JP2019533315A - Apparatus and method for wet process on semiconductor substrate - Google Patents

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Abstract

本発明によれば、半導体基板の湿式工程用の装置および方法が提供される。前記装置は、プロセスチャンバと、前記プロセスチャンバに配置され、前記半導体基板を保持および位置決めするチャックと、前記チャックを回転駆動する回転駆動機構と、前記プロセスチャンバを囲むように配置されたチャンバシュラウドと、前記チャンバシュラウドを駆動して上下方向に移動させる少なくとも一つの垂直駆動機構と、遮蔽カバーと、前記遮蔽カバーを駆動して、前記遮蔽カバーを被せるように下降させたり上昇させたりする少なくとも一つの駆動装置と、液体を前記半導体基板表面に吹き付けるディスペンサを備えた少なくとも一つのディスペンサモジュールとを備えている。前記遮蔽カバーが前記プロセスチャンバの上方を覆う際に、前記チャンバシュラウドは上方に移動し前記遮蔽カバーと連結することによって前記プロセスチャンバを封止して、前記液体が前記プロセスチャンバから飛び散ることを防止する。【選択図】図１In accordance with the present invention, an apparatus and method for a wet process of a semiconductor substrate is provided. The apparatus includes a process chamber, a chuck disposed in the process chamber for holding and positioning the semiconductor substrate, a rotational drive mechanism for rotationally driving the chuck, and a chamber shroud disposed so as to surround the process chamber. , At least one vertical drive mechanism for driving the chamber shroud to move in the vertical direction, a shielding cover, and at least one for driving the shielding cover to lower and raise the shielding cover A driving device; and at least one dispenser module including a dispenser for spraying a liquid onto the surface of the semiconductor substrate. When the shielding cover covers the process chamber, the chamber shroud moves upward to connect the shielding cover to seal the process chamber and prevent the liquid from splashing from the process chamber. To do. [Selection] Figure 1

Description

本発明は、高圧ディスペンサモジュールを利用して高圧の液体を半導体基板上に噴射する、半導体基板上の湿式工程のための装置及び方法に関するものである。   The present invention relates to an apparatus and method for a wet process on a semiconductor substrate, in which a high-pressure liquid is jetted onto the semiconductor substrate using a high-pressure dispenser module.

半導体素子の製造工程中、洗浄、エッチング、フォトレジスト剥離、金属リフトオフなどの湿式工程用に、化学薬品や脱イオン水などの高圧の液体が半導体基板上に供給される。高圧の液体は、半導体基板に８０〜３０００ｐｓｉの圧力で噴射されると、派手に飛散したりミストを発生させたりすることがよくある。飛散した化学薬品または脱イオン水は、半導体基板が処理されるチャンバ近傍の部品に対して、腐食、汚染、機能の損傷の問題を引き起こす。飛散された化学薬品または脱イオン水は、続いて行われる湿式工程および半導体基板の製造工程の後工程である乾燥工程にも影響を及ぼす。   During a semiconductor device manufacturing process, a high-pressure liquid such as a chemical or deionized water is supplied onto a semiconductor substrate for wet processes such as cleaning, etching, photoresist stripping, and metal lift-off. High-pressure liquid often splashes or generates mist when sprayed onto a semiconductor substrate at a pressure of 80 to 3000 psi. Spattered chemicals or deionized water can cause corrosion, contamination, and functional damage problems for components near the chamber where the semiconductor substrate is processed. The scattered chemical or deionized water also affects the subsequent wet process and the drying process, which is a subsequent process of the semiconductor substrate manufacturing process.

従って、本発明の目的は、高圧の液体が半導体基板上に均一に噴射された際にプロセスチャンバから高圧の液体が飛び散ることを防止する装置及び方法を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an apparatus and method for preventing high pressure liquid from splashing from a process chamber when the high pressure liquid is uniformly sprayed onto a semiconductor substrate.

本発明の一実施形態は半導体基板の湿式工程用の装置であって、プロセスチャンバと、前記プロセスチャンバに配置され、前記半導体基板を保持および位置決めするチャックと、前記チャックを回転駆動する回転駆動機構と、前記プロセスチャンバを囲むように配置されたチャンバシュラウドと、前記チャンバシュラウドを駆動して上下方向に移動させる少なくとも一つの垂直駆動機構と、遮蔽カバーと、前記遮蔽カバーを駆動して、前記遮蔽カバーを被せるように下降させたり上昇させたりする少なくとも一つの駆動装置と、前記遮蔽カバーに取り付けられ、高圧の液体を前記半導体基板表面に吹き付ける高圧ディスペンサを備えた少なくとも一つの高圧ディスペンサモジュールと、を備える。前記遮蔽カバーで前記プロセスチャンバを覆う際に、前記チャンバシュラウドは移動して前記遮蔽カバーと結合し、前記プロセスチャンバを密封して前記高圧の液体が前記プロセスチャンバから飛び散ることを防止する。   One embodiment of the present invention is an apparatus for a wet process of a semiconductor substrate, which is a process chamber, a chuck that is disposed in the process chamber and holds and positions the semiconductor substrate, and a rotational drive mechanism that rotationally drives the chuck A chamber shroud arranged to surround the process chamber, at least one vertical drive mechanism for driving the chamber shroud to move in the vertical direction, a shielding cover, and driving the shielding cover to At least one driving device that lowers and raises the cover, and at least one high-pressure dispenser module that is attached to the shielding cover and includes a high-pressure dispenser that sprays high-pressure liquid onto the surface of the semiconductor substrate. Prepare. When covering the process chamber with the shielding cover, the chamber shroud moves and couples with the shielding cover to seal the process chamber and prevent the high pressure liquid from splashing out of the process chamber.

本発明の一実施形態では、半導体基板の湿式工程の方法は以下のステップを備えている。   In one embodiment of the present invention, a method for wet processing a semiconductor substrate includes the following steps.

チャンバシュラウドを下降させ、半導体基板をチャックに装着し、前記チャンバシュラウドを上方に移動させ、前記半導体基板を回転させる。   The chamber shroud is lowered, the semiconductor substrate is mounted on the chuck, the chamber shroud is moved upward, and the semiconductor substrate is rotated.

揺動ノズルをプロセスチャンバ内に回転移動させて、洗浄薬液または脱イオン水を前記半導体基板の表面に供給する。   The oscillating nozzle is rotated and moved into the process chamber to supply a cleaning chemical solution or deionized water to the surface of the semiconductor substrate.

前記半導体基板の表面への前記洗浄薬液または前記脱イオン水の供給を停止し、前記揺動ノズルを前記プロセスチャンバの外側に回転移動させ、その後前記チャンバシュラウドを下降させる。   The supply of the cleaning chemical solution or the deionized water to the surface of the semiconductor substrate is stopped, the swing nozzle is rotated to the outside of the process chamber, and then the chamber shroud is lowered.

前記プロセスチャンバを覆うように前記遮蔽カバーを駆動する。   The shielding cover is driven to cover the process chamber.

前記チャンバシュラウドを上昇させて前記遮蔽カバーと結合させプロセスチャンバを封止してから、高圧の化学薬品または前記脱イオン水を前記半導体基板の表面に供給する。   The chamber shroud is raised and bonded to the shielding cover to seal the process chamber, and then high-pressure chemical or the deionized water is supplied to the surface of the semiconductor substrate.

前記半導体基板の表面への前記高圧の化学薬品または前記脱イオン水の供給を停止し、前記チャンバシュラウドを下降させる。   The supply of the high pressure chemical or deionized water to the surface of the semiconductor substrate is stopped and the chamber shroud is lowered.

遮蔽カバーを駆動して上昇させる。   Drive the shield cover and raise it.

前記チャンバシュラウドを上昇させてから、前記揺動ノズルを前記プロセスチャンバ内に回転移動させて、洗浄薬液または脱イオン水を前記半導体基板の表面に供給する。   After raising the chamber shroud, the oscillating nozzle is rotated and moved into the process chamber to supply cleaning chemical solution or deionized water to the surface of the semiconductor substrate.

前記半導体基板を乾燥させる。   The semiconductor substrate is dried.

前記揺動ノズルを前記プロセスチャンバの外側に回転移動させ、前記半導体基板の回転を停止させ、前記チャンバシュラウドを下降させてから、前記半導体基板をチャックから取り外す。   The rocking nozzle is rotated and moved outside the process chamber, the rotation of the semiconductor substrate is stopped, the chamber shroud is lowered, and then the semiconductor substrate is removed from the chuck.

本発明による半導体基板の湿式工程用の例示的な装置を示す側面図であって、装置の遮蔽カバーが、装置のプロセスチャンバを封止するよう覆っている様子を示す図である。FIG. 4 is a side view illustrating an exemplary apparatus for wet processing of a semiconductor substrate according to the present invention, wherein a shielding cover of the apparatus covers the process chamber of the apparatus for sealing. 図１に示された装置の上面図である。FIG. 2 is a top view of the apparatus shown in FIG. 1. 遮蔽カバーを上昇させた状態を示す側面図である。It is a side view which shows the state which raised the shielding cover. 図３に示された装置の上面図である。FIG. 4 is a top view of the apparatus shown in FIG. 3. 本発明の一実施形態に係る装置の高圧ディスペンサモジュールを示す側面図である。It is a side view which shows the high pressure dispenser module of the apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に係る装置の高圧ディスペンサモジュールを示す側面図である。It is a side view which shows the high pressure dispenser module of the apparatus which concerns on other embodiment of this invention. 装置を用いて半導体基板に湿式処理を行う処理手順を示す側面図である。It is a side view which shows the process sequence which performs a wet process to a semiconductor substrate using an apparatus. 装置を用いて半導体基板に湿式処理を行う処理手順を示す側面図である。It is a side view which shows the process sequence which performs a wet process to a semiconductor substrate using an apparatus. 装置を用いて半導体基板に湿式処理を行う処理手順を示す側面図である。It is a side view which shows the process sequence which performs a wet process to a semiconductor substrate using an apparatus. 装置を用いて半導体基板に湿式処理を行う処理手順を示す側面図である。It is a side view which shows the process sequence which performs a wet process to a semiconductor substrate using an apparatus. 装置を用いて半導体基板に湿式処理を行う処理手順を示す側面図である。It is a side view which shows the process sequence which performs a wet process to a semiconductor substrate using an apparatus. 装置を用いて半導体基板に湿式処理を行う処理手順を示す側面図である。It is a side view which shows the process sequence which performs a wet process to a semiconductor substrate using an apparatus. 装置を用いて半導体基板に湿式処理を行う処理手順を示す側面図である。It is a side view which shows the process sequence which performs a wet process to a semiconductor substrate using an apparatus. 装置を用いて半導体基板に湿式処理を行う処理手順を示す側面図である。It is a side view which shows the process sequence which performs a wet process to a semiconductor substrate using an apparatus.

本発明は、半導体基板の湿式工程用の例示的な装置であって、高圧ディスペンサモジュールを通して高圧の液体を半導体基板に均一に噴霧する際に、遮蔽カバーをチャンバシュラウドと結合させて、高圧の液体がプロセスチャンバから飛び散ることを防止する装置を提供する。   The present invention is an exemplary apparatus for a wet process of a semiconductor substrate, wherein when a high pressure liquid is uniformly sprayed onto a semiconductor substrate through a high pressure dispenser module, a shielding cover is combined with a chamber shroud to provide a high pressure liquid. Provides a device that prevents splashing from the process chamber.

図１〜図４に示されるように、本発明の半導体基板の湿式工程用の例示的な装置は、プロセスチャンバ１００５と、プロセスチャンバ１００５を取り囲むように配置されたチャンバシュラウド１００６とを備えている。チャンバシュラウド１００６は、チャンバシュラウド１００６を駆動して上下方向に移動させる少なくとも一つの垂直駆動機構に接続されている。プロセスチャンバ１００５には、半導体基板１００１を保持および位置決めするチャック１００２が配置されている。チャック１００２は、回転スピンドル１００３を介して、回転駆動機構１００４に接続されている。回転駆動機構１００４は、チャック１００２を回転駆動する。装置は、遮蔽カバー１００７をさらに備えている。遮蔽カバー１００７上部には、少なくとも一つの高圧ディスペンサモジュール１０１４が取り付けられる。各高圧ディスペンサモジュール１０１４は、圧力が１０〜５０００ｐｓｉの高圧の液体、化学薬品、または、脱イオン水を半導体基板１００１の表面に噴射する高圧ディスペンサ１０３０を有している。高圧ディスペンサモジュール１０１４は、高圧ディスペンサ１０３０の走査動作を制御するためのリニアアクチュエータ１０１３を有している。これによって、チャック１００２を２０〜３０００ｒｐｍの速度で駆動回転させながら、半導体基板１００１の中心から縁部まで半導体基板１００１の表面に高圧の液体、化学薬品、または、脱イオン水が噴射される。   As shown in FIGS. 1-4, an exemplary apparatus for wet processing of a semiconductor substrate of the present invention includes a process chamber 1005 and a chamber shroud 1006 arranged to surround the process chamber 1005. . The chamber shroud 1006 is connected to at least one vertical drive mechanism that drives the chamber shroud 1006 to move in the vertical direction. A chuck 1002 that holds and positions the semiconductor substrate 1001 is disposed in the process chamber 1005. The chuck 1002 is connected to a rotation drive mechanism 1004 via a rotary spindle 1003. The rotation drive mechanism 1004 drives the chuck 1002 to rotate. The apparatus further includes a shielding cover 1007. At least one high-pressure dispenser module 1014 is attached to the top of the shielding cover 1007. Each high-pressure dispenser module 1014 has a high-pressure dispenser 1030 that jets a high-pressure liquid, chemical, or deionized water having a pressure of 10 to 5000 psi onto the surface of the semiconductor substrate 1001. The high pressure dispenser module 1014 has a linear actuator 1013 for controlling the scanning operation of the high pressure dispenser 1030. As a result, a high-pressure liquid, chemical, or deionized water is jetted onto the surface of the semiconductor substrate 1001 from the center to the edge of the semiconductor substrate 1001 while the chuck 1002 is driven and rotated at a speed of 20 to 3000 rpm.

前記遮蔽カバー１００７は、少なくとも一つの駆動装置によって、被せるように下降したり上昇したりするように駆動される。一実施形態において、遮蔽カバー１００７は桁１０２４上に固定される。桁１０２４の両端部は、二本のアーム１０１２ａ、１０１２ｂに連結されている。二本のアーム１０１２ａ、１０１２ｂは、一対の駆動装置１００８ａ、１００８ｂによって駆動され、遮蔽カバー１００７を被せるように下降させたり上昇させたりするように動作する。遮蔽カバー１００７には排液孔１０１６が少なくとも一つ形成されており、遮蔽カバー１００７が上昇した際に液体が排出されるようになっている。排液孔１０１６は遮蔽カバー１００７が上昇した状態で遮蔽カバー１００７の底部に位置する。これにより、遮蔽カバー１００７の頂部に飛散した液体は、重力によって排液孔１０１６へと流れ落ちてくる。遮蔽カバー１００７から、排液孔１０１６を介して排出される液体は、廃液トレー１０１７によって下流側にガイドされる。遮蔽カバー１００７には、遮蔽カバー１００７を洗浄する少なくとも一つの洗浄ノズル１０３６が、排液孔１０１６に対抗して配置されている。一実施形態において、遮蔽カバー１００７の洗浄用に、三つの洗浄ノズル１０３６ａ、１０３６ｂ、１０３６ｃが遮蔽カバー１００７に配置されている。遮蔽カバー１００７が上昇した状態では、少なくとも一つの洗浄ノズル１０３６ａ、１０３６ｂ、１０３６ｃが遮蔽カバー１００７の上部に位置しており、遮蔽カバー１００７の内面に洗浄薬液または脱イオン水を供給することにより遮蔽カバー１００７を洗浄する。洗浄薬液または脱イオン水は、遮蔽カバー１００７の内面に沿って下方に移動し、重力によって排液孔１０１６を通って排出される。洗浄ノズル１０３６ａ、１０３６ｂ、１０３６ｃは、洗浄薬液または脱イオン水がチャンバシュラウド１００６の内部に噴射されることを防止する角度で取り付けられている。遮蔽カバー１００７の頂部は、液体がプロセスチャンバ１００５にガイドされるように斜面または円弧形状に形成されている。洗浄ノズル１０３６ａ、１０３６ｂ、１０３６ｃからの供給期間はプログラム可能である。遮蔽カバー１００７の洗浄トリガー条件は、処理した半導体基板１００１の数または累積時間に基づいてプログラム可能である。   The shielding cover 1007 is driven by at least one driving device so as to be lowered or raised so as to be covered. In one embodiment, the shielding cover 1007 is fixed on the beam 1024. Both ends of the beam 1024 are connected to the two arms 1012a and 1012b. The two arms 1012a and 1012b are driven by a pair of driving devices 1008a and 1008b, and operate to be lowered and raised so as to cover the shielding cover 1007. At least one drainage hole 1016 is formed in the shielding cover 1007 so that liquid is discharged when the shielding cover 1007 is raised. The drainage hole 1016 is located at the bottom of the shielding cover 1007 with the shielding cover 1007 raised. Thereby, the liquid scattered on the top of the shielding cover 1007 flows down to the drain hole 1016 due to gravity. The liquid discharged from the shielding cover 1007 through the drain hole 1016 is guided downstream by the waste liquid tray 1017. In the shielding cover 1007, at least one washing nozzle 1036 for washing the shielding cover 1007 is disposed so as to oppose the drainage hole 1016. In one embodiment, three cleaning nozzles 1036 a, 1036 b, and 1036 c are disposed on the shielding cover 1007 for cleaning the shielding cover 1007. In a state where the shielding cover 1007 is raised, at least one cleaning nozzle 1036a, 1036b, 1036c is positioned above the shielding cover 1007, and the shielding cover 1007 is supplied with cleaning chemical or deionized water so as to cover the shielding cover 1007. 1007 is washed. The cleaning chemical or deionized water moves downward along the inner surface of the shielding cover 1007 and is discharged through the drain hole 1016 by gravity. The cleaning nozzles 1036a, 1036b, and 1036c are attached at an angle that prevents the cleaning chemical or deionized water from being injected into the chamber shroud 1006. The top of the shielding cover 1007 is formed in an inclined surface or an arc shape so that the liquid is guided to the process chamber 1005. The supply period from the cleaning nozzles 1036a, 1036b, 1036c is programmable. The cleaning trigger condition for the shielding cover 1007 is programmable based on the number of semiconductor substrates 1001 processed or the accumulated time.

プロセスチャンバ１００５の横には、化学薬品の液体、脱イオン水、または、乾燥用ガスを半導体基板１００１の表面に供給する少なくとも一つの揺動ノズル１０１８が配置されている。回転アクチュエータ１０２０は、揺動ノズル１０１８がプロセスチャンバ１００５内で揺動して半導体基板１００１の全面を走査できるように、揺動ノズル１０１８を駆動する。   Next to the process chamber 1005, at least one oscillating nozzle 1018 for supplying a chemical liquid, deionized water, or a drying gas to the surface of the semiconductor substrate 1001 is disposed. The rotary actuator 1020 drives the oscillating nozzle 1018 so that the oscillating nozzle 1018 can oscillate in the process chamber 1005 and scan the entire surface of the semiconductor substrate 1001.

図１および図２に示されるように、半導体基板１００１に上述した装置を用いて、例えば、洗浄、エッチング、フォトレジスト剥離、金属リフトオフ等の湿式工程を行う場合、半導体基板１００１はチャック１００２上に載置される。回転駆動機構１００４は、チャック１００２を２０〜３０００ｒｐｍの速度で回転駆動する。遮蔽カバー１００７は、プロセスチャンバ１００５をカバーするように、駆動装置１００８ａ、１００８ｂによって駆動される。その後、チャンバシュラウド１００６が、上方へ移動するように駆動される。遮蔽カバー１００７とチャンバシュラウド１００６との組合せによって、プロセスチャンバ１００５が封止され、半導体基板１００１の表面上に噴射された高圧の化学薬品または脱イオン水がプロセスチャンバ１００５から飛び散ることを防止する。高圧の化学薬品または脱イオン水は、高圧ディスペンサモジュール１０１４の高圧ディスペンサー１０３０を介して、１０〜５０００ｐｓｉの圧力で半導体基板１００１の表面に噴射される。半導体基板１００１の高圧処理が終了した後、図３および図４に示すように、チャンバシュラウド１００６は下に移動するように駆動される。その後、遮蔽カバー１００７は、駆動装置１００８ａ、１００８ｂによって上昇するように駆動される。遮蔽カバー１００７は、プロセスチャンバ１００５の横にある。次に、チャンバシュラウド１００６を上に移動させ、次いで回転アクチュエータ１０２０が揺動ノズル１０１８を駆動してプロセスチャンバ１００５内に移動させ、半導体基板１００１の表面に化学薬品の液体、脱イオン水、または、乾燥用ガスを供給する。チャンバシュラウド１００６は、遮蔽カバー１００７がプロセスチャンバー１００５を覆うように駆動されたとき、または、遮蔽カバー１００７がプロセスチャンバ１００５の開口部の横の位置に向かって上昇するように駆動されたとき、下方に位置しており、揺動ノズル１０１８が容易に移動できる充分なスペースがある。   As shown in FIGS. 1 and 2, when a wet process such as cleaning, etching, photoresist stripping, and metal lift-off is performed on the semiconductor substrate 1001 using the above-described apparatus, the semiconductor substrate 1001 is placed on the chuck 1002. Placed. The rotational drive mechanism 1004 rotationally drives the chuck 1002 at a speed of 20 to 3000 rpm. The shielding cover 1007 is driven by the driving devices 1008a and 1008b so as to cover the process chamber 1005. Thereafter, the chamber shroud 1006 is driven to move upward. The combination of the shielding cover 1007 and the chamber shroud 1006 seals the process chamber 1005 and prevents high pressure chemicals or deionized water sprayed onto the surface of the semiconductor substrate 1001 from splashing out of the process chamber 1005. High-pressure chemical or deionized water is sprayed onto the surface of the semiconductor substrate 1001 at a pressure of 10 to 5000 psi through the high-pressure dispenser 1030 of the high-pressure dispenser module 1014. After the high-pressure processing of the semiconductor substrate 1001 is completed, the chamber shroud 1006 is driven to move downward as shown in FIGS. Thereafter, the shielding cover 1007 is driven to be raised by the driving devices 1008a and 1008b. A shielding cover 1007 is next to the process chamber 1005. Next, the chamber shroud 1006 is moved up, and then the rotary actuator 1020 drives the oscillating nozzle 1018 to move it into the process chamber 1005, and a chemical liquid, deionized water, or Supply drying gas. The chamber shroud 1006 moves downward when the shielding cover 1007 is driven so as to cover the process chamber 1005 or when the shielding cover 1007 is driven so as to rise to a position next to the opening of the process chamber 1005. There is sufficient space where the oscillating nozzle 1018 can easily move.

図５には、本発明の一実施形態に係る装置の高圧ディスペンサモジュールが示されている。高圧ディスペンサモジュール３０１４は、遮蔽カバー３００７に搭載されている。高圧ディスペンサモジュール３０１４は、高圧ディスペンサ３０３０を備えている。高圧ディスペンサ３０３０は、揺動アーム３０３２の端に固定されたソケット３０３１に取り付けられている。高圧ディスペンサモジュール３０１４は、高圧ディスペンサ３０３０の走査動作を制御するリニアアクチュエータ３０１３を有している。具体的には、リニアアクチュエータ３０１３は、シャフト３０３３を中心にθ１からθ２まで回転するように揺動アーム３０３２を駆動する。図５に示すように、リニアアクチュエータ３０１３が、揺動アーム３０３２を駆動してθ１に回転させると、高圧ディスペンサ３０３０から供給された液体は半導体基板３００１の中心に噴射される。リニアアクチュエータ３０１３が、揺動アーム３０３２を駆動してθ２に回転させると、高圧ディスペンサ３０３０から供給された液体は半導体基板３００１の縁に噴射される。これにより、回転駆動機構３００４がチャック３００２を回転駆動している状態で、揺動アーム３０３２がθ１からθ２まで回動することによって、半導体基板３００１の中心から縁に亘って、半導体基板３００１の面に高圧の液体が噴射される構成となっている。また、高圧ディスペンサ３０３０と半導体基板３００１の表面との間の距離「ｄ」は、揺動アーム３０３２の長さを調節することによって調整可能である。高圧ディスペンサ３０３０は、迅速接続によってソケット３０３１に搭載される。また、高圧ディスペンサ３０３０は、所望のタイプの高圧ディスペンサと容易に取り替えることが可能である。異なるタイプの高圧ディスペンサ３０３０を用いることによって、高圧ディスペンサ３０３０から噴射される液体を選択的に円錐形状、コラム形状、または、扇状にすることができる。ライン３０３４は高圧ディスペンサ３０３０に接続され、高圧ディスペンサ３０３０に高圧の化学薬品または脱イオン水を供給する。圧力計３０３９はライン３０３４上に設置され、１０〜５０００ｐｓｉの範囲で圧力を制御する。流量計３０４３はライン３０３４上に設置され、流量を制御する。オン／オフバルブ３０３８はライン３０３４上に設置され、ライン３０３４からの高圧の液体の供給を制御する。洗浄ノズル３０３６に接続された別のライン３０４０は、洗浄ノズル３０３６に洗浄薬液または脱イオン水を供給して遮蔽カバー３００７の内面を洗浄する。ライン３０４０上には、流量を制御する別の流量計３０４４が設置されている。また、ライン３０４０上には、ライン３０４０からの洗浄薬液または脱イオン水の供給を制御する別のオン／オフバルブ３０４１が設置されている。   FIG. 5 shows a high pressure dispenser module of an apparatus according to an embodiment of the present invention. The high pressure dispenser module 3014 is mounted on the shielding cover 3007. The high pressure dispenser module 3014 includes a high pressure dispenser 3030. The high pressure dispenser 3030 is attached to a socket 3031 fixed to the end of the swing arm 3032. The high pressure dispenser module 3014 includes a linear actuator 3013 that controls the scanning operation of the high pressure dispenser 3030. Specifically, the linear actuator 3013 drives the swing arm 3032 to rotate from θ1 to θ2 about the shaft 3033. As shown in FIG. 5, when the linear actuator 3013 drives the swing arm 3032 to rotate it to θ1, the liquid supplied from the high pressure dispenser 3030 is ejected to the center of the semiconductor substrate 3001. When the linear actuator 3013 drives the swing arm 3032 to rotate it to θ2, the liquid supplied from the high-pressure dispenser 3030 is ejected to the edge of the semiconductor substrate 3001. Accordingly, the surface of the semiconductor substrate 3001 extends from the center to the edge of the semiconductor substrate 3001 by rotating the swing arm 3032 from θ1 to θ2 in a state where the rotation driving mechanism 3004 rotationally drives the chuck 3002. The high pressure liquid is jetted into the tank. Further, the distance “d” between the high-pressure dispenser 3030 and the surface of the semiconductor substrate 3001 can be adjusted by adjusting the length of the swing arm 3032. The high pressure dispenser 3030 is mounted on the socket 3031 by quick connection. Also, the high pressure dispenser 3030 can be easily replaced with a desired type of high pressure dispenser. By using different types of high pressure dispensers 3030, the liquid ejected from the high pressure dispenser 3030 can be selectively conical, columnar or fan-shaped. Line 3034 is connected to high pressure dispenser 3030 and supplies high pressure chemical or deionized water to high pressure dispenser 3030. A pressure gauge 3039 is installed on line 3034 and controls the pressure in the range of 10-5000 psi. A flow meter 3043 is installed on the line 3034 and controls the flow rate. An on / off valve 3038 is installed on line 3034 and controls the supply of high pressure liquid from line 3034. Another line 3040 connected to the cleaning nozzle 3036 supplies cleaning chemical liquid or deionized water to the cleaning nozzle 3036 to clean the inner surface of the shielding cover 3007. On the line 3040, another flow meter 3044 for controlling the flow rate is installed. On the line 3040, another on / off valve 3041 for controlling the supply of the cleaning chemical solution or deionized water from the line 3040 is installed.

図６には、本発明の別の実施形態に係る装置の高圧ディスペンサモジュールが示されている。高圧ディスペンサモジュール５０１４は、遮蔽カバー５００７に搭載されている。高圧ディスペンサモジュール５０１４は、高圧ディスペンサ５０３０を備えている。高圧ディスペンサ５０３０は、ロッド５０３４の端に固定されたソケット５０３１に取り付けられている。高圧ディスペンサモジュール５０１４は、高圧ディスペンサ５０３０の走査動作を制御するリニアアクチュエータ５０１３を有している。具体的には、リニアアクチュエータ５０１３は、シャフト５０３３に沿って、中心に対してＬ１からＬ２に移動するようにロッド５０３４を駆動する。リニアアクチュエータ５０１３が、ロッド５０３４を駆動してＬ１に移動させると、高圧ディスペンサ５０３０から供給された液体は半導体基板５００１の中心に噴射される。リニアアクチュエータ５０１３が、ロッド５０３４を駆動してＬ２に移動させると、高圧ディスペンサ５０３０から供給された液体は半導体基板５００１の縁に噴射される。これにより、回転駆動機構５００４がチャック５００２を回転駆動している状態で、ロッド５０３４がＬ１からＬ２に移動することによって、半導体基板５００１の中心から縁に亘って、半導体基板５００１の面に高圧の液体が噴射される構成となっている。また、高圧ディスペンサ５０３０と半導体基板５００１の表面との間の距離「ｄ」は、ロッド５０３４の長さを調節することによって調整可能である。高圧ディスペンサ５０３０は、迅速接続によってソケット５０３１に搭載される。また、高圧ディスペンサ５０３０は、所望のタイプの高圧ディスペンサと容易に取り替えることが可能である。異なるタイプの高圧ディスペンサ５０３０を用いることによって、高圧ディスペンサ５０３０から噴射される液体を選択的に円錐形状、コラム形状、または、扇状にすることができる。ライン５０３４は高圧ディスペンサ５０３０に接続され、高圧ディスペンサ５０３０に高圧の化学薬品または脱イオン水を供給する。圧力計５０３９はライン５０３４上に設置され、１０〜５０００ｐｓｉの範囲で圧力を制御する。流量計５０４３はライン５０３４上に設置され、流量を制御する。オン／オフバルブ５０３８はライン５０３４上に設置され、ライン５０３４からの高圧の液体の供給を制御する。洗浄ノズル５０３６に接続された別のライン５０４０は、洗浄ノズル５０３６に洗浄薬液または脱イオン水を供給して遮蔽カバー５００７の内面を洗浄する。ライン５０４０上には、流量を制御する別の流量計５０４４が設置されている。また、ライン５０４０上には、ライン５０４０からの洗浄薬液または脱イオン水の供給を制御する別のオン／オフバルブ５０４１が設置されている。   FIG. 6 shows a high pressure dispenser module of an apparatus according to another embodiment of the present invention. The high pressure dispenser module 5014 is mounted on the shielding cover 5007. The high pressure dispenser module 5014 includes a high pressure dispenser 5030. The high pressure dispenser 5030 is attached to a socket 5031 fixed to the end of the rod 5034. The high pressure dispenser module 5014 includes a linear actuator 5013 that controls the scanning operation of the high pressure dispenser 5030. Specifically, the linear actuator 5013 drives the rod 5034 so as to move along the shaft 5033 from L1 to L2 with respect to the center. When the linear actuator 5013 drives the rod 5034 to move it to L1, the liquid supplied from the high-pressure dispenser 5030 is jetted to the center of the semiconductor substrate 5001. When the linear actuator 5013 drives the rod 5034 to move it to L2, the liquid supplied from the high-pressure dispenser 5030 is jetted to the edge of the semiconductor substrate 5001. As a result, the rod 5034 moves from L1 to L2 while the rotation driving mechanism 5004 is rotatingly driving the chuck 5002, so that a high pressure is applied to the surface of the semiconductor substrate 5001 from the center to the edge of the semiconductor substrate 5001. The liquid is ejected. Further, the distance “d” between the high-pressure dispenser 5030 and the surface of the semiconductor substrate 5001 can be adjusted by adjusting the length of the rod 5034. The high pressure dispenser 5030 is mounted on the socket 5031 by quick connection. The high pressure dispenser 5030 can be easily replaced with a desired type of high pressure dispenser. By using different types of high pressure dispensers 5030, the liquid ejected from the high pressure dispenser 5030 can be selectively conical, columnar or fan-shaped. Line 5034 is connected to high pressure dispenser 5030 and supplies high pressure chemical or deionized water to high pressure dispenser 5030. A pressure gauge 5039 is installed on line 5034 and controls the pressure in the range of 10-5000 psi. A flow meter 5043 is installed on the line 5034 and controls the flow rate. An on / off valve 5038 is installed on line 5034 and controls the supply of high pressure liquid from line 5034. Another line 5040 connected to the cleaning nozzle 5036 supplies the cleaning chemical solution or deionized water to the cleaning nozzle 5036 to clean the inner surface of the shielding cover 5007. On the line 5040, another flow meter 5044 for controlling the flow rate is installed. On the line 5040, another on / off valve 5041 for controlling the supply of the cleaning chemical solution or deionized water from the line 5040 is installed.

従って、本発明は、半導体基板の湿式工程用の方法であって、高圧ディスペンサモジュールを通して高圧の液体を半導体基板に均一に噴霧する際に、遮蔽カバーをチャンバシュラウドと結合させて、高圧の液体がプロセスチャンバから飛び散ることを防止する装置を提供する。   Accordingly, the present invention is a method for a wet process of a semiconductor substrate, wherein when a high-pressure liquid is uniformly sprayed onto a semiconductor substrate through a high-pressure dispenser module, the shielding cover is combined with the chamber shroud, An apparatus for preventing splashing from a process chamber is provided.

図７Ａ〜図７Ｈを参照して、処理の手順を示す。   With reference to FIG. 7A to FIG.

ステップ１：チャンバシュラウド７００６を下降させ、チャック７００２に半導体基板７００１を装着し、チャンバーシュラウド７００６を上昇させ、半導体基板７００１を１０ＲＰＭ〜３０００ＲＰＭの速度で回転させる。   Step 1: The chamber shroud 7006 is lowered, the semiconductor substrate 7001 is mounted on the chuck 7002, the chamber shroud 7006 is raised, and the semiconductor substrate 7001 is rotated at a speed of 10 RPM to 3000 RPM.

ステップ２：図７Ａに示すように、揺動ノズル７０１８をプロセスチャンバ７００５内に回転移動させて、洗浄薬液または脱イオン水を半導体基板７００１の表面に供給する。   Step 2: As shown in FIG. 7A, the oscillating nozzle 7018 is rotated into the process chamber 7005 to supply a cleaning chemical or deionized water to the surface of the semiconductor substrate 7001.

ステップ３：図７Ｂに示すように、半導体基板７００１の表面への洗浄薬液または脱イオン水の供給を停止し、揺動ノズル７０１８をプロセスチャンバ７００５の外側に回転移動させてからチャンバシュラウド７００６を下降させる。   Step 3: As shown in FIG. 7B, the supply of the cleaning chemical solution or deionized water to the surface of the semiconductor substrate 7001 is stopped, the swing nozzle 7018 is rotated to the outside of the process chamber 7005, and the chamber shroud 7006 is lowered. Let

ステップ４：図７（ｃ）に示すように、遮蔽カバー７００７を駆動してプロセスチャンバ７００５を覆う。   Step 4: As shown in FIG. 7C, the shielding cover 7007 is driven to cover the process chamber 7005.

ステップ５：チャンバシュラウド７００６を移動させて遮蔽カバー７００７と連結し、遮蔽カバー７００７とチャンバシュラウド７００６の組み合わせによって、プロセスチャンバ７００５を封止し、その後、図７Ｄに示されるように、高圧ディスペンサ７０３０から高圧の化学薬品または脱イオン水を半導体基板７００１の表面に供給する。   Step 5: Move the chamber shroud 7006 to connect with the shielding cover 7007, and seal the process chamber 7005 by the combination of the shielding cover 7007 and the chamber shroud 7006, and then from the high pressure dispenser 7030 as shown in FIG. 7D A high-pressure chemical or deionized water is supplied to the surface of the semiconductor substrate 7001.

ステップ６：図７Ｅに示すように、半導体基板７００１の表面への高圧の化学薬品または脱イオン水の供給を停止し、チャンバシュラウド７００６を下降させる。   Step 6: As shown in FIG. 7E, the supply of high-pressure chemical or deionized water to the surface of the semiconductor substrate 7001 is stopped, and the chamber shroud 7006 is lowered.

ステップ７：図７Ｆに示されるように、遮蔽カバー７００７を駆動して上昇させる。   Step 7: As shown in FIG. 7F, the shielding cover 7007 is driven and raised.

ステップ８：チャンバシュラウド７００６を上昇させて、図７Ｇに示すように、揺動ノズル７０１８をプロセスチャンバ７００５内に回転移動させて、洗浄薬液または脱イオン水を半導体基板７００１の表面に供給する。   Step 8: Raise the chamber shroud 7006 and rotate the oscillating nozzle 7018 into the process chamber 7005 to supply cleaning chemical or deionized water to the surface of the semiconductor substrate 7001 as shown in FIG. 7G.

ステップ９：半導体基板７００１を乾燥させる。   Step 9: The semiconductor substrate 7001 is dried.

ステップ１０：揺動ノズル７０１８をプロセスチャンバ７００５の外側に回転移動させ、半導体基板７００１の回転を停止させ、チャンバシュラウド７００６を下降させてから、半導体基板７００１をチャック７００２から取り外す。   Step 10: The oscillating nozzle 7018 is rotated to the outside of the process chamber 7005, the rotation of the semiconductor substrate 7001 is stopped, the chamber shroud 7006 is lowered, and the semiconductor substrate 7001 is removed from the chuck 7002.

ステップ５では、高圧ディスペンサ７０３０が駆動されて、半導体基板７００１の中心と縁との間を走査することで、高圧の化学薬品または脱イオン水が半導体基板７００１の表面に均一に噴射される。高圧の化学薬品または脱イオン水の圧力は、１０ｐｓｉ〜５０００ｐｓｉの範囲で制御され、高圧の化学薬品または脱イオン水の流量は、１０ｍｌ〜４０００ｍｌの範囲で制御される。   In step 5, the high-pressure dispenser 7030 is driven to scan between the center and the edge of the semiconductor substrate 7001, so that a high-pressure chemical or deionized water is uniformly sprayed on the surface of the semiconductor substrate 7001. The pressure of the high pressure chemical or deionized water is controlled in the range of 10 psi to 5000 psi, and the flow rate of the high pressure chemical or deionized water is controlled in the range of 10 ml to 4000 ml.

プロセスチャンバ７００５がアイドル状態で遮蔽カバー７００７が上昇させられた場合、洗浄ノズルは、洗浄薬液または脱イオン水をシールドカバー７００７の内面に供給して遮蔽カバー７００７を洗浄する。洗浄ノズルからの供給期間はプログラム可能である。洗浄トリガー条件は、処理した半導体基板の数または累積時間に基づいてプログラム可能である。   When the shielding cover 7007 is raised while the process chamber 7005 is in an idle state, the cleaning nozzle supplies cleaning chemical liquid or deionized water to the inner surface of the shielding cover 7007 to clean the shielding cover 7007. The supply period from the cleaning nozzle is programmable. The cleaning trigger condition is programmable based on the number of processed semiconductor substrates or the accumulated time.

本発明の前述の説明は、例示および説明のために提示されたものである。本発明の正確な開示として限定または網羅するものではなく、上記の教示内容に鑑みて多くの修正および変形が可能であることは自明である。当業者に自明な改変および変形は、添付の特許請求の範囲に記載される本発明の範囲内に含まれる。   The foregoing description of the present invention has been presented for purposes of illustration and description. Obviously, many modifications and variations are possible in light of the above teachings, rather than being limiting or exhaustive as the precise disclosure of the present invention. Modifications and variations obvious to those skilled in the art are included within the scope of the invention as set forth in the appended claims.

Claims (25)

半導体基板の湿式工程用の装置であって、
プロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバに配置され、前記半導体基板を保持および位置決めするチャックと、
前記チャックを回転駆動する回転駆動機構と、
前記プロセスチャンバを囲むように配置されたチャンバシュラウドと、
前記チャンバシュラウドを駆動して上下方向に移動させる少なくとも一つの垂直駆動機構と、
遮蔽カバーと、
前記遮蔽カバーを駆動して、前記遮蔽カバーを被せるように下降させたり上昇させたりする少なくとも一つの駆動装置と、
液体を前記半導体基板表面に吹き付けるディスペンサを備えた少なくとも一つのディスペンサモジュールとを備え、
前記遮蔽カバーが前記プロセスチャンバを覆う際に、前記チャンバシュラウドが移動して前記遮蔽カバーと結合し、前記プロセスチャンバを密封して前記液体が前記プロセスチャンバから飛び散ることを防止することを特徴とする装置。 An apparatus for a wet process of a semiconductor substrate,
A process chamber;
A chuck disposed in the process chamber for holding and positioning the semiconductor substrate;
A rotational drive mechanism for rotationally driving the chuck;
A chamber shroud disposed to surround the process chamber;
At least one vertical drive mechanism for driving the chamber shroud to move in the vertical direction;
A shielding cover;
At least one driving device that drives the shielding cover to lower or raise the shielding cover;
At least one dispenser module comprising a dispenser for spraying liquid onto the surface of the semiconductor substrate;
When the shielding cover covers the process chamber, the chamber shroud moves and couples with the shielding cover to seal the process chamber and prevent the liquid from splashing from the process chamber. apparatus. 前記ディスペンサモジュールは、ディスペンサの走査動作を制御するリニアアクチュエータを有していることを特徴とする請求項１に記載の装置。   The apparatus according to claim 1, wherein the dispenser module includes a linear actuator that controls a scanning operation of the dispenser. 前記遮蔽カバーは桁に固定されており、前記桁の両端部は、二本のアームに連結されており、前記二本のアームは、一対の駆動装置によって駆動され、前記遮蔽カバーを被せるように下降させたり上昇させたりするように動作することを特徴とする請求項１に記載の装置。   The shielding cover is fixed to a girder, and both ends of the girder are connected to two arms, and the two arms are driven by a pair of driving devices so as to cover the shielding cover. The apparatus of claim 1, wherein the apparatus operates to lower and raise. 前記遮蔽カバーには排液孔が少なくとも一つ形成されており、前記遮蔽カバーが上昇した際に液体が排出されることを特徴とする請求項１に記載の装置。   The apparatus according to claim 1, wherein at least one drainage hole is formed in the shielding cover, and the liquid is discharged when the shielding cover is raised. 排液孔を介して排出される液体を下流側にガイドする廃液トレーをさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の装置。   The apparatus according to claim 4, further comprising a waste liquid tray for guiding the liquid discharged through the drain hole to the downstream side. 前記遮蔽カバーには、前記遮蔽カバーの内側面に洗浄液を供給して前記遮蔽カバーを洗浄する少なくとも一つの洗浄ノズルが配置されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。   The apparatus according to claim 1, wherein the shielding cover is provided with at least one cleaning nozzle that supplies a cleaning liquid to an inner surface of the shielding cover to clean the shielding cover. 前記洗浄ノズルは、前記洗浄液が前記チャンバシュラウドの内部に噴射されることを防止する角度で取り付けられていることを特徴とする請求項６に記載の装置。   The apparatus of claim 6, wherein the cleaning nozzle is mounted at an angle that prevents the cleaning liquid from being sprayed into the chamber shroud. 前記洗浄ノズルからの供給期間および洗浄トリガー条件はプログラム可能であることを特徴とする請求項６に記載の装置。   The apparatus according to claim 6, wherein a supply period from the cleaning nozzle and a cleaning trigger condition are programmable. 前記遮蔽カバーの頂部は、斜面または円弧形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。   The apparatus according to claim 1, wherein a top portion of the shielding cover is formed in an inclined surface or an arc shape. 前記プロセスチャンバの横に配置され、化学薬品、脱イオン水、または、乾燥用ガスを前記半導体基板の表面に供給する少なくとも一つの揺動ノズルをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。   The at least one oscillating nozzle disposed on the side of the process chamber and supplying a chemical, deionized water, or a drying gas to the surface of the semiconductor substrate. apparatus. 前記揺動ノズルを回転駆動する回転アクチュエータをさらに備えることを特徴とする請求項１０に記載の装置。   The apparatus according to claim 10, further comprising a rotary actuator that rotationally drives the oscillating nozzle. 前記チャンバシュラウドは、前記遮蔽カバーが駆動されて被せるように下降したり上昇したりする際に、下方に位置することを特徴とする請求項１に記載の装置。   The apparatus according to claim 1, wherein the chamber shroud is positioned downward when the shielding cover is driven to move down and ascend. 前記ディスペンサは、揺動アームの端に固定されたソケットに取り付けられており、前記リニアアクチュエータは、シャフトを中心に、θ１からθ２まで回転するように前記揺動アームを駆動し、前記回転駆動機構が前記チャックを回転駆動している状態で、前記揺動アームがθ１からθ２まで回動することによって、前記半導体基板の中心から縁に亘って、前記半導体基板の面に液体が噴射されることを特徴とする請求項２に記載の装置。   The dispenser is attached to a socket fixed to an end of a swing arm, and the linear actuator drives the swing arm to rotate from θ1 to θ2 around a shaft, and the rotation drive mechanism With the chuck rotating the chuck, the swinging arm rotates from θ1 to θ2, so that the liquid is sprayed onto the surface of the semiconductor substrate from the center to the edge of the semiconductor substrate. The apparatus according to claim 2. 前記ディスペンサと前記半導体基板の表面との間の距離「ｄ」は、前記揺動アームの長さを調節することによって調整可能であることを特徴とする請求項１３に記載の装置。   14. The apparatus of claim 13, wherein the distance "d" between the dispenser and the surface of the semiconductor substrate is adjustable by adjusting the length of the swing arm. 前記ディスペンサは、ロッドの端に固定されたソケットに取り付けられており、リニアアクチュエータが、シャフトに沿って、中心に対してＬ１からＬ２に移動するようにロッドを駆動し、前記回転駆動機構が前記チャックを回転駆動している状態で、前記ロッドがＬ１からＬ２に移動することによって、前記半導体基板の中心から縁に亘って、前記半導体基板の面に液体が噴射されることを特徴とする請求項２に記載の装置。   The dispenser is attached to a socket fixed to an end of the rod, and a linear actuator drives the rod so as to move from L1 to L2 with respect to the center along the shaft. The liquid is jetted onto the surface of the semiconductor substrate from the center to the edge of the semiconductor substrate by moving the rod from L1 to L2 while the chuck is being rotationally driven. Item 3. The apparatus according to Item 2. 前記ディスペンサと前記半導体基板の表面との間の距離「ｄ」は、前記ロッドの長さを調節することによって調整可能であることを特徴とする請求項１５に記載の装置。   The apparatus of claim 15, wherein the distance "d" between the dispenser and the surface of the semiconductor substrate is adjustable by adjusting the length of the rod. 前記ディスペンサによって前記半導体基板の表面に噴射される液体の圧力は、１０ｐｓｉ〜５０００ｐｓｉの範囲で制御されることを特徴とする請求項１に記載の装置。   The apparatus according to claim 1, wherein the pressure of the liquid sprayed on the surface of the semiconductor substrate by the dispenser is controlled in a range of 10 psi to 5000 psi. 半導体基板の湿式工程用の方法であって、
チャンバシュラウドを下降させ、
プロセスチャンバを覆うように遮蔽カバーを駆動し、
前記チャンバシュラウドを上昇させて前記遮蔽カバーと結合させ前記プロセスチャンバを封止してから、薬液または脱イオン水をディスペンサから前記半導体基板の表面に供給し、
前記半導体基板の表面への前記薬液または前記脱イオン水の供給を停止し、前記チャンバシュラウドを下降させ、
遮蔽カバーを駆動して上昇させることを特徴とする方法。 A method for a wet process of a semiconductor substrate,
Lower the chamber shroud,
Drive the shielding cover to cover the process chamber,
The chamber shroud is raised and coupled with the shielding cover to seal the process chamber, and then a chemical solution or deionized water is supplied from the dispenser to the surface of the semiconductor substrate,
Stop the supply of the chemical solution or deionized water to the surface of the semiconductor substrate, lower the chamber shroud,
A method of driving and lifting the shielding cover. 前記ディスペンサを駆動して、前記半導体基板の中心と縁との間を走査させることにより、高圧の前記薬液または前記脱イオン水を前記半導体基板の表面に均一に噴射することを特徴とする請求項１８に記載の方法。   The high-pressure chemical solution or the deionized water is uniformly jetted onto the surface of the semiconductor substrate by driving the dispenser to scan between the center and the edge of the semiconductor substrate. 18. The method according to 18. 前記薬液または前記脱イオン水の圧力は、１０ｐｓｉ〜５０００ｐｓｉの範囲で制御されることを特徴とする請求項１８に記載の方法。   The method according to claim 18, wherein the pressure of the chemical solution or the deionized water is controlled in a range of 10 psi to 5000 psi. 前記薬液または前記脱イオン水の流量は、１０ｍｌ〜４０００ｍｌの範囲で制御されることを特徴とする請求項１８に記載の方法。   The method according to claim 18, wherein a flow rate of the chemical solution or the deionized water is controlled in a range of 10 ml to 4000 ml. 前記プロセスチャンバがアイドル状態であり、前記遮蔽カバーが上昇している状態であるときに、洗浄薬液または脱イオン水を遮蔽カバーの内側面に供給して遮蔽カバーを洗浄することを特徴とする請求項１８に記載の方法。   The cleaning cover is cleaned by supplying a cleaning chemical or deionized water to an inner surface of the shielding cover when the process chamber is in an idle state and the shielding cover is in a raised state. Item 19. The method according to Item 18. 前記洗浄ノズルからの供給期間および洗浄トリガー条件はプログラム可能であることを特徴とする請求項２２に記載の方法。   23. The method of claim 22, wherein the supply period and cleaning trigger conditions from the cleaning nozzle are programmable. チャンバシュラウドを下降させるステップの前に、前記半導体基板をチャックに装着し、前記チャンバシュラウドを上方に移動させ、前記半導体基板を回転させ、
前記揺動ノズルを前記プロセスチャンバ内に回転移動させて、洗浄薬液または脱イオン水を前記半導体基板の表面に供給し、
前記半導体基板の表面への前記洗浄薬液または前記脱イオン水の供給を停止し、前記揺動ノズルを前記プロセスチャンバの外側に回転移動させることを特徴とする請求項１８に記載の方法。 Prior to the step of lowering the chamber shroud, the semiconductor substrate is mounted on a chuck, the chamber shroud is moved upward, the semiconductor substrate is rotated,
The oscillating nozzle is rotated and moved into the process chamber, and a cleaning chemical solution or deionized water is supplied to the surface of the semiconductor substrate,
The method according to claim 18, wherein the supply of the cleaning chemical or the deionized water to the surface of the semiconductor substrate is stopped, and the oscillating nozzle is rotated to the outside of the process chamber. 前記遮蔽カバーを駆動するステップの後に、前記チャンバシュラウドを上昇させてから、前記揺動ノズルを前記プロセスチャンバ内に回転移動させて、洗浄薬液または脱イオン水を前記半導体基板の表面に供給し、
前記半導体基板を乾燥させ、
前記揺動ノズルを前記プロセスチャンバの外側に回転移動させ、前記半導体基板の回転を停止させ、前記チャンバシュラウドを下降させてから、前記半導体基板をチャックから取り外すことを特徴とする請求項２４に記載の方法。 After the step of driving the shielding cover, the chamber shroud is raised, and then the oscillating nozzle is rotated and moved into the process chamber to supply cleaning chemical solution or deionized water to the surface of the semiconductor substrate,
Drying the semiconductor substrate;
25. The semiconductor substrate is removed from the chuck after the oscillating nozzle is rotationally moved outside the process chamber, the rotation of the semiconductor substrate is stopped, and the chamber shroud is lowered. the method of.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111250357B (en) * 2020-05-06 2020-09-22 山东万物生机械技术有限公司 Material conveying device and using method thereof
TWI821679B (en) * 2020-08-25 2023-11-11 南韓商杰宜斯科技有限公司 Wafer processing apparatus and wafer processing method
CN113941555B (en) * 2021-09-14 2022-08-26 苏州迈为科技股份有限公司 Water splashing prevention structure of coating barrel appearance
KR102510761B1 (en) * 2022-08-25 2023-03-16 한국과학기술원 Semiconductor wafer inspection apparatus

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10172945A (en) * 1996-12-09 1998-06-26 Nittetsu Semiconductor Kk Wafer cleaning device
JPH10242115A (en) * 1997-02-28 1998-09-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Etching apparatus
JP2003266028A (en) * 2002-03-18 2003-09-24 Sharp Corp Washing apparatus and washing method
JP2006012881A (en) * 2004-06-22 2006-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processor and substrate processing method
JP2008022010A (en) * 2006-07-12 2008-01-31 Semes Co Ltd Substrate treatment device and substrate treatment method
JP2010050226A (en) * 2008-08-20 2010-03-04 Shibaura Mechatronics Corp Substrate processing apparatus and method
JP2016072343A (en) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing means

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2648638B2 (en) * 1990-11-30 1997-09-03 三菱マテリアル株式会社 Wafer bonding method and apparatus
US20030192570A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
JP2006030483A (en) * 2004-07-14 2006-02-02 Tokyo Electron Ltd Rinsing method and development processing method
US20060042664A1 (en) * 2004-08-30 2006-03-02 Vishwas Hardikar Apparatus and method for removing a liquid from a rotating substrate surface
JP5646354B2 (en) * 2011-01-25 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP5708506B2 (en) * 2011-04-20 2015-04-30 東京エレクトロン株式会社 Processing equipment
CN110060925B (en) * 2014-03-28 2023-02-17 株式会社斯库林集团 Substrate processing method
CN105289923A (en) 2014-05-30 2016-02-03 盛美半导体设备（上海）有限公司 Wafer gumming machine and gumming method
CN204216011U (en) * 2014-10-23 2015-03-18 北京七星华创电子股份有限公司 Silicon chip cleaning device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10172945A (en) * 1996-12-09 1998-06-26 Nittetsu Semiconductor Kk Wafer cleaning device
JPH10242115A (en) * 1997-02-28 1998-09-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Etching apparatus
JP2003266028A (en) * 2002-03-18 2003-09-24 Sharp Corp Washing apparatus and washing method
JP2006012881A (en) * 2004-06-22 2006-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processor and substrate processing method
JP2008022010A (en) * 2006-07-12 2008-01-31 Semes Co Ltd Substrate treatment device and substrate treatment method
JP2010050226A (en) * 2008-08-20 2010-03-04 Shibaura Mechatronics Corp Substrate processing apparatus and method
JP2016072343A (en) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing means

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