JP2019510268A - スクリーン、及びこのスクリーンを備えるヘッドアップディスプレイ - Google Patents
スクリーン、及びこのスクリーンを備えるヘッドアップディスプレイ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019510268A JP2019510268A JP2018547897A JP2018547897A JP2019510268A JP 2019510268 A JP2019510268 A JP 2019510268A JP 2018547897 A JP2018547897 A JP 2018547897A JP 2018547897 A JP2018547897 A JP 2018547897A JP 2019510268 A JP2019510268 A JP 2019510268A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- screen
- light
- dimensional
- dimensional electroluminescent
- modules
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 15
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/01—Head-up displays
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/01—Head-up displays
- G02B27/0101—Head-up displays characterised by optical features
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60K—ARRANGEMENT OR MOUNTING OF PROPULSION UNITS OR OF TRANSMISSIONS IN VEHICLES; ARRANGEMENT OR MOUNTING OF PLURAL DIVERSE PRIME-MOVERS IN VEHICLES; AUXILIARY DRIVES FOR VEHICLES; INSTRUMENTATION OR DASHBOARDS FOR VEHICLES; ARRANGEMENTS IN CONNECTION WITH COOLING, AIR INTAKE, GAS EXHAUST OR FUEL SUPPLY OF PROPULSION UNITS IN VEHICLES
- B60K35/00—Instruments specially adapted for vehicles; Arrangement of instruments in or on vehicles
- B60K35/20—Output arrangements, i.e. from vehicle to user, associated with vehicle functions or specially adapted therefor
- B60K35/21—Output arrangements, i.e. from vehicle to user, associated with vehicle functions or specially adapted therefor using visual output, e.g. blinking lights or matrix displays
- B60K35/211—Output arrangements, i.e. from vehicle to user, associated with vehicle functions or specially adapted therefor using visual output, e.g. blinking lights or matrix displays producing three-dimensional [3D] effects, e.g. stereoscopic images
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60K—ARRANGEMENT OR MOUNTING OF PROPULSION UNITS OR OF TRANSMISSIONS IN VEHICLES; ARRANGEMENT OR MOUNTING OF PLURAL DIVERSE PRIME-MOVERS IN VEHICLES; AUXILIARY DRIVES FOR VEHICLES; INSTRUMENTATION OR DASHBOARDS FOR VEHICLES; ARRANGEMENTS IN CONNECTION WITH COOLING, AIR INTAKE, GAS EXHAUST OR FUEL SUPPLY OF PROPULSION UNITS IN VEHICLES
- B60K35/00—Instruments specially adapted for vehicles; Arrangement of instruments in or on vehicles
- B60K35/20—Output arrangements, i.e. from vehicle to user, associated with vehicle functions or specially adapted therefor
- B60K35/21—Output arrangements, i.e. from vehicle to user, associated with vehicle functions or specially adapted therefor using visual output, e.g. blinking lights or matrix displays
- B60K35/23—Head-up displays [HUD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
- H01L33/18—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light emitting region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60K—ARRANGEMENT OR MOUNTING OF PROPULSION UNITS OR OF TRANSMISSIONS IN VEHICLES; ARRANGEMENT OR MOUNTING OF PLURAL DIVERSE PRIME-MOVERS IN VEHICLES; AUXILIARY DRIVES FOR VEHICLES; INSTRUMENTATION OR DASHBOARDS FOR VEHICLES; ARRANGEMENTS IN CONNECTION WITH COOLING, AIR INTAKE, GAS EXHAUST OR FUEL SUPPLY OF PROPULSION UNITS IN VEHICLES
- B60K2360/00—Indexing scheme associated with groups B60K35/00 or B60K37/00 relating to details of instruments or dashboards
- B60K2360/20—Optical features of instruments
- B60K2360/33—Illumination features
- B60K2360/334—Projection means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60K—ARRANGEMENT OR MOUNTING OF PROPULSION UNITS OR OF TRANSMISSIONS IN VEHICLES; ARRANGEMENT OR MOUNTING OF PLURAL DIVERSE PRIME-MOVERS IN VEHICLES; AUXILIARY DRIVES FOR VEHICLES; INSTRUMENTATION OR DASHBOARDS FOR VEHICLES; ARRANGEMENTS IN CONNECTION WITH COOLING, AIR INTAKE, GAS EXHAUST OR FUEL SUPPLY OF PROPULSION UNITS IN VEHICLES
- B60K35/00—Instruments specially adapted for vehicles; Arrangement of instruments in or on vehicles
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/01—Head-up displays
- G02B27/0101—Head-up displays characterised by optical features
- G02B2027/0118—Head-up displays characterised by optical features comprising devices for improving the contrast of the display / brillance control visibility
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Transportation (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
本発明は、それぞれが1つのピクセルを形成するモジュール(222)のマトリクスアレイと、これらのモジュールのそれぞれを各々処理することが意図される制御要素のマトリクスアレイ(260)と、備えるアクティブスクリーン(220)、すなわち発光スクリーンに関する。本発明によれば、各モジュールは、それぞれが三次元発光構造体(250)を有する少なくとも3個の発光サブモジュール(224)を備え、各制御要素は、各サブモジュールを個別にアドレスすることが意図される。また、このようなスクリーン(200)と、画像を投影するための装置(24)とを備えるヘッドアップディスプレイ(1)であって、前記装置は、半透明ミラー(10)の方向に、前記スクリーンにより生成された画像を伝送するのに適するヘッドアップディスプレイ(1)も記載される。
Description
本発明は、概してスクリーンの分野に関する。
より具体的には、本発明は、それぞれがピクセルを形成するモジュールのマトリクスアレイと、これらのモジュールのそれぞれを各々アドレスすることが意図される制御要素のマトリクスアレイと、を備えるスクリーンに関する。
また、本発明は、画像生成装置としてのこのようなスクリーンを備えるヘッドアップディスプレイに関する。
自動車両のヘッドアップディスプレイの原理は、画像、特に運転に有用な画像を、ドライバーの視界に直接的に投影することである。
このようなヘッドアップディスプレイは、画像投影装置に向かって画像を生成するのに適した画像生成装置を備える。画像投影装置は、画像を、ドライバーの視界に配置されたコンバイナー又はフロントガラスの方向に伝送する。
画像を投影装置の方向に形成するように、光源によってバックライト照明されるピクセルから形成されるスクリーンを備える画像生成装置が公知である。一般に、このような画像生成装置において、スクリーンの均一性を向上させるとともにスクリーンが受光する光を最大とするように、リフレクタ及びディフューザが設けられる。
ディフューザであって、このディフューザから出力される画像を生成するようにその入光面が光線でスキャンされるディフューザを備える画像生成装置も公知である。この場合、ディフューザの入光面をスキャンする光線は、スキャンユニットによって生成される。
スクリーン及びディフューザは、バックライト照明を必要とする受動要素である。このような画像生成装置の発光効率性は、バックライト照明のために生成される光線の大部分が失われるためあまり高くなく、現在のところ、このロスは生成される光線のパワーを増大させることによって主に補償されている。
更に、バックライト照明又はスキャンユニットは嵩張るので、車両におけるヘッドアップディスプレイを場塞ぎなものとしている。
従来技術の上述の欠点を改善するために、本発明は、画像をそれ自体で生成するアクティブスクリーンを提案する。
より正確には、本発明は、三次元発光エレクトロルミネセンス構造体を備えるスクリーンを提案する。
より具体的には、本発明によれば、それぞれがピクセルを形成するモジュールのマトリクスアレイと、前記モジュールのそれぞれを各々アドレスすることが意図される制御要素のマトリクスアレイと、を備えるスクリーンにおいて、各モジュールは、それぞれが三次元エレクトロルミネセンス構造体を有する少なくとも3個の発光サブモジュールを備え、各制御要素は、各サブモジュールを個別にアドレスすることが意図されるスクリーンが提案される。
したがって、有利には、スクリーンの発光効率性は、それ自体が光源であることにより向上する。換言すれば、本発明によれば、スクリーンはもはや光の伝送器ではなく、光の発光器なのである。
更に、スクリーンのピクセルの発光効率性が、エレクトロルミネセンス構造体の三次元形態によって向上する。
更に、このようなスクリーンの空間的体積は、バックライト照明装置が必要ないため、顕著に減少する。
以下は、本発明によるスクリーンの非制限的且つ有利な特徴である。
‐各モジュール内において、少なくとも1個の第1サブモジュールが、380nm乃至500nmに亘る可視スペクトル域において光を発光可能であり、少なくとも1個の第2サブモジュールが、500nm乃至580nmに亘る可視スペクトル域において光を発光するのに適し、少なくとも1個の第3サブモジュールが、610nm乃至700nmに亘る可視スペクトル域において光を発光するのに適する;
‐前記モジュールの少なくとも40%が、380nm乃至700nmに亘る可視スペクトル域において白色光を発光するのに適する追加のサブモジュールを備える;
‐少なくとも1つの三次元エレクトロルミネセンス構造体は、(互いに平行に接続される)複数の三次元エレクトロルミネセンス・ミクロ構造体を備える;
‐各三次元エレクトロルミネセンス構造体は、少なくとも100個の三次元エレクトロルミネセンス・ミクロ構造体を備える;
‐各三次元エレクトロルミネセンス・ミクロ構造体は、円筒状の発光接合体を備える;
‐各三次元発光構造体は、光を発光するのに適するアクティブ結晶層により覆われる;
‐任意のサブモジュールの前記三次元エレクトロルミネセンス構造体は、発光団により覆われる;
‐前記発光団は蛍光体である;
‐前記マトリクスアレイの各制御要素は、少なくとも1個のトランジスタを備える;及び
‐各三次元エレクトロルミネセンス構造体は半導体に基づくとともに、比較的平面的な基板を備え、前記基板からワイヤが立ち上がる。
‐各モジュール内において、少なくとも1個の第1サブモジュールが、380nm乃至500nmに亘る可視スペクトル域において光を発光可能であり、少なくとも1個の第2サブモジュールが、500nm乃至580nmに亘る可視スペクトル域において光を発光するのに適し、少なくとも1個の第3サブモジュールが、610nm乃至700nmに亘る可視スペクトル域において光を発光するのに適する;
‐前記モジュールの少なくとも40%が、380nm乃至700nmに亘る可視スペクトル域において白色光を発光するのに適する追加のサブモジュールを備える;
‐少なくとも1つの三次元エレクトロルミネセンス構造体は、(互いに平行に接続される)複数の三次元エレクトロルミネセンス・ミクロ構造体を備える;
‐各三次元エレクトロルミネセンス構造体は、少なくとも100個の三次元エレクトロルミネセンス・ミクロ構造体を備える;
‐各三次元エレクトロルミネセンス・ミクロ構造体は、円筒状の発光接合体を備える;
‐各三次元発光構造体は、光を発光するのに適するアクティブ結晶層により覆われる;
‐任意のサブモジュールの前記三次元エレクトロルミネセンス構造体は、発光団により覆われる;
‐前記発光団は蛍光体である;
‐前記マトリクスアレイの各制御要素は、少なくとも1個のトランジスタを備える;及び
‐各三次元エレクトロルミネセンス構造体は半導体に基づくとともに、比較的平面的な基板を備え、前記基板からワイヤが立ち上がる。
また、本発明は、上述のようなスクリーン(したがって、画像生成装置を形成する)と、半透明プレートの方向において、前記スクリーンにより生成された画像を伝送するのに適する画像投影装置と、を備えるヘッドアップディスプレイを提案する。
この半透明プレートは、例えば、(例えば車両のフロントガラスとドライバーとの間に配置される)コンバイナーであるか、又は、変形例として、車両のフロントガラスである。
前記画像投影装置は、実際に、前記半透明プレートの方向において、前記スクリーンにより生成された画像を反射するように配設されるミラーを備え得る。
添付図面を参照して非制限的な例としてなされる以下の説明により、本発明が何から構成されるか、及びいかにしてこれが実施され得るかが明瞭に理解されるであろう。
以降の説明において、ヘッドアップディスプレイにおいて所定位置にある投影装置の方に向くスクリーンの側を「前側(前方/正面)」と称する。換言すれば、「前側」は、スクリーンの光を発光する側である。
スクリーンの前側と反対の側を、「後側(後方/背面)」と称する。
図1は、車両、例えば自動車両に設けることが意図されるヘッドアップディスプレイ1の主な要素を示す。
このようなディスプレイ1は、車両のドライバーの視界に仮想画像Iを作成することに適している。これにより、ドライバーは、この仮想画像I及びこれが有するあらゆる情報を、視線を逸らす必要なく見ることができる。
この目的のために、ディスプレイ1は、画像を生成するのに適した画像生成装置22と、この画像を、ドライバーの視界に配置された半透明プレート10の方向に伝送するのに適した画像投影装置24と、を備える(図1参照)。
より正確には、ヘッドアップディスプレイ1の本例示的実施形態において、半透明プレート10は、コンバイナー10(すなわち、ヘッドアップディスプレイに専用の半透明プレート)である。
本例において、このようなコンバイナー10は、車両のフロントガラス2とドライバーの目との間に配置される。
変形例として、半透明プレートは、車両のフロントガラス2であり得る。換言すれば、本変形例において、ヘッドアップディスプレイ用の半透明プレート機能を有するのは車両のフロントガラス2である。
更に、本例において、画像投影装置24は、画像生成装置22により生成された画像を、半透明プレート10の方向に反射するように配設された折り畳みミラーを備える。本例において、折り畳みミラーは平面鏡である。
変形例として、画像投影装置は、複数のミラー、及び/又は例えばレンズ等の他の光学要素を備え得る。
画像生成装置22は、アクティブスクリーン220、すなわち発光スクリーンにより形成される。
有利には、このスクリーン220は、バックライト照明する必要がない。したがって、本明細書に記載の画像生成装置22は、パッシブスクリーンのように、スクリーン220を背後から照明することを可能にするシステムを備えない。
スクリーン220は、前側に、それぞれが前記スクリーンのピクセルを形成するモジュール222のマトリクスアレイと、後側に、これらのモジュール222のそれぞれを各々アドレスすることが意図される制御要素のマトリクスアレイ260と、を備える。
換言すれば、スクリーン220はモジュール222に分割され、各モジュール222は前記スクリーン220のピクセルを形成する(図2)。
前記スクリーン220の各モジュール222それ自体は、更に少なくとも3個のサブモジュール224に更に分割され、これらのサブモジュール224はスクリーン220のサブピクセルを形成する。
本例において、各モジュール222は、3個(図3)又は4個(図2)のサブモジュール224を備え得る。
変形例として、各モジュールは、4個より多いサブモジュールを備え得る。
サブモジュール224は、種々の形状を有し得る。
具体的には、サブモジュール224は、スクリーン220の前側から見た場合に矩形であり得る。これにより、3個×3個(図3)又は4個×4個で組み付けた時、正方形のモジュール222が形成される。
本例において、スクリーン220の前側から見た場合に、各サブモジュール224は、約28.4μm×85.2μmの寸法を取る。したがって、各サブモジュール224は、スクリーンの正面平面において、約2420μm2の面積を有する。
したがって、これら3個の矩形サブモジュール224を備える各モジュール222は、スクリーンの平面において、約7260μm2の面積を有する。
変形例として、サブモジュールは、スクリーンの前側から見て正方形を有する(図2)ことが想定され得る。これにより、4個×4個で組み付けた時、同じく正方形のモジュール222が形成される。
各サブモジュール224は発光器であり、この目的のために、三次元エレクトロルミネセンス構造体250を有する。
実際に、各三次元エレクトロルミネンセンス構造体250は、電気信号を放射光に変換するのに適している。
このために、図4に示すように、各三次元エレクトロルミネセンス構造体250は、
‐正面225Aが平面状である半導体基板225と、
‐この正面225Aに配置されるシードブロック227と、
‐複数のワイヤ228であって、各ワイヤ228がシードブロック227に接触するワイヤ228と、
‐各ワイヤ228を少なくとも部分的に覆う半導体層の積層体を備えるシェル229と、
‐各シェル229を覆う電極235を形成する層であって、基板の正面225Aを覆って延在するが、絶縁層237により正面225Aから離間する層と、
‐基板225の背面225Bに配置され、ワイヤ228に対して垂直である導電パッド245と、
を備える。
‐正面225Aが平面状である半導体基板225と、
‐この正面225Aに配置されるシードブロック227と、
‐複数のワイヤ228であって、各ワイヤ228がシードブロック227に接触するワイヤ228と、
‐各ワイヤ228を少なくとも部分的に覆う半導体層の積層体を備えるシェル229と、
‐各シェル229を覆う電極235を形成する層であって、基板の正面225Aを覆って延在するが、絶縁層237により正面225Aから離間する層と、
‐基板225の背面225Bに配置され、ワイヤ228に対して垂直である導電パッド245と、
を備える。
半導体基板225は、一般に単結晶シリコンから構成されるが、炭化ゲルマニウム又はシリコン等の他の半導体から構成してもよい。
各三次元エレクトロルミネセンス構造体250の半導体基板225は、全体として前記スクリーン220を形成する平面に載置される。
基板225は、スクリーン220の前側から見た場合に、約28.4μm×85.2μmの寸法を取る。その厚さは、本例では1500μmより小さい。
この基板225は、その電気抵抗を減少させてそれが金属のもの(数mohm.cm)となるように、(必要に応じてp‐又はn‐型に)ドーピングされ得る。
シードブロック227は、ワイヤ228の成長を促進する材料から構成される。
シードブロック227は、基板225と同じ導電型(p‐又はn‐型)にドーピングされ得る。
更に、シードブロック227の側面や基板225のシードブロック227に覆われていない部分を保護するのに適した処理が、このように処理された面におけるワイヤ228の成長を阻止するように、選択的に施され得る。この処理は、例えば誘電エリアを作製することであり得る。
ワイヤ228は、主に、全体として基板225の平面に対して垂直である延在方向に延在する。
ワイヤ228は、全体として円筒形状を有するとともに、基板225の平面における断面を有する。断面は、例えば、六角形、正方形、又はより一般的な多角形等の種々の形状であり得る。
2個の隣接するワイヤの延在軸は、0.5μm乃至10μmだけ離間している。例えば、それらは六角形ネットワークにおいて規則的に分散配置され得る。
それらは、少なくとも部分的に、少なくとも1個の半導体、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、又はこれらの化合物の組合せから形成される。
基板225及びシードブロック227と同様に、それらもドーピング(p‐又はn‐型)され得る。
一方、シェル229は、各ワイヤ228を直接覆うアクティブ層を含む、種々の材料層を備える。
アクティブ層は、量子井戸を設けられる結晶層であって、刺激を受けると発光可能な結晶層である。このアクティブ層から、光の大部分が三次元エレクトロルミネセンス構造体215によって発光する。
有利には、各シェル229のアクティブ層は、各ワイヤ228の周囲に個別のエンベロープを形成する。すなわち、各シェル229のアクティブ層は、それ自体で閉鎖している。
上記から、各三次元エレクトロルミネセンス構造体250が、ワイヤ半導体要素を備える少なくとも1個の三次元エレクトロルミネンセンス・ミクロ構造体230(図4)を実際に有することが明らかである。
より正確には、各ミクロ構造体230は、シードブロック227と、ワイヤ228と、シェル229とを備える。このようなミクロ構造体230は公知であり、これを得る方法は、例えば文書FR3011388に更に詳細に記載されている。
本例において、各三次元エレクトロルミネセンス構造体250は、複数のこれらのミクロ構造体230、又は数百ものこれらのミクロ構造体230を有する。
各三次元エレクトロルミネセンス構造体250のミクロ構造体230は、本例では、互いに平行に接続される。更に、実際には、任意の三次元エレクトロルミネセンス構造体250のミクロ構造体230は、絶縁層237により互いに分離している。
各ミクロ構造体230の平均直径は、各サブモジュール224に対して所望される寸法を達成するように、例えば、2.5μmより小さい。例えば、各三次元エレクトロルミネセンス構造体250は、100個乃至1000個のミクロ構造体230を有する。「平均直径」とは、当該ミクロ構造体230の断面と同じ面積を有する円盤に関係付けられる直径を意味する。
有利には、三次元エレクトロルミネセンス構造体250により、本発明によるスクリーン220は小型でありつつ、各サブピクセルに、したがって各ピクセルに十分な明るさを提供し得る。
各ミクロ構造体230の高さ、すなわち、そのワイヤ228の延在方向におけるミクロ構造体230の寸法は、ミクロ構造体230の平均直径と少なくとも同一であるように選択されるが、好適には、前記平均直径より少なくとも10倍以上大きい。
基板225と、前記基板225の正面における突出部を形成するミクロ構造体230とは、各三次元エレクトロルミネセンス構造体250の三次元構造体を形成する。この三次元構造体は、材料層の積層体により形成される従来の二次元エレクトロルミネセンス構造体とは全く異なっている。
有利には、各ミクロ構造体230は半導体と量子井戸とを備え、したがって、各ミクロ構造体230は、電気信号を放射光に変換可能である。このため、放射光が発光され得る全域は、全てのミクロ構造体230の累積域に、すなわち各ミクロ構造体の各外周及び各断面の累積域に相当する。
具体的には、上記したような図5に概略的に示す構成により、各ミクロ構造体230は、ワイヤ228の全体延在方向において延在するシリンダ軸を持つ、本例では円筒状の全体形状を有する三次元接合体236(ここに発光量子井戸が形成される)を備える。
本例において、接合体236は、各ミクロ構造体230のシェル229に含まれる。したがって、各ミクロ構造体230について、発光接合体236が、ワイヤ228の全高及び全周の両方に亘って延在し、これにより上述の高い効率性が確保される。
更に、各三次元エレクトロルミネセンス構造体250のミクロ構造体230を覆う電極235は、各ワイヤ228を覆うアクティブ層を偏光させるとともに、ミクロ構造体230が発する電磁放射線を通過させるのに適している。
一方、導電パッド245は、電気信号を、対応する三次元エレクトロルミネセンス構造体250に通過させるのに適している。
最後に、各サブモジュール224の各三次元エレクトロルミネセンス構造体250は、封入層240で覆われる(図4参照)。
この封入層240は、絶縁性で且つ少なくとも部分的に透明の材料から構成される。
これは、各三次元エレクトロルミネセンス構造体250に含まれるミクロ構造体230及び電極235を保護するのに適する。
一般に、各モジュール222内において、少なくとも1個の第1サブモジュール224が、380nm乃至500nmに亘る可視スペクトル域において、すなわち青で発光するのに適する、少なくとも1個の第2サブモジュール224が、500nm乃至580nmに亘る可視スペクトル域において、すなわち緑で発光するのに適する、そして、少なくとも1個の第3サブモジュール224が610nm乃至700nmに亘る可視スペクトル域において、すなわち赤で発光するのに適する。
実際に、スクリーンの前側から見て、これらの第1、第2及び第3サブモジュール224は、連続的に並んで配置される(図2参照)。
モジュール222のうちの任意のものに、可視スペクトラムの全域において、すなわち、約380nm乃至700nmにある波長を有する放射光からなる白色光を発光する追加のサブモジュール224を付加することも可能である。
したがって、2個の連続するモジュール222は、連続する「赤‐緑‐青」サブモジュール224を備える2個のモジュール222であるか、又は連続する「赤‐緑‐青‐白」サブモジュール224を備える2個のモジュール222であるか、又は連続する「赤‐緑‐青」サブモジュール224を備えるモジュール222とこれに続く連続する「赤‐緑‐青‐白」サブモジュール224を備えるモジュール222のいずれかである。
各サブモジュール224が光を発光するように、第1実施形態によれば、各サブモジュール224の三次元エレクトロルミネセンス構造体250自体が放射光を発光するのに適することが想定され得るとともに、第2実施形態によれば、任意の三次元エレクトロルミネセンス構造体250が更に放射光を発光する発光団層で覆われることが想定され得る。
したがって、想定される実施形態がいずれであっても、3個のサブモジュール224に基づいて、各モジュール222は、複数の異なる色を発することが可能である。
有利には、白色光を発光する追加のサブモジュール224により、この追加のサブモジュール224を備えるモジュール222により形成されるピクセルによって発光される光の強度が、より容易に変調され得る。
実際に、第1、第2及び第3サブモジュール224のそれぞれは、正確な波長を発する。
しかしながら、第1、第2及び第3サブモジュールのそれぞれが、狭い波長域において、すなわち、数十ナノメータに亘る、例えば50nm以上に亘る連続範囲において発光することも想定され得る。
第1実施形態によれば、第1、第2及び第3サブモジュール224の各三次元エレクトロルミネセンス構造体250を形成するミクロ構造体230のシェル229のアクティブ層は、有用な可視スペクトル域において光を発光可能であるように設計される。
換言すれば、第1、第2及び第3サブモジュール224の各三次元エレクトロルミネセンス構造体250のミクロ構造体230のシェル229のアクティブ層は、発光に適する結晶層である。
具体的には、第1三次元エレクトロルミネセンス構造体250のミクロ構造体230のシェル229のアクティブ層は、青において発光するのに適し、第2三次元エレクトロルミネセンス構造体250のミクロ構造体230のシェル229のアクティブ層は、緑において発光するのに適し、第3三次元エレクトロルミネセンス構造体250のミクロ構造体230のシェル229のアクティブ層は、赤において発光するのに適する。
これを達成するために、これらのアクティブ層を形成する量子井戸の厚さ又は組成を適合させることが可能である。
換言すれば、各シェル229のアクティブ層の結晶構造は、前記アクティブ層が選択された波長で発光するように適合され得る。
第2実施形態によれば、第1、第2及び第3サブモジュール224の各三次元エレクトロルミネセンス構造体250のミクロ構造体230のシェル229の全てのアクティブ層が、単色光を、本例において青で発光することが可能であるように設計される。
第2実施形態によれば、任意のサブモジュール224の三次元エレクトロルミネセンス構造体250は、赤における、又は緑における光を発光するように発光団層により覆われる。
本例において、発光団層は、封入層240に併合される。
変形例として、発光団層は、封入層上に配置され得る。
具体的には、発光団は、380nm乃至500nm(青)に亘る可視スペクトル域のうちの少なくとも1つの波長により刺激を受けると緑色光を発光するのに適する第1蛍光体、及び380nm乃至500nm(青)に亘る可視スペクトル域のうちの少なくとも1つの波長により刺激を受けると赤色光を発光するのに適する第2蛍光体であり得る。
第2サブモジュール224の三次元エレクトロルミネセンス構造体を、これが緑色光を発光するように第1蛍光体層で覆い、且つ第3サブモジュール224の三次元エレクトロルミネセンス構造体を、これが赤色光を発光するように第1蛍光体層で覆うことが可能である。
有利には、蛍光体は、第2及び第3サブモジュール224の領域の大部分を覆う。例えば、蛍光体は、これが属するサブモジュール224の全域の80%を超える領域を覆う。
したがって、所望の色の放射光を得るための発光団の使用により、当該サブモジュール224の全域に亘って均一な光を得ることができる。
更に、本例では、モジュール222の少なくとも40%が、白色光を発光するのに適する追加のサブモジュールを備える。
実際に、このような追加のサブモジュールは、例えば、3個の三次元エレクトロルミネセンス構造体を備える。1番目は青において放射光を発光することが可能であり、2番目は緑において発(光)することが可能であり、3番目は赤において発(光)することが可能である。これら3個の三次元エレクトロルミネセンス構造体は、互いに連続して接続している。したがって、追加のサブモジュールは、青色光、緑色光、及び赤色光を同時に発光することができ、これは白色光の発光と同等である。このような追加のサブモジュールは、文書FR3011388に更に具体的に記載されている。
変形例として、追加のサブモジュールは、青色光を発光可能な単独の三次元エレクトロルミネセンス構造体であって、それぞれ380nm乃至500nm(青)にある可視スペクトルの波長により刺激を受けると赤色光及び緑色光を発光するのに適する種々の蛍光体の層によって覆われた三次元エレクトロルミネセンス構造体を備え得る。したがって、この追加のサブモジュールは、緑における、及び赤における光線と、青における少量の光線(発光団層を透過する際に発光団に遭遇しなかったもの)を発光するであろう。この追加のサブモジュールにより発光される放射光は、全体として白色光として知覚されるであろう。
別の変形例として、追加のサブモジュールは、青色光を発光可能な単独の三次元エレクトロルミネセンス構造体であって、380nm乃至500nm(青)にある可視光スペクトラムの波長により刺激を受けると、580nm乃至600nmに亘る可視スペクトル域において、すなわち黄色において光を発光可能な発光団層により覆われた三次元エレクトロルミネセンス構造体を備え得る。したがって、この追加のサブモジュールは、黄色における光線と、青における少量の光線を発光するであろう。これは、白色光の発光と同等である。
サブモジュールが、青色、緑色、赤色、及び白色に関連付けられる波長域以外の波長域いおいて発(光)することも想定され得る。
更に、有利には、三次元エレクトロルミネセンス・ミクロ構造体230は、あらゆる方向において発光する。
発光を可能な限りフル活用するために、ミクロ構造体230の間に配置される基板225の正面225Aは、本例において光線を前方に反射するミラー(図示せず)で覆われる。
本明細書に記載のサブモジュール224は、各モジュール222を、したがってスクリーン220のモジュール222のマトリクスアレイを形成するように、並んで配設された個別のサブモジュールである。
各サブモジュール224は、背後から、制御要素によって個別に処理される。
本例において、各制御要素は、少なくとも1個のトランジスタを備える。
より正確には、本例において、各制御要素は、3個又は4個のトランジスタを備え、各トランジスタは、サブモジュール224に、当該サブモジュール224に関連付けられた導電パッド245を介して電子的に接続される。
サブモジュール224を組み付けることにより形成されるモジュール222のマトリクスアレイは、制御要素のマトリクスアレイ260に付加され、これにより、各トランジスタが、対応する三次元エレクトロルミネセンス構造体250に印加される電圧及び/又は投入される電流を制御する。
変形例として、制御要素のマトリクスアレイは、モジュールのマトリクスアレイに含まれる基板に組み込まれ得る。
したがって、薄膜トランジスタ(TFT)スクリーンの場合と類似的に、スクリーン220のモジュール222及びサブモジュール224は、同じくマトリクスアレイ260の形状に配設された制御要素によって、個別に処理される。
このようにして形成されるアクティブスクリーン220は、自由な形状ファクタを有する。具体的には、スクリーン220は、選択されるあらゆる形状を取り得る。これは、サブモジュール224及び/又はモジュール222を適宜配設するだけで達成され得る。
このことは、ヘッドアップディスプレイ用のスクリーンの場合に特に有利である。なぜならば、前記ヘッドアップディスプレイの操作に固有の画像の歪みが存在するが、これは、画像生成スクリーンの形状によって補償され得るからである。
また、三次元エレクトロルミネセンス構造体250により、スクリーン220は小型でありながらも、各ピクセルに十分な明るさを提供する点で有利である。
更に、三次元エレクトロルミネセンス構造体250の使用により、画像生成装置が生成する熱が減少する点で有利である。こうして、放熱ラジエータを使用する必要がなくなり、本発明によるヘッドアップディスプレイの体積が小さくなる。
このようにして形成されるアクティブスクリーンは、バックライト照明が必要ないため、ヘッドアップディスプレイの光学的効率性が明瞭に向上し、更に嵩張らないものとなる点で有利である。
更に、本発明は、顕著な経済的節約を可能とする。使用される三次元エレクトロルミネセンス構造体は安価であり、発光に殆どパワーを必要としない。
Claims (15)
- それぞれがピクセルを形成するモジュール(220)のマトリクスアレイと、
前記モジュール(222)のそれぞれを各々処理することが意図される制御要素のマトリクスアレイ(260)と、
を備えるスクリーン(220)において、
各モジュール(222)は、それぞれが三次元エレクトロルミネセンス構造体(250)を有する少なくとも3個の発光サブモジュール(224)を備え、
各制御要素は、各サブモジュール(224)を個別に処理することが意図される、
ことを特徴とするスクリーン(220)。 - 各モジュール(222)内において、少なくとも1個の第1サブモジュール(224)が、380nm乃至500nmに亘る可視スペクトル域において光を発光可能であり、少なくとも1個の第2サブモジュール(224)が、500nm乃至580nmに亘る可視スペクトル域において光を発光するのに適し、少なくとも1個の第3サブモジュール(224)が、610nm乃至700nmに亘る可視スペクトル域において光を発光するのに適する、
請求項1に記載のスクリーン(220)。 - 前記モジュール(222)の少なくとも40%が、380nm乃至700nmに亘る可視スペクトル域において白色光を発光するのに適する追加のサブモジュールを備える、
請求項1及び2のいずれかに記載のスクリーン(220)。 - 少なくとも1つの三次元エレクトロルミネセンス構造体(250)は、複数の三次元エレクトロルミネセンス・ミクロ構造体(230)を備える、
請求項1乃至3の一項に記載のスクリーン(220)。 - 各三次元エレクトロルミネセンス構造体(250)は、少なくとも100個の三次元エレクトロルミネセンス・ミクロ構造体(230)を備える、
請求項4に記載のスクリーン(220)。 - 各三次元エレクトロルミネセンス・ミクロ構造体(230)は、円筒状の発光接合体(236)を備える、
請求項4及び5のいずれかに記載のスクリーン(220)。 - 各三次元発光構造体(250)は、光を発光するのに適するアクティブ結晶層により覆われる、
請求項1乃至6の一項に記載のスクリーン(220)。 - 任意のサブモジュール(224)の前記三次元エレクトロルミネセンス構造体(250)は、発光団により覆われる、
請求項1乃至7の一項に記載のスクリーン(220)。 - 前記発光団は蛍光体である、
請求項8に記載のスクリーン(220)。 - 前記マトリクスアレイ(260)の各制御要素は、少なくとも1個のトランジスタを備える、
請求項1乃至9の一項に記載のスクリーン(220)。 - 各三次元エレクトロルミネセンス構造体(250)は半導体に基づくとともに、比較的平面的な基板(225)を備え、前記基板(225)からワイヤ(228)が立ち上がる、
請求項1乃至10の一項に記載のスクリーン(220)。 - 請求項1乃至11に記載のスクリーン(220)と、
半透明プレート(10)の方向において、前記スクリーン(220)により生成された画像を伝送するのに適する画像投影装置(24)と、
を備えるヘッドアップディスプレイ(1)。 - 前記半透明プレートは、コンバイナー(10)である、
請求項12に記載のヘッドアップディスプレイ(1)。 - 前記半透明プレートは、フロントガラスである、
請求項12に記載のヘッドアップディスプレイ(1). - 前記画像投影装置は、前記半透明プレート(10)の方向において、前記スクリーン(220)により生成された画像を反射するように配設されるミラーを備える、
請求項12乃至14の一項に記載のヘッドアップディスプレイ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1600410 | 2016-03-11 | ||
FR1600410A FR3048817B1 (fr) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | Ecran et afficheur tete haute comprenant un tel ecran |
PCT/EP2017/055753 WO2017153600A1 (fr) | 2016-03-11 | 2017-03-10 | Écran actif et afficheur tête haute comprenant un tel écran |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019510268A true JP2019510268A (ja) | 2019-04-11 |
Family
ID=55759772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018547897A Pending JP2019510268A (ja) | 2016-03-11 | 2017-03-10 | スクリーン、及びこのスクリーンを備えるヘッドアップディスプレイ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11275238B2 (ja) |
EP (1) | EP3427298B1 (ja) |
JP (1) | JP2019510268A (ja) |
CN (1) | CN109791927B (ja) |
FR (1) | FR3048817B1 (ja) |
WO (1) | WO2017153600A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3082657B1 (fr) | 2018-06-19 | 2021-01-29 | Aledia | Procede de fabrication d’un dispositif optoelectronique a parois de confinement lumineux auto alignes |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001144331A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-05-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
US20060175601A1 (en) * | 2000-08-22 | 2006-08-10 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
EP2402797A3 (en) * | 2001-12-14 | 2012-08-08 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Uniform illumination system |
US8049203B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-11-01 | Qunano Ab | Nanoelectronic structure and method of producing such |
WO2008129859A1 (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Panasonic Corporation | 発光素子及び表示装置 |
CN103022282B (zh) * | 2008-07-07 | 2016-02-03 | 格罗有限公司 | 纳米结构led |
US8835903B2 (en) * | 2010-07-29 | 2014-09-16 | National Tsing Hua University | Light-emitting diode display and method of producing the same |
KR101636915B1 (ko) * | 2010-09-03 | 2016-07-07 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 또는 탄소나노튜브를 이용한 반도체 화합물 구조체 및 그 제조방법과, 반도체 화합물 구조체를 포함하는 반도체 소자 |
KR101209449B1 (ko) * | 2011-04-29 | 2012-12-07 | 피에스아이 주식회사 | 풀-칼라 led 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
US8350251B1 (en) * | 2011-09-26 | 2013-01-08 | Glo Ab | Nanowire sized opto-electronic structure and method for manufacturing the same |
US20130190971A1 (en) * | 2012-01-19 | 2013-07-25 | Noel Wayne Anderson | Multifunction light transceiver device |
KR101473288B1 (ko) * | 2012-05-14 | 2014-12-16 | 내셔널 칭화 유니버시티 | 발광 다이오드 디스플레이 및 그 제조 방법 |
WO2014024082A2 (en) * | 2012-08-07 | 2014-02-13 | Koninklijke Philips N.V. | Led circuit |
TWI459356B (zh) * | 2012-08-31 | 2014-11-01 | Nat Univ Tsing Hua | 區塊動態驅動之背光模組及其抬頭顯示裝置 |
KR101898679B1 (ko) * | 2012-12-14 | 2018-10-04 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 발광소자 |
DE102013104273A1 (de) * | 2013-04-26 | 2014-10-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung mit säulenartiger Struktur und einer aktiven Zone |
FR3011388B1 (fr) | 2013-09-30 | 2016-11-25 | Aledia | Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes |
FR3015772B1 (fr) * | 2013-12-19 | 2017-10-13 | Aledia | Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes a extraction de lumiere amelioree |
FR3019380B1 (fr) * | 2014-04-01 | 2017-09-01 | Centre Nat Rech Scient | Pixel semiconducteur, matrice de tels pixels, structure semiconductrice pour la realisation de tels pixels et leurs procedes de fabrication |
CN107076991A (zh) * | 2014-07-22 | 2017-08-18 | 诺迪公司 | 紧凑型抬头显示器系统 |
JP6529335B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2019-06-12 | 矢崎総業株式会社 | 車両用表示装置及び車両 |
US10535709B2 (en) * | 2014-12-30 | 2020-01-14 | Aledia | Optoelectronic device with light-emitting diodes |
BR112018000612A2 (pt) * | 2015-07-13 | 2018-09-18 | Crayonano As | nanofios ou nanopirâmides cultivados sobre um substrato grafítico |
EP3329509A1 (en) * | 2015-07-31 | 2018-06-06 | Crayonano AS | Process for growing nanowires or nanopyramids on graphitic substrates |
FR3048552B1 (fr) * | 2016-03-02 | 2018-05-25 | Valeo Vision | Source de lumiere a semi-conducteurs et systeme d'aide a la conduite pour vehicule automobile comportant une telle source |
-
2016
- 2016-03-11 FR FR1600410A patent/FR3048817B1/fr active Active
-
2017
- 2017-03-10 JP JP2018547897A patent/JP2019510268A/ja active Pending
- 2017-03-10 WO PCT/EP2017/055753 patent/WO2017153600A1/fr active Application Filing
- 2017-03-10 US US16/083,734 patent/US11275238B2/en active Active
- 2017-03-10 CN CN201780026442.5A patent/CN109791927B/zh active Active
- 2017-03-10 EP EP17709701.1A patent/EP3427298B1/fr active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109791927A (zh) | 2019-05-21 |
CN109791927B (zh) | 2023-10-20 |
US20190155025A1 (en) | 2019-05-23 |
EP3427298A1 (fr) | 2019-01-16 |
FR3048817B1 (fr) | 2018-06-15 |
EP3427298B1 (fr) | 2024-04-03 |
WO2017153600A1 (fr) | 2017-09-14 |
US11275238B2 (en) | 2022-03-15 |
FR3048817A1 (fr) | 2017-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3439042B1 (en) | Display device and manufacturing method therefor | |
US11187917B2 (en) | Three-dimensional display and aerial three-dimensional display | |
JP5154498B2 (ja) | 照明装置および平面光出力を生成する方法 | |
US7687812B2 (en) | Light-emitting diode arrays and methods of manufacture | |
KR102499852B1 (ko) | 표시 장치 | |
US20190073944A1 (en) | Micro light emitting diode display panel and driving method thereof | |
US20080308819A1 (en) | Light-Emitting Diode Arrays and Methods of Manufacture | |
JPH1167448A (ja) | ディスプレイ装置 | |
KR20130137985A (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
US10490121B2 (en) | Display device | |
US8602600B2 (en) | Light emitting device and electronic device | |
US8664847B2 (en) | Arrangement and method for generating mixed light | |
KR20230056050A (ko) | 모놀리식 나노컬럼 구조 | |
TW201426152A (zh) | 顯示裝置 | |
JP2000194275A (ja) | 画像表示装置 | |
JP2019510268A (ja) | スクリーン、及びこのスクリーンを備えるヘッドアップディスプレイ | |
CN110716345B (zh) | 芯片安装基板、显示装置以及芯片安装基板的制造方法 | |
JP2002351359A (ja) | Ledアレイおよびled表示装置 | |
US11289012B2 (en) | Micro light emitting diode display panel and driving method thereof | |
US20200091382A1 (en) | Display Device | |
KR102213098B1 (ko) | 표시장치 및 그 제조 방법 | |
CN109586168B (zh) | 一种有源激光彩色显示模块与显示屏 | |
US11415814B2 (en) | Radiation-emitting device | |
WO2014017126A1 (ja) | 半導体発光装置 | |
KR102449134B1 (ko) | 투명 액정표시장치 |