JP2019515317A - バイオ分子の測定およびシーケンシングのためのシステムおよび方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2016年4月27日出願の米国仮特許出願第62/328,527号、2016年9月9日出願の米国仮特許出願第62/385,782号、および2016年7月7日出願の米国仮特許出願第62/359,648号(これらのそれぞれが参照により全体として本明細書に組み込まれる)の利益を主張する。
遺伝情報の理解を深めるために、かつ核酸配列検出法およびエピジェネティクスに関する課題を提起するために新しい研究が続けられている。高速なデータの測定および抽出に関する課題が存在する。いくつかの方法は、修飾塩基を介した光学シグナル測定に依拠する。いくつかの方法は、イオン電流測定と天然塩基への特定の修飾とに依拠する。しかしながら、これらの方法は、スピードおよびスループットが不足し得、かつエラー、たとえば位相エラー、光毒性、欠失および反復塩基エラー、ならびにホモポリマーカウントエラーを有し得る。加えて、多くの方法は、クローン増幅または全ゲノム増幅を必要とすることから増幅バイアスを生じ得る。いかなるシステムも、DNA配列およびRNA配列ならびにエピジェネティクスを同時に直接決定することができない。
高精度かつ低コストで天然DNA塩基の高スループットかつ高速な測定を行う必要性が本明細書で認識される。
本明細書に挙げたすべての刊行物、特許および特許出願は、あたかも個々の刊行物、特許、または特許出願が具体的かつ個別的に明示されて参照により組み込まれたのと同程度まで参照により本明細書に組み込まれる。
本発明の新規な特徴は、添付の特許請求の範囲に特定的に示される。本発明の原理が利用される例示的な実施形態を示す以下の詳細な説明および添付の図面を参照すれば、本発明の特徴および利点のよりよい理解が得られるであろう。
本発明の各種の実施形態を本明細書に示し説明してきたが、かかる実施形態が例として提供されているにすぎないことは当業者に明らかであろう。当業者には、本発明から逸脱することなく多くの変形形態、変更形態、および置換形態が想到され得る。本明細書に記載される本発明の実施形態の各種の代替形態を利用し得ることが理解されるべきである。
本明細書に提供されるように、トンネル標識は、トンネル電流により低バックグラウンドレベルで単一ポリマー分子から多数の電子を提供する媒介化合物であり得る。たとえば、1秒間に1nAの電流は、6.2M電子を生成し得る。5pAのバックグラウンドの存在下では、これは、>1000:1のショットノイズ限界S/Nレベルをもたらし得る。
いくつかの場合、たとえば、結合動態を検出するために蛍光標識を利用し得る。蛍光標識は、ゼロモード導波路ナノ細孔、TIRF検出器、またはナノ細孔により局在化されたフルオロフォアの検出を含み得るシステムを用いて検出され得る。フルオロフォアは、ナノ細孔構造のシス側のナノ細孔の入口前で検出され得る。いくつかの場合、フルオロフォアは、ナノ細孔構造のトランス側の出口直後で検出される。かかる場合、ポリメラーゼは、結合の結果としてヌクレオチドの一過性結合を観測し得るように、ゼロモード導波路またはナノ細孔に固定的に結合し得る。蛍光標識の異なる色または波長は、ヌクレオチドのセットの異なるヌクレオチドに関連付けられ得るため、トンネル標識およびまたはホッピング標識に関して以上に記載されるようにそれらの間の区別が可能である。
いくつかの場合、アミンSAMまたはチオールSAMの除去に記載したように、SAMの除去は、電界を用いて達成され得る。いくつかの場合、SAMを除去して電極に適用し得る。いくつかの場合、SAMを新しくするためにSAMを除去して同一タイプのSAMを同一の電極に適用し得る。いくつかの場合、SAMを除去して異なるタイプのSAMを電極に適用し得る。
いくつかの場合、セルフアセンブル単層(SAM)は、チオール化DNAを含み得る。この場合、異なる電極上の単層は、DNAの同一の単層配列およびまたは配向であり得ると共に、3’末端または5’末端は、チオール基または他の結合基に結合し得る上に、さらに電極に結合し得る。いくつかの場合、異なる電極上の単層に対して異なる配列およびまたは配向を利用し得る。この場合、いくつかの電極上でチオール化が起こり、かつ他の電極上で起こらないように、しかも1つのタイプの単層化合物が電極の1セットへの結合に利用可能であるものとして、バルク流体電位およびまたは電極間バイアス電位を変化させた結果として、異なる電極を個別の基で官能基化し得る。バルク溶液およびまたはバイアス電極の電位は、電極の異なるセットのチオール化が起こり得るように変化させ得る。かかる変化は、すでに結合された単層を有する電極セットに新しいチオール基が結合しないようにして、または既存の単層による結合部位の完全占有に起因して追加のチオール化分子が実質的に結合しないようにして達成され得る。
いくつかの場合、センター誘電体領域は、チタンTiO2、SiO2、GeO2、Si3N4、または他の酸化物、炭化物もしくは窒化物を含み得る。いくつかの場合、リンカーまたは官能基をセンター誘電体領域、たとえばSi3N4センター誘電体領域などに結合するためにアミドゲン基を利用し得る。アミドゲン基は、アルデヒド、エステル、ハロゲニド、エポキシド、イミン、イソシアネート、およびそれらの組合せの1つ以上を含み得る。アルカンホスホン酸およびNaN3は、センター誘電体領域、特にTiO2誘電体構造上にアジド官能基を形成するために使用され得る。
いくつかの場合、ヌクレオチド塩基同定法は、2つの電極間のギャップの近傍に存在するポリメラーゼにより2つの電極間で二本鎖ポリヌクレオチドを合成することと、ヌクレオチド塩基が2つの電極間に取り込まれたときまたは結合されたときに電極間のトンネル電流の増加を検出することとを含み得る。プライムされた標的核酸鎖をポリメラーゼに提供し得る。この場合、一本鎖部分は、トンネル標識を有するヌクレオチドであり得る相補的ヌクレオチドの取込み(付加)のための鋳型を提供し得る。
a)標識ヌクレオチドと2価カルシウムとを導入してからヌクレオチドを結合させることと、
b)2価カルシウム洗浄溶液を用いて未結合標識ヌクレオチドを除去することと、
c)結合ヌクレオチドの標識を読み取ることにより、各センサーでいずれのヌクレオチドが結合されるかを決定することと、
d)マグネシウムおよびまたはマンガンの導入により、結合ヌクレオチドを取り込むことと、
e)カルシウム洗浄溶液を用いてマグネシウムおよびまたはマンガンを除去することと
を含み得る。
a)カルシウムカチオンと任意選択的に他の非触媒2価カチオンとを含む混合物に、エピジェネティック修飾ヌクレオチドをはじめとする天然に存在するヌクレオチドまたは合成ヌクレオチドであり得る1つ以上の標識ヌクレオチドタイプと任意選択的に1つ以上の非標識ヌクレオチドとを導入することと、
b)カルシウムおよび任意選択的に少なくとも1つの他の非触媒2価カチオン中で標識を測定して、標識タイプおよび任意選択的に標識動態を決定することと、
c)カルシウム、マグネシウム、およびマンガンを除く少なくとも2価カチオンを用いて標識を洗浄除去し、かつ任意選択的に、他のタイプのヌクレオチドを含み得る異なる標識ヌクレオチド組合せ物を用いて工程a)、b)、およびc)を繰り返すことと、
d)ヌクレオチドを結合するために、カノニカル塩基、またはエピジェネティック修飾塩基、または合成塩基であり得る、カルシウム緩衝液に組み込まれる任意選択的な非標識ヌクレオチドのセットを導入することと、
e)カルシウム緩衝洗浄液を用いて未結合ヌクレオチドを洗浄除去することと、
f)マグネシウムおよびまたはマンガン緩衝液を導入して結合ヌクレオチドを取り込むことと、
g)マグネシウムおよびまたはマンガンを含有しないが、他の2価カチオンを含み得る緩衝液を用いてマグネシウムおよびまたはマンガン緩衝液を除去することと
を含み得る。
いくつかの場合、RNA依存性RNAポリメラーゼをRNAシーケンシング伸長実験に利用し得る。たとえば、RNAウイルスにより利用されるRNA依存性ポリメラーゼ、たとえばポリオウイルス3Dpol、水疱性口内炎ウイルスL、およびC型肝炎ウイルス非構造NS5Bタンパク質、または真核生物RNA依存性RNAポリメラーゼを利用し得る。
いくつかの場合、トンネル検出システムおよびまたはホッピング検出システムは、第2の鎖を形成するために、RNA依存性RNAポリメラーゼ、DNA依存性DNAポリメラーゼ、または逆転写酵素の使用を含み得る方法を使用し得る。この場合、ヘアピンプライマーは、ポリメラーゼと標識とを用いて繰り返し読み取られ得る環状鎖を形成するためにRNAまたはDNAのいずれかをライゲート可能なRNA依存性リガーゼ、およびまたはDNA依存性リガーゼ、およびまたは工学操作リガーゼを用いて、RNA鎖の一方または両方の末端にライゲートされ得る。
いくつかの実施形態では、他に不明確なシーケンスアセンブリーを形成する可能性のある反復配列領域をシーケンシングするときに、その間に分離を有するロングリードまたは複数のリードを利用することが望まれ得る。いくつかの場合、センサーのアレイは、1つまたは複数のチップの異なる部分で異なる速度で進行するスキップリード法のスキップ時間を可能にし得る。速度の差は、取込み可能なヌクレオチドの利用可能な濃度の差、取込み不能なヌクレオチドの濃度の差、温度、ポリメラーゼのタイプもしくは変異体、または取込みの動態に影響を及ぼす任意の他の方法から生じ得る。
いくつかの場合、以上に記載のトンネル標識化合物およびトンネル電極対は、DNAシーケンシング以外の用途に利用され得る。いくつかの場合、多くの異なる標的に相補的なSAMを形成する多くの異なる核酸鎖は、標的核酸の導入前に電極対の異なるセットに結合し得ると共に、トンネル電流の測定は、標的核酸のハイブリダイゼーションの結果として達成され得る。いくつかの場合、SAMを形成する核酸鎖は、ジップコードまたはバーコードを含み得るため、SAMを形成する多くの異なる核酸鎖タイプの標準セットを用いて、多くの異なるタイプの標的分子の検出が可能である。いくつかの場合、SAMを形成する多くの異なる核酸鎖タイプは、工場プロセスの一部として異なる電極セットに結合してからSAMを形成する多くの異なる核酸鎖の完全セットとして輸送され得る。他の場合、SAMを形成する多くの異なる核酸鎖タイプは、現場で機器により行われる方法の一部として形成され得る。
いくつかの場合、本開示のシステムおよび方法は、チップを利用し得る。チップは、再使用可能なチップを含み得る。チップは、標的アナライト、酵素、および異なるラン間で除去されるSAMの少なくともいくつかを有し得る。除去は、たとえば、温度の上昇、イオン濃度の減少、化学クリーニング、プラズマクリーニング、酵素クリーニング、電位クリーニング、任意の他のタイプのクリーニング手順、またはそれらの組合せにより達成され得る。かかるクリーニングは、ヌクレアーゼ、プロテイナーゼ、たとえば、プロテイナーゼKを含み得る。クリーニングは、電極とバルク溶液との間の電圧変化(たとえば、チオール化SAMを除去し得る)または任意の他の方法を含み得る。いくつかの場合、どの程度多くのセンサーがアクティブで良品質なデータを生成しているかを決定するために、チップを各種センサー領域でモニターし得る。いくつかの場合、たとえば、特定数のランにわたるプログラム寿命を有するローカルフラッシュメモリーでチップをプログラムし得る。プログラムチップ寿命は、信頼性を維持しつつシーケンシングコストを有意に削減し得る。
本開示のシステムは、拡張性の高いシステムであり得る。たとえば、単一デバイス上に非常に小さいピッチでギャップによって分離された2つの電極を含む現在のDNAシーケンシング電子センサーに類似したサイズの単一チップ上に何百万または何十億ものセンサーを配設し得る。いくつかの場合、チップは、極高密度のセンサーを有し得る。たとえば、単一チップは、約5,000、10,000、20,000、30,000、40,000、50,000、60,000、70,000、80,000、90,000、100,000、200,000、300,000、400,000、500,000、600,000、700,000、800,000、900,000、1,000,000、2,000,000、3,000,000、4,000,000、5,000,000、6,000,000、7,000,000、8,000,000、9,000,000、10,000,000、20,000,000、30,000,000、40,000,000、50,000,000、60,000,000、70,000,000、80,000,000、90,000,000、100,000,000、200,000,000、300,000,000、400,000,000、500,000,000、600,000,000、700,000,000、800,000,000、900,000,000、1,000,000,000、2,000,000,000、3,000,000,000、4,000,000,000、5,000,000,000センサー/インチ2以上のセンサー密度を有し得る。いくつかの場合、14nmモードまたはまもなく達成される見込みの10nmモードなどの最新技術の高密度モードのコストをかけずに各種カスタムチップ設計を構築できるように、回路処理の旧来モードを利用し得る。いくつかの場合、センサーの密度は、光学クロストークまたは拡散クロストークにより制限され得ない。
1)平坦化基材から出発することと、
2)化学気相堆積法を用いて適用し得る酸化ケイ素層を適用することと、
3)UV感光性マスクまたはeビームマスクであり得るフォトレジストを適用することと、
4)フォトレジストを露光することであって、標準的フォトマスクを使用し得るかまたはeビームなどの直接書込み法を使用し得る、を露光することと、
5)フォトレジストを現像することと、
6)図3Aの上側図に示されるようにスパッタリング法を利用して適用し得る金属層を適用することと、
7)リフトオフ法を用いて除去し得る金属層の望ましくない部分を除去することと、
8)窒化シリコン層であり得、かつ図3Aの下側図に示されるように所望の電極ギャップ間隔であり得る厚さで適用され得る誘電体層を適用することと、
9)UV感光性マスクまたはeビームマスクであり得るフォトレジストを適用することと、
10)フォトレジストを露光することであって、標準的フォトマスクを使用し得るかまたはeビームなどの直接書込み法を使用し得る、露光することと、
11)フォトレジストを現像することと、
12)スパッタリング法を利用して適用し得る金属層を適用することと、
13)図3Bに示されるようにリフトオフ法を用いて除去し得る金属層の望ましくない部分を除去することと、
14)電極構造の所望の部分を露光し得、かつ図3Cに示されるCMP(化学的機械的ポリッシング)法を用いて達成され得る、表面を平坦化することと、
15)化学気相堆積法を用いて適用し得る窒化ケイ素層または酸化ケイ素層であり得る誘電体を適用することと、
16)UV感光性レジストまたはeビームレジストであり得るフォトレジストを適用することと、
17)フォトレジストを露光することであって、標準的フォトマスクを使用し得るかまたはeビームなどの直接書込み法を使用し得る、露光することと、
18)フォトレジストを現像することと、
19)電極間にナノギャップを形成し得、かつ電極の上にウェル状構造を形成し得る、反応性イオンエッチングであり得る乾式エッチングを行うことと、
20)SPM(硫酸および過酸化水素)工程を含み得、かつ図3Dに示されるアッシング工程を含み得る、フォトレジストを除去することと
を含み得る。
従来のアレイセンサーを本開示の集積半導体デバイスとして作製し得るため、精度、集積度、およびスケーリングに関して大きい利点が提示される。いくつかの場合、特に同期化学法を利用するシステムでは、高いデータバンド幅を必要としない可能性がある。システムチップは、大規模並列であり得ると共に、取り込まれたヌクレオチドを記録するセンサーのみがリードアウトし得る。チップは、最初にマッピングされて、いずれのセンサーが有用データを提供しているか、またマップがチップのフラッシュメモリーに存在し得るか、またはシステムの他の部分の一部として他の箇所に存在し得るかを決定し得る。これにより、データスループットを含めてシステムスループットが非常に高くなり、校正および精度の信頼性を非常に高めるのに役立ち得る。いくつかの場合、単一測定を使用し得る。いくつかの場合、取り込まれたまたは結合された標識ヌクレオチドは、所望の精度が達成されるまで複数回測定され得る。
そのため、データは、連続的に生成され得る。
いくつかの場合、入力サンプルを含み得る単一入力流体がチップのすべてのセンサーと相互作用し得るように、チップは、単一の通常サンプル容積を有し得る。代替的に、異なる入力サンプルを含み得る異なる入力流体がサンプルの異なるセットと相互作用し得るように、チップは、センサーの異なるセットに関連付けられた複数の容積を有し得ると共に、バルブ機構または複数の入力ポートを有し得る。
いくつかの場合、より正確なバックグラウンドレベルを達成するために、非触媒2価カチオンの結合を用いることなくバックグラウンドレベルを測定し得る。真のシグナル値を見出すために、このバックグラウンドレベルを用いてバックグラウンドからシグナルを分離し得る。いくつかの場合、1つまたは複数の標識に由来し得るシグナルの定量は、ある時間にわたる測定から得られ得る。この場合、1つまたは複数の標識は、電極対の電極に関連付けられたSAMに効果的に固定的に結合し得ると共に、固定的に結合し得る1つまたは複数の標識の測定に他の方法では結合して影響を及ぼし得るバックグラウンド分子は、本質的にまったく存在しない。バックグラウンド分子は、たとえば、センサーチップ領域の洗浄により、電極対の電極を含有する容積から除去され得るか、または電極対の電極に関連付けられた電界の結果として電極対と相互作用を防止し得る。いくつかの場合、シグナルレベルは、標識タイプのアイデンティティーを表し得る。この場合、異なるトンネルコンダクタンスおよびホッピングコンダクタンスを有するいくつかの異なる標識タイプを利用し得るが、1つのタイプのみが結合し得る。電流レベルは、結合し得る標識の数を表し得る。この場合、単一のトンネルコンダクタンスまたはホッピングコンダクタンスを有し得る単一タイプの標識を利用し得ると共に、結合し得る標識の数の差から変動を生じ得る。電流は、異なるトンネルコンダクタンスまたはホッピングコンダクタンスを有し得る異なるタイプの標識の組合せから生じ得ると共に、特に標識の数が繰返し測定される場合、結合標識の異なる数から生じ得る。また、標識の数は、時間と共に増加し、電極対の表面積が固定サイズである結果として固定数になる。
いくつかの場合、単一測定を固定時間で利用し得る。この場合、電極対に関連付けられた電子センサー回路は、電極対から生じた電流を連続的に積分し得る。いくつかの場合、何回かの測定を行い得る。この場合、各測定に関連付けられる時間は、たとえば、異なるヌクレオチドの結合に関連付けられる異なる標識およびまたは異なる動態に関連付けられるより広いダイナミックレンジを可能にするために同一であり得るかまたは異なり得る。
いくつかの場合、任意のシーケンシング調製ステップ前に、トンネル検出器およびまたはホッピング検出器を含み得るシステムは、たとえば、フローサイトメトリーを用いて、サンプルから1つ以上の細胞を単離および分離し得る。1つ以上の細胞は、循環腫瘍細胞、生細胞、特異的染色細胞、またはそれらの組合せを含み得る。染色細胞は、蛍光染色であり得る染色を含み得る。染色液は、トンネル標識およびまたはホッピング標識を含み得る。染色液は、電気化学標識を含み得る。いくつかの場合、標的特異的プルアウト法を使用するプルアウト法、たとえば抗体磁性ビーズ分離法またはアプタマー単離法を用いて、標的細胞を単離し得る。次いで、個別の細胞または細胞のセットをシーケンシングし得る。この場合、DNAゲノムおよびまたはRNAトランスクリプトームをシーケンシングし得る。
いくつかの場合、ポンプまたは他の正圧源もしくは負圧源を用いて、ポリメラーゼを含有する溶液を電極ギャップに移動させ得る。ポリメラーゼを狭いチャネルに固定またはトラップした後、DNAまたは他の溶液を添加し得る。
Claims (28)
- a.基材上の2つの電極に隣接するポリメラーゼを用いて、サンプル核酸のインテロゲートされる塩基に相補的なヌクレオチドを結合させることであって、前記ヌクレオチドは、それに装着されたトンネル標識を有する、前記ヌクレオチドを結合すること、
b.前記2つの電極への前記トンネル標識の局在化によって引き起こされる前記2つの電極間のトンネル電流を測定すること、
c.前記トンネル電流の測定の関数として、インテロゲートされる前記塩基への前記相補的塩基の前記結合からヌクレオチドを同定すること
を含む方法。 - 前記トンネル標識は、前記2つの電極間のギャップのサイズよりもわずかに大きい、請求項1に記載の方法。
- 前記トンネル標識は、双性イオン性化合物を含む、請求項2に記載の方法。
- 前記トンネル標識は、核酸鎖を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記核酸鎖は、10塩基を超える長さである、請求項4に記載の方法。
- 前記核酸鎖は、二本鎖部分と一本鎖部分とを有する、請求項4に記載の方法。
- 前記ポリメラーゼを前記2つの電極間の誘電体に結合することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ポリメラーゼを前記2つの電極の1つに結合することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ギャップは、前記ポリメラーゼの幅よりも大きいより広い部分と、前記ポリメラーゼのサイズよりも小さいより小さい部分とを有する、請求項1に記載の方法。
- セルフアセンブル単層は、前記電極に結合される、請求項1に記載の方法。
- 前記セルフアセンブル単層は、チオールによって前記電極に結合される、請求項10に記載の方法。
- 前記セルフアセンブル単層は、少なくとも部分的に、前記トンネル標識核酸鎖の少なくとも一部に結合し得る核酸を含む、請求項4または10に記載の方法。
- 前記結合は、一過性である、請求項12に記載の方法。
- 前記一過性結合は、トンネル標識が装着された前記ヌクレオ塩基の結合に起因して、そうでないときに高い局所濃度なしで起こるであろうよりも頻繁に起こり得る、請求項13に記載の方法。
- 前記トンネル標識は、前記ヌクレオ塩基のリボースの5’位に結合される、請求項1に記載の方法。
- 前記トンネル標識は、前記ヌクレオ塩基の塩基に結合される、請求項1に記載の方法。
- 前記ヌクレオ塩基は、ターミネーターをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ターミネーターは、リボースの3’位に結合される、請求項18に記載の方法。
- 同期化学法である、請求項15に記載の方法。
- a.2つの電極は、非伝導性ギャップによって分離されて基材上に配設されていること、
b.前記2つの電極および前記ギャップは、前記2つの電極の近傍にポリメラーゼを収容するように構成されていること、
c.前記2つの電極および前記ギャップは、サンプル核酸のインテロゲートされる塩基に相補的である、トンネル標識を有するヌクレオチドの取込みおよび結合の少なくとも1つに起因するトンネル電流を検出するようにさらに構成されていること
を含む機器。 - 前記ポリメラーゼが前記非伝導性ギャップ内に配設されるようにさらに構成されており、前記ギャップは、前記電極間において10nm以上の深さで下方エッチングされている、請求項20に記載の機器。
- 非伝導性ギャップサイズが前記ポリメラーゼのサイズよりも小さいようにさらに構成され、かつ前記ポリメラーゼが前記非伝導性ギャップの上に配設されるように構成されており、前記非伝導性ギャップは、10nm以下の深さにエッチングされ得る、請求項21に記載の機器。
- 前記非伝導性ギャップは、より広い部分とより狭い部分とを有する、請求項20に記載の機器。
- a.基材上の2つの電極に隣接するポリメラーゼを用いて、ヌクレオ塩基であって、それに装着されたトンネル標識を有し、サンプル核酸のインテロゲートされる塩基に相補的であるヌクレオ塩基を結合すること、
b.前記2つの電極への前記トンネル標識の局在化によって引き起こされる前記2つの電極間のトンネル電流およびホッピング電流の少なくとも1つの組合せを測定すること、
c.電子電流測定に基づいて前記ポリヌクレオチドの一本鎖部分のマッチングヌクレオ塩基を同定すること
を含む方法。 - 核酸ポリマーに関連付けられた生物学的情報を見出す方法であって、
a.基材上の2つの電極間に前記核酸ポリマーを局在化することであって、水素結合によって達成される、局在化すること、
b.前記2つの電極間にバイアス電圧を印加すること、
c.前記2つの電極間のトンネル電流を測定すること、
d.コンダクタンスに基づいて前記生物学的情報を決定すること
を含む方法。 - 前記核酸ポリマーの長さは、前記2つの電極間のギャップのサイズ以下である、請求項25に記載の方法。
- 前記核酸ポリマーの長さは、前記2つの電極間のギャップのサイズより大きく、前記オリゴの一部分は、前記電極の一方または両方にハイブリダイズされ、前記オリゴの一部分は、前記2つの電極間のギャップにまたがる、請求項25に記載の方法。
- 特定の測定されたコンダクタンスは、前記オリゴの特定の部位のメチル化を表す、請求項25に記載の方法。
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