JP2019210495A - Vapor deposition method, production method of electronic device, and vapor deposition apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板上に膜を形成する蒸着方法,電子デバイスの製造方法及び蒸着装置に関する。 The present invention relates to an evaporation method for forming a film on a substrate, an electronic device manufacturing method, and an evaporation apparatus.
近年、有機ELなどの電子デバイスにおいては、基板の大型化が進んでいる。そのため、基板上に膜を形成する際に、基板やマスクの自重による撓みが無視できなくなってきている。すなわち、基板やマスクが撓んだ状態で、基板上に有機膜が形成されると、マスクに設けられている開口部の形状及び寸法の通りに成膜されない、いわゆる「膜ボケ」が発生してしまう。そのため、例えば、ディスプレイ装置等においては、膜ボケの結果として、混色の発生や輝度の低下につながり、画像の高精細化を実現することが難しくなってしまう。 In recent years, in an electronic device such as an organic EL, the size of a substrate has been increased. For this reason, when a film is formed on the substrate, the bending due to the weight of the substrate and the mask cannot be ignored. That is, when an organic film is formed on a substrate while the substrate or mask is bent, a so-called “film blur” occurs in which the film is not formed according to the shape and dimensions of the opening provided in the mask. End up. For this reason, for example, in a display device or the like, as a result of film blurring, color mixture occurs and luminance decreases, and it becomes difficult to achieve high definition of an image.
そこで、基板の撓み対策として、基板を直立させた状態で蒸着を行う技術や、マスクの撓み対策として、短冊状マスクを複数並べて配置させる技術などが開発されている。 Therefore, as a countermeasure against the bending of the substrate, a technique for performing vapor deposition with the substrate standing upright, a technique for arranging a plurality of strip-shaped masks side by side as a countermeasure against the bending of the mask, and the like have been developed.
しかしながら、膜ボケを抑制するために、複数の条件について複合的に考慮された技術は見当たらず、未だ改良の余地がある。 However, in order to suppress film blur, there is no technique that can be combinedly considered for a plurality of conditions, and there is still room for improvement.
本発明の目的は、基板が大型化しても、膜ボケを抑制することのできる蒸着方法,電子デバイスの製造方法及び蒸着装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a vapor deposition method, an electronic device manufacturing method, and a vapor deposition apparatus that can suppress film blur even when the substrate is enlarged.
本発明は、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。 The present invention employs the following means in order to solve the above problems.
本発明の蒸着方法は、
基板を直立した状態で位置決めさせ、かつ、基板における主面側に複数の短冊状マスクにより構成されるマスクを配置させて、これら基板及びマスクに対して移動する蒸発源によって、複数の前記短冊状マスクにそれぞれ形成されている複数の開口部を介して前記基板の主面に成膜を施す蒸着方法であって、
複数の前記開口部は、いずれも矩形状の開口により構成されており、
成膜を行う際には、前記開口部の長手方向と一致する方向に、前記蒸発源を移動させることを特徴とする。
The vapor deposition method of the present invention comprises:
The substrate is positioned in an upright state, and a plurality of strip-shaped masks are arranged on the main surface side of the substrate, and a plurality of the strips are formed by an evaporation source that moves relative to the substrate and the mask. A vapor deposition method for forming a film on the main surface of the substrate through a plurality of openings formed in the mask,
Each of the plurality of openings is configured by a rectangular opening,
When film formation is performed, the evaporation source is moved in a direction that coincides with the longitudinal direction of the opening.
また、本発明の他の蒸着方法は、
基板を直立した状態で位置決めさせ、かつ、基板における主面側に複数の短冊状マスクにより構成されるマスクを配置させて、これら基板及びマスクに対して移動する蒸発源によって、複数の前記短冊状マスクにそれぞれ形成されている複数の開口部を介して前記基板の主面に成膜を施す蒸着方法であって、
前記蒸発源を前記短冊状マスクの長手方向に並ぶ列を作るように複数設けると共に、前記基板の主面と平行、かつ前記短冊状マスクの長手方向に対して垂直方向に、複数の前記
蒸発源を移動させながら成膜を施すことを特徴とする。
In addition, the other vapor deposition method of the present invention,
The substrate is positioned in an upright state, and a plurality of strip-shaped masks are arranged on the main surface side of the substrate, and a plurality of the strips are formed by an evaporation source that moves relative to the substrate and the mask. A vapor deposition method for forming a film on the main surface of the substrate through a plurality of openings formed in the mask,
A plurality of the evaporation sources are provided so as to form a row aligned in the longitudinal direction of the strip-shaped mask, and a plurality of the evaporation sources are parallel to the main surface of the substrate and perpendicular to the longitudinal direction of the strip-shaped mask. The film formation is performed while moving the film.
そして、本発明の電子デバイスの製造方法は、
蒸発源が設けられたチャンバ内に基板及びマスクを搬送させる工程と、
上記のいずれか一つに記載の蒸着方法を用いて、前記基板上に有機膜を形成させる工程と、
を有することを特徴とする。
And the manufacturing method of the electronic device of this invention is as follows.
Transporting the substrate and mask into a chamber provided with an evaporation source;
Using the vapor deposition method according to any one of the above, a step of forming an organic film on the substrate;
It is characterized by having.
また、本発明の蒸着装置は、
基板を直立した状態で位置決めさせる基板位置決め機構と、
前記基板位置決め機構により位置決めされた基板における主面側に複数の短冊状マスクにより構成されるマスクを配置させるマスク位置決め機構と、
前記基板位置決め機構により位置決めされた基板の主面と平行、かつ直線的に蒸発源を移動させる蒸発源移動機構と、
を備え、
前記蒸発源移動機構により前記蒸発源を移動させながら、複数の前記短冊状マスクにそれぞれ形成されている複数の開口部を介して前記基板の主面に成膜を施す蒸着装置であって、
複数の前記開口部は、いずれも矩形状の開口により構成されると共に、
前記蒸発源移動機構による前記蒸発源の移動方向は、前記開口部の長手方向と一致することを特徴とする。
Moreover, the vapor deposition apparatus of the present invention comprises:
A substrate positioning mechanism for positioning the substrate in an upright state;
A mask positioning mechanism for arranging a mask composed of a plurality of strip-shaped masks on the main surface side of the substrate positioned by the substrate positioning mechanism;
An evaporation source moving mechanism for moving the evaporation source in parallel and linearly with the main surface of the substrate positioned by the substrate positioning mechanism;
With
A deposition apparatus that deposits a film on a main surface of the substrate through a plurality of openings formed in the plurality of strip-shaped masks while moving the evaporation source by the evaporation source moving mechanism;
The plurality of openings are all configured by rectangular openings,
The moving direction of the evaporation source by the evaporation source moving mechanism is coincident with the longitudinal direction of the opening.
更に、本発明の他の蒸着装置は、
基板を直立した状態で位置決めさせる基板位置決め機構と、
前記基板位置決め機構により位置決めされた基板における主面側に複数の短冊状マスクにより構成されるマスクを配置させるマスク位置決め機構と、
前記基板位置決め機構により位置決めされた基板の主面と平行、かつ直線的に蒸発源を移動させる蒸発源移動機構と、
を備え、
前記蒸発源移動機構により前記蒸発源を移動させながら、複数の前記短冊状マスクにそれぞれ形成されている複数の開口部を介して前記基板の主面に成膜を施す蒸着装置であって、
前記蒸発源は、前記短冊状マスクの長手方向に並ぶ列を作るように複数設けられると共に、
前記蒸発源移動機構により複数の前記蒸発源が移動する方向は、前記短冊状マスクの長手方向と垂直方向であることを特徴とする。
Furthermore, the other vapor deposition apparatus of the present invention includes:
A substrate positioning mechanism for positioning the substrate in an upright state;
A mask positioning mechanism for arranging a mask composed of a plurality of strip-shaped masks on the main surface side of the substrate positioned by the substrate positioning mechanism;
An evaporation source moving mechanism for moving the evaporation source in parallel and linearly with the main surface of the substrate positioned by the substrate positioning mechanism;
With
A deposition apparatus that deposits a film on a main surface of the substrate through a plurality of openings formed in the plurality of strip-shaped masks while moving the evaporation source by the evaporation source moving mechanism;
A plurality of the evaporation sources are provided so as to form a row aligned in the longitudinal direction of the strip mask,
A direction in which the plurality of evaporation sources are moved by the evaporation source moving mechanism is a direction perpendicular to a longitudinal direction of the strip-shaped mask.
以上説明したように、本発明によれば、基板が大型化しても、膜ボケを抑制することができる。 As described above, according to the present invention, film blur can be suppressed even when the substrate is enlarged.
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be exemplarily described in detail with reference to the drawings. However, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, and the like of the components described in this embodiment are not intended to limit the scope of the present invention only to those unless otherwise specified. .
本発明の実施例に係る蒸着方法は、蒸発源が鉛直方向に移動するように構成されている蒸着装置、または、蒸発源が水平方向に移動するように構成されている蒸着装置に適用され得る。まず、これらの蒸着装置(前者を実施例1、後者を実施例2とする)について、それぞれ説明する。なお、以下の説明において、基板の主面とは、基板において、成膜が施される面をいう。また、蒸着装置においては、基板の主面側にマスクが配置され、かつ、マスクを挟んで基板とは反対側に蒸発源が配される。以下の説明において、基板側からマスク及び蒸発源に向かって各種構成を見た場合を「正面側から見た」ものとし、その反対側から各種構成を見た場合を「背面側から見た」ものとする。 The vapor deposition method according to the embodiment of the present invention can be applied to a vapor deposition apparatus configured to move the evaporation source in the vertical direction or a vapor deposition apparatus configured to move the evaporation source in the horizontal direction. . First, these vapor deposition apparatuses (the former will be referred to as Example 1 and the latter as Example 2) will be described. In the following description, the main surface of the substrate refers to the surface of the substrate on which film formation is performed. In the vapor deposition apparatus, a mask is disposed on the main surface side of the substrate, and an evaporation source is disposed on the opposite side of the substrate across the mask. In the following description, the case where various configurations are viewed from the substrate side toward the mask and the evaporation source is assumed to be “viewed from the front side”, and the case where various configurations are viewed from the opposite side is “viewed from the back side”. Shall.
<蒸着装置の実施例1>
図1〜図8を参照して、本発明の実施例1に係る蒸着装置について説明する。図1〜図3は本発明の実施例1に係る蒸着装置の概略構成図であり、蒸着装置の主要構成を概略的に示した図である。なお、図1は蒸着装置を上方から見た図であり、図2は蒸着装置を背面側から見た図であり、図3は蒸着装置を側面側から見た図である。図4は本発明の実施例1に係る基板位置決め機構の説明図であり、同図(a)は蒸着装置内の基板及び基板の位置決め機構について蒸着装置の背面側から見た図であり、同図(b)は蒸着装置内の基板及び基板の位置決め機構を蒸着装置の側面側から見た図である。図5及び図6は本発明の実施例1に係るマスク位置決め機構の説明図である。図5(a)は蒸着装置内のマスク位置決め機構について蒸着装置の背面側から見た図であり、図5(b)は蒸着装置内のマスク位置決め機構について蒸着装置の側面側から見た図である。図6は短冊状マスクの取り付け方を示した図である。図7及び図8は本発明の実施例1に係る蒸発源の概略構成図であり、蒸発源の主要構成を概略的に示した図である。なお、図7は蒸発源を上方から見
た図であり、図8は蒸発源を正面側から見た図である。
<Example 1 of a vapor deposition apparatus>
With reference to FIGS. 1-8, the vapor deposition apparatus which concerns on Example 1 of this invention is demonstrated. 1-3 is a schematic block diagram of the vapor deposition apparatus which concerns on Example 1 of this invention, and is the figure which showed roughly the main structures of the vapor deposition apparatus. 1 is a view of the vapor deposition apparatus as viewed from above, FIG. 2 is a view of the vapor deposition apparatus as viewed from the back side, and FIG. 3 is a view of the vapor deposition apparatus as viewed from the side. FIG. 4 is an explanatory diagram of the substrate positioning mechanism according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4A is a diagram of the substrate in the vapor deposition apparatus and the substrate positioning mechanism as seen from the back side of the vapor deposition apparatus. FIG. 2B is a view of the substrate in the vapor deposition apparatus and the substrate positioning mechanism as viewed from the side of the vapor deposition apparatus. 5 and 6 are explanatory views of the mask positioning mechanism according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 5A is a view of the mask positioning mechanism in the vapor deposition apparatus as viewed from the back side of the vapor deposition apparatus, and FIG. 5B is a view of the mask positioning mechanism in the vapor deposition apparatus as viewed from the side of the vapor deposition apparatus. is there. FIG. 6 is a view showing how to attach the strip mask. 7 and 8 are schematic configuration diagrams of the evaporation source according to the first embodiment of the present invention, and are diagrams schematically showing the main configuration of the evaporation source. 7 is a view of the evaporation source as viewed from above, and FIG. 8 is a view of the evaporation source as viewed from the front side.
蒸着装置10は、不図示の真空ポンプによって、内部が真空に近い状態になるように構成されるチャンバ100と、チャンバ100の内部に配置される蒸発源装置400とを備えている。チャンバ100の内部においては、基板200が直立した状態で位置決めされるように構成され、かつ、基板200における主面側にマスク300が配置されるように構成されている。蒸発源装置400は、基板200に蒸着させる物質の材料を加熱することで、当該材料を蒸発又は昇華させて、蒸発又は昇華させた材料Oを基板200に向けて噴射する役割を担っている。 The vapor deposition apparatus 10 includes a chamber 100 that is configured to be in a state close to vacuum by a vacuum pump (not shown), and an evaporation source device 400 that is disposed inside the chamber 100. The chamber 100 is configured such that the substrate 200 is positioned in an upright state, and the mask 300 is disposed on the main surface side of the substrate 200. The evaporation source device 400 plays a role of injecting the evaporated or sublimated material O toward the substrate 200 by heating or sublimating the material of the substance to be deposited on the substrate 200.
ここで、各図において、矢印X,Yは水平方向を示し、矢印Zは鉛直方向を示している。また、矢印Yは基板200の主面に対する法線方向であって、蒸発源装置400から基板200に向かう方向を示し、矢印Xは当該方向に対して垂直な方向を示している。 Here, in each figure, the arrows X and Y indicate the horizontal direction, and the arrow Z indicates the vertical direction. An arrow Y indicates a direction normal to the main surface of the substrate 200 and indicates a direction from the evaporation source device 400 toward the substrate 200, and an arrow X indicates a direction perpendicular to the direction.
<<基板位置決め機構>>
特に、図4を参照して、基板200の位置決め機構について説明する。基板200は、矢印X方向に対して往復動自在に構成された基板フレーム210に固定される。基板フレーム210の下端にはガイド棒220が固定され、上端にはガイドレール240が固定されている。ガイド棒220は、X方向に一列に並ぶように配置された複数の第1ガイドローラ230によって、案内されながら移動可能に構成されている。また、ガイドレール240は、X方向に一列に並ぶように配置された複数の第2ガイドローラ250によって、案内されながら移動可能に構成されている。更に、第1ガイドローラ230,ガイド棒220,ガイドレール240及び第2ガイドローラ250は、鉛直方向に一列に並ぶように配置されている。以上のような構成により、基板フレーム210に固定された基板200は、鉛直方向に直立した状態で位置決めされ、かつ、矢印X方向に往復移動することができる。
<< Substrate positioning mechanism >>
In particular, a positioning mechanism for the substrate 200 will be described with reference to FIG. The substrate 200 is fixed to a substrate frame 210 configured to reciprocate in the arrow X direction. A guide bar 220 is fixed to the lower end of the substrate frame 210, and a guide rail 240 is fixed to the upper end. The guide bar 220 is configured to be movable while being guided by a plurality of first guide rollers 230 arranged in a line in the X direction. The guide rail 240 is configured to be movable while being guided by a plurality of second guide rollers 250 arranged in a line in the X direction. Further, the first guide roller 230, the guide rod 220, the guide rail 240, and the second guide roller 250 are arranged in a line in the vertical direction. With the configuration as described above, the substrate 200 fixed to the substrate frame 210 can be positioned in an upright state in the vertical direction and can reciprocate in the arrow X direction.
<<マスク位置決め機構>>
特に、図5及び図6を参照して、マスク300の位置決め機構について説明する。マスク300は、矢印X方向に対して往復動自在に構成されたマスクフレーム320に固定される。マスクフレーム320の下端にはガイド棒330が固定され、上端にはガイドレール360が固定されている。ガイド棒330は、X方向に一列に並ぶように配置された複数の第3ガイドローラ340によって、案内されながら移動可能に構成されている。また、ガイドレール360は、X方向に一列に並ぶように配置された複数の第4ガイドローラ370によって、案内されながら移動可能に構成されている。更に、第3ガイドローラ340,ガイド棒330,ガイドレール360及び第4ガイドローラ370は、鉛直方向に一列に並ぶように配置されている。以上のような構成により、マスクフレーム320に固定されたマスク300は、鉛直方向に直立した状態で位置決めされ、かつ、矢印X方向に往復移動することができる。
<< Mask positioning mechanism >>
In particular, the positioning mechanism of the mask 300 will be described with reference to FIGS. The mask 300 is fixed to a mask frame 320 configured to reciprocate in the arrow X direction. A guide bar 330 is fixed to the lower end of the mask frame 320, and a guide rail 360 is fixed to the upper end. The guide bar 330 is configured to be movable while being guided by a plurality of third guide rollers 340 arranged in a line in the X direction. The guide rail 360 is configured to be movable while being guided by a plurality of fourth guide rollers 370 arranged in a line in the X direction. Further, the third guide roller 340, the guide bar 330, the guide rail 360, and the fourth guide roller 370 are arranged in a line in the vertical direction. With the configuration as described above, the mask 300 fixed to the mask frame 320 can be positioned in an upright state in the vertical direction and can reciprocate in the arrow X direction.
また、複数の第3ガイドローラ340及び第4ガイドローラ370は、それぞれ第1アライメント機構350及び第2アライメント機構380によって、位置調整が行われるように構成されている。これにより、マスクフレーム320は、X方向と、Z方向と、XZ面内において回転する方向について、それぞれ位置調整できるように構成されている。このようなアライメント調整を行うための機構については、例えば、特開2012−72478号公報及び特開2012−140671号公報に開示されているように公知技術であるので、その詳細説明は省略する。以上のように、第1アライメント機構350及び第2アライメント機構380によって、マスクフレーム320の位置を調整できるため、基板200に対するマスク300の位置合わせを行うことができる。 The plurality of third guide rollers 340 and the fourth guide roller 370 are configured to be adjusted by the first alignment mechanism 350 and the second alignment mechanism 380, respectively. Thereby, the mask frame 320 is configured such that the position can be adjusted in each of the X direction, the Z direction, and the direction of rotation in the XZ plane. The mechanism for performing such alignment adjustment is a known technique as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-72478 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-140671. As described above, since the position of the mask frame 320 can be adjusted by the first alignment mechanism 350 and the second alignment mechanism 380, the mask 300 can be aligned with the substrate 200.
そして、本実施例に係るマスク300は、複数の短冊状マスク310により構成される。この構成について、特に、図6を参照して説明する。マスクフレーム320は、外形が矩形で、かつ中央に矩形の孔321が設けられた板状部材により構成されている。このように構成されるマスクフレーム320に対して、複数の短冊状マスク310が互いに隣接するように固定される。なお、それぞれの短冊状マスク310は、短冊状マスク310の長手方向に引っ張られた状態で、その両端がそれぞれマスクフレーム320に溶接などにより固定される。また、複数の短冊状マスク310には、それぞれ複数の開口部311が設けられている。これら複数の開口部311は、いずれも矩形状の開口により構成されている。 The mask 300 according to this embodiment is composed of a plurality of strip-shaped masks 310. This configuration will be described particularly with reference to FIG. The mask frame 320 is configured by a plate-like member having a rectangular outer shape and a rectangular hole 321 provided in the center. A plurality of strip-shaped masks 310 are fixed to the mask frame 320 configured in this manner so as to be adjacent to each other. Each strip-shaped mask 310 is pulled in the longitudinal direction of the strip-shaped mask 310 and both ends thereof are fixed to the mask frame 320 by welding or the like. Each of the plurality of strip-shaped masks 310 is provided with a plurality of openings 311. Each of the plurality of openings 311 is a rectangular opening.
<<蒸発源装置>>
特に、図1〜図3,図7及び図8を参照して、蒸発源装置400について説明する。蒸発源装置400は、複数の蒸発源413を備える蒸発源ユニット410と、蒸発源ユニット410の両側にそれぞれ備えられる一対のリニアガイド420及び一対のボールねじ430と、蒸発源ユニット410に接続された大気アーム440と、ボールねじ430を回転させる駆動機構450とを備えている。駆動機構450は、モータなどの駆動源と、駆動源からの動力をボールねじ430に伝達させる複数の歯車などにより構成されている。この駆動機構450によりボールねじ430を回転させることによって、蒸発源ユニット410をリニアガイド420に沿って往復移動させることができる。また、大気アーム440の内部は大気状態に保たれている。この大気アーム440の内部には、蒸発源413に接続される各種信号線や水冷用流路などが設けられている。ただし、大気アーム440の代わりに連結ベローズを設ける構成を採用することもできる。
<< Evaporation source device >>
In particular, the evaporation source device 400 will be described with reference to FIGS. 1 to 3, 7 and 8. The evaporation source device 400 is connected to the evaporation source unit 410 including a plurality of evaporation sources 413, a pair of linear guides 420 and a pair of ball screws 430 provided on both sides of the evaporation source unit 410, and the evaporation source unit 410, respectively. An atmospheric arm 440 and a drive mechanism 450 that rotates the ball screw 430 are provided. The drive mechanism 450 includes a drive source such as a motor and a plurality of gears that transmit power from the drive source to the ball screw 430. The evaporation source unit 410 can be reciprocated along the linear guide 420 by rotating the ball screw 430 by the drive mechanism 450. Further, the inside of the atmospheric arm 440 is kept in an atmospheric state. Various signal lines connected to the evaporation source 413, water cooling flow paths, and the like are provided in the atmosphere arm 440. However, a configuration in which a connection bellows is provided instead of the atmospheric arm 440 may be employed.
蒸発源ユニット410は、複数のケース411と、それぞれのケース411の端部に設けられる水晶モニタ412と、それぞれのケース411の内部に一列に設けられる複数の蒸発源413とを備えている。蒸発源413は、図8中の丸で囲んだ部分に拡大して示すように、材料を気化させるための坩堝413aと、気化された材料を溜める材料溜め413bと、気化された材料を噴射するノズル413cとを備えている。また、本実施例においては、ケース411が鉛直方向に3列並べて配置されており、上下のケース411に備えられる蒸発源413はドーパント材料を噴射するように利用され、真ん中のケース411に備えられる蒸発源413はホスト材料を噴射するように利用される。なお、本実施例においては、上下の蒸発源413によりドーパント材料を噴射させ、真ん中の蒸発源413によりホスト材料を噴射させる場合を示しているが、これは一例に過ぎず、各蒸発源により噴射させる材料はこれに限られない。水晶モニタ412は、基板200に形成された膜の厚みを間接的に計測する役割を担っている。 The evaporation source unit 410 includes a plurality of cases 411, a crystal monitor 412 provided at an end of each case 411, and a plurality of evaporation sources 413 provided in a row inside each case 411. The evaporation source 413, as shown in an enlarged view in a circled portion in FIG. 8, is a crucible 413a for vaporizing the material, a material reservoir 413b for accumulating the vaporized material, and jetting the vaporized material. Nozzle 413c. In this embodiment, the cases 411 are arranged in three rows in the vertical direction, and the evaporation sources 413 provided in the upper and lower cases 411 are used to inject the dopant material, and are provided in the middle case 411. The evaporation source 413 is used to inject the host material. In this embodiment, the dopant material is injected by the upper and lower evaporation sources 413 and the host material is injected by the middle evaporation source 413. However, this is only an example, and injection is performed by each evaporation source. The material to be made is not limited to this. The crystal monitor 412 plays a role of indirectly measuring the thickness of the film formed on the substrate 200.
以上のように構成される蒸発源装置400により、本実施例の場合には、蒸発源ユニット410が鉛直方向に移動しながら基板200への蒸着が行われる。なお、図2及び図3においては、蒸着前の待機状態の位置にある蒸発源ユニット410Xを点線にて示している。また、図2中、範囲Fは、蒸着を行う際の蒸発源ユニット410の移動範囲を示している。図示の通り、基板200及びマスク300の鉛直方向の下端よりも下方の位置から、基板200及びマスク300の鉛直方向の上端よりも上方の位置まで蒸発源ユニット410は移動するように構成されている。これにより、基板200に対して所望の位置に一定の厚みの膜を形成させることが可能となる。また、蒸発源ユニット410の横幅L1は、マスク300の横幅(複数の短冊状マスク310の横幅の合計)L2よりも小さくなるように構成されている(図1参照)。すなわち、本実施例に係る蒸発源ユニット410においては、図7及び図8に示すように、幅方向外側に配置される蒸発源413のノズル413cは外側を向き、幅方向内側に配置される蒸発源413のノズル413cは内側を向くように構成されている。これにより、複数の蒸発源413から噴射される材料は、蒸発源ユニット410の横幅よりも広い範囲に万遍なく噴射される。従って、上記の通り、横
幅L1<横幅L2であっても、基板200における所望の位置に、一定の厚みの膜を形成させることができる。
In the case of the present embodiment, the evaporation source device 400 configured as described above performs evaporation on the substrate 200 while the evaporation source unit 410 moves in the vertical direction. 2 and 3, the evaporation source unit 410X in the standby state before vapor deposition is indicated by a dotted line. Further, in FIG. 2, a range F indicates a moving range of the evaporation source unit 410 when performing vapor deposition. As illustrated, the evaporation source unit 410 is configured to move from a position below the lower end in the vertical direction of the substrate 200 and the mask 300 to a position above the upper end in the vertical direction of the substrate 200 and the mask 300. . Thereby, a film having a certain thickness can be formed at a desired position with respect to the substrate 200. Further, the lateral width L1 of the evaporation source unit 410 is configured to be smaller than the lateral width L2 of the mask 300 (the total lateral width of the plurality of strip-shaped masks 310) (see FIG. 1). That is, in the evaporation source unit 410 according to the present embodiment, as shown in FIGS. 7 and 8, the nozzle 413 c of the evaporation source 413 disposed on the outer side in the width direction faces the outer side and evaporates disposed on the inner side in the width direction. The nozzle 413c of the source 413 is configured to face inward. Thereby, the material injected from the plurality of evaporation sources 413 is uniformly injected over a range wider than the lateral width of the evaporation source unit 410. Therefore, as described above, a film having a certain thickness can be formed at a desired position on the substrate 200 even if the width L1 <the width L2.
<電子デバイスの製造方法>
上記の蒸着装置及び蒸着方法を用いて、電子デバイスを製造する方法について説明する。ここでは、電子デバイスの一例として、ディスプレイ装置などに用いられる有機ELの場合を例にして説明する。有機ELを製造する工程においては、少なくとも、基板及びマスクを搬送する工程と、基板上に有機膜を形成する工程と、有機膜を形成する工程の後に金属膜を形成する工程とを有している。以下、これらの工程について説明する。
<Method for manufacturing electronic device>
A method for manufacturing an electronic device using the above-described vapor deposition apparatus and vapor deposition method will be described. Here, an example of an organic EL used for a display device or the like will be described as an example of an electronic device. The step of manufacturing the organic EL includes at least a step of transporting the substrate and the mask, a step of forming an organic film on the substrate, and a step of forming a metal film after the step of forming the organic film. Yes. Hereinafter, these steps will be described.
<<搬送工程>>
まず、上記の基板位置決め機構によって、基板200がチャンバ100の内部に搬送される。そして、基板200は直立した状態で位置決めされる。次に、マスク位置決め機構によって、マスク300がチャンバ100の内部に搬送される。そして、マスク300は、基板200に対してアライメント調整が行われる。これにより、基板200における主面側に複数の短冊状マスク310により構成されるマスク300が配置された状態となる。なお、本実施例においては、チャンバ100の内部で、基板200に対してマスク300のアライメント調整を行う場合の構成を採用したが、チャンバの外部でアライメント調整を行った後に、基板及びマスクをチャンバの内部に搬送させる構成も採用し得る。
<< Conveyance process >>
First, the substrate 200 is transferred into the chamber 100 by the substrate positioning mechanism. Then, the substrate 200 is positioned in an upright state. Next, the mask 300 is transported into the chamber 100 by the mask positioning mechanism. The mask 300 is aligned with the substrate 200. As a result, the mask 300 composed of the plurality of strip-shaped masks 310 is arranged on the main surface side of the substrate 200. In this embodiment, the configuration in which the alignment adjustment of the mask 300 is performed with respect to the substrate 200 inside the chamber 100 is adopted. However, after the alignment adjustment is performed outside the chamber, the substrate and the mask are placed in the chamber. A configuration in which the sheet is conveyed into the inside of the apparatus can also be adopted.
<<有機膜の成膜工程>>
基板200及びマスク300がチャンバ100の内部で位置決めされた状態で、蒸発源ユニット410が基板200及びマスク300(複数の短冊状マスク310)に対して鉛直方向に移動しながら蒸着が施される。すなわち、蒸発源ユニット410に備えられている複数の蒸発源413から気化された材料が噴射されて、複数の短冊状マスク310にそれぞれ形成されている複数の開口部311を介して基板200の主面に成膜が施される。
<< Organic film formation process >>
In a state where the substrate 200 and the mask 300 are positioned inside the chamber 100, the evaporation source unit 410 is deposited while moving in the vertical direction with respect to the substrate 200 and the mask 300 (a plurality of strip-shaped masks 310). That is, the vaporized material is sprayed from the plurality of evaporation sources 413 provided in the evaporation source unit 410 and the main body of the substrate 200 is passed through the plurality of openings 311 respectively formed in the plurality of strip-shaped masks 310. A film is formed on the surface.
なお、ディスプレイ装置などに用いられる有機ELを製造する場合には、以上の搬送工程、及び有機膜の成膜工程が少なくとも3回繰り返される。すなわち、当該有機ELの場合、赤の画素用の有機膜と、緑の画素用の有機膜と、青の画素用の有機膜を基板200に形成させる必要がある。図9は基板200Xの一部拡大図と、マスク300X,300Y,300Zの一部拡大図を示している。図示のように赤の画素用の有機膜Rと、緑の画素用の有機膜Gと、青の画素用の有機膜Bとを並べて、基板200X上に形成させる必要がある。そこで、赤の画素用のマスク300Xを用いて、赤の画素に応じた材料により有機膜Rを形成した後に、緑の画素用のマスク300Yを用いて、緑の画素に応じた材料により有機膜Gを形成し、その後、青の画素用のマスク300Zを用いて、青の画素に応じた材料により有機膜Bを形成する必要がある。勿論、赤,緑,青の順序はこの順序に限られることはない。以上のように、3種類の有機膜R,G,Bを成膜する必要があるため、上記の搬送工程と有機膜の成膜工程を少なくとも3回繰り返す必要がある。 In addition, when manufacturing organic EL used for a display apparatus etc., the above conveyance process and the film-forming process of an organic film are repeated at least 3 times. That is, in the case of the organic EL, it is necessary to form an organic film for a red pixel, an organic film for a green pixel, and an organic film for a blue pixel on the substrate 200. FIG. 9 shows a partially enlarged view of the substrate 200X and partially enlarged views of the masks 300X, 300Y, and 300Z. As shown in the drawing, the organic film R for red pixels, the organic film G for green pixels, and the organic film B for blue pixels need to be arranged on the substrate 200X. Therefore, after forming the organic film R with a material corresponding to the red pixel using the mask 300X for red pixels, the organic film with the material corresponding to the green pixels using the mask 300Y for green pixels. After forming G, it is necessary to form the organic film B with a material corresponding to the blue pixel using the mask 300Z for the blue pixel. Of course, the order of red, green, and blue is not limited to this order. As described above, since it is necessary to form three types of organic films R, G, and B, it is necessary to repeat the above-described transport process and organic film formation process at least three times.
<<金属膜の成膜工程>>
基板200上に、3種類の有機膜R,G,Bが形成された後に、これらの有機膜R,G,B上に、電子輸送層や電子注入層などが成膜される。その後、更に金属膜の蒸着が施される。これにより、これらの有機膜R,G,B上に電子輸送層などが形成され、更にその上に金属膜が形成される。なお、金属膜の蒸着方法については、上記の有機膜を蒸着する際と同様の蒸着方法を採用することもできるし、他の公知技術を採用することもできる。
<< Metal Film Formation Process >>
After three types of organic films R, G, and B are formed on the substrate 200, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like are formed on these organic films R, G, and B. Thereafter, a metal film is further deposited. Thereby, an electron transport layer or the like is formed on these organic films R, G, and B, and a metal film is further formed thereon. In addition, about the vapor deposition method of a metal film, the vapor deposition method similar to the time of vapor-depositing said organic film can also be employ | adopted, and another well-known technique can also be employ | adopted.
(蒸着装置の実施例2)
図10〜図12には、本発明の実施例2に係る蒸着装置が示されている。上記実施例1では、蒸発源ユニット(蒸発源)を鉛直方向に移動させながら蒸着を行う場合の構成につ
いて示したが、本実施例においては、蒸発源ユニット(蒸発源)を水平方向に移動させながら蒸着を行う場合の構成を示す。その他の基本的な構成および作用については実施例1と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は適宜省略する。
(Example 2 of a vapor deposition apparatus)
10 to 12 show a vapor deposition apparatus according to Example 2 of the present invention. In the first embodiment, the configuration in the case where vapor deposition is performed while moving the evaporation source unit (evaporation source) in the vertical direction has been described. However, in this embodiment, the evaporation source unit (evaporation source) is moved in the horizontal direction. The structure in the case of performing vapor deposition is shown. Since other basic configurations and operations are the same as those in the first embodiment, the same components are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted as appropriate.
図10〜図12は本発明の実施例2に係る蒸着装置の概略構成図であり、蒸着装置の主要構成を概略的に示した図である。なお、図10は蒸着装置を上方から見た図であり、図11は蒸着装置を背面側から見た図であり、図12は蒸着装置を側面側から見た図である。 FIGS. 10-12 is a schematic block diagram of the vapor deposition apparatus based on Example 2 of this invention, and is the figure which showed roughly the main structures of the vapor deposition apparatus. 10 is a view of the vapor deposition apparatus as viewed from above, FIG. 11 is a view of the vapor deposition apparatus as viewed from the back side, and FIG. 12 is a view of the vapor deposition apparatus as viewed from the side.
本実施例に係る蒸着装置10Aにおいても、チャンバ100と、チャンバ100の内部に配置される蒸発源装置400とを備えている。また、チャンバ100の内部において、基板200が直立した状態で位置決めされるように構成され、かつ、基板200における主面側にマスク300が配置されるように構成される点についても、上記実施例1の場合と同様である。また、図10〜図12においても、矢印X,Yは水平方向を示し、矢印Zは鉛直方向を示している。また、矢印Yは基板200の主面に対する法線方向であって、蒸発源装置400から基板200に向かう方向を示し、矢印Xは当該方向に対して垂直な方向を示している。 The vapor deposition apparatus 10 </ b> A according to the present embodiment also includes the chamber 100 and the evaporation source apparatus 400 disposed inside the chamber 100. In addition, the above embodiment is also configured so that the substrate 200 is positioned in an upright state inside the chamber 100 and the mask 300 is disposed on the main surface side of the substrate 200. This is the same as the case of 1. 10 to 12, arrows X and Y indicate the horizontal direction, and arrow Z indicates the vertical direction. An arrow Y indicates a direction normal to the main surface of the substrate 200 and indicates a direction from the evaporation source device 400 toward the substrate 200, and an arrow X indicates a direction perpendicular to the direction.
基板位置決め機構及びマスク位置決め機構については、上記実施例1で説明した通りであるので、その説明は省略する。また、蒸発源装置400については、基本的な構成は上記実施例1の構成と同一であるので、その詳細な説明は省略する。ただし、本実施例に係る蒸発源装置400の場合には、蒸発源ユニット410が鉛直方向ではなく、水平方向(図10及び図11中、X方向)に往復動自在に構成されている点のみが、上記実施例1の構成と異なっている。蒸発源装置400を構成する各種部材の構成及び動作については、上記実施例1で説明した通りであるので、その説明は省略する。なお、上記実施例1の場合には、複数の蒸発源413は水平方向に一列に並ぶように配置されるが、本実施例の場合には、複数の蒸発源413は鉛直方向に一列に並ぶように配置される。 Since the substrate positioning mechanism and the mask positioning mechanism are as described in the first embodiment, description thereof will be omitted. The basic configuration of the evaporation source device 400 is the same as that of the first embodiment, and a detailed description thereof will be omitted. However, in the case of the evaporation source device 400 according to the present embodiment, only the point that the evaporation source unit 410 is configured to reciprocate in the horizontal direction (X direction in FIGS. 10 and 11), not in the vertical direction. However, this is different from the configuration of the first embodiment. Since the configuration and operation of various members constituting the evaporation source device 400 are as described in the first embodiment, description thereof is omitted. In the first embodiment, the plurality of evaporation sources 413 are arranged in a line in the horizontal direction. In the present embodiment, the plurality of evaporation sources 413 are arranged in a line in the vertical direction. Are arranged as follows.
本実施例に係る蒸発源装置400の場合には、上記の通り、蒸発源ユニット410が水平方向に移動しながら基板200への蒸着が行われる。なお、図10及び図11においては、蒸着前の待機状態の位置にある蒸発源ユニット410Xを点線にて示している。また、図11中、範囲Fは、蒸着を行う際の蒸発源ユニット410の移動範囲を示している。図11に示す通り、基板200及びマスク300における水平方向の図中左端よりも左側の位置から、基板200及びマスク300の水平方向の図中右端よりも右側の位置まで蒸発源ユニット410は移動するように構成されている。これにより、基板200に対して所望の位置に一定の厚みの膜を形成させることが可能となる。また、蒸発源ユニット410の横幅L1が、マスク300の横幅(複数の短冊状マスク310の横幅の合計)L2よりも小さくなるように構成されている点(図12参照)については、上記実施例1の場合と同様である。 In the case of the evaporation source device 400 according to the present embodiment, as described above, the evaporation source unit 410 is deposited on the substrate 200 while moving in the horizontal direction. In FIGS. 10 and 11, the evaporation source unit 410X in the standby state before vapor deposition is indicated by a dotted line. Further, in FIG. 11, a range F indicates a moving range of the evaporation source unit 410 when performing vapor deposition. As shown in FIG. 11, the evaporation source unit 410 moves from a position on the substrate 200 and the mask 300 on the left side of the left end in the horizontal direction to a position on the right side of the substrate 200 and the mask 300 in the horizontal direction on the right side in the drawing. It is configured as follows. Thereby, a film having a certain thickness can be formed at a desired position with respect to the substrate 200. Further, the point that the lateral width L1 of the evaporation source unit 410 is configured to be smaller than the lateral width L2 of the mask 300 (the total lateral width of the plurality of strip masks 310) (see FIG. 12) is described in the above embodiment. This is the same as the case of 1.
本実施例に係る蒸着装置10Aを用いて、電子デバイスを製造する方法については、上記実施例1の場合と同様であるので、その説明は省略する。 Since the method for manufacturing an electronic device using the vapor deposition apparatus 10A according to the present embodiment is the same as that in the first embodiment, description thereof will be omitted.
<膜ボケの抑制効果についての考察>
短冊状マスク310に設けられた矩形状の開口部311の長手方向D1と、蒸発源413の移動方向D2と、短冊状マスク310の長手方向D3との関係が、膜ボケの抑制効果に与える影響について考察した結果を説明する。
<Consideration on the effect of suppressing film blur>
The influence of the relationship between the longitudinal direction D1 of the rectangular opening 311 provided in the strip-shaped mask 310, the moving direction D2 of the evaporation source 413, and the longitudinal direction D3 of the strip-shaped mask 310 on the effect of suppressing film blur. The result of having considered about is demonstrated.
蒸発源413は、基板200の主面に対して平行かつ直線的に移動するように構成され
る。つまり、蒸発源413は、短冊状マスク310の表面に平行かつ直線的に移動するように構成される。また、蒸発源413については、実施例1に係る蒸着装置10が用いられた場合には鉛直方向に移動し、実施例2に係る蒸着装置10Aが用いられた場合には水平方向に移動する。従って、開口部311の長手方向D1と短冊状マスク310の長手方向D3についても、鉛直方向に向くか、水平方向に向くかの2通りが考えられる。従って、上記の3種類の方向D1,D2,D3は、いずれも鉛直方向か水平方向の2通りとなるため、これらの組み合わせは合計8通り考えられる。
The evaporation source 413 is configured to move in parallel and linearly with respect to the main surface of the substrate 200. That is, the evaporation source 413 is configured to move in parallel and linearly with the surface of the strip-shaped mask 310. The evaporation source 413 moves in the vertical direction when the vapor deposition apparatus 10 according to the first embodiment is used, and moves in the horizontal direction when the vapor deposition apparatus 10A according to the second embodiment is used. Accordingly, the longitudinal direction D1 of the opening 311 and the longitudinal direction D3 of the strip-shaped mask 310 are also considered to be two directions, that is, the vertical direction or the horizontal direction. Therefore, since the above three types of directions D1, D2, and D3 are all in the vertical direction or the horizontal direction, there are a total of eight possible combinations.
次に、各部の方向の組み合わせ条件について、それぞれ膜ボケの抑制効果に与える影響の考察結果を説明する。 Next, discussion will be made on the result of consideration of the influence of the combination conditions of the directions of the respective parts on the effect of suppressing film blur.
<<条件1>>
矩形状の開口部311の長手方向D1と、蒸発源413の移動方向D2との関係が、膜ボケの抑制効果に与える影響についての考察結果について、図13及び図14を参照して説明する。図13は開口部と蒸発源との位置関係に伴う成膜の精度についての説明図であり、図14は開口部の長手方向と蒸発源の移動方向との関係を示す説明図である。
<< Condition 1 >>
The consideration result about the influence which the relationship between the longitudinal direction D1 of the rectangular opening part 311 and the moving direction D2 of the evaporation source 413 has on the suppression effect of film | membrane blur is demonstrated with reference to FIG.13 and FIG.14. FIG. 13 is an explanatory diagram regarding the accuracy of film formation associated with the positional relationship between the opening and the evaporation source, and FIG. 14 is an explanatory diagram showing the relationship between the longitudinal direction of the opening and the moving direction of the evaporation source.
基板200とマスク300は、互いに密接することが望ましい。しかしながら、一般的には、各構成の自重による変形などによって、図13に示すように、基板200とマスク300との間には微小な隙間Sが生じてしまう。従って、基板200の主面の面方向において、蒸発源の位置が、マスク300に形成されている開口部311から離れているほど、膜ボケが生じ易い。すなわち、図13中、開口部311から比較的近い距離に位置する蒸発源413Aから開口部311を通って基板200の主面に向かって噴射される材料の入射角度よりも、開口部311から比較的遠い距離に位置する蒸発源413Bから開口部311を通って基板200の主面に向かって噴射される材料の入射角度の方が小さくなる。前者の場合には、所望の位置よりも図13中T1だけ、成膜位置の位置ずれが発生し得るのに対して、後者の場合には、所望の位置よりも図13中T2(T2>T1)だけ、成膜位置の位置ずれが発生し得る。従って、後者の方が、膜厚が不安定になり易く、膜ボケが生じ易い。 It is desirable that the substrate 200 and the mask 300 are in close contact with each other. However, generally, due to the deformation of each component due to its own weight, a minute gap S is generated between the substrate 200 and the mask 300 as shown in FIG. Therefore, the more the position of the evaporation source is away from the opening 311 formed in the mask 300 in the surface direction of the main surface of the substrate 200, the more easily film blurring occurs. That is, in FIG. 13, the comparison is made from the opening 311 than the incident angle of the material injected from the evaporation source 413A located at a relatively close distance from the opening 311 through the opening 311 toward the main surface of the substrate 200. The incident angle of the material ejected from the evaporation source 413B located at a far distance through the opening 311 toward the main surface of the substrate 200 becomes smaller. In the former case, the film position can be displaced by T1 in FIG. 13 from the desired position, whereas in the latter case, T2 in FIG. 13 (T2> Only at T1), the film position can be displaced. Therefore, in the latter case, the film thickness tends to be unstable, and film blurring tends to occur.
ここで、基板200には、開口部311の形状及び寸法に応じた矩形の膜が形成される。基板200に形成される矩形の膜については、長手方向の寸法精度よりも短手方向の寸法精度を高めることが重要な場合が多い。この点について、上記のディスプレイ装置などに用いられる有機ELの場合を例にして説明する。上記の通り、基板200Xには、赤の画素用の有機膜Rと、緑の画素用の有機膜Gと、青の画素用の有機膜Bとが並べて形成される。そして、これらの有機膜R,G,Bは短手方向が隣り合うように、基板200Xに形成される。従って、これら有機膜R,G,Bの短手方向の寸法精度が低いと、ディスプレイ装置などにおいては、混色が発生したり、輝度が低下してしまったりする現象が生じてしまう。これに対して、有機膜R,G,Bの長手方向の寸法精度が低下しても、そのような問題は殆ど発生しない。 Here, a rectangular film corresponding to the shape and size of the opening 311 is formed on the substrate 200. For the rectangular film formed on the substrate 200, it is often important to increase the dimensional accuracy in the short direction rather than the dimensional accuracy in the longitudinal direction. This point will be described by taking as an example the case of an organic EL used in the above display device or the like. As described above, the organic film R for red pixels, the organic film G for green pixels, and the organic film B for blue pixels are formed side by side on the substrate 200X. These organic films R, G, and B are formed on the substrate 200X so that the lateral direction is adjacent. Therefore, if the dimensional accuracy in the short direction of these organic films R, G, B is low, colors may be mixed or the brightness may be lowered in a display device or the like. On the other hand, even if the dimensional accuracy in the longitudinal direction of the organic films R, G, B decreases, such a problem hardly occurs.
以上より、矩形状の開口部311の長手方向D1と、蒸発源413の移動方向D2とを一致させる(この場合を「条件1」とする)のが望ましいと考えられる。この点について、図14を参照して、より詳細に説明する。図14(a)は条件1を満たす場合を示し、図14(b)は条件1を満たさない場合(矩形状の開口部311の長手方向D1と、蒸発源413の移動方向D2が直交する場合)を示している。上記実施例1,2の説明から分かるように、蒸発源413の移動範囲Fは、短冊状マスク310の長手方向よりも広い範囲となる。そのため、例えば、図14(b)中、移動範囲Fの最も端に位置する蒸発源ユニット410cから最も離れた位置にある開口部311Xまでの距離は大分長くなる。そのため、この開口部311Xを通って基板200に噴射される材料により形成される矩形
状の有機膜については、短手方向の寸法精度が低下してしまう。これに対して、条件1を満たす場合には、図14(a)中、移動範囲Fの最も端に位置する蒸発源ユニット410cから最も離れた位置にある開口部311Yまでの距離は大分長くなる。しかしながら、この開口部311Yを通って基板200に噴射される材料により形成される矩形状の有機膜については、短手方向の寸法精度に影響することは殆どない。従って、条件1を満たす方が、膜ボケが生じ難いと考えられる。また、開口部311の長手方向311に沿って、蒸発源413を移動させた方が、開口部311の長手方向311に対して垂直に横切るように蒸発源413を移動させる場合に比べて、膜厚を一定にすることができる。このような観点からも、条件1を満たす方が、膜ボケが生じ難い。
From the above, it is considered desirable to make the longitudinal direction D1 of the rectangular opening 311 coincide with the movement direction D2 of the evaporation source 413 (this case is referred to as “condition 1”). This point will be described in more detail with reference to FIG. 14A shows a case where the condition 1 is satisfied, and FIG. 14B shows a case where the condition 1 is not satisfied (when the longitudinal direction D1 of the rectangular opening 311 and the moving direction D2 of the evaporation source 413 are orthogonal to each other). ). As can be seen from the description of Examples 1 and 2, the moving range F of the evaporation source 413 is wider than the longitudinal direction of the strip mask 310. Therefore, for example, in FIG. 14B, the distance to the opening 311 </ b> X located farthest from the evaporation source unit 410 c located at the extreme end of the movement range F is considerably long. For this reason, the dimensional accuracy in the short-side direction of the rectangular organic film formed of the material sprayed onto the substrate 200 through the opening 311X is lowered. On the other hand, when the condition 1 is satisfied, the distance to the opening 311Y located farthest from the evaporation source unit 410c located at the end of the movement range F in FIG. . However, the rectangular organic film formed of the material injected onto the substrate 200 through the opening 311Y hardly affects the dimensional accuracy in the short direction. Therefore, it is considered that film blurring is less likely to occur when the condition 1 is satisfied. In addition, when the evaporation source 413 is moved along the longitudinal direction 311 of the opening 311, compared to when the evaporation source 413 is moved so as to cross perpendicularly to the longitudinal direction 311 of the opening 311, the film The thickness can be made constant. From this point of view, film blurring is less likely to occur when the condition 1 is satisfied.
<<条件2>>
矩形状の開口部311の長手方向D1と、短冊状マスク310の長手方向D3との関係が、膜ボケの抑制効果に与える影響についての考察結果について、図15を参照して説明する。図15は開口部の長手方向と短冊状マスクの長手方向との関係を示す説明図である。
<< Condition 2 >>
With reference to FIG. 15, description will be given of a result of a study on the influence of the relationship between the longitudinal direction D1 of the rectangular opening 311 and the longitudinal direction D3 of the strip mask 310 on the effect of suppressing film blur. FIG. 15 is an explanatory diagram showing the relationship between the longitudinal direction of the opening and the longitudinal direction of the strip-shaped mask.
上記のマスク位置決め機構の中で説明した通り、短冊状マスク310は、短冊状マスク310の長手方向に引っ張られた状態で、その両端がそれぞれマスクフレーム320に溶接などにより固定される。そのため、短冊状マスク310に形成されている複数の開口部311にも引っ張り力の影響が生じ得る。矩形の開口部311に対して長手方向に引っ張り力が作用しても開口部311は変形し難いのに対して、短手方向に引っ張り力が作用した場合には開口部311は変形し易い。 As described in the above mask positioning mechanism, the strip-shaped mask 310 is fixed to the mask frame 320 by welding or the like while being pulled in the longitudinal direction of the strip-shaped mask 310. Therefore, the influence of the tensile force can also occur on the plurality of openings 311 formed in the strip mask 310. The opening 311 is not easily deformed even when a tensile force is applied to the rectangular opening 311 in the longitudinal direction, whereas the opening 311 is easily deformed when a pulling force is applied in the short direction.
以上より、矩形状の開口部311の長手方向D1と、短冊状マスク310の長手方向D3とを一致させる(この場合を「条件2」とする)のが望ましいと考えられる。図15(a)は条件2を満たす場合を示し、図15(b)は条件2を満たさない場合(矩形状の開口部311の長手方向D1と、短冊状マスク310の長手方向D3が直交する場合)を示している。図15(b)中、開口部311の一部を拡大した図に示すように、条件2を満たさない場合には、開口部311を比較的大きく変形してしまうおそれがある。従って、条件2を満たす方が、膜ボケが生じ難いと考えられる。 From the above, it is considered desirable to make the longitudinal direction D1 of the rectangular opening 311 coincide with the longitudinal direction D3 of the strip mask 310 (this case is referred to as “condition 2”). 15A shows a case where the condition 2 is satisfied, and FIG. 15B shows a case where the condition 2 is not satisfied (the longitudinal direction D1 of the rectangular opening 311 and the longitudinal direction D3 of the strip-shaped mask 310 are orthogonal to each other. Case). As shown in the enlarged view of a part of the opening 311 in FIG. 15B, when the condition 2 is not satisfied, the opening 311 may be deformed relatively large. Therefore, it is considered that film blurring is less likely to occur when the condition 2 is satisfied.
<<条件3>>
短冊状マスク310の長手方向D3と鉛直方向との関係が、膜ボケの抑制効果に与える影響についての考察結果について、図16を参照して説明する。図16は短冊状マスクの長手方向と鉛直方向との関係を示す説明図である。
<< Condition 3 >>
A consideration result of the influence of the relationship between the longitudinal direction D3 of the strip-shaped mask 310 and the vertical direction on the effect of suppressing film blur will be described with reference to FIG. FIG. 16 is an explanatory diagram showing the relationship between the longitudinal direction of the strip-shaped mask and the vertical direction.
短冊状マスク310は、その自重の影響により変形してしまうおそれがある。従って、短冊状マスク310の長手方向D3と、鉛直方向とを一致させる(この場合を「条件3」とする)のが望ましいと考えられる。図16(a)は条件3を満たす場合を示し、図16(b)は条件3を満たさない場合(短冊状マスク310の長手方向D3と、水平方向とが一致する場合)を示している。 The strip-shaped mask 310 may be deformed due to its own weight. Therefore, it is considered desirable to make the longitudinal direction D3 of the strip-shaped mask 310 coincide with the vertical direction (this case is referred to as “condition 3”). FIG. 16A shows a case where the condition 3 is satisfied, and FIG. 16B shows a case where the condition 3 is not satisfied (when the longitudinal direction D3 of the strip mask 310 coincides with the horizontal direction).
条件3を満たす場合には、短冊状マスク310は、その自重による変形量は小さい。これに対して、条件3を満たさない場合には、短冊状マスク310は、その中央付近が自重(矢印G参照)により鉛直方向下方に向かって突き出すように変形してしまう。これにより、この短冊状マスク310に形成されている開口部311も変形してしまうため、膜ボケが生じ易いと考えられる。従って、条件3を満たす方が、膜ボケが生じ難いと考えられる。 When the condition 3 is satisfied, the strip mask 310 has a small deformation amount due to its own weight. In contrast, when the condition 3 is not satisfied, the strip-shaped mask 310 is deformed so that the vicinity of the center protrudes downward in the vertical direction due to its own weight (see arrow G). Accordingly, the opening 311 formed in the strip-shaped mask 310 is also deformed, so that it is considered that film blurring is likely to occur. Therefore, it is considered that film blurring is less likely to occur when the condition 3 is satisfied.
<<条件4>>
短冊状マスク310の長手方向D3と、蒸発源413の移動方向D2との関係が、膜ボケの抑制効果に与える影響についての考察結果について、図17を参照して説明する。図17は短冊状マスクの長手方向と蒸発源の移動方向との関係を示す説明図である。
<< Condition 4 >>
The consideration result about the influence which the relationship between the longitudinal direction D3 of the strip-shaped mask 310 and the moving direction D2 of the evaporation source 413 has on the suppression effect of film | membrane blur is demonstrated with reference to FIG. FIG. 17 is an explanatory diagram showing the relationship between the longitudinal direction of the strip mask and the moving direction of the evaporation source.
蒸発源413は発熱するため、短冊状マスク310は蒸発源413によって加熱される。そのため、短冊状マスク310の一部が局所的に加熱されてしまうと、短冊状マスク310が湾曲するように変形してしまい、膜ボケが生じ易くなってしまう。従って、短冊状マスク310の長手方向D3と、蒸発源413の移動方向D2とを垂直にする(この場合を「条件4」とする)のが望ましいと考えられる。つまり、基板200の主面と平行、かつ短冊状マスク310の長手方向D3に対して垂直方向に、蒸発源ユニット410(短冊状マスク310の長手方向D3に並ぶ列を作るように複数設けられた蒸発源413)を移動させながら成膜を施すのが望ましいと考えられる。 Since the evaporation source 413 generates heat, the strip mask 310 is heated by the evaporation source 413. Therefore, when a part of the strip-shaped mask 310 is locally heated, the strip-shaped mask 310 is deformed so as to be curved, and film blurring is likely to occur. Therefore, it is considered desirable to make the longitudinal direction D3 of the strip-shaped mask 310 perpendicular to the moving direction D2 of the evaporation source 413 (this case is referred to as “condition 4”). That is, a plurality of evaporation source units 410 (a plurality of rows arranged in the longitudinal direction D3 of the strip-shaped mask 310 are formed in parallel to the main surface of the substrate 200 and perpendicular to the longitudinal direction D3 of the strip-shaped mask 310. It may be desirable to form the film while moving the evaporation source 413).
これにより、短冊状マスク310は、その長手方向D3の全体が、一様に蒸発源413によって加熱されるため、短冊状マスク310の一部が局所的に加熱されてしまうことが抑制される。そのため、短冊状マスク310が湾曲するように変形してしまうことが抑制される。これに対して、短冊状マスク310の長手方向D3と、蒸発源413の移動方向D2とを一致させると、短冊状マスク310は、一端側から他端側に向かって、蒸発源413により加熱される箇所が移動することになる。これにより、短冊状マスク310は、一部が局所的に加熱されてしまい、湾曲するように変形してしまうおそれがある。従って、条件4を満たす方が、膜ボケが生じ難いと考えられる。 Thereby, since the whole of the longitudinal direction D3 of the strip-shaped mask 310 is uniformly heated by the evaporation source 413, it is suppressed that a part of strip-shaped mask 310 is heated locally. Therefore, deformation of the strip-shaped mask 310 so as to be curved is suppressed. On the other hand, when the longitudinal direction D3 of the strip-shaped mask 310 and the moving direction D2 of the evaporation source 413 are matched, the strip-shaped mask 310 is heated by the evaporation source 413 from one end side to the other end side. Will move. Thereby, a part of the strip-shaped mask 310 is locally heated and may be deformed to be curved. Therefore, it is considered that film blurring is less likely to occur when the condition 4 is satisfied.
<<総合的な考察結果>>
図18を参照して、総合的な考察結果について説明する。図18は、矩形状の開口部311の長手方向D1と、蒸発源413の移動方向D2と、短冊状マスク310の長手方向D3が、それぞれ鉛直方向であるか水平方向であるかについてと、条件1〜条件4を満たすか否かをまとめた表である。なお、条件を満たすケースについては○を記入し、条件を満たさないケースについては×を記入している。また、ケース1〜8については、条件1,条件2,条件3の順に優先順位を重みづけして、優先順位の高い順に並べている。そして、判定については、条件1〜条件4のうち、2つ以上の条件を満たすケースについては、合格(OK)とした。その結果、ケース7とケース8は不合格(NG)となった。
<< Comprehensive consideration results >>
A comprehensive consideration result will be described with reference to FIG. FIG. 18 shows whether the longitudinal direction D1 of the rectangular opening 311, the moving direction D2 of the evaporation source 413, and the longitudinal direction D3 of the strip-shaped mask 310 are each a vertical direction or a horizontal direction. 1 is a table summarizing whether or not conditions 1 to 4 are satisfied. Note that a circle is entered for cases that satisfy the conditions, and a cross is entered for cases that do not satisfy the conditions. Cases 1 to 8 are weighted in the order of condition 1, condition 2 and condition 3, and are arranged in order of priority. And about the determination, it was set as the pass (OK) about the case which satisfy | fills two or more conditions among the conditions 1-4. As a result, Case 7 and Case 8 were rejected (NG).
10,10A…蒸着装置,200…基板,300…マスク,310…短冊状マスク,311…開口部,400…蒸発源装置,410…蒸発源ユニット,413…蒸発源 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,10A ... Vapor deposition apparatus, 200 ... Substrate, 300 ... Mask, 310 ... Strip-shaped mask, 311 ... Opening, 400 ... Evaporation source apparatus, 410 ... Evaporation source unit, 413 ... Evaporation source
Claims (10)
複数の前記開口部は、いずれも矩形状の開口により構成されており、
成膜を行う際には、前記開口部の長手方向と一致する方向に、前記蒸発源を移動させることを特徴とする蒸着方法。 The substrate is positioned in an upright state, and a plurality of strip-shaped masks are arranged on the main surface side of the substrate, and a plurality of the strips are formed by an evaporation source that moves relative to the substrate and the mask. A vapor deposition method for forming a film on the main surface of the substrate through a plurality of openings formed in the mask,
Each of the plurality of openings is configured by a rectangular opening,
An evaporation method characterized by moving the evaporation source in a direction coinciding with the longitudinal direction of the opening when forming a film.
前記蒸発源を前記短冊状マスクの長手方向に並ぶ列を作るように複数設けると共に、前記基板の主面と平行、かつ前記短冊状マスクの長手方向に対して垂直方向に、複数の前記蒸発源を移動させながら成膜を施すことを特徴とする蒸着方法。 The substrate is positioned in an upright state, and a plurality of strip-shaped masks are arranged on the main surface side of the substrate, and a plurality of the strips are formed by an evaporation source that moves relative to the substrate and the mask. A vapor deposition method for forming a film on the main surface of the substrate through a plurality of openings formed in the mask,
A plurality of the evaporation sources are provided so as to form a row aligned in the longitudinal direction of the strip-shaped mask, and a plurality of the evaporation sources are parallel to the main surface of the substrate and perpendicular to the longitudinal direction of the strip-shaped mask. A vapor deposition method characterized in that film formation is performed while moving the film.
請求項1〜4のいずれか一つに記載の蒸着方法を用いて、前記基板上に有機膜を形成させる工程と、
を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。 Transporting the substrate and mask into a chamber provided with an evaporation source;
A step of forming an organic film on the substrate using the vapor deposition method according to claim 1;
A method for manufacturing an electronic device, comprising:
前記基板位置決め機構により位置決めされた基板における主面側に複数の短冊状マスクにより構成されるマスクを配置させるマスク位置決め機構と、
前記基板位置決め機構により位置決めされた基板の主面と平行、かつ直線的に蒸発源を移動させる蒸発源移動機構と、
を備え、
前記蒸発源移動機構により前記蒸発源を移動させながら、複数の前記短冊状マスクにそれぞれ形成されている複数の開口部を介して前記基板の主面に成膜を施す蒸着装置であって、
複数の前記開口部は、いずれも矩形状の開口により構成されると共に、
前記蒸発源移動機構による前記蒸発源の移動方向は、前記開口部の長手方向と一致することを特徴とする蒸着装置。 A substrate positioning mechanism for positioning the substrate in an upright state;
A mask positioning mechanism for arranging a mask composed of a plurality of strip-shaped masks on the main surface side of the substrate positioned by the substrate positioning mechanism;
An evaporation source moving mechanism for moving the evaporation source in parallel and linearly with the main surface of the substrate positioned by the substrate positioning mechanism;
With
A deposition apparatus that deposits a film on a main surface of the substrate through a plurality of openings formed in the plurality of strip-shaped masks while moving the evaporation source by the evaporation source moving mechanism;
The plurality of openings are all configured by rectangular openings,
The evaporation apparatus according to claim 1, wherein a moving direction of the evaporation source by the evaporation source moving mechanism coincides with a longitudinal direction of the opening.
前記基板位置決め機構により位置決めされた基板における主面側に複数の短冊状マスク
により構成されるマスクを配置させるマスク位置決め機構と、
前記基板位置決め機構により位置決めされた基板の主面と平行、かつ直線的に蒸発源を移動させる蒸発源移動機構と、
を備え、
前記蒸発源移動機構により前記蒸発源を移動させながら、複数の前記短冊状マスクにそれぞれ形成されている複数の開口部を介して前記基板の主面に成膜を施す蒸着装置であって、
前記蒸発源は、前記短冊状マスクの長手方向に並ぶ列を作るように複数設けられると共に、
前記蒸発源移動機構により複数の前記蒸発源が移動する方向は、前記短冊状マスクの長手方向に対して垂直方向であることを特徴とする蒸着装置。 A substrate positioning mechanism for positioning the substrate in an upright state;
A mask positioning mechanism for arranging a mask composed of a plurality of strip-shaped masks on the main surface side of the substrate positioned by the substrate positioning mechanism;
An evaporation source moving mechanism for moving the evaporation source in parallel and linearly with the main surface of the substrate positioned by the substrate positioning mechanism;
With
A deposition apparatus that deposits a film on a main surface of the substrate through a plurality of openings formed in the plurality of strip-shaped masks while moving the evaporation source by the evaporation source moving mechanism;
A plurality of the evaporation sources are provided so as to form a row aligned in the longitudinal direction of the strip mask,
The direction in which the plurality of evaporation sources move by the evaporation source moving mechanism is a direction perpendicular to the longitudinal direction of the strip mask.
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