JP2014098195A - Thin film pattern formation method, alignment device, and vapor deposition device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、複数の開口パターンを形成した樹脂製フィルムと該フィルムを支持する磁性金属部材とを密接させた複合型の蒸着マスクを使用して蒸着する薄膜パターン形成方法に関し、特に薄膜パターンの形成位置精度を向上し得る薄膜パターン形成方法及びアライメント装置並びに蒸着装置に係るものである。 The present invention relates to a method for forming a thin film pattern using a composite type deposition mask in which a resin film having a plurality of opening patterns formed thereon and a magnetic metal member supporting the film are brought into close contact with each other. The present invention relates to a thin film pattern forming method, an alignment apparatus, and a vapor deposition apparatus that can improve positional accuracy.
従来の薄膜パターン形成方法は、貫通する複数の開口パターンを形成した金属板を金属フレームに溶接したメタルマスクを使用し、上記開口パターンを通して蒸着物質を基板に蒸着し、薄膜パターンを形成するようになっていた（例えば、特許文献１参照）。 A conventional thin film pattern forming method uses a metal mask in which a metal plate having a plurality of opening patterns penetrating it is welded to a metal frame, and deposits a deposition material on the substrate through the opening pattern to form a thin film pattern. (For example, refer to Patent Document 1).
しかし、このような従来の薄膜パターン形成方法においては、メタルマスクを使用していたので、金属板をエッチング処理して該金属板に貫通する複数の開口パターンを形成するメタルマスクでは、エッチングむらにより高精細な開口パターンの形成位置精度を高精度に確保するのが困難であった。特に、マスクの面積が大きくなるほどマスク全面に亘って均一な開口パターンを形成するのが困難であった。 However, in such a conventional thin film pattern forming method, a metal mask is used. Therefore, in the metal mask that forms a plurality of opening patterns penetrating the metal plate by etching, the etching is uneven. It has been difficult to ensure high-precision opening pattern formation position accuracy. In particular, as the mask area increases, it is difficult to form a uniform opening pattern over the entire mask surface.
また、上記メタルマスクは、開口パターンのピッチが崩れないように金属板にテンションをかけながらフレームに溶接していたので、マスクの面積が大きくなると加えるテンションも大きくなり、金属板が延びて開口パターンの位置がずれるおそれがあたった。したがって、例えば一辺の長さが数１０ｃｍ以上の大面積の有機ＥＬ表示パネルを製造することが難しかった。 In addition, since the metal mask was welded to the frame while applying tension to the metal plate so that the pitch of the opening pattern did not collapse, the applied tension increased as the mask area increased, and the metal plate extended to open the opening pattern. There was a risk that the position of would shift. Therefore, for example, it has been difficult to manufacture a large-area organic EL display panel having a side length of several tens of centimeters or more.
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、薄膜パターンの形成位置精度を向上し得る薄膜パターン形成方法及びアライメント装置並びに蒸着装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a thin film pattern forming method, an alignment apparatus, and a vapor deposition apparatus that can cope with such problems and improve the formation position accuracy of the thin film pattern.
上記目的を達成するために、第１の発明による薄膜パターン形成方法は、開口パターンを形成した樹脂製のフィルムと、前記開口パターンの少なくとも１つを内包する大きさの貫通孔を設けた磁性金属部材とを密接させた蒸着マスクを使用して行なう薄膜パターン形成方法であって、前記蒸着マスクの両端部を支持して該蒸着マスクを基板の上方に対向配置するステップと、前記蒸着マスクの前記支持された一端部を下降させて前記基板の一端部側に近づけた後、前記蒸着マスクの他端部を徐々に下降させて、前記蒸着マスクを前記基板の一端部側から他端部側まで順繰りに密接させるステップと、前記蒸着マスクを前記基板の表面に平行な面内で移動させて前記蒸着マスクと前記基板とのアライメントを取るステップと、前記基板の裏面側から前記蒸着マスクの前記磁性金属部材に静磁界を作用させて、磁力により前記蒸着マスクを前記基板表面に密着固定するステップと、前記蒸着マスク側から蒸着して前記基板表面に前記開口パターンと形状寸法の同じ薄膜パターンを形成するステップと、を含むものである。 In order to achieve the above object, a thin film pattern forming method according to a first aspect of the present invention is a magnetic metal provided with a resin film having an opening pattern and a through-hole having a size including at least one of the opening patterns. A method of forming a thin film pattern using a vapor deposition mask in close contact with a member, the step of supporting both ends of the vapor deposition mask and disposing the vapor deposition mask above a substrate; and After the supported one end is lowered to approach one end of the substrate, the other end of the deposition mask is gradually lowered to move the deposition mask from one end to the other end of the substrate. Bringing the vapor deposition mask into alignment with the vapor deposition mask and the substrate by moving the vapor deposition mask in a plane parallel to the surface of the substrate; Applying a static magnetic field to the magnetic metal member of the vapor deposition mask and fixing the vapor deposition mask to the substrate surface by magnetic force; and vapor-depositing from the vapor deposition mask side to form the opening pattern and shape on the substrate surface Forming a thin film pattern having the same dimensions.
また、第２の発明によるアライメント装置は、上記第１の発明による薄膜パターン形成方法に使用するアライメント装置であって、前記基板を保持する基板ホルダーと、前記基板ホルダーの上方に設けられ、前記蒸着マスクの両端部を支持すると共に、夫々個別に上下動及び前記基板ホルダーの上面に平行な面内を移動可能に形成されて前記基板と前記蒸着マスクとのアライメントを取るアライメント手段と、前記基板ホルダーに内蔵され、アライメントが取られて前記基板に密接された前記蒸着マスクの前記磁性金属部材に静磁界を作用させて、磁力により前記蒸着マスクを前記基板表面に密着固定する静磁界発生手段と、を備えて構成され、前記アライメント手段は、前記蒸着マスクの前記支持された一端部を下降させて前記基板の一端部側に近づけた後、前記蒸着マスクの他端部を徐々に下降させて、前記蒸着マスクを前記基板の一端部側から他端部側まで順繰りに密接させるものである。 An alignment apparatus according to a second aspect of the invention is an alignment apparatus used in the thin film pattern forming method according to the first aspect of the invention, and is provided above a substrate holder for holding the substrate and the substrate holder. Alignment means for supporting both ends of the mask and individually moving up and down and moving in a plane parallel to the upper surface of the substrate holder to align the substrate and the vapor deposition mask, and the substrate holder A static magnetic field generating means configured to cause a static magnetic field to act on the magnetic metal member of the vapor deposition mask that is incorporated and aligned and is in intimate contact with the substrate, and to adhere and fix the vapor deposition mask to the surface of the substrate by magnetic force; The alignment means lowers the supported one end of the vapor deposition mask to end one end of the substrate. After close to a side, the gradually lower the other end of the vapor deposition mask is the deposition mask that is closely in sequence from one end of the substrate to the other end.
そして、第３の発明による蒸着装置は、上記第２の発明によるアライメント装置を蒸着源に対向させて着脱可能に備えたものである。 And the vapor deposition apparatus by 3rd invention equips the alignment apparatus by said 2nd invention with the vapor deposition source so that attachment or detachment is possible.
本発明によれば、基板表面に対して、複数の開口パターンを形成した樹脂製フィルムと該フィルムを支持する磁性金属部材とを密接させた複合型の蒸着マスクを、その一端部側から他端部側に順繰りに密接させることにより、蒸着マスクにテンションをかけることなく蒸着マスクを基板表面に密接させることができる。したがって、複数の開口パターンの配列ピッチは維持され、薄膜パターンを位置精度よく形成することができる。 According to the present invention, a composite-type vapor deposition mask in which a resin film having a plurality of opening patterns formed thereon and a magnetic metal member supporting the film are brought into close contact with the substrate surface from one end side to the other end. By sequentially bringing them into close contact with the part side, the deposition mask can be brought into close contact with the substrate surface without applying tension to the deposition mask. Therefore, the arrangement pitch of the plurality of opening patterns is maintained, and the thin film pattern can be formed with high positional accuracy.
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明による薄膜パターン形成方法の実施形態を示すフローチャートである。この薄膜パターン形成方法は、複数の開口パターンを形成した樹脂製フィルムと該フィルムを支持する磁性金属部材とを密接させた複合型の蒸着マスクを使用して蒸着し、薄膜パターンを形成するもので、蒸着マスクを基板の上方に対向配置するステップＳ１と、蒸着マスクを基板に密接させるステップＳ２と、蒸着マスクと基板とのアライメントをとるステップＳ３と、蒸着マスクを基板表面に密着固定するステップＳ４と、蒸着して薄膜パターンを形成するステップＳ５と、基板表面から蒸着マスクを剥離するステップＳ６と、を含むものである。 Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a flowchart showing an embodiment of a thin film pattern forming method according to the present invention. In this thin film pattern forming method, a thin film pattern is formed by vapor deposition using a composite type vapor deposition mask in which a resin film having a plurality of opening patterns formed thereon and a magnetic metal member supporting the film are brought into close contact with each other. Step S1 in which the vapor deposition mask is disposed above the substrate, Step S2 in which the vapor deposition mask is in close contact with the substrate, Step S3 in which the vapor deposition mask and the substrate are aligned, and Step S4 in which the vapor deposition mask is closely fixed to the substrate surface. And step S5 for forming a thin film pattern by vapor deposition and step S6 for peeling the vapor deposition mask from the substrate surface.
なお、ここでは、一例として基板が複数の有機ＥＬ表示パネルを一列に並べて配置すると共に、複数列備えた多面付け基板である場合について説明する。この場合、基板の各有機ＥＬ表示パネル列のパネルの並び方向両端部には、後述の単位蒸着マスクとアライメントをとるための基板側アライメントマークが設けられている。 Here, as an example, a case will be described in which the substrate is a multi-sided substrate provided with a plurality of rows of organic EL display panels arranged in a row. In this case, substrate-side alignment marks for alignment with unit vapor deposition masks to be described later are provided at both ends of the organic EL display panel row of the substrate in the arrangement direction of the panels.
また、使用する蒸着マスクは、開口パターンを形成した樹脂製のフィルムと、開口パターンの少なくとも１つを内包する大きさの貫通孔を設けた磁性金属部材とを密接させた複合型の蒸着マスクであり、上記基板の有機ＥＬ表示パネル列に対応させて形成された細長い短冊状の複数の単位蒸着マスクを有機ＥＬ表示パネル列と同数だけ並設したものである。そして、各単位蒸着マスクの長手方向の両端部には、夫々、基板に予め設けられた基板側アライメントマークに対応させてマスク側アライメントマークが形成されている。 The vapor deposition mask to be used is a composite type vapor deposition mask in which a resin film having an opening pattern and a magnetic metal member provided with a through-hole having a size including at least one of the opening patterns are in close contact with each other. There are a plurality of elongated strip-shaped unit vapor deposition masks formed corresponding to the organic EL display panel rows of the substrate in parallel with the organic EL display panel rows. And the mask side alignment mark is formed in the both ends of the longitudinal direction of each unit vapor deposition mask corresponding to the substrate side alignment mark previously provided in the board | substrate, respectively.
先ず、ステップＳ１においては、蒸着マスクの両端部を支持して該蒸着マスクを基板の上方に対向配置する。詳細には、図２に示すように、基板３を保持する基板ホルダー２と、基板ホルダー２の上方に設けられ、蒸着マスク７の両端部を支持すると共に、夫々個別に上下動及び基板ホルダー２の上面に平行な面内を移動可能に形成されて基板３と蒸着マスク７とのアライメントを取るアライメント手段４Ａ，４Ｂと、基板ホルダー２に内蔵され、アライメントが取られて基板３に密接された蒸着マスク７の磁性金属部材に静磁界を作用させて、磁力により蒸着マスク７を基板３表面に密着固定する静磁界発生手段（例えば、永久磁石９）とを備えて構成されたアライメント装置１の上記基板ホルダー２上に、同図（ａ）に示すように基板３を載置する。次に、アライメント手段４Ａ，４Ｂの各支持部５（同図（ｂ）参照）により、各単位蒸着マスク６の両端部を支持した状態で、蒸着マスク７を上記基板３の上方に設置する。 First, in step S1, the vapor deposition mask is disposed above the substrate while supporting both end portions of the vapor deposition mask. Specifically, as shown in FIG. 2, the substrate holder 2 that holds the substrate 3 and the substrate holder 2 are provided above the substrate holder 2 to support both end portions of the vapor deposition mask 7, and the vertical movement and the substrate holder 2 are individually provided. Alignment means 4A and 4B which are formed so as to be movable in a plane parallel to the upper surface of the substrate and align the substrate 3 and the vapor deposition mask 7, and are incorporated in the substrate holder 2, and are aligned and brought into close contact with the substrate 3. The alignment apparatus 1 includes a static magnetic field generating means (for example, a permanent magnet 9) configured to cause a static magnetic field to act on the magnetic metal member of the vapor deposition mask 7 and to adhere and fix the vapor deposition mask 7 to the surface of the substrate 3 by magnetic force. A substrate 3 is placed on the substrate holder 2 as shown in FIG. Next, the vapor deposition mask 7 is installed above the substrate 3 in a state where both ends of each unit vapor deposition mask 6 are supported by the support portions 5 (see FIG. 5B) of the alignment means 4A and 4B.
ステップＳ２においては、図２（ｂ）に示すように、複数の単位蒸着マスク６のアライメント手段４Ａにより支持された一端部（同図において左端部）を下降させて基板３の一端部側に近づけた後、複数の単位蒸着マスク６のアライメント手段４Ｂにより支持された他端部（同図において右端部）を徐々に下降させて、複数の単位蒸着マスク６を基板３の一端部側から他端部側まで順繰りに密接させる。 In step S2, as shown in FIG. 2 (b), one end portion (left end portion in the figure) supported by the alignment means 4A of the plurality of unit vapor deposition masks 6 is lowered to approach one end portion side of the substrate 3. After that, the other end portion (the right end portion in the figure) supported by the alignment means 4B of the plurality of unit vapor deposition masks 6 is gradually lowered to move the plurality of unit vapor deposition masks 6 from the one end side of the substrate 3 to the other end. Close to the department side in order.
ステップＳ３においては、図３（ａ）に示すように、複数の単位蒸着マスク６が基板３上の対応する有機ＥＬ表示パネル８の列上に密接されると、別に設けた図示省略の顕微鏡により基板３に予め設けられた基板側アライメントマーク及び単位蒸着マスク６に予め設けられたマスク側アライメントマークとを同一視野内に捕らえて、対応する基板側アライメントマークとマスク側アライメントマークとが一定の位置関係となるように（例えば両マークの中心位置が合致するように）、アライメント手段４Ａ，４Ｂの各支持部５を夫々個別に基板ホルダー２の上面に平行な面内を二次元方向に微動し、基板３と蒸着マスク７とのアライメントを取る。 In step S3, as shown in FIG. 3A, when the plurality of unit vapor deposition masks 6 are brought into close contact with the corresponding row of the organic EL display panels 8 on the substrate 3, a separate microscope (not shown) is provided. A substrate-side alignment mark provided in advance on the substrate 3 and a mask-side alignment mark provided in advance on the unit vapor deposition mask 6 are captured within the same field of view, and the corresponding substrate-side alignment mark and mask-side alignment mark are located at a fixed position. In order to establish a relationship (for example, so that the center positions of both marks coincide), the support portions 5 of the alignment means 4A and 4B are individually finely moved in a two-dimensional direction in a plane parallel to the upper surface of the substrate holder 2. The substrate 3 and the vapor deposition mask 7 are aligned.
ステップＳ４においては、図３（ｂ）に示すように、アライメント装置１の静磁界発生手段としての永久磁石９を、矢印で示すように下方の待機位置から上昇させて各単位蒸着マスク６の磁性金属部材に対して静磁界を作用させ、同図（ｃ）に示すように磁力により磁性金属部材を吸着して各単位蒸着マスク６を基板３表面に密着固定する。 In step S4, as shown in FIG. 3B, the permanent magnet 9 as the static magnetic field generating means of the alignment apparatus 1 is raised from the lower standby position as shown by the arrow, and the magnetism of each unit vapor deposition mask 6 is increased. A static magnetic field is applied to the metal member, and the magnetic metal member is adsorbed by a magnetic force as shown in FIG.
ステップＳ５においては、蒸着マスク７と基板３とを密着固定して保持したアライメント装置１を蒸着装置のチャンバー内に設置する。この場合、蒸着装置は、蒸着マスク７面を蒸着源に対向させた状態で、蒸着源の上方にアライメント装置１を着脱可能に保持できるように構成されており、その他の部分は、従来の蒸着装置と同様の構成となっている。 In step S5, the alignment apparatus 1 that holds the vapor deposition mask 7 and the substrate 3 in close contact with each other is placed in the chamber of the vapor deposition apparatus. In this case, the vapor deposition apparatus is configured such that the alignment apparatus 1 can be detachably held above the vapor deposition source with the vapor deposition mask 7 faced to the vapor deposition source. It has the same configuration as the device.
アライメント装置１が蒸着装置のチャンバー内に設置されると、チャンバーが閉じられ、真空ポンプが起動されると共にゲートバルブが開かれてチャンバー内の真空引きが実行される。そして、チャンバー内の真空度が目標値に達すると、蒸着源が過熱されて蒸着材料（例えば、有機ＥＬ材料）が蒸発され、図４に示すように基板３に対する蒸着が実行される。なお、図４は、蒸着装置の上下を反転して示しており、同図の上側が蒸着装置の下側、即ち蒸着源側に対応する。 When the alignment apparatus 1 is installed in the chamber of the vapor deposition apparatus, the chamber is closed, the vacuum pump is activated, and the gate valve is opened to perform evacuation in the chamber. When the degree of vacuum in the chamber reaches the target value, the vapor deposition source is overheated, the vapor deposition material (for example, organic EL material) is evaporated, and vapor deposition on the substrate 3 is executed as shown in FIG. 4 shows the vapor deposition apparatus upside down, and the upper side of FIG. 4 corresponds to the lower side of the vapor deposition apparatus, that is, the vapor deposition source side.
蒸発した蒸着材料は、基板３に向かって飛翔し、蒸着マスク７に設けられた開口パターンを通過して基板３の各有機ＥＬ表示パネル８上の対応するアノード電極上に被着する。こうして、アノード電極上には、薄膜パターンとしての対応色の有機ＥＬ層が形成される。なお、有機ＥＬ層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等、一般的な積層構造をとるように順次成膜されたものであるが、ここでは、説明の便宜からまとめて有機ＥＬ層の形成という。 The evaporated vapor deposition material flies toward the substrate 3, passes through an opening pattern provided in the vapor deposition mask 7, and is deposited on the corresponding anode electrode on each organic EL display panel 8 of the substrate 3. Thus, an organic EL layer of a corresponding color as a thin film pattern is formed on the anode electrode. The organic EL layer is sequentially formed to have a general laminated structure such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, but here, for convenience of explanation. Are collectively referred to as formation of an organic EL layer.
蒸着が終了すると、蒸着装置のゲートバルブが閉じられると共に、リークバルブが開かれてチャンバー内の真空が破られる。そして、チャンバーが開かれ、内部からアライメント装置１が取り出される。 When the deposition is completed, the gate valve of the deposition apparatus is closed and the leak valve is opened to break the vacuum in the chamber. Then, the chamber is opened, and the alignment apparatus 1 is taken out from the inside.
ステップＳ６においては、図５（ａ）に示すような蒸着マスク７と基板３とを密着固定した状態から、同図（ｂ）に示すように、矢印方向に永久磁石９を下降させて、蒸着マスク７の磁性金属部材を永久磁石９の磁力の影響下から解放する。そして、同図（ｃ）に示すように、例えば右側のアライメント手段４Ｂを上昇させ、基板３表面から蒸着マスク７を右端部側から左端部側にかけて順次剥離する。これにより、基板３の各有機ＥＬ表示パネル８の各アノード電極上には対応色の有機ＥＬ層が形成される。 In step S6, the permanent magnet 9 is lowered in the direction of the arrow from the state where the vapor deposition mask 7 and the substrate 3 as shown in FIG. The magnetic metal member of the mask 7 is released from the influence of the magnetic force of the permanent magnet 9. Then, as shown in FIG. 3C, for example, the right alignment means 4B is raised, and the vapor deposition mask 7 is sequentially peeled from the substrate 3 surface from the right end portion side to the left end portion side. Thereby, an organic EL layer of a corresponding color is formed on each anode electrode of each organic EL display panel 8 on the substrate 3.
なお、上記実施形態においては、基板３が同一面内に複数の有機ＥＬ表示パネル８を配置した多面付け基板であり、蒸着マスク７が複数の単位蒸着マスク６を並設したものである場合について説明したが、本発明はこれに限られず、基板３は面内に１つの有機ＥＬ表示パネル８が配置されたものであり、蒸着マスク７は上記１つの有機ＥＬ表示パネル８に対応させて形成されたものであってもよい。 In the above-described embodiment, the substrate 3 is a multi-sided substrate in which a plurality of organic EL display panels 8 are arranged in the same plane, and the vapor deposition mask 7 has a plurality of unit vapor deposition masks 6 arranged in parallel. Although the present invention is not limited to this, the substrate 3 is one in which one organic EL display panel 8 is disposed in the surface, and the vapor deposition mask 7 is formed corresponding to the one organic EL display panel 8. It may be what was done.
また、以上の説明においては、蒸着マスク７が有機ＥＬ表示パネル８の製造に使用されるものである場合について述べたが、本発明はこれに限られず、蒸着マスク７は基板３上に複数の薄膜パターンを蒸着形成するために使用するものであれば、例えばカラーフィルタ基板等如何なる成膜用途にも適用することができる。 Moreover, in the above description, although the case where the vapor deposition mask 7 was used for manufacture of the organic EL display panel 8 was described, the present invention is not limited to this, and the vapor deposition mask 7 includes a plurality of layers on the substrate 3. As long as it is used for depositing a thin film pattern, it can be applied to any film forming application such as a color filter substrate.
１…アライメント装置
２…基板ホルダー
３…基板
４Ａ，４Ｂ…アライメント手段
６…単位蒸着マスク
７…蒸着マスク
８…有機ＥＬ表示パネル
９…永久磁石（静磁界発生手段）
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Alignment apparatus 2 ... Substrate holder 3 ... Substrate 4A, 4B ... Alignment means 6 ... Unit vapor deposition mask 7 ... Deposition mask 8 ... Organic EL display panel 9 ... Permanent magnet (static magnetic field generation means)
Claims (7)
前記蒸着マスクの両端部を支持して該蒸着マスクを基板の上方に対向配置するステップと、
前記蒸着マスクの前記支持された一端部を下降させて前記基板の一端部側に近づけた後、前記蒸着マスクの他端部を徐々に下降させて、前記蒸着マスクを前記基板の一端部側から他端部側まで順繰りに密接させるステップと、
前記蒸着マスクを前記基板の表面に平行な面内で移動させて前記蒸着マスクと前記基板とのアライメントを取るステップと、
前記基板の裏面側から前記蒸着マスクの前記磁性金属部材に静磁界を作用させて、磁力により前記蒸着マスクを前記基板表面に密着固定するステップと、
前記蒸着マスク側から蒸着して前記基板表面に前記開口パターンと形状寸法の同じ薄膜パターンを形成するステップと、
を含むことを特徴とする薄膜パターン形成方法。 A thin film pattern forming method is performed using a vapor deposition mask in which a resin film on which an opening pattern is formed and a magnetic metal member provided with a through-hole having a size including at least one of the opening patterns are in close contact with each other. And
Supporting both ends of the vapor deposition mask and disposing the vapor deposition mask above the substrate;
After lowering the supported one end of the vapor deposition mask to approach the one end of the substrate, the other end of the vapor deposition mask is gradually lowered to move the vapor deposition mask from the one end of the substrate. A step of bringing the other end side into close contact in order,
Moving the deposition mask in a plane parallel to the surface of the substrate to align the deposition mask and the substrate;
Applying a static magnetic field to the magnetic metal member of the vapor deposition mask from the back side of the substrate, and fixing the vapor deposition mask to the substrate surface by magnetic force; and
Vapor deposition from the vapor deposition mask side to form a thin film pattern having the same shape and dimension as the opening pattern on the substrate surface;
A thin film pattern forming method comprising:
前記基板を保持する基板ホルダーと、
前記基板ホルダーの上方に設けられ、前記蒸着マスクの両端部を支持すると共に、夫々個別に上下動及び前記基板ホルダーの上面に平行な面内を移動可能に形成されて前記基板と前記蒸着マスクとのアライメントを取るアライメント手段と、
前記基板ホルダーに内蔵され、アライメントが取られて前記基板に密接された前記蒸着マスクの前記磁性金属部材に静磁界を作用させて、磁力により前記蒸着マスクを前記基板表面に密着固定する静磁界発生手段と、
を備えて構成され、
前記アライメント手段は、前記蒸着マスクの前記支持された一端部を下降させて前記基板の一端部側に近づけた後、前記蒸着マスクの他端部を徐々に下降させて、前記蒸着マスクを前記基板の一端部側から他端部側まで順繰りに密接させることを特徴とするアライメント装置。 It is an alignment apparatus used for the thin film pattern formation method of any one of Claims 1-3,
A substrate holder for holding the substrate;
The substrate and the vapor deposition mask are provided above the substrate holder, support both ends of the vapor deposition mask, and are individually movable up and down and movable in a plane parallel to the upper surface of the substrate holder. Alignment means for taking the alignment of
Static magnetic field generation that causes a static magnetic field to act on the magnetic metal member of the vapor deposition mask that is built in the substrate holder, aligned, and in close contact with the substrate, and that adheres and fixes the vapor deposition mask to the substrate surface by magnetic force Means,
Configured with
The alignment means lowers the supported one end portion of the vapor deposition mask so as to approach the one end portion side of the substrate, and then gradually lowers the other end portion of the vapor deposition mask so that the vapor deposition mask is moved to the substrate. An alignment apparatus characterized in that it is brought into close contact in sequence from one end side to the other end side.
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