JP2020012671A - 電流センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】高周波の交流磁界が外乱として印加された場合であっても、外乱の影響を受けにくい電流センサを提供する。【解決手段】検出対象の電流が流れる板状のバスバ2と、バスバ2をバスバ2の厚さ方向に挟み込むように配置されている磁性材料からなる一対のシールド板3と、バスバ2と一方のシールド板3との間に配置され、バスバ2を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子4と、一対のシールド板3の間に配置された磁性材料からなるコア6と、一部がコア6に巻き回され、かつ、他の一部がシールド板3に巻き回されている巻線7と、を備えた。【選択図】図1
Description
本発明は、電流センサに関する。
従来、電流センサとして、検出対象となる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子を備えたものが知られている(例えば、特許文献1参照)。磁気検出素子により磁界の強度を検出することで、その磁界の強度を基に、電流を演算により求めることが可能である。
磁気検出素子を用いた電流センサでは、外乱となる外部の磁界の影響をなるべく小さくすることが望まれる。磁気検出素子をシールドで覆うことも考えられるが、この場合であっても、高周波の交流磁界が外乱として印加された場合には、外乱の影響を十分に抑えることができない場合があった。
そこで、本発明は、高周波の交流磁界が外乱として印加された場合であっても、外乱の影響を受けにくい電流センサを提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決することを目的として、検出対象の電流が流れる板状のバスバと、前記バスバを前記バスバの厚さ方向に挟み込むように配置されている磁性材料からなる一対のシールド板と、前記バスバと一方の前記シールド板との間に配置され、前記バスバを流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子と、前記一対のシールド板の間に配置された磁性材料からなるコアと、一部が前記コアに巻き回され、かつ、他の一部が前記シールド板に巻き回されている巻線と、を備えた、電流センサを提供する。
本発明によれば、高周波の交流磁界が外乱として印加された場合であっても、外乱の影響を受けにくい電流センサを提供できる。
[実施の形態]
以下、本発明の実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
以下、本発明の実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
図1は、本実施の形態に係る電流センサを示す図であり、(a)は斜視図、(b)はそのA−A線断面図である。
図1(a),(b)に示すように、電流センサ1は、検出対象の電流が流れる板状のバスバ2と、バスバ2をバスバ2の厚さ方向に挟み込むように配置されている磁性材料からなる一対のシールド板3と、バスバ2と一方のシールド板3との間に配置され、バスバ2を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子4と、を備えている。
バスバ2は、銅やアルミニウム等の電気良導体からなる板状の導体であり、電流を流す電流路となるものである。バスバ2は、例えば電気自動車やハイブリッド車におけるモータとインバータ間の電源ラインとして用いられるものである。バスバ2の厚さは、例えば3mmである。本実施の形態では、バスバ2の長さ方向に沿って電流が流れる。
磁気検出素子4は、検出軸Dに沿った方向の磁界の強度(磁束密度)を検出するものであり、検出した磁界の強度(磁束密度)に応じた電圧の出力信号を出力する。磁気検出素子4としては、例えば、ホール素子やGMR(Giant Magneto Resistive effect)素子、AMR(Anisotropic Magneto Resistive)素子、TMR(Tunneling Magneto Resistive)素子等を用いることができる。磁気検出素子4は、バスバ2の厚さ方向において、バスバ2と対向するように配置されている。磁気検出素子4は、その検出軸Dが、バスバ2の幅方向(長さ方向及び厚さ方向に垂直な方向)と一致するように配置されている。
シールド板3は、外部からの磁界(外乱)を遮蔽するためのものである。シールド板3は、バスバ2及び磁気検出素子4を、バスバ2の厚さ方向において挟み込むように配置されている。また、シールド板3は、その表面がバスバ2の表面に対して平行となるように(シールド板3の厚さ方向とバスバ2の厚さ方向とが一致するように)配置されており、バスバ2と離間して配置されている。シールド板3としては、導電性あるいは非導電性の強磁性体を用いることができる。ここでは、厚さ1.0mmのケイ素鋼板からなるシールド板3を用いた。以下、磁気検出素子4側のシールド板3を第1シールド板3aとし、バスバ2側のシールド板3を第2シールド板3bとする。
以下、図1(a)における上下方向を厚さ方向、左奥から右手前方向を長さ方向、左手前から右奥方向を幅方向と呼称する。シールド板3は、幅方向に対向する2つの辺と、長さ方向に対向する2つの辺とを有する矩形の板状に形成されている。
磁気検出素子4は、厚さ方向において、両シールド板3a,3bの中間の位置に配置されている。これは、磁気検出素子4を両シールド板3a,3bの中間の位置(あるいは中間に近い位置)に配置することで、電流と磁気検出素子4で検出される磁束密度との関係におけるヒステリシスを低減し、電流の検出精度を向上できるためである。磁気検出素子4は、基板5に搭載されている。基板5は、磁気検出素子4を搭載した側の面をバスバ2側として、バスバ2と第1シールド板3aとの間に配置されている。
図示していないが、両シールド板3a,3bの間にはモールド樹脂が充填され、両シールド板3a,3bと磁気検出素子4とバスバ2とが、モールド樹脂により一体に構成される。モールド樹脂は、磁気検出素子4、バスバ2、および両シールド板3の位置関係を一定に保ち振動等による検出誤差を抑制する役割と、シールド板3a,3b間に異物が侵入することによる検出誤差を抑制する役割とを兼ねている。
(高周波の外乱を抑えるための構成)
図2(a),(b)は、シールド板3(第2シールド板3b)とコアと巻線とを示す斜視図である。図1及び図2に示すように、電流センサ1は、一対のシールド板3の間に配置された磁性材料からなるコア6と、一部がコア6に巻き回され、かつ、他の一部がシールド板3に巻き回されている巻線7と、をさらに備えている。
図2(a),(b)は、シールド板3(第2シールド板3b)とコアと巻線とを示す斜視図である。図1及び図2に示すように、電流センサ1は、一対のシールド板3の間に配置された磁性材料からなるコア6と、一部がコア6に巻き回され、かつ、他の一部がシールド板3に巻き回されている巻線7と、をさらに備えている。
コア6は、強磁性体からなる板状の部材であり、ここでは、厚さ0.5mmのケイ素鋼板からなるものを用いた。コア6は、シールド板3と同様に、幅方向に対向する2つの辺と、長さ方向に対向する2つの辺とを有する矩形の板状に形成されている。コア6は、その長さ及び幅が、シールド板3の長さ及び幅よりも小さく形成されており、その全体が、一対のシールド板3で挟み込まれるように配置されている。つまり、厚さ方向から見た平面視において、コア6は、その全体がシールド板3に覆われている。これにより、外部からの磁界がコア6に入力されにくくなる。
なお、コア6としては、例えば円柱状など柱状のものを用いることもできる。ただし、シールド板3の間隔は例えば10mm程度と狭く、コア6の配置スペースは限られているため、本実施の形態では板状のコア6を用いている。
本実施の形態では、磁気検出素子4と一方のシールド板3(第1シールド板3a)との間、及び磁気検出素子4と他方のシールド板3(第2シールド板3b)との間の両方に、コア6が配置されている。一対のコア6は、磁気検出素子4とバスバ2とを厚さ方向に挟み込むように配置されている。また、コア6は、シールド板3と離間して配置されており、シールド板3に対して非接触に設けられている。一対のシールド板3は、これら一対のコア6、磁気検出素子4、及びバスバ2を厚さ方向に一括して挟み込むように配置されている。以下、第1シールド板3a側のコア6を第1コア6aと呼称し、第2シールド板3b側のコア6を第2コア6bと呼称する。第1コア6aは、基板5と、第1シールド板3aとの間に配置されている。第2コア6bは、第2シールド板3bと、バスバ2との間に配置されている。
巻線7は、線状の導体に絶縁体を被覆したものであり、例えばエナメル線等のマグネットワイヤからなる。本実施の形態では、巻線7として、導体の断面形状が略矩形状の平角線を用いたが、これに限らず、導体の断面形状が略円形状のものを用いてもよい。
本実施の形態では、巻線7は、一部が第2コア6bに巻き回され、かつ、他の一部が第2シールド板3bに巻き回されている。また、第1コア6bと第1シールド板3aには、巻線7が巻き回されていない。これは、シミュレーションの結果、一方のコア6とシールド板3(第2コア6bと第2シールド板3b)に巻線7を巻付けるのみで十分な外乱の抑制効果が得られたためである(シミュレーション結果については後述する)。以下、巻線7の第2コア6bに巻き回された部分をコア巻付け部7aと呼称し、第2シールド板3bに巻き回された部分をシールド板巻付け部7bと呼称する。
本実施の形態では、第2コア6b及び第2シールド板3bのみに巻線7を巻き回したが、第1コア6a及び第1シールド板3aのみに巻線7が巻き回されていてもよい。また、一方のコア6とシールド板3のみでは十分な外乱の抑制効果が得られない場合には、第1コア6a及び第1シールド板3aと、第2コア6b及び第2シールド板3bの両方にそれぞれ巻線7が巻き回されていてもよい。
なお、巻線7を設けていない方のコア6を省略することも可能であるが、この場合、磁気検出素子4を中心とした厚さ方向の対称性が崩れ、ヒステリシス(電流と磁気検出素子4で検出される磁束密度との関係におけるヒステリシス)が増大するおそれがある。一対のコア6を用いることで、磁気検出素子4を中心として対称に磁性体であるコア6を配置することが可能になり、ヒステリシスを低減することができる。
ここで、図2(b)及び図3を用いて、電流センサ1で外乱が抑制される原理について説明する。図3における左右方向に外乱の磁界が発生したとすると、外乱による磁束が磁性体である第2シールド板3b中を通り、巻線7のシールド板巻付け部7b中を通る(白抜き矢印)。ここで、外乱として交流磁界が印加された場合には、シールド板巻付け部7b中の磁界が時間的に変化することになり、巻線7のシールド板巻付け部7bに誘導電流が生じる(実線矢印)。
シールド板巻付け部7bで生じた誘導電流は、コア巻付け部7aを流れ、このコア巻付け部7aを流れる誘導電流により、第2コア6bに誘導磁界が発生する(黒塗りつぶし矢印)。ここでは、第2コア6bに生じる誘導磁界は、外乱の磁界と同じ向きとなっている。この第2コア6bに発生した誘導磁界が回り込むことによって、磁気検出素子4の位置にて、外乱の磁界と反対方向の磁界が発生し(破線矢印)、外乱の影響が抑えられる。このように、コア6と巻線7を追加することにより、外乱の交流磁界に反応して、外乱を打ち消す方向の磁界を発生するパッシブな外乱抑制機構が実現される。
磁気検出素子4では、検出軸Dに沿った方向の磁界しか検出しないため、この検出軸Dに沿った方向の外乱磁界を打ち消すことができるように、第2コア6bの配置(磁気検出素子4からの距離)と向き(コア巻付け部7aの軸方向)を適宜設定すればよい。より具体的には、第2コア6bは、コア巻付け部7aを流れる電流により生じる誘導磁界が、磁気検出素子4の検出軸Dに沿った成分を有するように配置されているとよい。
なお、コア巻付け部7aを流れる電流により第2コア6bに生じる誘導磁界が、磁気検出素子4の検出軸Dに沿った成分を有していない場合には、例えば誘導磁界による磁束をヨーク等の磁路形成部材で導くことにより、磁気検出素子4の位置で検出軸Dに沿った方向の磁界を発生させることも可能である。ただし、この場合ヨーク等の磁路形成部材が必要となり部品点数が増加してしまうため、特に理由がない場合には、誘導磁界が検出軸Dに沿った成分を有するように、第2コア6bを配置することが望ましい。
また、コア巻付け部7aの巻き数は、シールド板巻付け部7bの巻き数よりも多いとよい。これにより、第2シールド板3bを通る外乱の磁界を増幅して、第2コア6b側で大きな誘導磁界を得ることができ、外乱の抑制効果が向上する。また、バスバ2を流れる電流の影響等で第2コア6bに生じた磁界が、第2シールド板3b側に伝わりにくくなる。コア巻付け部7aの具体的な巻き数、及びシールド板巻付け部7bの具体的な巻き数は、使用状況等を考慮し、想定される外乱の磁界の大きさ等に応じて、適宜設定すればよい。
(シミュレーション)
コア6と巻線7を有さない従来例、コア6のみ有する比較例、及び図1〜3で説明した本発明の実施例について、シミュレーションを行い、磁場(外乱による磁界)のベクトル図と、磁気検出素子4での外乱による磁束検知量を求めた。磁束検知量については、外乱磁界の位相によって値が変化するために、外乱磁界の位相毎にシミュレーションを行った。ここでは、バスバ2を流れる電流により磁気検出素子4で検出される磁束密度に対する、外乱により磁気検出素子4で検出される磁束密度の割合を、磁束検知量とした。従来例のシミュレーション結果を図4に、比較例のシミュレーション結果を図5に、実施例のシミュレーション結果を図6にそれぞれ示す。
コア6と巻線7を有さない従来例、コア6のみ有する比較例、及び図1〜3で説明した本発明の実施例について、シミュレーションを行い、磁場(外乱による磁界)のベクトル図と、磁気検出素子4での外乱による磁束検知量を求めた。磁束検知量については、外乱磁界の位相によって値が変化するために、外乱磁界の位相毎にシミュレーションを行った。ここでは、バスバ2を流れる電流により磁気検出素子4で検出される磁束密度に対する、外乱により磁気検出素子4で検出される磁束密度の割合を、磁束検知量とした。従来例のシミュレーション結果を図4に、比較例のシミュレーション結果を図5に、実施例のシミュレーション結果を図6にそれぞれ示す。
図4(a)に従来例(コア6も巻線7もない)の場合の10kHzにおける磁束密度ベクトル図を示す。図4(b)に示すように、従来例では、特に外乱の磁界の周波数が1kHz以上となると、外乱の磁束検知量が大きくなり、磁気検出素子4での検出精度の低下につながってしまう。なお、図4(a)では参考のためコア6と巻線7を示しているが、シミュレーションではコア6と巻線7の部分を空気と設定した。
図5(a)に示すように、比較例では、コア6を設けることにより、磁気検出素子4の位置で外乱が抑制されている。そのため、図5(b)に示すように、比較例では、外乱の磁界の周波数が1kHz以上の領域において、従来例と比較して、若干外乱の磁束検知量が抑えられている。なお、図5(a)では参考のため巻線7を示しているが、シミュレーションでは巻線7の部分を空気と設定した。
これに対して、図6(a)に示すように、本発明による実施例では、コア6に誘導磁界が発生することによって、磁気検出素子4の位置で外乱が大幅に抑制されている。その結果、図6(b)に示すように、特に外乱の磁界の周波数が1kHz以上の領域において、従来例や比較例と比べて外乱の磁束検知量が小さくなっている。
図4(b),図5(b),及び図6(b)において、各周波数での磁束検知量の最大値(全ての位相のうち最も磁束検知量が大きくなる値)をまとめたグラフを図7に示す。図7に示すように、本発明による実施例では、従来例や比較例と比べて、外乱の磁束検知量が大幅に抑えられている。例えば、外乱の磁界の周波数が10kHzである場合、本発明による実施例によれば、従来例と比べて、外乱の磁束検知量を70%以上低減することができる。このように、電流センサ1によれば、例えば1kHz以上の高周波の交流磁界が外乱として印加された場合であっても、外乱の影響を抑制でき、高精度な電流検出を行うことが可能になる。
(実施の形態の作用及び効果)
以上説明したように、本実施の形態に係る電流センサ1では、一対のシールド板3の間に配置された磁性材料からなるコア6と、一部がコア6に巻き回され、かつ、他の一部がシールド板3に巻き回されている巻線7と、を備えている。このように構成することで、高周波の交流磁界が外乱として印加された場合であっても、コア6に生じる誘導磁界によって、磁気検出素子4の位置での外乱磁界を打ち消して、外乱の影響を受けにくい電流センサ1を実現できる。
以上説明したように、本実施の形態に係る電流センサ1では、一対のシールド板3の間に配置された磁性材料からなるコア6と、一部がコア6に巻き回され、かつ、他の一部がシールド板3に巻き回されている巻線7と、を備えている。このように構成することで、高周波の交流磁界が外乱として印加された場合であっても、コア6に生じる誘導磁界によって、磁気検出素子4の位置での外乱磁界を打ち消して、外乱の影響を受けにくい電流センサ1を実現できる。
(変形例)
図8は、3相交流の各相(U相、V相、及びW相)の電流を測定可能とした電流センサ1aを示す。この電流センサ1aでは、3相交流の各相の電流を流す3本のバスバ2a〜2cを有している。各バスバ2a〜2cは、幅方向に並んで配置されており、これら3本のバスバ2a〜2cを厚さ方向において一括して挟み込むように、一対のシールド板3a,3bが設けられている。また、各バスバ2a〜2cと厚さ方向に対向するように、磁気検出素子4a〜4cがそれぞれ設けられている。各磁気検出素子4a〜4cは、共通の基板5に搭載されている。
図8は、3相交流の各相(U相、V相、及びW相)の電流を測定可能とした電流センサ1aを示す。この電流センサ1aでは、3相交流の各相の電流を流す3本のバスバ2a〜2cを有している。各バスバ2a〜2cは、幅方向に並んで配置されており、これら3本のバスバ2a〜2cを厚さ方向において一括して挟み込むように、一対のシールド板3a,3bが設けられている。また、各バスバ2a〜2cと厚さ方向に対向するように、磁気検出素子4a〜4cがそれぞれ設けられている。各磁気検出素子4a〜4cは、共通の基板5に搭載されている。
電流センサ1aのように、複数のバスバ2を有する場合には、コア6及び巻線7は、各バスバ2に対応するように、個別に設けられることが望ましい。これは、コア6で生じた誘導磁界はコア6の端部からより多く空間内に放射されるため、各相のコア6を連結して一体とした場合に、端部から離れた位置(例えば中央に配置される磁気検出素子の位置)で外乱が十分に打ち消されない場合が考えられるためである。また、各バスバ2に個別にコア6と巻線7を設けることで、他のバスバ2からの影響でコア6に誘導される誘導磁界が変化し、電流の検出精度が低下してしまうことも抑制可能になり、他相からの干渉を抑制することも可能になる。
(実施の形態のまとめ)
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
[1]検出対象の電流が流れる板状のバスバ(2)と、前記バスバ(2)を前記バスバ(2)の厚さ方向に挟み込むように配置されている磁性材料からなる一対のシールド板(3)と、前記バスバ(2)と一方の前記シールド板(3)との間に配置され、前記バスバ(2)を流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子(4)と、前記一対のシールド板(3)の間に配置された磁性材料からなるコア(6)と、一部が前記コア(6)に巻き回され、かつ、他の一部が前記シールド板(3)に巻き回されている巻線(7)と、を備えた、電流センサ(1)。
[2]前記コア(6)は、板状に形成されており、前記磁気検出素子と一方の前記シールド板(3)との間、及び前記磁気検出素子(4)と他方の前記シールド板(4)との間の両方に前記コア(6)がそれぞれ配置されており、前記2つのコア(6)の少なくとも一方に、前記巻線(7)が設けられている、[1]に記載の電流センサ。
[3]前記巻線(7)の前記コア(6)への巻き数は、前記シールド板(3)への巻き数よりも多い、[1]または[2]に記載の電流センサ(1)。
[4]前記コア(6)は、その全体が、前記一対のシールド板(3)で挟み込まれるように配置されている、[1]乃至[3]の何れか1項に記載の電流センサ(1)。
[5]前記コア(6)は、前記巻線(7)を流れる電流により生じる磁界の向きが、前記磁気検出素子(4)の検出軸(D)に沿った成分を有するように配置されている、[1]乃至[4]の何れか1項に記載の電流センサ。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
また、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、厚さ方向において磁気検出素子4と重なる位置にコア6(巻線7を巻き付けるコア6)を配置したが、コア6を設ける位置はこれに限定されない。例えば、幅方向において磁気検出素子4と隣あうようにコア6(巻線7を巻き付けるコア6)を配置することも可能である。
1…電流センサ
2…バスバ
3…シールド板
4…磁気検出素子
6…コア
7…巻線
D…検出軸
2…バスバ
3…シールド板
4…磁気検出素子
6…コア
7…巻線
D…検出軸
Claims (5)
- 検出対象の電流が流れる板状のバスバと、
前記バスバを前記バスバの厚さ方向に挟み込むように配置されている磁性材料からなる一対のシールド板と、
前記バスバと一方の前記シールド板との間に配置され、前記バスバを流れる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子と、
前記一対のシールド板の間に配置された磁性材料からなるコアと、
一部が前記コアに巻き回され、かつ、他の一部が前記シールド板に巻き回されている巻線と、
を備えた、
電流センサ。 - 前記コアは、板状に形成されており、
前記磁気検出素子と一方の前記シールド板との間、及び前記磁気検出素子と他方の前記シールド板との間の両方に前記コアがそれぞれ配置されており、
前記2つのコアの少なくとも一方に、前記巻線が設けられている、
請求項1に記載の電流センサ。 - 前記巻線の前記コアへの巻き数は、前記シールド板への巻き数よりも多い、
請求項1または2に記載の電流センサ。 - 前記コアは、その全体が、前記一対のシールド板で挟み込まれるように配置されている、
請求項1乃至3の何れか1項に記載の電流センサ。 - 前記コアは、前記巻線を流れる電流により生じる磁界の向きが、前記磁気検出素子の検出軸に沿った成分を有するように配置されている、
請求項1乃至4の何れか1項に記載の電流センサ。
Priority Applications (2)
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JP2018133599A JP2020012671A (ja) | 2018-07-13 | 2018-07-13 | 電流センサ |
US16/457,099 US20200018804A1 (en) | 2018-07-13 | 2019-06-28 | Electric current sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018133599A JP2020012671A (ja) | 2018-07-13 | 2018-07-13 | 電流センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=69140280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (2)
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JP (1) | JP2020012671A (ja) |
Families Citing this family (1)
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2018
- 2018-07-13 JP JP2018133599A patent/JP2020012671A/ja active Pending
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2019
- 2019-06-28 US US16/457,099 patent/US20200018804A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US20200018804A1 (en) | 2020-01-16 |
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