JP2019531307A5 - - Google Patents

Description

適切な構成では、溶融結晶化装置は、晶析空間を有し、この晶析空間は、晶析空間内に分別される溶融物を導入するための供給ライン、晶析空間内の溶融物の温度を測定するための温度センサー、並びに導入された溶融鏡像異性体混合物及び／又はそこから部分的に形成された晶析物の温度を変化させるための温度制御デバイスを有し、
弁で閉塞可能であり晶析空間に接続され、且つ旋光計が内部に配置され又はバイパス管を介して旋光計に接続される、放流管、
任意選択で、放流管内の溶融物の温度を測定するために、放流管内に配置された温度センサー、
放流管内に配置され、且つ放流管と、生成した溶融物を受容するための少なくとも２つの容器とに接続された弁ブロック、並びに
温度センサー、旋光計、温度制御デバイス、及び弁ブロックにデータで連結され、晶析空間及び／又は弁ブロック内の固相及び液相の温度が制御可能である、制御ユニットを有する。

本発明はさらに、図２の概略形態で例示的に示されるような、結晶化のための空間（１）を有する溶融結晶化装置に関し、この装置は、
晶析空間（１）内に分別される溶融鏡像異性体混合物を導入するための供給ライン（７）、晶析空間（１）内の溶融物の温度を測定するための温度センサー（１１）、
及び導入された溶融鏡像異性体混合物及びそこから部分的に形成された晶析物の温度を変化させるための温度制御デバイス（１０）
を有し、
溶融結晶化装置はさらに、弁（１３）で閉塞可能であり晶析空間に接続され、且つ旋光計（９）が内部に配置され又は旋光計（９）がバイパス管を介して接続される、放流管（２）、
任意選択で、放流管（２）内に、好ましくは旋光計（９）に対して空間的に近位に配置された、例えば旋光計（９）の上流に配置された、放流管内の溶融物の温度を測定するための温度センサー（８）、
放流管（２）内に、好ましくは旋光計（９）の下流に配置され、放流管（２）に、及び生成した溶融物を受容するための少なくとも２つの緩衝容器（４）、（６）に、任意選択で発汗画分用の緩衝容器（５）に接続された、弁ブロック（６）を備え、
温度センサー（８）、（１１）、旋光計（９）、温度制御デバイス（１０）、及び弁ブロック（３）にデータで連結され、晶析空間及び／又は弁ブロック内の固相及び液相の温度が制御可能である、制御ユニット（１２）を有する。

本発明による方法は、出発ＥＥ値の変動に対しても堅牢である。このように、表２は、晶析器に当初から充填される供給原料のＥＥ値も列挙する。供給原料のＥＥ値の変動にも関わらず、発汗試料のＥＥ値と晶析物のＥＥ値との間を関連付けることができる。

本発明は例えば以下の態様を含む。
［項１]
溶融結晶化装置内での分別溶融結晶化により、鏡像異性体混合物から鏡像異性体を濃縮する方法であって、
ｉ）晶析物及び溶融母液を得て、前記溶融母液を前記晶析物から除去して、溶融母液画分をもたらす結晶化ステップ、
ｉｉ）ステップｉ）で得られた前記晶析物の発汗を行って、溶融発汗画分及び発汗済み晶析物をもたらすステップ、及び
ｉｉｉ）その後に前記発汗済み晶析物を溶融して、溶融晶析物画分をもたらすステップ
を備え、
少なくとも前記発汗画分の旋光度が、旋光計を使用してオンラインで決定され、ステップｉｉ）からステップｉｉｉ）への移行が、少なくとも１つの制御ユニットを用いてオンラインで制御される、方法。
［項２］
ステップｉｉ）からステップｉｉｉ）への前記移行を制御するために、
（ａ）前記発汗画分の旋光度に関する目標値を指定し、
（ｂ）前記発汗画分の旋光度に関する、実測値と目標値との最大許容制御差を指定し、
（ｃ）前記発汗画分の旋光度に関する実測値を決定し、
（ｄ）前記制御ユニットが、前記目標値へ到達してから、実測値と目標値との前記最大許容制御差へ到達するまでに、ステップｉｉ）からステップｉｉｉ）への移行を行う、
項１に記載の方法。
［項３］
実測値と目標値との前記最大許容制御差が、前記旋光計の測定セルの長さ１ｄｍ、温度２５℃、及び用いられた波長５８９ｎｍに関して、０．３°以下である、項２に記載の方法。
［項４］
前記溶融結晶化装置が、ステップｉ）からｉｉｉ）で生成した溶融物用の放流管を備え、前記旋光計が、放流管内に直接配置されており、又は前記旋光計が、バイパス管を介して放流管と接続されている、項１から３のいずれかに記載の方法。
［項５］
前記制御ユニットが、前記放流管内に配置され、且つ前記放流管と、前記生成した溶融物を受容するための少なくとも２つの容器とに接続された、弁ブロックを制御する、項４に記載の方法。
［項６］
前記溶融結晶化装置が、
−分別される溶融鏡像異性体混合物を晶析空間内に導入するための供給ライン、晶析空間内の溶融物の温度を測定するための温度センサー、並びに導入された溶融鏡像異性体混合物及び／又はそれから部分的に形成された晶析物の温度を変化させるための温度制御デバイス、を有する前記晶析空間、
−弁で閉塞可能であり、前記晶析空間に接続され、且つ前記旋光計が内部に配置され又は前記旋光計がバイパス管を介して接続される、放流管、
−任意選択で、前記放流管内の前記溶融物の温度を測定するために、前記放流管内に配置された、温度センサー、
−前記放流管内に配置され、且つ前記放流管と、前記生成した溶融物を受容するための少なくとも２つの容器とに接続された、弁ブロック、並びに
−前記温度センサー、前記旋光計、前記温度制御デバイス、及び弁ブロックにデータで連結され、前記晶析空間内及び／又は前記弁ブロック内の固相及び液相の温度を制御可能である、制御ユニット
を有する、項１から５のいずれかに記載の方法。
［項７］
特徴ｘ１）からｘ６）、即ち
ｘ１）少なくとも１つの制御ユニットが、好ましくは前記旋光計にデータで連結され、
ｘ２）前記溶融結晶化が、層状結晶化として行われ、
ｘ３）前記溶融結晶化が、冷却表面での静的層状結晶化として行われ、
ｘ４）前記溶融結晶化が、流下膜結晶化として行われ、
ｘ５）分別される前記鏡像異性体混合物が、ラセミ組成を有しておらず、
ｘ６）分別される前記鏡像異性体混合物が、ラセミ集塊物を形成し得る
ことのうち、少なくとも１つを有する、項１から６のいずれかに記載の方法。
［項８］
分別される前記鏡像異性体混合物が、キラルテルペンの、特にキラルモノテルペンの鏡像異性体の混合物である、項１から７のいずれかに記載の方法。
［項９］
前記キラルモノテルペンが、イソプレゴール、特にＤ／Ｌ−イソプレゴールである、項８に記載の方法。
［項１０］
少なくとも１０％ＥＥ、特に１２．５％ＥＥから９９％ＥＥの範囲にある、前記鏡像異性体の１種の鏡像体過剰率を有するＤ−イソプレゴール及びＬ−イソプレゴールの混合物が、分別される鏡像異性体混合物として用いられる、項９に記載の方法。
［項１１］
−晶析空間（１）内に分別される溶融鏡像異性体混合物のための供給ライン（７）、
−前記晶析空間（１）内の溶融鏡像異性体混合物の温度を測定するための温度センサー（１１）、
−並びに、導入された溶融鏡像異性体混合物及びそれから部分的に形成された晶析物の温度を変化させるための温度制御デバイス（１０）
を有している前記晶析空間（１）を有する溶融結晶化装置であって、
前記溶融結晶化装置がさらに、
−弁（１３）で閉塞可能であり、前記晶析空間に接続され、且つ旋光計（９）が内部に配置され又は旋光計（９）がバイパス管を介して接続される、放流管（２）、
−任意選択で、前記放流管内の溶融物の温度を測定するために、前記放流管（２）内に、好ましくは前記旋光計（９）に対して空間的に近位に配置された、温度センサー（８）、
−前記放流管（２）内に、好ましくは前記旋光計（９）の下流に配置され、前記放流管（２）と、生成した溶融物を受容するための少なくとも２つの緩衝容器（４）、（６）とに接続された、弁ブロック（３）
を備え、
前記温度センサー（８）、（１１）、前記旋光計（９）、前記温度制御デバイス（１０）、及び前記弁ブロック（３）にデータで連結され、前記晶析空間内及び／又は前記弁ブロック内の固相及び液相の温度を制御可能である制御ユニット（１２）を有する、
溶融結晶化装置。
［項１２］
流下膜晶析器又は静的層状晶析器として構成される、項１１に記載の溶融結晶化装置。
［項１３］
Ｌ−又はＤ−鏡像異性体に関して濃縮されたイソプレゴールを生成する方法であって、項１から１０の一項にしたがってイソプレゴールのＤ−及びＬ−鏡像異性体の非ラセミ混合物を分別溶融結晶化することを含む方法。
［項１４］
少なくとも１０％ＥＥ、特に１２．５％ＥＥから９９％ＥＥの範囲にある、前記鏡像異性体の１種の鏡像体過剰率を有する、Ｄ−イソプレゴール及びＬ−イソプレゴールの混合物が用いられる、項１３に記載の方法。
［項１５］
Ｉ）項１３又は１４のいずれかに記載の方法によって、前記Ｌ−又はＤ−鏡像異性体に関して濃縮されたイソプレゴールを与えるステップ、及び
ＩＩ）ステップＩ）で得られた前記Ｌ−又はＤ−鏡像異性体に関して濃縮された前記イソプレゴールを、水素化するステップ
を含む、メントールを生成する方法。

Claims (15)

1. 溶融結晶化装置内での分別溶融結晶化により、鏡像異性体混合物から鏡像異性体を濃縮する方法であって、
   ｉ）晶析物及び溶融母液を得て、前記溶融母液を前記晶析物から除去して、溶融母液画分をもたらす結晶化ステップ、
   ｉｉ）ステップｉ）で得られた前記晶析物の発汗を行って、溶融発汗画分及び発汗済み晶析物をもたらすステップ、及び
   ｉｉｉ）その後に前記発汗済み晶析物を溶融して、溶融晶析物画分をもたらすステップ
   を備え、
   少なくとも前記発汗画分の旋光度が、旋光計を使用してオンラインで決定され、ステップｉｉ）からステップｉｉｉ）への移行が、少なくとも１つの制御ユニットを用いてオンラインで制御される、方法。
2. ステップｉｉ）からステップｉｉｉ）への前記移行を制御するために、
   （ａ）前記発汗画分の旋光度に関する目標値を指定し、
   （ｂ）前記発汗画分の旋光度に関する、実測値と目標値との最大許容制御差を指定し、
   （ｃ）前記発汗画分の旋光度に関する実測値を決定し、
   （ｄ）前記制御ユニットが、前記目標値へ到達してから、実測値と目標値との前記最大許容制御差へ到達するまでに、ステップｉｉ）からステップｉｉｉ）への移行を行う、
   請求項１に記載の方法。
3. 実測値と目標値との前記最大許容制御差が、前記旋光計の測定セルの長さ１ｄｍ、温度２５℃、及び用いられた波長５８９ｎｍに関して、０．３°以下である、請求項２に記載の方法。
4. 前記溶融結晶化装置が、ステップｉ）からｉｉｉ）で生成した溶融物用の放流管を備え、前記旋光計が、放流管内に直接配置されており、又は前記旋光計が、バイパス管を介して放流管と接続されている、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
5. 前記制御ユニットが、前記放流管内に配置され、且つ前記放流管と、前記生成した溶融物を受容するための少なくとも２つの容器とに接続された、弁ブロックを制御する、請求項４に記載の方法。
6. 前記溶融結晶化装置が、
   −分別される溶融鏡像異性体混合物を晶析空間内に導入するための供給ライン、晶析空間内の溶融物の温度を測定するための温度センサー、並びに導入された溶融鏡像異性体混合物及び／又はそれから部分的に形成された晶析物の温度を変化させるための温度制御デバイス、を有する前記晶析空間、
   −弁で閉塞可能であり、前記晶析空間に接続され、且つ前記旋光計が内部に配置され又は前記旋光計がバイパス管を介して接続される、放流管、
   −任意選択で、前記放流管内の前記溶融物の温度を測定するために、前記放流管内に配置された、温度センサー、
   −前記放流管内に配置され、且つ前記放流管と、前記生成した溶融物を受容するための少なくとも２つの容器とに接続された、弁ブロック、並びに
   −前記温度センサー、前記旋光計、前記温度制御デバイス、及び弁ブロックにデータで連結され、前記晶析空間内及び／又は前記弁ブロック内の固相及び液相の温度を制御可能である、制御ユニット
   を有する、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
7. 特徴ｘ１）からｘ６）、即ち
   ｘ１）少なくとも１つの制御ユニットが、前記旋光計にデータで連結され、
   ｘ２）前記溶融結晶化が、層状結晶化として行われ、
   ｘ３）前記溶融結晶化が、冷却表面での静的層状結晶化として行われ、
   ｘ４）前記溶融結晶化が、流下膜結晶化として行われ、
   ｘ５）分別される前記鏡像異性体混合物が、ラセミ組成を有しておらず、
   ｘ６）分別される前記鏡像異性体混合物が、ラセミ集塊物を形成し得る
   ことのうち、少なくとも１つを有する、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
8. 分別される前記鏡像異性体混合物が、キラルテルペンの鏡像異性体の混合物である、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
9. 前記キラルテルペンが、イソプレゴールである、請求項８に記載の方法。
10. 少なくとも１０％ＥＥの、前記鏡像異性体の１種の鏡像体過剰率を有するＤ−イソプレゴール及びＬ−イソプレゴールの混合物が、分別される鏡像異性体混合物として用いられる、請求項９に記載の方法。
11. −晶析空間（１）内に分別される溶融鏡像異性体混合物を導入するための供給ライン（７）、
    −前記晶析空間（１）内の溶融鏡像異性体混合物の温度を測定するための温度センサー（１１）、
    −並びに、導入された溶融鏡像異性体混合物及びそれから部分的に形成された晶析物の温度を変化させるための温度制御デバイス（１０）
    を有している前記晶析空間（１）を有する溶融結晶化装置であって、
    前記溶融結晶化装置がさらに、
    −弁（１３）で閉塞可能であり、前記晶析空間に接続され、且つ旋光計（９）が内部に配置され又は旋光計（９）がバイパス管を介して接続される、放流管（２）、
    −任意選択で、前記放流管内の溶融物の温度を測定するために、前記放流管（２）内に配置された、温度センサー（８）、
    −前記放流管（２）内に配置され、前記放流管（２）と、生成した溶融物を受容するための少なくとも２つの緩衝容器（４）、（６）とに接続された、弁ブロック（３）
    を備え、
    前記温度センサー（８）、（１１）、前記旋光計（９）、前記温度制御デバイス（１０）、及び前記弁ブロック（３）にデータで連結され、前記晶析空間内及び／又は前記弁ブロック内の固相及び液相の温度を制御可能である制御ユニット（１２）を有する、
    溶融結晶化装置。
12. 流下膜晶析器又は静的層状晶析器として構成される、請求項１１に記載の溶融結晶化装置。
13. Ｌ−又はＤ−鏡像異性体に関して濃縮されたイソプレゴールを生成する方法であって、請求項１から１０のいずれか一項にしたがってイソプレゴールのＤ−及びＬ−鏡像異性体の非ラセミ混合物を分別溶融結晶化することを含む方法。
14. 少なくとも１０％ＥＥの、前記鏡像異性体の１種の鏡像体過剰率を有する、Ｄ−イソプレゴール及びＬ−イソプレゴールの混合物が用いられる、請求項１３に記載の方法。
15. Ｉ）請求項１３又は１４のいずれかに記載の方法によって、前記Ｌ−又はＤ−鏡像異性体に関して濃縮されたイソプレゴールを与えるステップ、及び
    ＩＩ）ステップＩ）で得られた前記Ｌ−又はＤ−鏡像異性体に関して濃縮された前記イソプレゴールを、水素化するステップ
    を含む、メントールを生成する方法。