JP2020003367A - 漏電検知回路及び漏電検知方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】車両に搭載される直流電源と車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値が低下しているか否かの漏電検知の精度を向上させる。【解決手段】カップリングコンデンサCcとスイッチSWとからなる絶縁回路2と、発振信号を出力する発振回路3と、絶縁回路2と発振回路3との間に接続される検出抵抗Rdと、スイッチSWを導通させているときに検出抵抗Rdにかかる電圧Vdの波高値V1が閾値Vth以下であると、スイッチSWを遮断させ、スイッチSWを遮断させた後に検出抵抗Rdにかかる電圧Vdの波高値V2が閾値Vthより高いと、絶縁抵抗Riの抵抗値が低下していることを検知し、波高値V2が閾値Vth以下であると、絶縁抵抗Riの抵抗値が低下していることを検知しない検知部5とを備えて漏電検知回路1を構成する。【選択図】図1
Description
本発明は、車両に搭載される直流電源と車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値の低下を検知する技術に関する。
漏電検知回路として、直流電源のグランドラインにカップリングコンデンサを介して検出抵抗を接続するとともに、グランドラインとボディアースとの間に発振信号を出力し、検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下であるとき、絶縁抵抗の抵抗値が低下していること、すなわち、漏電が発生していることを検知するものがある。
ところで、発振回路から発振信号が出力されていない状態や温度変化により検出抵抗の抵抗値が通常時の値と大きく異なっている状態など、漏電検知回路の故障が発生している場合、絶縁抵抗の抵抗値が低下していないにもかかわらず、漏電検知回路の故障の影響により検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下になるおそれがある。
そのため、上記漏電検知回路では、検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下であるとき、絶縁抵抗の抵抗値の低下により検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下であるのか、漏電検知回路の故障により検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下であるのかを判別することができず、漏電検知の精度が低いという懸念がある。
そこで、他の漏電検知回路として、漏電時の絶縁抵抗の抵抗値に相当する抵抗値の抵抗と、その抵抗に直列接続されるスイッチとからなる自己診断回路を、カップリングコンデンサと検出抵抗との接続点と、ボディアースとの間に接続し、スイッチを導通させて擬似的に漏電を発生させているとき、検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下であると、自身に故障が発生していないと判断するものがある。
関連する技術として、特許文献1〜3がある。
しかしながら、上記他の漏電検知回路においても、自身に故障が発生していないと判断した後において、検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下になると、上記漏電検知回路と同様に、絶縁抵抗の抵抗値低下により検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下であるのか、漏電検知回路の故障により検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下であるのかを判別することができず、漏電検知の精度が低いという懸念がある。
そこで、本発明の一側面に係る目的は、車両に搭載される直流電源と車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値が低下しているか否かの漏電検知の精度を向上させることである。
本発明に係る一つの形態である漏電検知回路は、車両に搭載される直流電源と車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知する漏電検知回路であって、互いに直列接続されるスイッチとカップリングコンデンサとからなり、直流電源のグランドラインに接続される絶縁回路と、グランドラインとボディアースとの間に発振信号を出力する発振回路と、絶縁回路と発振回路との間に接続される検出抵抗と、検出抵抗にかかる電圧が入力される検知部とを備える。検知部は、スイッチを導通させているときに検出抵抗にかかる電圧の第1の波高値が閾値以下であると、スイッチを遮断させ、スイッチを遮断させた後に検出抵抗にかかる電圧の第2の波高値が閾値より高いと、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知し、第2の波高値が閾値以下であると、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知しない。
スイッチが導通しているときに取得される第1の波高値が閾値以下であり、次に、スイッチが遮断しているときに取得される第2の波高値が閾値より高い場合、漏電検知回路が故障していない可能性が高いため、第1の波高値が閾値以下になる原因が、漏電検知回路の故障ではなく、絶縁抵抗の抵抗値低下である可能性が高くなる。
また、スイッチが導通しているときに取得される第1の波高値が閾値以下であり、次に、スイッチが遮断しているときに取得される第2の波高値も閾値以下である場合、漏電検知回路が故障している可能性が高いため、第1の波高値が閾値以下になる原因が、絶縁抵抗の抵抗値低下ではなく、漏電検知回路の故障である可能性が高くなる。
そのため、上記検知部のように、第2の波高値が閾値より高い場合、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知し、第2の波高値が閾値以下である場合、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知しないことで、漏電検知回路の故障により第1の波高値が閾値以下になっている可能性が低いときに、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知することができるとともに、漏電検知回路の故障により第1の波高値が閾値以下になっている可能性が高いときに、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知しないようにすることができるため、絶縁抵抗の抵抗値が低下しているか否かの漏電検知の精度を向上させることができる。
また、検知部は、第2の波高値が閾値以下であると、漏電検知回路が故障していることを検知するように構成してもよい。
これにより、漏電検知回路は、自身が故障していることを検知することができる。
また、検知部は、第1の波高値と第2の波高値との差が所定値以上であると、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知し、第1の波高値と第2の波高値との差が所定値未満であると、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知しないように構成してもよい。
また、検知部は、第1の波高値と第2の波高値との差が所定値以上であると、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知し、第1の波高値と第2の波高値との差が所定値未満であると、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知しないように構成してもよい。
これにより、漏電検知回路の故障により第2の波高値が閾値より高くなる可能性が低いときに、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知することができるため、絶縁抵抗の抵抗値が低下しているか否かの漏電検知の精度をさらに向上させることができる。すなわち、漏電検知回路の故障による、絶縁抵抗の抵抗値の低下(漏電)の誤検知をさらに防ぐことができる。
本発明によれば、車両に搭載される直流電源と車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値が低下しているか否かの漏電検知の精度を向上させることができる。
以下図面に基づいて実施形態について詳細を説明する。
図1は、実施形態の漏電検知回路を示す図である。
図1は、実施形態の漏電検知回路を示す図である。
直流電源Pは、直列接続される複数の電池(例えば、リチウムイオン電池またはニッケル水素電池)により構成される高圧バッテリであって、ハイブリッド車や電気自動車などの車両に搭載され、走行用モータを駆動するインバータ回路などの負荷Loに電力を供給する。
漏電検知回路1は、直流電源Pと車両のボディアースBEとの間の絶縁抵抗Riの抵抗値の低下を検知する。
また、漏電検知回路1は、絶縁回路2と、発振回路3と、検出抵抗Rdと、記憶部4と、検知部5とを備える。
絶縁回路2は、互いに直列接続されるスイッチSWとカップリングコンデンサCcとからなり、直流電源PのグランドラインGLに接続される。図1に示す例では、スイッチSWの一方端が直流電源Pのマイナス端子に接続されるグランドラインGLに接続され、スイッチSWの他方端がカップリングコンデンサCcの一方端に接続され、カップリングコンデンサCcの他方端が検出抵抗Rdと検知部5の入力端子との接続点に接続されている。なお、カップリングコンデンサCcの一方端がグランドラインGLに接続され、カップリングコンデンサCcの他方端がスイッチSWの一方端に接続され、スイッチSWの他方端が検出抵抗Rdと検知部5の入力端子との接続点に接続されるように構成してもよい。
発振回路3は、グランドラインGLとボディアースBEとの間に発振信号を出力する。発振信号は、一例として、一定周波数の矩形波とする。
検出抵抗Rdは、絶縁回路2と発振回路3との間に接続される。
記憶部4は、例えば、RAM(Random Access Memory)またはROM(Read Only Memory)などにより構成され、後述する閾値Vthや所定値ΔVthを記憶する。
記憶部4は、例えば、RAM(Random Access Memory)またはROM(Read Only Memory)などにより構成され、後述する閾値Vthや所定値ΔVthを記憶する。
検知部5は、例えば、CPU(Central Processing Unit)、マルチコアCPU、またはプログラマブルなデバイス(FPGA(Field Programmable Gate Array)やPLD(Programmable Logic Device))などにより構成される。
また、検知部5は、絶縁回路2と検出抵抗Rdとの接続点に接続され、検出抵抗Rdにかかる電圧Vdが入力される。なお、検出抵抗Rdと検知部5との間において、電圧Vdに含まれるノイズを除去するフィルタ回路や電圧Vdを増幅する増幅回路などを接続してもよい。
図2(a)及び図2(b)は、検出抵抗Rdにかかる電圧Vdの一例を示す図である。なお、図2(a)及び図2(b)に示す直交座標の横軸は時間を示し、縦軸は電圧Vdを示している。
図2(a)に示す電圧Vdは、スイッチSWが導通している場合で、かつ、漏電検知回路1が故障していない場合における電圧Vdを示しており、横軸の右側ほど時間が経過していることを示している。
スイッチSWが導通している場合で、かつ、漏電検知回路1が故障していない場合、絶縁抵抗Riの抵抗値の低下に伴い、電圧Vdの波高値も低下するものとする。すなわち、図2(a)は、時間の経過に伴い(横軸において左から右に進むのに伴い)絶縁抵抗Riの抵抗値が低下する場合を示している。
なお、漏電検知回路1が故障しているときの漏電検知回路1の状態として、発振回路3から発振信号が出力されていない状態、温度変化により検出抵抗Rdの抵抗値が通常時の値と大きく異なる状態、検出抵抗Rdにかかる電圧Vdを増幅する増幅回路の増幅率が通常時の値と大きく異なる状態、スイッチSWが閉固着している状態などがある。
図2(b)に示す電圧Vdは、スイッチSWが遮断している場合における電圧Vdを示しており、横軸の右側ほど時間が経過していることを示している。また、図2(b)の左側の波形は、図2(a)の左側の波形と同じ時間を示し、図2(b)の中央の波形は、図2(a)の中央の波形と同じ時間を示し、図2(b)の右側の波形は、図2(a)の右側の波形と同じ時間を示している。
スイッチSWが遮断している場合、電圧Vdの波高値は、閾値Vthより高いものとする。すなわち、図2は、漏電検知回路1が故障していない場合であれば、絶縁抵抗Riの抵抗値の低下に伴い電圧Vdの波高値も低下するときであっても、スイッチSWを遮断すると電圧Vdの波高値は閾値Vthより高くなることを示している。スイッチSWを遮断すると検出抵抗Rdと絶縁抵抗Riとが切り離されるため、検知部5から見て、絶縁抵抗Riの抵抗値が高いときと同じ状態になるからである。
なお、スイッチSWが導通している場合で、かつ、漏電検知回路1が故障していない場合において、直流電源PとボディアースBEとの間に漏電電流が流れていないとき、電圧Vdの波高値が閾値Vthより高くなり、スイッチSWが導通している場合で、かつ、漏電検知回路1が故障していない場合において、直流電源PとボディアースBEとの間に漏電電流が流れているとき、電圧Vdの波高値が閾値Vth以下になり、スイッチSWが遮断している場合において、電圧Vdの波高値が閾値Vthより高くなるように、閾値Vth、カップリングコンデンサCcの容量値、検出抵抗Rdの抵抗値、並びに、発振回路3から出力される発振信号の振幅値及び周波数などが設計されているものとする。
図3は、検知部5の動作の一例を示すフローチャートである。なお、検知部5は、スイッチSWを導通させているとともに、発振回路3から発振信号を出力させているものとする。
まず、検知部5は、スイッチSWを導通させているときに検出抵抗Rdにかかる電圧Vdの波高値を、波高値V1(第1の波高値)として取得する(ステップS1)。
次に、検知部5は、波高値V1が閾値Vth以下であるか否かを判断する(ステップS2)。
検知部5は、波高値V1が閾値Vthより大きいと(ステップS2:No)、漏電や漏電検知回路1の故障が発生していないと判断して漏電検知処理を終了し、次の漏電検知処理まで待機する。
一方、検知部5は、波高値V1が閾値Vth以下であると(ステップS2:Yes)、スイッチSWを遮断させ(ステップS3)、スイッチSWを遮断させた後に検出抵抗Rdにかかる電圧Vdの波高値を、波高値V2(第2の波高値)として取得する(ステップS4)。
次に、検知部5は、波高値V2が閾値Vthより高いか否かを判断する(ステップS5)。
検知部5は、波高値V2が閾値Vthより高いと(ステップS5:Yes)、絶縁抵抗Riの抵抗値が低下していること、すなわち、漏電が発生していることを検知し(ステップS6)、スイッチSWを導通させ(ステップS7)、漏電検知処理を終了し、次の漏電検知処理まで待機する。
ここで、図4(a)は、波高値V1、V2の一例を示す図である。なお、図4(a)に示す直交座標の横軸は時間を示し、縦軸は電圧Vdを示している。
図4(a)に示す例では、スイッチSWが導通しているときに取得される波高値V1が閾値Vth以下になり、次に、スイッチSWが遮断しているときに取得される波高値V2が閾値Vthより高くなり、次に、スイッチSWが再び導通したときの電圧Vdの波高値が閾値Vth以下になっている。
このように、スイッチSWが導通しているときに取得される波高値V1が閾値Vth以下であり、次に、スイッチSWが遮断しているときに取得される波高値V2が閾値Vthより高い場合、漏電検知回路1が故障していない可能性が高いため、波高値V1が閾値Vth以下になる原因が、漏電検知回路1の故障ではなく、絶縁抵抗Riの抵抗値低下である可能性が高くなる。
そこで、検知部5は、波高値V2が閾値Vthより高い場合、絶縁抵抗Riの抵抗値が低下していることを検知する。これにより、漏電検知回路1の故障により波高値V1が閾値Vth以下になっている可能性が低いときに、絶縁抵抗Riの抵抗値が低下していることを検知することができる。これは、図2で示したように、漏電検知回路1が故障していない場合であれば、絶縁抵抗Riの抵抗値の低下に伴い電圧Vdの波高値も低下するときであっても、スイッチSWを遮断すると電圧Vdの波高値は閾値Vthより高くなることを利用している。すなわち、スイッチSWを遮断したときに波高値V2が閾値Vthより高くなれば、漏電検知回路1が故障している可能性が低いと判断できるため、スイッチSWを導通したときの波高値V1が閾値Vth以下になる原因は、絶縁抵抗Riの抵抗値の低下(漏電)だと判断できる。
一方、検知部5は、波高値V2が閾値Vth以下であると(ステップS5:No)、絶縁抵抗Riの抵抗値が低下していることを検知せず、スイッチSWを導通させ(ステップS7)、漏電検知処理を終了し、次の漏電検知処理まで待機する。
ここで、図4(b)は、波高値V1、V2の他の例を示す図である。なお、図4(b)に示す直交座標の横軸は時間を示し、縦軸は電圧Vdを示している。
図4(b)に示す例では、スイッチSWが導通しているときに取得される波高値V1が閾値Vth以下になり、次に、スイッチSWが遮断しているときに取得される波高値V2も閾値Vth以下になり、次に、スイッチSWが再び導通したときの電圧Vdの波高値も閾値Vth以下になっている。
このように、スイッチSWが導通しているときに取得される波高値V1が閾値Vth以下であり、次に、スイッチSWが遮断しているときに取得される波高値V2も閾値Vth以下である場合、漏電検知回路1が故障している可能性が高いため、波高値V1が閾値Vth以下になる原因が、絶縁抵抗Riの抵抗値低下ではなく、漏電検知回路1の故障である可能性が高くなる。
そこで、検知部5は、波高値V2が閾値Vth以下である場合、絶縁抵抗Riの抵抗値が低下していることを検知しない。これにより、漏電検知回路1の故障により波高値V1が閾値Vth以下になっている可能性が高いときに、絶縁抵抗Riの抵抗値が低下していることを検知しないようにすることができる。
このように、実施形態の漏電検知回路1では、漏電検知回路1の故障により波高値V1が閾値Vth以下になっている可能性が低いときに、絶縁抵抗Riの抵抗値が低下していることを検知することができるとともに、漏電検知回路1の故障により波高値V1が閾値Vth以下になっている可能性が高いときに、絶縁抵抗Riの抵抗値が低下していることを検知しないようにすることができるため、絶縁抵抗Riの抵抗値が低下しているか否かの漏電検知の精度を向上させることができる。すなわち、漏電検知回路1の故障による、絶縁抵抗Riの抵抗値の低下(漏電)の誤検知を防ぐことができる。
また、本発明は、以上の実施の形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変更が可能である。
<変形例1>
図5は、変形例1における検知部5の動作の一例を示すフローチャートである。なお、図5に示すステップS1〜S7は、図2に示すステップS1〜S7と同様である。
図5は、変形例1における検知部5の動作の一例を示すフローチャートである。なお、図5に示すステップS1〜S7は、図2に示すステップS1〜S7と同様である。
図5に示すフローチャートにおいて、検知部5は、波高値V2が閾値Vth以下であると(ステップS5:No)、漏電検知回路1が故障していることを検知し(ステップS8)、スイッチSWを導通させ(ステップS7)、漏電検知処理を終了し、次の漏電検知処理まで待機する。
上述したように、スイッチSWが導通しているときに取得される波高値V1が閾値Vth以下であり、次に、スイッチSWが遮断しているときに取得される波高値V2も閾値Vth以下である場合、漏電検知回路1が故障している可能性が高いため、波高値V1が閾値Vth以下になる原因が、絶縁抵抗Riの抵抗値低下ではなく、漏電検知回路1の故障である可能性が高くなる。
そこで、検知部5は、波高値V2が閾値Vth以下である場合、漏電検知回路1が故障していることを検知する。これにより、漏電検知回路1は、自身が故障していることを検知することができる。
<変形例2>
図6は、変形例2における検知部5の動作の一例を示すフローチャートである。なお、図5に示すステップS1〜S7は、図2に示すステップS1〜S7と同様である。
図6は、変形例2における検知部5の動作の一例を示すフローチャートである。なお、図5に示すステップS1〜S7は、図2に示すステップS1〜S7と同様である。
図6に示すフローチャートにおいて、検知部5は、波高値V2が閾値Vthより高いと(ステップS5:Yes)、波高値V1と波高値V2との差ΔV(絶対値)を算出し(ステップS9)、差ΔVが所定値ΔVth以上であるか否かを判断する(ステップS10)。
検知部5は、差ΔVが所定値ΔVth以上であると(ステップS10:Yes)、絶縁抵抗Riの抵抗値が低下していること、すなわち、漏電が発生していることを検知し(ステップS6)、スイッチSWを導通させ(ステップS7)、漏電検知処理を終了し、次の漏電検知処理まで待機する。
一方、検知部5は、差ΔVが所定値ΔVth未満であると(ステップS10:No)、絶縁抵抗Riの抵抗値が低下していることを検知せず、スイッチSWを導通させ(ステップS7)、漏電検知処理を終了し、次の漏電検知処理まで待機する。
絶縁抵抗Riの抵抗値が低下すると同時に、漏電検知回路1の検出抵抗Rdの抵抗値が増加したり、発振回路3から出力される発振信号の振幅値(電圧)が低下する場合であっても波高値V1が閾値Vth以下になる場合がある。このとき、スイッチSWを遮断させると、波高値V2は閾値Vthより高い値になるが、波高値V1が閾値Vth以下になる原因が、絶縁抵抗Riの抵抗値が本当に低下したからなのか、漏電検知回路1の故障(検出抵抗Rdの抵抗値が増加や、発振回路3から出力される発振信号の電圧の低下)も影響したからなのか判別できない。そこで、所定値ΔVthを設定することで、波高値V1と波高値V2との差が所定値ΔVth以上である場合、波高値V2が閾値Vthより高くなった原因が、漏電検知回路1の故障ではない可能性が高くなる。言い換えると、絶縁抵抗Riの抵抗値の低下と、漏電検知回路1の故障とが混在して波高値V1が閾値Vth以下になる場合であっても、波高値V1と波高値V2との差が所定値ΔVth以上あるか否かを判断することで、波高値V2が閾値Vthより高いか否かを判断するだけの場合に比べて漏電検知回路1の故障の影響を小さくすることができる。
ここで、検知部5は、波高値V1と波高値V2との差ΔVが所定値ΔVth以上である場合、絶縁抵抗Riの抵抗値が低下していることを検知する。これにより、漏電検知回路1の故障により波高値V2が閾値Vthより高くなる可能性が低いときに、絶縁抵抗Riの抵抗値が低下していることを検知することができるため、絶縁抵抗Riの抵抗値が低下しているか否かの漏電検知の精度をさらに向上させることができる。すなわち、漏電検知回路1の故障による、絶縁抵抗Riの抵抗値の低下(漏電)の誤検知をさらに防ぐことができる。
なお、図6に示すフローチャートにおいて、検知部5は、波高値V2が閾値Vth以下であると(ステップS5:No)、漏電検知回路1が故障していることを検知してもよい。これにより、漏電検知回路1は、自身が故障していることを検知することができる。
また、図6に示すフローチャートにおいて、検知部5は、差ΔVが所定値ΔVth未満であると(ステップS10:No)、漏電検知回路1が故障していることを検知してもよい。これにより、漏電検知回路1は、自身が故障していることを検知することができる。
1 漏電検知回路
2 絶縁回路
3 発振回路
4 記憶部
5 検知部
P 直流電源
Lo 負荷
GL グランドライン
BE ボディアース
Ri 絶縁抵抗
Cc カップリングコンデンサ
Rd 検出抵抗
SW スイッチ
2 絶縁回路
3 発振回路
4 記憶部
5 検知部
P 直流電源
Lo 負荷
GL グランドライン
BE ボディアース
Ri 絶縁抵抗
Cc カップリングコンデンサ
Rd 検出抵抗
SW スイッチ
Claims (4)
- 車両に搭載される直流電源と車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知する漏電検知回路であって、
互いに直列接続されるスイッチとカップリングコンデンサとからなり、前記直流電源のグランドラインに接続される絶縁回路と、
前記グランドラインと前記ボディアースとの間に発振信号を出力する発振回路と、
前記絶縁回路と前記発振回路との間に接続される検出抵抗と、
前記検出抵抗にかかる電圧が入力される検知部と、
を備え、
前記検知部は、
前記スイッチを導通させているときに前記検出抵抗にかかる電圧の第1の波高値が閾値以下であると、前記スイッチを遮断させ、
前記スイッチを遮断させた後に前記検出抵抗にかかる電圧の第2の波高値が前記閾値より高いと、前記絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知し、
前記第2の波高値が前記閾値以下であると、前記絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知しない
ことを特徴とする漏電検知回路。 - 請求項1に記載の漏電検知回路であって、
前記検知部は、前記第2の波高値が前記閾値以下であると、前記漏電検知回路が故障していることを検知する
ことを特徴とする漏電検知回路。 - 請求項1または請求項2に記載の漏電検知回路であって、
前記検知部は、
前記第1の波高値と前記第2の波高値との差が所定値以上であると、前記絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知し、
前記差が前記所定値未満であると、前記絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知しない
ことを特徴とする漏電検知回路。 - 互いに直列接続されるスイッチとカップリングコンデンサとからなり、車両に搭載される直流電源のグランドラインに接続される絶縁回路と、前記グランドラインと前記車両のボディアースとの間に発振信号を出力する発振回路と、前記絶縁回路と前記発振回路との間に接続される検出抵抗と、前記検出抵抗にかかる電圧が入力される検知部とを備え、前記直流電源と前記ボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知する漏電検知回路の漏電検知方法であって、
前記検知部は、
前記スイッチを導通させているときに前記検出抵抗にかかる電圧の第1の波高値が閾値以下であると、前記スイッチを遮断させ、
前記スイッチを遮断させた後に前記検出抵抗にかかる電圧の第2の波高値が前記閾値より高いと、前記絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知し、
前記第2の波高値が前記閾値以下であると、前記絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知しない
ことを特徴とする漏電検知方法。
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