JP2019216217A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
下面の外周付近に配置された第1金属面、及び、前記下面の前記第1金属面とは異なる位置に設けられた第2金属面を有するパッケージと、
前記パッケージの下方に配置されており、上面に、前記第1金属面の下方に位置する第1金属パターン、及び、前記第2金属面の下方に位置する第2金属パターンを有する実装基板と、
前記第1金属面と前記第1金属パターンとを繋ぐ位置に配置された、金属材料を含有する第1接合材と、
前記第2金属面と前記第2金属パターンとを繋ぐ位置に配置された、金属材料を含有する第2接合材と、を準備する準備工程と、
前記第1接合材及び前記第2接合材をそれぞれの接合温度以上に加熱することにより、前記第1接合材及び前記第2接合材を介して前記パッケージと前記実装基板とが接合される、加熱工程と、を備え、
前記加熱工程の前後における前記第2接合材の形状の変化率は、前記加熱工程の前後における前記第1接合材の形状の変化率よりも小さい、半導体装置の製造方法。
前記パッケージの下方に配置されており、上面に、前記第1金属面の下方に位置する第1金属パターン、及び、前記第2金属面の下方に位置する第2金属パターンを有する実装基板と、
前記第1金属面と前記第1金属パターンとを繋ぐ位置に配置された、金属材料を含有する第1接合材と、
前記第2金属面と前記第2金属パターンとを繋ぐ位置に配置された、金属材料を含有する第2接合材と、を準備する準備工程と、
前記第1接合材及び前記第2接合材をそれぞれの接合温度以上に加熱することにより、前記第1接合材及び前記第2接合材を介して前記パッケージと前記実装基板とが接合される、加熱工程と、を備え、
前記加熱工程において、前記第1接合材にフィレットを形成し、且つ、前記第2接合材を遷移的液相焼結する、半導体装置の製造方法。
前記パッケージの下方に配置されており、上面に、前記第1金属面の下方に位置する第1金属パターン、及び、前記第2金属面の下方に位置する第2金属パターンを有する実装基板と、
前記第1金属面と前記第1金属パターンとを繋ぐ位置に配置された、金属材料を含有する第1接合材と、
前記第2金属面と前記第2金属パターンとを繋ぐ位置に配置された、金属材料を含有する第2接合材と、を準備する準備工程と、
前記第1接合材及び前記第2接合材をそれぞれの接合温度以上に加熱することにより、前記第1接合材及び前記第2接合材を介して前記パッケージと前記実装基板とが接合される、加熱工程と、を備え、
前記準備工程において、前記第2接合材は、有機溶剤と、前記有機溶剤中に含有される金属粒子と、を有し、
前記加熱工程において、前記第1接合材にフィレットを形成し、且つ、前記第2接合材の前記有機溶剤を蒸発させる、半導体装置の製造方法。
前記パッケージの下方に配置されており、上面に、前記第1金属面の下方に位置する第1金属パターン、及び、前記第2金属面の下方に位置する第2金属パターンを有する実装基板と、
前記第1金属面と前記第1金属パターンとを接合している、金属材料を含有する第1接合材と、
前記第2金属面と前記第2金属パターンとを接合している、金属材料を含有する第2接合材と、を備え、
前記第1接合材は、前記第1金属面の外縁から前記第1金属パターンの外縁にかけてフィレットが形成されており、
前記第2接合材は、前記第1接合材と異なる形状であり、上面視において前記第2金属パターンより小さな面積を有する主要部と、前記主要部から前記第2金属パターンの外縁に向かって広がった濡れ広がり部と、を有する、半導体装置。
図2A〜図4に示すように、パッケージ10と、実装基板20と、第1接合材30と、第2接合材40と、を準備する。図2Aはパッケージ10の下面10bを示す模式的底面図であり、図2Bは図2A中のIIB−IIB線における模式的断面図であり、図2Cはパッケージ10の模式的側面図である。図3Aは、実装基板20の模式的平面図であり、図3Bは図3A中のIIIB−IIIB線における模式的断面図である。図4は実装基板20の上にパッケージ10を配置した状態の模式的断面図である。
加熱工程S102において、第1接合材30及び第2接合材40をそれぞれの接合温度以上に加熱する。これにより、第1接合材30及び第2接合材40を介してパッケージ10と実装基板20とが接合される。これにより、図5に示すように、半導体装置100が得られる。図5は、加熱工程S102を経た半導体装置100の模式的断面図である。
図5に示すように、半導体装置100は、パッケージ10と、実装基板20と、第1接合材30と、第2接合材40と、を有する。パッケージ10は、第1金属面11と第2金属面12を有する。実装基板20は、パッケージ10の下方に配置されている。実装基板20は、第1金属面11の下方に位置する第1金属パターン21と、第2金属面12の下方に位置する第2金属パターン22を有する。
実験例として、図2A〜図2Cに示すパッケージ10と、レーザ素子18A、サブマウント18B、ワイヤ18C、及び、蓋部19を設けていない点以外は同様である疑似パッケージを準備し、これを、第1接合材30及び第2接合材40によって、図3A及び図3Bに示す実装基板20に接合した。第1接合材30は第1金属面11と第1金属パターン21を繋ぐ位置に設け、第2接合材40は第2金属面12と第2金属パターン22を繋ぐ位置に設けた。第1接合材30として、Sn−Ag−Cu合金を含有するはんだを用いた。第2接合材40として、TLPSを利用したペーストを用いた。
比較例では、第2金属面12と第2金属パターン22とを繋ぐ位置に、第2接合材40ではなく第1接合材30を用いたこと以外は実験例と同様にして、疑似パッケージを実装基板20に接合した。
実験例及び比較例においてそれぞれ、疑似パッケージと実装基板20とを5つずつ接合し、加熱工程後の第1接合材30の接合状態の観察と、疑似パッケージの加熱工程前後でのずれ量の測定を行った。第1接合材30の接合状態については、実験例及び比較例のいずれも観察することができた。すなわち、実験例及び比較例のいずれも、加熱工程を経た後に外観観察すると、第1接合材30の第3金属面13への這い上がりが確認できた。疑似パッケージの加熱工程前後でのずれ量の測定については、それぞれの平均値を表1に示す。
10a 上面、10b 下面
11 第1金属面
12 第2金属面
13 第3金属面
16A 外側金属層、16B 内側金属層、16C 導電部材
17A 絶縁部、17B 放熱体
18A レーザ素子、18B サブマウント、18C ワイヤ
19 蓋部
20 実装基板
20a 上面、20b 下面
21 第1金属パターン
22 第2金属パターン
23 電極
24 金属層
25 絶縁膜
28 金属部
29 絶縁部
30 第1接合材
40 第2接合材
50A レンズ、50B 接着剤
61 通電端子
62 接合材
100、100B 半導体装置
500 半導体モジュール
Claims (10)
- 下面の外周付近に配置された第1金属面、及び、前記下面の前記第1金属面とは異なる位置に設けられた第2金属面を有するパッケージと、
前記パッケージの下方に配置されており、上面に、前記第1金属面の下方に位置する第1金属パターン、及び、前記第2金属面の下方に位置する第2金属パターンを有する実装基板と、
前記第1金属面と前記第1金属パターンとを繋ぐ位置に配置された、金属材料を含有する第1接合材と、
前記第2金属面と前記第2金属パターンとを繋ぐ位置に配置された、金属材料を含有する第2接合材と、を準備する準備工程と、
前記第1接合材及び前記第2接合材をそれぞれの接合温度以上に加熱することにより、前記第1接合材及び前記第2接合材を介して前記パッケージと前記実装基板とが接合される、加熱工程と、を備え、
前記加熱工程の前後における前記第2接合材の形状の変化率は、前記加熱工程の前後における前記第1接合材の形状の変化率よりも小さい、半導体装置の製造方法。 - 下面の外周付近に配置された第1金属面、及び、前記下面の前記第1金属面とは異なる位置に設けられた第2金属面を有するパッケージと、
前記パッケージの下方に配置されており、上面に、前記第1金属面の下方に位置する第1金属パターン、及び、前記第2金属面の下方に位置する第2金属パターンを有する実装基板と、
前記第1金属面と前記第1金属パターンとを繋ぐ位置に配置された、金属材料を含有する第1接合材と、
前記第2金属面と前記第2金属パターンとを繋ぐ位置に配置された、金属材料を含有する第2接合材と、を準備する準備工程と、
前記第1接合材及び前記第2接合材をそれぞれの接合温度以上に加熱することにより、前記第1接合材及び前記第2接合材を介して前記パッケージと前記実装基板とが接合される、加熱工程と、を備え、
前記加熱工程において、前記第1接合材にフィレットを形成し、且つ、前記第2接合材を遷移的液相焼結する、半導体装置の製造方法。 - 下面の外周付近に配置された第1金属面、及び、前記下面の前記第1金属面とは異なる位置に設けられた第2金属面を有するパッケージと、
前記パッケージの下方に配置されており、上面に、前記第1金属面の下方に位置する第1金属パターン、及び、前記第2金属面の下方に位置する第2金属パターンを有する実装基板と、
前記第1金属面と前記第1金属パターンとを繋ぐ位置に配置された、金属材料を含有する第1接合材と、
前記第2金属面と前記第2金属パターンとを繋ぐ位置に配置された、金属材料を含有する第2接合材と、を準備する準備工程と、
前記第1接合材及び前記第2接合材をそれぞれの接合温度以上に加熱することにより、前記第1接合材及び前記第2接合材を介して前記パッケージと前記実装基板とが接合される、加熱工程と、を備え、
前記準備工程において、前記第2接合材は、有機溶剤と、前記有機溶剤中に含有される金属粒子と、を有し、
前記加熱工程において、前記第1接合材にフィレットを形成し、且つ、前記第2接合材の前記有機溶剤を蒸発させる、半導体装置の製造方法。 - 前記準備工程において、前記第1接合材は、合金材料を含み、
前記加熱工程において、前記第1接合材を前記合金材料の融点以上に加熱する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2金属面は、前記第1金属面よりも面積が大きい、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2金属パターンは、前記第1金属パターンよりも面積が大きい、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1金属面は、前記パッケージの端子である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記パッケージは、レーザ素子が設けられたレーザパッケージである、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記準備工程において、前記第1接合材はディスペンサを用いて前記第1金属パターンに形成し、前記第2接合材はスクリーン印刷により前記第2金属パターンに形成する、請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 下面の外周付近に配置された第1金属面、及び、前記下面の前記第1金属面とは異なる位置に設けられた第2金属面を有するパッケージと、
前記パッケージの下方に配置されており、上面に、前記第1金属面の下方に位置する第1金属パターン、及び、前記第2金属面の下方に位置する第2金属パターンを有する実装基板と、
前記第1金属面と前記第1金属パターンとを接合している、金属材料を含有する第1接合材と、
前記第2金属面と前記第2金属パターンとを接合している、金属材料を含有する第2接合材と、を備え、
前記第1接合材は、前記第1金属面の外縁と前記第1金属パターンの外縁とを少なくとも繋ぐフィレットが形成されており、
前記第2接合材は、前記第1接合材と異なる形状であり、上面視において前記第2金属パターンより小さな面積を有する主要部と、前記主要部から前記第2金属パターンの外縁に向かって広がった濡れ広がり部と、を有する、半導体装置。
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