JP2020027147A - 小型光トランシーバ - Google Patents
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Abstract
Description
これら光トランシーバは,CFP8やQSFP−DDと呼ばれるフォームファクターに準拠した小型モジュールとして作製され,図4(a)に示すように,スイッチ装置のフロント(またはリア)パネルに抜き差し可能な状態で装着されるのが一般的である。光トランシーバモジュールのサイズは年々小型化が進められているが,現状では前後パネルを使っても36個程度のモジュール装着が限界である。さらにこの時,光スイッチASICと光トランシーバの距離が長くなるため,通常使われる安価なPCBでは25Gの電気信号を送ることが困難となり,ボードの中間点に波形の識別再生用のリタイマーが必要となる。
そして,第1の基板3は,VCSELアレイ5から出射される光を透過する半導体基板である。
図5は,光トランシーバの構成例を示す概念図である。図5に示されるように,この光トランシーバ1は,第1の基板3と,第1の基板3の表面に設けられた垂直共振器面発光型レーザ(VCSEL)アレイ5と,第1の基板の裏面であってVCSELアレイ5に対応した位置に接着された第1のマルチコアファイバ(MCF)7とを含む。 光トランシーバ(又は光トランシーバモジュール)は,小さいことが好ましい。光トランシーバの形状の例は,正方形又は長方形状であり,光トランシーバの大きさは,用途に応じて適宜調整すればよく,具体的な1辺(長方形における長辺)は,例えば0.5mm以上7mm以下の範囲で調整すればよい。
第2の基板13は,PDアレイ15に入射する光を透過する半導体基板であることが好ましい。第2の基板13は,第1の基板3と同じものであってもよい。また,第1の基板3と第2の基板13とは別々の基板である必要がなく,1枚の基板が第1の基板3と第2の基板13を兼ねてもよい。光検出器(PD)アレイ15は,,VCSELアレイ5と同じ方向に設けられている。そして,第2のマルチコアファイバ(MCF)17は,第1のMCF17と同じ方向に設けられている。
図6は,スイッチ特定用途向け集積回路用パッケージを示す概念図である。図6に示されるように,このパッケージ21は,上記した光トランシーバ1を複数個含む。スイッチASIC用パッケージは,特定用途向け集積回路(ASIC)23と,ASIC23の周辺に設置された複数の光トランシーバ1を含むように構成されている。ASIC23は,それぞれの光トランシーバ1と情報を授受することができるように接続されている。図6の例では,内装基板上にASICが設置され,各トランシーバ1と配線がなされている。また,各トランシーバは,ASIC以外の素子と接続可能となるようにされている。スイッチ特定用途向け集積回路用パッケージは,スイッチ装置に用いられるASIC (特定用途向け集積回路)用のチップ(通信用部品・通信用要素)である。
図7は,光接続装置を説明するための概念図である。図7に示される光接続装置は,第1のパッケージ21a及び第2のパッケージ21bを含む。第1のパッケージの光トランシーバ1aと,第2のパッケージの光トランシーバ1bは,共通するMCF25で接続され,共通するMCFを通じて情報の授受を行うことができるようにされている。なお,2つのトランシーバ間を接続するMCFである共通するMCF25は通常2本(又は複数本)のMCFである。この光接続装置における他のパッケージについても同様である。
図8は,スイッチ装置を説明するための概念図である。図8に示されるように,このスイッチ装置31は,複数のパッケージ21a,21bを含み,いずれかのパッケージは,外部装置37と情報の授受をすることができるように接続されている。図8の例では,複数のパッケージ21のうちの第1のパッケージ21aの第1の光トランシーバは,第2のパッケージ21bの光トランシーバと共通のMCF35で接続されている。そして,共通のMCF35を通じて第1のパッケージ及び第2のパッケージのASIC間で情報の授受を行うことができる。なお,2つのトランシーバ間を接続するMCFである共通するMCF35は通常2本(又は複数本)のMCFである。
第1のパッケージの第2の光トランシーバ(第2のパッケージの光トランシーバと接続されたものではないトランシーバ)は,外部装置37と接続される。すると,外部装置37と第1のパッケージとは情報の授受を行うことができる。
このデータセンタ内ネットワークは,上記したスイッチ装置31を含ネットワークである(図8参照)。そして,データセンタ内ネットワークは,図8における外部装置37がサーバであり,サーバに接続されたシングルモードファイバは,ファンイン/アウト装置を介して,MCFのいずれかのコアと接続されたものである。データセンタは,外部へ機能やサービスを提供するためのサーバコンピュータなどのコンピュータネットワークを設置し,運用するための施設である。
スイッチASICの大型化が年々進展しており,近い将来1チップで25Tb/sを超えるスループットが実現されると考えられている。その時,1つのスイッチASICで,400G光トランシーバが32ポート収容可能であるが,従来のプラガブルモジュール型では,その実装が極めて困難である。この明細書に開示された超小型光トランシーバは極めて小型であるため,多数の光トランシーバをOn-Package実装することが可能である。
3 第1の基板
5 垂直共振器面発光型レーザアレイ
7 第1のマルチコアファイバ
13 第2の基板
15 光検出器アレイ
17 第2のマルチコアファイバ
19 第3の基板
Claims (6)
- 第1の基板(3)と,第1の基板(3)の表面に設けられた垂直共振器面発光型レーザ(VCSEL)アレイ(5)と,第1の基板の裏面であって前記VCSELアレイ(5)に対応した位置に接着された第1のマルチコアファイバ(MCF)(7)とを含む光トランシーバ(1)であって,
第1の基板(3)は,前記VCSELアレイ(5)から出射される光を透過する半導体基板である,光トランシーバ。 - 請求項1に記載の光トランシーバであって,
第2の基板(13)と,第2の基板の表面に設けられた光検出器(PD)アレイ(15)と,第2の基板の裏面であって前記PDアレイに対応した位置に接着された第2のマルチコアファイバ(MCF)(17)とを含み,
第2の基板(13)は,前記PDアレイ(15)に入射する光を透過する半導体基板であり,
第1及び第2のマルチコアファイバ(7,17)は,第3の基板(19)により固定される,
光トランシーバ。 - 請求項2に記載の光トランシーバ(1)を複数含むスイッチ特定用途向け集積回路(ASIC)用パッケージ(21)であって,
前記スイッチASIC用パッケージは,特定用途向け集積回路(ASIC)(23)と,前記ASIC(23)の周辺に設置された複数の前記光トランシーバ(1)を含むパッケージ。 - それぞれ請求項3に記載のパッケージである第1のパッケージ(21a)及び第2のパッケージ(21b)を含む光接続装置であって,
第1のパッケージ及び第2のパッケージのそれぞれの光トランシーバ(1a,1b)は,共通するMCF(25)で接続される光接続装置。 - 請求項3に記載のパッケージ(21)を複数含むスイッチ装置(31)であって,
前記複数のパッケージ(21)のうちの第1のパッケージ(21a)の第1の光トランシーバは,第2のパッケージ(21b)の光トランシーバと共通のMCF(35)で接続され,
前記共通のMCF(35)を通じて第1のパッケージ及び第2のパッケージのASIC間で情報の授受を行い,
第1のパッケージの第2の光トランシーバは外部装置(37)と接続される,スイッチ装置。 - 請求項5に記載のスイッチ装置(31)を含むデータセンタ内ネットワークであって,
前記外部装置(37)はサーバである,
データセンタ内ネットワーク。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11726276B1 (en) * | 2020-08-05 | 2023-08-15 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Multi-chip photonics transceiver |
WO2024070674A1 (ja) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 古河電気工業株式会社 | 光学装置および光トランシーバ |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08153935A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直共振器型面発光レーザを有する光モジュール |
JP2000260559A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Sony Corp | 光学的素子及び光学的素子用の基体 |
US6195485B1 (en) * | 1998-10-26 | 2001-02-27 | The Regents Of The University Of California | Direct-coupled multimode WDM optical data links with monolithically-integrated multiple-channel VCSEL and photodetector |
JP2004021034A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Seiko Epson Corp | 光通信モジュール、光通信モジュールの製造方法および電子機器 |
WO2008153140A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Nec Corporation | 光モジュール及びその製造方法 |
JP2009020347A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 光伝送装置、光モジュール及び光ケーブル |
JP2011520152A (ja) * | 2008-05-07 | 2011-07-14 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | ポイントツーポイント通信のための光学エンジン |
JP2011145562A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | マルチコア光ファイバ、光コネクタ、およびマルチコア光ファイバの製造方法 |
JP2011193459A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-29 | Ofs Fitel Llc | 多芯ファイバ伝送システムおよび多芯ファイバ伝送方法 |
JP2013522680A (ja) * | 2010-03-16 | 2013-06-13 | オーエフエス ファイテル,エルエルシー | マルチコア光ファイバケーブルのための多心ファイバコネクタ |
JP2014017451A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 光伝送システム及び面発光型半導体レーザ |
JP2014052530A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバ、光モジュール、及び光モジュールの製造方法 |
JP2015102630A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | ソニー株式会社 | 光通信デバイス、受信装置、送信装置及び送受信システム |
-
2018
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-
2019
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Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08153935A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直共振器型面発光レーザを有する光モジュール |
US6195485B1 (en) * | 1998-10-26 | 2001-02-27 | The Regents Of The University Of California | Direct-coupled multimode WDM optical data links with monolithically-integrated multiple-channel VCSEL and photodetector |
JP2000260559A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Sony Corp | 光学的素子及び光学的素子用の基体 |
JP2004021034A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Seiko Epson Corp | 光通信モジュール、光通信モジュールの製造方法および電子機器 |
WO2008153140A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Nec Corporation | 光モジュール及びその製造方法 |
JP2009020347A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 光伝送装置、光モジュール及び光ケーブル |
JP2011520152A (ja) * | 2008-05-07 | 2011-07-14 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | ポイントツーポイント通信のための光学エンジン |
JP2011145562A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | マルチコア光ファイバ、光コネクタ、およびマルチコア光ファイバの製造方法 |
JP2011193459A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-29 | Ofs Fitel Llc | 多芯ファイバ伝送システムおよび多芯ファイバ伝送方法 |
JP2013522680A (ja) * | 2010-03-16 | 2013-06-13 | オーエフエス ファイテル,エルエルシー | マルチコア光ファイバケーブルのための多心ファイバコネクタ |
JP2014017451A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 光伝送システム及び面発光型半導体レーザ |
JP2014052530A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバ、光モジュール、及び光モジュールの製造方法 |
JP2015102630A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | ソニー株式会社 | 光通信デバイス、受信装置、送信装置及び送受信システム |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
L. ZHANG , ET AL.: ""Nonlinearity Tolerant High-Speed DMT Transmission With 1.5-μm Single-Mode VCSEL and Multi-Core Fib", JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, vol. 37, no. 2, JPN6022036481, 15 January 2019 (2019-01-15), pages 380 - 388, XP011710897, ISSN: 0004861202, DOI: 10.1109/JLT.2018.2851746 * |
R. PUERTA, ET AL.: ""107.5 Gb/s 850 nm multi- and single-mode VCSEL transmission over 10 and 100 m of multi-mode fiber"", CONFERENCE: OPTICAL FIBER COMMUNICATION CONFERENCE 2016 POSTDEADLINE PAPERS, JPN6022036476, 20 March 2016 (2016-03-20), pages 5 - 5, ISSN: 0004861201 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11726276B1 (en) * | 2020-08-05 | 2023-08-15 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Multi-chip photonics transceiver |
WO2024070674A1 (ja) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 古河電気工業株式会社 | 光学装置および光トランシーバ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020031478A1 (ja) | 2020-02-13 |
JP7144786B2 (ja) | 2022-09-30 |
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