JP2019201189A - 半導体レーザ素子の製造方法及びその半導体レーザ装置並びにガス分析装置 - Google Patents
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Abstract
Description
さらに、導波路の後端面をエッチングにより形成しているので、後端面を劈開により形成する場合に比べて、後端面の位置決めを精密にすることができる。これにより、導波路の長さ、つまり光路長を精度良く所望の長さにすることができ、ばらつきの少ない光電気特性を得ることが可能となる。
加えて、一度の反射膜形成工程において導波路の長手方向に沿った側面及び導波路の長手方向と交差する端面に反射膜を一挙に形成することができ、これらの面に反射膜を別々に形成する場合に比べて、工程を減らすことができる。
これならば、導波路の上面、側面、及び後端面に反射膜を一挙に形成することができ、反射膜を形成する工程の簡素化を図れる。
このようにエッチング工程の後に光射出面を形成すれば、光射出面には反射膜が形成されず、光射出面から十分な光量の光を射出させることができる。
そこで、前記劈開工程において、前記格子状に区画された導波路を前記長手方向と交差する方向に劈開することで、前記長手方向に隣り合う一方の導波路の一部が、他方の導波路に対応する残存部として形成されることが好ましい。
このような方法であれば、後端面となる導波路の長手方向と交差する端面と対向する位置に残存部が形成されるので、この残存部により、後端面から漏れたレーザ光をカットすることができ、漏れたレーザ光が光射出窓に向かって乱反射してしまうことを防ぐことができる。
これならば、半導体レーザ素子部を精度良く温度制御することができる。
これならば、分離工程において複数の半導体素子を得ることができる。
まず、図7に示すように、半導体基板2を準備し、その半導体基板2の上面に、バッファ層31となるInP層、下部ガイド層321となるInGaAs層、活性層322となるInGaAs層及びInAlAs層及び上部ガイド層323となるInGaAs層を有機金属気相成長法(MOVPE法)により結晶成長させて積層する。
なお、本実施形態の反射膜4は、無機膜であり、例えばSiO2や、SiO2及びSi3N4等の組み合わせからなる誘電体膜であっても良いし、Au膜等の金属膜であっても良いし、誘電体膜及び金属膜を重ね合わせたものであっても良い。
このような半導体レーザ装置100の製造方法であれば、導波路3Lの後端面3cをエッチングにより形成した後、導波路3Lの側面3aや上面3bに反射膜4を成膜するので、その反射膜4が後端面3cにも連続して一体的に形成される。これにより、後端面3cに反射膜4を形成するための特別な治具は不要であり、従来よりも簡単に後端面3cに反射膜4を形成することが可能となる。
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
具体的には、半導体レーザ素子部3と同様に、残存部Zに上部電極及び下部電極を設け、これらの電極に温度検出用の電流(又は電圧)を与える。そして、残存部Zの抵抗値を算出することで、算出された抵抗値と、例えば所定の抵抗値−温度換算式とを用いて残存部Zの温度を算出することができる。
このように残存部Zの温度を算出すれば、半導体レーザ素子部3と残存部Zとが同じ層構成を有しているので、残存部3の温度を半導体レーザ素子部3の温度とみなすことができ、半導体レーザ素子部3を精度良く温度制御することができる。
これならば、残存部Zが発生しないので、レーザ素子部3を効率良く製造することができる。
これならば、劈開位置Pで劈開することで、劈開位置Pの前後においてほぼ同じ長さの半導体レーザ素子部3を形成することができるので、残存部Zが発生せず、レーザ素子部3を効率良く製造することができる。
また、分析対象は、排ガスに限らず、大気などの種々の気体であっても良いし、液体であっても構わない。
2 ・・・半導体基板
3 ・・・半導体レーザ素子部
3x ・・・光射出面
3a ・・・側面
3b ・・・上面
3c ・・・後端面
4 ・・・反射膜
AR ・・・反射防止膜
Claims (9)
- 基板上に形成された積層構造体から半導体レーザ素子を製造する方法であって、
前記積層構造体をエッチングにより格子状に区画してなる複数の導波路を形成するエッチング工程と、
前記導波路内の光を反射する反射膜を当該導波路の表面に形成する反射膜形成工程とを備える、半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記エッチング工程において、前記導波路の長手方向に沿った側面及び前記導波路の長手方向と交差する端面を形成し、
前記反射膜形成工程において、前記導波路の上面、前記長手方向に沿った側面、及び前記長手方向と交差する端面に前記反射膜を形成する、請求項1記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記反射膜が形成された前記導波路を、前記長手方向と交差する方向に沿って劈開することで、前記導波路内の光を射出する光射出面を形成する劈開工程を備える、請求項1又は2記載の半導体レーザ素子の製造方法。
- 前記導波路を通過して前記光射出面から射出される光の反射を防止する反射防止膜を、前記光射出面に形成する反射防止膜形成工程を備える、請求項3記載の半導体レーザ素子の製造方法。
- 前記劈開工程において、前記格子状に区画された導波路を前記長手方向と交差する方向に劈開することで、前記長手方向に隣り合う一方の導波路の一部が、他方の導波路に対応する残存部として形成される、請求項3又は4記載の半導体レーザ素子の製造方法。
- 前記残存部は、前記半導体レーザ素子の温度を検出するための温度センサとなる、請求項5記載の半導体レーザ素子の製造方法。
- 前記エッチング工程において、前記基板上には、前記複数の導波路を格子状に区画する露出面が形成され、
前記長手方向と交差する方向に隣り合う前記導波路を、前記長手方向に沿った前記露出面で分離する分離工程をさらに備える、請求項1乃至6の記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 基板と、前記基板上に設けられた半導体レーザ素子とを備える半導体レーザ装置であって、
前記半導体レーザ素子が、
前記基板上に形成された積層構造体の一部からなる導波路と、
前記導波路の長手方向に沿った側面及び当該長手方向と交差する端面に連続して一体的に形成され、前記導波路内の光を反射する反射膜とを有する、半導体レーザ装置。 - ガスに含まれる測定対象成分を分析するガス分析装置であって、
前記ガスが導入される測定セルと、
前記測定セルにレーザ光を照射する請求項8記載の半導体レーザ装置と、
前記測定セルを通過したレーザ光を検出する光検出器と、
前記光検出器の検出信号を用いて前記測定対象成分を分析する分析部とを有する、ガス分析装置。
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