JP7438656B2 - collective board - Google Patents

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この開示は、複数のセラミック多層基板が、一体に形成された状態である集合基板に関する。 This disclosure relates to a collective substrate in which a plurality of ceramic multilayer substrates are integrally formed.

近年、小型移動体通信機器などに用いられる回路モジュールの小型化が進められている。そのため、回路モジュールに用いられるセラミック多層基板の厚みの低減が必要とされている。一方で、多層セラミック基板の厚みの低減は、その集合体である集合基板の強度の低下に繋がる。その結果、集合基板が取り扱われる種々の工程において、集合基板に割れまたは欠けが発生する虞がある。 In recent years, miniaturization of circuit modules used in small mobile communication devices and the like has been progressing. Therefore, there is a need to reduce the thickness of ceramic multilayer substrates used in circuit modules. On the other hand, reducing the thickness of the multilayer ceramic substrate leads to a decrease in the strength of the aggregate substrate, which is an aggregate thereof. As a result, there is a possibility that cracks or chips may occur in the aggregate substrate during various processes in which the aggregate substrate is handled.

そのような集合基板の割れまたは欠けの低減について興味ある技術が、国際公開第2011/152085号(特許文献1)に記載されている。特許文献1に記載された集合基板は、誘電体層とパターン導体とビア導体とを備えた個々のセラミック多層基板となる部分を含む基板領域と、基板領域の周囲を囲む周辺領域と、周辺領域に形成された収縮抑制層とを備えている。ここで、収縮抑制層は、積層前のセラミックグリーンシートの各層に設けられている。また、収縮抑制層は、パターン導体と同じ材料で形成されることが好ましい。 An interesting technique for reducing cracks or chips in such a collective substrate is described in International Publication No. 2011/152085 (Patent Document 1). The collective substrate described in Patent Document 1 includes a substrate region including a portion that becomes an individual ceramic multilayer substrate including a dielectric layer, a pattern conductor, and a via conductor, a peripheral region surrounding the substrate region, and a peripheral region. and a shrinkage suppressing layer formed on. Here, the shrinkage suppressing layer is provided in each layer of the ceramic green sheets before lamination. Moreover, it is preferable that the shrinkage suppressing layer is formed of the same material as the patterned conductor.

国際公開第2011/152085号International Publication No. 2011/152085

特許文献1に記載された集合基板では、周辺領域に形成された収縮抑制層が、集合基板の強度の低下を抑制することができる。一方、収縮抑制層は、積層前のセラミックグリーンシートの各層の周辺領域に、互いに積み重なるようにして形成されている。そのため、セラミックグリーンシートが積層および圧着される際に、収縮抑制層を含むことで厚くなった周辺領域に圧力が優先して加わる。 In the collective substrate described in Patent Document 1, the shrinkage suppressing layer formed in the peripheral region can suppress a decrease in strength of the collective substrate. On the other hand, the shrinkage suppressing layers are formed in the peripheral area of each layer of the ceramic green sheets before lamination so as to be stacked on top of each other. Therefore, when the ceramic green sheets are stacked and pressure-bonded, pressure is applied preferentially to the peripheral region that is thicker due to the inclusion of the shrinkage suppressing layer.

したがって、周辺領域に加わる圧力に比べて、基板領域に加わる圧力が相対的に小さくなる。その結果、基板領域の圧着が不十分となり、デラミネーションなどの構造欠陥が基板領域に発生する虞がある。 Therefore, the pressure applied to the substrate region is relatively small compared to the pressure applied to the peripheral region. As a result, the pressure bonding of the substrate region becomes insufficient, and there is a possibility that structural defects such as delamination may occur in the substrate region.

すなわち、この開示の目的は、厚みが低減されても強度の低下を抑制することができ、基板領域における構造欠陥を抑制することができる集合基板を提供することである。 That is, an object of this disclosure is to provide an aggregate substrate that can suppress a decrease in strength even when the thickness is reduced, and can suppress structural defects in the substrate region.

この開示に従う集合基板では、周辺領域の構造についての改良が図られる。 In the collective substrate according to this disclosure, the structure of the peripheral region is improved.

この開示に従う集合基板は、第1の主面と、第2の主面と、第1の主面と第2の主面とを接続する側面とを有する集合基板素体と、第1の樹脂膜とを備えている。集合基板素体は、分割されることにより、個々のセラミック多層基板となる部分を含む基板領域と、基板領域を囲むように基板領域と一体に成形された周辺領域とを含んでいる。そして、第1の樹脂膜は、第1の主面における周辺領域の少なくとも一部に、基板領域を囲むように設けられている。 An aggregate substrate according to this disclosure includes an aggregate substrate body having a first main surface, a second main surface, and a side surface connecting the first main surface and the second main surface, and a first resin It is equipped with a membrane. The collective substrate element includes a substrate region including portions that become individual ceramic multilayer substrates by being divided, and a peripheral region integrally formed with the substrate region so as to surround the substrate region. The first resin film is provided in at least a portion of the peripheral region of the first main surface so as to surround the substrate region.

この開示に従う集合基板は、上記の構造を有しているため、厚みが低減されても強度の低下を抑制することができ、基板領域における構造欠陥を抑制することができる。 Since the collective substrate according to this disclosure has the above structure, it is possible to suppress a decrease in strength even when the thickness is reduced, and it is possible to suppress structural defects in the substrate region.

図1(A)は、集合基板100の斜視図である。図1(B)は、A1面で切断された集合基板100の矢視断面図である。FIG. 1(A) is a perspective view of the collective substrate 100. FIG. 1(B) is a cross-sectional view of the collective substrate 100 taken along the A1 plane. 図2(A)は、集合基板100の第1の変形例である集合基板100Aの断面図である。図2(B)は、集合基板100の第2の変形例である集合基板100Bの断面図である。FIG. 2(A) is a cross-sectional view of an aggregate substrate 100A, which is a first modified example of the aggregate substrate 100. FIG. 2(B) is a cross-sectional view of an aggregate substrate 100B, which is a second modification example of the aggregate substrate 100. 集合基板100の第3の変形例である集合基板100Cの斜視図である。7 is a perspective view of a collective substrate 100C which is a third modification example of the collective substrate 100. FIG. 図4(A)は、集合基板200の斜視図である。図4(B)は、A2面で切断された集合基板200の矢視断面図である。FIG. 4(A) is a perspective view of the collective substrate 200. FIG. 4(B) is a cross-sectional view of the collective substrate 200 taken along the A2 plane. 図5(A)は、集合基板200の第1の変形例である集合基板200Aの断面図である。図5(B)は、集合基板200の第2の変形例である集合基板200Bの断面図である。FIG. 5(A) is a cross-sectional view of an aggregate substrate 200A, which is a first modified example of the aggregate substrate 200. FIG. 5(B) is a cross-sectional view of an aggregate substrate 200B, which is a second modification example of the aggregate substrate 200. 図6(A)は、集合基板300の斜視図である。図6(B)は、A3面で切断された集合基板300の矢視断面図である。FIG. 6(A) is a perspective view of the collective substrate 300. FIG. 6(B) is a cross-sectional view of the collective substrate 300 taken along the A3 plane. 図7(A)は、集合基板300の第1の変形例である集合基板300Aの断面図である。図7(B)は、集合基板300の第2の変形例である集合基板300Bの断面図である。FIG. 7(A) is a cross-sectional view of an aggregate substrate 300A that is a first modification example of the aggregate substrate 300. FIG. 7(B) is a cross-sectional view of an aggregate substrate 300B, which is a second modified example of the aggregate substrate 300.

この開示の特徴とするところを、この開示の実施形態に基づき、図面を参照しながら説明する。なお、以下に示す実施の形態においては、同一のまたは共通する部分について図中同一の符号を付し、その説明は繰り返さないことがある。 Features of this disclosure will be described based on embodiments of this disclosure with reference to the drawings. In the embodiments described below, the same or common parts are denoted by the same reference numerals in the figures, and the description thereof may not be repeated.

-集合基板の第1の実施形態-
この開示に従う集合基板の第1の実施形態である集合基板100について、図1を用いて説明する。
-First embodiment of collective board-
A collective substrate 100, which is a first embodiment of a collective substrate according to this disclosure, will be described using FIG. 1.

図1(A)は、集合基板100の斜視図である。また、図1(B)は、A1面で切断された集合基板100の矢視断面図である。集合基板100は、第1の主面S1(上面)と、第2の主面S2(下面)と、第1の主面S1と第2の主面S2とを接続する側面S3とを有する集合基板素体10と、第1の樹脂膜20とを備えている。 FIG. 1(A) is a perspective view of the collective substrate 100. Further, FIG. 1(B) is a cross-sectional view of the collective substrate 100 taken along the A1 plane. The collective substrate 100 has a first main surface S1 (top surface), a second main surface S2 (bottom surface), and a side surface S3 connecting the first main surface S1 and the second main surface S2. It includes a substrate body 10 and a first resin film 20.

集合基板素体10は、必要に応じて焼成前パターン導体および焼成前ビア導体の少なくとも一方が形成されたセラミックグリーンシートが積層および圧着されてなる圧着体が、所定の条件で焼成されることにより得られる。グリーンシートの積層方向は、パターン導体と直交する方向である。 The aggregate substrate body 10 is obtained by firing under predetermined conditions a crimped body obtained by laminating and crimping ceramic green sheets on which at least one of a pre-fired pattern conductor and a pre-fired via conductor is formed as required. can get. The stacking direction of the green sheets is a direction perpendicular to the pattern conductor.

すなわち、集合基板素体10は、セラミックグリーンシートが焼成されてなる誘電体層11と、パターン導体12と、ビア導体13とを含んでいる。パターン導体12は、個々のセラミック多層基板1において、回路配線および回路素子などを構成する第1のパターン導体12aと、グランド接続される第2のパターン導体12bとを含んでいる。第2のパターン導体12bは、セラミック多層基板1において、全面パターンとなるように形成されている。 That is, the aggregate substrate element 10 includes a dielectric layer 11 formed by firing a ceramic green sheet, a pattern conductor 12, and a via conductor 13. The pattern conductor 12 includes, in each ceramic multilayer substrate 1, a first pattern conductor 12a that constitutes circuit wiring and circuit elements, and a second pattern conductor 12b that is connected to the ground. The second pattern conductor 12b is formed as a pattern on the entire surface of the ceramic multilayer substrate 1.

誘電体層11には、例えば低温焼結セラミック材料が用いられる。パターン導体12およびビア導体13には、例えばCuおよびCu合金などの中から選ばれる金属材料が用いられる。なお、パターン導体12は、上記の金属材料が用いられた下地層と、下地層の上に形成されたNiめっきおよびAuめっきなどのめっき膜とを含むようにしてもよい。上記の材料および構成はあくまでも例示であって、この限りではない。 For the dielectric layer 11, for example, a low-temperature sintered ceramic material is used. For the pattern conductor 12 and the via conductor 13, a metal material selected from, for example, Cu and a Cu alloy is used. Note that the pattern conductor 12 may include a base layer using the above metal material and a plating film such as Ni plating or Au plating formed on the base layer. The above materials and configurations are merely examples, and are not limited thereto.

集合基板素体10は、分割されることにより、個々のセラミック多層基板1となる部分を含む基板領域10a(図1(A)斜線部)と、基板領域10aを囲むように基板領域10aと一体に成形された周辺領域10bとを含んでいる。周辺領域10bは、図1(B)において、基板領域10aの両側の点線により囲まれた領域である。基板領域10aと周辺領域10bとは、基板領域10aおよび周辺領域10bにそれぞれ相当する領域を含むセラミックグリーンシートが上記のように積層および圧着されてなる積層体が焼成されることにより、一体に成形される。 The collective substrate element 10 is divided into a substrate area 10a (shaded area in FIG. 1(A)) including parts that will become individual ceramic multilayer substrates 1, and is integrated with the substrate area 10a so as to surround the substrate area 10a. It includes a peripheral region 10b formed into a. The peripheral region 10b is a region surrounded by dotted lines on both sides of the substrate region 10a in FIG. 1(B). The substrate region 10a and the peripheral region 10b are integrally formed by firing a laminate in which ceramic green sheets including regions corresponding to the substrate region 10a and the peripheral region 10b are laminated and pressed together as described above. be done.

第1の主面S1における基板領域10aには、第1の電極群14が配置されている。第1の電極群14は、集合基板100の分割後に得られる個々のセラミック多層基板1において、電子部品が接続されるランドとなる。一方、第2の主面S2における基板領域10aには、第2の電極群15が配置されている。第2の電極群15は、セラミック多層基板1に電子部品が接続されてなる回路モジュールにおいて、回路モジュールが電子機器のマザーボードなどに接続される際の外部電極となる。 A first electrode group 14 is arranged in the substrate region 10a on the first main surface S1. The first electrode group 14 becomes a land to which electronic components are connected in each ceramic multilayer substrate 1 obtained after dividing the collective substrate 100. On the other hand, a second electrode group 15 is arranged in the substrate region 10a on the second main surface S2. The second electrode group 15 serves as an external electrode when the circuit module is connected to a motherboard of an electronic device or the like in a circuit module in which electronic components are connected to the ceramic multilayer substrate 1.

そして、第1の樹脂膜20は、第1の主面S1における周辺領域10bに、基板領域10aを囲むように枠状に設けられている。 The first resin film 20 is provided in a frame shape in the peripheral region 10b of the first main surface S1 so as to surround the substrate region 10a.

第1の樹脂膜20としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂およびそれらに添加物を加えたものなどを用いることができる。第1の樹脂膜20は、上記の樹脂の液状前駆体をスクリーン印刷およびインクジェット法などの塗工方法により第1の主面S1の周辺領域10bに付与した後、加熱などで固体の樹脂とすることにより形成される。上記の材料および形成手段はあくまでも例示であって、この限りではない。 As the first resin film 20, for example, epoxy resin, polyimide resin, polyamide resin, and those obtained by adding additives to these resins can be used. The first resin film 20 is formed by applying a liquid precursor of the resin described above to the peripheral region 10b of the first main surface S1 by a coating method such as screen printing or an inkjet method, and then converting it into a solid resin by heating or the like. It is formed by The above-mentioned materials and forming means are merely examples, and the present invention is not limited thereto.

集合基板100では、第1の樹脂膜20が第1の主面S1における周辺領域10bに基板領域10aを囲むように設けられている。すなわち、周辺領域10bは、第1の樹脂膜20により補強されることになる。したがって、集合基板100(集合基板素体10)の厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができる。 In the collective substrate 100, the first resin film 20 is provided in the peripheral region 10b on the first main surface S1 so as to surround the substrate region 10a. That is, the peripheral region 10b is reinforced by the first resin film 20. Therefore, it is possible to suppress a decrease in strength due to a reduction in the thickness of the aggregate substrate 100 (the aggregate substrate element 10).

また、第1の樹脂膜20は、焼成後の集合基板素体10の状態で形成される。すなわち、集合基板素体10は、前述した特許文献1に記載された収縮抑制層のような集合基板の強度の低下を抑制するための手段を、集合基板素体10の周辺領域10bの内部に備えなくともよい。 Further, the first resin film 20 is formed in the state of the aggregate substrate element body 10 after firing. That is, the aggregated substrate element 10 has a means for suppressing a decrease in the strength of the aggregated substrate, such as the shrinkage suppressing layer described in Patent Document 1 mentioned above, inside the peripheral region 10b of the aggregated substrate element 10. You don't need to prepare.

したがって、集合基板素体10の製造過程において、セラミックグリーンシートが積層および圧着される際に、周辺領域10bに加わる圧力に対する基板領域10aに加わる圧力の相対的な低下を抑制することができる。その結果、基板領域10aが十分に圧着され、基板領域10aにおける構造欠陥の発生を抑制することができる。 Therefore, in the manufacturing process of the aggregate substrate body 10, when the ceramic green sheets are stacked and pressure-bonded, it is possible to suppress a relative decrease in the pressure applied to the substrate region 10a with respect to the pressure applied to the peripheral region 10b. As a result, the substrate region 10a is sufficiently compressed, and the occurrence of structural defects in the substrate region 10a can be suppressed.

なお、集合基板100では、第1の樹脂膜20に加え、第2の樹脂膜30が、第2の主面S2における周辺領域10bに、基板領域10aを囲むように枠状に設けられている。すなわち、周辺領域10bは、第2の樹脂膜30によりさらに補強されることになる。したがって、集合基板100(集合基板素体10)の厚みの低減に伴う強度の低下をさらに抑制することができる。 Note that in the collective substrate 100, in addition to the first resin film 20, a second resin film 30 is provided in a frame shape in the peripheral region 10b of the second main surface S2 so as to surround the substrate region 10a. . That is, the peripheral region 10b is further reinforced by the second resin film 30. Therefore, it is possible to further suppress a decrease in strength due to a reduction in the thickness of the collective substrate 100 (the collective substrate body 10).

第2の樹脂膜30としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂およびそれらに添加物を加えたものなどを用いることができる。第2の樹脂膜30は、上記の樹脂の液状前駆体をスクリーン印刷およびインクジェット法などの塗工方法により第2の主面S2の周辺領域10bに付与した後、加熱などで固体の樹脂とすることにより形成される。第1の樹脂膜20と第2の樹脂膜30とは、同じ材料で形成されてもよく、また異なる材料で形成されてもよい。上記の材料および形成手段はあくまでも例示であって、この限りではない。 As the second resin film 30, for example, epoxy resin, polyimide resin, polyamide resin, and those obtained by adding additives to these resins can be used. The second resin film 30 is formed by applying a liquid precursor of the above resin to the peripheral region 10b of the second main surface S2 by a coating method such as screen printing or an inkjet method, and then converting it into a solid resin by heating or the like. It is formed by The first resin film 20 and the second resin film 30 may be formed of the same material or may be formed of different materials. The above-mentioned materials and forming means are merely examples, and the present invention is not limited thereto.

なお、集合基板100では、第1の樹脂膜20と第2の樹脂膜30とは、第1の主面S1の法線方向から見て、同じ形状かつ同じ位置となるように形成されている。ただし、第1の樹脂膜20と第2の樹脂膜30とが同じ形状かつ同じ位置となるように形成されることは、必須ではない。 In addition, in the collective substrate 100, the first resin film 20 and the second resin film 30 are formed to have the same shape and the same position when viewed from the normal direction of the first main surface S1. . However, it is not essential that the first resin film 20 and the second resin film 30 be formed in the same shape and at the same position.

集合基板100では、周辺領域10bの内部に、パターン導体16が配置されている。パターン導体16は、第3のパターン導体16aと、第4のパターン導体16bとを含んでいる。第3のパターン導体16aは、図1(B)の矢視断面図に例示された千鳥配置のように、互いに積み重なる部分が少なくなるように配置された、回路配線および回路素子などを構成しないダミーパターンである。なお、第3のパターン導体16aの配置は、これに限られない。第4のパターン導体16bは、前述の第2のパターン導体12bの一部である。 In the collective substrate 100, the pattern conductor 16 is arranged inside the peripheral region 10b. The pattern conductor 16 includes a third pattern conductor 16a and a fourth pattern conductor 16b. The third pattern conductor 16a is a dummy conductor that does not constitute circuit wiring or circuit elements, and is arranged so that the portions that overlap each other are reduced, as in the staggered arrangement illustrated in the cross-sectional view of FIG. 1B. It's a pattern. Note that the arrangement of the third pattern conductor 16a is not limited to this. The fourth pattern conductor 16b is a part of the second pattern conductor 12b described above.

第3のパターン導体16aは、上記のように配置されているため、集合基板素体10の製造過程において、セラミックグリーンシートが積層および圧着される際に、周辺領域10bの厚みの増加を抑制することができる。その結果、周辺領域10bに加わる圧力に対する、基板領域10aに加わる圧力の相対的な低下を抑制することができる。また、第4のパターン導体16bは、第2のパターン導体12bの一部であるため、周辺領域10bの厚みのみを増加させるものではない。 Since the third pattern conductor 16a is arranged as described above, it suppresses an increase in the thickness of the peripheral region 10b when the ceramic green sheets are laminated and crimped in the manufacturing process of the aggregate substrate element 10. be able to. As a result, it is possible to suppress a relative decrease in the pressure applied to the substrate region 10a with respect to the pressure applied to the peripheral region 10b. Moreover, since the fourth pattern conductor 16b is a part of the second pattern conductor 12b, it does not increase only the thickness of the peripheral region 10b.

したがって、周辺領域10bの内部へのパターン導体16の配置は、基板領域10aにおける構造欠陥の増加を抑制しながら、集合基板100の強度をさらに向上させることができる。 Therefore, the arrangement of the patterned conductor 16 inside the peripheral region 10b can further improve the strength of the collective substrate 100 while suppressing an increase in structural defects in the substrate region 10a.

-集合基板の第1の実施形態の変形例-
この開示に従う集合基板の第1の実施形態の変形例である集合基板100Aないし100Cについて、図2および図3を用いて説明する。
- Modification of the first embodiment of the collective board -
Collective substrates 100A to 100C, which are modified examples of the first embodiment of the collective substrate according to this disclosure, will be described using FIGS. 2 and 3.

図2(A)は、集合基板100の第1の変形例である集合基板100Aの断面図である。図2(B)は、集合基板100の第2の変形例である集合基板100Bの断面図である。図2(A)、(B)にそれぞれ示された断面図は、図1(B)に示された矢視断面図に相当する。図3は、集合基板100の第3の変形例である集合基板100Cの斜視図である。 FIG. 2(A) is a cross-sectional view of an aggregate substrate 100A, which is a first modified example of the aggregate substrate 100. FIG. 2(B) is a cross-sectional view of an aggregate substrate 100B, which is a second modification example of the aggregate substrate 100. The sectional views shown in FIGS. 2(A) and 2(B) correspond to the sectional view taken in the direction of the arrows shown in FIG. 1(B). FIG. 3 is a perspective view of a collective substrate 100C, which is a third modified example of the collective substrate 100.

集合基板100Aないし100Cは、周辺領域10bに設けられている樹脂膜が集合基板100と異なっている。それ以外の構成は、集合基板100と同様であるため、詳細な説明は省略される。 The collective substrates 100A to 100C are different from the collective substrate 100 in the resin film provided in the peripheral region 10b. The rest of the configuration is the same as that of the collective substrate 100, so a detailed explanation will be omitted.

第1の変形例である集合基板100Aでは、第1の樹脂膜20は、第1の主面S1における周辺領域10bに、基板領域10aを囲むように枠状に設けられているが、第2の樹脂膜30は設けられていない。この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域10aにおける構造欠陥を抑制することができる。 In the collective substrate 100A, which is the first modification, the first resin film 20 is provided in a frame shape in the peripheral region 10b of the first main surface S1 so as to surround the substrate region 10a. The resin film 30 is not provided. Also in this case, as described above, it is possible to suppress a decrease in strength due to a reduction in thickness, and it is possible to suppress structural defects in the substrate region 10a.

第2の変形例である集合基板100Bでは、第1の樹脂膜20および第2の樹脂膜30に加え、側面S3を覆うように第3の樹脂膜40が設けられている。また、第1の樹脂膜20と第2の樹脂膜30とは、第3の樹脂膜40を介して接続されている。 In the collective substrate 100B that is the second modification, in addition to the first resin film 20 and the second resin film 30, a third resin film 40 is provided so as to cover the side surface S3. Further, the first resin film 20 and the second resin film 30 are connected via a third resin film 40.

側面S3を覆うように第3の樹脂膜40が設けられることにより、前述の厚みの低減に伴う強度の低下の抑制に加えて、側面S3に加わる衝撃による集合基板素体10の破損を抑制することができる。また、集合基板100Bのように、第1の樹脂膜20と第2の樹脂膜30とが第3の樹脂膜40を介して接続されることにより、衝撃に対して特に欠けやすい集合基板素体10の角部が樹脂膜により被覆される。その結果、角部に加わる衝撃による集合基板素体10の破損を抑制することができる。 By providing the third resin film 40 to cover the side surface S3, in addition to suppressing the decrease in strength due to the reduction in the thickness described above, damage to the aggregate substrate element 10 due to impact applied to the side surface S3 is suppressed. be able to. In addition, like the collective substrate 100B, the first resin film 20 and the second resin film 30 are connected via the third resin film 40, so that the collective substrate element is particularly susceptible to chipping due to impact. 10 corners are covered with a resin film. As a result, damage to the aggregate substrate element 10 due to impact applied to the corner can be suppressed.

なお、集合基板100Bにおいて、第1の樹脂膜20と第2の樹脂膜30とが、第1の主面S1の法線方向から見て、同じ形状かつ同じ位置となるように形成されることは、必須ではない。 Note that in the collective substrate 100B, the first resin film 20 and the second resin film 30 are formed to have the same shape and the same position when viewed from the normal direction of the first main surface S1. is not required.

第3の変形例である集合基板100Cにおいても、第1の樹脂膜20は、第1の主面S1における周辺領域10bに、基板領域10aを囲むように設けられている。また、第2の樹脂膜30は、第2の主面S2における周辺領域10bに、基板領域10aを囲むように設けられている。しかしながら、集合基板100Cにおける第1の樹脂膜20および第2の樹脂膜30は、短い帯状の樹脂膜が間隔をおいて破線状に配置されている。 Also in the collective substrate 100C, which is the third modification, the first resin film 20 is provided in the peripheral region 10b of the first main surface S1 so as to surround the substrate region 10a. Further, the second resin film 30 is provided in the peripheral region 10b of the second main surface S2 so as to surround the substrate region 10a. However, in the first resin film 20 and the second resin film 30 in the collective substrate 100C, short strip-shaped resin films are arranged at intervals in the shape of a broken line.

この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域における構造欠陥を抑制することができる。なお、集合基板100Cにおいても、第1の樹脂膜20と第2の樹脂膜30とが、第1の主面S1の法線方向から見て、同じ形状かつ同じ位置となるように形成されることは、必須ではない。 Even in this case, as described above, it is possible to suppress a decrease in strength due to a reduction in thickness, and it is possible to suppress structural defects in the substrate region. Note that also in the collective substrate 100C, the first resin film 20 and the second resin film 30 are formed to have the same shape and the same position when viewed from the normal direction of the first main surface S1. That is not necessary.

-集合基板の第2の実施形態-
この開示に従う集合基板の第2の実施形態である集合基板200について、図4を用いて説明する。
-Second embodiment of collective board-
A collective substrate 200, which is a second embodiment of the collective substrate according to this disclosure, will be described using FIG. 4.

図4(A)は、集合基板200の斜視図である。また、図4(B)は、A2面で切断された集合基板200の矢視断面図である。集合基板200は、基板領域10a(図4(A)斜線部)を囲むように周辺領域10bに設けられている樹脂膜が集合基板100と異なっている。それ以外の構成は、集合基板100と同様であるため、詳細な説明は省略される。 FIG. 4(A) is a perspective view of the collective substrate 200. Further, FIG. 4(B) is a cross-sectional view of the collective substrate 200 taken along the A2 plane. The collective substrate 200 differs from the collective substrate 100 in the resin film provided in the peripheral region 10b so as to surround the substrate region 10a (the shaded area in FIG. 4(A)). The rest of the configuration is the same as that of the collective substrate 100, so detailed explanation will be omitted.

集合基板200では、第1の樹脂膜20が、間隔をおいて形成されているそれぞれ枠状の第1の部分20aと第2の部分20bと第3の部分20cとを含んでいる。なお、第1の樹脂膜20は、間隔をおいて形成されている第1の部分20aおよび第2の部分20bの2つの部分を含んでいればよい。 In the collective substrate 200, the first resin film 20 includes a frame-shaped first portion 20a, a second portion 20b, and a third portion 20c, which are formed at intervals. Note that the first resin film 20 only needs to include two parts, a first part 20a and a second part 20b, which are formed with an interval between them.

この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域10aにおける構造欠陥を抑制することができる。また、第1の樹脂膜20の量を低減させることにより、集合基板200の製造コストを低減させることができる。 Also in this case, as described above, it is possible to suppress a decrease in strength due to a reduction in thickness, and it is possible to suppress structural defects in the substrate region 10a. Further, by reducing the amount of the first resin film 20, the manufacturing cost of the collective substrate 200 can be reduced.

集合基板200における第1の樹脂膜20は、例えば樹脂の液状前駆体をインクジェット法で塗工することにより形成することができる。細い線幅の第1の部分20aおよび第2の部分20bを含む第1の樹脂膜20がインクジェット法で形成されることにより、形成時に集合基板素体10へ加わる衝撃を抑制することができる。 The first resin film 20 on the collective substrate 200 can be formed, for example, by applying a liquid resin precursor using an inkjet method. Since the first resin film 20 including the first portion 20a and the second portion 20b having a narrow line width is formed by an inkjet method, it is possible to suppress the impact applied to the aggregate substrate element 10 during formation.

なお、集合基板200では、第1の樹脂膜20に加え、第2の樹脂膜30が、第2の主面S2における周辺領域10bに、基板領域10aを囲むように枠状に設けられている。第2の樹脂膜30は、間隔をおいて形成されている第1の部分30aと第2の部分30bと第3の部分30cとを含んでいる。第2の樹脂膜30は、間隔をおいて形成されている第1の部分30aおよび第2の部分30bの2つの部分を含んでいればよい。 Note that in the collective substrate 200, in addition to the first resin film 20, a second resin film 30 is provided in a frame shape in the peripheral region 10b of the second main surface S2 so as to surround the substrate region 10a. . The second resin film 30 includes a first portion 30a, a second portion 30b, and a third portion 30c formed at intervals. The second resin film 30 only needs to include two parts, a first part 30a and a second part 30b, which are spaced apart from each other.

すなわち、周辺領域10bは、第2の樹脂膜30によりさらに補強されることになる。したがって、集合基板200(集合基板素体10)の厚みの低減に伴う強度の低下をさらに抑制することができる。 That is, the peripheral region 10b is further reinforced by the second resin film 30. Therefore, it is possible to further suppress a decrease in strength due to a reduction in the thickness of the collective substrate 200 (the collective substrate body 10).

なお、集合基板200において、第1の樹脂膜20と第2の樹脂膜30とが、第1の主面S1の法線方向から見て、同じ形状かつ同じ位置となるように形成されることは、必須ではない。また、それぞれの樹脂膜における第1ないし第3の部分が、集合基板100Cのように、短い帯状の樹脂膜が間隔をおいて破線状に配置されたものであってもよい。さらに、集合基板200においても、周辺領域10bの内部に、パターン導体16が配置されていてもよい。 Note that in the collective substrate 200, the first resin film 20 and the second resin film 30 are formed to have the same shape and the same position when viewed from the normal direction of the first main surface S1. is not required. Further, the first to third portions of each resin film may be short strip-shaped resin films arranged in a broken line shape at intervals, as in the collective substrate 100C. Further, in the collective substrate 200 as well, the pattern conductor 16 may be arranged inside the peripheral region 10b.

-集合基板の第2の実施形態の変形例-
この開示に従う集合基板の第2の実施形態の変形例である集合基板200A、200Bについて、図5を用いて説明する。
- Modification of the second embodiment of the collective board -
Collective substrates 200A and 200B, which are modified examples of the second embodiment of the collective substrate according to this disclosure, will be described using FIG. 5.

図5(A)は、集合基板200の第1の変形例である集合基板200Aの断面図である。図5(B)は、集合基板200の第2の変形例である集合基板200Bの断面図である。図5(A)、(B)にそれぞれ示された断面図は、図4(B)に示された矢視断面図に相当する。 FIG. 5(A) is a cross-sectional view of an aggregate substrate 200A, which is a first modified example of the aggregate substrate 200. FIG. 5(B) is a cross-sectional view of an aggregate substrate 200B, which is a second modification example of the aggregate substrate 200. The cross-sectional views shown in FIGS. 5A and 5B correspond to the cross-sectional view taken in the direction of the arrows shown in FIG. 4B.

集合基板200A、200Bは、周辺領域10bに設けられている樹脂膜が集合基板200と異なっている。それ以外の構成は、集合基板200と同様であるため、詳細な説明は省略される。 The collective substrates 200A and 200B are different from the collective substrate 200 in the resin film provided in the peripheral region 10b. The rest of the configuration is the same as that of the collective substrate 200, so a detailed explanation will be omitted.

第1の変形例である集合基板200Aでは、第1の樹脂膜20は、第1の主面S1における周辺領域10bに、基板領域10aを囲むように枠状に設けられているが、第2の樹脂膜30は設けられていない。この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域における構造欠陥を抑制することができる。 In the collective substrate 200A, which is the first modification, the first resin film 20 is provided in a frame shape in the peripheral region 10b of the first main surface S1 so as to surround the substrate region 10a. The resin film 30 is not provided. Even in this case, as described above, it is possible to suppress a decrease in strength due to a reduction in thickness, and it is possible to suppress structural defects in the substrate region.

第2の変形例である集合基板200Bでは、第1の樹脂膜20および第2の樹脂膜30に加え、側面S3を覆うように第3の樹脂膜40が設けられている。また、第1の樹脂膜20(第3の部分20c)と第2の樹脂膜30(第3の部分30c)とは、第3の樹脂膜40を介して接続されている。 In the collective substrate 200B that is the second modification, in addition to the first resin film 20 and the second resin film 30, a third resin film 40 is provided so as to cover the side surface S3. Further, the first resin film 20 (third portion 20c) and the second resin film 30 (third portion 30c) are connected via a third resin film 40.

側面S3を覆うように第3の樹脂膜40が設けられることにより、前述の厚みの低減に伴う強度の低下の抑制に加えて、側面S3に加わる衝撃による集合基板素体10の破損を抑制することができる。また、集合基板200Bのように、第1の樹脂膜20と第2の樹脂膜30とが第3の樹脂膜40を介して接続されることにより、衝撃に対して特に欠けやすい集合基板素体10の角部が樹脂膜により被覆される。その結果、角部に加わる衝撃による集合基板素体10の破損を抑制することができる。 By providing the third resin film 40 to cover the side surface S3, in addition to suppressing the decrease in strength due to the reduction in the thickness described above, damage to the aggregate substrate element 10 due to impact applied to the side surface S3 is suppressed. be able to. In addition, like the collective substrate 200B, the first resin film 20 and the second resin film 30 are connected via the third resin film 40, so that the collective substrate element is particularly susceptible to chipping due to impact. 10 corners are covered with a resin film. As a result, damage to the aggregate substrate element 10 due to impact applied to the corner can be suppressed.

なお、集合基板200Bにおいて、第1の樹脂膜20と第2の樹脂膜30とが、第1の主面S1の法線方向から見て、同じ形状かつ同じ位置となるように形成されることは、必須ではない。 Note that in the collective substrate 200B, the first resin film 20 and the second resin film 30 are formed to have the same shape and the same position when viewed from the normal direction of the first main surface S1. is not required.

-集合基板の第3の実施形態-
この開示に従う集合基板の第2の実施形態である集合基板300について、図6を用いて説明する。
-Third embodiment of collective board-
A collective substrate 300, which is a second embodiment of the collective substrate according to this disclosure, will be described using FIG. 6.

図6(A)は、集合基板300の斜視図である。また、図6(B)は、A3面で切断された集合基板300の矢視断面図である。集合基板300も、基板領域10a(図6(A)斜線部)を囲むように周辺領域10bに設けられている樹脂膜が集合基板100と異なっている。それ以外の構成は、集合基板100と同様であるため、詳細な説明は省略される。 FIG. 6(A) is a perspective view of the collective substrate 300. Further, FIG. 6(B) is a cross-sectional view of the collective substrate 300 taken along the A3 plane. The collective substrate 300 also differs from the collective substrate 100 in the resin film provided in the peripheral region 10b so as to surround the substrate region 10a (the shaded area in FIG. 6(A)). The rest of the configuration is the same as that of the collective substrate 100, so a detailed explanation will be omitted.

集合基板300において、第1の樹脂膜20は、第1の主面S1において基板領域10aに配置されている第1の電極群14を露出させた状態で第1の主面S1を覆うように設けられている。また、第1の樹脂膜20は、レジスト膜である。このレジスト膜としては、例えば第1の電極群14に電子部品がはんだ接続される際に、はんだブリッジによる短絡を防ぐ目的で第1の主面S1上に付与されるはんだレジストなどが挙げられる。 In the collective substrate 300, the first resin film 20 covers the first main surface S1 while exposing the first electrode group 14 arranged in the substrate region 10a on the first main surface S1. It is provided. Further, the first resin film 20 is a resist film. Examples of this resist film include a solder resist that is applied on the first main surface S1 in order to prevent short circuits due to solder bridges when electronic components are soldered to the first electrode group 14, for example.

この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域10aにおける構造欠陥を抑制することができる。また、はんだレジストなどのレジスト膜を第1の樹脂膜20とすることにより、レジスト膜と第1の樹脂膜20とを別に形成する必要がなくなり、製造工程を簡略化することができる。 Also in this case, as described above, it is possible to suppress a decrease in strength due to a reduction in thickness, and it is possible to suppress structural defects in the substrate region 10a. Further, by using a resist film such as a solder resist as the first resin film 20, it is not necessary to separately form the resist film and the first resin film 20, and the manufacturing process can be simplified.

集合基板300における第1の樹脂膜20は、例えば樹脂の液状前駆体をスピンコーティングにより塗工し、フォトリソグラフィによりパターンニングすることにより形成することができる。この場合、第1の電極群14を露出させた状態で第1の主面S1を覆う第1の樹脂膜20を、効率的に形成することができる。 The first resin film 20 on the collective substrate 300 can be formed, for example, by applying a liquid resin precursor by spin coating and patterning by photolithography. In this case, the first resin film 20 can be efficiently formed to cover the first main surface S1 with the first electrode group 14 exposed.

なお、集合基板300では、第1の樹脂膜20に加え、第2の樹脂膜30が、第2の主面S2において基板領域10aに配置されている第2の電極群15を露出させた状態で第2の主面S2を覆うように設けられている。第2の樹脂膜30も、第1の樹脂膜20と同様に、はんだレジスト膜などのレジスト膜である。 Note that in the collective substrate 300, in addition to the first resin film 20, the second resin film 30 exposes the second electrode group 15 disposed in the substrate region 10a on the second main surface S2. is provided so as to cover the second main surface S2. Like the first resin film 20, the second resin film 30 is also a resist film such as a solder resist film.

すなわち、周辺領域10bは、第2の樹脂膜30によりさらに補強されることになる。したがって、集合基板300(集合基板素体10)の厚みの低減に伴う強度の低下をさらに抑制することができる。 That is, the peripheral region 10b is further reinforced by the second resin film 30. Therefore, it is possible to further suppress a decrease in strength due to a reduction in the thickness of the collective substrate 300 (the collective substrate body 10).

なお、集合基板300においても、周辺領域10bの内部に、パターン導体16が配置されていてもよい。 Note that in the collective substrate 300 as well, the pattern conductor 16 may be arranged inside the peripheral region 10b.

-集合基板の第3の実施形態の変形例-
この開示に従う集合基板の第2の実施形態の変形例である集合基板300A、300Bについて、図7を用いて説明する。
- Modification of the third embodiment of the collective board -
Collective substrates 300A and 300B, which are modified examples of the second embodiment of the collective substrate according to this disclosure, will be described using FIG. 7.

図7(A)は、集合基板300の第1の変形例である集合基板300Aの断面図である。図7(B)は、集合基板300の第2の変形例である集合基板300Bの断面図である。図7(A)、(B)にそれぞれ示された断面図は、図6(B)に示された矢視断面図に相当する。 FIG. 7(A) is a cross-sectional view of an aggregate substrate 300A that is a first modification example of the aggregate substrate 300. FIG. 7(B) is a cross-sectional view of an aggregate substrate 300B, which is a second modified example of the aggregate substrate 300. The cross-sectional views shown in FIGS. 7A and 7B correspond to the cross-sectional view taken in the direction of the arrows shown in FIG. 6B.

集合基板300A、300Bは、周辺領域10bに設けられている樹脂膜が集合基板300と異なっている。それ以外の構成は、集合基板300と同様であるため、詳細な説明は省略される。 The collective substrates 300A and 300B are different from the collective substrate 300 in the resin film provided in the peripheral region 10b. The rest of the configuration is the same as that of the collective substrate 300, so a detailed explanation will be omitted.

第1の変形例である集合基板300Aでは、第1の樹脂膜20は、第1の主面S1において基板領域10aに配置されている第1の電極群14を露出させた状態で第1の主面S1を覆うように設けられているが、第2の樹脂膜30は設けられていない。第1の樹脂膜20は、集合基板300と同様にレジスト膜である。この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域における構造欠陥を抑制することができる。 In the collective substrate 300A, which is the first modification, the first resin film 20 is arranged on the first main surface S1 with the first electrode group 14 disposed in the substrate region 10a exposed. Although it is provided so as to cover the main surface S1, the second resin film 30 is not provided. The first resin film 20 is a resist film similarly to the collective substrate 300. Even in this case, as described above, it is possible to suppress a decrease in strength due to a reduction in thickness, and it is possible to suppress structural defects in the substrate region.

第2の変形例である集合基板300Bでは、それぞれレジスト膜である第1の樹脂膜20および第2の樹脂膜30に加え、側面S3を覆うように第3の樹脂膜40が設けられている。また、第1の樹脂膜20、第2の樹脂膜30および第3の樹脂膜40は、互いに同じ材料からなる。 In the second modified example substrate 300B, in addition to the first resin film 20 and the second resin film 30, which are resist films, a third resin film 40 is provided to cover the side surface S3. . Further, the first resin film 20, the second resin film 30, and the third resin film 40 are made of the same material.

側面S3を覆うように第3の樹脂膜40が設けられることにより、前述の厚みの低減に伴う強度の低下の抑制に加えて、側面S3に加わる衝撃による集合基板素体10の破損を抑制することができる。また、集合基板300Bのように、第1の樹脂膜20と第2の樹脂膜30とが第3の樹脂膜40を介して接続されることにより、衝撃に対して特に欠けやすい集合基板素体10の角部が樹脂膜により被覆される。この場合、それぞれの樹脂膜は、一体となっている。その結果、角部に加わる衝撃による集合基板素体10の破損を抑制することができる。 By providing the third resin film 40 to cover the side surface S3, in addition to suppressing the decrease in strength due to the reduction in the thickness described above, damage to the aggregate substrate element 10 due to impact applied to the side surface S3 is suppressed. be able to. In addition, like the collective substrate 300B, the first resin film 20 and the second resin film 30 are connected via the third resin film 40, so that the collective substrate element is particularly susceptible to chipping due to impact. 10 corners are covered with a resin film. In this case, each resin film is integrated. As a result, damage to the aggregate substrate element 10 due to impact applied to the corner can be suppressed.

さらに、第1の電極群14と第2の電極群15とを露出させた状態で、集合基板素体10の外表面がそれぞれの樹脂膜により一体的に覆われるので、樹脂膜の剥離を抑制することができる。 Furthermore, with the first electrode group 14 and the second electrode group 15 exposed, the outer surface of the aggregate substrate element 10 is integrally covered with the respective resin films, thereby suppressing peeling of the resin films. can do.

この明細書に開示された実施形態は、例示的なものであって、この開示に係る発明は、上記の実施形態および変形例に限定されるものではない。すなわち、この開示に係る発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、上記の範囲内において、種々の応用、変形を加えることができる。 The embodiments disclosed in this specification are illustrative, and the invention according to this disclosure is not limited to the above embodiments and modifications. That is, the scope of the invention according to this disclosure is indicated by the claims, and it is intended that the meaning equivalent to the claims and all changes within the range are included. Furthermore, various applications and modifications can be made within the above range.

この開示に係る発明は、回路モジュールの回路基板であるセラミック多層基板の集合体である集合基板などに適用されるが、これに限られない。 The invention according to this disclosure is applied to an aggregate board, which is an aggregate of ceramic multilayer substrates, which is a circuit board of a circuit module, but is not limited thereto.

100 集合基板
1 セラミック多層基板
10 集合基板素体
10a 基板領域
10b 周辺領域
11 誘電体層
12 パターン導体
12a 第1のパターン導体
12b 第2のパターン導体
13 ビア導体
14 第1の電極群
15 第2の電極群
16 パターン導体
16a 第3のパターン導体
16b 第4のパターン導体
20 第1の樹脂膜
30 第2の樹脂膜
S1 第1の主面
S2 第2の主面
S3 側面
100 Collective substrate 1 Ceramic multilayer substrate 10 Collective substrate element 10a Substrate region 10b Peripheral region 11 Dielectric layer 12 Patterned conductor 12a First patterned conductor 12b Second patterned conductor 13 Via conductor 14 First electrode group 15 Second Electrode group 16 Pattern conductor 16a Third pattern conductor 16b Fourth pattern conductor 20 First resin film 30 Second resin film S1 First main surface S2 Second main surface S3 Side surface

Claims (7)

第1の主面と、第2の主面と、前記第1の主面と前記第2の主面とを接続する側面とを有する集合基板素体と、第1の樹脂膜とを備え、
前記集合基板素体は、分割されることにより、個々のセラミック多層基板となる部分を含む基板領域と、前記基板領域を囲むように前記基板領域と一体に成形された周辺領域とを含み、
前記第1の樹脂膜は、前記第1の主面における前記周辺領域の少なくとも一部に、前記基板領域を囲むように設けられており、
前記第1の樹脂膜は、前記第1の主面において前記第1の樹脂膜の液状前駆体が硬化した膜であり、
前記第1の樹脂膜は、間隔をおいて形成されたそれぞれ枠状の第1の部分および第2の部分を含み、前記第2の部分は前記第1の部分の外周側に配置されている、集合基板。
comprising a collective substrate element body having a first main surface, a second main surface, and a side surface connecting the first main surface and the second main surface, and a first resin film,
The collective substrate element includes a substrate region including portions that become individual ceramic multilayer substrates by being divided, and a peripheral region integrally formed with the substrate region so as to surround the substrate region,
The first resin film is provided on at least a portion of the peripheral area on the first main surface so as to surround the substrate area,
The first resin film is a film obtained by hardening a liquid precursor of the first resin film on the first main surface,
The first resin film includes a frame-shaped first part and a second part formed at intervals, and the second part is arranged on the outer peripheral side of the first part. , collective substrate.
前記第2の主面における前記周辺領域の少なくとも一部に、前記基板領域を囲むように第2の樹脂膜が設けられ、
前記第2の樹脂膜は、間隔をおいて形成されたそれぞれ枠状の第1の部分および第2の部分を含み、前記第2の部分は前記第1の部分の外周側に配置されていることを特徴とする、請求項1に記載の集合基板。
A second resin film is provided in at least a portion of the peripheral region on the second main surface so as to surround the substrate region,
The second resin film includes a frame-shaped first part and a second part formed at intervals, and the second part is arranged on the outer peripheral side of the first part. The aggregate substrate according to claim 1, characterized in that:
前記側面を覆うように第3の樹脂膜が設けられていることを特徴とする、請求項2に記載の集合基板。 3. The collective substrate according to claim 2 , wherein a third resin film is provided to cover the side surface. 前記第1の樹脂膜と前記第2の樹脂膜とが、前記第3の樹脂膜を介して接続されていることを特徴とする、請求項に記載の集合基板。 4. The collective substrate according to claim 3 , wherein the first resin film and the second resin film are connected via the third resin film. 前記第3の樹脂膜は、前記第1の樹脂膜および前記第2の樹脂膜と同じ材料からなることを特徴とする、請求項に記載の集合基板。 5. The collective substrate according to claim 4 , wherein the third resin film is made of the same material as the first resin film and the second resin film. 前記側面を覆うように第3の樹脂膜が設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の集合基板。 2. The collective substrate according to claim 1, further comprising a third resin film provided to cover the side surface. 前記周辺領域の内部には、パターン導体が配置されていることを特徴とする、請求項1ないし請求項のいずれか1項に記載の集合基板。 The collective substrate according to any one of claims 1 to 6 , wherein a patterned conductor is arranged inside the peripheral area.
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