JP2019215209A - 位置検出装置、レンズ装置、および、撮像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】スケール部の内部構造の変化による位置検出誤差を低減することが可能な位置検出装置を提供する。【解決手段】位置検出装置（１５）は、光学センサ（１５１）と、光学センサに対して相対移動可能なスケール部（１５２）と、スケール部を保持する保持部（１５２２）とを有し、スケール部は、反射率が異なる第一の領域（１５２１Ａ、１５２１Ｂ）および第二の領域（１５２２）を有し、第一の領域と第二の領域との境界（ＥＡ、ＥＢ）は、光学センサとスケール部との相対移動方向に対して所定の傾き（θ）を有し、スケール部は、保持部に対する位置決めを行う位置決め部（ＨＡ１、ＨＡ２、ＨＢ１、ＨＢ２）を有し、位置決め部は、境界の延長線（ＥＡ２、ＥＢ２）上に配置されている。【選択図】図１

Description

本発明は、位置を検出する位置検出装置に関する。

近年、動画等の高精細化が進む撮像装置において、フォーカスレンズ等のレンズを高精度に位置決めを行うことが求められている。特許文献１には、２つの磁気センサの出力信号の差分を出力信号の和分で除算して位置信号を取得する位置検出装置が開示されている。これにより、組み立て時の位置ずれや、温度変化による磁束密度の変化等の特性変化による位置読み取り誤差を打ち消し、高精度な位置検出装置を提供することができる。特許文献２には、スケールの端部でスケールを接着固定することにより、温度変化によるスケールの膨張・伸縮による位置誤差を補正するリニアエンコーダが開示されている。

特開２０１３−８３５９７号公報 特開２００７−１３２８１１号公報

しかしながら、特許文献１に開示された位置検出装置では、スケール部の内部に含まれる複数のエッジの間隔の相対的変化により生じる誤差を打ち消すことができない。特許文献２に開示されたリニアエンコーダでは、スケールの膨張・収縮方向がスケール端の接着精度に依存するため、高精度の位置決めを行うことができない。このように特許文献１または特許文献２の構成では、スケール部の内部構造の変化による位置検出誤差を低減することができない。

そこで本発明は、スケール部の内部構造の変化による位置検出誤差を低減することが可能な位置検出装置、レンズ装置、および、撮像装置を提供することを目的とする。

本発明の一側面としての位置検出装置は、光学センサと、前記光学センサに対して相対移動可能なスケール部と、前記スケール部を保持する保持部とを有し、前記スケール部は、反射率が異なる第一の領域および第二の領域を有し、前記第一の領域と前記第二の領域との境界は、前記光学センサと前記スケール部との相対移動方向に対して所定の傾きを有し、前記スケール部は、前記保持部に対する位置決めを行う位置決め部を有し、前記位置決め部は、前記境界の延長線上に配置されている。

本発明の他の側面としてのレンズ装置は、レンズと前記位置検出装置とを有する。

本発明の他の側面としての撮像装置は、前記レンズ装置と、前記レンズ装置を介して形成された光学像を光電変換する撮像素子とを有する。

本発明の他の目的及び特徴は、以下の実施形態において説明される。

本発明によれば、スケール部の内部構造の変化による位置検出誤差を低減することが可能な位置検出装置、レンズ装置、および、撮像装置を提供する

本実施形態における位置検出装置の構成図である。 本実施形態における撮像装置の構成図である。 本実施形態における撮像装置のブロック図である。 本実施形態におけるフォトリフレクタの構成図である。 本実施形態における位置検出信号の説明図である。 比較例としてのスケール部の温度膨張・収縮の影響の説明図である。 本実施形態におけるスケール部の温度膨張・収縮方向の説明図である。 本実施形態におけるスケール部のＹ軸方向ずれ影響打ち消し効果の説明図である。 本実施形態におけるスケール部の保持方法の説明図である。 本実施形態における２つのスケール部が土台部の位置決めピンを共通で用いる構成の説明図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。

（位置検出装置を含む撮像装置の説明）
まず、図２および図３を参照して、本実施形態における位置検出装置を撮像装置に適用した一実施形態について説明する。図２は、撮像装置（デジタル一眼レフカメラ）１００の構成図である。図２（ａ）は撮像装置１００の断面図を示し、図２（ｂ）は撮像装置１００の上面図を示している。撮像装置１００は、カメラ本体（撮像装置本体）２と、カメラ本体２に着脱可能なレンズ装置（交換レンズ）１とを備えて構成される。ただし本発明は、これに限定されるものではなく、レンズ装置とカメラ本体とが一体的に構成された撮像装置にも適用可能である。

レンズ装置１において、１０はレンズ装置１の光軸である。１１は撮像光学系であり、フォーカスレンズ１１ａ、および、フォーカスレンズ１１ａを把持する支持体１１ｂを含む。１２は、レンズ装置１の各部を制御するレンズ制御部である。１３は、メモリ部である。１４は、フォーカスレンズ１１ａを光軸１０に沿った方向（光軸方向）に移動（駆動）するフォーカスレンズ駆動部（レンズ駆動手段）である。

１５は、フォーカスレンズ１１ａの位置を検出する位置検出装置である。位置検出装置１５は、フォーカスレンズ１１ａを把持する支持体１１ｂに取り付けられている。位置検出装置１５は、支持体１１ｂと一体的に移動するスケール部１５２、および、レンズ装置１の鏡筒（レンズ鏡筒）の内壁に固定されるセンサ部１５１を備えて構成される。フォーカスレンズ１１ａが光軸方向に移動すると、支持体１１ｂに取り付けられスケール部１５２は、フォーカスレンズ１１ｂと共に光軸方向に移動し、レンズ鏡筒の内壁に固定されたセンサ部１５１との相対位置が変化する。センサ部１５１は、スケール部１５２との相対位置の変化（位置変化）を後述の方式で検知し、その位置変化をフォーカスレンズ１１ｂの位置情報（フォーカスレンズ位置情報）としてレンズ制御部１２に伝える。

１６はフォーカス操作リング（フォーカス操作手段）、１７は電子的にレンズ位置等の情報を液晶表示する液晶表示部（表示手段）である。１８は、ズーム操作リング（ズーム操作手段）、１９は撮像光学系１１を通過する光量を調整する絞りである。

カメラ本体２において、２１はカメラ本体２の各部を制御するカメラ制御部である。２２は、ＣＭＯＳセンサやＣＣＤセンサ等の撮像素子（撮像センサ）であり、レンズ装置１（撮像光学系１１）を介して形成された光学像（被写体像）を光電変換し、画像データ（撮像信号）を出力する。２３は、レンズ装置１からの光線を分割および反射させるクイックリターンミラーユニットであり、メインミラー２３ａとサブミラー２３ｂとを有する。

２４は、光学像の測距（焦点検出）を行うＡＦユニット（焦点検出部）である。２５は、撮影画像や撮影設定等を表示する表示部である。２６ａは、操作部の一つであるレリーズ釦である。２７は、レンズ装置１との通信を行う電気接点である。２８は、ユーザが光学像を観察するファインダー光学系である。３０は、接眼レンズである。

図３は、撮像装置１００のブロック図である。図３において、図２と同じ機能を有する構成要素には同じ番号を付している。レンズ装置１のレンズ制御部１２は、フォーカスレンズ駆動部１４、絞り１９、および、液晶表示部１７の駆動を制御する。またレンズ制御部１２は、位置検出装置１５からの信号に基づいてフォーカスレンズ１１ａの位置を算出する。またレンズ制御部１２は、回転量検出部１６１（図２参照）からの信号に基づいてフォーカス操作リング１６の回転量を算出する。またレンズ制御部１２は、電気接点２７を介してカメラ制御部２１と通信を行い、カメラ制御部２１からの駆動命令等を受けとる。フォーカスレンズ駆動部１４は、レンズ制御部１２からの駆動命令に基づいて、フォーカスレンズ１１ａを光軸方向に平行に移動することにより、撮像素子２２に集光する光束の焦点状態を調整する（フォーカス制御を行う）。このときフォーカスレンズ１１ａの位置は、後述のように、位置検出装置１５により測定され、レンズ制御部１２に伝えられる。

回転量検出部１６１は、ユーザがフォーカス操作リング１６を回転操作した際の回転量（操作量）を検出する。レンズ制御部１２は、その回転量（操作量）に応じて、フォーカスレンズ駆動部１４に駆動命令を送信する。ピント位置算出手段（レンズ制御部１２またはカメラ制御部２１）は、前述のように推定された現在のフォーカスレンズ１１ａの位置に基づいて、現在の撮像光学系１１により形成された光束が撮像素子２２に結像するときの結像面からのピント位置を算出する。

例えば、カメラ本体２の１．５ｍ前方に被写体が存在し、この被写体にピントが合っている場合、合焦距離は１．５ｍとなる。そして、算出されたピント位置情報およびフォーカスレンズ１１ａに関する情報が液晶表示部１７に表示される。またレンズ制御部１２は、カメラ制御部２１からの命令を受け、絞り１９を制御して絞りばね（不図示）を絞り込むことで撮像光学系１１の光量を調整する。なおレンズ制御部１２は、レンズ駆動制御部、表示制御部、および、合焦距離を換算する距離換算部として機能する。またレンズ制御部１２は、センサ部１５１から出力される信号に基づいてセンサ部１５１とスケール部１５２との相対位置情報を算出する算出部として機能する。

撮像光学系１１を通過した光束は、クイックリターンミラーユニット２３が図１（ａ）のようにダウン状態である場合、メインミラー２３ａおよびサブミラー２３ｂにより反射し、それぞれファインダー光学系２８およびＡＦユニット２４に光束の一部が導かれる。カメラ制御部２１は、ＡＦユニット２４に集光された光線を用いて、いわゆる位相差検出方式による焦点状態の検出（焦点検出）を行う。ファインダー光学系２８に導かれた光線は、接眼レンズ３０を介してユーザに導かれる。

一方、クリックリターンミラーユニットが光軸１０から退避するアップ状態である場合、撮像光学系１１を通過した光束は、撮像素子２２に集光する。撮像素子２２は、受光した光に対して光電変換を行ってアナログデータ（撮像信号）を出力する。撮像素子２２から出力されたアナログデータは、Ａ／Ｄ変換器（不図示）で量子化処理が行われ、デジタルデータに変換される。

画像処理部３１は、ホワイトバランス回路、ガンマ補正回路、および、補間演算回路等を有し、カメラ制御部２１の命令を受けて、撮像素子２２から取得した信号（撮像信号）に基づいて画像データを生成する。画像処理部３１で生成された画像データは、メモリ部３２に記憶される。

カメラ制御部２１は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）等を備え、レンズ装置１およびカメラ本体２の制御を統括する。カメラ制御部２１は、撮像の際のタイミング信号等を生成して各部に出力する。カメラ制御部２１は、レリーズ釦２６ａ等の操作部２６から操作指示を受け付けた場合、操作指示に応じてＡＦユニット２４や撮像素子２２等を制御するとともに、レンズ制御部１２へ命令信号を送信する。

（位置検出装置）
次に、図１を参照して、フォーカスレンズ１１ａの位置を検出する位置検出装置１５の構成について説明する。図１は、位置検出装置１５の構成図である。図１（ａ）は位置検出装置１５の斜視図、図１（ｂ）は上面図、図１（ｃ）は側面図である。

位置検出装置１５は、センサ部１５１およびスケール部１５２を有する。図１（ａ）に示されるように、センサ部１５１は、スケール部１５２に対して相対的にＸ軸方向に移動可能であり、スケール部１５２を走査してセンサ部１５１とスケール部１５２との相対的な位置情報を取得する。センサ部１５１は、第一のフォトリフレクタ（第一のセンサ）１５１Ａおよび第二のフォトリフレクタ（第二のセンサ）１５１Ｂを有する光学センサである。

次に、図４を参照して、フォトリフレクタ（第一のフォトリフレクタ１５１Ａ）の構造および機能について説明する。図４は、第一のフォトリフレクタ１５１Ａの構成図である。図４（ａ）は第一のフォトリフレクタ１５１Ａの斜視図、図４（ｂ）は第一のフォトリフレクタ１５１Ａおよびスケール部１５２の側面図である。以下、図４では第一のフォトリフレクタ１５１Ａについて説明するが、第二のフォトリフレクタ１５１Ｂの構成および機能は第一のフォトリフレクタ１５１Ａと同様である。

第一のフォトリフレクタ１５１Ａは、ＬＥＤを含む発光部１５１１と、フォトダイオードを備えた受光部１５１２とを有する。発光部１５１１からの光は、図４（ｂ）に示されるように、第一のフォトリフレクタ１５１Ａに対向して配置されたスケール部１５２に当たって反射し、受光部１５１２による光電変換により電荷が生じ、反射光の強度を信号電圧として計測することができる。第一のフォトリフレクタ１５１Ａを含むセンサ部１５１に対向して配置されるスケール部１５２は、発光部（ＬＥＤ）１５１１から発せられる光に対して、反射率が異なる２つの領域（低い反射率を示す低反射領域と高い反射率を示す高反射領域）有する。

図１（ａ）〜（ｃ）に示されるように、スケール部１５２は、黒色で示される低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂと、低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂの下に敷かれた白色で示される高反射スケール下地１５２２で構成される。本実施形態において、低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂは第一の領域に相当し、高反射スケール下地１５２２は第二の領域に相当する。また、低反射スケール１５２１Ａは第一の分割領域に相当し、低反射スケール１５２１Ｂは第二の分割領域に相当する。

低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂは、一例として、黒色塗装された樹脂部材からなる。高反射スケール下地１５２２は、一例として、白色塗装された樹脂部材からなる。ただし、これに限定されるものではなく、低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂと高反射スケール下地１５２２とが互いに反射率が異なる部材で形成されていれば、他の部材であってもよい。

低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂには、図１（ｂ）の上面図に示されるように開口ＫＡ、ＫＢが設けられており、開口ＫＡ、ＫＢを通して下に配置されている高反射スケール下地１５２２が露出している。２つの第一のフォトリフレクタ１５１Ａおよび第二のフォトリフレクタ１５１Ｂは、低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂの開口ＫＡ、ＫＢの縁におけるエッジＥＡ、ＥＢの略直上に配置されている。このときエッジＥＡ、ＥＢは、黒色で示される低反射領域と白色で示される高反射領域との境界となっている。高反射領域と低反射領域の境界部が請求項１おけるエッジに相当する。なお本実施形態において、低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂと高反射スケール下地１５２２の２つの部品を用いて、高反射領域と低反射領域との境界であるエッジＥＡ、ＥＢを形成している。ただし本発明は、これに限定されるものではなく、一つの部品に黒色塗装や白色塗装を行ってエッジＥＡ、ＥＢを形成してもよい。本発明は、互いに反射率の異なる領域が形成されていれば適用可能である。

高反射領域と低反射領域との境界線を表すエッジＥＡ、ＥＢは、途中で断続的に途切れることなく、なめらかに連なる形状のエッジであり、本実施形態では直線形状で形成される。直線形状のエッジＥＡ、ＥＢは、図１（ｂ）に示されるように、センサ部１５１とスケール部１５２との相対移動方向（Ｘ軸方向）に対し、角度θ、−θを有する状態で形成される。このため、エッジＥＡ、ＥＢ上の点の位置は、相対移動方向（Ｘ軸方向）の位置の変化に対応して、角度θ、−θに対応する量だけＹ軸方向にも位置が変化する。

図１（ａ）に示されるように、低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂとその下に配置される高反射スケール下地１５２２は、土台部（スケール土台部）１５２３の上に配置されている。低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂおよび高反射スケール下地１５２２は、土台部１５２３に立てられた円柱状の位置決めピンＰＡ１、ＰＡ２、ＰＢ１、ＰＢ２により互いの位置が規定されている。低反射スケール１５２１Ａは、エッジＥＡを延長したエッジ延長線ＥＡ２上に中心を有する位置決め穴（第一の穴）ＨＡ１および位置決め穴（第二の穴）ＨＡ２を有する。位置決め穴ＨＡ１は円状（略真円状）に形成され、位置決め穴ＨＡ２はエッジ延長線ＥＡ２と平行な方向に延びた長穴で形成される。同様に、低反射スケール１５２１Ｂは、エッジ延長線ＥＢ２上に中心を有する位置決め穴（第一の穴）ＨＢ１および位置決め穴（第二の穴）ＨＢ２を有する。位置決め穴ＨＢ１は円状（略真円状）に形成され、位置決め穴ＨＢ２はエッジ延長線ＥＢ２と平行な方向に延びた長穴で形成される。

低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂの下に配置された高反射スケール下地１５２２は、位置決め穴ＨＡ１、ＨＡ２、ＨＢ１、ＨＢ２の直下に、対応する位置決め穴よりも大きい穴（不図示）を有する。土台部１５２３に設けられた位置決めピンＰＡ１、ＰＡ２、ＰＢ１、ＰＢ２は、図１（ｃ）に示されるように、高反射スケール下地１５２２、低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂに開けられた前述の穴を貫通する位置に配置されている。

また、低反射スケール１５２１Ａにおける位置決め穴ＨＡ１、ＨＡ２は、土台部１５２３（または高反射スケール下地１５２２）に対して位置決めを行う位置決め部（低反射スケール１５２１Ａの位置を規定する位置規定構造）である。位置決め穴ＨＡ１、ＨＡ２は、スケール部１５２の位置を規定する位置決めピンＰＡ１、ＰＡ２が挿入される一対の位置決め穴である。また、低反射スケール１５２１Ｂにおける位置決め穴ＨＢ１、ＨＢ２は、土台部１５２３（または高反射スケール下地１５２２）に対して位置決めを行う位置決め部（低反射スケール１５２１Ｂの位置を規定する位置規定構造）である。位置決め穴ＨＢ１、ＨＢ２は、スケール部１５２の位置を規定する位置決めピンＰＢ１、ＰＢ２が挿入される一対の位置決め穴である。位置決めピンＰＡ１、ＰＡ２は、スケール部１５２の位置決め穴ＨＡ１、ＨＡ２にそれぞれ挿入される一対の位置決めピン（第一のピン、第二のピン）である。また位置決めピンＰＢ１、ＰＢ２は、位置決め穴ＨＢ１、ＨＢ２にそれぞれ挿入される一対の位置決めピン（第一のピン、第二のピン）である。

本実施形態は、位置決め穴ＨＡ１、ＨＡ２、ＨＢ１、ＨＢ２および位置決めピンＰＡ１、ＰＡ２、ＰＢ１、ＰＢ２をそれぞれエッジＥＡ、ＥＢの延長線（エッジ延長線ＥＡ２、ＥＢ２）上に配置することを特徴の一つとする。本実施形態の構成により、後述するように、スケール部１５２の温度膨張・収縮が位置検出信号に及ぼす影響を低減することができる。

次に、図５を参照して、位置検出装置１５による位置検出方法について説明する。図５は、位置検出方法の説明図である。図５（ａ）は、センサ部１５１がスケール部１５２に対してＸ方向に移動した場合の、Ｘ座標Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３となる各位置において、第一のフォトリフレクタ１５１Ａおよび第二のフォトリフレクタ１５１Ｂが検知する範囲α１〜α３、β１〜β３を示す図である。Ｘ座標Ｘ１〜Ｘ２までの距離、Ｘ座標Ｘ２〜Ｘ３までの距離は互いに等しいものとする。図５（ａ）中のＸ２で示される、各エッジの略中央の位置にセンサ部１５１が存在する場合を考える。このとき、第一のフォトリフレクタ１５１Ａは図５（ａ）の検知範囲α２の位置に存在し、第二のフォトリフレクタ１５１Ｂは図５（ａ）の検知範囲β２の位置に存在する。このとき、検知範囲α２、β２において黒色で示される低反射領域と白色で示される高反射領域との面積比は、図５（ａ）に示されるように略半分となっている。

図５（ｂ）は、センサ部１５１のＸ座標位置に対する、第一のフォトリフレクタ１５１Ａおよび第二のフォトリフレクタ１５１Ｂが示す信号電圧Ｖ_Ａ、Ｖ_Ｂのグラフを示す。位置Ｘ２において、第一のフォトリフレクタ１５１Ａおよび第二のフォトリフレクタ１５１Ｂの検知範囲では低反射領域と高反射領域との面積比が略半々となり、この状態は点Ｍ２で示され、このときの信号電圧をＶ２とする。

ここから、センサ部１５１が紙面右方向（Ｘ軸正方向）に移動し、図５（ａ）において位置Ｘ３で示される各エッジの略右端付近の位置に到達した場合を考える。このとき第一のフォトリフレクタ１５１Ａは、図５（ａ）中の検知範囲α３に、第二のフォトリフレクタ１５１Ｂは図５（ａ）中の検知範囲β３の位置に存在する。第一のフォトリフレクタ１５１Ａの検知範囲α３内に含まれる黒色で示される低反射領域と白色で示される高反射領域との面積比は、検知範囲α２において略半々である。一方、黒色の低反射領域が減少し、白色の高反射領域が増加している。このとき、高反射領域である白色領域の比率が増えているため、第一のフォトリフレクタ１５１Ａの受光部が受ける光量が増し、光電変換することにより得られる電荷量が増して信号電圧が増加する。この状態は、図５（ｂ）における点Ｍ３Ａで示され、信号電圧はＶ３とする。このとき、Ｖ３＞Ｖ２である。

逆に、図５（ａ）に示される、第二のフォトリフレクタ１５１Ｂの検知範囲β３に含まれる黒色で示される低反射領域と白色で示される高反射領域との面積比は、黒色の低反射領域が増加し、白色の高反射領域が減少している。このとき、高反射領域である白色領域の比率が減少しているため、第二のフォトリフレクタ１５１Ｂの受光部が受ける光量が減り、光電変換することにより得られる電荷量が減って、信号電圧が減少する。この状態は、図５（ｂ）における点Ｍ３Ｂで示され、信号電圧はＶ１とする。このとき、Ｖ１＜Ｖ２である。このため、紙面右方向にセンサ部１５１が移動すると、フォトリフレクタ１５１Ａが示す信号電圧ＶＡは増加し、第二のフォトリフレクタ１５１Ｂが示す信号電圧ＶＢは減少することとなる。

前述とは逆に、紙面左方向（Ｘ軸負方向）にセンサ部１５１が移動し、図５（ａ）においてＸ１で示される各エッジの略左端付近の位置に到達した場合を考える。このときフォトリフレクタ１５１Ａは、検知範囲α１に、第二のフォトリフレクタ１５１Ｂは検知範囲β１の位置に存在する。第一のフォトリフレクタ１５１Ａの検知範囲α１内に含まれる黒色で示される低反射領域と白色で示される高反射領域との面積比は、前述の検知範囲α２において略半々であるのに対して、黒色の低反射領域は増加し、白色の高反射領域は減少している。このとき、高反射領域である白色領域の比率が減少しているため、第一のフォトリフレクタ１５１Ａの受光部が受ける光量が減少し、光電変換することにより得られる電荷量が減じて、信号電圧が減少する。この状態は、図５（ｂ）中の点Ｍ１Ａで示され、信号電圧はＶ１とする。このとき、Ｖ１＜Ｖ２である。

このため、図５（ａ）に示される、第二のフォトリフレクタ１５１Ｂの検知範囲β１に含まれる黒色で示される低反射領域と白色で示される高反射領域との面積比は、黒色の低反射領域が減少し、白色の高反射領域が増加している。このとき、高反射領域である白色領域の比率が増加しているため、第二のフォトリフレクタ１５１Ｂの受光部が受ける光量が増加し、光電変換することにより得られる電荷量が増して信号電圧が増加する。この状態は、図５（ｂ）における点Ｍ１Ｂで示され、信号電圧はＶ３とする。このとき、Ｖ３＞Ｖ２である。よって、紙面左方向にセンサ部１５１が移動すると、フォトリフレクタ１５１Ａが示す信号電圧ＶＡは減少し、フォトリフレクタ１５１Ｂが示す信号電圧ＶＢは増加する。

前述のように、センサ部１５１のＸ方向における位置の変化に対応し、第一のフォトリフレクタ１５１Ａおよび第二のフォトリフレクタ１５１Ｂのそれぞれの信号電圧ＶＡ、ＶＢは変化する。図５（ｂ）は、その相関を示すグラフである。本実施形態において、低反射領域と高反射領域との境界であるエッジＥＡ、ＥＢは直線である。このため、Ｘ方向における位置の変化に対し、信号電圧が比例して変化する線形グラフとなっている。図５（ｂ）において、実線で示される信号電圧ＶＡのグラフは位置Ｘの増加に対して線形に単調増加し、二点鎖線で示される信号電圧ＶＢのグラフはＸの増加に対して線形に単調減少する。このように信号電圧ＶＡ、ＶＢは単調増加または単調減少であるため、Ｘ座標の位置の値に対して、信号電圧ＶＡ、ＶＢの値は一対一に対応する。このため、信号電圧ＶＡ、ＶＢを測定することにより、センサ部１５１とスケール部１５２との間の相対位置であるＸ座標を取得することができる。

（スケールの温度膨張・収縮に起因する誤差）
しかしながら、スケール部１５２の連続的に変化するエッジＥＡ、ＥＢを第一のフォトリフレクタ１５１Ａ、１５１Ｂ等の光学センサを用いて検知する位置検出装置では、周囲の環境温度の変化により位置検出結果に誤差が生じる可能性がある。撮像装置１００は、温暖条件下から寒冷条件下までの様々な条件下で用いられるため、周囲の環境温度の変化にさらされるが、このときにフォーカスレンズ１１ａの位置検出結果に影響があると、合焦精度の低下さらには画質の低下を招く。

環境温度による変化の一影響として、スケール部１５２の温度膨張・収縮により位置検出結果に生じる誤差がある。これは、スケール部１５２の温度膨張・収縮に伴う寸法変化により生じる誤差である。すなわち、第一のフォトリフレクタ１５１Ａおよび第二のフォトリフレクタ１５１Ｂが検知するエッジＥＡ、ＥＢの位置が変化し、第一のフォトリフレクタ１５１Ａおよび第二のフォトリフレクタ１５１Ｂの信号電圧が変化してしまう。

ここで、図６を参照して、比較例について説明する。図６は、比較例としてのスケール部の温度膨張・収縮の影響の説明図である。図６に示されるスケール部は、低反射スケール１５２１Ａ’およびその下に敷かれる高反射スケール下地１５２２’を有する。低反射スケール１５２１Ａ’は開口ＫＡ’を有し、開口ＫＡ’を通じて高反射スケール下地１５２２’が露出している。

第一のフォトリフレクタ１５１Ａ’は、開口ＫＡ’の縁であるエッジＥＡ’の略直上に配置されている。低反射スケール１５２１Ａ’および高反射スケール下地１５２２’は、土台部（不図示）の上に配置されている。ここで、低反射スケール１５２１’は、土台部に対して、特許文献２と同様に下端の長辺部２５２１において接着固定されている。このとき、図６（ａ）の基準温度状態から温度が上昇し、スケール部が温度膨張した場合の様子を図６（ｂ）に示す。低反射スケール１５２１Ａ’は、下端の長辺部２５２１を固定部として、それを起点に図６（ｂ）に示されるように紙面上方向（Ｙ軸正方向）に膨張し、その寸法が変化する。このとき、Ｙ軸方向に対する膨張量を考えると、以下のようになる。

エッジＥＡ’までのＹ方向の距離を距離ＬＡとすると、開口ＫＡ’のエッジＥＡ’の膨張によるＹ方向への移動量ΔＬＡは、スケール部の熱膨張率をα’とすると、ΔＬＡ＝距離ＬＡ×熱膨張率α’となる。よって、エッジＥＡ’が図６（ｂ）の上方向（Ｙ方向）に移動量ΔＬＡだけ移動することとなり、第一のフォトリフレクタ１５１Ａ’が検知する範囲における黒色領域がΔＬＡだけ減少し、白色領域がΔＬＡだけ増加する。高反射領域である白色領域が増加したことにより、信号電圧はΔＬＡに比例した量だけ増加する。すなわち、信号電圧の値が温度の上下により変動するため、位置検出誤差が生じる。このように、基本的にエッジＥＡ’と固定部（長辺部２５２１）との間に、距離に比例して、温度膨張・収縮による寸法変化が生じる。その結果、第一のフォトリフレクタ１５１Ａ’の直下におけるエッジＥＡ‘の位置が変化するため、低反射領域と高反射領域との面積比が変化し、信号電圧に誤差が生じる。

（スケール部の熱膨張・収縮誤差打ち消し効果）
本実施形態は、以下の構成により、前述の熱膨張・収縮によるスケール部の寸法の変化が信号電圧に及ぼす影響を解消（または低減）する。位置検出装置１５には、図１（ｂ）に示されるように、スケール部１５２に含まれる直線状のエッジＥＡ（およびエッジＥＢ）の延長線上に対になる２つの位置決め穴である位置決め穴ＨＡ１（例えば、丸穴）と位置決め穴ＨＡ２（例えば、長穴）が設けられている。

次に、図７を参照して、本実施形態の構成を採用した場合において、熱膨張・収縮によるスケール部の寸法の変化が信号電圧に及ぼす影響を打ち消す効果について説明する。図７は、本実施形態におけるスケール部の温度膨張・収縮方向の説明図である。

図７（ａ）は、低反射スケール１５２１Ａ’において、位置決め穴ＨＡ１’ＨＡ２’の位置をエッジＥＡ’の延長線上に配置した場合の基準温度状態における上面図を示す。図７（ｂ）は、温度膨張後の状態を示す図である。このとき、位置決め穴ＨＡ１’は略真円形状に形成され、位置決めピンＰＡ１’が図７（ａ）に示されるように挿入されていることにより、位置が固定されている。これに対し、他方の位置決め穴ＨＡ２’は、エッジＥＡ’の延長線ＥＡ２’の方向に延びた長穴で形成され、位置決めピンＰＡ２’が図７（ａ）に示されるように挿入されている。これにより、図７（ａ）に示されるように低反射スケール１５２１Ａ’は、位置決め穴ＨＡ１’を固定点として、長穴で形成された位置決め穴ＨＡ２’により、位置決め穴ＨＡ１’の点を中心に回転する方向に移動することができない。一方、低反射スケール１５２１Ａ’は、エッジ延長線方向において膨張・収縮による移動が可能である。

ここで、温度膨張前の図７（ａ）から温度膨張後の図７（ｂ）に移行する場合を考えると、前述の説明より、低反射スケール１５２１Ａ’は、位置決め穴ＨＡ１’を基準点（固定点として）、それを起点に位置決め穴ＨＡ２’の方向に膨張する。このとき、温度膨張により、低反射スケール１５２１Ａ’のエッジＥＡ’が移動可能な方向は、位置決め穴ＨＡ１’から位置決め穴ＨＡ２’へ向かう方向である。この方向は、前述のように、膨張前のエッジＥＡ’の延長線ＥＡ２’上である。すなわち、膨張によりエッジＥＡ’が移動可能な方向は、図７（ｂ）に示されるように膨張前のエッジＥＡ’の延長線上となり、膨張前と膨張後のエッジＥＡ’は、フォトリフレクタ検知範囲においては互いに重なった位置に存在することになる。よって、膨張前後において第一のフォトリフレクタ１５１Ａ’の直下のエッジ位置は変化しないため、黒色領域と白色領域との面積の比が変化せず、信号電圧が変化しない。以上のとおり、本実施形態の構成によれば、温度膨張・収縮によるスケール部の寸法変化の際におけるエッジＥＡ’の移動方向を限定することで、フォトリフレクタの信号電圧の変動を抑制（低減）することができる。

（信号電圧の差分を位置信号として用いる方式）
また本実施形態において、単純に前述の図５（ｂ）に示される信号電圧ＶＡ、ＶＢを位置信号として用いる代わりに、信号電圧ＶＡと信号電圧ＶＢとの差分を位置信号として用いることが好ましい。以下、これに関して詳述する。

信号電圧差分をＶＣとすると、ＶＣ＝（ＶＡ−ＶＢ）であり、Ｘ座標位置と信号電圧差分ＶＣの相関を表したグラフを図５（ｃ）に示す。信号電圧差分ＶＣは、Ｘの増加に対し、線形に単調増加をするグラフとなり、単調増加であるため、Ｘ座標位置の値に対して、一対一に対応し、信号電圧差分ＶＣを得ることで、センサ部１５１とスケール部１５２の相対位置であるＸ座標を得ることができる。

信号電圧差分ＶＣを位置信号として用いる理由は、移動方向に垂直なＹ方向に対して部品取り付けの際の取り付け位置誤差や、位置検出装置１５が衝撃を受け、センサ部とスケール部がＹ方向に相対的にずれた場合の誤差を打ち消す効果があることである。

図８は、翻字し携帯におけるスケール部１５２のＹ軸方向ずれ影響打ち消し効果の説明図であり、スケール部１５２の上面図を示す。図８（ａ）における通常状態から、Ｙ方向にセンサ部１５１とスケール部１５２とが幅ΔＹだけ位置ズレを生じた状態を図８（ｂ）に示す。このとき、Ｙ方向にずれた分だけ、第一のフォトリフレクタ１５１Ａおよび第二のフォトリフレクタ１５１Ｂが検知する範囲における白色領域と黒色領域との面積比にずれが生じ、位置検出結果に誤差が生じる。スケール部１５２がセンサ部１５１に対し、Ｙ方向に幅ΔＹだけずれた場合、第一のフォトリフレクタ１５１Ａが検知する範囲では、幅ΔＹだけの黒色で示される低反射領域が減り、幅ΔＹだけの白色で示される高反射領域が増え、そのため、信号電圧が増加する。このときの増加量をδＶとする。

これに対し、第二のフォトリフレクタ１５１Ｂが検知する範囲では、同様に幅ΔＹだけの黒色で示される低反射領域が減り、幅ΔＹだけの白色で示される高反射領域が増えている。このため第二のフォトリフレクタ１５１Ｂの信号電圧は、第一のフォトリフレクタ１５１Ａの信号電圧の増分と同じ量のδＶだけ増加している。このとき、第一のフォトリフレクタＡの信号電圧は（ＶＡ＋δＶ）であり、第二のフォトリフレクタＢの信号電圧は（ＶＢ＋δＶ）である。

両者の差分をとった電圧ＶＣは、ＶＣ＝（ＶＡ＋δＶ）−（ＶＢ＋δＶ）＝ＶＡ−ＶＢであり、Ｙ方向へのずれの影響であるδＶを打ち消している。これは、第一のフォトリフレクタ１５１Ａと第二のフォトリフレクタ１５１Ｂに対し、エッジＥＡとエッジＥＢとが同じ量（幅ΔＹ）だけずれており、信号電圧の変化量が等しく、差分をとることで変化量を打ち消しあうことができるためである。このため本実施形態では、前述のように第一のフォトリフレクタ１５１Ａおよび第二のフォトリフレクタ１５１Ｂの両者の信号電圧の差分をとった電圧ＶＣを位置信号として用いる。これにより、Ｙ方向へのセンサ部１５１とスケール部１５２との位置ずれの影響を受けない（または、位置ずれの影響を受けにくい）位置検出を行うことが可能となる。レンズ制御部１２（カメラ制御部２１）は、第一のフォトリフレクタ１５１Ａと第二のフォトリフレクタ１５１Ｂとの信号電圧の差分に相当する電圧ＶＣを位置信号として用いることで、センサ部１５１とスケール部１５２との相対位置情報を算出することができる。

本実施形態において、エッジＥＢを含む低反射スケール１５２１Ｂは、図１（ｂ）に示されるように、エッジＥＡを含む低反射スケール１５２１Ａとは繋がっていない別体の部品で構成されることが好ましい。すなわち、低反射スケール１５２１Ａと低反射スケール１５２１Ｂとが一体の部品で形成される場合、一つの部品内に温度膨張・収縮の影響の低減のためにエッジ延長線ＥＡ２、ＥＢ２の上に２つずつ位置決めピンが置かれることとなる。この構成では、温度膨張・収縮が起きた際に一つの部品内で、エッジ延長線ＥＡ２、ＥＢ２の異なる２つの方向に温度膨張しようとする力が働き、その結果、部品が歪む可能性がある。このため、各フォトリフレクタに対応するスケール部同士は、別体として構成されることが好ましい。

本実施形態において、図１（ｂ）に示される位置決めピンＰＡ１、ＰＡ２、ＰＢ１、ＰＢ２を有する土台部１５２３の温度膨張係数は、低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂ等のスケール部の温度膨張係数より低いことが好ましい。これは、低反射スケールの位置を規定する位置決めピン群自体が温度膨張、収縮により、低反射スケール内でのエッジの温度膨張・収縮量より大きく変動する場合、土台部１５２３のピン群の温度膨張による移動の影響の方が大きく現れるためである。土台部１５２３としては、例えば、温度膨張係数が低い金属やセラミックが用いられる。

また、図１（ｂ）に示される位置決め穴ＨＡ１の半径は、位置決めピンＰＡ１の半径と嵌め合い公差の関係にある。一例として、位置決め穴ＨＡ１の半径の公差をＪＩＳにおけるＨ９の公差域、位置決めピンＰＡ１の半径の公差をｆ９の公差域とする。ここで、位置決め穴ＨＡ１は前述のように略真円形状に形成される。例えば、位置決め穴ＨＡ１は、略真円形状で構成される丸穴である。また、位置決め穴Ｈ２である長穴の幅も同様に、位置決めピンＰＡ１の半径と嵌め合い公差の関係にある。長穴の幅の公差は、位置決め穴Ａ１の半径の公差と同様にＨ９の公差域とする。位置決め穴ＨＡ２は、前述のようにエッジ延長線ＥＡ２と平行な方向に延びた長穴で形成されている。すなわち位置決め穴ＨＡ２は、位置決め穴間を結ぶ直線の延長方向に延びる形状の長穴に相当する。

本実施形態の構成は、位置決め穴と位置決めピンとの間のガタつきを低減しつつ、スケール部が位置決め穴ＨＡ１、ＨＡ２を結ぶ直線の延長方向に自由に温度膨張、収縮を行うために穴とピンの間の摩擦を減らすための寸法関係を有する。位置決め穴ＨＢ１と位置決めピンＰＢ１との関係、および、位置決め穴ＨＢ２と位置決めピンＰＢ２との関係も同様である。本実施形態において、好ましくは、前述の嵌め合いの公差域を持つ関係は、丸穴の半径は位置決めピンの円柱の半径よりも２μｍ〜６０μｍの範囲で大きく、長穴の幅は位置決めピンの半径よりも２μｍ〜６０μｍの範囲で大きい関係にある。

本実施形態において、低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂは、エッジ延長線ＥＡ２、ＥＢ２の方向に自由に温度膨張・収縮できる必要があるため、これらのスケール部の保持方法として、以下のように固定されることが好ましい。図９は、本実施形態におけるスケール部１５２の保持方法の説明図である。図９（ａ）はスケール部１５２の上面図、図９（ｂ）は図９（ａ）中のＤ−Ｄ’断面図を示す。

図９に示されるスケール部１５２は、図１（ｂ）に示されるスケール部に、開口を有するカバー部材１５２４を上から被せた構成を有する。カバー部材１５２４は、一例として、板金の打ち抜き加工等によって形成されている。図９（ｂ）に示されるように、カバー部材１５２４を用いて低反射スケール１５２１Ｂの端部を覆うことにより、低反射スケール１５２１ＢがＺ方向に抜け落ちないように保持されている。

カバー部材１５２４は、図９（ｂ）に示される保持部としての土台部１５２３に対し、ネジにより固定されている。このとき、低反射スケール１５２１とカバー部材１５２４との間に隙間Ｈ（空間）が形成されている。隙間Ｈが０である場合、カバー部材１５２４と低反射スケール１５２１とが接触し、摩擦が生じるため、低反射スケール１５２１が自由に温度膨張・収縮できず、前述のように温度膨張・収縮方向を制御することができない。このため本実施形態では、低反射スケール１５２１とカバー部材１５２４との間には３０μｍ〜８０μｍ程度の隙間Ｈが存在することが好ましい。

図１０は、２つのスケール部が土台部の位置決めピンを共通で用いる構成の説明図である。本実施形態において、低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂの位置を規定する位置決めピンとして、図１０に示されるように、丸穴である位置決め穴ＨＡ１、ＨＢ１に関して共通の一本の位置決めピンＰＡ１’を用いることができる。共通の位置決めピンＰＡ１’を用いる（互いの丸穴に挿入される土台部に設けられた位置決めピンとして共通の一本の位置決めピンを使用する）ことにより、低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂ同士の相対位置の誤差を減らすことができる。

このように本実施形態において、位置検出装置１５は、光学センサ（センサ部１５１）、光学センサに対して相対移動可能なスケール部１５２、および、スケール部を保持する土台部１５２３を有する。スケール部は、反射率が異なる第一の領域（低反射スケール１５２１Ａ、１５２１Ｂ）および第二の領域（高反射スケール下地１５２２）を有する。第一の領域と第二の領域との境界（エッジＥＡ、ＥＢ）は、光学センサとスケール部との相対移動方向（図１中のＸ軸方向）に対して所定の傾き（角度θ）を有する。スケール部は、土台部に対する位置決めを行う位置決め部（位置決め穴ＨＡ１、ＨＡ２、ＨＢ１、ＨＢ２）を有する。位置決め部は、境界の延長線（エッジ延長線ＥＡ２、ＥＢ２）上に配置されている。

好ましくは、第一の領域は、相対移動方向に対して所定の傾きを有するエッジＥＡ、ＥＢを有する。第二の領域は、第一の領域と土台部との間に設けられている。エッジは、第一の領域と第二の領域との境界に相当する。より好ましくは、エッジは、相対移動方向に対して所定の傾きを有する直線状のエッジである。

好ましくは、位置決め部は位置決め穴ＨＡ１、ＨＡ２、ＨＢ１、ＨＢ２であり、土台部は位置決め穴に挿入される位置決めピンＰＡ１、ＰＡ２、ＰＢ１、ＰＢ２を有する。より好ましくは、位置決め穴は、第一の穴（位置決め穴ＨＡ１、ＨＢ１）と第二の穴（位置決め穴ＨＡ２、ＨＢ２）とを含む。位置決めピンは、第一の穴に挿入される第一のピン（位置決めピンＰＡ１、ＰＢ１）と第二の穴に挿入される第二のピン（位置決めピンＰＡ２、ＰＢ２）とを含む。より好ましくは、第一の穴は丸穴であり、第二の穴は境界の延長方向に延びる長穴である。より好ましくは、第一のピンおよび第二のピンはそれぞれ、円柱形状のピンである。

好ましくは、位置決め穴の径は、位置決めピンの径よりも大きい。また好ましくは、撮像装置１００（レンズ装置１）は、光学センサから出力される信号に基づいて光学センサとスケール部との相対位置情報を算出する算出部（レンズ制御部１２またはカメラ制御部２１）を有する。より好ましくは、光学センサは、第一のセンサ（第一のフォトリフレクタ１５１Ａ）および第二のセンサ（第二のフォトリフレクタ１５１Ｂ）を有する。第一の領域は、第一の分割領域（低反射スケール１５２１Ａ）および第二の分割領域（低反射スケール１５２１Ｂ）を有する。境界は、第一の分割領域と第二の領域との第一の境界（エッジＥＡ）、および、第二の分割領域と第二の領域との第二の境界（エッジＥＢ）を有する。第一のセンサは第一の境界に関する第一の位置情報を取得し、第二のセンサは第二の境界に関する第二の位置情報を取得する。算出部は、第一のセンサから出力される第一の信号と第二のセンサから出力される第二の信号との差分に基づいて、相対位置情報を算出する。

好ましくは、第一の分割領域および第二の分割領域のそれぞれに設けられた第一の穴には、共通の一つの第一のピン（位置決めピンＰＡ１’）が挿入されている。また好ましくは、土台部の温度膨張係数は、スケール部の温度膨張係数よりも小さい。また好ましくは、位置検出装置は カバー部材１５２４を有し、スケール部は土台部とカバー部材との間に配置されている。また好ましくは、カバー部材とスケール部との間には隙間Ｈが形成されている。

本実施形態の位置検出装置は、スケール部が含む直線形状のエッジの位置が温度膨張・収縮により移動することで生じる位置検出信号の変化を解消（または低減）することができる。このため本実施形態によれば、スケール部の内部構造の変化による位置検出誤差を低減することが可能な位置検出装置、レンズ装置、および、撮像装置を提供する
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

１５ 位置検出装置
１５１ センサ部（光学センサ）
１５２ スケール部
１５２１Ａ 低反射スケール（第一の領域、第一の分割領域）
１５２１Ｂ 低反射スケール（第一の領域、第二の分割領域）
１５２２ 高反射スケール下地（第二の領域）
１５２３ 土台部
ＥＡ、ＥＢ エッジ（境界）
ＥＡ２、ＥＢ２ エッジ延長線（延長線）
ＨＡ１、ＨＡ２、ＨＢ１、ＨＢ２ 位置決め穴（位置決め部）

Claims (15)

1. 光学センサと、
   前記光学センサに対して相対移動可能なスケール部と、
   前記スケール部を保持する保持部と、を有し、
   前記スケール部は、反射率が異なる第一の領域および第二の領域を有し、
   前記第一の領域と前記第二の領域との境界は、前記光学センサと前記スケール部との相対移動方向に対して所定の傾きを有し、
   前記スケール部は、前記保持部に対する位置決めを行う位置決め部を有し、
   前記位置決め部は、前記境界の延長線上に配置されていることを特徴とする位置検出装置。
2. 前記第一の領域は、前記相対移動方向に対して前記所定の傾きを有するエッジを有し、
   前記第二の領域は、前記第一の領域と前記保持部との間に設けられており、
   前記エッジは、前記第一の領域と前記第二の領域との前記境界に相当することを特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
3. 前記エッジは、前記相対移動方向に対して前記所定の傾きを有する直線状のエッジであることを特徴とする請求項２に記載の位置検出装置。
4. 前記位置決め部は、位置決め穴であり、
   前記保持部は、前記位置決め穴に挿入される位置決めピンを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の位置検出装置。
5. 前記位置決め穴は、第一の穴と第二の穴とを含み、
   前記位置決めピンは、前記第一の穴に挿入される第一のピンと前記第二の穴に挿入される第二のピンとを含むことを特徴とする請求項４に記載の位置検出装置。
6. 前記第一の穴は、丸穴であり、
   前記第二の穴は、前記境界の延長方向に延びる長穴であることを特徴とする請求項５に記載の位置検出装置。
7. 前記第一のピンおよび前記第二のピンはそれぞれ、円柱形状のピンであることを特徴とする請求項６に記載の位置検出装置。
8. 前記位置決め穴の径は、前記位置決めピンの径よりも大きいことを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項に記載の位置検出装置。
9. 前記光学センサから出力される信号に基づいて前記光学センサと前記スケール部との相対位置情報を算出する算出部を更に有することを特徴とする請求項４乃至８のいずれか１項に記載の位置検出装置。
10. 前記光学センサは、第一のセンサおよび第二のセンサを有し、
    前記第一の領域は、第一の分割領域および第二の分割領域を有し、
    前記境界は、前記第一の分割領域と前記第二の領域との第一の境界、および、前記第二の分割領域と前記第二の領域との第二の境界を有し、
    前記第一のセンサは、前記第一の境界に関する第一の位置情報を取得し、
    前記第二のセンサは、前記第二の境界に関する第二の位置情報を取得し、
    前記算出部は、前記第一のセンサから出力される第一の信号と前記第二のセンサから出力される第二の信号との差分に基づいて、前記相対位置情報を算出することを特徴とする請求項９に記載の位置検出装置。
11. 前記第一の分割領域および前記第二の分割領域のそれぞれに設けられた前記第一の穴には、共通の一つの前記第一のピンが挿入されていることを特徴とする請求項１０に記載の位置検出装置。
12. 前記保持部の温度膨張係数は、前記スケール部の温度膨張係数よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の位置検出装置。
13. カバー部材を更に有し、
    前記スケール部は、前記保持部と前記カバー部材との間に配置されており、
    前記カバー部材と前記スケール部との間には隙間が形成されていることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の位置検出装置。
14. レンズと、
    請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の位置検出装置と、を有することを特徴とするレンズ装置。
15. 請求項１４に記載のレンズ装置と、
    前記レンズ装置を介して形成された光学像を光電変換する撮像素子と、を有することを特徴とする撮像装置。