JP2020021768A - Aggregate substrate - Google Patents
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Abstract
Description
この開示は、複数のセラミック多層基板が、一体に形成された状態である集合基板に関する。 The present disclosure relates to a collective substrate in which a plurality of ceramic multilayer substrates are integrally formed.
近年、小型移動体通信機器などに用いられる回路モジュールの小型化が進められている。そのため、回路モジュールに用いられるセラミック多層基板の厚みの低減が必要とされている。一方で、多層セラミック基板の厚みの低減は、その集合体である集合基板の強度の低下に繋がる。その結果、集合基板が取り扱われる種々の工程において、集合基板に割れまたは欠けが発生する虞がある。 In recent years, miniaturization of circuit modules used in small mobile communication devices and the like has been promoted. Therefore, it is necessary to reduce the thickness of the ceramic multilayer substrate used for the circuit module. On the other hand, a decrease in the thickness of the multilayer ceramic substrate leads to a decrease in the strength of the aggregate substrate that is an aggregate thereof. As a result, in various processes in which the collective substrate is handled, the collective substrate may be cracked or chipped.
そのような集合基板の割れまたは欠けの低減について興味ある技術が、国際公開第２０１１／１５２０８５号（特許文献１）に記載されている。特許文献１に記載された集合基板は、誘電体層とパターン導体とビア導体とを備えた個々のセラミック多層基板となる部分を含む基板領域と、基板領域の周囲を囲む周辺領域と、周辺領域に形成された収縮抑制層とを備えている。ここで、収縮抑制層は、積層前のセラミックグリーンシートの各層に設けられている。また、収縮抑制層は、パターン導体と同じ材料で形成されることが好ましい。 A technique that is of interest for reducing such cracking or chipping of the collective substrate is described in International Publication WO 2011/152850 (Patent Document 1). The collective substrate described in Patent Literature 1 includes a substrate region including a part to be an individual ceramic multilayer substrate including a dielectric layer, a pattern conductor, and a via conductor; a peripheral region surrounding the periphery of the substrate region; And a shrinkage-suppressing layer formed thereon. Here, the shrinkage suppression layer is provided in each layer of the ceramic green sheet before lamination. Further, the shrinkage suppression layer is preferably formed of the same material as the pattern conductor.
特許文献１に記載された集合基板では、周辺領域に形成された収縮抑制層が、集合基板の強度の低下を抑制することができる。一方、収縮抑制層は、積層前のセラミックグリーンシートの各層の周辺領域に、互いに積み重なるようにして形成されている。そのため、セラミックグリーンシートが積層および圧着される際に、収縮抑制層を含むことで厚くなった周辺領域に圧力が優先して加わる。 In the collective substrate described in Patent Literature 1, the shrinkage suppression layer formed in the peripheral region can suppress a decrease in the strength of the collective substrate. On the other hand, the shrinkage suppression layers are formed in a peripheral region of each layer of the ceramic green sheet before lamination so as to be stacked on each other. Therefore, when the ceramic green sheets are laminated and pressed together, the pressure is preferentially applied to the peripheral region thickened by including the shrinkage suppression layer.
したがって、周辺領域に加わる圧力に比べて、基板領域に加わる圧力が相対的に小さくなる。その結果、基板領域の圧着が不十分となり、デラミネーションなどの構造欠陥が基板領域に発生する虞がある。 Therefore, the pressure applied to the substrate area is relatively smaller than the pressure applied to the peripheral area. As a result, pressure bonding of the substrate region becomes insufficient, and structural defects such as delamination may occur in the substrate region.
すなわち、この開示の目的は、厚みが低減されても強度の低下を抑制することができ、基板領域における構造欠陥を抑制することができる集合基板を提供することである。 That is, an object of the present disclosure is to provide an aggregate substrate capable of suppressing a decrease in strength even when the thickness is reduced, and suppressing a structural defect in a substrate region.
この開示に従う集合基板では、周辺領域の構造についての改良が図られる。 In the collective substrate according to the present disclosure, the structure of the peripheral region is improved.
この開示に従う集合基板は、第１の主面と、第２の主面と、第１の主面と第２の主面とを接続する側面とを有する集合基板素体と、第１の樹脂膜とを備えている。集合基板素体は、分割されることにより、個々のセラミック多層基板となる部分を含む基板領域と、基板領域を囲むように基板領域と一体に成形された周辺領域とを含んでいる。そして、第１の樹脂膜は、第１の主面における周辺領域の少なくとも一部に、基板領域を囲むように設けられている。 An aggregate substrate according to the present disclosure includes an aggregate substrate body having a first main surface, a second main surface, a side surface connecting the first main surface and the second main surface, and a first resin. And a membrane. The aggregate substrate body includes a substrate region including a portion to be an individual ceramic multilayer substrate by being divided, and a peripheral region integrally formed with the substrate region so as to surround the substrate region. The first resin film is provided on at least a part of the peripheral region on the first main surface so as to surround the substrate region.
この開示に従う集合基板は、上記の構造を有しているため、厚みが低減されても強度の低下を抑制することができ、基板領域における構造欠陥を抑制することができる。 Since the collective substrate according to the present disclosure has the above-described structure, a decrease in strength can be suppressed even when the thickness is reduced, and a structural defect in the substrate region can be suppressed.
この開示の特徴とするところを、この開示の実施形態に基づき、図面を参照しながら説明する。なお、以下に示す実施の形態においては、同一のまたは共通する部分について図中同一の符号を付し、その説明は繰り返さないことがある。 Features of the present disclosure will be described based on embodiments of the present disclosure with reference to the drawings. In the following embodiments, the same or common portions are denoted by the same reference numerals in the drawings, and description thereof may not be repeated.
−集合基板の第１の実施形態−
この開示に従う集合基板の第１の実施形態である集合基板１００について、図１を用いて説明する。
-First Embodiment of Collective Substrate-
A collective substrate 100 according to a first embodiment of the collective substrate according to the present disclosure will be described with reference to FIG.
図１（Ａ）は、集合基板１００の斜視図である。また、図１（Ｂ）は、Ａ１面で切断された集合基板１００の矢視断面図である。集合基板１００は、第１の主面Ｓ１（上面）と、第２の主面Ｓ２（下面）と、第１の主面Ｓ１と第２の主面Ｓ２とを接続する側面Ｓ３とを有する集合基板素体１０と、第１の樹脂膜２０とを備えている。 FIG. 1A is a perspective view of the collective substrate 100. FIG. 1B is a cross-sectional view of the collective substrate 100 cut along the A1 plane as viewed from the direction of the arrow. The aggregate substrate 100 includes an aggregate having a first main surface S1 (upper surface), a second main surface S2 (lower surface), and a side surface S3 connecting the first main surface S1 and the second main surface S2. A substrate body 10 and a first resin film 20 are provided.
集合基板素体１０は、必要に応じて焼成前パターン導体および焼成前ビア導体の少なくとも一方が形成されたセラミックグリーンシートが積層および圧着されてなる圧着体が、所定の条件で焼成されることにより得られる。グリーンシートの積層方向は、パターン導体と直交する方向である。 The aggregate substrate body 10 is obtained by firing a crimped body formed by laminating and crimping ceramic green sheets on which at least one of a pre-fired pattern conductor and a pre-fired via conductor is formed, if necessary, under predetermined conditions. can get. The stacking direction of the green sheets is a direction orthogonal to the pattern conductor.
すなわち、集合基板素体１０は、セラミックグリーンシートが焼成されてなる誘電体層１１と、パターン導体１２と、ビア導体１３とを含んでいる。パターン導体１２は、個々のセラミック多層基板１において、回路配線および回路素子などを構成する第１のパターン導体１２ａと、グランド接続される第２のパターン導体１２ｂとを含んでいる。第２のパターン導体１２ｂは、セラミック多層基板１において、全面パターンとなるように形成されている。 That is, the collective substrate body 10 includes the dielectric layer 11 formed by firing the ceramic green sheet, the pattern conductor 12, and the via conductor 13. The pattern conductor 12 includes a first pattern conductor 12a constituting a circuit wiring and a circuit element, and a second pattern conductor 12b grounded in each ceramic multilayer substrate 1. The second pattern conductor 12b is formed on the ceramic multilayer substrate 1 so as to form an entire pattern.
誘電体層１１には、例えば低温焼結セラミック材料が用いられる。パターン導体１２およびビア導体１３には、例えばＣｕおよびＣｕ合金などの中から選ばれる金属材料が用いられる。なお、パターン導体１２は、上記の金属材料が用いられた下地層と、下地層の上に形成されたＮｉめっきおよびＡｕめっきなどのめっき膜とを含むようにしてもよい。上記の材料および構成はあくまでも例示であって、この限りではない。 For the dielectric layer 11, for example, a low-temperature sintered ceramic material is used. For the pattern conductor 12 and the via conductor 13, a metal material selected from, for example, Cu and a Cu alloy is used. The pattern conductor 12 may include a base layer using the above-described metal material and a plating film such as Ni plating and Au plating formed on the base layer. The above materials and configurations are merely examples, and are not limiting.
集合基板素体１０は、分割されることにより、個々のセラミック多層基板１となる部分を含む基板領域１０ａ（図１（Ａ）斜線部）と、基板領域１０ａを囲むように基板領域１０ａと一体に成形された周辺領域１０ｂとを含んでいる。周辺領域１０ｂは、図１（Ｂ）において、基板領域１０ａの両側の点線により囲まれた領域である。基板領域１０ａと周辺領域１０ｂとは、基板領域１０ａおよび周辺領域１０ｂにそれぞれ相当する領域を含むセラミックグリーンシートが上記のように積層および圧着されてなる積層体が焼成されることにより、一体に成形される。 The collective substrate body 10 is divided into a substrate region 10a (a hatched portion in FIG. 1A) including a portion to be the individual ceramic multilayer substrate 1, and an integrated substrate region 10a surrounding the substrate region 10a. And a peripheral region 10b molded into the same. The peripheral region 10b is a region surrounded by dotted lines on both sides of the substrate region 10a in FIG. The substrate region 10a and the peripheral region 10b are integrally formed by firing a laminate obtained by laminating and pressing the ceramic green sheets including the regions corresponding to the substrate region 10a and the peripheral region 10b as described above. Is done.
第１の主面Ｓ１における基板領域１０ａには、第１の電極群１４が配置されている。第１の電極群１４は、集合基板１００の分割後に得られる個々のセラミック多層基板１において、電子部品が接続されるランドとなる。一方、第２の主面Ｓ２における基板領域１０ａには、第２の電極群１５が配置されている。第２の電極群１５は、セラミック多層基板１に電子部品が接続されてなる回路モジュールにおいて、回路モジュールが電子機器のマザーボードなどに接続される際の外部電極となる。 The first electrode group 14 is arranged in the substrate region 10a on the first main surface S1. The first electrode group 14 is a land to which an electronic component is connected in each of the ceramic multilayer substrates 1 obtained after the division of the collective substrate 100. On the other hand, a second electrode group 15 is arranged in the substrate region 10a on the second main surface S2. The second electrode group 15 serves as an external electrode when the circuit module is connected to a motherboard of an electronic device in a circuit module in which electronic components are connected to the ceramic multilayer substrate 1.
そして、第１の樹脂膜２０は、第１の主面Ｓ１における周辺領域１０ｂに、基板領域１０ａを囲むように枠状に設けられている。 The first resin film 20 is provided in a peripheral region 10b on the first main surface S1 in a frame shape so as to surround the substrate region 10a.
第１の樹脂膜２０としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂およびそれらに添加物を加えたものなどを用いることができる。第１の樹脂膜２０は、上記の樹脂の液状前駆体をスクリーン印刷およびインクジェット法などの塗工方法により第１の主面Ｓ１の周辺領域１０ｂに付与した後、加熱などで固体の樹脂とすることにより形成される。上記の材料および形成手段はあくまでも例示であって、この限りではない。 As the first resin film 20, for example, an epoxy resin, a polyimide resin, a polyamide resin, and a material obtained by adding an additive thereto can be used. The first resin film 20 is formed by applying a liquid precursor of the above-described resin to the peripheral region 10b of the first main surface S1 by a coating method such as screen printing and an ink-jet method, and then turning the resin into a solid resin by heating or the like. It is formed by this. The above-described materials and forming means are merely examples, and are not limiting.
集合基板１００では、第１の樹脂膜２０が第１の主面Ｓ１における周辺領域１０ｂに基板領域１０ａを囲むように設けられている。すなわち、周辺領域１０ｂは、第１の樹脂膜２０により補強されることになる。したがって、集合基板１００（集合基板素体１０）の厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができる。 In the collective substrate 100, the first resin film 20 is provided in the peripheral region 10b on the first main surface S1 so as to surround the substrate region 10a. That is, the peripheral region 10b is reinforced by the first resin film 20. Therefore, a decrease in strength due to a decrease in the thickness of the collective substrate 100 (collective substrate body 10) can be suppressed.
また、第１の樹脂膜２０は、焼成後の集合基板素体１０の状態で形成される。すなわち、集合基板素体１０は、前述した特許文献１に記載された収縮抑制層のような集合基板の強度の低下を抑制するための手段を、集合基板素体１０の周辺領域１０ｂの内部に備えなくともよい。 The first resin film 20 is formed in the state of the aggregate substrate body 10 after firing. That is, the aggregate substrate body 10 includes, in the peripheral region 10b of the aggregate substrate body 10, means for suppressing a decrease in the strength of the aggregate substrate, such as the shrinkage suppression layer described in Patent Document 1 described above. It is not necessary to prepare.
したがって、集合基板素体１０の製造過程において、セラミックグリーンシートが積層および圧着される際に、周辺領域１０ｂに加わる圧力に対する基板領域１０ａに加わる圧力の相対的な低下を抑制することができる。その結果、基板領域１０ａが十分に圧着され、基板領域１０ａにおける構造欠陥の発生を抑制することができる。 Therefore, in the process of manufacturing the aggregate substrate body 10, when the ceramic green sheets are stacked and pressed, it is possible to suppress a relative decrease in the pressure applied to the substrate region 10a with respect to the pressure applied to the peripheral region 10b. As a result, the substrate region 10a is sufficiently pressed, and the occurrence of structural defects in the substrate region 10a can be suppressed.
なお、集合基板１００では、第１の樹脂膜２０に加え、第２の樹脂膜３０が、第２の主面Ｓ２における周辺領域１０ｂに、基板領域１０ａを囲むように枠状に設けられている。すなわち、周辺領域１０ｂは、第２の樹脂膜３０によりさらに補強されることになる。したがって、集合基板１００（集合基板素体１０）の厚みの低減に伴う強度の低下をさらに抑制することができる。 In the collective substrate 100, in addition to the first resin film 20, a second resin film 30 is provided in a peripheral region 10b on the second main surface S2 in a frame shape so as to surround the substrate region 10a. . That is, the peripheral region 10b is further reinforced by the second resin film 30. Therefore, it is possible to further suppress a decrease in strength due to a decrease in the thickness of the aggregate substrate 100 (the aggregate substrate body 10).
第２の樹脂膜３０としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂およびそれらに添加物を加えたものなどを用いることができる。第２の樹脂膜３０は、上記の樹脂の液状前駆体をスクリーン印刷およびインクジェット法などの塗工方法により第２の主面Ｓ２の周辺領域１０ｂに付与した後、加熱などで固体の樹脂とすることにより形成される。第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とは、同じ材料で形成されてもよく、また異なる材料で形成されてもよい。上記の材料および形成手段はあくまでも例示であって、この限りではない。 As the second resin film 30, for example, an epoxy resin, a polyimide resin, a polyamide resin, or a material obtained by adding an additive thereto can be used. The second resin film 30 is formed by applying a liquid precursor of the above-described resin to the peripheral region 10b of the second main surface S2 by a coating method such as screen printing and an ink-jet method, and then turns the resin into a solid resin by heating or the like. It is formed by this. The first resin film 20 and the second resin film 30 may be formed of the same material or may be formed of different materials. The above-described materials and forming means are merely examples, and are not limiting.
なお、集合基板１００では、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とは、第１の主面Ｓ１の法線方向から見て、同じ形状かつ同じ位置となるように形成されている。ただし、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とが同じ形状かつ同じ位置となるように形成されることは、必須ではない。 In the collective substrate 100, the first resin film 20 and the second resin film 30 are formed so as to have the same shape and the same position when viewed from the normal direction of the first main surface S1. . However, it is not essential that the first resin film 20 and the second resin film 30 are formed to have the same shape and the same position.
集合基板１００では、周辺領域１０ｂの内部に、パターン導体１６が配置されている。パターン導体１６は、第３のパターン導体１６ａと、第４のパターン導体１６ｂとを含んでいる。第３のパターン導体１６ａは、図１（Ｂ）の矢視断面図に例示された千鳥配置のように、互いに積み重なる部分が少なくなるように配置された、回路配線および回路素子などを構成しないダミーパターンである。なお、第３のパターン導体１６ａの配置は、これに限られない。第４のパターン導体１６ｂは、前述の第２のパターン導体１２ｂの一部である。 In the collective substrate 100, the pattern conductor 16 is arranged inside the peripheral region 10b. The pattern conductor 16 includes a third pattern conductor 16a and a fourth pattern conductor 16b. The third pattern conductor 16a is a dummy that does not constitute a circuit wiring, a circuit element, or the like, which is arranged so that the portions that are stacked on each other are reduced, as in the staggered arrangement illustrated in the cross-sectional view of FIG. It is a pattern. The arrangement of the third pattern conductor 16a is not limited to this. The fourth pattern conductor 16b is a part of the aforementioned second pattern conductor 12b.
第３のパターン導体１６ａは、上記のように配置されているため、集合基板素体１０の製造過程において、セラミックグリーンシートが積層および圧着される際に、周辺領域１０ｂの厚みの増加を抑制することができる。その結果、周辺領域１０ｂに加わる圧力に対する、基板領域１０ａに加わる圧力の相対的な低下を抑制することができる。また、第４のパターン導体１６ｂは、第２のパターン導体１２ｂの一部であるため、周辺領域１０ｂの厚みのみを増加させるものではない。 Since the third pattern conductors 16a are arranged as described above, an increase in the thickness of the peripheral region 10b is suppressed when the ceramic green sheets are stacked and pressed in the manufacturing process of the collective substrate body 10. be able to. As a result, it is possible to suppress a relative decrease in the pressure applied to the substrate region 10a with respect to the pressure applied to the peripheral region 10b. Further, since the fourth pattern conductor 16b is a part of the second pattern conductor 12b, it does not increase only the thickness of the peripheral region 10b.
したがって、周辺領域１０ｂの内部へのパターン導体１６の配置は、基板領域１０ａにおける構造欠陥の増加を抑制しながら、集合基板１００の強度をさらに向上させることができる。 Therefore, the arrangement of the pattern conductor 16 inside the peripheral region 10b can further increase the strength of the collective substrate 100 while suppressing an increase in structural defects in the substrate region 10a.
−集合基板の第１の実施形態の変形例−
この開示に従う集合基板の第１の実施形態の変形例である集合基板１００Ａないし１００Ｃについて、図２および図３を用いて説明する。
-Modification of First Embodiment of Collective Substrate-
Aggregate substrates 100A to 100C which are modifications of the collective substrate according to the first embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS.
図２（Ａ）は、集合基板１００の第１の変形例である集合基板１００Ａの断面図である。図２（Ｂ）は、集合基板１００の第２の変形例である集合基板１００Ｂの断面図である。図２（Ａ）、（Ｂ）にそれぞれ示された断面図は、図１（Ｂ）に示された矢視断面図に相当する。図３は、集合基板１００の第３の変形例である集合基板１００Ｃの斜視図である。 FIG. 2A is a cross-sectional view of a collective substrate 100 </ b> A which is a first modification example of the collective substrate 100. FIG. 2B is a cross-sectional view of a collective substrate 100 </ b> B which is a second modification of the collective substrate 100. The cross-sectional views shown in FIGS. 2A and 2B respectively correspond to the cross-sectional views shown in FIG. 1B. FIG. 3 is a perspective view of a collective substrate 100C which is a third modification of the collective substrate 100.
集合基板１００Ａないし１００Ｃは、周辺領域１０ｂに設けられている樹脂膜が集合基板１００と異なっている。それ以外の構成は、集合基板１００と同様であるため、詳細な説明は省略される。 The collective substrates 100A to 100C differ from the collective substrate 100 in the resin film provided in the peripheral region 10b. Other configurations are the same as those of the collective substrate 100, and thus detailed description is omitted.
第１の変形例である集合基板１００Ａでは、第１の樹脂膜２０は、第１の主面Ｓ１における周辺領域１０ｂに、基板領域１０ａを囲むように枠状に設けられているが、第２の樹脂膜３０は設けられていない。この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域１０ａにおける構造欠陥を抑制することができる。 In the collective substrate 100A of the first modification, the first resin film 20 is provided in a frame shape in the peripheral region 10b on the first main surface S1 so as to surround the substrate region 10a. Is not provided. Also in this case, as described above, a decrease in strength due to a decrease in thickness can be suppressed, and a structural defect in substrate region 10a can be suppressed.
第２の変形例である集合基板１００Ｂでは、第１の樹脂膜２０および第２の樹脂膜３０に加え、側面Ｓ３を覆うように第３の樹脂膜４０が設けられている。また、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とは、第３の樹脂膜４０を介して接続されている。 In a collective substrate 100B as a second modification, in addition to the first resin film 20 and the second resin film 30, a third resin film 40 is provided to cover the side surface S3. Further, the first resin film 20 and the second resin film 30 are connected via a third resin film 40.
側面Ｓ３を覆うように第３の樹脂膜４０が設けられることにより、前述の厚みの低減に伴う強度の低下の抑制に加えて、側面Ｓ３に加わる衝撃による集合基板素体１０の破損を抑制することができる。また、集合基板１００Ｂのように、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とが第３の樹脂膜４０を介して接続されることにより、衝撃に対して特に欠けやすい集合基板素体１０の角部が樹脂膜により被覆される。その結果、角部に加わる衝撃による集合基板素体１０の破損を抑制することができる。 By providing the third resin film 40 so as to cover the side surface S3, in addition to suppressing the decrease in strength due to the reduction in thickness described above, the damage to the collective substrate body 10 due to the impact applied to the side surface S3 is suppressed. be able to. Further, as in the collective substrate 100B, the first resin film 20 and the second resin film 30 are connected via the third resin film 40, so that the collective substrate body which is particularly easily chipped against an impact. Ten corners are covered with a resin film. As a result, it is possible to suppress the damage of the collective substrate body 10 due to the impact applied to the corners.
なお、集合基板１００Ｂにおいて、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とが、第１の主面Ｓ１の法線方向から見て、同じ形状かつ同じ位置となるように形成されることは、必須ではない。 Note that, in the collective substrate 100B, the first resin film 20 and the second resin film 30 are formed so as to have the same shape and the same position when viewed from the normal direction of the first main surface S1. Is not required.
第３の変形例である集合基板１００Ｃにおいても、第１の樹脂膜２０は、第１の主面Ｓ１における周辺領域１０ｂに、基板領域１０ａを囲むように設けられている。また、第２の樹脂膜３０は、第２の主面Ｓ２における周辺領域１０ｂに、基板領域１０ａを囲むように設けられている。しかしながら、集合基板１００Ｃにおける第１の樹脂膜２０および第２の樹脂膜３０は、短い帯状の樹脂膜が間隔をおいて破線状に配置されている。 Also in the collective substrate 100C of the third modification, the first resin film 20 is provided in the peripheral region 10b on the first main surface S1 so as to surround the substrate region 10a. Further, the second resin film 30 is provided in the peripheral region 10b on the second main surface S2 so as to surround the substrate region 10a. However, in the first resin film 20 and the second resin film 30 in the collective substrate 100C, short strip-shaped resin films are arranged in broken lines at intervals.
この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域における構造欠陥を抑制することができる。なお、集合基板１００Ｃにおいても、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とが、第１の主面Ｓ１の法線方向から見て、同じ形状かつ同じ位置となるように形成されることは、必須ではない。 Also in this case, as described above, a decrease in strength due to a decrease in thickness can be suppressed, and a structural defect in the substrate region can be suppressed. Note that also in the collective substrate 100C, the first resin film 20 and the second resin film 30 are formed so as to have the same shape and the same position when viewed from the normal direction of the first main surface S1. It is not mandatory.
−集合基板の第２の実施形態−
この開示に従う集合基板の第２の実施形態である集合基板２００について、図４を用いて説明する。
-Second embodiment of collective substrate-
A collective substrate 200 according to a second embodiment of the collective substrate according to the present disclosure will be described with reference to FIG.
図４（Ａ）は、集合基板２００の斜視図である。また、図４（Ｂ）は、Ａ２面で切断された集合基板２００の矢視断面図である。集合基板２００は、基板領域１０ａ（図４（Ａ）斜線部）を囲むように周辺領域１０ｂに設けられている樹脂膜が集合基板１００と異なっている。それ以外の構成は、集合基板１００と同様であるため、詳細な説明は省略される。 FIG. 4A is a perspective view of the collective substrate 200. FIG. 4B is a cross-sectional view of the collective substrate 200 cut along the A2 plane as viewed from an arrow. The collective substrate 200 is different from the collective substrate 100 in the resin film provided in the peripheral region 10b so as to surround the substrate region 10a (the hatched portion in FIG. 4A). Other configurations are the same as those of the collective substrate 100, and thus detailed description is omitted.
集合基板２００では、第１の樹脂膜２０が、間隔をおいて形成されているそれぞれ枠状の第１の部分２０ａと第２の部分２０ｂと第３の部分２０ｃとを含んでいる。なお、第１の樹脂膜２０は、間隔をおいて形成されている第１の部分２０ａおよび第２の部分２０ｂの２つの部分を含んでいればよい。 In the collective substrate 200, the first resin film 20 includes a frame-shaped first portion 20a, a second portion 20b, and a third portion 20c formed at intervals. Note that the first resin film 20 only needs to include two portions, that is, a first portion 20a and a second portion 20b formed at intervals.
この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域１０ａにおける構造欠陥を抑制することができる。また、第１の樹脂膜２０の量を低減させることにより、集合基板２００の製造コストを低減させることができる。 Also in this case, as described above, a decrease in strength due to a decrease in thickness can be suppressed, and a structural defect in substrate region 10a can be suppressed. In addition, by reducing the amount of the first resin film 20, the manufacturing cost of the collective substrate 200 can be reduced.
集合基板２００における第１の樹脂膜２０は、例えば樹脂の液状前駆体をインクジェット法で塗工することにより形成することができる。細い線幅の第１の部分２０ａおよび第２の部分２０ｂを含む第１の樹脂膜２０がインクジェット法で形成されることにより、形成時に集合基板素体１０へ加わる衝撃を抑制することができる。 The first resin film 20 in the collective substrate 200 can be formed, for example, by applying a liquid precursor of a resin by an inkjet method. By forming the first resin film 20 including the first portion 20a and the second portion 20b having a small line width by the inkjet method, it is possible to suppress an impact applied to the collective substrate body 10 during the formation.
なお、集合基板２００では、第１の樹脂膜２０に加え、第２の樹脂膜３０が、第２の主面Ｓ２における周辺領域１０ｂに、基板領域１０ａを囲むように枠状に設けられている。第２の樹脂膜３０は、間隔をおいて形成されている第１の部分３０ａと第２の部分３０ｂと第３の部分３０ｃとを含んでいる。第２の樹脂膜３０は、間隔をおいて形成されている第１の部分３０ａおよび第２の部分３０ｂの２つの部分を含んでいればよい。 In the collective substrate 200, in addition to the first resin film 20, a second resin film 30 is provided in a peripheral region 10b on the second main surface S2 in a frame shape so as to surround the substrate region 10a. . The second resin film 30 includes a first portion 30a, a second portion 30b, and a third portion 30c formed at intervals. The second resin film 30 only needs to include two portions, that is, a first portion 30a and a second portion 30b formed at intervals.
すなわち、周辺領域１０ｂは、第２の樹脂膜３０によりさらに補強されることになる。したがって、集合基板２００（集合基板素体１０）の厚みの低減に伴う強度の低下をさらに抑制することができる。 That is, the peripheral region 10b is further reinforced by the second resin film 30. Therefore, it is possible to further suppress a decrease in strength due to a decrease in the thickness of the collective substrate 200 (the collective substrate body 10).
なお、集合基板２００において、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とが、第１の主面Ｓ１の法線方向から見て、同じ形状かつ同じ位置となるように形成されることは、必須ではない。また、それぞれの樹脂膜における第１ないし第３の部分が、集合基板１００Ｃのように、短い帯状の樹脂膜が間隔をおいて破線状に配置されたものであってもよい。さらに、集合基板２００においても、周辺領域１０ｂの内部に、パターン導体１６が配置されていてもよい。 Note that, in the collective substrate 200, the first resin film 20 and the second resin film 30 are formed so as to have the same shape and the same position when viewed from the normal direction of the first main surface S1. Is not required. Further, the first to third portions of each resin film may be formed by arranging short strip-shaped resin films at intervals with broken lines, as in the collective substrate 100C. Further, also in the collective substrate 200, the pattern conductor 16 may be arranged inside the peripheral region 10b.
−集合基板の第２の実施形態の変形例−
この開示に従う集合基板の第２の実施形態の変形例である集合基板２００Ａ、２００Ｂについて、図５を用いて説明する。
-Modified example of second embodiment of aggregate substrate-
Collective substrates 200A and 200B which are modifications of the collective substrate according to the second embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIG.
図５（Ａ）は、集合基板２００の第１の変形例である集合基板２００Ａの断面図である。図５（Ｂ）は、集合基板２００の第２の変形例である集合基板２００Ｂの断面図である。図５（Ａ）、（Ｂ）にそれぞれ示された断面図は、図４（Ｂ）に示された矢視断面図に相当する。 FIG. 5A is a cross-sectional view of a collective substrate 200 </ b> A which is a first modification of the collective substrate 200. FIG. 5B is a cross-sectional view of a collective substrate 200 </ b> B which is a second modification of the collective substrate 200. The cross-sectional views shown in FIGS. 5A and 5B respectively correspond to the cross-sectional views shown in FIG. 4B.
集合基板２００Ａ、２００Ｂは、周辺領域１０ｂに設けられている樹脂膜が集合基板２００と異なっている。それ以外の構成は、集合基板２００と同様であるため、詳細な説明は省略される。 The collective substrates 200A and 200B are different from the collective substrate 200 in the resin film provided in the peripheral region 10b. The other configuration is the same as that of the collective substrate 200, and thus the detailed description is omitted.
第１の変形例である集合基板２００Ａでは、第１の樹脂膜２０は、第１の主面Ｓ１における周辺領域１０ｂに、基板領域１０ａを囲むように枠状に設けられているが、第２の樹脂膜３０は設けられていない。この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域における構造欠陥を抑制することができる。 In the collective substrate 200A of the first modification, the first resin film 20 is provided in the peripheral region 10b on the first main surface S1 in a frame shape so as to surround the substrate region 10a. Is not provided. Also in this case, as described above, a decrease in strength due to a decrease in thickness can be suppressed, and a structural defect in the substrate region can be suppressed.
第２の変形例である集合基板２００Ｂでは、第１の樹脂膜２０および第２の樹脂膜３０に加え、側面Ｓ３を覆うように第３の樹脂膜４０が設けられている。また、第１の樹脂膜２０（第３の部分２０ｃ）と第２の樹脂膜３０（第３の部分３０ｃ）とは、第３の樹脂膜４０を介して接続されている。 In the collective substrate 200B as the second modification, a third resin film 40 is provided so as to cover the side surface S3 in addition to the first resin film 20 and the second resin film 30. Further, the first resin film 20 (third portion 20c) and the second resin film 30 (third portion 30c) are connected via a third resin film 40.
側面Ｓ３を覆うように第３の樹脂膜４０が設けられることにより、前述の厚みの低減に伴う強度の低下の抑制に加えて、側面Ｓ３に加わる衝撃による集合基板素体１０の破損を抑制することができる。また、集合基板２００Ｂのように、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とが第３の樹脂膜４０を介して接続されることにより、衝撃に対して特に欠けやすい集合基板素体１０の角部が樹脂膜により被覆される。その結果、角部に加わる衝撃による集合基板素体１０の破損を抑制することができる。 By providing the third resin film 40 so as to cover the side surface S3, in addition to suppressing the decrease in strength due to the reduction in thickness described above, the damage to the collective substrate body 10 due to the impact applied to the side surface S3 is suppressed. be able to. Further, as in the collective substrate 200B, the first resin film 20 and the second resin film 30 are connected via the third resin film 40, so that the collective substrate body particularly easily chipped against an impact. Ten corners are covered with a resin film. As a result, it is possible to suppress the damage of the collective substrate body 10 due to the impact applied to the corners.
なお、集合基板２００Ｂにおいて、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とが、第１の主面Ｓ１の法線方向から見て、同じ形状かつ同じ位置となるように形成されることは、必須ではない。 In the collective substrate 200B, the first resin film 20 and the second resin film 30 are formed so as to have the same shape and the same position when viewed from the normal direction of the first main surface S1. Is not required.
−集合基板の第３の実施形態−
この開示に従う集合基板の第２の実施形態である集合基板３００について、図６を用いて説明する。
-Third Embodiment of Collective Substrate-
A collective substrate 300 according to a second embodiment of the collective substrate according to the present disclosure will be described with reference to FIG.
図６（Ａ）は、集合基板３００の斜視図である。また、図６（Ｂ）は、Ａ３面で切断された集合基板３００の矢視断面図である。集合基板３００も、基板領域１０ａ（図６（Ａ）斜線部）を囲むように周辺領域１０ｂに設けられている樹脂膜が集合基板１００と異なっている。それ以外の構成は、集合基板１００と同様であるため、詳細な説明は省略される。 FIG. 6A is a perspective view of the collective substrate 300. FIG. 6B is a cross-sectional view of the collective substrate 300 cut along the A3 plane as viewed from an arrow. The collective substrate 300 also differs from the collective substrate 100 in the resin film provided in the peripheral region 10b so as to surround the substrate region 10a (the hatched portion in FIG. 6A). Other configurations are the same as those of the collective substrate 100, and thus detailed description is omitted.
集合基板３００において、第１の樹脂膜２０は、第１の主面Ｓ１において基板領域１０ａに配置されている第１の電極群１４を露出させた状態で第１の主面Ｓ１を覆うように設けられている。また、第１の樹脂膜２０は、レジスト膜である。このレジスト膜としては、例えば第１の電極群１４に電子部品がはんだ接続される際に、はんだブリッジによる短絡を防ぐ目的で第１の主面Ｓ１上に付与されるはんだレジストなどが挙げられる。 In the collective substrate 300, the first resin film 20 covers the first main surface S1 in a state where the first electrode group 14 arranged in the substrate region 10a is exposed on the first main surface S1. Is provided. Further, the first resin film 20 is a resist film. As the resist film, for example, when an electronic component is connected to the first electrode group 14 by soldering, a solder resist applied on the first main surface S1 for the purpose of preventing a short circuit due to a solder bridge is exemplified.
この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域１０ａにおける構造欠陥を抑制することができる。また、はんだレジストなどのレジスト膜を第１の樹脂膜２０とすることにより、レジスト膜と第１の樹脂膜２０とを別に形成する必要がなくなり、製造工程を簡略化することができる。 Also in this case, as described above, a decrease in strength due to a decrease in thickness can be suppressed, and a structural defect in substrate region 10a can be suppressed. Further, by using a resist film such as a solder resist as the first resin film 20, it is not necessary to separately form the resist film and the first resin film 20, and the manufacturing process can be simplified.
集合基板３００における第１の樹脂膜２０は、例えば樹脂の液状前駆体をスピンコーティングにより塗工し、フォトリソグラフィによりパターンニングすることにより形成することができる。この場合、第１の電極群１４を露出させた状態で第１の主面Ｓ１を覆う第１の樹脂膜２０を、効率的に形成することができる。 The first resin film 20 in the collective substrate 300 can be formed by, for example, applying a liquid precursor of a resin by spin coating, and patterning by photolithography. In this case, the first resin film 20 that covers the first main surface S1 with the first electrode group 14 exposed can be efficiently formed.
なお、集合基板３００では、第１の樹脂膜２０に加え、第２の樹脂膜３０が、第２の主面Ｓ２において基板領域１０ａに配置されている第２の電極群１５を露出させた状態で第２の主面Ｓ２を覆うように設けられている。第２の樹脂膜３０も、第１の樹脂膜２０と同様に、はんだレジスト膜などのレジスト膜である。 In the collective substrate 300, in addition to the first resin film 20, the second resin film 30 exposes the second electrode group 15 disposed in the substrate region 10a on the second main surface S2. , So as to cover the second main surface S2. Similarly to the first resin film 20, the second resin film 30 is a resist film such as a solder resist film.
すなわち、周辺領域１０ｂは、第２の樹脂膜３０によりさらに補強されることになる。したがって、集合基板３００（集合基板素体１０）の厚みの低減に伴う強度の低下をさらに抑制することができる。 That is, the peripheral region 10b is further reinforced by the second resin film 30. Therefore, it is possible to further suppress a decrease in strength due to a decrease in the thickness of the aggregate substrate 300 (the aggregate substrate body 10).
なお、集合基板３００においても、周辺領域１０ｂの内部に、パターン導体１６が配置されていてもよい。 Note that, also in the collective substrate 300, the pattern conductor 16 may be arranged inside the peripheral region 10b.
−集合基板の第３の実施形態の変形例−
この開示に従う集合基板の第２の実施形態の変形例である集合基板３００Ａ、３００Ｂについて、図７を用いて説明する。
-Modification of Third Embodiment of Collective Substrate-
Collective substrates 300A and 300B which are modifications of the collective substrate according to the second embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIG.
図７（Ａ）は、集合基板３００の第１の変形例である集合基板３００Ａの断面図である。図７（Ｂ）は、集合基板３００の第２の変形例である集合基板３００Ｂの断面図である。図７（Ａ）、（Ｂ）にそれぞれ示された断面図は、図６（Ｂ）に示された矢視断面図に相当する。 FIG. 7A is a cross-sectional view of a collective substrate 300 </ b> A which is a first modification of the collective substrate 300. FIG. 7B is a cross-sectional view of a collective substrate 300 </ b> B which is a second modification example of the collective substrate 300. The cross-sectional views shown in FIGS. 7A and 7B respectively correspond to the cross-sectional views taken in the direction of the arrows shown in FIG.
集合基板３００Ａ、３００Ｂは、周辺領域１０ｂに設けられている樹脂膜が集合基板３００と異なっている。それ以外の構成は、集合基板３００と同様であるため、詳細な説明は省略される。 The collective substrates 300A and 300B are different from the collective substrate 300 in the resin film provided in the peripheral region 10b. The other configuration is the same as that of the collective substrate 300, and thus the detailed description is omitted.
第１の変形例である集合基板３００Ａでは、第１の樹脂膜２０は、第１の主面Ｓ１において基板領域１０ａに配置されている第１の電極群１４を露出させた状態で第１の主面Ｓ１を覆うように設けられているが、第２の樹脂膜３０は設けられていない。第１の樹脂膜２０は、集合基板３００と同様にレジスト膜である。この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域における構造欠陥を抑制することができる。 In the collective substrate 300A which is the first modification, the first resin film 20 is exposed on the first main surface S1 in a state where the first electrode group 14 arranged in the substrate region 10a is exposed. Although provided so as to cover the main surface S1, the second resin film 30 is not provided. The first resin film 20 is a resist film similarly to the collective substrate 300. Also in this case, as described above, a decrease in strength due to a decrease in thickness can be suppressed, and a structural defect in the substrate region can be suppressed.
第２の変形例である集合基板３００Ｂでは、それぞれレジスト膜である第１の樹脂膜２０および第２の樹脂膜３０に加え、側面Ｓ３を覆うように第３の樹脂膜４０が設けられている。また、第１の樹脂膜２０、第２の樹脂膜３０および第３の樹脂膜４０は、互いに同じ材料からなる。 In the collective substrate 300B of the second modification, a third resin film 40 is provided so as to cover the side surface S3 in addition to the first resin film 20 and the second resin film 30 which are the resist films, respectively. . The first resin film 20, the second resin film 30, and the third resin film 40 are made of the same material.
側面Ｓ３を覆うように第３の樹脂膜４０が設けられることにより、前述の厚みの低減に伴う強度の低下の抑制に加えて、側面Ｓ３に加わる衝撃による集合基板素体１０の破損を抑制することができる。また、集合基板３００Ｂのように、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とが第３の樹脂膜４０を介して接続されることにより、衝撃に対して特に欠けやすい集合基板素体１０の角部が樹脂膜により被覆される。この場合、それぞれの樹脂膜は、一体となっている。その結果、角部に加わる衝撃による集合基板素体１０の破損を抑制することができる。 By providing the third resin film 40 so as to cover the side surface S3, in addition to suppressing the decrease in strength due to the reduction in thickness described above, the damage to the collective substrate body 10 due to the impact applied to the side surface S3 is suppressed. be able to. Further, as in the collective substrate 300B, the first resin film 20 and the second resin film 30 are connected via the third resin film 40, so that the collective substrate body which is particularly easily chipped against an impact is provided. Ten corners are covered with a resin film. In this case, the respective resin films are integrated. As a result, it is possible to suppress the damage of the collective substrate body 10 due to the impact applied to the corners.
さらに、第１の電極群１４と第２の電極群１５とを露出させた状態で、集合基板素体１０の外表面がそれぞれの樹脂膜により一体的に覆われるので、樹脂膜の剥離を抑制することができる。 Further, since the outer surface of the collective substrate body 10 is integrally covered with the respective resin films in a state where the first electrode group 14 and the second electrode group 15 are exposed, the peeling of the resin film is suppressed. can do.
この明細書に開示された実施形態は、例示的なものであって、この開示に係る発明は、上記の実施形態および変形例に限定されるものではない。すなわち、この開示に係る発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、上記の範囲内において、種々の応用、変形を加えることができる。 The embodiment disclosed in this specification is an exemplification, and the invention according to this disclosure is not limited to the above embodiment and modifications. That is, the scope of the present invention according to this disclosure is indicated by the appended claims, and is intended to include all modifications within the scope and meaning equivalent to the appended claims. Various applications and modifications can be made within the above range.
この開示に係る発明は、回路モジュールの回路基板であるセラミック多層基板の集合体である集合基板などに適用されるが、これに限られない。 The invention according to this disclosure is applied to, but not limited to, an aggregate substrate that is an aggregate of ceramic multilayer substrates that is a circuit substrate of a circuit module.
１００ 集合基板
１ セラミック多層基板
１０ 集合基板素体
１０ａ 基板領域
１０ｂ 周辺領域
１１ 誘電体層
１２ パターン導体
１２ａ 第１のパターン導体
１２ｂ 第２のパターン導体
１３ ビア導体
１４ 第１の電極群
１５ 第２の電極群
１６ パターン導体
１６ａ 第３のパターン導体
１６ｂ 第４のパターン導体
２０ 第１の樹脂膜
３０ 第２の樹脂膜
Ｓ１ 第１の主面
Ｓ２ 第２の主面
Ｓ３ 側面
REFERENCE SIGNS LIST 100 aggregate substrate 1 ceramic multilayer substrate 10 aggregate substrate element body 10a substrate region 10b peripheral region 11 dielectric layer 12 pattern conductor 12a first pattern conductor 12b second pattern conductor 13 via conductor 14 first electrode group 15 second Electrode group 16 Pattern conductor 16a Third pattern conductor 16b Fourth pattern conductor 20 First resin film 30 Second resin film S1 First main surface S2 Second main surface S3 Side surface
Claims (12)
前記集合基板素体は、分割されることにより、個々のセラミック多層基板となる部分を含む基板領域と、前記基板領域を囲むように前記基板領域と一体に成形された周辺領域とを含み、
前記第１の樹脂膜は、前記第１の主面における前記周辺領域の少なくとも一部に、前記基板領域を囲むように設けられていることを特徴とする、集合基板。 A collective substrate body having a first main surface, a second main surface, a side surface connecting the first main surface and the second main surface, and a first resin film;
The aggregate substrate body includes, by being divided, a substrate region including a portion to be an individual ceramic multilayer substrate, and a peripheral region integrally formed with the substrate region so as to surround the substrate region,
The collective substrate, wherein the first resin film is provided on at least a part of the peripheral region on the first main surface so as to surround the substrate region.
前記第１の樹脂膜は、前記第１の電極群を露出させた状態で前記第１の主面を覆うように設けられているレジスト膜であることを特徴とする、請求項１に記載の集合基板。 A first electrode group is arranged in the substrate region on the first main surface;
2. The method according to claim 1, wherein the first resin film is a resist film provided so as to cover the first main surface in a state where the first electrode group is exposed. 3. Assembly board.
前記第２の樹脂膜は、前記第２の電極群を露出させた状態で前記第２の主面を覆うように設けられているレジスト膜であることを特徴とする、請求項５に記載の集合基板。 A second electrode group is arranged in the substrate region on the second main surface;
6. The method according to claim 5, wherein the second resin film is a resist film provided so as to cover the second main surface in a state where the second electrode group is exposed. Assembly board.
前記第２の樹脂膜は、前記第２の電極群を露出させた状態で前記第２の主面を覆うように設けられた、前記第１の樹脂膜と同じ材料からなるレジスト膜であり、
前記第３の樹脂膜は、前記第１の樹脂膜および前記第２の樹脂膜と同じ材料からなることを特徴とする、請求項１０に記載の集合基板。 The first resin film is a resist film provided so as to cover the first main surface in a state where the first electrode group is exposed,
The second resin film is a resist film made of the same material as the first resin film, provided so as to cover the second main surface in a state where the second electrode group is exposed;
The collective substrate according to claim 10, wherein the third resin film is made of the same material as the first resin film and the second resin film.
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