JP2019501510A - 低圧ワイヤイオンプラズマ放電源、及び二次放出を伴う電子源への応用 - Google Patents

低圧ワイヤイオンプラズマ放電源、及び二次放出を伴う電子源への応用 Download PDF

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Abstract

【課題】二次電子放出電子ビームのためのイオン源として使用するための低圧ワイヤイオンプラズマ(WIP)放電源を提供する。
【解決手段】本発明は、細長いイオン化室(1)であって、イオン化室内に長手方向に延びる少なくとも2つの平行なアノードワイヤ(2、3)を収容する細長いイオン化室(1)を含む低圧ワイヤイオンプラズマ放電源に関する。本発明によれば、前記少なくとも2つのアノードワイヤの第1のワイヤ(2)は、DC電圧源(4)に接続され、及び前記少なくとも2つのアノードワイヤの第2のワイヤ(3)は、パルス電圧源(5)に接続される。
【選択図】図4

Description

本発明は、特に二次電子放出電子ビーム、とりわけパルスX線源のためのイオン源として使用するための低圧ワイヤイオンプラズマ放電源に関する。このタイプのパルスX線発生器は、典型的には、高エネルギーのエキシマレーザーのための予備電離源として使用される。
そのようなX線源の原理は、例えば、Friedeらの米国特許第4,955,045号明細書に記載されている。二次電子放出X線発生器において使用されるワイヤイオンプラズマ(WIP)放電源を概略的に表す図1を参照すると、通常、パルス高電圧+Uソースから、低ガス圧、典型的にはヘリウムを有するイオン化室において長手方向に延びる1つ又はいくつかの平行ワイヤ10(装置のアノードを形成する)に正のパルス電圧(1〜5kV)が印加される。パルス状の正の電圧を印加することにより、ワイヤに沿って形成される正イオン(例えば、He)のプラズマが生成される。イオン(He)プラズマの生成に続いて、負の高電圧パルス(通常、約100kV)が、同じ筐体内に配置されたカソード20に印加される。正イオンはカソード20に向かって引き寄せられ、カソード20と衝突すると、カソード20から離れる方向に伝搬する電子ビームを形成する二次電子を生成する。金属ターゲット30を電子ビーム経路内に配置し、従って電子ビームを減速させることによりX線放射を生成することができる。
とりわけ高エネルギーのエキシマレーザーで使用するためのX線発生器用の信頼性の高いイオン源を得るために、WIP放電は、いくかの要件を満足しなければならない。
− 高密度の正イオンを生成して、その後に高密度の二次電子を生成し、十分に高いX線量をもたらさなければならない。これは、通常、WIP放電のために少なくとも1A/cm以上、典型的には2A/cmの高い放電電流を必要とする。
− 信頼性が高く安定したX線放射のための信頼性の高いトリガー(低パルス間ジッター)及び良好なパルス間安定性。
− とりわけ、高エネルギーのエキシマレーザー用のX線源の場合には1メートルよりも長いことがあるワイヤの方向における、生成されたプラズマの良好な空間的均一性。
経験では、これらの要件を全て満足させるのは相当に困難であることが示されている。
高電圧パルスを印加することにより、ヘリウムなどの低圧ガス内にイオンプラズマを生成すると、ガス絶縁破壊を開始するのに必要な自由電子の存在に関連した統計的不確実性が大きくなることにつながる。これにより、パルス電圧がワイヤに印加された時間とプラズマの開始との間に大きいジッターが生じる。そのようなジッターは、印加電圧などの外部条件、イオン化室の壁の表面の状態の変化、及び電圧パルスの印加と過去の放電との間の時間に依存することがある(“Helium memory effect”,Kurdle and al.,J.Phys.D:Appl.Phys.32(1999),2049−2055を参照)。
欧州特許第2,079,092号明細書において、Makarovは、この問題に対する解決策を提案しており、そこでは、単一のパルスWIP放電の代わりに、負のパルスをカソードに印加する前に数回の連続的な放電(典型的には100Hzの高繰り返し率で)をワイヤに印加する。低圧ガス(典型的にはヘリウム)放電の「メモリー」効果のために、ジッターは、連続的放電ごとに低減され、直前の正のパルスによって生成されるプラズマの(時間及び強度の)安定性を向上させる。しかしながら、この解決策にはいくつかの欠点がある。
− この解決策は、電子ビームパルスごとに数回のWIP放電を発生させることを強制し、これにより装置の信頼性及び寿命が低減される。
− 長いWIP源(≧長さ1m)での連続的な放電は、プラズマの望ましくない長手方向の閉じ込めを引き起こし、従ってイオン源の均一性を低下させる傾向があることが観察された(図2を参照)。
この場合、安定性及び低ジッターは、均一性を犠牲にして実現される。
他方では、Gueroult et al.,“Particle in cell modelling of the observed modes of a DC wire discharge”,Journal of Physics D:Appl.Phys.,Vol.43,N°36から、WIP放電は、低(DC)電流(典型的には<1mA/cm)で継続的に維持され得ることも知られている。Gueroultらは(横方向の窓を通じて見た放電プロファイルを表す図3を参照)、電流及び圧力の特定の条件の下では、DC WIP放電は、いわゆる「低圧に対する圧縮モード」(図3(a)圧縮モード−p=1*10−2mbar、I=1mA)で維持され得、その場合、プラズマは、ワイヤの周りに放射状に閉じ込められ且つワイヤに沿って均一的に伸びるか、又は高圧に対する「拡散モード」(図3(b)、3(c)、3(d)拡散モード、p=2.8*10−2mbar、I=1、1.5、及び2mAの電流に伴う長手方向の拡張)で維持され得、その場合、プラズマは、放射状に費やすが、長手方向に(即ちワイヤに沿って)不均一性を示すことも示されている。いずれの場合にも、両方の動作モードについて、DC WIP放電は、X線発生器に直接的に使用されることになるイオン密度を十分に生成することができない。
特開平4−255654A号公報は、ガスのパルス状イオン化によって正イオンを発生させるためのアノードワイヤを収容する低圧ガスイオン化室を含むパルス電子銃について開示している。アノードワイヤにはDC電圧が予め印加されており、更にアノードワイヤにパルス電圧が印加される。従って、イオン化室内のプラズマ密度が増加し、また、プラズマから抽出され且つカソードの表面に到達する正イオンの数も増加する。しかしながら、同じアノードワイヤにDC電圧とパルス電圧の両方を印加することには、以下の欠点が存在する。
・ワイヤに高電圧/高電流パルスを印加すると、連続的なプラズマを不安定にすることがある。
・特開平4−255654A号公報では、ワイヤに印加される連続的な高電圧は、パルス高電圧のかなりの部分であり、連続的なプラズマが不安定になるのを回避するための対策が取られていない。
・DCプラズマ放電は負の抵抗を示し、従って安定させるには抵抗的に安定させなければならない。その結果、パルス供給及びDC供給を重ね合わせることは、満足のいくものではなくなる。なぜなら、任意の浮遊容量(ケーブル及びダイオードの浮遊容量)がDC放電の発振を誘起するからである。
従って、本発明の目的は、特に、従来技術の欠点を克服する、二次電子放出電子ビーム、とりわけパルスX線源のためのイオン源として使用するための低圧ワイヤイオンプラズマ(WIP)放電源を提供することである。
特に、本発明の目的は、低ジッターで良好な安定性及び均一性(圧縮段階)を有するプラズマの容易な確立を確実にする低圧ワイヤイオンプラズマ放電源を提供することである。
上記の目的は、本発明に従って低圧ワイヤイオンプラズマ(WIP)放電源を提供することによって達成され、この低圧ワイヤイオンプラズマ(WIP)放電源は、細長いイオン化室及び少なくとも2つのアノードワイヤを含み、少なくとも2つのアノードワイヤは、好ましくは平行であり、且つイオン化室内で長手方向に延びており、前記少なくとも2つのアノードワイヤの第1のワイヤは、直流(DC)電圧源に接続され、及び前記少なくとも2つのアノードワイヤの第2のワイヤは、パルス電圧源に接続される。
動作時、DC電圧を供給される第1のアノードワイヤは、励起又はイオン化された種を提供する補助源として作用する。これらの種は、第2のアノードワイヤが高パルス電圧を供給されたときにパルス高電流プラズマを確立するための種として作用し、従って最終的な主プラズマの低ジッター、安定性、及び均一性を保証する。
第1のアノードワイヤに印加される直流は、均一モード(圧縮段階)で最終的な主プラズマを取得及び維持するために、低電流(典型的には≦1mA/cm)であることが好ましい。
本発明の低圧WIP放電源は、3つ以上のアノードワイヤを含むこともできる。DC電圧源か又はパルス電圧源のいずれかを2つ以上の平行なアノードワイヤに接続することができる。
典型的な構成は、DC電圧源に接続された単一のアノードワイヤと、パルス電圧源に接続された2つの平行なアノードワイヤとを含む。アノードワイヤは、一方若しくは両方の端部でパルス電圧源に接続され得、又は複数のアノードワイヤの場合、アノードワイヤの互い違いの対向する端部で接続され得る。
好ましい実施形態では、イオン化室は、細長い主室及び細長い補助室を含み、これらの室は、スリットを介してそれらの長さに沿って、好ましくはそれらの全長に沿って流体連通している。DC電圧源に接続された、少なくとも1つの長手方向に延びるアノードワイヤが補助室内に収容され、及びパルス電圧源に接続された、少なくとも1つの長手方向に延びるアノードワイヤが、イオン化室の主室内に収容される。このような配置により、主高電流パルスを印加している間のクロストーク又は短絡が回避される。
ここで、本発明を、図面を参照して詳細に説明する。
ワイヤイオンプラズマ放電を使用した従来の二次電子放出X線発生器の機能の概略図である。 単一パルスWIP放電又は複数パルスWIP放電を使用したイオンプラズマ閉じ込めの概略図である。 DC電流値及びガス圧に応じたDCワイヤプラズマ放電の構成である。 本発明によるイオン化室の概略図である。 DC電圧源及びパルス電圧源の概略図である。 主イオン化室及び補助イオン化室を含む、本発明によるイオン化室の一実施形態の概略図である。 本発明によるイオン化室の動作についてのシーケンス及び波形の図である。 本発明に従ってDC電流を印加した場合(7A)及びDC電流なしの場合(7B)の、パルスアノードワイヤ上の電圧及び電流曲線である。 本発明に従ってDC電流を印加した場合(7A)及びDC電流なしの場合(7B)の、パルスアノードワイヤ上の電圧及び電流曲線である。
図4では、本発明によるイオン化室1が概略的に表わされている。イオン化室1は、細長い形状(典型的には1m以上の長さ)であり、またイオン化室1内に長手方向に延びている2つの平行なアノードワイヤ2、3を収容する。
第1のアノードワイヤは、高DC電圧(典型的には0.5〜1kV)及び低DC電流(典型的には≦1mA/cm)をワイヤに印加するように意図されたDC電圧源4に接続されている。
第2のアノードワイヤは、単一の高電圧(典型的には1〜5kV)及び高電流(典型的には≧1A/cm、<10μs)パルスを印加するように意図されたパルス電圧源5に接続されている。
一方のアノードワイヤに高電圧を連続的に印加し、従って前記ワイヤを通る連続的な電流を生成することにより、これに続いて他方のワイヤに高DC電圧を印加すると、ほぼジッターなしの安定したWIP放電が安全に得られる。当然ながら、各タイプ(DC及びパルス)のアノードワイヤの数及び配置は、イオン密度及び均一性を最適化するように選択することができる。また、パルス高電圧を供給されるいくつかのアノードワイヤが使用される場合、パルス高電圧をそれらのワイヤの同じ単一の端部、ワイヤの両方の端部、又は各ワイヤの対向する端部に供給することができる。
特定の実施形態では、図6に示すように、イオン化室10は、細長い主室11及び細長い補助室12を含み、補助室12は、主室及び補助室の長さ、好ましくは全長に沿って長手方向に延びる細長いスリット13を介して主室11と流体連通している。
主室11は、室内で長手方向に延びる2つの平行なアノードワイヤ14a、14bを収容する(当然ながら、1つのみのアノード又は3つ以上のアノードワイヤを使用することもできる)。
補助室12は、室内で長手方向に延びるアノードワイヤ15を収容する(当然ながら、補助室12内に2つ以上のアノードワイヤを配置することもできる。
補助室12内に配置されたアノードワイヤ15は、(図4に示すように)高電圧/低電流DC電源に接続される。主室11内に配置されたアノードワイヤ14a、14bは、(例えば、図5に示すように)パルス高電圧/高電流電源に接続される。図6の実施形態では、アノードワイヤ14a、14bは、対向する端部を介してパルス高電圧/高電流電源に接続される。当然ながら、それらのアノードワイヤは、それらの同じ側の端部又は両端を介しても接続され得る。
細長い主室及び補助室は、平行六面体又は円筒形の形状などの任意の適切な形状を有することがある。主室及び補助室の全体的な長手方向の長さは、通常、1m以上である。
図7を参照して、ここで、本発明によるイオン化室の典型的な動作シーケンスを、二次電子放出ビームを生成するために使用される場合について説明する。
1.イオン化室の特性
− イオン化室:室は、以下の典型的な寸法を有する平行六面体の形状を有する:長さ130cm、幅4cm、及び高さ4cm。
− アノードワイヤ
DC電圧アノードワイヤ:1つのDCワイヤ、典型的には直径200μm。
パルス電圧アノードワイヤ:2つのパルスワイヤ、典型的には直径300μm。
− 以下の特性を有するDC電源(HVPS−1):
− 典型的に2kVの高電圧を出力する
− 1.30mのワイヤ長に対して典型的には0.3mA(従って≦0.3mA/m)に制限することができ、従って圧縮モードでDCプラズマを維持することができる、制御可能な出力電流
− 以下の特性を有するパルス電源(図5を参照)
− 典型的に5kVのHV出力を有する高電圧電源(HVPS−2)
− 電気エネルギーを蓄え、その後、その電気エネルギーをパルスワイヤに供給するための、典型的には30nFのコンデンサC
− パルスワイヤに高電圧パルスを供給するために、最大5kVの電圧及び最大で典型的に500Aの電流を扱うことができ、迅速に閉じることができるスイッチS。スイッチは、1つ又は複数のIGBTから形成することができる。或いは、MosFETトランジスタを使用することができる。或いは、サイラトロンを使用することもできる(なお、サイラトロンの場合、トランスを使用しなければならない)。
2.動作
・開始時(T0)、高DC電圧(典型的には2kV)が1つのワイヤに印加される。
・しばらくした後(T1)、ワイヤの周りにプラズマが生成され、電流が流れる。電源電流の限界は、圧縮モードでDCプラズマを維持するように十分低く、且つパルスWIPを安定して形成するために十分な電荷を発生させるように十分に高い値に設定される。典型的な電流設定値は、ワイヤ直径と、室の幾何形状(ワイヤ−壁の距離、ワイヤ間の距離)とに依存することがある。直径200μm、長さ1.5m、室の壁の約1cmに配置されたDCワイヤの場合、電流設定値は0.1mAである。前記プラズマが確立されると、電源電圧は、プラズマインピーダンスに依存する値、典型的には1kVに降下する。このDCプラズマは、装置の動作中、常に維持される。
・T2において、HVPS−1は、コンデンサCを設定高電圧、典型的には5kVまで充電する。
・コンデンサCが充電されると、T3でスイッチSが閉じられ、その後、パルスワイヤが同じ高電圧にされる。電圧上昇時間は、高速(典型的には<1μs)であるように設計された回路の物理的特性に依存する。
・T4において、パルスワイヤに現れる高電圧がパルスWIPプラズマを形成し、高電流がイオン化室内で流れ始め、パルス電源設計に応じた時間(典型的には数μs)にわたり高イオン密度を生成する。
・T5において、コンデンサCに蓄積された電気エネルギーがプラズマに完全に移され、パルス電流が停止する。
・T6において、正確に制御された時間遅延後、負の高電圧パルス(典型的には−100kV)がカソードに印加され、イオンプラズマを加速させ、二次電子とこれに続くX線放射とを生成する。
・T7において、X線源の所望の繰り返し率に応じて制御されて、サイクル(T2で開始する)が繰り返される。
典型的な遅延:
・DCプラズマ開始(T1〜T0):重大ではない(開始時のみである)、典型的には<1s。
・コンデンサCの充電時間(T3〜T2):連続的なX線パルス間の所望の時間よりも短くなければならず、典型的には10Hzの動作に対して<100msでなければならない。
・パルスワイヤに渡る電圧の上昇時間(T4〜T3):パルスプラズマを効率的に形成するように十分に速くなければならない。回路パラメータ(スイッチ閉路時間、インダクタンス)に依存し、典型的には<1μsである。
・WIPプラズマの持続時間(T5〜T4):典型的には2μsである。
・パルスWIPプラズマ−電子ビームの遅延(T5〜T6):典型的には5μsである。
・繰り返し率(T7〜T2):典型的には1〜100Hz(0.01〜1s)である。
動作のシーケンス及び波形を図7に示す。
図8A及び図8Bは、DC電流が他方のワイヤに印加される(100ショット)場合(図8A)及びDC電流が印加されない場合(図8B)の、パルスアノードワイヤ上のイオン源電圧及び電流を示す。DC電流なしでは、ジッターが大きくなり、WIP放電の安定性が不十分になる。

Claims (6)

  1. 細長いイオン化室(1)であって、前記イオン化室内に長手方向に延びる少なくとも2つのアノードワイヤ(2、3)を収容する細長いイオン化室(1)と、DC電圧源(4)と、パルス電圧源(5)とを含む低圧ワイヤイオンプラズマ放電源において、
    前記少なくとも2つのアノードワイヤの第1のワイヤ(2)は、前記DC電圧源(4)に接続され、及び前記少なくとも2つのアノードワイヤの第2のワイヤ(3)は、前記パルス電圧源(5)に接続されることを特徴とする、低圧ワイヤイオンプラズマ放電源。
  2. 前記DC電圧源(4)に接続された幾つかのアノードワイヤ及び/又は前記パルス電圧源(5)に接続された幾つかのアノードワイヤを含むことを特徴とする、請求項1に記載の低圧ワイヤイオンプラズマ放電源。
  3. 前記DC電圧源(4)によって生成される直流は、1mA/cm以下であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の低圧ワイヤイオンプラズマ放電源。
  4. 前記パルス電圧源(5)は、1〜5A/cm以上のパルス大電流を生成することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の低圧ワイヤイオンプラズマ放電源。
  5. 前記イオン化室(10)は、スリット(13)を介してそれらの全長に沿って流体連通している細長い主室(11)及び細長い補助室(12)を含み、少なくとも1つのパルス電圧供給されるアノードワイヤ(14a、14b)は、主室(11)内に長手方向に延び、及び少なくとも1つのDC電圧供給されるアノードワイヤ(15)は、前記補助室(12)内に長手方向に延びることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の低圧ワイヤイオンプラズマ放電源。
  6. 低圧室内においてイオン衝撃下で二次電子放出を伴う電子源において、請求項1〜5のいずれか一項に記載の低圧ワイヤイオンプラズマ放電源を含むことを特徴とする電子源。
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