JP2019525683A - 誘導結合フィルタ及びワイヤレス・フィデリティＷｉＦｉモジュール - Google Patents
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Abstract
本発明の実施形態は、誘導結合フィルタ及びＷｉＦｉモジュールを提供する。誘導結合フィルタは、第１基板上に配置される第１回路と、第２基板上に配置される第２回路とを含み、第１基板及び第２基板はお互いに向かい合って配置され、第１回路におけるコイル・インダクタ及び第２回路におけるコイル・インダクタが相互誘導構造を形成するようにする。本発明の実施形態における誘導結合フィルタにおいて、コイル・インダクタは、２つの基板上に夫々配置される。これは、各パッケージ構造において誘導結合フィルタによって占有される面積を減らすことができる。
Description
本発明は、フィルタ技術の分野に、より具体的には、誘導結合フィルタ及びＷｉＦｉモジュールに関係がある。
システム・パッケージング技術の発展とともに、抵抗器、キャパシタ、又はインダクタのような受動デバイスは、シリコンベースの表面、ガラスベースの表面、又は他の表面上に、半導体プロセス及び薄膜蒸着技術を使用することによって製造され得る。半導体プロセス及び薄膜蒸着技術によれば、十分に細い（最小線幅：０．１μｍ乃至０．３μｍ）線及び十分に小さい線間隔を有するパターンが形成され得る。受動デバイスが接続された後、高周波ＬＣフィルタがシリコンベース又はガラスベースの表面上に実装され得る。典型的な適用は、誘導結合フィルタである。誘導結合フィルタの特徴は、相互インダクタンス値が、比較的に優れた抑制効果を得るように、フィルタの極位置を調整するよう調整され得ることである。誘導結合フィルタは、通常、少なくとも２つの隣接するコイル・インダクタを含む。フィルタの性能は、コイル・インダクタ間で生成される相互インダクタンスに基づき調整される。先行技術の誘導結合フィルタにおいて、コイル・インダクタは、同じパッケージ基板表面上で隣接して配置され、必要とされる相互インダクタンスは、コイル・インダクタのインダクタンス値、コイル・インダクタ間の距離、などを調整することによって得られる。しかし、全てのコイル・インダクタがパッケージ基板表面上に配置される場合には、比較的広い面積が占有される。これは、フィルタの小型化及び低コスト要件を満たさない。
本願は、各パッケージ基板においてコイル・インダクタによって占有される面積を減らすよう、誘導結合フィルタ及びＷｉＦｉモジュールを提供する。
第１の態様に従って、誘導結合フィルタであって、第１基板上に配置される第１回路と、第２基板上に配置される第２回路とを有し、前記第１基板及び前記第２基板はお互いに向かい合って配置され、前記第１回路におけるコイル・インダクタ及び前記第２回路におけるコイル・インダクタが計器用変成器を形成するようにする、前記誘導結合フィルタが提供される。
先行技術において、誘導結合フィルタにおけるインダクタは、全てが同じパッケージ基板表面に位置する。複数のインダクタが同じパッケージ基板表面に配置される場合には、比較的広い面積が必然的に占有される。先行技術において全てのコイル・インダクタを同じ基板表面に配置することと比べて、本願においてコイル・インダクタを２つの基板に夫々配置することは、各パッケージ基板において誘導結合フィルタによって占有される面積を減らすことができる。
第１の態様を参照して、第１の態様の第１の実施において、当該誘導結合フィルタは、前記第１基板及び前記第２基板を接続する金属接続構造を更に含む。
第１の態様の第１の実施を参照して、第１の態様の第２の実施において、前記金属接続構造は、前記第１回路及び前記第２回路を接続する線を含む。
第１の態様、又は第１の態様の第１及び第２の実施のうちのいずれか１つを参照して、第１の態様の第３の実施において、前記第１回路におけるコイル・インダクタ及び前記第２回路におけるコイル・インダクタは両方とも、少なくとも２つの金属層を含む。
第１の態様、又は第１の態様の第１乃至第３の実施のうちのいずれか１つを参照して、第１の態様の第４の実施において、前記第１基板及び／又は前記第２基板は、シリコン材料、ガラス材料、又はセラミック材料のうちの少なくとも１つから作られる。
第１の態様、又は第１の態様の第１乃至第４の実施のうちのいずれか１つを参照して、第１の態様の第５の実施において、前記第１回路におけるコイル・インダクタ及び／又は前記第２回路におけるコイル・インダクタは、長方形、円形、又は多角形形状である。
第１の態様、又は第１の態様の第１乃至第４の実施のうちのいずれか１つを参照して、第１の態様の第６の実施において、前記第１回路及び／又は前記第２回路は、キャパシタ及び抵抗器を更に含む。
第１の態様、又は第１の態様の第１乃至第６の実施のうちのいずれか１つを参照して、第１の態様の第７の実施において、前記第１基板及び／又は前記第２基板は、複数の集積受動デバイスＩＰＤ基板／１つの集積受動デバイスＩＰＤ基板である。
第２の態様に従って、ＷｉＦｉモジュールが提供され、該ＷｉＦｉモジュールは、第１の態様における誘導結合フィルタを含む。
前述の実施のいくつかにおいて、誘導結合フィルタはＲＦモジュールに適用される。ＲＦモジュールはＷｉＦｉモジュールであってよい。
前述の実施のいくつかにおいて、金属接続構造は金属バンプ接続構造であり、金属バンプ接続構造ははんだバンプ又は電気めっきはんだである。
前述の実施のいくつかにおいて、金属接続構造は金属バンプ接続構造であり、金属バンプ接続構造は、第１基板及び第２基板を支え接続する機能を備え、金属バンプ接続構造の部分構造は、第１回路及び第２回路を接続するよう構成される。
前述の実施のいくつかにおいて、第１基板と第２基板との間の距離は調整可能である。誘導結合フィルタの相互インダクタンス値は、第１基板と第２基板との間の距離を調整することによって調整され得る。
本発明の実施形態における技術的解決法をより明りょうに記載するよう、以下は、本発明の実施形態を記載するために必要とされる添付の図面について簡単に説明する。明らかに、以下の説明における添付の図面は、単に本発明のいくつかの実施形態を示し、当業者は、創造的な努力なしでそれらの添付の図面から他の図面を依然として導き出し得る。
システム・パッケージング技術の発展とともに、多くの注意が、半導体プロセスを使用することによってシリコンベース又はガラスベースの表面に実装される受動集積技術に払わされている。インダクタ、キャパシタ、又は抵抗器のような受動モジュールは、受動集積技術を使用することによってシリコン・チップ又はガラス・ウェハ上に製造され得る。具体的に、ウェハ・レベル半導体プロセスは、細線間の相互接続を実装するよう、シリコン・チップにおいて使用され得る。しかし、シリコン基台及びシリコン基台の表面上の金属積層の限界のために、旧来の方法を使用することによってシリコン基台に製造されるスパイラル・インダクタのＱ値は制限される。高インピーダンスのシリコンが使用され、コイル金属の厚さが１０μｍを超える場合に、Ｑ値が５０よりも大きいことは、極めて困難である。現在、シリコン基台に誘導結合フィルタを実装するステップは、次の通りである。
Ｓ１０１：設計インジケータに従って、対応する集中定数回路を決定する。設計インジケータは、中心周波数、帯域幅、通過帯域の挿入損失、フィルタの帯域外減衰、などを含む。
Ｓ１０２：適切なＬＣフィルタ伝達関数、例えば、チェビシェフ・フィルタ又はバターワース・フィルタを選択する。
Ｓ１０３：抑制要件に従って、フィルタのための適切な次数を選択する。
Ｓ１０４：フィルタの中心周波数又は帯域幅のようなインジケータに従って、フィルタに含まれる構成要素の特定のパラメータを決定する。
Ｓ１０５：シリコンベースの表面上で、必要とされる受動インダクタ及びキャパシタのレイアウトを適切に設計し、電気接続を実装し、最後に、薄膜蒸着、金属スパッタリング、電気めっき、フォトエッチング、及びエッチングのような一連の半導体プロセスを使用することによって構造体を製造する。
先行技術における誘導結合フィルタは、同じシリコン基板上に通常は製造される。フィルタに含まれる抵抗器、キャパシタ、及びコイル・インダクタのような受動デバイスは、同じシリコン基板上に位置し、フィルタは、少なくとも２つのコイル・インダクタを含む。相互インダクタンス値は、少なくとも２つのコイル・インダクタ間の距離、及び各インダクタのＬ値を調整することによって、調整され得る。時々、比較的大きい相互インダクタンスを得るよう、比較的大きいインダクタンス値を有するコイル・インダクタが使用される必要がある。しかし、比較的大きいインダクタンス値を有するコイル・インダクタは、シリコンベースの基板上で比較的広い面積を占有する。これは、フィルタの小型化及び低コスト要件を満たさない。これを考慮して、本発明の実施形態は誘導結合フィルタを提供する。誘導結合フィルタは、第１基板及び第２基板に夫々位置する第１回路及び第２回路を含む。第１基板及び第２基板はお互いに向かい合って配置され、第１回路におけるコイル・インダクタ及び第２回路におけるコイル・インダクタが計器用変成器を形成するようにする。コイル・インダクタは、各基板上で占有される面積を減らすよう、異なる基板に配置される。以下は、図１から図７を参照して、本発明のこの実施形態における誘導フィルタについて詳細に記載する。
図１は、本発明のこの実施形態に従う誘導結合フィルタの略構造図である。誘導結合フィルタは、第１基板（１００）に配置された第１回路と、第２基板（２００）に配置された第２回路とを含む。第１回路及び第２回路は両方ともがコイル・インダクタを含む。第１基板及び第２基板はお互いに向かい合って配置され、第１回路におけるコイル・インダクタ及び第２回路におけるコイル・インダクタが相互誘導構造３００を形成するようにする。具体的に、第１回路は第１コイル・インダクタを含んでよく、第２回路は第２コイル・インダクタを含む。第１コイル・インダクタ及び第２コイル・インダクタは、相互インダクタンスを生成するよう、お互いに向かい合って配置される。第１コイル・インダクタ及び第２コイル・インダクタのインダクタンス値、第１コイル・インダクタと第２コイル・インダクタとの間の距離、並びに第１コイル・インダクタと第２コイル・インダクタとの間の相対位置は全て、誘導結合フィルタの要件に従って調整され得ることが理解されるべきである。このようにして、相互インダクタンスは、誘導結合フィルタの伝達零点を柔軟に調整するよう調整され得る。
その上、第１回路及び第２回路は両方とも、２つ以上のコイル・インダクタを含んでよい。この場合に、第１回路における複数のコイル・インダクタ及び第２回路における複数のコイルは、複数の計器用変成器を形成してよく、あるいは、第１回路における複数のコイル・インダクタ及び第２回路における複数のコイル・インダクタは、１つの計器用変成器を形成する。本発明のこの実施形態における誘導結合フィルタにおいて、コイル・インダクタの量及び計器用変成器の量は制限されない。図２に示されるように、第１基板１００上の第１回路は、２つのコイル・インダクタを含み、第２基板２００上の第２回路も、２つのコイル・インダクタを含み、第１回路におけるコイル・インダクタ及び第２回路におけるコイル・インダクタは、２つの相互誘導構造３００を形成する。
第１回路は、誘導結合フィルタの他の構成要素、例えば、抵抗器又はキャパシタを更に含んでよく、あるいは、コイル・インダクタしか含まなくてもよく、結合フィルタに含まれる他のコンポーネントは全て、第２回路に分布することが理解されるべきである。同様に、第２回路は、誘導結合フィルタの構成要素、例えば、抵抗器又はキャパシタを更に含んでよく、あるいは、コイル・インダクタしか含まなくてもよく、結合フィルタに含まれる他のコンポーネントは全て、第１回路に分布する。
図１及び図２に示されるように、誘導結合フィルタは、第１基板及び第２基板を接続する金属接続構造１１６を更に含む。金属接続構造１１６は、第１基板及び第２基板を接続するよう構成される。任意に、金属接続構造１１６は、第１回路及び第２回路を更に接続してよい。金属接続構造の一部は、第１回路及び第２回路を接続するよう構成されてよい。この場合に、金属接続構造は、第１回路及び第２回路を接続する線と同等であり、すなわち、金属接続構造は、第１回路及び第２回路を接続する線を含む。任意に、金属接続構造は、具体的に、金属ビア、はんだバンプ、電気めっきはんだ、などであってよい。
第１基板又は第２基板は、シリコン材料、ガラス材料、又はセラミック材料のうちの少なくとも１つから作られてよい。第１回路又は第２回路におけるコイル・インダクタは、平面スパイラル・インダクタであってよい。
先行技術において全てのコイル・インダクタを同じ基板表面に配置することと比べて、本発明のこの実施形態においてコイル・インダクタを２つの基板に夫々配置することは、各基板において誘導結合フィルタによって占有される面積を減らすことができる。
任意に、実施形態において、本発明のこの実施形態における誘導結合フィルタは、二次又はそれより高次のフィルタであってよい。本発明のこの実施形態における誘導結合フィルタが二次フィルタである場合に、第１回路及び第２回路は両方ともコイル・インダクタを含み、２つのコイル・インダクタが計器用変成器を形成し、あるいは、本発明のこの実施形態における誘導結合フィルタが二次よりも高いフィルタである場合に、第１回路及び第２回路は両方とも複数のコイル・インダクタを含み、第１回路における複数のコイル・インダクタ及び第２回路における複数のコイル・インダクタが複数の計器用変成器を形成することが理解されるべきである。
任意に、実施形態において、第１基板又は第２基板は、代替的に複合基板であってよい。
任意に、実施形態において、第１回路におけるコイル・インダクタ及び／又は第２回路におけるコイル・インダクタは、２つの金属層を含む。
任意に、実施形態において、第１回路におけるコイル・インダクタ及び／又は第２回路におけるコイル・インダクタは、長方形、円形、又は多角形形状である。
任意に、実施形態において、第１回路及び／又は第２回路は、キャパシタ及び抵抗器を更に含む。
任意に、実施形態において、第１基板及び／又は第２基板は、複数の集積受動デバイス（Integrated Passive Devices，ＩＰＤ）基板／１つの集積受動デバイス（Integrated Passive Devices，ＩＰＤ）基板である。ＩＰＤ基板は比較的薄いので、第１基板及び第２基板が両方ともＩＰＤ基板である場合に、第１基板及び第２基板が一方を他方の上に積み重ねられた後にもたらされる容量変化は比較的小さく、通常は無視され得ることが理解されるべきである。
任意に、本発明のこの実施形態における誘導結合フィルタは、様々なタイプのＲＦモジュール、例えば、ワイヤレス・フィデリティ（Wireless Fidelity，ＷｉＦｉ）モジュールの小型化集積のために使用されてよい。
本発明のこの実施形態における誘導結合フィルタは、ＩＰＤ技術を使用することによって製造されてよいことが理解されるべきである。すなわち、キャパシタ、インダクタ、及び抵抗器は、半導体プロセス及び技術を使用することによってシリコン基台のような基板上に製造されてよく、それらのデバイスが接続された後に、誘導結合フィルタは製造され得る。集積受動デバイス（Integrated Passive Devices，ＩＰＤ）技術は、コンパクトなＩＰＤ製品を提供するために、複数の電子機能、例えば、センサ、ＲＦトランシーバ、微小電気機械システム、電力増幅器、電力供給管理ユニット、デジタル・プロセッサを一体化するよう使用され得る。ＩＰＤ技術は、製品を小型化し且つシステム性能を改善するよう使用され得る。従って、集積受動デバイス技術は、製品のサイズ及び重さを低減することにおいて、且つ、既存の製品の容量を変えることなく機能を増やすことにおいて、大きな役割を果たすことができる。具体的に、ＩＰＤ技術を使用することによってシリコン基台に製造される、フィルタを含む受動モジュールは、高い信頼性、コンパクトな構造、及び低コストといった利点を備える。ＩＰＤ技術は、無線周波数通信システムにうまく適用され得、大部分は、フィルタを製造するよう旧来の低温同時焼成セラミック（Low Temperature Co-fired Ceramic，ＬＴＣＣ）技術の代わりに使用され得る。ＩＰＤ技術は、高周波フィルタを製造するために使用されるのに比較的適しており、具体的に、ＷｉＦｉモジュールにおける高周波フィルタを製造するために使用されてよい。
ＩＰＤ技術を使用することによって本発明のこの実施形態における誘導結合フィルタを含む受動モジュールを製造するプロセスにおいて、２つの異なる基板（例えば、第１基板及び第２基板）上の２つのコイル・インダクタ又は複数のコイル・インダクタが、上下層で結合された構造を形成し、そして、比較的強い交差結合が得られるように、空間の限られた面積が利用され得る。
本発明のこの実施形態における誘導結合フィルタの抵抗器、キャパシタ、又はコイル・インダクタの断面構造は、図３に示され得る。図中の参照符号の意味は、次の通りである。１０１は、高インピーダンスのシリコン材料基板を表し、１０２は、二酸化ケイ素層を表し、１０３は、第１絶縁媒質及びパッシベーション層を表し、１０４は、第２絶縁媒質及びパッシベーション層を表し、１０５は、抵抗材料を表し、１０６は、窒化ケイ素を表し、１０７は、抵抗器の導出電極を表し、１０８は、キャパシタ構造の下側プレートを表し、１０９は、キャパシタ構造の上側プレートを表し、１１０は、キャパシタの媒質層を表し、１１１は、キャパシタの下側プレート上のけい化タンタル（ＴａＳｉ）層を表し、１１２は、キャパシタの導出層を表し、１１３は、第１インダクタの金属層を表し、１１４は、インダクタ金属ビアを表し、１１５は、第２インダクタの金属層を表す。抵抗材料はＴａＳｉであってよい。
本発明の実施形態はＷｉＦｉモジュールを更に提供する。ＷｉＦｉモジュールは、前述の誘導結合フィルタを含む。ＷｉＦｉモジュールの動作周波数は更に、２．４〜２．５ＧＨｚ及び５．０ＧＨｚであってよい。
図４から図６を参照して、以下は、パッケージ基板上にパッケージ化されたＷｉＦｉモジュールを一例として使用することによって、本発明のこの実施形態におけるＷｉＦｉモジュールについて詳細に記載する。
ＷｉＦｉに関する帯域通過フィルタの設計インジケータが、一例として使用される。帯域通過の範囲は２４００〜２５００ＭＨｚである。図４は、結合構造を使用することによって形成されたフィルタの典型的な集中定数回路を示す。図４におけるコイル・インダクタ１及びコイル・インダクタ２は、本発明のこの実施形態における誘導結合フィルタの第１コイル・インダクタ及び第２コイル・インダクタと夫々同等である。相互インダクタンスがコイル・インダクタ１とコイル・インダクタ２との間に存在するので、フィルタの周波数及びフィルタリング特性は、２つのコイル・インダクタの間の相互インダクタンスの値を制御することによって、最適化され得る。
構成要素は、図４における集中定数回路に従って、高インピーダンスのシリコン材料から成るパッケージ基板上で製造され、図５に示される本発明のこの実施形態におけるＷｉＦｉモジュールの略構造図が得られる。図５において、１００は、コイル・インダクタを有する第１基板を表し、２００は、コイル・インダクタを有する第２基板を表し、１００及び２００におけるコイル・インダクタは相互誘導構造３００を形成し、１００及び２００は金属接続構造１１６を使用することによって接続され、金属接続構造１１６は、キャパシタ及びインダクタのような、第１パッケージ基板及び第２パッケージ基板上のデバイスを接続することができる。３１０は、ＷｉＦｉモジュールに含まれる他の能動デバイスを表し、３１１は、ＷｉＦｉモジュールに含まれる他の受動デバイスを表す。
図６は、本発明のこの実施形態に従う誘導結合フィルタにおけるコイル・インダクタの略構造図である。図６のコイル・インダクタは、誘導結合フィルタのコイル・インダクタであり、図５に示される基板１００又は２００に配置されてよい。図６は、コイル・インダクタの主図及び断面図を含む。コイル・インダクタは２つの金属層を含む。主図において、３０１は、インダクタの入力ポートを表し、３０２は、インダクタの出力ポートを表し、３０３は、インダクタの上側金属層及び下側金属層を表し、３０１から３０３までのコイルは、上側層に位置し、３０３から３０２までのコイルは、下側層に位置する。
図６の断面図において、３０３は、具体的に、上側層の金属部分３１５、下側層の金属部分３１３、及び３１３と３１５との間の金属ビア１１４を含む。その上、コイル・インダクタが存在する基板は、高インピーダンスのシリコン材料基板１０１、二酸化ケイ素層１０２、第１絶縁媒質及びパッシベーション層１０３、並びに第２絶縁媒質及びパッシベーション層１０４を更に含む。
図６に示されるコイル・インダクタにおいて、３０１から３０３までのコイルは３１５へ接続され、３０３から３０２までのコイルは３１３へ接続され、３１３及び３１５は１１４を使用することによって接続される。このようにして、コイル・インダクタの上下層のコイルは、３０３を使用することによって接続され得る。３０３における３１３、１１４及び３１５は全て同じ基板に位置するが、図１及び図２の１１６が２つの基板の間に位置し、２つの基板を接続するために使用されることが理解されるべきである。
上記は、図１から図６を参照して、本発明のこの実施形態における誘導結合フィルタについて記載する。以下は、図７を参照して、本発明のこの実施形態における誘導結合フィルタを製造するプロセスについて簡単に記載する。本発明のこの実施形態における誘導結合フィルタを製造するプロセスは、次の通りである。
Ｓ２０１：誘導結合フィルタの設計インジケータ及び要件に従って、対応する集中定数回路を決定する。
設計インジケータは、中心周波数、帯域幅、通過帯域の挿入損失、フィルタの帯域外減衰、などを含んでよい。
Ｓ２０２：第１パッケージ基板上で、ステップＳ２０１で決定された集中定数回路に従って、対応するパターン・フォトエッチング及びエッチング・プロセスを使用することによって、誘導結合フィルタの抵抗器、キャパシタ、及びインダクタの部分を製造する。
ステップ２０２で得られる抵抗器、キャパシタ、及びインダクタの断面構造は、図３に示される構造であってよい。
Ｓ２０３：第２パッケージ基板の表面上で、誘導結合フィルタの他のデバイスを製造する。第２パッケージ基板上の他のデバイスは、少なくとも１つのインダクタを含む。ステップ２０３で得られる第２基板の断面構造については、図３に示される構造を参照されたい。
Ｓ２０４：コイル・インダクタが適切に交差結合されることを確かにし、それによって、制御可能な伝達零点を実装するように、２つのパッケージ基板上のコイル・インダクタがお互いに向かい合って配置される状態で第１パッケージ基板及び第２パッケージ基板をアセンブルする。
ステップＳ２０１からＳ２０４が実行された後、本発明のこの実施形態における誘導結合フィルタが手に入れられ得る。ステップＳ２０４の後、ＷｉＦｉモジュールの他のチップ及び表面実装デバイスは、パッケージ基板の一方の面又は両面に表面実装され、グルーは、保護のために他のチップ及び表面実装デバイスにコーティングされることが理解されるべきである。次いで、本発明のこの実施形態におけるＷｉＦｉモジュールが手に入れられ得る。
本明細書中の語“及び／又は”は、単に、関連するオブジェクトについて記載する連関関係を記載し、３つの関係が存在し得ることを表す。例えば、Ａ及び／又はＢは、次の３つの場合：Ａのみが存在する，Ａ及びＢの両方が存在する，及びＢのみが存在する、を表し得る。その上、本明細書中の文字“／”は、一般に、関連するオブジェクト間の“論理和”関係を示す。
前述のプロセスの順序番号は、本発明の様々な実施形態における実行順序を意味するわけではないことが理解されるべきである。プロセスの実行順序は、プロセスの機能及び内部ロジックに従って決定されるべきであり、本発明の実施形態の実装プロセスに対する如何なる制限としても解釈されるべきではない。
当業者は承知していると思うが、本明細書で開示される実施形態で記載される例と組み合わせて、ユニット及びアルゴリズム／ステップは、電子ハードウェア又はコンピュータ・ソフトウェアと電子ハードウェアとの組み合わせによって実装されてよい。機能がハードウェア又はソフトウェアによって実行されるかどうかは、技術的解決法の特定の用途及び設計制約条件に依存する。当業者は、夫々の特定の用途のために記載される機能を実装するよう種々の方法を使用してよいが、実装は本発明の適用範囲を越えると考えられるべきではない。
前述の記載は、本発明の具体的な実施にすぎず、本発明の保護範囲を制限するよう意図されない。本発明において開示される技術的範囲内で当業者によって容易に考え付かれる如何なる変形又は置換も、本発明の保護範囲内にあるべきである。従って、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲の保護範囲に従うべきである。
その上、第１回路及び第２回路は両方とも、２つ以上のコイル・インダクタを含んでよい。この場合に、第１回路における複数のコイル・インダクタ及び第２回路における複数のコイル・インダクタは、複数の計器用変成器を形成してよく、あるいは、第１回路における複数のコイル・インダクタ及び第２回路における複数のコイル・インダクタは、１つの計器用変成器を形成する。本発明のこの実施形態における誘導結合フィルタにおいて、コイル・インダクタの量及び計器用変成器の量は制限されない。図２に示されるように、第１基板１００上の第１回路は、２つのコイル・インダクタを含み、第２基板２００上の第２回路も、２つのコイル・インダクタを含み、第１回路におけるコイル・インダクタ及び第２回路におけるコイル・インダクタは、２つの相互誘導構造３００を形成する。
ステップＳ２０２で得られる抵抗器、キャパシタ、及びインダクタの断面構造は、図３に示される構造であってよい。
Ｓ２０３：第２パッケージ基板の表面上で、誘導結合フィルタの他のデバイスを製造する。第２パッケージ基板上の他のデバイスは、少なくとも１つのインダクタを含む。ステップＳ２０３で得られる第２基板の断面構造については、図３に示される構造を参照されたい。
Claims (9)
- 第１基板上に配置される第１回路と、
第２基板上に配置される第２回路と
を有し、
前記第１基板及び前記第２基板はお互いに向かい合って配置され、前記第１回路におけるコイル・インダクタ及び前記第２回路におけるコイル・インダクタが相互誘導構造を形成するようにする、
誘導結合フィルタ。 - 当該誘導結合フィルタは、前記第１基板及び前記第２基板を接続する金属接続構造を更に有する、
請求項１に記載の誘導結合フィルタ。 - 前記金属接続構造は、前記第１回路及び前記第２回路を接続する線を有する、
請求項２に記載の誘導結合フィルタ。 - 前記第１回路におけるコイル・インダクタ及び前記第２回路におけるコイル・インダクタは両方とも、少なくとも２つの金属層を有する、
請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載の誘導結合フィルタ。 - 前記第１基板及び／又は前記第２基板は、シリコン材料、ガラス材料、又はセラミック材料のうちの少なくとも１つから作られる、
請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載の誘導結合フィルタ。 - 前記第１回路におけるコイル・インダクタ及び／又は前記第２回路におけるコイル・インダクタは、長方形、円形、又は多角形形状である、
請求項１乃至５のうちいずれか一項に記載の誘導結合フィルタ。 - 前記第１回路及び／又は前記第２回路は、キャパシタ及び抵抗器を更に有する、
請求項１乃至５のうちいずれか一項に記載の誘導結合フィルタ。 - 前記第１基板及び／又は前記第２基板は、複数の集積受動デバイスＩＰＤ基板／１つの集積受動デバイスＩＰＤ基板である、
請求項１乃至７のうちいずれか一項に記載の誘導結合フィルタ。 - 請求項１乃至８のうちいずれか一項に記載の誘導結合フィルタを有するワイヤレス・フィデリティＷｉＦｉモジュール。
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