JP2019507880A - Sensor for detecting conductive and / or polarizable particles, sensor system, method of operating the sensor, method of manufacturing this type of sensor and use of this type of sensor - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 127
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 119
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000004071 soot Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 7
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQHSIRTYSFLSRM-UHFFFAOYSA-N alumanylidynechromium Chemical compound [Al].[Cr] QQHSIRTYSFLSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- UUWCBFKLGFQDME-UHFFFAOYSA-N platinum titanium Chemical compound [Ti].[Pt] UUWCBFKLGFQDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
- G01N15/0656—Investigating concentration of particle suspensions using electric, e.g. electrostatic methods or magnetic methods
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
- G01N15/0606—Investigating concentration of particle suspensions by collecting particles on a support
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N2015/0042—Investigating dispersion of solids
- G01N2015/0046—Investigating dispersion of solids in gas, e.g. smoke
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Biochemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本発明は、導電性及び/又は分極性粒子を検出する、特に、煤粒子を検出するセンサ(10)であって、基板(11)を備えるセンサ(10)において、
少なくとも一つの構造化された電極層(32,32)及び/又は一つの構造化された絶縁体(20,21)に、検出される粒子(30,30’)が到達できる少なくとも一つの開口(25,26,35,36)が形成されるように、第1のレベル(E1)の第1の構造化された絶縁体(20)、第2のレベル(E2)の第1の構造化された電極層(31)、第3のレベル(E3)の第2の構造化された絶縁体(21)及び第4のレベル(E4)の第2の構造化された電極層(32)が基板(11)の少なくとも一方の側に直接的又は間接的に配置され、
電極層(31,32)がそれぞれ、少なくとも二つの電極(40,40’,41,41’)、少なくとも二つの導体トラック(38,39)又は少なくとも一つの電極と少なくとも一つの導体トラックの組合せを有することを特徴とするセンサ(10)に関する。
【選択図】図1The invention relates to a sensor (10) for detecting conductive and / or polarizable particles, in particular for detecting soot particles, comprising a substrate (11),
At least one opening (30, 30 ') through which the particle (30, 30') to be detected can reach the at least one structured electrode layer (32, 32) and / or one structured insulator (20, 21) 25, 26, 35, 36) to form the first structured insulator (20) of the first level (E1), the first structured of the second level (E2) Electrode layer (31), second structured insulator (21) of third level (E3) and second structured electrode layer (32) of fourth level (E4) Placed directly or indirectly on at least one side of (11),
The electrode layers (31, 32) respectively comprise at least two electrodes (40, 40 ', 41, 41'), at least two conductor tracks (38, 39) or a combination of at least one electrode and at least one conductor track The present invention relates to a sensor (10) characterized by having.
[Selected figure] Figure 1
Description
本発明は、導電性及び/又は分極性粒子を検出する、特に、煤粒子を検出するセンサに関する。また、本発明は、センサシステム、センサを作動させる方法、導電性及び/又は分極性粒子を検出するセンサを製造する方法及びこのタイプのセンサの使用に関する。 The present invention relates to a sensor for detecting conductive and / or polarizable particles, in particular for detecting soot particles. The invention also relates to a sensor system, a method of operating the sensor, a method of manufacturing a sensor for detecting conductive and / or polarizable particles and the use of a sensor of this type.
センサ支持体を有するとともに電極及び加熱構造が平面配置でこのセンサ支持体に配置されるセンサが従来知られている。検出動作において、分極性及び/又は導電性粒子がこの平面配置に堆積される。堆積した粒子によって電極間の抵抗の減少が生じ、このような抵抗の降下は、堆積した粒子の重量の測定として用いられる。抵抗の予め規定されたしきい値に到達すると、センサ配置は、加熱構造によって加熱され、これによって堆積された粒子が焼き尽くされ、クリーニング工程後、センサを別の検出サイクルで用いることができる。 Sensors are known in the art which have a sensor support and in which the electrodes and the heating structure are arranged in a planar arrangement on this sensor support. In the detection operation polarizable and / or conductive particles are deposited in this planar arrangement. The deposited particles cause a reduction in resistance between the electrodes, and such a drop in resistance is used as a measure of the weight of the deposited particles. Once the predefined threshold of resistance is reached, the sensor arrangement is heated by the heating structure, which burns out the deposited particles and the sensor can be used in another detection cycle after the cleaning process.
ドイツ国特許出願公開第102005029219号明細書において、電極、ヒータ及び温度センサを平面配置のセンサ支持体に設けた、内燃機関の排ガス流の粒子を検出するセンサが記載されている。このセンサ配置の一つの欠点は、ブリッジされる電極が煤のような導電性及び分極性粒子を測定するときに許容しうる感度範囲に到達できるようにするために最小長を有する必要があることである。しかしながら、最小長のブリッジされる電極を実現するために所定の寸法のセンサ素子が必要となる。これは、これらのセンサ素子の製造の対応する費用における不利が伴う。 DE 102005029219 describes a sensor for detecting particles of the exhaust gas flow of an internal combustion engine, in which an electrode, a heater and a temperature sensor are provided on a sensor support in a planar arrangement. One disadvantage of this sensor arrangement is that the electrodes to be bridged have to have a minimum length in order to be able to reach an acceptable sensitivity range when measuring conductive and polarizable particles like soot. It is. However, in order to achieve a bridged electrode of minimum length, a sensor element of predetermined dimensions is required. This is accompanied by a disadvantage in the corresponding costs of manufacturing these sensor elements.
本発明の目的は、上述した欠点を解消することができるように寸法を最小にした、導電性及び/又は分極性粒子を検出する、特に、煤粒子を検出する更に進歩したセンサを特定することである。 The object of the present invention is to identify further advanced sensors for detecting electrically conductive and / or polarizable particles, in particular for detecting soot particles, which are minimized in size so that the above-mentioned drawbacks can be eliminated. It is.
また、本発明の目的は、センサシステム、センサを作動させる方法及びそのようなセンサの使用の改善を特定することである。 It is also an object of the present invention to identify sensor systems, methods of operating the sensors and improvements in the use of such sensors.
本発明によれば、この目的は、請求項1による導電性及び/又は分極性粒子を検出する、特に、煤粒子を検出する本発明によるセンサによって達成される。センサシステムに関して、目的は、請求項12の特徴によって達成される。本発明のセンサを作動させる方法に関して、目的は、請求項13の特徴によって達成される。センサの使用に関して、目的は、請求項15の特徴によって達成される。
According to the invention, this object is achieved by a sensor according to the invention for detecting electrically conductive and / or polarizable particles, in particular for detecting soot particles according to claim 1. With respect to the sensor system, the object is achieved by the features of
本発明によるセンサ、本発明によるセンサを作動させる方法及び本発明によるセンサの使用の有利かつ適切な改良は、従属項で特定される。 Advantageous and suitable refinements of the sensor according to the invention, the method for operating the sensor according to the invention and the use of the sensor according to the invention are specified in the dependent claims.
本発明に内在する概念は、導電性及び/又は分極性粒子を検出する、特に、煤粒子を検出するセンサであって、基板を備えるセンサにおいて、少なくとも一つの構造化された電極層及び/又は一つの構造化された絶縁体に、検出される粒子が到達できる少なくとも一つの開口が形成されるように、第1のレベルの第1の構造化された絶縁体、第2のレベルの第1の構造化された電極層、第3のレベルの第2の構造化された絶縁体及び第4のレベルの第2の構造化された電極層が基板の少なくとも一方の側に直接的又は間接的に配置され、電極層がそれぞれ、少なくとも二つの電極、少なくとも二つの導体トラック又は少なくとも一つの電極と少なくとも一つの導体トラックの組合せを有することを特徴とするセンサを特定することである。 The concept underlying the present invention is a sensor for detecting conductive and / or polarizable particles, in particular for detecting soot particles, in a sensor comprising a substrate, at least one structured electrode layer and / or A first level of a first structured insulator, a second level of a first, such that at least one opening is formed in one structured insulator that can be reached by the particles to be detected. A third structured electrode layer, a third level second structured insulator and a fourth level second structured electrode layer directly or indirectly on at least one side of the substrate To identify a sensor characterized in that the electrode layers each have at least two electrodes, at least two conductor tracks or a combination of at least one electrode and at least one conductor track.
換言すれば、少なくとも一つの第1の構造化された電極層及び一つの第2の構造化された電極層を水平方向に配置するとともに少なくとも一つの構造化された絶縁体を二つの構造化された電極層の間に配置したセンサを設ける。少なくとも一つの第1の構造化された絶縁体は、基板と第2のレベルの第1の構造化された電極層の間に配置される。 In other words, at least one first structured electrode layer and one second structured electrode layer are arranged horizontally and at least one structured insulator is two structured A sensor disposed between the two electrode layers is provided. At least one first structured insulator is disposed between the substrate and the second level first structured electrode layer.
一般的には、基板は、他の表面より著しく大きい少なくとも二つの表面を有するような平面形状となるように設計される。しかしながら、他の形状も可能であり、例えば、全ての表面が略同一サイズ(立方体、4面体等)である又は一つの表面のみが他の表面より大きい(例えば、円柱又は半球)。電極層又は絶縁層は、表面の少なくとも一つに設けられるが、複数の表面を被覆することもできる。基板の厚さは、数mmであってもよく、好適には、0.2mmから0.5mmまでの範囲であり、特に好適には、0.3mmから0.4mmまでの範囲である。 Generally, the substrate is designed to be planar in shape to have at least two surfaces significantly larger than the other surfaces. However, other shapes are also possible, eg all surfaces are of substantially the same size (cube, tetrahedron etc) or only one surface is larger than the other (eg cylindrical or hemispherical). The electrode layer or the insulating layer is provided on at least one of the surfaces, but a plurality of surfaces can also be coated. The thickness of the substrate may be several mm, preferably in the range of 0.2 mm to 0.5 mm, particularly preferably in the range of 0.3 mm to 0.4 mm.
基板を絶縁材料、導電材料又は半導体材料で構成することができる。例えば、金属酸化物、ガラス、セラミックス及び/又はガラスセラミックスを絶縁材料として用いることができる。用いられる材料は、好適には、Al2O3、ZrO2又はMgOである。用いられる導電材料は、動作温度より高い融点を有する金属、合金又は導電性セラミックスである。ニッケル又はニッケル−鉄合金、アルミニウム、アルミニウム−クロム合金は、導電材料として好適に用いられる。ケイ素又は炭化ケイ素のような材料は、半導体として適している。 The substrate can be composed of an insulating material, a conductive material or a semiconductor material. For example, metal oxides, glass, ceramics and / or glass ceramics can be used as the insulating material. The material used is preferably Al 2 O 3 , ZrO 2 or MgO. The conductive material used is a metal, alloy or conductive ceramic having a melting point higher than the operating temperature. Nickel or nickel-iron alloy, aluminum, aluminum-chromium alloy is preferably used as the conductive material. Materials such as silicon or silicon carbide are suitable as semiconductors.
金属又は半導体を基板として用いる場合、一つの電極層を省略することができ、センサの全体の厚さを低減することができる。これは、追加の層を基板の両側に設けるときに特に有利である。金属基板を導体トラックとして実現することができるとともに金属基板を加熱導体又は温度センサとして用いることができる。このために、好適には絶縁層の製造中に導体トラックの間のスペースに絶縁層を充填するとともに導体トラック部を互いに絶縁する。 If a metal or semiconductor is used as the substrate, one electrode layer can be omitted and the overall thickness of the sensor can be reduced. This is particularly advantageous when the additional layers are provided on both sides of the substrate. The metal substrate can be realized as a conductor track and the metal substrate can be used as a heating conductor or a temperature sensor. For this purpose, preferably the spaces between the conductor tracks are filled with the insulation layer and the conductor track parts are isolated from one another during the production of the insulation layer.
センサは、基板が他の構造化された電極層及び他の構造化された絶縁体を有することができるように五つ以上のレベルを有することができる。換言すれば、奇数番号のレベルが構造化された絶縁体を有し、偶数番号のレベルが構造化された電極層を有する。三つ以上の構造化された電極層を形成する場合、センサは、好適には、一つの構造化された絶縁体が二つの構造化された電極層の間に常に形成されるように常に設計される。レベルの番号を基板又は基板の一つの側から数える。 The sensor can have more than four levels so that the substrate can have other structured electrode layers and other structured insulators. In other words, the odd numbered levels have structured insulators and the even numbered levels have structured electrode layers. When forming three or more structured electrode layers, the sensor is preferably designed so that one structured insulator is always formed between two structured electrode layers. Be done. The level numbers are counted from the substrate or one side of the substrate.
構造化された電極層は、重なり合うように配置され、特に、重なり合うように堆積され、構造化された電極層は、少なくとも一つの構造化された絶縁体によってその都度互いに離間される。 The structured electrode layers are arranged in an overlapping manner, in particular, the overlappingly deposited, structured electrode layers are in each case spaced apart from one another by at least one structured insulator.
本発明によるセンサは、例えば、少なくとも三つの構造化された電極層と、少なくとも三つの構造化された絶縁体と、を備えることができ、一つの絶縁体は、常に、二つの構造化された電極層の間に形成される。第1の構造化された絶縁体は、好適には、基板の一つの側に形成される。 The sensor according to the invention can, for example, comprise at least three structured electrode layers and at least three structured insulators, one insulator always being two structured It is formed between the electrode layers. The first structured insulator is preferably formed on one side of the substrate.
構造化された絶縁体を、並んで及び/又は重なり合って配置することができる二つ以上の副層によって構成することができる。構造化された絶縁体の二つ以上の副層を、異なる材料から構成することができる及び/又は異なる材料を含むことができる。 The structured insulator can be constituted by two or more sublayers, which can be arranged side by side and / or overlapping. The two or more sublayers of the structured insulator can be composed of different materials and / or can comprise different materials.
構造化された電極層を、少なくとも二つの電極、少なくとも二つの導体トラック又は少なくとも一つの電極と少なくとも一つの導体トラックとの組合せによって構成することができる。したがって、電極層は、三つの電極層、三つの導体トラック又は二つの電極と一つの導体トラックの組合せを有することもできる。さらに、種々の電極層を異なるようにそれぞれ構成することができる。換言すれば、少なくとも二つの電極層を、異なる数の電極及び/又は導体トラックから形成することができる。 The structured electrode layer can be constituted by at least two electrodes, at least two conductor tracks or a combination of at least one electrode and at least one conductor track. Thus, the electrode layer can also have three electrode layers, three conductor tracks or a combination of two electrodes and one conductor track. Furthermore, the various electrode layers can be configured differently. In other words, at least two electrode layers can be formed from different numbers of electrodes and / or conductor tracks.
少なくとも一つの電極層は、好適には、少なくとも二つの交互に配置された電極、少なくとも一部の領域において交互に配置された若しくは互いに平行に延在する少なくとも二つの導体トラック又は交互に配置された若しくは織り交ぜられた少なくとも一つの電極と少なくとも一つの導体トラックの組合せを有する。したがって、「交互に配置された」は、「互いに織り交ぜられた」、「互いに入れ子にされた」、「互いにつながりを持たせた」又は「互いに組み合わされた」と言うこともできる。 The at least one electrode layer is preferably at least two alternately arranged electrodes, at least two conductor tracks alternately arranged in at least part of the area or extending parallel to one another or alternately Or a combination of at least one interdigitated electrode and at least one conductor track. Thus, "alternated" can also be referred to as "interwoven with each other", "nested with each other", "connected with each other" or "combined with each other".
用いられる個別の電極層は、異なる構造を有することができる。 The individual electrode layers used can have different structures.
電極層を、互いに越えるように形成することもできる。 The electrode layers can also be formed over each other.
換言すれば、本発明によるセンサは、少なくとも二つの絶縁体及び少なくとも二つの構造化された電極層を備える層複合物を有することができる。 In other words, the sensor according to the invention can have a layer composite comprising at least two insulators and at least two structured electrode layers.
さらに、検出される粒子が到達できる少なくとも二つのレベルの重複する開口を、電極及び/又は導体トラックの間に形成することができる。換言すれば、基板の複数の層、特に、複数の構造化された電極層及び/又は複数の構造化された絶縁体は、互いに重なり合って配置された開口を有し、粒子は、更に下に配置された構造化された電極層の開口を通過することができる。開口は、基板も貫通するとともに他の側の他の電極及び絶縁層(レベル)の開口に併合することができる。開口は、一般的には、複数のレベルに亘って延在する通路が製造されるように互いに重なり合って配置される。しかしながら、開口を、部分的に重なり合うように又は全く重なり合わないようにセンサの少なくとも一部に配置することもできる。 Furthermore, at least two levels of overlapping apertures, which the particles to be detected can reach, can be formed between the electrodes and / or the conductor tracks. In other words, the layers of the substrate, in particular the structured electrode layers and / or the structured insulators, have openings arranged one on top of the other, and the particles further down. It can pass through the opening of the arranged structured electrode layer. The openings can also penetrate the substrate and merge into the openings of other electrodes and insulating layers (levels) on the other side. The openings are generally arranged one on top of the other such that channels extending over multiple levels are produced. However, the openings can also be arranged at least in part of the sensor in such a way that they overlap or not overlap at all.
好適には、少なくとも一つの電極層の開口は、この電極層の縁領域から離間され、少なくとも一つの絶縁体の開口は、絶縁体の縁領域から離間される。したがって、開口は、好適には、境界層又は関連の層の外側縁に形成されない。 Preferably, the openings of the at least one electrode layer are spaced from the edge area of the electrode layer and the openings of the at least one insulator are spaced from the edge area of the insulator. Thus, the openings are preferably not formed in the outer edge of the boundary layer or the associated layer.
第1の構造化された電極層及び第2の構造化された電極層は、その間に配置された第2の構造化された絶縁体によって互いに絶縁される。そのような設計の結果、従来のセンサに比べて外形寸法が小さい非常に感度の高いセンサを形成することができる。 The first structured electrode layer and the second structured electrode layer are mutually insulated by a second structured insulator disposed therebetween. Such a design can result in the formation of a very sensitive sensor which has a smaller external dimension compared to conventional sensors.
本発明の別の実施の形態において、第3の構造化された絶縁体を第5のレベルで形成することができる。 In another embodiment of the present invention, a third structured insulator can be formed at a fifth level.
さらに、第3の構造化された絶縁体を第5のレベルで形成するとともに少なくとも二つの電極、少なくとも二つの導体トラック又は少なくとも一つの電極と少なくとも一つの導体トラックの組合せを有する第3の構造化された電極層を第6のレベルで形成することができる。 In addition, a third structuring is formed at the fifth level with a third structured insulator and at least two electrodes, at least two conductor tracks or a combination of at least one electrode and at least one conductor track. The formed electrode layer can be formed at the sixth level.
第5のレベル及び/又は第6のレベルの構造に加えて、他の構造化された絶縁体及び他の構造化された電極層を他のレベルで形成することができ、電極層はそれぞれ、少なくとも二つの電極、少なくとも二つの導体トラック又は少なくとも一つの電極と少なくとも一つの導体トラックの組合せを有することができる。 In addition to the fifth and / or sixth level structures, other structured insulators and other structured electrode layers can be formed at other levels, each electrode layer being It can have at least two electrodes, at least two conductor tracks or a combination of at least one electrode and at least one conductor track.
構造化された絶縁体は、少なくとも一部の区域の上に配置される構造化された電極層、特に、少なくとも一部の区域の上に配置される電極及び/又は導体トラックの構造を有することができる。さらに、構造化された絶縁体は、少なくとも一部の区域の下に配置される構造化された電極層、特に、少なくとも一部の区域の下に配置される電極及び/又は導体トラックの構造を有することができる。 The structured insulator comprises a structured electrode layer arranged over at least a part of the area, in particular an electrode and / or conductor track structure arranged over at least a part of the area Can. Furthermore, the structured insulator comprises a structured electrode layer arranged under at least a part of the area, in particular a structure of electrodes and / or conductor tracks arranged under at least a part of the area It can have.
特に開口のエリアの基板を被覆する導電層、特に、平面金属層を、基板と第1の構造化された絶縁体の間又は基板と第1の構造化された絶縁体の第1のレベルの間に構成することができる。平面形状であるが好適には開口又は通路を有しない金属層を構成することができる。 In particular, a conductive layer covering the substrate in the area of the opening, in particular a planar metal layer, between the substrate and the first structured insulator or of the substrate and the first level of the structured insulator It can be configured between. A metal layer may be constructed which is planar in shape but preferably has no openings or passages.
少なくとも一つの構造化された絶縁体は、0.1μmから50μmまでの厚さ、特に、1.0μmから40μmまでの厚さ、特に、5.0μmから30μmまでの厚さ、特に、7.5μmから20μmまでの厚さ、特に、8μmから12μmまでの厚さを有することができる。構造化された絶縁体の厚さを変えることによって、第1の電極層から他の電極層までの距離を調整することができる。センサの感度を、重なり合って配置される構造化された電極層の間隔を減少させることによって上げることができる。設計される絶縁体の厚さが小さくなるに従ってセンサの感度が上がる。 At least one structured insulator has a thickness of 0.1 μm to 50 μm, in particular a thickness of 1.0 μm to 40 μm, in particular a thickness of 5.0 μm to 30 μm, in particular 7.5 μm. To 20 .mu.m, in particular from 8 .mu.m to 12 .mu.m. By varying the thickness of the structured insulator, the distance from the first electrode layer to the other electrode layer can be adjusted. The sensitivity of the sensor can be increased by reducing the spacing of the overlappingly arranged structured electrode layers. As the thickness of the designed insulator decreases, the sensitivity of the sensor increases.
さらに、一つ以上の電極層の厚さ及び/又は一つ以上の絶縁体の厚さを変えることができる。 Additionally, the thickness of the one or more electrode layers and / or the thickness of the one or more insulators can be varied.
絶縁体は異なる層厚を有することができる。したがって、電極層の間の距離を変えることができる。異なる層厚の絶縁体を用いることによって、検出される粒子のサイズを測定することができる。さらに、検出される粒子の粒径分布を絶縁体の異なる層厚に基づいて推論することができる。 The insulators can have different layer thicknesses. Thus, the distance between the electrode layers can be varied. By using insulators of different layer thicknesses, it is possible to measure the size of the particles to be detected. Furthermore, the particle size distribution of the particles to be detected can be deduced on the basis of the different layer thicknesses of the insulator.
少なくとも一つの構造化された絶縁体を、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ケイ素(SiO2)、酸化マグネシウム(MgO)、窒化ケイ素(Si3N4)、ガラス、セラミック、ガラスセラミックス、金属酸化物又はその任意の混合物から形成することができる。 At least one structured insulator, aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon oxide (SiO 2 ), magnesium oxide (MgO), silicon nitride (Si 3 N 4 ), glass, ceramic, glass ceramics, metal It can be formed from an oxide or any mixture thereof.
少なくとも一つの構造化された絶縁体は、その下に配置される少なくとも一つの構造化された電極層を側面に沿って包囲することができる。換言すれば、この絶縁体は、電極層が側面に沿って絶縁されるようにこの電極層の側面を被覆することができる。 At least one structured insulator can laterally surround at least one structured electrode layer disposed thereunder. In other words, the insulator can cover the side of the electrode layer such that the electrode layer is insulated along the side.
少なくとも一つの導体トラックを、加熱導体として基板と第1の構造化された絶縁体の間に及び/又は基板の他の側に及び/又は偶数番号のレベルで形成することができる。 At least one conductor track may be formed as a heating conductor between the substrate and the first structured insulator and / or on the other side of the substrate and / or at an even numbered level.
少なくとも一つの電極及び/又は少なくとも一つの導体トラックを、導電材料、特に、金属又は合金、特に、高温耐熱金属又は高温耐熱合金、特に好適には、白金族元素の群からなる金属又は白金族元素の群からなる金属の合金から構成することができる。白金族元素は、パラジウム(Pd)、プラチナ(Pt)、ロジウム(Rh)、オスミウム(Os)及びイリジウム(Ir)である。ニッケル(Ni)のような卑金属又はニッケル/クロム又はニッケル/鉄のような卑金属合金を用いることもできる。 At least one electrode and / or at least one conductor track, a conductive material, in particular a metal or alloy, in particular a high temperature resistant metal or a high temperature resistant alloy, particularly preferably a metal or a platinum group element consisting of the group of platinum group elements It can be composed of an alloy of metals consisting of: The platinum group elements are palladium (Pd), platinum (Pt), rhodium (Rh), osmium (Os) and iridium (Ir). It is also possible to use base metals such as nickel (Ni) or base metal alloys such as nickel / chromium or nickel / iron.
さらに、少なくとも一つの電極及び/又は少なくとも一つの導体トラックを、導電性セラミック又は金属とセラミックの混合物によって形成することができる。例えば、少なくとも一つの電極層をプラチナ(Pt)粒子と酸化アルミニウム(Al2O3)本体の混合物から形成することができる。少なくとも一つの実際の電極及び/又は少なくとも一つの導体トラックは炭化ケイ素(SiC)を含んでもよい又は炭化ケイ素(SiC)から構成されてもよい。上述した材料及び金属又はこれらの金属の合金は、特に高い耐熱性を有し、したがって、内燃機関の排気ガス流の煤粒子の検出に用いることができるセンサ素子を構成するのに適している。 Furthermore, the at least one electrode and / or the at least one conductor track can be formed by a conductive ceramic or a mixture of metal and ceramic. For example, at least one electrode layer can be formed from a mixture of platinum (Pt) particles and an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) body. The at least one actual electrode and / or the at least one conductor track may comprise or consist of silicon carbide (SiC). The materials mentioned above and the metals or alloys of these metals have particularly high heat resistance and are therefore suitable for constructing sensor elements which can be used for the detection of soot particles in the exhaust gas flow of internal combustion engines.
電極又は導体トラックの厚さを広範囲に亘って変えることができ、10nmから1000μmまでの範囲の厚さを用いることができる。好適には、100nmから100μmまでの範囲の厚さ、特に好適には、0.6μmから1.2μmまでの範囲の厚さ、一層好適には、0.8μmから0.9μmまでの範囲の厚さを用いる。 The thickness of the electrodes or conductor tracks can be varied over a wide range, and thicknesses in the range of 10 nm to 1000 μm can be used. Preferably a thickness in the range 100 nm to 100 μm, particularly preferably a thickness in the range 0.6 μm to 1.2 μm, more preferably a thickness in the range 0.8 μm to 0.9 μm. Use the
電極又は導体トラックの幅を広範囲に亘って変えることができ、10μmから10mmまでの範囲の幅を用いることができる。好適には、30μmから300μmまでの範囲の幅、特に好適には、30μmから100μmまでの範囲の幅、一層好適には、30μmから40μmまでの範囲の幅を用いる。 The width of the electrodes or conductor tracks can be varied over a wide range, and widths in the range of 10 μm to 10 mm can be used. Preferably, a width in the range of 30 μm to 300 μm, particularly preferably in the range of 30 μm to 100 μm, more preferably in the range of 30 μm to 40 μm is used.
特にセラミック及び/又はガラス及び/又は金属酸化物又はその組合せから形成されている少なくとも一つの被覆層を、第1の構造化された絶縁体から見て外方に向く最上部の構造化された電極層の側に形成する。換言すれば、少なくとも一つの被覆層を、第1の構造化された絶縁体の反対側に形成した最上部の電極層の側に構成する。被覆層は、拡散障害としての役割を果たすことができ、電極層、最上部の電極層又は最も大きい偶数番号のレベルの電極層の蒸発を更に減少させる。これは、700℃を超える高温で特に重要である。排気ガス流において、例えば、850℃以上の温度に到達することがある。 At least one covering layer, in particular made of ceramic and / or glass and / or metal oxides or combinations thereof, is structured in a top facing outwards from the first structured insulator It is formed on the side of the electrode layer. In other words, at least one covering layer is configured on the side of the top electrode layer formed on the opposite side of the first structured insulator. The cover layer can serve as a diffusion barrier, further reducing the evaporation of the electrode layer, the top electrode layer or the electrode layer of the largest even numbered level. This is especially important at high temperatures above 700 ° C. In the exhaust gas stream, for example, temperatures of over 850 ° C. may be reached.
本発明の他の実施の形態において、被覆層は、最上部の絶縁体及び/又は他の電極層を側面に沿って包囲することができる。換言すれば、最上部の電極層の側面及び下に存在する絶縁体の側面の両方を少なくとも一つの被覆層によって被覆することができる。したがって、被覆層の側面に沿って包囲する部分又は側面に沿って包囲する領域は、最上部の電極層から最下位の電極層まで延在することができる。これは、一つ以上の電極層及び/又は一つ以上の絶縁体の側面に沿った絶縁を提供する。 In another embodiment of the invention, the covering layer can laterally surround the top insulator and / or the other electrode layer. In other words, both the side surface of the top electrode layer and the side surface of the underlying insulator can be covered by at least one covering layer. Therefore, the surrounding portion along the side surface of the covering layer or the surrounding region along the side surface can extend from the top electrode layer to the lowermost electrode layer. This provides insulation along the sides of one or more electrode layers and / or one or more insulators.
少なくとも一つの被覆層が最上部の電極層を完全に被覆しないようにすることができる。換言すれば、少なくとも一つの被覆層が最上部の電極層の一部の区域のみを被覆することができる。 The at least one covering layer may not completely cover the top electrode layer. In other words, at least one covering layer can cover only a part of the top electrode layer.
最上部の電極層を加熱層として設計した場合、加熱ループ/加熱コイルの区域のみを少なくとも一つの被覆層によって被覆することができる。最上部の電極層は、基板から最も離間して配置される電極層として規定される。最下位の電極層は、基板に最も近接して配置される電極層として規定される。最上部の絶縁体は、基板から最も離間して配置される絶縁体として規定される。最下位の絶縁体は、基板に最も近接して配置される絶縁体として規定される。 If the top electrode layer is designed as a heating layer, only the area of the heating loop / heating coil can be covered by at least one covering layer. The top electrode layer is defined as the electrode layer disposed most distant from the substrate. The lowermost electrode layer is defined as the electrode layer disposed closest to the substrate. The top insulator is defined as the insulator located farthest from the substrate. The lowermost insulator is defined as the insulator located closest to the substrate.
多孔質フィルタ層を最上部の電極層の上及び/又は被覆層の上に形成することができる。そのような多孔質フィルタ層を用いることによって、大きい粒子片を電極層及び絶縁体の配置に近づけないようにすることができる。フィルタ層の複数の孔の少なくとも一つは、適切なサイズの粒子がフィルタ層を通過できるのを保証するように設計される。フィルタ層の細孔径を、例えば、1μmより大きくすることができる。多孔質フィルタ層を、規定した寸法の開口が存在する又は形成されたマイクロ構造層とすることもできる。 A porous filter layer can be formed on the top electrode layer and / or on the covering layer. By using such a porous filter layer, it is possible to keep large particle pieces out of alignment with the arrangement of the electrode layer and the insulator. At least one of the plurality of pores of the filter layer is designed to ensure that particles of appropriate size can pass through the filter layer. The pore size of the filter layer can be, for example, greater than 1 μm. The porous filter layer can also be a microstructured layer in which openings of defined dimensions are present or formed.
特に好適には、細孔径を20μmから30μmまでの範囲に設計する。多孔質フィルタ層を、例えば、セラミック材料から形成することができる。多孔質フィルタ層を酸化アルミニウムフォームから構成することも考えられる。センサの一つ以上の開口も被覆するフィルタ層によって、測定を妨害する大きい粒子、特に、煤粒子を少なくとも一つの通路に近づけないようにすることができ、したがって、そのような粒子によって短絡が生じないようにすることができる。 Particularly preferably, the pore size is designed in the range of 20 μm to 30 μm. The porous filter layer can be formed, for example, of a ceramic material. It is also conceivable to construct the porous filter layer from aluminum oxide foam. By means of a filter layer which also covers one or more openings of the sensor, large particles, in particular soot particles, which interfere with the measurement can be kept away from the at least one passage, such particles thus causing a short circuit. It can be avoided.
センサは、少なくとも一つの開口を有する。センサの少なくとも一つの開口を止まり穴として設計することができ、第1の絶縁体の区域、第1の構造化された電極層の区域又は付加的な平面形状の金属層の区域は、止まり穴の底部として形成される。センサが被覆層を有する場合、開口はこの被覆層にも延在する。換言すれば、電極層、絶縁層及び被覆層はそれぞれ開口を有し、これらの開口は、通路、特に、止まり穴又は長手方向の窪みを形成するように重なり合って配置され、その底部は、最下位の電極層の区域、最下位の絶縁体の区域又は平面形状の金属層の区域によって形成される。開口、特に、止まり穴又は長手方向の窪みの底部を、第1の絶縁体に対向する第1の電極層の上側に形成することができる。さらに、第1の電極層が止まり穴又は長手方向の窪みの底部を形成する窪みを有することも考えられる。 The sensor has at least one aperture. The at least one opening of the sensor can be designed as a blind hole, the area of the first insulator, the area of the first structured electrode layer or the area of the additional planar shaped metal layer being a blind hole Formed as the bottom of the If the sensor has a covering layer, the openings also extend to this covering layer. In other words, the electrode layer, the insulating layer and the covering layer each have an opening, these openings being arranged so as to form a passage, in particular a blind hole or a longitudinal depression, the bottom of It is formed by the area of the lower electrode layer, the area of the lowermost insulator, or the area of the metal layer of planar shape. The bottom of the opening, in particular the blind hole or the longitudinal recess, can be formed on the upper side of the first electrode layer facing the first insulator. Furthermore, it is also conceivable that the first electrode layer has a blind hole or a recess forming the bottom of the longitudinal recess.
センサの少なくとも一つの開口は、線形形状、曲折形状、格子形状又は螺旋形状を有することができる。 The at least one aperture of the sensor can have a linear shape, a meander shape, a grid shape or a spiral shape.
少なくとも一つの開口、特に、少なくとも一つの長手方向の窪みは、少なくとも一部の区域においてV形状及び/又はU形状断面及び/又は半円及び/又は台形断面を有することができる。 The at least one opening, in particular the at least one longitudinal depression, can have a V-shaped and / or U-shaped cross section and / or a semicircular and / or trapezoidal cross section in at least one area.
例えば、止まり穴の開口の断面を、円形、正方形、矩形、長円形状、ハチの巣形状、多角形、三角形又は六角形とすることができる。異なるタイプの形態、特に、自由形状も考えられる。 For example, the cross section of the blind hole opening may be circular, square, rectangular, oval, honeycomb shaped, polygonal, triangular or hexagonal. Different types of forms, in particular free forms, are also conceivable.
例えば、止まり穴は3×3μm2から150×150μm2までの面積、特に、10×10μm2から100×100μm2までの面積、特に、15×15μm2から50×50μm2までの面積、特に、20×20μm2の面積の正方形断面を有する。 For example, the blind holes have an area of 3 × 3 μm 2 to 150 × 150 μm 2 , in particular an area of 10 × 10 μm 2 to 100 × 100 μm 2 , in particular an area of 15 × 15 μm 2 to 50 × 50 μm 2 , in particular It has a square cross section with an area of 20 × 20 μm 2 .
本発明の更なる拡張において、センサは、複数の通路又は開口、特に、複数の止まり穴及び/又は長手方向の窪みを有し、これらの止まり穴及び/又は長手方向の窪みを、上述したように設計することができる。さらに、少なくとも二つの通路、特に、二つの止まり穴及び/又は長手方向の窪みは、異なる断面、特に、異なるサイズの断面を有し、異なるサイズの止まり穴断面及び/又は異なるサイズの窪み断面を有する複数の測定セルを用いることができる複数の領域を有するセンサアレイを形成できるようにする。導電性及び/又は分極性粒子、特に、煤粒子の並列検出によって、粒子のサイズ又は粒子のサイズの分布についての追加情報を取得することができる。 In a further development of the invention, the sensor comprises a plurality of passages or openings, in particular a plurality of blind holes and / or longitudinal recesses, which blind holes and / or longitudinal recesses are as described above. Can be designed. Furthermore, at least two passages, in particular two blind holes and / or longitudinal recesses, have different cross sections, in particular cross sections of different sizes, different sizes of blind hole cross sections and / or different sized hollow sections It is possible to form a sensor array having a plurality of regions in which a plurality of measurement cells can be used. By parallel detection of conductive and / or polarizable particles, in particular soot particles, it is possible to obtain additional information about the size of the particles or the distribution of the size of the particles.
センサは、例えば、長手方向の窪みの形状の複数の通路を備え、通路は、グリッド状に配置される。 The sensor comprises, for example, a plurality of passages in the form of longitudinal recesses, the passages being arranged in a grid.
少なくとも一つの通路、特に、長手方向の窪みは、少なくとも一部の区域においてV形状及び/又はU形状断面及び/又は半円及び/又は台形断面を有することができる。 The at least one passage, in particular the longitudinal depression, can have a V-shaped and / or U-shaped cross section and / or a semicircular and / or trapezoidal cross section in at least a part of the area.
そのような断面又は断面形状は、円形粒子の測定を向上させる。さらに、これらのタイプの断面又は断面形状を用いることによってゴルフボール効果を回避することができる。 Such cross-sections or cross-sectional shapes enhance the measurement of circular particles. Furthermore, golf ball effects can be avoided by using these types of cross sections or cross sectional shapes.
長手方向の窪みを、トレンチ及び/又は溝及び/又はチャネルと称することもできる。 The longitudinal depressions can also be referred to as trenches and / or grooves and / or channels.
本発明の他の実施の形態において、センサは、円形、正方形、矩形、長円形状、ハチの巣形状、多角形、三角形又は六角形である止まり穴の形状の少なくとも一つの通路と、特に線形形状、曲折形状、格子形状又は螺旋形状を有する長手方向の窪みの形状の少なくとも一つの通路と、を備えることができる。 In another embodiment of the invention, the sensor is particularly linear with at least one passage in the form of a blind hole which is circular, square, rectangular, oblong, honeycomb shaped, polygonal, triangular or hexagonal. And at least one passage in the form of a longitudinal recess having a shape, a meander shape, a lattice shape or a helical shape.
窪みの最上部の縁における長手方向の窪みの幅を、0.1μmから500μmまでの範囲、好適には、1μmから200μmまでの範囲、特に好適には、4μmから100μmまでの範囲にすることができる。第1の電極層の付近の長手方向の窪みの幅を、0.1μmから200μmまでの範囲、好適には、0.1μmから100μmまでの範囲、特に好適には、1μmから50μmまでの範囲にすることができる。長手方向の窪みの幅を変えることができ、センサの種々の区域の幅を変えることができる。これによって、測定される粒子のサイズを導き出すことができる。その理由は、例えば、大きい粒子が狭い窪みに入り込むことができないからである。 The width of the longitudinal depression at the top edge of the depression may be in the range of 0.1 μm to 500 μm, preferably in the range of 1 μm to 200 μm, particularly preferably in the range of 4 μm to 100 μm. it can. The width of the longitudinal depression in the vicinity of the first electrode layer is in the range of 0.1 μm to 200 μm, preferably in the range of 0.1 μm to 100 μm, particularly preferably in the range of 1 μm to 50 μm. can do. The width of the longitudinal depression can be varied, and the width of the various areas of the sensor can be varied. This makes it possible to deduce the size of the particles to be measured. The reason is that, for example, large particles can not enter into the narrow depressions.
開口又は通路の深さは、レベルの数及び層の厚さに依存する。厚さは、100nmから10mmまでの範囲、好適には、30μmから300μmまでの範囲、特に好適には、30μmから100μmまでの範囲である。開口及び通路の深さは、一般的には、センサの全ての開口に対して同一であるが、変えることもでき、センサの種々のエリアにおいて異なってもよい。 The depth of the openings or passages depends on the number of levels and the thickness of the layer. The thickness is in the range of 100 nm to 10 mm, preferably in the range of 30 μm to 300 μm, particularly preferably in the range of 30 μm to 100 μm. The depths of the openings and passages are generally the same for all the openings of the sensor, but can also be varied and may differ in different areas of the sensor.
長手方向の窪みの形状の複数の通路をセンサに形成する場合、複数の通路を、一つ以上の選択方向に向くように設計することができる。 If a plurality of passages in the form of longitudinal recesses are formed in the sensor, the plurality of passages can be designed to point in one or more selected directions.
本発明の一実施の形態において、絶縁体の少なくとも一つの開口はアンダーカット又は凹部を形成することができる。換言すれば、絶縁体を、絶縁体の上に配置される電極層及び絶縁体の下に配置される電極層に対して後方にオフセットする又はへこませることができる。絶縁体の開口の外側凹部を、円形及び/又はV形状に設計することもできる。アンダーカット又は凹部がある絶縁体を経路に形成することによって、丸い粒子の測定を向上させる。本発明のそのような実施の形態において、粒子、特に、丸い粒子は、良好な電気的な接触を行うことができるように電極層、特に、電極及び/又は導体トラックに供給される。換言すれば、少なくとも一つの絶縁体の開口を、絶縁体の上に配置される電極層及び絶縁体の下に配置される電極層の開口より大きくすることができる。 In one embodiment of the invention, at least one opening of the insulator can form an undercut or a recess. In other words, the insulator can be offset or recessed rearward with respect to the electrode layer disposed above the insulator and the electrode layer disposed below the insulator. The outer recess of the opening of the insulator can also be designed to be circular and / or V-shaped. By forming an insulator with undercuts or recesses in the path, the measurement of round particles is improved. In such an embodiment of the invention, particles, in particular round particles, are provided to the electrode layers, in particular the electrodes and / or conductor tracks, in order to be able to make a good electrical contact. In other words, the opening of the at least one insulator may be larger than the opening of the electrode layer disposed above the insulator and the electrode layer disposed below the insulator.
少なくとも一つの構造化された電極層は、構造化された電極層の上に配置されるセンサ層のない電気接触表面を有することができ、電子接触表面は、端子パッドである又は端子パッドに接続させることができる。電極層を、電極層を互いに絶縁させるように端子パッドとする又は端子パッドに接続することができる。好適には、各電極層又は電極層の各電極及び/又は各導体トラックに対して、電気接触を行うことができるようにするために端子パッドのエリアに露出した少なくとも一つの電気接触表面を形成する。最下位の電極層、すなわち、最下位の電極及び/又は最下位の導体トラックの電気接触表面は、被覆層がなく、絶縁体がなく、他の電極層がなく、適切な場合には、多孔質フィルタ層がない。換言すれば、絶縁体の区域及び電極層の区域は、最下位の電極層すなわち最下位の電極及び/又は最下位の導体トラックの電気接触表面の上に配置されない。 The at least one structured electrode layer can have an electrical contact surface without a sensor layer arranged on the structured electrode layer, the electronic contact surface being a terminal pad or connected to a terminal pad It can be done. The electrode layers can be or can be connected to terminal pads so as to insulate the electrode layers from one another. Preferably, at least one electrical contact surface exposed to the area of the terminal pad is formed to enable electrical contact to be made to each electrode and / or each conductor track of each electrode layer or electrode layer Do. The lower electrode layer, ie the lower electrode and / or the electrical contact surface of the lower conductor track, has no covering layer, no insulator, no other electrode layer, and is porous if appropriate. There is no quality filter layer. In other words, the area of the insulator and the area of the electrode layer are not arranged on the lower electrode layer, ie the lower electrode and / or the electrical contact surface of the lower conductor track.
第1の電極層に接続する接触表面に関する説明は、その上に配置される電極層にも適用され、これらの接触面は、関連する各電極層の上に配置されるセンサ層がない。 The statements regarding the contact surfaces connected to the first electrode layer also apply to the electrode layers arranged thereon, these contact surfaces being free of sensor layers arranged on the respective associated electrode layers.
本発明の他の実施の形態において、少なくとも第1の構造化された電極層及び/又は第2の構造化された電極層は、少なくとも第1の構造化された電極層及び/又は第2の構造化された電極層が加熱コイル及び/又は温度検知層及び/又はスクリーン電極として設計されるような導体トラックループを有する。一つの電極層、特に、電極層の電極及び/又は導体トラックは、二つの電気接触表面を有することができる。これらのタイプの電極層を、加熱コイル、温度検知層及びスクリーン電極として用いることができる。電気接触表面の適切な電気接触によって、関連の電極層を、加熱のために又は温度検知層若しくはスクリーン電極として用いることができる。一つ以上の電極層のそのような設計によりコンパクトなセンサを提供することができる。その理由は、電極層、少なくとも二つの電極、少なくとも二つの導体トラック又は関連の電極層の少なくとも一つの電極と少なくとも一つの導体トラックの組合せが複数の機能を実行することができるからである。したがって、別個の加熱コイル層及び/又は温度検知層及び/又はスクリーニング電極層は必要でない。 In another embodiment of the invention, the at least first structured electrode layer and / or the second structured electrode layer comprises at least a first structured electrode layer and / or a second Conductor track loops are such that the structured electrode layers are designed as heating coils and / or temperature sensing layers and / or screen electrodes. One electrode layer, in particular the electrodes and / or conductor tracks of the electrode layer, can have two electrical contact surfaces. These types of electrode layers can be used as heating coils, temperature sensing layers and screen electrodes. By appropriate electrical contact of the electrical contact surface, the associated electrode layer can be used for heating or as a temperature sensing layer or screen electrode. Such a design of one or more electrode layers can provide a compact sensor. The reason is that an electrode layer, at least two electrodes, at least two conductor tracks or a combination of at least one electrode of the associated electrode layers and at least one conductor track can perform a plurality of functions. Thus, separate heating coil layers and / or temperature sensing layers and / or screening electrode layers are not necessary.
少なくとも一つの電極層を加熱するとき、測定される粒子及び/又はセンサ開口に存在する粒子を焼き払うことができる又は焼き尽くすことができる。 When heating the at least one electrode layer, the particles to be measured and / or the particles present in the sensor openings can be burned off or burned out.
要約すると、本発明による設計によって非常に正確な測定を行うセンサを提供することができるといえる。一つ以上の薄い絶縁層を構成することによって、センサの感度を十分に上げることができる。 In summary, it can be said that the design according to the invention can provide a sensor that makes very accurate measurements. By constructing one or more thin insulating layers, the sensitivity of the sensor can be sufficiently increased.
さらに、本発明によるセンサの構造を既知のセンサの構造より著しく小さくすることができる。センサを3次元空間内で設計することによって、複数の電極層及び/又は複数の絶縁体を組み合わせて小型のセンサとすることができる。さらに、センサの製造中に、著しく多いユニットをウェハの基板の上に構成することができる。 Furthermore, the construction of the sensor according to the invention can be made significantly smaller than the construction of known sensors. By designing the sensor in a three-dimensional space, multiple electrode layers and / or multiple insulators can be combined into a compact sensor. Furthermore, during the manufacture of the sensor, significantly more units can be constructed on the substrate of the wafer.
本発明によるセンサを、気体中の粒子の検出に用いることができる。本発明によるセンサを、液体中の粒子の検出に用いることができる。本発明によるセンサを、気体中、液体中及び/又は気液混合物中の粒子の検出に用いることができる。液体中の粒子の検出のためにセンサを用いる際に、粒子の焼き尽くし又は焼き払いが常に可能でないことが確認された。しかしながら、粒子を焼き尽くすために液体を除去するとともにその後に再度の測定のためにセンサを液体に触れさせることができる。 The sensor according to the invention can be used for the detection of particles in a gas. The sensor according to the invention can be used for the detection of particles in a liquid. The sensor according to the invention can be used for the detection of particles in gas, in liquid and / or in gas-liquid mixtures. In using the sensor for the detection of particles in liquid, it has been found that burnout or burnoff of particles is not always possible. However, it is possible to remove the liquid in order to burn out the particles and subsequently to touch the sensor for a second measurement.
本発明の他の態様によれば、本発明は、センサと、センサを測定モード及び/又はクリーニングモード及び/又は監視モードで動作できるように設計された少なくとも一つの回路、特に、少なくとも一つの制御回路と、を備えるセンサシステムに関する。 According to another aspect of the invention, the invention provides a sensor and at least one circuit designed to allow the sensor to operate in a measurement mode and / or a cleaning mode and / or a monitoring mode, in particular at least one control. And a circuit.
本発明によるセンサ及び/又は本発明によるセンサシステムは、少なくとも一つの補助電極を有することができる。測定される粒子がセンサ及び/又はセンサシステムによって電気的に引き付けられる又は吸い寄せられるように、補助電極と構造化された電極層の間に及び/又は補助電極とセンサシステムの構成要素、特に、センサハウジングの間に電位を付与する。好適には、そのような電圧は、粒子、特に、煤粒子がセンサの少なくとも一つの開口に「吸い寄せられる」ように少なくとも一つの補助電極及び少なくとも一つの構造化された電極層に印加される。 The sensor according to the invention and / or the sensor system according to the invention can have at least one auxiliary electrode. Between the auxiliary electrode and the structured electrode layer and / or components of the auxiliary electrode and sensor system, in particular the sensor, such that the particles to be measured are electrically attracted or attracted by the sensor and / or the sensor system Apply an electrical potential between the housings. Preferably, such a voltage is applied to the at least one auxiliary electrode and the at least one structured electrode layer such that particles, in particular soot particles, are "sucked" into at least one opening of the sensor.
本発明によるセンサは、好適には、センサハウジングに配置される。センサハウジングは、例えば、細長い菅形状を有することができる。したがって、本発明によるセンサシステムもセンサハウジングを備えることができる。 The sensor according to the invention is preferably arranged in the sensor housing. The sensor housing can, for example, have an elongated wedge shape. Thus, the sensor system according to the invention can also comprise a sensor housing.
センサ及び/又はセンサハウジングのセンサ及び/又はセンサハウジングは、センサ、特に、センサの最上部の(電極)層又は基板から最も離れた層が液体の流れ方向に対して傾斜するように設計及び/又は配置される。したがって、流れは、電極層の面に直角にならない。好適には、最上部の電極の面の法線と粒子の流れ方向の間の角度αは、少なくとも1°、好適には、少なくとも10°、特に好適には、少なくとも30°である。さらに、センサの向きは、粒子の流れ方向と電極又はループの選択軸の間の角度βが好適には20°と90°の間となる向きである。本実施の形態において、検出される粒子は、センサの開口、特に、止まり穴又は流れ方向の窪みに容易に入ることができ、これによって、感度が上がる。 The sensor and / or the sensor housing and / or the sensor housing of the sensor housing are designed and / or arranged such that the sensor, in particular the top (electrode) layer of the sensor or the layer furthest from the substrate is inclined to the flow direction Or arranged. Thus, the flow is not perpendicular to the plane of the electrode layer. Preferably, the angle α between the normal of the plane of the top electrode and the flow direction of the particles is at least 1 °, preferably at least 10 °, particularly preferably at least 30 °. Furthermore, the orientation of the sensor is such that the angle β between the flow direction of the particles and the chosen axis of the electrode or loop is preferably between 20 ° and 90 °. In this embodiment, the particles to be detected can easily enter the opening of the sensor, in particular a blind hole or a dip in the flow direction, which increases the sensitivity.
回路、特に、制御回路は、好適には、構造化された電極層及び/又は対応する電極及び/又は導体トラックが相互接続されるように設計される。センサを測定モード及び/又はクリーニングモード及び/又は監視モードで動作させることができるように種々の電圧を電極層及び/又は個別の電極層に印加することができる。 The circuit, in particular the control circuit, is preferably designed such that the structured electrode layers and / or the corresponding electrodes and / or conductor tracks are interconnected. Various voltages can be applied to the electrode layers and / or individual electrode layers so that the sensor can be operated in the measurement mode and / or the cleaning mode and / or the monitoring mode.
付随する態様によれば、本発明は、本発明によるセンサ及び/又は本発明によるセンサシステムを制御する方法に関する。 According to a concomitant aspect, the invention relates to a sensor according to the invention and / or a method of controlling a sensor system according to the invention.
本発明による方法の結果として、センサを測定モード及び/又はクリーニングモード及び/又は監視モードで動作させることができる。 As a result of the method according to the invention, the sensor can be operated in the measurement mode and / or the cleaning mode and / or the monitoring mode.
測定モードにおいて、電極層の間及び/又はセンサの電極層の電極及び/又は導体トラックの間の電気抵抗の変化及び/又は電極層の容量の変化を測定することができる。 In the measurement mode, the change in electrical resistance between the electrode layers and / or between the electrodes and / or conductor tracks of the electrode layers of the sensor and / or the change in capacitance of the electrode layers can be measured.
換言すれば、測定モードにおいて、センサの一つのレベルの電極及び/又は導体トラックの間の電気抵抗の変化及び/又はセンサの一つのレベルの電極及び/又は導体トラックの容量の変化を測定する。 In other words, in the measurement mode, the change in electrical resistance between one level of electrodes and / or conductor tracks of the sensor and / or the change in capacitance of one level of electrodes and / or conductor tracks of the sensor are measured.
測定モードにおいて、センサの少なくとも二つのレベルの電極又は導体トラックの間の電気抵抗の変化及び/又はセンサの少なくとも二つのレベルの電極又は導体トラックの容量の変化を測定することができる。 In the measurement mode, the change in electrical resistance between at least two levels of electrodes or conductor tracks of the sensor and / or the change in capacitance of at least two levels of electrodes or conductor tracks of the sensor can be measured.
本発明による方法によって、粒子を、電極層の間及び/又は一つの電極層及び複数の電極層の電極及び/又は導体トラックの間の測定された抵抗の変化に基づいて検出及び測定することができる。代替的に又は追加的に、粒子を、測定されたインピーダンスの変化に基づいて、及び/又は、電極層及び/又は一つ以上の電極層の一つ以上の電極及び/又は一つ以上の導体トラックの容量を測定することによって、検出又は測定することができる。好適には、電極層の間の抵抗の変化を測定する。 Detecting and measuring particles based on the change in the measured resistance between the electrode layers and / or between the electrodes of the one electrode layer and the plurality of electrode layers and / or the conductor tracks by the method according to the invention it can. Alternatively or additionally, the particles are based on changes in the measured impedance and / or one or more electrodes and / or one or more conductors of the electrode layer and / or one or more electrode layers It can be detected or measured by measuring the volume of the track. Preferably, the change in resistance between the electrode layers is measured.
測定モードにおいて、電気抵抗測定すなわち抵抗原理による測定を行うことができる。この方法において、二つの電極層の間の電気抵抗が測定され、電気抵抗は、導体として機能する粒子、特に、煤粒子が少なくとも二つの電極層及び/又は少なくとも二つの電極及び/又は少なくとも二つの導体トラックの間を橋絡するときに減少する。 In the measurement mode, it is possible to perform an electrical resistance measurement, ie a measurement according to the resistance principle. In this method, the electrical resistance between the two electrode layers is measured, the electrical resistance being determined by the particles acting as a conductor, in particular, at least two electrode layers and / or at least two electrodes and / or at least two electrode particles. Decrease when bridging between conductor tracks.
測定モードにおいて適用される基本原理は、種々の電圧を電極層及び/又は電極及び/又は導体トラックに印加することによって測定される粒子、特に、煤粒子の種々の特性を検出できることである。例えば、粒子の粒径及び/又は粒子径及び/又は電荷及び/又は分極率を決定することができる。 The basic principle applied in the measurement mode is that it is possible to detect different properties of the particles, in particular the soot particles, which are measured by applying different voltages to the electrode layer and / or the electrodes and / or the conductor tracks. For example, the particle size and / or particle size and / or charge and / or polarizability of the particles can be determined.
少なくとも一つの電極層、少なくとも一つの電極又は少なくとも一つの導体トラックを加熱コイル若しくは加熱層として用いる又は加熱コイル若しくは加熱層に接続できる場合、加熱コイル又は加熱層のアクティブ化時間を決定するために電気抵抗測定を追加的に用いることができる。加熱コイル又は加熱層のアクティブ化は、実行されるクリーニングモードに対応する。 If at least one electrode layer, at least one electrode or at least one conductor track is used as a heating coil or heating layer or can be connected to a heating coil or heating layer, to determine the activation time of the heating coil or heating layer Resistance measurements can be used additionally. Activation of the heating coil or heating layer corresponds to the cleaning mode to be performed.
好適には、少なくとも二つの電極層の間及び/又は少なくとも二つの電極の間及び/又は少なくとも二つの導体トラックの間及び/又は電極と導体トラックの組合せの間の電気抵抗の減少は、粒子、特に、煤粒子が電極層及び/又は電極及び/又は導体トラックの上又は間に堆積したことを表す。電気抵抗が下限しきい値に到達すると、加熱コイル又は加熱層がアクティブ化される。換言すれば、粒子を焼き尽くす。電気抵抗は、焼き尽くされる粒子の数又は焼き尽くされる粒子の量が増大するに従って増大する。焼き尽くしを、好適には、上限抵抗値が測定されるのに十分長い時間行う。上限抵抗値に到達すると、これは、再生された又はクリーニングされたセンサを表す。その後、新たな測定サイクルが開始される又は実行される。 Preferably, the reduction of the electrical resistance between at least two electrode layers and / or between at least two electrodes and / or between at least two conductor tracks and / or between the combination of electrodes and conductor tracks is a particle, In particular, it indicates that soot particles are deposited on or between the electrode layer and / or the electrode and / or the conductor track. When the electrical resistance reaches the lower threshold, the heating coil or layer is activated. In other words, burn out the particles. The electrical resistance increases as the number of particles burned out or the amount of particles burned out increases. The burnout is preferably done for a time long enough for the upper resistance value to be measured. When the upper resistance limit is reached, this represents a regenerated or cleaned sensor. Thereafter, a new measurement cycle is started or performed.
代替的に又は付加的に、電極層及び/又は電極及び/又は導体トラック及び/又は少なくとも一つの電極と少なくとも一つの導体トラックの組合せの容量の変化を測定することができる。粒子、特に、煤粒子による負荷の増大によって、電極層及び/又は電極及び/又は導体トラックの容量が増大する。粒子がセンサを占拠することによって、電荷の移動又は誘電率(ε)の変化が生じ、これによって、容量(C)が増大する。基本的関係は、C=(ε×A)/dとなり、この場合、Aは、電極層及び/又は電極及び/又は導体トラックの電極有効面積を表し、dは、二つの電極層及び/又は電極及び/又は導体トラックの間の距離を表す。 Alternatively or additionally, the change in capacitance of the combination of electrode layer and / or electrode and / or conductor track and / or at least one electrode and at least one conductor track can be measured. The increased loading by the particles, in particular the soot particles, increases the capacity of the electrode layer and / or the electrodes and / or the conductor tracks. The occupation of the sensor by the particles causes a charge transfer or a change in the dielectric constant (ε), which increases the capacity (C). The basic relationship is C = (ε × A) / d, where A represents the electrode active area of the electrode layer and / or the electrode and / or the conductor track, and d is the two electrode layers and / or It represents the distance between the electrodes and / or the conductor tracks.
容量の測定を、例えば、
定電流に対する電圧の増加率を決定すること、及び/又は、
電圧を印加するとともに充電電流を決定すること、及び/又は、
交流電圧を印加するとともに電流波形を測定すること、及び/又は、
LC共振回路によって共振周波数を決定することによって行うことができる。
For example,
Determining the rate of increase of voltage to constant current and / or
Applying a voltage and determining the charging current, and / or
Applying an alternating voltage and measuring a current waveform, and / or
This can be done by determining the resonant frequency with the LC resonant circuit.
電極層の容量の変化の上述した測定を、実行される監視モードと共に用いることもできる。 The above-described measurement of the change in capacitance of the electrode layer can also be used with the monitoring mode to be performed.
OBD(車載診断)規則によれば、全ての排気関連パーツ及び部品を、正確に機能するために点検する必要がある。機能点検を、例えば、動力車を始動させた直後に行う必要がある。 According to the OBD (In-Car Diagnostic) rules, all exhaust related parts and parts need to be checked in order to function properly. A functional check needs to be performed, for example, immediately after starting the motor vehicle.
例えば、電極有効表面積Aの減少に関連する少なくとも一つの電極層の損傷が生じることがある。電極有効表面積Aが容量Cに正比例するので、損傷した電極層、損傷した電極又は損傷した導体トラックの測定される容量Cは減少する。 For example, damage to at least one electrode layer associated with a decrease in the electrode effective surface area A may occur. As the electrode effective surface area A is directly proportional to the capacitance C, the measured capacitance C of the damaged electrode layer, the damaged electrode or the damaged conductor track is reduced.
監視モードにおいて、代替的又は付加的に、電極層及び/又は電極及び/又は導体トラックを導体回路として設計することができる。導体回路を、例えば、必要な場合にスイッチによって閉じることができる開閉導体回路として設計することができる。 In the monitoring mode, alternatively or additionally, the electrode layers and / or the electrodes and / or the conductor tracks can be designed as a conductor circuit. The conductor circuit can, for example, be designed as an open / close conductor circuit which can be closed by a switch if necessary.
さらに、少なくとも一つの導体回路を形成するために電極層又は電極及び/又は導体トラックを少なくとも一つのスイッチを用いて閉じることができ、監視モードにおいて、試験電流が少なくとも一つの導体回路を流れるか否かを決定するための点検を行う。電極層、特に、電極又は導体トラックがクラックを有する、損傷を被っている又は破壊されている場合、試験電流が流れない又は非常に小さい試験電流しか流れない。 Furthermore, the electrode layers or the electrodes and / or the conductor tracks can be closed using at least one switch to form at least one conductor circuit, and in the monitoring mode, whether or not the test current flows through the at least one conductor circuit Perform a check to determine the If the electrode layers, in particular the electrodes or conductor tracks, are cracked, damaged or destroyed, no test current or only very small test current flows.
本発明の他の態様によれば、本発明によるセンサの複数の使用が特に好ましい。従属的な請求項15によれば、本発明によるセンサの使用は、導電性及び/又は分極性粒子、特に、煤粒子の検出に関する。
According to another aspect of the invention, multiple uses of the sensor according to the invention are particularly preferred. According to
本発明の他の態様は、導電性及び/又は分極性粒子を検出する、特に、煤粒子を検出する本発明によるセンサの使用であって、粒子の流れ方向は、構造化された電極層の面に直角にならない本発明によるセンサの使用に関する。 Another aspect of the invention is the use of a sensor according to the invention for detecting electrically conductive and / or polarizable particles, in particular for detecting soot particles, wherein the flow direction of the particles is of the structured electrode layer It relates to the use of the sensor according to the invention not perpendicular to the surface.
本発明の他の態様は、導電性及び/又は分極性粒子を検出する、特に、煤粒子を検出する本発明によるセンサの使用であって、最上部の構造化された電極層の面の法線と粒子の流れ方向の間の角度は、少なくとも1°、好適には、少なくとも10°、特に好適には、少なくとも30°である本発明によるセンサの使用に関する。 Another aspect of the invention is the use of a sensor according to the invention for detecting electrically conductive and / or polarizable particles, in particular for detecting soot particles, the method of the surface of the top structured electrode layer The angle between the line and the flow direction of the particles relates to the use of the sensor according to the invention which is at least 1 °, preferably at least 10 °, particularly preferably at least 30 °.
本発明の他の態様は、導電性及び/又は分極性粒子を検出する、特に、煤粒子を検出する本発明によるセンサの使用であって、粒子の流れ方向と電極又は導体トラックの選択方向の間の角度は、20°と30°の間である本発明によるセンサの使用に関する。電極及び/又は導体トラック及び/又はループの選択方向は、電極及び/又は導体トラック及び/又はループが主として延在する軸を意味するものと理解されたい。したがって、導体トラックループ及び/又は電極は、主要な選択方向を有する。以下、本発明を、例示的な実施の形態に基づく詳細において添付図面を参照しながら説明する。 Another aspect of the present invention is the use of a sensor according to the invention for detecting electrically conductive and / or polarizable particles, in particular for detecting soot particles, wherein the flow direction of the particles and the selective direction of the electrodes or conductor tracks Relates to the use of the sensor according to the invention, which is between 20 ° and 30 °. The chosen direction of the electrodes and / or conductor tracks and / or loops is to be understood as meaning the axis along which the electrodes and / or conductor tracks and / or loops mainly extend. Thus, the conductor track loops and / or the electrodes have a main selection direction. The invention will now be described in detail based on exemplary embodiments with reference to the attached drawings.
以下、同じ参照番号を、同じパーツ又は機能的に等価のパーツに対して用いる。 Hereinafter, the same reference numerals are used for the same parts or functionally equivalent parts.
図1は、導電性及び/又は分極性粒子を検出する、特に、煤粒子を検出するセンサ10の区域を示す。センサ10を、原理的には、気体中及び液体中の粒子の検出に用いることができる。
FIG. 1 shows an area of a
センサ10は、基板11と、基板11の上、特に、基板11の第1の側12に形成した層複合物と、を備える。基板11の第1の側12において、導電層13、特に、平面形状の金属層を形成する。この導電層13の上に、複数のレベル、特に、七つのレベルE1,E2,E3,E4,E5,E6及びE7を形成する。第1のレベルE1において、第1の構造化された絶縁体20を形成する。第2のレベルE2において、第1の構造化された電極層31を形成し、第1の構造化された電極層31を、第1の電極40及び第2の電極40’から形成する。構造化された絶縁体、すなわち、構造化された絶縁体21,22及び23を、第3のレベルE3、第5のレベルE5及び第7のレベルE7に形成する。第4のレベルにおいて、第2の電極層32を形成する。第2の電極層32を、第1の電極41及び第1の電極41’から構成する。第6のレベルにおいて、第3の電極層33を形成する。第3の電極層33を、第1の電極42及び第1の電極42’から構成する。
The
したがって、絶縁体20,21,22及び23を、偶数番号のレベル、すなわち、レベルE1,E3,E5及びE7に形成する。偶数番号のレベル、すなわち、レベルE2,E4及びE6には、電極層、すなわち、第1の電極層31、第2の電極層32及び第3の電極層33を形成する。絶縁層21及び22を電極層31,32及び33の間に形成する。さらに、第1の構造化された絶縁体20を第1の電極層31と基板11の間に形成する。最上位のすなわち第3の電極層33を第4の絶縁体23によって被覆する。
Thus,
センサ10は、三つの電極層31,32及び33及び四つの絶縁体20,21,22及び23を備える。
The
電極層31,32及び33の間の間隔は、絶縁体21及び22の厚さによって決定される。絶縁体21及び22の厚さを0.1μmから50μmまでにすることができる。本発明によるセンサ10の感度を、絶縁体21及び22の厚さを減少させることによって上げることができる。
The spacing between the electrode layers 31, 32 and 33 is determined by the thickness of the
電極層31,32及び33はそれぞれ少なくとも二つの電極40及び40’、電極41及び41’並びに電極42及び42’を有する。これらの電極は、本発明に従って互いに組み合わされる。
The electrode layers 31, 32 and 33 have at least two
開口25,35,26,36,27,37及び28は、第1の絶縁体20、第2の電極層31、第2の絶縁体21、第2の電極層32、第3の絶縁体22、第3の電極層33及び第4の絶縁体23に形成される。
The
第1の絶縁体20の開口25、第1の電極層31の開口35、第2の絶縁体21の開口26、第2の電極層32の開口36、第3の絶縁体22の開口27、第3の電極層33の開口37及び第4の絶縁体23の開口28は、通路15が形成されるように重なり合って配置される。開口26,27,28,35,36及び37は、検出される粒子が到達できる。図示した例示的な実施の形態において、二つの粒子30,30’は、導電層13の第1の側14に存在する。導電層13の第1の側14は、基板11から見て外方に向く。第1の絶縁体20は、導電層13の第1の側14に取り付けられる。
The
通路15の斜視図は、粒子30,30’が導電層13の第1の側14に存在することを示す。したがって、第1の側14は、通路15の底部を形成する。図示した例の小さい粒子30は、第1の電極層31、特に、第1の電極層31の第1の電極40のみに接触する。大きい粒子30’は、第1の電極層31、第2の電極層32及び第3の電極層33に接触する。また、大きい粒子30’は、電極層31,32及び33の第1の電極40,41及び42のみに接触する。粒子の検出を抵抗原理に基づいて行う場合、電極層31,32及び33の間の抵抗が測定され、この抵抗は、例えば、粒子30が第1の電極層31、第2の電極層32及び第3の電極層33を橋絡した場合に減少する。粒子30’は、粒子30の場合よりも多くの電極層を橋絡する。粒子30’は、粒子30より大きい粒子として検出される。
The perspective view of the
電極層31,32及び33、第1の電極40,41及び42又は第2の電極40’,41’及び42’に種々の電圧を印加することによって、(煤)粒子の径及び/又はサイズ及び/又は(煤)粒子の電荷及び/又は(煤)粒子の分極率のような種々の粒子特性、特に、種々の煤粒子特性を測定することができる。
By applying various voltages to the electrode layers 31, 32 and 33, the
高温に耐えうる用途のために、基板11を、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化マグネシウム(MgO)、チタン酸塩又はステアタイトによって形成する。
For applications that can withstand high temperatures, the
電極層31,32及び33及び/又は各電極40,40’,41,41’,42,42’を、例えば、プラチナ及び/又はプラチナ−チタン合金(Pt−Ti)によって形成することができる。
The electrode layers 31, 32 and 33 and / or the
絶縁層20,21,22及び23を、好適には、高い絶縁抵抗を有する耐熱材料によって構成する。例えば、絶縁層20,21,22及び23を、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ケイ素(SiO2)、酸化マグネシウム(MgO)、窒化ケイ素(Si3N4)又はガラスによって構成することができる。
The insulating layers 20, 21, 22, and 23 are preferably made of a heat-resistant material having high insulation resistance. For example, the insulating
個別の層及び絶縁体の材料選択に基づく図示したセンサ10は、例えば、860℃までの高温用途に適する。したがって、センサ10を、内燃機関の排気ガス流の煤粒子センサとして用いることができる。本発明の代替的な実施の形態において、電極層31,32及び33のそれぞれを少なくとも二つの電極及び少なくとも一つの導体トラックの組合せから形成することが考えられる。
The illustrated
図2aにおいて、電極層31,32,33のあり得る実施の形態の平面図を示す。電極層はそれぞれ一つの第1の電極40,41又は42と、一つの第2の電極40’,41’又は42’と、を備える。電極は、交互に配置されるように設計される。電極が互いに織り交ぜられるように設計されることも考えられる。電極の互いに組み合わされた状態又は設計も可能である。電極層30,31及び32の開口35,36及び37も線形的に示す。開口は、細長い孔の形状で実現される。二つ以上のそのような開口が重なり合うように配置される場合、絶縁体も同様な開口形状を有し、長手方向の窪みを形成することができる。電極が整列された選択軸xが得られる。
In Fig. 2a a plan view of a possible embodiment of the electrode layers 31, 32, 33 is shown. The electrode layer comprises one
図2bは、電極層31,32及び33の構造に関する別の実施の形態を示す。これらの電極層は、少なくとも二つの導体トラック、すなわち、第1の導体トラック38と、第2の導体トラック39と、を有する。導体トラック38及び39は、導体トラックループを形成する。導体トラックループも互いに重なり合わされ、広い範囲で互いに平行に延在する。細長い開口と称することもできる別の開口を、導体トラック38及び39の間に形成する。これとの関連において、導体トラックループの選択軸xが形成される。
FIG. 2 b shows another embodiment of the structure of the electrode layers 31, 32 and 33. These electrode layers have at least two conductor tracks, ie a
図3〜6の各々において、最上位の絶縁体20から基板11に向かうようにセンサ10に垂直にとった断面を示す。図3〜6のセンサ10は、七つのレベル、すなわち、レベルE1〜E7を有する。レベルE1,E3,E5及びE7において、絶縁体20,21,22及び23がそれぞれ形成される。レベルE2,E4及びE6において、二つの電極すなわち電極40,40’,41,41’及び42,42’を有する電極層31,32及び33がそれぞれ形成される。
In each of FIGS. 3-6, a cross section taken perpendicular to the
図3によるセンサ10において、長手方向の窪み15及び15’の形状の二つの通路の断面形状を示す。二つの通路15及び15’は、V形状断面を有する。開口サイズ及び/又は開口断面は、第4の絶縁体23から基板11に向かうに従って、特に、導電層13に向かうに従って減少する。開口28,37,27,36,26,35及び25の断面は、開口28の第1の開口断面から開口25の底部断面に向かうに従ってサイズが減少する。
In the
さらに、図3は、通路15及び15’が異なる幅を有することができることを示す。左側の通路15は、幅B1を有する。右側の通路15’は、幅B2を有する。B1はB2より大きい。異なる幅を有する通路15及び15’の設計によって、特定のサイズの粒子30の測定を行うことができる。
Furthermore, FIG. 3 shows that the
V形状断面形状によって、丸い粒子の測定を向上させることができる。 The V-shaped cross-sectional shape can improve the measurement of round particles.
図4において、代替的な実施の形態で長手方向の窪み15がU形状断面又はU形状断面形状を有することができることを示す例を与える。開口サイズ及び/又は開口断面は、第4の絶縁体23から導電層13の方向に向かうに従って減少する。開口28,37,27,36,26,35及び25の断面は、開口28の第1の開口断面から開口25の底部断面に向かうに従ってサイズが減少する。U形状断面形状を用いることによって、丸い粒子の測定を向上させる。
In FIG. 4 an example is given which shows that in an alternative embodiment the
図5は、凹部がある絶縁体20,21,22,23の断面を示す。丸い粒子の場合、平面の又は平らな通路表面の形状は好ましくない。凹部がある又はアンダーカットがある絶縁体20,21,22及び23によって、丸い粒子の測定を向上させることができる。絶縁体20,21,22及び23は、電極層31,32及び33に対する凹部を有する。絶縁体23,22,21及び20の開口28,27,26及び25の各々は、各絶縁体の上に配置される電極層31,32及び33に形成された開口35,36及び37より大きい。通路15の断面形状は、V形状設計を有し、全ての層23,33,22,32,21,31及び20の開口は、基板11の方向に向かうに従って小さくなり、絶縁体20,21,22及び23の開口25,26,27及び28は、同一サイズを有しない。
FIG. 5 shows a cross section of
図6は、絶縁体20,21,22及び23のアンダーカットの断面図である。この場合、絶縁体のアンダーカットの設計によって、丸い粒子の測定を向上させることができる。絶縁体20,21,22及び23は、アンダーカット又は凹部90を有する。したがって、絶縁体20,21,22及び23の開口25,26,27及び28のサイズは、電極層31,32及び33の開口35,36及び37より大きい。
FIG. 6 is a cross-sectional view of the undercuts of the
図7aに示すように、粒子の流れ方向が電極層31,32,33の面(x,y)に直角とならないようにセンサ10に流量が導入される。上部の構造化された電極層33の面(x,y)の法線(z)と粒子の流れ方向aの間の角度αは、少なくとも1°、好適には、少なくとも10°、特に好適には、少なくとも30°である。したがって、粒子を、更に容易に開口又は通路15,15’及びそれに形成された電極層30,31及び33の開口の壁部に移動させることができる。
As shown in FIG. 7a, a flow rate is introduced into the
図7bにおいて、粒子の流れ方向aと電極及び/又は導体トラックの選択軸x(図2a及び図2bの選択軸を参照。)の間の角度βが20°と90°の間になるようにセンサ10に流量が導入される。
In FIG. 7b, the angle β between the flow direction a of the particles and the selection axis x of the electrodes and / or conductor tracks (see the selection axis of FIGS. 2a and 2b) is between 20 ° and 90 °. A flow rate is introduced to the
この時点で、図1〜7bによる実施の形態、特に、図示した詳細に関連して上述した素子及び構成要素の全てが単独であるか組合せであるかに関係なく本発明の本質として説明したことを留意すべきである。 At this point, the embodiments according to FIGS. 1-7b, in particular, have been described as the essence of the invention regardless of whether all of the elements and components described above with reference to the details shown are single or combined. It should be noted.
10 センサ
11 基板
12 基板の第1の側
13 導電層
14 導電層の第1の側
15 通路
20 第1の絶縁体
21 第2の絶縁体
22 第3の絶縁体
23 第4の絶縁体
25 第1の絶縁体の開口
26 第2の絶縁体の開口
27 第3の絶縁体の開口
28 第4の絶縁体の開口
30,30’ 煤粒子
31 第1の電極層
32 第2の電極層
33 第3の電極層
35 第1の電極層の開口
36 第2の電極層の開口
37 第3の電極層の開口
38 第1の導体トラック
39 第2の導体トラック
40,40’ 第2のレベルの第1の電極/第2の電極
41,41’ 第4のレベルの第1の電極/第2の電極
42,42’ 第6のレベルの第1の電極/第2の電極
90 アンダーカット
a 流れの向き
B1 通路の幅
B2 通路の幅
d 絶縁層の厚さ
x 電極の選択軸
α 電極面の法線と流れの向きとの間の角度
β 選択軸と流れの向きとの間の角度
E1 第1のレベル
E2 第2のレベル
E3 第3のレベル
E4 第4のレベル
E5 第5のレベル
E6 第6のレベル
E7 第7のレベル
10
Claims (18)
少なくとも一つの構造化された電極層(32,32)及び/又は一つの構造化された絶縁体(20,21)に、検出される粒子(30,30’)が到達できる少なくとも一つの開口(25,26,35,36)が形成されるように、第1のレベル(E1)の第1の構造化された絶縁体(20)、第2のレベル(E2)の第1の構造化された電極層(31)、第3のレベル(E3)の第2の構造化された絶縁体(21)及び第4のレベル(E4)の第2の構造化された電極層(32)が前記基板(11)の少なくとも一方の側に直接的又は間接的に配置され、
電極層(31,32)はそれぞれ、少なくとも二つの電極(40,40’,41,41’)、少なくとも二つの導体トラック(38,39)又は少なくとも一つの電極と少なくとも一つの導体トラックの組合せを有することを特徴とするセンサ(10)。 In a sensor (10) for detecting conductive and / or polarizable particles, in particular for detecting soot particles, comprising a substrate (11)
At least one opening (30, 30 ') through which the particle (30, 30') to be detected can reach the at least one structured electrode layer (32, 32) and / or one structured insulator (20, 21) 25, 26, 35, 36) to form the first structured insulator (20) of the first level (E1), the first structured of the second level (E2) The third structured electrode (31), the third structured (21) of the third level (E3) and the second structured electrode (32) of the fourth level (E4). Arranged directly or indirectly on at least one side of the substrate (11)
The electrode layers (31, 32) respectively comprise at least two electrodes (40, 40 ', 41, 41'), at least two conductor tracks (38, 39) or a combination of at least one electrode and at least one conductor track. Sensor (10) characterized by having.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102016107888.3A DE102016107888A1 (en) | 2016-04-28 | 2016-04-28 | Sensor for detecting electrically conductive and / or polarisable particles, sensor system, method for operating a sensor and use of such a sensor |
DE102016107888.3 | 2016-04-28 | ||
PCT/EP2017/060037 WO2017186840A1 (en) | 2016-04-28 | 2017-04-27 | Sensor for detecting electrically conductive and/or polarizable particles, sensor system, method for operating a sensor, and use of such a sensor |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019507880A true JP2019507880A (en) | 2019-03-22 |
JP2019507880A5 JP2019507880A5 (en) | 2020-11-12 |
JP6970108B2 JP6970108B2 (en) | 2021-11-24 |
Family
ID=59014557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018546808A Active JP6970108B2 (en) | 2016-04-28 | 2017-04-27 | Sensors for detecting conductive and / or polar particles, sensor systems, methods for activating sensors, methods for manufacturing this type of sensor and use of this type of sensor. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190128789A1 (en) |
JP (1) | JP6970108B2 (en) |
KR (1) | KR102121326B1 (en) |
CN (1) | CN109073526B (en) |
DE (1) | DE102016107888A1 (en) |
TW (1) | TWI652465B (en) |
WO (1) | WO2017186840A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020217508A1 (en) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 | ナブテスコ株式会社 | Sensor |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3339833B1 (en) * | 2016-12-22 | 2021-11-10 | Heraeus Nexensos GmbH | Sensor, in particular soot sensor, method for producing a sensor, in particular a soot sensor, and use |
US11674919B2 (en) * | 2019-07-17 | 2023-06-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Detector, detection device and method of using the same |
CN110514565A (en) * | 2019-08-26 | 2019-11-29 | 深圳顺络电子股份有限公司 | A kind of chip particulate matter sensors ceramic chip and its manufacturing method |
WO2022074636A1 (en) * | 2020-10-09 | 2022-04-14 | Yonatan Gerlitz | Pathogen detection apparatus and method |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1990012314A1 (en) * | 1989-04-04 | 1990-10-18 | Gerald Urban | Micro-multi-electrode arrangement |
JP2000241343A (en) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Micronas Gmbh | Measuring apparatus and production thereof |
JP2003315296A (en) * | 2002-04-23 | 2003-11-06 | Mizuho Morita | Detection device |
US6811663B1 (en) * | 1998-05-18 | 2004-11-02 | Sensorflex Limited | Microelectrode system |
JP2006515066A (en) * | 2003-11-18 | 2006-05-18 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | Sensor for detecting particles in a gas stream and method for manufacturing the sensor |
JP2008051715A (en) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Yoshiharu Nagamatsu | Wireless tag type sensor |
US20080135408A1 (en) * | 2004-08-20 | 2008-06-12 | Novo Nordisk A/S | Manufacturing Process For Producing Narrow Sensors |
JP2009025196A (en) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Covalent Materials Corp | Fine channel structure, and manufacturing method of fine channel structure |
JP2012093287A (en) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Denso Corp | Particulate substance detection sensor |
JP2012127907A (en) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Nippon Soken Inc | Particulate matter detection sensor |
WO2015074928A1 (en) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | Robert Bosch Gmbh | Method and device for operating a particle sensor |
DE102014211533A1 (en) * | 2014-06-17 | 2015-12-17 | Robert Bosch Gmbh | Method for operating a particle sensor |
DE102014212858A1 (en) * | 2014-07-02 | 2016-01-07 | Robert Bosch Gmbh | Sensor for the detection of particles |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3941837C2 (en) * | 1989-12-19 | 1994-01-13 | Bosch Gmbh Robert | Resistance sensor for detecting the oxygen content in gas mixtures and process for its production |
DE10244702A1 (en) * | 2001-10-09 | 2003-05-08 | Bosch Gmbh Robert | Method for the detection of particles in a gas stream and sensor therefor |
DE102004043122A1 (en) * | 2004-09-07 | 2006-03-09 | Robert Bosch Gmbh | Sensor element for particle sensors and method for producing the same |
DE102005016395B4 (en) * | 2005-04-18 | 2012-08-23 | Andreas Hauser | Rußimpedanzsensor |
DE102005029219A1 (en) | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Soot deposit measuring method, for use in motor vehicle exhaust area, involves determining separations of soot in inter digital condenser structure or heating conductor by change of electrical or thermal measured value of structure |
DE102008041808A1 (en) * | 2008-09-04 | 2010-03-11 | Robert Bosch Gmbh | Particle sensor i.e. resistive particle sensor, for detecting soot particles in gas stream of vehicle, has electrodes with main surfaces that contact less than hundred percent of main surfaces of adjacent insulation layers |
JP6336072B2 (en) * | 2013-08-14 | 2018-06-06 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh | Particle sensor and method for manufacturing particle sensor |
CN107532986B (en) * | 2014-12-23 | 2021-03-05 | 贺利氏耐克森索斯有限责任公司 | Sensor for detecting electrically conductive and/or polarizable particles and method for adjusting same |
-
2016
- 2016-04-28 DE DE102016107888.3A patent/DE102016107888A1/en not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-04-17 TW TW106112766A patent/TWI652465B/en not_active IP Right Cessation
- 2017-04-27 US US16/096,836 patent/US20190128789A1/en not_active Abandoned
- 2017-04-27 JP JP2018546808A patent/JP6970108B2/en active Active
- 2017-04-27 KR KR1020187034387A patent/KR102121326B1/en active IP Right Grant
- 2017-04-27 CN CN201780025221.6A patent/CN109073526B/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-04-27 WO PCT/EP2017/060037 patent/WO2017186840A1/en active Application Filing
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1990012314A1 (en) * | 1989-04-04 | 1990-10-18 | Gerald Urban | Micro-multi-electrode arrangement |
JPH03505785A (en) * | 1989-04-04 | 1991-12-12 | ウルバン ゲラルト | Micro multi-electrode structure |
US6811663B1 (en) * | 1998-05-18 | 2004-11-02 | Sensorflex Limited | Microelectrode system |
JP2000241343A (en) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Micronas Gmbh | Measuring apparatus and production thereof |
US6471838B1 (en) * | 1999-02-19 | 2002-10-29 | Micronas Gmbh | Measuring device and process for its manufacture |
JP2003315296A (en) * | 2002-04-23 | 2003-11-06 | Mizuho Morita | Detection device |
JP2006515066A (en) * | 2003-11-18 | 2006-05-18 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | Sensor for detecting particles in a gas stream and method for manufacturing the sensor |
US20080135408A1 (en) * | 2004-08-20 | 2008-06-12 | Novo Nordisk A/S | Manufacturing Process For Producing Narrow Sensors |
JP2008051715A (en) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Yoshiharu Nagamatsu | Wireless tag type sensor |
JP2009025196A (en) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Covalent Materials Corp | Fine channel structure, and manufacturing method of fine channel structure |
JP2012093287A (en) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Denso Corp | Particulate substance detection sensor |
JP2012127907A (en) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Nippon Soken Inc | Particulate matter detection sensor |
WO2015074928A1 (en) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | Robert Bosch Gmbh | Method and device for operating a particle sensor |
DE102014211533A1 (en) * | 2014-06-17 | 2015-12-17 | Robert Bosch Gmbh | Method for operating a particle sensor |
DE102014212858A1 (en) * | 2014-07-02 | 2016-01-07 | Robert Bosch Gmbh | Sensor for the detection of particles |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020217508A1 (en) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 | ナブテスコ株式会社 | Sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109073526A (en) | 2018-12-21 |
KR20180136552A (en) | 2018-12-24 |
TW201741644A (en) | 2017-12-01 |
WO2017186840A1 (en) | 2017-11-02 |
JP6970108B2 (en) | 2021-11-24 |
TWI652465B (en) | 2019-03-01 |
DE102016107888A1 (en) | 2017-11-02 |
US20190128789A1 (en) | 2019-05-02 |
CN109073526B (en) | 2021-12-07 |
KR102121326B1 (en) | 2020-06-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180906 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200414 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200714 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20200918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210302 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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