磨したことを意味し、０．００５ｍｍ〜０．０２ｍｍのいずれかであればよい。なお、研磨される所定深さは、測定精度のばらつきを許容し得る。
なお、本手順において、断面ａ２は、配線１０の表面１２、または電極パットの表面において、少なくとも１カ所を用いればよい。また、断面ａ２は、断面ａ１の対象とした配線１０から得られるものでもよい。
（３）続いて、（１）で得られた断面ａ１、（２）で得られた断面ａ２の各々について、視野領域：１２８μｍ×１０２μｍ、倍率：１０００倍の条件で、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察像を得る。
得られた観察像を階調対ピクセル数でヒストグラムを取った際に、２つのピークの谷となっている階調で二値化処理した画像に基づいて画像解析を行い、導電性フィラーにおける正射影のアスペクトを測定し、測定値が大きい方から３０個の平均値を平均アスペクトとして求める。
断面ａ１から算出された平均アスペクトをＡ１とし、断面ａ２から算出された平均アスペクトをＡ２として、「Ａ１／Ａ２」が算出される。
得られた観察像を階調対ピクセル数でヒストグラムを取った際に、２つのピークの谷となっている階調で二値化処理した画像に基づいて画像解析を行い、導電性フィラーにおける正射影のアスペクトを測定し、測定値が大きい方から３０個の平均値を平均アスペクトとして求める。
断面ａ１から算出された平均アスペクトをＡ１とし、断面ａ２から算出された平均アスペクトをＡ２として、「Ａ１／Ａ２」が算出される。
本発明者の知見によれば、導電性フィラー中の鱗片状の金属粉（Ｇ）の配向性を適切に制御することで、伸縮性配線基板中の配線における伸長時の通電性を向上できることが見出された。
配線の幅方向の断面ａ１において、薄厚の鱗片状の金属粉（Ｇ）が互いに重なるように配向することで、配線伸長時に多くの導電パスを確保することができる。一方、配線の厚み方向に直交する方向の断面ａ２において、大面積となる鱗片状の金属粉（Ｇ）が配向することで、配線の低抵抗化を実現できる。
このような知見に基づいてさらに検討を進めた結果、鱗片状の金属粉（Ｇ）の配向性を正射影のアスペクト比に基づいて代替的に特定することができ、このような正射影のアスペクト比に基づく２つの方向の断面ａ１、ａ２におけるアスペクトＡ１、Ａ２を指標とすることで、伸長時の通電性を安定的に評価できることを見出した。
配線の幅方向の断面ａ１において、薄厚の鱗片状の金属粉（Ｇ）が互いに重なるように配向することで、配線伸長時に多くの導電パスを確保することができる。一方、配線の厚み方向に直交する方向の断面ａ２において、大面積となる鱗片状の金属粉（Ｇ）が配向することで、配線の低抵抗化を実現できる。
このような知見に基づいてさらに検討を進めた結果、鱗片状の金属粉（Ｇ）の配向性を正射影のアスペクト比に基づいて代替的に特定することができ、このような正射影のアスペクト比に基づく２つの方向の断面ａ１、ａ２におけるアスペクトＡ１、Ａ２を指標とすることで、伸長時の通電性を安定的に評価できることを見出した。
アスペクト比Ａ１／Ａ２の下限値は、例えば、１．１以上、好ましくは１．２以上、より好ましくは１．３以上である。これにより、鱗片状の金属粉（Ｇ）を上記のような適切な配向を実現できるため、伸縮性配線基板の伸長時の抵抗値の増加を低く抑えられるため、伸長時における通電性を高めることができる。
アスペクト比Ａ１／Ａ２の上限値は、例えば、２０．０以下、好ましくは１０．０以下、より好ましくは５．０以下である。これにより、細線の配線構造の製造安定性を高めることができる。具体的には、長すぎる・大面積過ぎる鱗片状の金属粉（Ｇ）は、配線の印刷時にメッシュに詰まる恐れがあるが、これを抑制できる。また、細線化できないと隣接配線間が縮まるため、ショートが生じる恐れがあるが、これを抑制できる。
また、本実施形態の伸縮性配線基板中、導電性フィラーの上記アスペクトＡ１が、下記の式（ＩＩ）を満たすことができる。
２．０≦Ａ１≦１０．０ ・・・式（ＩＩ）
２．０≦Ａ１≦１０．０ ・・・式（ＩＩ）
上記アスペクトＡ１の下限値は、例えば、２．０以上、好ましくは２．２以上、より好ましくは２．４以上である。これにより、伸長時の抵抗値の増加を低く抑えられるため、伸長時における通電性を高めることができる。上記アスペクトＡ１の上限値は、例えば、１０．０以下、好ましくは９．０以下、より好ましくは８．０以下である。これにより、配線の製造安定性を高めることができる。
上記アスペクトＡ２の下限値は、例えば、１．０以上、好ましくは１．３以上、より好ましくは１．５以上である。これにより、伸縮性配線基板の未伸長時の初期抵抗を低く抑えることができる。上記アスペクトＡ１の上限値は、例えば、５．０以下、好ましくは４．０以下、より好ましくは３．０以下である。これにより、配線の製造安定性を高めることができる。
本実施形態の伸縮性配線基板は、上記のアスペクト比Ａ１／Ａ２で表される鱗片状の金属粉（Ｇ）の配向特性を、配線の少なくとも一部に有することができる。また、配線の延在方向中において最も細い再配線部が、上記の配向特性を有してもよく、他の電極と接続する電極パット部が、上記の配向特性を有してもよい。これにより、伸長時における通電性に優れた伸縮性配線基板を実現できる。
本実施形態では、たとえば配線材料である導電性ペースト中に含まれる各成分の種類や配合量、導電性ペーストの調製方法、配線の形成方法等を適切に選択することにより、上記アスペクト比Ａ１／Ａ２、Ａ１およびＡ２を制御することが可能である。これらの中でも、たとえば、大面積かつ薄層の鱗片状の金属粉（Ｇ）を使用すること、導電性ペーストの溶剤として、印刷に適した高沸点の溶剤、シリコーンなどのエラストマー成分の溶解性に優れた炭化水素系溶剤を使用すること、導電性ペースト中の溶剤量などを適切に調整することなどが、上記アスペクト比Ａ１／Ａ２、Ａ１およびＡ２を所望の数値範囲とするための要素として挙げられる。
詳細なメカニズムは定かでないが、以下のように考えられる。
鱗片状の金属粉（Ｇ）が大きく、アスペクト比が高いものを選択し、固形のシリコーン成分の溶解性が良好な溶剤を大量に使用することにより、溶剤揮発前に比較的低粘度の導電性ペースト中において、鱗片状の金属粉（Ｇ）が、分散性が高く自由に移動できる。導電性ペーストの塗布工程において、印刷手段を使用し、溶剤の揮発スピードを適度とすることで、鱗片状の金属粉（Ｇ）の配向を適切に制御できる、と考えられる。
詳細なメカニズムは定かでないが、以下のように考えられる。
鱗片状の金属粉（Ｇ）が大きく、アスペクト比が高いものを選択し、固形のシリコーン成分の溶解性が良好な溶剤を大量に使用することにより、溶剤揮発前に比較的低粘度の導電性ペースト中において、鱗片状の金属粉（Ｇ）が、分散性が高く自由に移動できる。導電性ペーストの塗布工程において、印刷手段を使用し、溶剤の揮発スピードを適度とすることで、鱗片状の金属粉（Ｇ）の配向を適切に制御できる、と考えられる。
以下、本実施形態の伸縮性配線基板の各構成について説明する。
本実施形態の伸縮性配線基板は、少なくともエラストマーを含有する基板とエラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線とを有するものである。基板は絶縁性であり、一方の配線は導電性である。このような伸縮性配線基板は、適度な伸縮性を発現させ、伸縮電気特性を高めることができる。
配線は、導電ペーストを使用して作製されていてもよい。導電性ペーストは、エラストマー組成物と、導電性フィラーと、溶剤と、を含むことができる。導電性ペーストを使用して作製された配線において、適度な伸縮性を発現することができる。
基板は、絶縁ペーストを使用して作製されていてもよい。絶縁性ペーストは、エラストマー組成物と溶剤を含むものである。このような絶縁性ペーストを使用して作製された基板は、機械的強度および絶縁性に優れた基板を実現できる。
上記導電性ペーストは、エラストマー組成物と、導電性フィラーと、溶剤と、を含むことがきる。導電性ペーストで作製された配線において、適度な伸縮性を発現することができる。
上記基板や配線に含まれるエラストマーとしては、例えば、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上の熱硬化性エラストマーを形成するために用いる熱硬化性エラストマー組成物を含むことができ、好ましくは、シリコーンゴム系硬化性組成物を含むことができる。
（エラストマー）
また、上記エラストマーとしては、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム等を用いることができる。この中でも、エラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上の熱硬化性エラストマーが用いられる。エラストマーとしては、化学的に安定であり、また、機械的強度にも優れる観点からシリコーンゴムを含むことができる。上記熱硬化性エラストマーは、熱硬化性エラストマー組成物の硬化物で構成することができる。例えば、上記シリコーンゴムは、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成することができる。なお熱可塑性エラストマーは、熱可塑性エラストマー組成物の乾燥物で構成することができる。
また、上記エラストマーとしては、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム等を用いることができる。この中でも、エラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上の熱硬化性エラストマーが用いられる。エラストマーとしては、化学的に安定であり、また、機械的強度にも優れる観点からシリコーンゴムを含むことができる。上記熱硬化性エラストマーは、熱硬化性エラストマー組成物の硬化物で構成することができる。例えば、上記シリコーンゴムは、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成することができる。なお熱可塑性エラストマーは、熱可塑性エラストマー組成物の乾燥物で構成することができる。
以下、本実施形態に係る配線が、シリコーンゴム系硬化性組成物を含む導電性ペーストを用いて形成された一例について説明する。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を含むことができる。ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物の主成分となる重合物である。
上記ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、直鎖構造を有するビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を含むことができる。
上記ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）は、直鎖構造を有し、かつ、ビニル基を含有しており、かかるビニル基が硬化時の架橋点となる。
ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）のビニル基の含有量は、特に限定されないが、例えば、分子内に２個以上のビニル基を有し、かつ１５モル％以下であるのが好ましく、０．０１〜１２モル％であるのがより好ましい。これにより、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）中におけるビニル基の量が最適化され、後述する各成分とのネットワークの形成を確実に行うことができる。本実施形態において、「〜」は、その両端の数値を含むことを意味する。
なお、本明細書中において、ビニル基含有量とは、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を構成する全ユニットを１００モル％としたときのビニル基含有シロキサンユニットのモル％である。ただし、ビニル基含有シロキサンユニット１つに対して、ビニル基１つであると考える。
また、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の重合度は、特に限定されないが、例えば、好ましくは１０００〜１００００程度、より好ましくは２０００〜５０００程度の範囲内である。なお、重合度は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）におけるポリスチレン換算の数平均重合度（又は数平均分子量）等として求めることができる。
さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の比重は、特に限定されないが、０．９〜１．１程度の範囲であるのが好ましい。
ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、上記のような範囲内の重合度および比重を有するものを用いることにより、得られるシリコーンゴムの耐熱性、難燃性、化学的安定性等の向上を図ることができる。
ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）としては、特に、下記式（１）で表される構造を有するものであるが好ましい。
式（１）中、Ｒ１は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられ、中でも、ビニル基が好ましい。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基等が挙げられる。
また、Ｒ２は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。
また、Ｒ３は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。
さらに、式（１）中のＲ１およびＲ２の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、Ｒ３の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。
なお、式（１）中、複数のＲ１は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。さらに、Ｒ２、およびＲ３についても同様である。
さらに、ｍ、ｎは、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは０〜２０００の整数、ｎは１０００〜１００００の整数である。ｍは、好ましくは０〜１０００であり、ｎは、好ましくは２０００〜５０００である。
また、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の具体的構造としては、例えば下記式（１−１）で表されるものが挙げられる。
式（１−１）中、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、メチル基またはビニル基であり、少なくとも一方がビニル基である。
さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）としては、ビニル基含有量が分子内に２個以上のビニル基を有し、かつ０．４モル％以下である第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と、ビニル基含有量が０．５〜１５モル％である第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを含有するものであるのが好ましい。シリコーンゴムの原料である生ゴムとして、一般的なビニル基含有量を有する第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と、ビニル基含有量が高い第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを組み合わせることで、ビニル基を偏在化させることができ、シリコーンゴムの架橋ネットワーク中に、より効果的に架橋密度の疎密を形成することができる。その結果、より効果的にシリコーンゴムの引裂強度を高めることができる。
具体的には、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、例えば、上記式（１−１）において、Ｒ１がビニル基である単位および／またはＲ２がビニル基である単位を、分子内に２個以上有し、かつ０．４モル％以下を含む第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と、Ｒ１がビニル基である単位および／またはＲ２がビニル基である単位を、０．５〜１５モル％含む第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを用いるのが好ましい。
また、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）は、ビニル基含有量が０．０１〜０．２モル％であるのが好ましく、０．０２〜０．１５モル％がより好ましい。また、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）は、ビニル基含有量が、０．５〜１２モル％が好ましく、０．８〜８モル％がより好ましい。
さらに、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを組み合わせて配合する場合、（Ａ１−１）と（Ａ１−２）の比率は特に限定されないが、例えば、重量比で（Ａ１−１）：（Ａ１−２）が５０：５０〜９５：５であるのが好ましく、６０：４０〜９２：８であるのがより好ましく、８０：２０〜９０：１０であるのがさらに好ましい。
なお、第１および第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）および（Ａ１−２）は、それぞれ１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、分岐構造を有するビニル基含有分岐状オルガノポリシロキサン（Ａ２）を含んでもよい。
＜＜オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）を含むことができる。
オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）は、直鎖構造を有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐構造を有する分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）とに分類され、これらのうちのいずれか一方または双方を含むことができる。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）を含むことができる。
オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）は、直鎖構造を有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐構造を有する分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）とに分類され、これらのうちのいずれか一方または双方を含むことができる。
直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、直鎖構造を有し、かつ、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ−Ｈ）を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分が有するビニル基とヒドロシリル化反応し、これらの成分を架橋する重合体である。
直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の分子量は特に限定されないが、例えば、重量平均分子量が２００００以下であるのが好ましく、１０００以上、１００００以下であることがより好ましい。
なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の重量平均分子量は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）におけるポリスチレン換算により測定することができる。
また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。
以上のような直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）としては、例えば、下記式（２）で表される構造を有するものが好ましく用いられる。
式（２）中、Ｒ４は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。
また、Ｒ５は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。
なお、式（２）中、複数のＲ４は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。Ｒ５についても同様である。ただし、複数のＲ４およびＲ５のうち、少なくとも２つ以上がヒドリド基である。
また、Ｒ６は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。複数のＲ６は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。
なお、式（２）中のＲ４，Ｒ５，Ｒ６の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、分子内の架橋反応を防止する観点から、メチル基が好ましい。
さらに、ｍ、ｎは、式（２）で表される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは２〜１５０整数、ｎは２〜１５０の整数である。好ましくは、ｍは２〜１００の整数、ｎは２〜１００の整数である。
なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、分岐構造を有するため、架橋密度が高い領域を形成し、シリコーンゴムの系中の架橋密度の疎密構造形成に大きく寄与する成分である。また、上記直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）同様、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ−Ｈ）を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分のビニル基とヒドロシリル化反応し、これら成分を架橋する重合体である。
また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の比重は、０．９〜０．９５の範囲である。
さらに、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。
また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）としては、下記平均組成式（ｃ）で示されるものが好ましい。
平均組成式（ｃ）
（Ｈａ（Ｒ７）３−ａＳｉＯ１／２）ｍ（ＳｉＯ４／２）ｎ
（式（ｃ）において、Ｒ７は一価の有機基、ａは１〜３の範囲の整数、ｍはＨａ（Ｒ７）３−ａＳｉＯ１／２単位の数、ｎはＳｉＯ４／２単位の数である）
（Ｈａ（Ｒ７）３−ａＳｉＯ１／２）ｍ（ＳｉＯ４／２）ｎ
（式（ｃ）において、Ｒ７は一価の有機基、ａは１〜３の範囲の整数、ｍはＨａ（Ｒ７）３−ａＳｉＯ１／２単位の数、ｎはＳｉＯ４／２単位の数である）
式（ｃ）において、Ｒ７は一価の有機基であり、好ましくは、炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。
式（ｃ）において、ａは、ヒドリド基（Ｓｉに直接結合する水素原子）の数であり、１〜３の範囲の整数、好ましくは１である。
また、式（ｃ）において、ｍはＨａ（Ｒ７）３−ａＳｉＯ１／２単位の数、ｎはＳｉＯ４／２単位の数である。
分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は分岐状構造を有する。直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、その構造が直鎖状か分岐状かという点で異なり、Ｓｉの数を１とした時のＳｉに結合するアルキル基Ｒの数（Ｒ／Ｓｉ）が、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）では１．８〜２．１、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）では０．８〜１．７の範囲となる。
なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、分岐構造を有しているため、例えば、窒素雰囲気下、１０００℃まで昇温速度１０℃／分で加熱した際の残渣量が５％以上となる。これに対して、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、直鎖状であるため、上記条件で加熱した後の残渣量はほぼゼロとなる。
また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の具体例としては、下記式（３）で表される構造を有するものが挙げられる。
式（３）中、Ｒ７は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基、もしくは水素原子である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。Ｒ７の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。
なお、式（３）中、複数のＲ７は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。
また、式（３）中、「−Ｏ−Ｓｉ≡」は、Ｓｉが三次元に広がる分岐構造を有することを表している。
なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）において、Ｓｉに直接結合する水素原子（ヒドリド基）の量は、それぞれ、特に限定されない。ただし、シリコーンゴム系硬化性組成物において、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）中のビニル基１モルに対し、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の合計のヒドリド基量が、０．５〜５モルとなる量が好ましく、１〜３．５モルとなる量がより好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）および分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）と、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）との間で、架橋ネットワークを確実に形成させることができる。
本実施形態において、導電性ペースト中におけるエラストマー組成物（シリコーンゴム系硬化性組成物）の含有量は、導電性ペースト全体に対して、１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、５質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中におけるエラストマー組成物の含有量は、導電性ペースト全体に対して、２５質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以下であることがさらに好ましい。
エラストマー組成物の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを用いて形成された配線が適度な柔軟性を持つことができる。また、エラストマー組成物の含有量を上記上限値以下とすることにより、配線の機械的強度の向上を図ることができる。
エラストマー組成物の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを用いて形成された配線が適度な柔軟性を持つことができる。また、エラストマー組成物の含有量を上記上限値以下とすることにより、配線の機械的強度の向上を図ることができる。
＜＜シリカ粒子（Ｃ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、必要に応じ、シリカ粒子（Ｃ）を含むことができる。これにより、シリコーンゴム系硬化性組成物から形成されるエラストマーの硬さや機械的強度の向上を図ることができる。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、必要に応じ、シリカ粒子（Ｃ）を含むことができる。これにより、シリコーンゴム系硬化性組成物から形成されるエラストマーの硬さや機械的強度の向上を図ることができる。
本実施形態の導電性ペーストは、導電性フィラーに加えてシリカ粒子を含有することにより、当該導電性ペーストの硬化物等で構成されるエラストマーの機械的強度や耐久性を向上させることができる。このような導電性ペーストを使用して、伸縮性配線基板を構成する配線などの導電性樹脂膜を作製することによって、その導電性樹脂膜の機械的強度や耐久性を向上させることができる。これにより、本実施形態の導電性ペーストで形成された配線を備える伸縮性配線基板の伸縮電気特性を高めることができる。
シリカ粒子（Ｃ）としては、特に限定されないが、例えば、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、沈降シリカ等が用いられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
シリカ粒子（Ｃ）は、例えば、ＢＥＴ法による比表面積が例えば５０〜４００ｍ２／ｇであるのが好ましく、１００〜４００ｍ２／ｇであるのがより好ましい。また、シリカ粒子（Ｃ）の平均一次粒径は、例えば１〜１００ｎｍであるのが好ましく、５〜２０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
シリカ粒子（Ｃ）として、かかる比表面積および平均粒径の範囲内であるものを用いることにより、形成されるシリコーンゴムの硬さや機械的強度の向上、特に引張強度の向上をさせることができる。
本実施形態において、導電性ペースト中におけるシリカ粒子（Ｃ）の含有量は、導電性ペーストの全体に対して、１質量％以上であることが好ましく、２質量％以上であることがより好ましく、３質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中におけるシリカ粒子（Ｃ）の含有量は、導電性ペーストの全体に対して、例えば、２０量％以下、１５質量％以下であることが好ましく、１２質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがさらに好ましい。
シリカ粒子（Ｃ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを使用して作製された配線のエラストマーが適度な機械的強度を持つことができる。また、シリカ粒子（Ｃ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、配線のエラストマーが適度な導電特性を持つことができる。
シリカ粒子（Ｃ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを使用して作製された配線のエラストマーが適度な機械的強度を持つことができる。また、シリカ粒子（Ｃ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、配線のエラストマーが適度な導電特性を持つことができる。
＜＜シランカップリング剤（Ｄ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、シランカップリング剤（Ｄ）を含むことができる。
シランカップリング剤（Ｄ）は、加水分解性基を有することができる。加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子（Ｃ）表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子（Ｃ）の表面改質を行うことができる。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、シランカップリング剤（Ｄ）を含むことができる。
シランカップリング剤（Ｄ）は、加水分解性基を有することができる。加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子（Ｃ）表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子（Ｃ）の表面改質を行うことができる。
また、このシランカップリング剤（Ｄ）は、疎水性基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子（Ｃ）の表面にこの疎水性基が付与されるため、シリコーンゴム系硬化性組成物中ひいてはシリコーンゴム中において、シリカ粒子（Ｃ）の凝集力が低下（シラノール基による水素結合による凝集が少なくなる）し、その結果、シリコーンゴム系硬化性組成物中のシリカ粒子の分散性が向上すると推測される。これにより、シリカ粒子とゴムマトリックスとの界面が増加し、シリカ粒子の補強効果が増大する。さらに、ゴムのマトリックス変形の際、マトリックス内でのシリカ粒子の滑り性が向上すると推測される。そして、シリカ粒子（Ｃ）の分散性の向上及び滑り性の向上によって、シリカ粒子（Ｃ）によるシリコーンゴムの機械的強度（例えば、引張強度や引裂強度など）が向上する。
さらに、シランカップリング剤（Ｄ）は、ビニル基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子（Ｃ）の表面にビニル基が導入される。そのため、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化の際、すなわち、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）が有するビニル基と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）が有するヒドリド基とがヒドロシリル化反応して、これらによるネットワーク（架橋構造）が形成される際に、シリカ粒子（Ｃ）が有するビニル基も、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）が有するヒドリド基とのヒドロシリル化反応に関与するため、ネットワーク中にシリカ粒子（Ｃ）も取り込まれるようになる。これにより、形成されるシリコーンゴムの低硬度化および高モジュラス化を図ることができる。
シランカップリング剤（Ｄ）としては、疎水性基を有するシランカップリング剤およびビニル基を有するシランカップリング剤を併用することができる。
シランカップリング剤（Ｄ）としては、例えば、下記式（４）で表わされるものが挙げられる。
Ｙｎ−Ｓｉ−（Ｘ）４−ｎ・・・（４）
上記式（４）中、ｎは１〜３の整数を表わす。Ｙは、疎水性基、親水性基またはビニル基を有するもののうちのいずれかの官能基を表わし、ｎが１の時は疎水性基であり、ｎが２または３の時はその少なくとも１つが疎水性基である。Ｘは、加水分解性基を表わす。
上記式（４）中、ｎは１〜３の整数を表わす。Ｙは、疎水性基、親水性基またはビニル基を有するもののうちのいずれかの官能基を表わし、ｎが１の時は疎水性基であり、ｎが２または３の時はその少なくとも１つが疎水性基である。Ｘは、加水分解性基を表わす。
疎水性基は、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基等が挙げられ、中でも、特に、メチル基が好ましい。
また、親水性基は、例えば、水酸基、スルホン酸基、カルボキシル基またはカルボニル基等が挙げられ、中でも、特に、水酸基が好ましい。なお、親水性基は、官能基として含まれていてもよいが、シランカップリング剤（Ｄ）に疎水性を付与するという観点からは含まれていないのが好ましい。
さらに、加水分解性基は、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、クロロ基またはシラザン基等が挙げられ、中でも、シリカ粒子（Ｃ）との反応性が高いことから、シラザン基が好ましい。なお、加水分解性基としてシラザン基を有するものは、その構造上の特性から、上記式（４）中の（Ｙｎ−Ｓｉ−）の構造を２つ有するものとなる。
上記式（４）で表されるシランカップリング剤（Ｄ）の具体例は、例えば、官能基として疎水性基を有するものとして、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン；メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシランのようなクロロシラン；ヘキサメチルジシラザンが挙げられ、官能基としてビニル基を有するものとして、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシランのようなアルコキシシラン；ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロロシランのようなクロロシラン；ジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられるが、中でも、上記記載を考慮すると、特に、疎水性基を有するものとしてはヘキサメチルジシラザン、ビニル基を有するものとしてはジビニルテトラメチルジシラザンであるのが好ましい。
本実施形態において、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量の下限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対して、１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、５質量％以上であることがさらに好ましい。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量上限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対して、１００質量％以下であることが好ましく、８０質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以下であることがさらに好ましい。
シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを用いて形成された導電性樹脂膜が基板との適度な密着性を持ち、また、シリカ粒子（Ｃ）を用いる場合においては、配線と基板全体としての機械的強度の向上に資することができる。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、導電性樹脂膜が適度な機械特性を持つことができる。
シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを用いて形成された導電性樹脂膜が基板との適度な密着性を持ち、また、シリカ粒子（Ｃ）を用いる場合においては、配線と基板全体としての機械的強度の向上に資することができる。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、導電性樹脂膜が適度な機械特性を持つことができる。
＜＜白金または白金化合物（Ｅ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、白金または白金化合物（Ｅ）を含むことができる。
白金または白金化合物（Ｅ）は、硬化の際の触媒として作用する触媒成分である。白金または白金化合物（Ｅ）の添加量は触媒量である。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、白金または白金化合物（Ｅ）を含むことができる。
白金または白金化合物（Ｅ）は、硬化の際の触媒として作用する触媒成分である。白金または白金化合物（Ｅ）の添加量は触媒量である。
白金または白金化合物（Ｅ）としては、公知のものを使用することができ、例えば、白金黒、白金をシリカやカーボンブラック等に担持させたもの、塩化白金酸または塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とオレフィンの錯塩、塩化白金酸とビニルシロキサンとの錯塩等が挙げられる。
なお、白金または白金化合物（Ｅ）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中における白金または白金化合物（Ｅ）の含有量は、具体的にはペースト成分中のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シリカ粒子（Ｃ）、シランカップリング剤（Ｄ）の合計量１００重量部に対して、白金族金属が重量単位で０．０１〜１０００ｐｐｍとなる量であり、好ましくは、０．１〜５００ｐｐｍとなる量である。
白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストが適切な速度で硬化することが可能となる。また、白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、導電性ペーストを作製する際のコストの削減に資することができる。
白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストが適切な速度で硬化することが可能となる。また、白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、導電性ペーストを作製する際のコストの削減に資することができる。
なお、触媒の白金または白金化合物（Ｅ）は、他の触媒を使用、または白金または白金化合物（Ｅ）と併用してもよい。他の触媒として、例えば、有機過酸化物が用いられる。有機過酸化物としては、公知のものを使用することができ、例えば、ケトンパーオキサイド類、ジアシルパーオキサイド類、ハイドロパーオキサイド類、ジアルキルパーオキサイド類、パーオキシケタール類、アルキルパーエステル類、パーオキシエステル類およびパーオキシジカーボネート類からなる群から選択される一種以上を含むことができる。
＜＜水（Ｆ）＞＞
また、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物には、上記成分（Ａ）〜（Ｅ）以外に、水（Ｆ）が含まれていてもよい。
また、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物には、上記成分（Ａ）〜（Ｅ）以外に、水（Ｆ）が含まれていてもよい。
水（Ｆ）は、シリコーンゴム系硬化性組成物に含まれる各成分を分散させる分散媒として機能するとともに、シリカ粒子（Ｃ）とシランカップリング剤（Ｄ）との反応に寄与する成分である。そのため、シリコーンゴム中において、シリカ粒子（Ｃ）とシランカップリング剤（Ｄ）とを、より確実に互いに連結したものとすることができ、全体として均一な特性を発揮することができる。
さらに、水（Ｆ）を含有する場合、その含有量は、適宜設定することができるが、具体的には、シランカップリング剤（Ｄ）１００重量部に対して、例えば、１０〜１００重量部の範囲であるのが好ましく、３０〜７０重量部の範囲であるのがより好ましい。これにより、シランカップリング剤（Ｄ）とシリカ粒子（Ｃ）との反応をより確実に進行させることができる。
（その他の成分）
さらに、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、上記（Ａ）〜（Ｆ）成分以外に、他の成分をさらに含むことができる。この他の成分としては、例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等のシリカ粒子（Ｃ）以外の無機充填材、反応阻害剤、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等の添加剤が挙げられる。
さらに、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、上記（Ａ）〜（Ｆ）成分以外に、他の成分をさらに含むことができる。この他の成分としては、例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等のシリカ粒子（Ｃ）以外の無機充填材、反応阻害剤、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等の添加剤が挙げられる。
（導電性フィラー）
本実施形態の導電性ペーストは、導電性フィラーを含むことができる。この導電性フィラーとしては、公知の導電材料を用いてもよいが、鱗片状の金属粉（Ｇ）を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
本実施形態の導電性ペーストは、導電性フィラーを含むことができる。この導電性フィラーとしては、公知の導電材料を用いてもよいが、鱗片状の金属粉（Ｇ）を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、上記鱗片状の金属粉（Ｇ）の平均粒径Ｄ５０としては、例えば、２．３０μｍ以上１４．０μｍ以下であり、より好ましくは２．３０μｍ以上１０．０μｍ以下であり、さらに好ましくは３．００μｍ以上９．４０μｍ以下である。
上記鱗片状の金属粉（Ｇ）の平均粒径Ｄ５０等を適切に選択することで、配線中におけるアスペクトＡ１、Ａ１を制御できる。
なお、金属粉（Ｇ）の平均粒径Ｄ５０は、レーザー回折粒度測定装置にて測定された５０％粒子径とする。体積基準粒度分布において粒子径の小さい方から累積して５０質量％となる点の粒径である。
上記鱗片状の金属粉（Ｇ）の平均粒径Ｄ５０等を適切に選択することで、配線中におけるアスペクトＡ１、Ａ１を制御できる。
なお、金属粉（Ｇ）の平均粒径Ｄ５０は、レーザー回折粒度測定装置にて測定された５０％粒子径とする。体積基準粒度分布において粒子径の小さい方から累積して５０質量％となる点の粒径である。
上記金属粉（Ｇ）は、鱗片状の金属粉（Ｇ）以外の他のものを含有してもよい。その他の金属粉（Ｇ）の形状には制限がないが、樹枝状、球状等の従来から用いられているものが使用できる。
上記金属粉（Ｇ）を構成する金属は特に限定はされないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらを合金化した金属粉のうち少なくとも一種類、あるいは、これらのうちの二種以上を含むことができる。
これらのうち、金属粉（Ｇ）としては、導電性の高さや入手容易性の高さから、銀または銅を含むこと、すなわち、銀粉または銅粉を含むことが好ましい。
なお、これらの金属粉（Ｇ）は他種金属でコートしたものも使用できる。
これらのうち、金属粉（Ｇ）としては、導電性の高さや入手容易性の高さから、銀または銅を含むこと、すなわち、銀粉または銅粉を含むことが好ましい。
なお、これらの金属粉（Ｇ）は他種金属でコートしたものも使用できる。
本実施形態において、導電性ペースト中における導電性フィラーの含有量の下限値は、導電性ペーストの全体に対して、３０質量％以上であることが好ましく、４０質量％以上であることがより好ましく、５０質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中における導電性フィラーの含有量の上限値は、導電性ペーストの全体に対して、例えば、９０質量％以下、８５質量％以下であることが好ましく、７５質量％以下であることがより好ましく、６５質量％以下であることがさらに好ましい。
また、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線中の導電性フィラーの含有量の下限値は、配線全体に対して、３０質量％以上であることが好ましく、４０質量％以上であることがより好ましく、５０質量％以上であることがさらに好ましい。また、上記配線中の導電性フィラーの含有量の上限値は、配線全体に対して、例えば、９５質量％以下、９０質量％以下であることが好ましく、８７質量％以下であることがより好ましく、８５質量％以下であることがさらに好ましい。
導電性フィラーの含有量を上記下限値以上とすることにより、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線が適度な導電特性を持つことができる。また、導電性フィラーの含有量を上記上限値以下とすることにより、配線が適度な柔軟性を持つことができる。
上記鱗片状の金属粉（Ｇ）の含有量としては、導電性フィラー１００質量％に対して、たとえば、９０質量％以上であり、好ましくは９５質量％以上であり、より好ましくは９９質量％以上であり、一方で、１００質量％以下としてもよい。
また、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線中のシリカ粒子（Ｃ）の含有量の下限値は、シリカ粒子（Ｃ）および導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、例えば、１質量％以上であり、好ましくは３質量％以上であり、より好ましくは５質量％以上とすることができる。これにより、配線の機械的強度を向上させることができる。一方で、上記配線のシリカ粒子（Ｃ）の含有量の上限値は、シリカ粒子（Ｃ）および導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、例えば、２０質量％以下であり、好ましくは１５質量％以下であり、より好ましくは１０質量％以下である。これにより、配線おける伸縮電気特性と機械的強度のバランスを図ることができる。
（溶剤）
本実施形態の導電性ペーストは、溶剤を含むものである。この溶剤としては、公知の各種溶剤を用いることができるが、例えば、高沸点溶剤を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
本実施形態の導電性ペーストは、溶剤を含むものである。この溶剤としては、公知の各種溶剤を用いることができるが、例えば、高沸点溶剤を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記高沸点溶剤の沸点の下限値は、例えば、１００℃以上であり、好ましくは１３０℃以上であり、より好ましくは１５０℃以上である。これにより、スクリーン印刷などの印刷安定性を向上させることができる。一方で、上記高沸点溶剤の沸点の上限値は、特に限定されないが、例えば、３００℃以下でもよく、２９０℃以下でもよく、２８０℃以下でもよい。これにより、配線形成時においての過度の熱履歴を抑制できるので、下地基板へのダメージや、導電性ペーストで形成された配線の形状を良好に維持することができる。
また、本実施形態の溶剤としては、エラストマー組成物の溶解性や沸点の観点から適切に選択できるが、例えば、炭素数５以上２０以下の脂肪族炭化水素、好ましくは炭素数８以上１８以下の脂肪族炭化水素、より好ましくは炭素数１０以上１５以下の脂肪族炭化水素を含むことができる。
また、本実施形態の溶剤の一例としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカンなどの脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリフルオロメチルベンゼン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類；ジクロロメタン、クロロホルム、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタンなどのハロアルカン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド類；ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類などを例示することができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ここで用いられる溶媒は、上記の導電性ペースト中の組成成分を均一に溶解ないし分散させることのできる溶媒の中から適宜選択すればよい。
ここで用いられる溶媒は、上記の導電性ペースト中の組成成分を均一に溶解ないし分散させることのできる溶媒の中から適宜選択すればよい。
室温２５℃においてせん断速度２０〔１／ｓ〕で測定した時の導電性ペーストの粘度の下限値は、例えば、１Ｐａ・ｓ以上であり、好ましくは５Ｐａ・ｓ以上であり、より好ましくは１０Ｐａ・ｓ以上である。これにより、成膜性を向上させることができる。また、厚膜形成時においても形状保持性を高めることができる。一方で、室温２５℃における導電性ペーストの粘度の上限値は、例えば、１００Ｐａ・ｓ以下であり、好ましくは９０Ｐａ・ｓ以下であり、より好ましくは８０Ｐａ・ｓ以下である。これにより、導電性ペーストにおける印刷性を向上させることができる。
（導電性ペーストの製造方法）
以下、本実施形態に係る導電性ペーストの製造方法について説明する。
以下、本実施形態に係る導電性ペーストの製造方法について説明する。
本実施形態の導電性ペーストは、たとえば、以下に示すような工程を経ることにより製造することができる。
まず、シリコーンゴム系硬化性組成物の各成分を、任意の混練装置により、均一に混合してシリコーンゴム系硬化性組成物を調製する。
［１］たとえば、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）と、シリカ粒子（Ｃ）と、シランカップリング剤（Ｄ）とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置により、混練することで、これら各成分（Ａ）、（Ｃ）、（Ｄ）を含有する混練物を得る。
なお、この混練物は、予めビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とシランカップリング剤（Ｄ）とを混練し、その後、シリカ粒子（Ｃ）を混練（混合）して得るのが好ましい。これにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）中におけるシリカ粒子（Ｃ）の分散性がより向上する。
また、この混練物を得る際には、水（Ｆ）を必要に応じて、各成分（Ａ）、（Ｃ）、および（Ｄ）の混練物に添加するようにしてもよい。これにより、シランカップリング剤（Ｄ）とシリカ粒子（Ｃ）との反応をより確実に進行させることができる。
さらに、各成分（Ａ）、（Ｃ）、（Ｄ）の混練は、第１温度で加熱する第１ステップと、第２温度で加熱する第２ステップとを経るようにするのが好ましい。これにより、第１ステップにおいて、シリカ粒子（Ｃ）の表面をカップリング剤（Ｄ）で表面処理することができるとともに、第２ステップにおいて、シリカ粒子（Ｃ）とカップリング剤（Ｄ）との反応で生成した副生成物を混練物中から確実に除去することができる。その後、必要に応じて、得られた混練物に対して、成分（Ａ）を添加し、更に混練してもよい。これにより、混練物の成分のなじみを向上させることができる。
第１温度は、例えば、４０〜１２０℃程度であるのが好ましく、例えば、６０〜９０℃程度であるのがより好ましい。第２温度は、例えば、１３０〜２１０℃程度であるのが好ましく、例えば、１６０〜１８０℃程度であるのがより好ましい。
また、第１ステップにおける雰囲気は、窒素雰囲気下のような不活性雰囲気下であるのが好ましく、第２ステップにおける雰囲気は、減圧雰囲気下であるのが好ましい。
さらに、第１ステップの時間は、例えば、０．３〜１．５時間程度であるのが好ましく、０．５〜１．２時間程度であるのがより好ましい。第２ステップの時間は、例えば、０．７〜３．０時間程度であるのが好ましく、１．０〜２．０時間程度であるのがより好ましい。
第１ステップおよび第２ステップを、上記のような条件とすることで、前記効果をより顕著に得ることができる。
［２］次に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）と、白金または白金化合物（Ｅ）とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置を用いて、上記工程［１］で調製した混練物に、各成分（Ｂ）、（Ｅ）を混練することで、シリコーンゴム系硬化性組成物（エラストマー組成物）を得る。
なお、この各成分（Ｂ）、（Ｅ）の混練の際には、予め上記工程［１］で調製した混練物とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）とを、上記工程［１］で調製した混練物と白金または白金化合物（Ｅ）とを混練し、その後、それぞれの混練物を混練するのが好ましい。これにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）との反応を進行させることなく、各成分（Ａ）〜（Ｅ）をシリコーンゴム系硬化性組成物中に確実に分散させることができる。
各成分（Ｂ）、（Ｅ）を混練する際の温度は、ロール設定温度として、例えば、１０〜７０℃程度であるのが好ましく、２５〜３０℃程度であるのがより好ましい。
さらに、混練する時間は、例えば、５分〜１時間程度であるのが好ましく、１０〜４０分程度であるのがより好ましい。
上記工程［１］および上記工程［２］において、温度を上記範囲内とすることにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）との反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。また、上記工程［１］および上記工程［２］において、混練時間を上記範囲内とすることにより、各成分（Ａ）〜（Ｅ）をシリコーンゴム系硬化性組成物中により確実に分散させることができる。
なお、各工程［１］、［２］において使用される混練装置としては、特に限定されないが、例えば、ニーダー、２本ロール、バンバリーミキサー（連続ニーダー）、加圧ニーダー等を用いることができる。
また、本工程［２］において、混練物中に１−エチニルシクロヘキサノールのような反応抑制剤を添加するようにしてもよい。これにより、混練物の温度が比較的高い温度に設定されたとしても、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）との反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。
また、本工程［２］において、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）と白金または白金化合物（Ｅ）に代えて、またはオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）と白金または白金化合物（Ｅ）と併用して、他の触媒、例えば有機過酸化物を添加してもよい。他の触媒を混練する際の温度、時間等の好ましい条件、使用する装置については、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）と、白金または白金化合物（Ｅ）とを混練する際の条件と同様でよい。
［３］次に、工程［２］で得られたエラストマー組成物（シリコーンゴム系硬化性組成物）を、溶剤に溶解させ、金属粉（Ｇ）を加えることで、本実施形態の導電性ペーストを得ることができる。
［用途］
以下、本実施形態の導電性ペーストの用途の一例について、図１を示しながら説明する。図１には、係る配線を備えた電子装置１００の概略を断面図として図示している。
以下、本実施形態の導電性ペーストの用途の一例について、図１を示しながら説明する。図１には、係る配線を備えた電子装置１００の概略を断面図として図示している。
電子装置１００は、図１に示すように、配線基板５０と、電子部品６０と、を備えることができる。この配線基板５０は、基板２０上に配線１０を備えることにより構成される。基板２０は、伸縮性を有する絶縁基板を用いることできる。一方、配線１０は、本実施形態の導電性ペーストで作製することができる。電子部品６０は、このような伸縮性配線基板（配線基板５０）を構成する配線１０に電気的に接続するように構成されていてもよい。
本実施形態の導電性ペーストは、得られる硬化物に対して機械的強度を高めつつも、繰り返し伸縮したときの伸縮電気特性を維持することができるため、接続信頼性や耐久性に優れた電子装置１００の構造を実現することができる。
本実施形態の電子装置１００は、たとえばウェアラブルデバイスとして用いられるものであり、各方向に繰り返し伸縮される装置に好適に用いることができる。このウェアラブルデバイスは、身体や衣服に装着可能なウェアラブルデバイスとして用いることができる。
また、本実施形態の電子装置１００を構成する基板２０は、通常、柔軟性を有する材料により構成される。
この材料としては、前述のエラストマーと同様のものを採用することができる。具体的には、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム等を用いることができ、用途等に応じ、この材料を適宜選択することができる。また、基板２０は、上記のシリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成されていてもよい。
この材料としては、前述のエラストマーと同様のものを採用することができる。具体的には、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム等を用いることができ、用途等に応じ、この材料を適宜選択することができる。また、基板２０は、上記のシリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成されていてもよい。
また、基板２０は、上述のエラストマー組成物を用いて作製することができる。また、基板２０は、シリカ粒子を含有するエラストマー組成物と溶剤とを含む絶縁性ペーストを用いて構成されていてもよい。この溶剤としては、前述の溶剤と同様の上述の溶剤種を用いることができるが、この中でも上記導電性ペーストや導電性ペーストの硬化物である導電性シートに対して溶解性を示す溶剤を用いることができる。具体的な絶縁性ペーストの溶剤としては、例えば、高沸点溶剤等を用いることができる。
また、上記電子部品６０は、用途に応じ、公知の部品の中から適宜選択すればよい。具体的には、半導体素子、及び半導体素子以外の抵抗やコンデンサ等を挙げることができる。半導体素子としては、たとえば、トランジスタや、ダイオード、ＬＥＤ、コンデンサ等を挙げることができる。本実施形態の電子装置１００において、この電子部品６０は配線１０により導通が図られている。
また、本実施形態の電子装置１００は、必要に応じ、カバー材３０が備えられていてもよい。このカバー材３０を備えることにより、配線１０、電子部品６０が損傷されることを防ぐことができる。カバー材３０は、電子部品６０や、基板２０上の配線１０を覆うように構成されていてもよい。
また、このカバー材３０は、基板２０と同様の材料により構成することができる。このようなカバー材３０が基板２０や配線１０の伸縮に追従することから、電子装置１００全体として、偏りなく伸縮することができ、この電子装置１００の長寿命化にも資することができる。
また、このカバー材３０は、基板２０と同様の材料により構成することができる。このようなカバー材３０が基板２０や配線１０の伸縮に追従することから、電子装置１００全体として、偏りなく伸縮することができ、この電子装置１００の長寿命化にも資することができる。
次に、本実施形態の電子装置１００の製造工程の一例について図２を用いて説明する。
図２は、本実施形態における電子装置１００の製造工程の概略を示す断面図である。
図２は、本実施形態における電子装置１００の製造工程の概略を示す断面図である。
まず図２（ａ）に示すように、作業台１１０上に支持体１２０を設置し、その支持体１２０上に絶縁性ペースト１３０を塗工する。塗工方法としては、各種の方法を用いることができるが、例えば、スキージ１４０を用いたスキージ方法などの印刷法を用いることができる。続いて、塗膜状の絶縁性ペースト１３０を乾燥させて、支持体１２０上に絶縁層１３２（乾燥した絶縁性シート）を形成することができる。乾燥条件は、絶縁性ペースト１３０中の溶剤の種類や量に応じて適宜設定することができるが、例えば、乾燥温度を１５０℃〜１８０℃、乾燥時間を１分〜３０分等とすることができる。
続いて、図２（ｂ）に示すように、絶縁層１３２上に、所定の開口パターン形状を有するマスク１６０を配置する。そして、図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、マスク１６０を介して、絶縁層１３２上に導電性ペースト１５０を塗工する。塗工方法は、絶縁性ペースト１３０の塗工方法と同様の手法を用いることができ、例えば、スキージ１４０によるスキージ印刷を用いてもよい。ここで、絶縁性ペースト１３０および導電性ペースト１５０がそれぞれ熱硬化性エラストマー組成物を含む場合、乾燥した絶縁層１３２上に、所定のパターン形状を有する導電性塗膜（導電層１５２）を積層した後、これらを一括して硬化処理してもよい。硬化処理としては、熱硬化性エラストマー組成物に応じて適宜設定できるが、例えば、硬化温度を１６０℃〜２２０℃、硬化時間を１時間〜３時間等とすることができる。硬化処理後または硬化処理前に、図２（ｄ）に示すように、マスク１６０を取り外すことができる。これにより、絶縁層１３２の硬化物で構成される基板上に、所定のパターン形状を有する、導電層１５２の硬化物である配線を形成することができる。
続いて、図２（ｅ）に示すように、絶縁層１３２およびパターン状の導電層１５２の上に、さらに絶縁性ペースト１７０を塗工し、図２（ｆ）に示すように絶縁層１７２を形成することができる。これらの工程を適宜、繰り返してもよい。また、絶縁層１３２から支持体１２０を分離することも可能である。
以上により、図２（ｆ）に示す電子装置１００を得ることができる。
以上により、図２（ｆ）に示す電子装置１００を得ることができる。
なお、絶縁性ペーストに代えて絶縁性シートを使用する場合、図２（ｂ）に示す工程から開始してもよい。すなわち、支持体１２０上に絶縁性シートを設置し、所定の乾燥を行った後、その絶縁性シート上にマスク１６０を介して導電性ペースト１５０を塗布してもよい。以後の工程は、上述の工程に従って行うことができる。これにより、図２（ｆ）に示す電子装置１００を得ることが可能である。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
以下、参考形態の例を付記する。
１． エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に積層されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
導電性フィラーが鱗片状の金属粉（Ｇ）を含み、
下記の手順（１）〜（３）に基づいて求められる、前記配線を幅方向に沿って厚み方向に切断したときの断面ａ１における前記導電性フィラーの平均アスペクトをＡ１とし、前記配線を厚み方向に対して直交する方向に切断したときの断面ａ２における前記導電性フィラーの平均アスペクトをＡ２としたとき、Ａ１およびＡ２が、下記式（Ｉ）を満たす、伸縮性配線基板。
１．１≦Ａ１／Ａ２ ・・・式（Ｉ）
（手順）
（１）前記配線の幅方向に沿って、前記配線を厚み方向に切断して得られた切断面を、イオンビームを用いて研磨して断面ａ１を得る。
（２）イオンビームを用いて、前記配線の表面を深さ方向に０．００５ｍｍ〜０．０２ｍｍ研磨して、断面ａ２を得る。
（３）得られた断面ａ１および断面ａ２の各々について、視野領域：１２８μｍ×１０２μｍ、倍率：１０００倍の条件で、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察像を得る。得られた観察像を階調対ピクセル数でヒストグラムを取った際に、２つのピークの谷となっている階調で二値化処理した画像に基づいて画像解析を行い、前記導電性フィラーにおける正射影のアスペクトを測定し、測定値が大きい方から３０個の平均値を平均アスペクトとして算出する。前記断面ａ１から算出された平均アスペクトをＡ１とし、前記断面ａ２から算出された平均アスペクトをＡ２とする。
２． １．に記載の伸縮性配線基板であって、
前記導電性フィラーのアスペクトＡ１が、下記の式（ＩＩ）を満たす、伸縮性配線基板。
２．０≦Ａ１≦１０．０ ・・・式（ＩＩ）
３． １．または２．に記載の伸縮性配線基板であって、
前記配線に含まれるエラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含む、伸縮性配線基板。
４． １．〜３．のいずれか一つに記載の伸縮性配線基板であって、
前記金属粉（Ｇ）は、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、およびこれらの合金からなる群から選択される一種以上を含む、伸縮性配線基板。
５． １．〜４．のいずれか一つに記載の伸縮性配線基板であって、
前記導電性フィラーの含有量は、前記配線全体に対して、３０質量％以上９０質量％以下である、伸縮性配線基板。
６． １．〜５．のいずれか一つに記載の伸縮性配線基板であって、
前記配線は、シリカ粒子（Ｃ）を含む、伸縮性配線基板。
７． ６．に記載の伸縮性配線基板であって、
前記シリカ粒子（Ｃ）の含有量は、前記シリカ粒子（Ｃ）および前記導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、１質量％以上２０質量％以下である、伸縮性配線基板。
８． １．〜７．のいずれか一つに記載の伸縮性配線基板を備えるウェアラブルデバイス。
以下、参考形態の例を付記する。
１． エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に積層されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
導電性フィラーが鱗片状の金属粉（Ｇ）を含み、
下記の手順（１）〜（３）に基づいて求められる、前記配線を幅方向に沿って厚み方向に切断したときの断面ａ１における前記導電性フィラーの平均アスペクトをＡ１とし、前記配線を厚み方向に対して直交する方向に切断したときの断面ａ２における前記導電性フィラーの平均アスペクトをＡ２としたとき、Ａ１およびＡ２が、下記式（Ｉ）を満たす、伸縮性配線基板。
１．１≦Ａ１／Ａ２ ・・・式（Ｉ）
（手順）
（１）前記配線の幅方向に沿って、前記配線を厚み方向に切断して得られた切断面を、イオンビームを用いて研磨して断面ａ１を得る。
（２）イオンビームを用いて、前記配線の表面を深さ方向に０．００５ｍｍ〜０．０２ｍｍ研磨して、断面ａ２を得る。
（３）得られた断面ａ１および断面ａ２の各々について、視野領域：１２８μｍ×１０２μｍ、倍率：１０００倍の条件で、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察像を得る。得られた観察像を階調対ピクセル数でヒストグラムを取った際に、２つのピークの谷となっている階調で二値化処理した画像に基づいて画像解析を行い、前記導電性フィラーにおける正射影のアスペクトを測定し、測定値が大きい方から３０個の平均値を平均アスペクトとして算出する。前記断面ａ１から算出された平均アスペクトをＡ１とし、前記断面ａ２から算出された平均アスペクトをＡ２とする。
２． １．に記載の伸縮性配線基板であって、
前記導電性フィラーのアスペクトＡ１が、下記の式（ＩＩ）を満たす、伸縮性配線基板。
２．０≦Ａ１≦１０．０ ・・・式（ＩＩ）
３． １．または２．に記載の伸縮性配線基板であって、
前記配線に含まれるエラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含む、伸縮性配線基板。
４． １．〜３．のいずれか一つに記載の伸縮性配線基板であって、
前記金属粉（Ｇ）は、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、およびこれらの合金からなる群から選択される一種以上を含む、伸縮性配線基板。
５． １．〜４．のいずれか一つに記載の伸縮性配線基板であって、
前記導電性フィラーの含有量は、前記配線全体に対して、３０質量％以上９０質量％以下である、伸縮性配線基板。
６． １．〜５．のいずれか一つに記載の伸縮性配線基板であって、
前記配線は、シリカ粒子（Ｃ）を含む、伸縮性配線基板。
７． ６．に記載の伸縮性配線基板であって、
前記シリカ粒子（Ｃ）の含有量は、前記シリカ粒子（Ｃ）および前記導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、１質量％以上２０質量％以下である、伸縮性配線基板。
８． １．〜７．のいずれか一つに記載の伸縮性配線基板を備えるウェアラブルデバイス。
実施例および比較例において用いた材料は以下の通りである。
（ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ））
（Ａ１−１）：第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン：ビニル基含有量は０．１３モル％、Ｍｎ＝２２７，７３４、Ｍｗ＝５７３，９０３、ＩＶ値（ｄｌ／ｇ）＝０．８９）、下記の合成スキーム１により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン（上記式（１−１）で表わされる構造）
（Ａ１−２）：第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン：ビニル基含有量は０．９２モル％、下記の合成スキーム２により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン（上記式（１−１）で表わされる構造でＲ１およびＲ２がビニル基である構造）
（Ａ１−１）：第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン：ビニル基含有量は０．１３モル％、Ｍｎ＝２２７，７３４、Ｍｗ＝５７３，９０３、ＩＶ値（ｄｌ／ｇ）＝０．８９）、下記の合成スキーム１により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン（上記式（１−１）で表わされる構造）
（Ａ１−２）：第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン：ビニル基含有量は０．９２モル％、下記の合成スキーム２により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン（上記式（１−１）で表わされる構造でＲ１およびＲ２がビニル基である構造）
（オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ））
（Ｂ−１）：オルガノハイドロジェンポリシロキサン：モメンティブ社製、「ＴＣ−２５Ｄ」
（Ｂ−２）：オルガノハイドロジェンポリシロキサン：モメンティブ社製、「８８４６６」
（Ｂ−１）：オルガノハイドロジェンポリシロキサン：モメンティブ社製、「ＴＣ−２５Ｄ」
（Ｂ−２）：オルガノハイドロジェンポリシロキサン：モメンティブ社製、「８８４６６」
（シリカ粒子（Ｃ））
（Ｃ）：シリカ微粒子（粒径７ｎｍ、比表面積３００ｍ２／ｇ）、日本アエロジル社製、「ＡＥＲＯＳＩＬ３００」
（Ｃ）：シリカ微粒子（粒径７ｎｍ、比表面積３００ｍ２／ｇ）、日本アエロジル社製、「ＡＥＲＯＳＩＬ３００」
（シランカップリング剤（Ｄ））
（Ｄ−１）：ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＺ）、Ｇｅｌｅｓｔ社製、「ＨＥＸＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＡＺＡＮＥ（ＳＩＨ６１１０．１）」
（Ｄ−２）ジビニルテトラメチルジシラザン、Ｇｅｌｅｓｔ社製、「１，３−ＤＩＶＩＮＹＬＴＥＴＲＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＡＺＡＮＥ（ＳＩＤ４６１２．０）」
（Ｄ−１）：ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＺ）、Ｇｅｌｅｓｔ社製、「ＨＥＸＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＡＺＡＮＥ（ＳＩＨ６１１０．１）」
（Ｄ−２）ジビニルテトラメチルジシラザン、Ｇｅｌｅｓｔ社製、「１，３−ＤＩＶＩＮＹＬＴＥＴＲＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＡＺＡＮＥ（ＳＩＤ４６１２．０）」
（白金または白金化合物（Ｅ））
（Ｅ−１）：白金化合物 （モメンティブ社製、商品名「ＴＣ―２５Ａ」）
（Ｅ−２）：白金化合物、ＰＬＡＴＩＮＵＭ ＤＩＶＩＮＹＬＴＥＴＲＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＯＸＡＮＥ ＣＯＭＰＬＥＸ（ｉｎ ｘｙｌｅｎｅ） （Ｇｅｌｅｓｔ社製、商品名「ＳＩＰ６８３１．２」）
（Ｅ−１）：白金化合物 （モメンティブ社製、商品名「ＴＣ―２５Ａ」）
（Ｅ−２）：白金化合物、ＰＬＡＴＩＮＵＭ ＤＩＶＩＮＹＬＴＥＴＲＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＯＸＡＮＥ ＣＯＭＰＬＥＸ（ｉｎ ｘｙｌｅｎｅ） （Ｇｅｌｅｓｔ社製、商品名「ＳＩＰ６８３１．２」）
（水（Ｆ））
（Ｆ）：純水
（Ｆ）：純水
（添加剤）
（反応阻害剤１）：１−エチニル−１−シクロヘキサノール（東京化成社製）
（反応阻害剤１）：１−エチニル−１−シクロヘキサノール（東京化成社製）
（金属粉（Ｇ））
各実施例、各比較例で使用した金属粉Ｇ１〜金属粉Ｇ３を表１に示す。
各実施例、各比較例で使用した金属粉Ｇ１〜金属粉Ｇ３を表１に示す。
表１中の平均粒径Ｄ５０、比表面積、タップ密度は次のようにして測定した。
金属粉（Ｇ）の平均粒径Ｄ５０は、レーザー回折粒度測定装置（島津製作所社製、ＳＡＬＤ−３０００Ｊ）にて測定された５０％粒子径とした。体積基準粒度分布において粒子径の小さい方から累積して５０質量％となる点の粒径である。
金属粉（Ｇ）の比表面積は、自動比表面積測定装置（島津製作所社製、製品名：フローソーブ２３００型）を用いて測定されたＢＥＴ比表面積とした。
金属粉（Ｇ）のタップ密度は、ＪＩＳ Ｚ２０１２−２０１２の「金属粉−タップ密度の測定方法」に従って測定した。
金属粉（Ｇ）の平均粒径Ｄ５０は、レーザー回折粒度測定装置（島津製作所社製、ＳＡＬＤ−３０００Ｊ）にて測定された５０％粒子径とした。体積基準粒度分布において粒子径の小さい方から累積して５０質量％となる点の粒径である。
金属粉（Ｇ）の比表面積は、自動比表面積測定装置（島津製作所社製、製品名：フローソーブ２３００型）を用いて測定されたＢＥＴ比表面積とした。
金属粉（Ｇ）のタップ密度は、ＪＩＳ Ｚ２０１２−２０１２の「金属粉−タップ密度の測定方法」に従って測定した。
（ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合成）
［合成スキーム１：第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）の合成］
下記式（５）にしたがって、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）を合成した。
すなわち、Ａｒガス置換した、冷却管および攪拌翼を有する３００ｍＬセパラブルフラスコに、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）、カリウムシリコネート０．１ｇを入れ、昇温し、１２０℃で３０分間攪拌した。なお、この際、粘度の上昇が確認できた。
その後、１５５℃まで昇温し、３時間攪拌を続けた。そして、３時間後、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン０．１ｇ（０．６ｍｍｏｌ）を添加し、さらに、１５５℃で４時間攪拌した。
さらに、４時間後、トルエン２５０ｍＬで希釈した後、水で３回洗浄した。洗浄後の有機層をメタノール１．５Ｌで数回洗浄することで、再沈精製し、オリゴマーとポリマーを分離した。得られたポリマーを６０℃で一晩減圧乾燥し、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）を得た（Ｍｗ＝５７３，９０３、Ｍｎ＝２２７，７３４）。また、Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定により算出したビニル基含有量は０．１３モル％であった。
［合成スキーム１：第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）の合成］
下記式（５）にしたがって、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）を合成した。
すなわち、Ａｒガス置換した、冷却管および攪拌翼を有する３００ｍＬセパラブルフラスコに、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）、カリウムシリコネート０．１ｇを入れ、昇温し、１２０℃で３０分間攪拌した。なお、この際、粘度の上昇が確認できた。
その後、１５５℃まで昇温し、３時間攪拌を続けた。そして、３時間後、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン０．１ｇ（０．６ｍｍｏｌ）を添加し、さらに、１５５℃で４時間攪拌した。
さらに、４時間後、トルエン２５０ｍＬで希釈した後、水で３回洗浄した。洗浄後の有機層をメタノール１．５Ｌで数回洗浄することで、再沈精製し、オリゴマーとポリマーを分離した。得られたポリマーを６０℃で一晩減圧乾燥し、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）を得た（Ｍｗ＝５７３，９０３、Ｍｎ＝２２７，７３４）。また、Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定により算出したビニル基含有量は０．１３モル％であった。
［合成スキーム２：第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）の合成］
上記（Ａ１−１）の合成工程において、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）に加えて２，４，６，８−テトラメチル２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン０．８６ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、（Ａ１−１）の合成工程と同様にすることで、下記式（６）のように、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）を合成した。また、Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定により算出したビニル基含有量は０．９２モル％であった。
上記（Ａ１−１）の合成工程において、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）に加えて２，４，６，８−テトラメチル２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン０．８６ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、（Ａ１−１）の合成工程と同様にすることで、下記式（６）のように、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）を合成した。また、Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定により算出したビニル基含有量は０．９２モル％であった。
（導電性ペーストのためのシリコーンゴム系硬化性組成物１の調製）
次のようにしてシリコーンゴム系硬化性組成物１を調整した。まず、下記の表２に示す割合で、９０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シランカップリング剤（Ｄ）および水（Ｆ）の混合物を予め混練し、その後、混合物にシリカ粒子（Ｃ）を加えてさらに混練し、混練物（シリコーンゴムコンパウンド）を得た。
ここで、シリカ粒子（Ｃ）添加後の混練は、カップリング反応のために窒素雰囲気下、６０〜９０℃の条件下で１時間混練する第１ステップと、副生成物（アンモニア）の除去のために減圧雰囲気下、１６０〜１８０℃の条件下で２時間混練する第２ステップとを経ることで行い、その後、冷却し、残り１０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を２回に分けて添加し、２０分間混練した。
続いて、下記の表２に示す割合で、得られた混練物（シリコーンゴムコンパウンド）１００重量部に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）、白金または白金化合物（Ｅ）および反応阻害剤１を加えて、ロールで混練し、シリコーンゴム系硬化性組成物１（エラストマー組成物１）を得た。
次のようにしてシリコーンゴム系硬化性組成物１を調整した。まず、下記の表２に示す割合で、９０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シランカップリング剤（Ｄ）および水（Ｆ）の混合物を予め混練し、その後、混合物にシリカ粒子（Ｃ）を加えてさらに混練し、混練物（シリコーンゴムコンパウンド）を得た。
ここで、シリカ粒子（Ｃ）添加後の混練は、カップリング反応のために窒素雰囲気下、６０〜９０℃の条件下で１時間混練する第１ステップと、副生成物（アンモニア）の除去のために減圧雰囲気下、１６０〜１８０℃の条件下で２時間混練する第２ステップとを経ることで行い、その後、冷却し、残り１０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を２回に分けて添加し、２０分間混練した。
続いて、下記の表２に示す割合で、得られた混練物（シリコーンゴムコンパウンド）１００重量部に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）、白金または白金化合物（Ｅ）および反応阻害剤１を加えて、ロールで混練し、シリコーンゴム系硬化性組成物１（エラストマー組成物１）を得た。
（基板のためのシリコーンゴム系硬化性組成物２の調製）
次のようにしてシリコーンゴム系硬化性組成物２を調整した。まず、下記の表２に示す割合で、９０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シランカップリング剤（Ｄ）および水（Ｆ）の混合物を予め混練し、その後、混合物にシリカ粒子（Ｃ）を加えてさらに混練し、混練物（シリコーンゴムコンパウンド）を得た。
ここで、シリカ粒子（Ｃ）添加後の混練は、カップリング反応のために窒素雰囲気下、６０〜９０℃の条件下で１時間混練する第１ステップと、副生成物（アンモニア）の除去のために減圧雰囲気下、１６０〜１８０℃の条件下で２時間混練する第２ステップとを経ることで行い、その後、冷却し、残り１０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を２回に分けて添加し、２０分間混練した。
続いて、下記の表２に示す割合で、得られた混練物（シリコーンゴムコンパウンド）１００重量部に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）、白金または白金化合物（Ｅ）を加えて、ロールで混練し、シリコーンゴム系硬化性組成物２（エラストマー組成物２）を得た。
次のようにしてシリコーンゴム系硬化性組成物２を調整した。まず、下記の表２に示す割合で、９０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シランカップリング剤（Ｄ）および水（Ｆ）の混合物を予め混練し、その後、混合物にシリカ粒子（Ｃ）を加えてさらに混練し、混練物（シリコーンゴムコンパウンド）を得た。
ここで、シリカ粒子（Ｃ）添加後の混練は、カップリング反応のために窒素雰囲気下、６０〜９０℃の条件下で１時間混練する第１ステップと、副生成物（アンモニア）の除去のために減圧雰囲気下、１６０〜１８０℃の条件下で２時間混練する第２ステップとを経ることで行い、その後、冷却し、残り１０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を２回に分けて添加し、２０分間混練した。
続いて、下記の表２に示す割合で、得られた混練物（シリコーンゴムコンパウンド）１００重量部に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）、白金または白金化合物（Ｅ）を加えて、ロールで混練し、シリコーンゴム系硬化性組成物２（エラストマー組成物２）を得た。
＜実施例１：導電性ペースト１＞
得られた１３．７重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物１（エラストマー組成物１）を、３１．８重量部のテトラデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、５４．５重量部の表１に記載の金属粉（Ｇ１）を加えた後に三本ロールで混練することで、液状の導電性ペースト１を得た。
得られた１３．７重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物１（エラストマー組成物１）を、３１．８重量部のテトラデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、５４．５重量部の表１に記載の金属粉（Ｇ１）を加えた後に三本ロールで混練することで、液状の導電性ペースト１を得た。
＜実施例２：導電性ペースト２＞
得られた１３．７重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物１（エラストマー組成物１）を、３１．８重量部のテトラデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、６６．９重量部の表１に記載の金属粉（Ｇ２）を加えた後に三本ロールで混練することで、液状の導電性ペースト２を得た。
得られた１３．７重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物１（エラストマー組成物１）を、３１．８重量部のテトラデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、６６．９重量部の表１に記載の金属粉（Ｇ２）を加えた後に三本ロールで混練することで、液状の導電性ペースト２を得た。
＜比較例１：導電性ペースト２＞
得られた１３．７重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物１（エラストマー組成物１）を、３１．８重量部のテトラデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、５４．５重量部の表１に記載の金属粉（Ｇ３）を加えた後に三本ロールで混練することで、液状の導電性ペースト３を得た。
得られた１３．７重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物１（エラストマー組成物１）を、３１．８重量部のテトラデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、５４．５重量部の表１に記載の金属粉（Ｇ３）を加えた後に三本ロールで混練することで、液状の導電性ペースト３を得た。
［伸縮性配線基板の作製］
得られたシリコーンゴム系硬化性組成物２（エラストマー組成物２）を１７０℃、１０ＭＰａで１０分間プレスし、表２に示す厚みのシート状に成形すると共に、１次硬化した。続いて、２００℃、４時間で二次硬化して、シート状シリコーンゴム（シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物）を得た。それを幅：２ｃｍ×長さ：５ｃｍに切り出し、「基板」を作製した。
続いて、各実施例および各比較例で得られた導電性ペースト１〜３を用いて、得られた「基板」上に、配線パターンを描き、これを１７０℃１２０分の条件で硬化し、幅５００μｍ×高さ５０μｍ×長さ３０ｍｍの「配線パターン」を有する伸縮性配線基板１〜３（試験片）を作製した。
得られたシリコーンゴム系硬化性組成物２（エラストマー組成物２）を１７０℃、１０ＭＰａで１０分間プレスし、表２に示す厚みのシート状に成形すると共に、１次硬化した。続いて、２００℃、４時間で二次硬化して、シート状シリコーンゴム（シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物）を得た。それを幅：２ｃｍ×長さ：５ｃｍに切り出し、「基板」を作製した。
続いて、各実施例および各比較例で得られた導電性ペースト１〜３を用いて、得られた「基板」上に、配線パターンを描き、これを１７０℃１２０分の条件で硬化し、幅５００μｍ×高さ５０μｍ×長さ３０ｍｍの「配線パターン」を有する伸縮性配線基板１〜３（試験片）を作製した。
［伸縮性配線基板の評価］
得られた伸縮性配線基板１〜３については以下の評価項目に従い評価を行った。評価結果を表３に示す。
得られた伸縮性配線基板１〜３については以下の評価項目に従い評価を行った。評価結果を表３に示す。
（アスペクトの測定）
以下、得られた伸縮性配線基板の配線中の導電性フィラーのアスペクトの測定手順は、以下の（１）〜（３）の通りである。測定手順は、伸縮性配線基板の概要を示す斜視図（図３）を用いて説明する。図３中、配線基板５０は上記伸縮性配線基板（試験片）、配線１０は上記「配線パターン」、基板２０は上記「基板」に対応する。
以下、得られた伸縮性配線基板の配線中の導電性フィラーのアスペクトの測定手順は、以下の（１）〜（３）の通りである。測定手順は、伸縮性配線基板の概要を示す斜視図（図３）を用いて説明する。図３中、配線基板５０は上記伸縮性配線基板（試験片）、配線１０は上記「配線パターン」、基板２０は上記「基板」に対応する。
（１）配線１０の幅方向（Ｘ方向）に沿って、配線１０の長手方向（Ｙ方向）の中央部分を通るように、配線１０を厚み方向（Ｚ方向）に切断して切断面を得た。得られた切断面を、減圧アルゴンガス雰囲気下で、イオンビーム（クロスセクションポリッシャ、日本電子社製、ＳＭ−０９０１０）を用いて研磨して断面ａ１を得た。断面ａ１は図３中のａ１−ａ１矢視の断面を表す。
（２）イオンビーム（クロスセクションポリッシャ、日本電子社製、ＳＭ−０９０１０）を用いて、減圧アルゴンガス雰囲気下で、配線１０の表面１２を深さ方向（Ｚ方向とは反対方向）に０．００５ｍｍ〜０．０２ｍｍの所定深さ研磨して、断面ａ２を得た。断面ａ２は、図３中のａ２−ａ２矢視の断面を表す。クロスセクションポリッシャの研磨条件として、電圧量：５．０ｋＶ、時間：８時間を使用した。
（３）続いて、（１）で得られた断面ａ１、（２）で得られた断面ａ２の各々について、視野領域：１２８μｍ×１０２μｍ、倍率：１０００倍の条件で、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察像を得た。実施例１の断面ａ１のＳＥＭ画像を図４、断面ａ２のＳＥＭ画像を図５、実施例２の断面ａ１のＳＥＭ画像を図６、断面ａ２のＳＥＭ画像を図７、比較例１の断面ａ１のＳＥＭ画像を図８、断面ａ２のＳＥＭ画像を図９に示す。
得られた観察像について、階調対ピクセル数でヒストグラムを取った際に、２つのピークの谷となっている階調で二値化処理した画像に基づいて画像解析を行い、導電性フィラーにおける正射影のアスペクトを測定し、測定値が大きい方から３０個の平均値を平均アスペクトとして求めた。
断面ａ１から算出された平均アスペクトをＡ１とし、断面ａ２から算出された平均アスペクトをＡ２とした。このＡ１およびＡ２に基づいて、「Ａ１／Ａ２」を算出した。評価結果を表３に示す。
（２）イオンビーム（クロスセクションポリッシャ、日本電子社製、ＳＭ−０９０１０）を用いて、減圧アルゴンガス雰囲気下で、配線１０の表面１２を深さ方向（Ｚ方向とは反対方向）に０．００５ｍｍ〜０．０２ｍｍの所定深さ研磨して、断面ａ２を得た。断面ａ２は、図３中のａ２−ａ２矢視の断面を表す。クロスセクションポリッシャの研磨条件として、電圧量：５．０ｋＶ、時間：８時間を使用した。
（３）続いて、（１）で得られた断面ａ１、（２）で得られた断面ａ２の各々について、視野領域：１２８μｍ×１０２μｍ、倍率：１０００倍の条件で、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察像を得た。実施例１の断面ａ１のＳＥＭ画像を図４、断面ａ２のＳＥＭ画像を図５、実施例２の断面ａ１のＳＥＭ画像を図６、断面ａ２のＳＥＭ画像を図７、比較例１の断面ａ１のＳＥＭ画像を図８、断面ａ２のＳＥＭ画像を図９に示す。
得られた観察像について、階調対ピクセル数でヒストグラムを取った際に、２つのピークの谷となっている階調で二値化処理した画像に基づいて画像解析を行い、導電性フィラーにおける正射影のアスペクトを測定し、測定値が大きい方から３０個の平均値を平均アスペクトとして求めた。
断面ａ１から算出された平均アスペクトをＡ１とし、断面ａ２から算出された平均アスペクトをＡ２とした。このＡ１およびＡ２に基づいて、「Ａ１／Ａ２」を算出した。評価結果を表３に示す。
（抵抗値の測定）
得られた試験片について、（株）エーディーシー製直流電圧・電流源／モニタ（６２４１Ａ）を用いて、抵抗を測定しながら長さ方向に３秒で２０％伸長させ、１０秒間保持した。この抵抗値（Ω）の変化は常にモニタリングを行い、この試験中における変化についての解析を行った。２０％伸長前の初期抵抗値、２０％伸長時の抵抗値は、３つのサンプルで行い、３つの平均値を測定値とした。評価結果を表３に示す。
得られた試験片について、（株）エーディーシー製直流電圧・電流源／モニタ（６２４１Ａ）を用いて、抵抗を測定しながら長さ方向に３秒で２０％伸長させ、１０秒間保持した。この抵抗値（Ω）の変化は常にモニタリングを行い、この試験中における変化についての解析を行った。２０％伸長前の初期抵抗値、２０％伸長時の抵抗値は、３つのサンプルで行い、３つの平均値を測定値とした。評価結果を表３に示す。
実施例１および実施例２の伸縮性配線基板は、比較例１と比べて、未伸長時の初期抵抗値が小さく、かつ伸長時の抵抗値が小さいことから、基板伸長時における通電性に優れた基板構造を実現できることが分かった。このような伸縮性配線基板は、ウェアラブルデバイスに好適に用いられることが期待される。
１０ 配線
１２ 表面
２０ 基板
３０ カバー材
５０ 配線基板
６０ 電子部品
１００ 電子装置
１１０ 作業台
１２０ 支持体
１３０ 絶縁性ペースト
１３２ 絶縁層
１４０ スキージ
１５０ 導電性ペースト
１５２ 導電層
１６０ マスク
１７０ 絶縁性ペースト
１７２ 絶縁層
１２ 表面
２０ 基板
３０ カバー材
５０ 配線基板
６０ 電子部品
１００ 電子装置
１１０ 作業台
１２０ 支持体
１３０ 絶縁性ペースト
１３２ 絶縁層
１４０ スキージ
１５０ 導電性ペースト
１５２ 導電層
１６０ マスク
１７０ 絶縁性ペースト
１７２ 絶縁層
Claims (13)
- エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に積層されており、エラストマー、導電性フィラー、及びシリカ粒子（Ｃ）を含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
導電性フィラーが鱗片状の金属粉（Ｇ）を含み、
前記配線中の前記導電性フィラーの含有量が、５０質量％以上９０質量％以下であり、
前記鱗片状の金属粉（Ｇ）の含有量が、前記導電性フィラー１００質量％中、９０質量％以上１００質量％以下であり、
前記配線中の前記シリカ粒子（Ｃ）の含有量が、前記シリカ粒子（Ｃ）および前記導電性フィラーの合計量１００質量％中、１質量％以上１０質量％以下であり、
下記の手順（１）〜（３）に基づいて求められる、前記配線を幅方向に沿って厚み方向に切断したときの断面ａ１における前記導電性フィラーの平均アスペクトをＡ１とし、前記配線を厚み方向に対して直交する方向に切断したときの断面ａ２における前記導電性フィラーの平均アスペクトをＡ２としたとき、Ａ１およびＡ２が、下記式（Ｉ）を満たす、伸縮性配線基板。
１．３≦Ａ１／Ａ２ ・・・式（Ｉ）
（手順）
（１）前記配線の幅方向に沿って、前記配線を厚み方向に切断して得られた切断面を、イオンビームを用いて研磨して断面ａ１を得る。
（２）イオンビームを用いて、前記配線の表面を深さ方向に０．００５ｍｍ〜０．０２ｍｍ研磨して、断面ａ２を得る。
（３）得られた断面ａ１および断面ａ２の各々について、視野領域：１２８μｍ×１０２μｍ、倍率：１０００倍の条件で、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察像を得る。得られた観察像を階調対ピクセル数でヒストグラムを取った際に、２つのピークの谷となっている階調で二値化処理した画像に基づいて画像解析を行い、前記導電性フィラーにおける正射影のアスペクトを測定し、測定値が大きい方から３０個の平均値を平均アスペクトとして算出する。前記断面ａ１から算出された平均アスペクトをＡ１とし、前記断面ａ２から算出された平均アスペクトをＡ２とする。 - 請求項１に記載の伸縮性配線基板であって、
前記導電性フィラーのアスペクトＡ１が、下記の式（ＩＩ）を満たす、伸縮性配線基板。
２．０≦Ａ１≦１０．０ ・・・式（ＩＩ） - 請求項１または２に記載の伸縮性配線基板であって、
前記配線に含まれるエラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含む、伸縮性配線基板。 - 請求項１〜３のいずれか一項に記載の伸縮性配線基板であって、
前記金属粉（Ｇ）は、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、およびこれらの合金からなる群から選択される一種以上を含む、伸縮性配線基板。 - 請求項１〜４のいずれか一項に記載の伸縮性配線基板であって、
前記基板に含まれるエラストマーが、シリコーンゴムを含む、伸縮性配線基板。 - 請求項１〜５のいずれか一項に記載の伸縮性配線基板であって、
前記シリカ粒子（Ｃ）の平均一次粒径が、１〜１００ｎｍである、伸縮性配線基板。 - 請求項１〜６いずれか一項に記載の伸縮性配線基板であって、
前記シリカ粒子（Ｃ）の比表面積が３００ｍ２／ｇである、伸縮性配線基板。 - 請求項１〜７のいずれか一項に記載の伸縮性配線基板であって、
ビニル基を有するシランカップリング剤で表面処理された前記シリカ粒子（Ｃ）を含む、伸縮性配線基板。 - 請求項１〜８のいずれか一項に記載の伸縮性配線基板であって、
疎水性基を有するシランカップリング剤で表面処理された前記前記シリカ粒子（Ｃ）を含む、伸縮性配線基板。 - 請求項１〜９のいずれか一項に記載の伸縮性配線基板であって、
前記鱗片状の金属粉（Ｇ）の平均粒径Ｄ５０としては、例えば、２．３０μｍ以上１４．０μｍ以下である、伸縮性配線基板。 - 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の伸縮性配線基板であって、
前記エラストマーが、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成されるものであり、
前記シリコーンゴム系硬化性組成物が、下記式（１−１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を含む、
伸縮性配線基板。
- 請求項１１に記載の伸縮性配線基板であって、
前記シリコーンゴム系硬化性組成物が、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）を含む、伸縮性配線基板。 - 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の伸縮性配線基板を備えるウェアラブルデバイス。
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