KR20180096747A - 저압 와이어 이온 플라즈마 방전 소스, 및 2차 전자 방출을 갖는 전자 소스에의 적용 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이온화 챔버 내에서 길이 방향으로 연장되는 적어도 2개의 평행 한 애노드 와이어들(2, 3)을 수용하는 길쭉한 이온화 챔버(1)를 포함하는 저압 와이어 이온 플라즈마 방전 소스에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 적어도 2개의 애노드 와이어들 중 제1 애노드 와이어(2)는 DC 전압 공급기(4)에 연결되고, 적어도 2개의 애노드 와이어들 중 제2 애노드 와이어(3)는 펄스 전압 공급기(5)에 연결된다.

Description

저압 와이어 이온 플라즈마 방전 소스, 및 2차 전자 방출을 갖는 전자 소스에의 적용
본 발명은 특히 2차 전자 방출(secondary emission) 전자빔을 이온 소스로서 사용하기 위한, 주로 펄스형(pulsed) 엑스레이 소스를 위한 저압 와이어 이온 플라즈마 방전 소스에 관한 것이다. 이 펄스형 엑스레이 발생기는 전형적으로 고 에너지 엑시머 레이저들을 위한 전이온화(pre-ionization) 소스로서 사용된다.
이러한 엑스레이 소스의 원리는 예를 들어 Friede 등에 의한 미국 특허 제4,955,045호에 기재되어 있다. 전형적으로, 2차 전자 방출 엑스레이 발생기에서 사용되는 와이어 이온 플라즈마(WIP) 방전 소스를 개략적으로 나타내는 도 1을 참조하면, 양의 펄스 전압(pulsed voltage)(1-5kV)이 펄스형 고전압 +U 소스로부터, 낮은 가스 압력, 전형적으로는 헬륨을 가진 이온화 챔버에서 길이 방향으로 연장되는 하나 또는 수 개의 병렬 와이어들(10)(디바이스의 애노드를 형성함)에 인가된다. 양의 펄스 전압의 인가는 와이어(들)을 따라 형성된 양이온들(예컨대
Figure pct00001
)의 플라즈마를 생성한다. 이온(
Figure pct00002
) 플라즈마의 생성에 이어서, 동일한 인클로저 내에 위치된 캐소드(20)에 음의 고전압 펄스(전형적으로 약 100kV)가 인가된다. 양이온들은 캐소드(20)를 향해 끌려가게 되고, 캐소드(20)와 충돌하자마자 캐소드(20)로부터 멀리 전파되는 전자빔을 형성하는 2차 전자들을 생성한다. 금속 타겟(30)은 전자빔 경로 내에 위치되어 전자빔을 감속시킴으로써 엑스레이 방출을 생성할 수 있다.
특히 고 에너지 엑시머 레이저에 사용될 엑스레이 발생기를 위해 신뢰할 수 있는 이온 소스를 얻기 위해서는, WIP 방전이 여러 가지 요구 사항들을 충족해야 한다:
- 나중에 고밀도의 2차 전자들을 생성하여 결과적으로 충분히 높은 엑스레이 양을 얻도록 고밀도의 양이온들이 생성되어야 한다. 이것은 전형적으로 WIP 방전을 위해 적어도 1A/cm 이상, 전형적으로는 2A/cm의 높은 방전 전류를 필요로 한다.
- 신뢰 가능한 안정적인 엑스레이 방출을 위한 양호한 펄스 대 펄스 안정성 및 신뢰할 수 있는 트리거링(낮은 펄스 대 펄스 지터).
- 고 에너지 엑시머 레이저를 위한 엑스레이 소스의 경우에는 특히 1미터보다 길 수 있는 와이어 방향으로 생성된 플라즈마의 우수한 공간 균일성.
경험에 의해 이들 요구 사항을 모두 충족시키는 것이 다소 어렵다는 것이 밝혀졌다.
고전압 펄스를 인가하여 헬륨과 같은 저압 가스에서 이온 플라즈마를 생성하면, 가스 방전(breakdown)을 시작하는 데 필요한 자유 전자의 존재와 관련된 통계적 불확실성이 커진다. 이로 인해 펄스 전압이 와이어(들)에 인가되는 시간과 플라즈마의 시작 사이에 큰 지터가 야기된다. 이러한 지터는 인가전압, 이온화 챔버 벽의 표면 변화 조건들 및 인가전압 펄스와 이전 방전 사이의 시간과 같은 외부 조건들에 따라 달라질 수 있다(Kurdle 등에 의한 "헬륨 메모리 효과", J. Phys. D: Appl. Phys. 32(1999), 2049-2055) 참조).
EP2.079.092에서, 마카로프(Makarov)는 단일 펄스형 WIP 방전 대신에 몇 번의 연속 방전(높은 반복 속도, 전형적으로 100Hz)을 캐소드에 음의 펄스를 인가하기 전에 와이어(들)에 인가하는 방식으로 이 문제에 대한 해결책을 제안하고 있다. 저압 가스(전형적으로 헬륨) 방전의 "메모리" 효과로 인해, 지터는 각각의 연속적인 방전 동안 감소되어 마지막 양의 펄스에 의해 생성된 플라즈마의 (시간 및 밀도에서의) 안정성을 향상시킨다. 하지만, 이 해결책에는 몇 가지 단점이 있다.
- 그것은 디바이스의 신뢰성과 수명을 감소시키는 각 전자빔 펄스를 위해 강제로 여러 번의 WIP 방전을 발생시킨다.
- 길쭉한(elongated) WIP 소스(길이 1 m)에서의 연속적인 방전은 플라즈마의 원하지 않는 길이 방향 제한(confinement)을 일으키고, 이에 의해 이온 소스의 균일성을 저하시키는 것이 관찰되었다(도 2 참조).
이 경우, 안정성과 낮은 지터가 균일성을 희생하여 얻어진다.
다른 한편으로는, Gueroult 등에 의한 "DC 와이어 방전의 관찰 된 모드의 셀 모델링에서의 입자" Journal of Physics D: Appl. Phys., Vol. 43, N°36으로부터, WIP 방전은 낮은 (DC) 전류(전형적으로 1mA/cm 미만)에서 지속적으로 유지될 수 있음이 알려졌다. Gueroult 등은, 또한 (측면 창을 통해 본 방전 프로파일들을 나타내는 도 3 참조) 전류 및 압력의 특정 조건들하에서 DC WIP 방전이 플라즈마가 와이어 주위에 방사상으로 제한되고 와이어를 따라 균일하게 연장되는 소위 "저압의 수축 모드(constricted mode for low pressure)"(도 3(a)의 수축 모드 - p = 1.10-2 mbar, I = 1mA) 또는 플라즈마는 방사상으로 팽창(expend)하지만 길이 방향으로(즉, 와이어를 따라) 불균일성을 나타내는 고압의 확산 모드(diffuse mode for higher pressure)(도 3(b), 3(c), 3(d)의 확산 모드 p = 2,8.10-2 mbar(I = 1, 1.5 및 2mA에 대한 전류의 길이 방향 확장))로 유지될 수 있음을 제시한다. 어쨌든, 2개의 동작 모두에서, DC WIP 방전은 엑스레이 발생기에 직접 사용하기에 충분한 이온 밀도를 생성할 수 없다.
일본 특허 출원 JP-4-255654A는 가스의 펄스 이온화에 의해 양이온들을 발생시키기 위한 애노드 와이어를 수용하는 저압 가스 이온화 챔버를 포함하는 펄스형 전자총을 개시한다. 애노드 와이어에 DC 전압을 미리 인가하고, 애노드 와이어에 펄스 전압을 추가로 인가한다. 따라서, 이온화 챔버 내의 플라즈마 밀도가 증가되고, 플라즈마로부터 추출되어 캐소드의 표면에 도달하는 양이온들의 수가 또한 증가된다. 하지만, 동일한 애노드 와이어에 DC 전압과 펄스 전압을 둘 다 인가하면 다음과 같은 단점이 나타난다:
ㆍ 와이어에 고전압/고전류 펄스를 인가하면 연속 플라즈마가 불안정해질 수 있다.
ㆍ JP-4-255654A에서, 와이어에 인가된 연속 고전압은 펄스 고전압의 상당한 부분이며, 연속 플라즈마가 불안정해지는 것을 방지하기 위한 어떠한 준비도 되어 있지 않다;
ㆍ DC 플라즈마 방전은 음의 저항을 나타내므로, 안정화하기 위해서는 저항으로 밸러스트되어야(resistively ballasted) 한다. 결과적으로, 펄스 공급과 DC 공급을 중첩하는 것은, 임의의 부유 용량(케이블들과 다이오드들의 부유 용량)이 DC 방전의 발진을 일으키기 때문에 만족스럽지 않다.
그러므로 종래 기술의 문제점을 극복하기 위해, 본 발명의 목적은 특히 2차 전자 방출 전자빔을 위한 이온 소스로서의 사용을 위한, 주로 펄스형 엑스레이 소스를 위한 저압 와이어 이온 플라즈마(WIP) 방전 소스를 제공하는 것이다.
특히, 본 발명의 목적은 낮은 지터, 양호한 안정성 및 균일성(수축 단계)으로 플라즈마 형성을 용이하게 하는 저압 와이어 이온 플라즈마 방전 소스를 제공하는 것이다.
상기 목적들은 본 발명에 따른, 길쭉한 이온화 챔버 및 상기 이온화 챔버 내에서 길이 방향으로 연장되는, 바람직하게는 평행한, 적어도 2개의 애노드 와이어들을 포함하는 저압 와이어 이온 플라즈마(WIP) 방전 소스를 제공함으로써 달성되며, 여기서 상기 적어도 2개의 애노드 와이어들 중 제1 애노드 와이어는 직류(DC) 전압 공급기에 연결되고, 상기 적어도 2개의 애노드 와이어 중 제2 애노드 와이어는 펄스 전압 공급기에 연결된다.
동작시, DC 전압이 공급되는 제1 애노드 와이어는 여기 종(species) 또는 이온화된 종을 제공하는 보조 소스의 역할을 한다. 이들 종(species)은 제2 애노드 와이어에 높은 펄스 전압이 공급될 때 펄스형 고전류 플라즈마를 형성하기 위한 시드(seeds)의 역할을 하므로 최종의 메인 플라즈마의 낮은 지터, 안정성 및 균일성을 보장한다.
바람직하게는, 제1 애노드 와이어에 인가된 직류는 균일 모드(수축 단계)에서 최종의 메인 플라즈마를 얻고 유지하기 위해 낮은 전류(전형적으로 ≤ 1mA/cm)이다.
본 발명의 저압 WIP 방전 소스는 2개보다 많은 애노드 와이어들을 포함할 수 있다. DC 전압 공급기 및 펄스 전압 공급기 중 어느 하나는 2개 이상의 병렬 애노드 와이어들에 연결될 수 있다.
전형적인 구성은 DC 전압 공급기에 연결된 단일 애노드 와이어와 펄스 전압 공급기에 연결된 2개의 병렬 애노드 와이어들을 포함한다. 애노드 와이어(들)는 하나의 단부 또는 양쪽 단부들에 의해, 또는 다수의 애노드 와이어의 경우에는 애노드 와이어들의 교호 양단(alternating opposite ends)에 의해 펄스 전압 공급기에 연결될 수 있다.
바람직한 실시예에서, 이온화 챔버는 메인의 길쭉한 챔버 및 보조의 길쭉한 챔버를 포함하며, 메인의 길쭉한 챔버 및 보조의 길쭉한 챔버는 그들의 길이를 따라, 바람직하게는 슬릿을 통한 전체 길이를 따라 유체 연결(fluidic communication)한다. DC 전압 공급기에 연결된 적어도 하나의 길이 방향으로 연장되는 애노드 와이어는 이온화 챔버의 보조 챔버 내에 수용되고, 펄스 전압 공급기에 연결된 적어도 하나의 길이 방향으로 연장되는 애노드 와이어는 주 챔버 내에 수용된다. 이러한 배치로, 메인 고전류 펄스의 인가 동안에 누화 또는 단락이 회피된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명이 상세하게 설명될 것이다.
도 1은 와이어 이온 플라즈마 방전을 이용하는 전형적인 2차 전자 방출 엑스레이 발생기의 기능을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 2는 단일 펄스 WIP 방전 또는 다중 펄스 WIP 방전을 사용하는 이온 플라즈마 제한을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 3은 DC 전류 값 및 가스 압력에 따라 달라지는 DC 와이어 플라즈마 방전의 지형(configuration)을 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 이온화 챔버를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 5는 DC 전압 공급기와 펄스 전압 공급기를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 6은 주 이온화 챔버 및 보조 이온화 챔버를 포함하는 본 발명에 따른 이온화 챔버의 실시예를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 이온화 챔버의 동작을 위한 시퀀스 및 파형들을 도시하는 도면이다. 그리고
도 8a 및 8b는 본 발명에 따라 DC 전류를 인가하고(8a) 그리고 DC 전류를 인가하지 않은(8b) 펄스형 애노드 와이어 상의 전압 및 전류 곡선들을 도시하는 도면이다.
도 4에는 본 발명에 따른 이온화 챔버(1)가 개략적으로 도시되어 있다. 이온화 챔버(1)는 (전형적으로 길이가 1m 이상의) 길쭉한 형상이며, 이온화 챔버(1) 내에는 길이 방향으로 연장되는 2개의 평행한 애노드 와이어들(2, 3)이 수용된다.
제1 애노드 와이어는 상기 와이어에, 높은 DC 전압(전형적으로 0.5 내지 1kV)과 낮은 DC 전류(전형적으로 ≤ 1mA/cm)를 인가하도록 의도된 DC 전압 공급기(4)에 연결된다.
제2 애노드 와이어는 단일 고전압(전형적으로 1-5kV)과 고전류(전형적으로 ≥ 1A/cm; <10μs) 펄스를 인가하도록 의도된 펄스 전압 공급기(5)에 연결된다.
하나의 애노드 와이어에는 계속해서 고전압을 인가하여 상기 와이어를 통해 연속 전류를 생성하면서, 다른 하나의 와이어에는 나중에 높은 DC 전압을 인가할 때에는, 지터가 거의 없는 안정된 WIP 방전이 안전하게 얻어진다. 물론, 각 유형(DC 및 펄스)의 애노드 와이어들의 수 및 위치 선정이 이온 밀도와 균일성을 최적화하기 위해 선택될 수 있다. 또한, 펄스 고전압이 공급되는 몇 개의 애노드 와이어들이 사용될 때에는, 펄스 고전압이 와이어들의 동일한 단일 단부, 와이어들의 양 단부 또는 각 와이어의 반대 단부에 공급될 수있다.
특정 실시예에서는, 도 6에 도시된 바와 같이, 이온화 챔버(10)가 길쭉한 주 챔버(11)와 길쭉한 보조 챔버(12)를 포함하며, 보조 챔버(12)는 길이, 바람직하게는 주 챔버 및 보조 챔버의 전체 길이를 따라 길이 방향으로 연장되는 길쭉한 슬릿(13)을 통해 주 챔버(11)와 유체 연결한다.
주 챔버(11)는 챔버 내에 길이 방향으로 연장되는 2개의 평행한 애노드 와이어들(14a, 14b)을 수용한다(물론 하나의 애노드 와이어만 사용되거나 또는 2개보다 많은 애노드 와이어들이 사용될 수도 있다).
보조 챔버(12)는 그 내에 길이 방향으로 연장되는 애노드 와이어(16)를 수용한다(물론, 하나보다 많은 애노드 와이어가 보조 챔버(12) 내에 배치될 수 있다).
보조 챔버(12) 내에 위치한 애노드 와이어(들)(16)는 (도 4에 도시된 바와 같이) 고전압/저전류 DC 공급기에 연결된다. 주 챔버(11) 내에 위치한 애노드 와이어들(14a, 14b)은 (예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이) 펄스 고전압/고전류 공급기에 연결된다. 도 6의 실시예에서, 애노드 와이어들(14a, 14b)은 반대 단부들을 통해 펄스 고전압/고전류 공급기에 연결된다. 물론, 그들은 또한 같은 쪽 단부들 또는 양쪽 단부들을 통해 연결될 수 있다.
길쭉한 주 챔버 및 보조 챔버들은 평행 육면체 또는 원통형과 같은 임의의 적합한 형상을 가질 수 있다. 주 챔버 및 보조 챔버의 전체 길이 방향 길이는 통상 1m 이상이다.
2차 전자 방출빔을 생성하는데 사용될 때, 본 발명에 따른 이온화 챔버의 전형적인 동작 시퀀스가 도 7을 참조하여 이제 설명될 것이다.
1. 이온화 챔버 특성
- 이온화 챔버: 챔버는 다음의 전형적인 차원들: 길이 130cm, 너비 4cm, 높이 4cm의 평행육면체 형상이다.
- 애노드 와이어
DC 전압 애노드 와이어: 하나의 DC 와이어, 전형적으로는 직경 200μm임.
펄스 전압 애노드 와이어: 2개의 펄스 와이어들, 전형적으로는 직경이 300μm임.
- 다음 특징을 가진 DC 공급기(HVPS-1):
- 전형적으로 2kV의 출력 고전압;
- 1.30m 와이어 길이에 대해 전형적으로 0.3 mA로 제한되어 (따라서 ≤ 0.3mA/m) DC 플라즈마를 수축 모드로 유지할 수 있는 제어 가능한 출력 전류.
- 다음 특징을 가진 펄스 전력 공급기(도 5 참조):
- 전형적으로 5kV의 HV 출력을 갖는 고전압 전력 공급기(HVPS-2);
- 전기 에너지를 저장하고 펄스 와이어에 전기 에너지를 전달할 전형적으로 30nF의 커패시터;
- 고전압 펄스를 펄스 와이어에 전달하기 위해 신속하게 닫히고 최대 5kV의 전압과 최대 500A의 전류를 처리할 수 있는 스위치 S. 이 스위치는 하나 또는 몇 개의 IGBT들로 구성될 수 있다. 대안으로 MosFET 트랜지스터들이 사용될 수 있다. 대안으로 또한 사이러트론이 사용될 수 있다(사이러트론의 경우에는 변압기가 사용되어야 한다는 점을 유의할 것)
2. 동작
ㆍ 시동(T0) 하자마자, 높은 DC 전압(전형적으로 2 kV)이 하나의 와이어에 인가된다.
ㆍ 잠시 후(T1)에, 와이어 주위에 플라즈마가 생성되어 전류가 흐른다. DC 플라즈마를 수축 모드로 유지할 수 있을 만큼 충분히 낮고 그리고 펄스 WIP의 안정된 형성을 위해 충분한 전하를 생성할 수 있을 만큼 충분히 높은, 소정 값으로 전력 공급 전류 제한 값이 설정된다. 전형적인 전류 설정 값은 와이어 직경 및 챔버 기하학 구조(와이어-벽의 거리, 와이어들 간 거리)에 따라 달라질 수 있다. 챔버 벽들의 ~ 1cm에 위치된 직경 200㎛, 길이 1.5m의 DC 와이어에 대해서는, 전류 설정 값이 0.1mA이다. 상기 플라즈마가 형성(establish)되면, 전원 공급 전압이 플라즈마 임피던스에 의존하는 특정 값, 전형적으로 1kV로 강하한다. 이 DC 플라즈마는 디바이스의 동작 중에 계속해서 유지된다.
ㆍ T2에서, HVPS-1은 커패시터 C를 설정된 고전압, 전형적으로 5kV로 충전한다.
ㆍ 커패시터 C가 충전되면, T3에서 스위치 S가 닫히고 이후에 펄스 와이어에 동일한 고전압이 인가된다(submitted). 전압 상승 시간은 회로의 물리적 특성에 따라 달라지며, 신속하도록 (전형적으로 1μs 미만) 설계되어 있다.
ㆍ T4에서, 펄스 와이어에 나타나는 고전압이 펄스 WIP 플라즈마를 형성하고 그리고 이온화 챔버에서 고전류가 흐르기 시작하여, 펄스 전력 공급 구조에 의존하는 시간(전형적으로 수 μs) 동안에 고이온 밀도가 생성된다.
ㆍ T5에서, 커패시터 C에 저장된 전기 에너지가 완전히 플라즈마로 전달되고 펄스 전류가 정지된다.
ㆍ T6에서, 정밀하게 제어된 시간 지연 후에 음의 고전압 펄스(전형적으로 -100kV)가 캐소드에 인가되어 이온 플라즈마를 가속시켜 2차 전자들 및 후속의 엑스레이 방출을 생성한다.
ㆍ T7에서, 사이클이 엑스레이 소스의 원하는 반복 속도에 따라 제어되어, (T2에서 시작하는) 사이클이 반복된다
전형적인 지연들:
ㆍ DC 플라즈마 개시(T1-T0): 중요하지 않으며(시작시에만), 전형적으로는 1초 미만이다.
ㆍ 커패시터 C의 충전 시간(T3-T2): 연속 엑스레이 펄스들 사이의 원하는 시간보다 짧아야 하며, 전형적으로는 10Hz 작동시 100ms 미만이다.
ㆍ 펄스 와이어 양단의 전압 상승 시간(T4-T3): 펄스 플라즈마를 효율적으로 형성할 수 있을 만큼 빨라야 한다. 회로 파라미터들(스위치 폐쇄 시간, 인덕턴스)에 따라 다르며 전형적으로는 1μs 미만이다.
ㆍ WIP 플라즈마의 지속 시간(T5-T4): 전형적으로는 2μs이다.
ㆍ 지연 펄스 WIP 플라즈마 - 전자빔(e-beam)(T5-T6): 전형적으로는 5μs이다.
ㆍ반복 속도(T7-T2): 전형적으로는 1 - 100Hz(0.01 - 1초)이다
동작을 위한 시퀀스 및 파형들이 도 7에 도시되어 있다.
도 8a 및 도 8b는 DC 전류가 다른 와이어(100 샷들)에 인가될 때(도 8a) 및 어떤 DC 전류도 인가되지 않을 때(도 8b)의 펄스 애노드 와이어 상의 이온 소스 전압 및 전류를 도시한다. DC 전류가 없으면, 큰 지터가 발생하고 WIP 방전의 안정성이 떨어진다.

Claims (6)

  1. 이온화 챔버 내에서 길이 방향으로 연장되는 적어도 2개의 애노드 와이어(2, 3)를 수용하는 길쭉한 이온화 챔버(1), DC 전압 공급기(4) 및 펄스 전압 공급기(5)를 포함하는 저압 와이어 이온 플라즈마 방전 소스로서,
    상기 적어도 2개의 애노드 와이어들 중 제1 애노드 와이어(2)는 상기 DC 전압 공급기(4)에 연결되고, 상기 적어도 2개의 애노드 와이어들 중 제2 애노드 와이어(3)는 상기 펄스 전압 공급기(5)에 연결되는 것을 특징으로 하는, 저압 와이어 이온 플라즈마 방전 소스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 DC 전압 공급기(4)에 연결된 복수의 애노드 와이어들과 상기 펄스 전압 공급기(5)에 연결된 복수의 애노드 와이어들 중 적어도 하나의 복수의 애노드 와이어들을 포함하는 것을 특징으로 하는, 저압 와이어 이온 플라즈마 방전 소스.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 DC 전압 공급기(4)에 의해 발생된 직류는 1mA/cm 이하인 것을 특징으로 하는, 저압 와이어 이온 플라즈마 방전 소스.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 펄스 전압 공급기(5)는 1 내지 5A/㎝ 이상의 펄스 대전류를 발생시키는 것을 특징으로 하는, 저압 와이어 이온 플라즈마 방전 소스.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이온화 챔버(10)는 슬릿(13)을 통해 전체 길이를 따라 유체 연결되는 길쭉한 주 챔버(11) 및 길쭉한 보조 챔버(12), 상기 주 챔버(11)에서 길이 방향으로 연장되는 적어도 하나의 펄스 전압 공급 애노드 와이어(14a,14b), 및 상기 보조 챔버에서 길이 방향으로 연장되는 적어도 하나의 DC 전압 공급 애노드 와이어(15)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 저압 와이어 이온 플라즈마 방전 소스.
  6. 저압 챔버에서의 이온 충격(bombardment) 하에서 2차 전자 방출을 갖는 전자 소스로서,
    제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 저압 와이어 이온 플라즈마 방전 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는, 2차 전자 방출을 갖는 전자 소스.
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