JP2019192950A - 遮断装置及び電源装置 - Google Patents
遮断装置及び電源装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019192950A JP2019192950A JP2018079552A JP2018079552A JP2019192950A JP 2019192950 A JP2019192950 A JP 2019192950A JP 2018079552 A JP2018079552 A JP 2018079552A JP 2018079552 A JP2018079552 A JP 2018079552A JP 2019192950 A JP2019192950 A JP 2019192950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor switch
- temperature
- current
- terminal
- upper limit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
【課題】過電流の際に回路を適正に遮断することができる遮断装置を提供する。【解決手段】制御部32は、電流上限値及びオン抵抗に基づいて半導体スイッチ10を遮断するための遮断閾値Vthを出力する。ここで、電流上限値は、半導体スイッチ10に流れる電流の上限値であり、温度検出部31により検出された温度である検出温度Tに応じて定まる。オン抵抗は、半導体スイッチ10がオンした際の抵抗値であり、ゲート端子g1に印加されるゲート電圧Vgs及び検出温度Tに応じて定まる。遮断部33は、制御部32により出力された遮断閾値Vthに基づいて半導体スイッチ10を遮断する。【選択図】図1
Description
本発明は、遮断装置及び電源装置に関する。
従来、遮断装置として、例えば、特許文献1には、短絡が発生した際に半導体素子を保護する半導体素子の駆動装置が開示されている。この半導体素子の駆動装置は、短絡により過電流が半導体素子に流れた際に生じる電位差に基づいて半導体素子をオフすることにより半導体素子を保護している。
ところで、上述の特許文献1に記載の半導体素子の駆動装置は、例えば、過電流の際に回路の状態に応じて半導体素子をオフし当該回路に流れる電流を遮断することが望まれている。
そこで、本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、過電流の際に回路を適正に遮断することができる遮断装置及び電源装置を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る遮断装置は、電流を入力する入力端子、前記入力端子から入力した前記電流を出力する出力端子、及び、前記入力端子から前記出力端子に流れる前記電流を通電又は遮断する制御端子を含んで構成される半導体スイッチの温度を検出する温度検出部と、前記半導体スイッチに流れる電流の上限値であり前記温度検出部により検出された検出温度に応じて定まる電流上限値、及び、前記半導体スイッチがオンした際の抵抗値であり前記制御端子に印加される電圧及び前記検出温度に応じて定まるオン抵抗に基づいて前記半導体スイッチを遮断するための遮断閾値を出力する制御部と、前記制御部により出力された前記遮断閾値に基づいて前記半導体スイッチを遮断する遮断部と、を備えることを特徴とする。
上記遮断装置において、前記電流上限値は、前記検出温度に応じて前記半導体スイッチが許容することができる電流の最大値であることが好ましい。
上記遮断装置において、前記制御部は、前記制御端子に印加される電圧又は前記検出温度の少なくとも一方が変化したタイミングに基づいて前記遮断閾値を出力することが好ましい。
本発明に係る電源装置は、電力を負荷部に供給する電源と、前記電源と前記負荷部との間で流れる電流を入力する入力端子、前記入力端子から入力した前記電流を出力する出力端子、及び、前記入力端子から前記出力端子に流れる前記電流を通電又は遮断する制御端子を含んで構成される半導体スイッチと、前記半導体スイッチの温度を検出する温度検出部、前記半導体スイッチに流れる電流の上限値であり前記温度検出部により検出された検出温度に応じて定まる電流上限値、及び、前記半導体スイッチがオンした際の抵抗値であり前記制御端子に印加される電圧及び前記検出温度に応じて定まるオン抵抗に基づいて前記半導体スイッチを遮断するための遮断閾値を出力する制御部、及び、前記制御部により出力された前記遮断閾値に基づいて前記半導体スイッチを遮断する遮断部を含んで構成される遮断装置と、を備えることを特徴とする。
本発明に係る遮断装置及び電源装置は、半導体スイッチの制御端子に印加される電圧及び当該半導体スイッチの温度に基づく遮断閾値で半導体スイッチを遮断するので、過電流の際に回路を適正に遮断することができる。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態〕
実施形態に係る電源装置1及び遮断装置30について説明する。電源装置1は、例えば、車両に搭載され、電源40から負荷部2に電力を供給するものである。遮断装置30は、電源装置1に過電流が流れた際に電流を遮断するものである。なお、遮断装置30は、車両に搭載された電源装置1に限定されず、その他の回路に適用してもよい。電源装置1は、図1に示すように、半導体スイッチ10と、ドライブ回路20と、遮断装置30と、電源40とを備える。遮断装置30は、温度検出部31と、制御部32と、遮断部33とを含んで構成される。電源40は、半導体スイッチ10を介して負荷部2に接続され、当該負荷部2に電力を供給する。
実施形態に係る電源装置1及び遮断装置30について説明する。電源装置1は、例えば、車両に搭載され、電源40から負荷部2に電力を供給するものである。遮断装置30は、電源装置1に過電流が流れた際に電流を遮断するものである。なお、遮断装置30は、車両に搭載された電源装置1に限定されず、その他の回路に適用してもよい。電源装置1は、図1に示すように、半導体スイッチ10と、ドライブ回路20と、遮断装置30と、電源40とを備える。遮断装置30は、温度検出部31と、制御部32と、遮断部33とを含んで構成される。電源40は、半導体スイッチ10を介して負荷部2に接続され、当該負荷部2に電力を供給する。
半導体スイッチ10は、電源40から負荷部2に流れる電流を通電又は遮断するスイッチング素子である。半導体スイッチ10は、例えば、Nチャネル型のMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)である。なお、半導体スイッチ10は、Nチャネル型のMOSFETに限定されず、Pチャネル型のMOSFET等であってもよい。半導体スイッチ10は、入力端子としてのドレイン端子d1と、出力端子としてのソース端子s1と、制御端子としてのゲート端子g1とを含んで構成される。ドレイン端子d1は、電流を入力する端子である。ドレイン端子d1は、電源装置1の電源40側に接続され、当該電源40から流れる電流を入力する。ソース端子s1は、ドレイン端子d1から入力した電流を出力する端子である。ソース端子s1は、負荷部2側に接続され、ドレイン端子d1から入力した電流を負荷部2に出力する。ゲート端子g1は、ドレイン端子d1からソース端子s1に流れる電流(ドレイン電流Id)を通電又は遮断する端子である。ゲート端子g1は、ドライブ回路20の接続端子に接続され、当該ドライブ回路20により印加される電圧に基づいてオン又はオフする。半導体スイッチ10は、ゲート端子g1をオンすることによりドレイン端子d1からソース端子s1にドレイン電流Idを流して電源装置1を通電する。また、半導体スイッチ10は、ゲート端子g1をオフすることによりドレイン端子d1からソース端子s1に流れるドレイン電流Idを停止して電源装置1を遮断する。
ドライブ回路20は、半導体スイッチ10を駆動する回路である。ドライブ回路20は、制御部32及び半導体スイッチ10に接続され、制御部32から出力されるオン/オフ信号S1に基づいて半導体スイッチ10をオン又はオフする。ドライブ回路20は、例えば、半導体スイッチ10のゲート端子g1に所定の電圧を印加することにより当該半導体スイッチ10をオンする。また、ドライブ回路20は、半導体スイッチ10のゲート端子g1に所定の電圧を印加しないことにより当該半導体スイッチ10をオフする。ドライブ回路20は、半導体スイッチ10のゲート端子g1に印加した所定の電圧、すなわち、ゲート端子g1とソース端子s1との間の電位差(以下、「ゲート電圧Vgs」と称する。)の情報を制御部32に出力する。ドライブ回路20は、さらに遮断部33に接続され、当該遮断部33から出力される遮断信号S2に基づいて半導体スイッチ10をオフする。
遮断装置30は、半導体スイッチ10をオフして電源装置1に流れる電流を遮断するものである。遮断装置30は、上述したように、温度検出部31と、制御部32と、遮断部33とを含んで構成される。温度検出部31は、半導体スイッチ10の温度を検出するものである。温度検出部31は、半導体スイッチ10のチップの温度であるジャンクション温度を間接的又は直接的に検出する。温度検出部31は、例えば、サーミスタを含んで構成される。サーミスタは、例えば、半導体スイッチ10の外部に設けられ、ジャンクション温度を間接的に検出する。なお、サーミスタは、半導体スイッチ10の内部に設けられ、ジャンクション温度を直接的に検出してもよい。温度検出部31は、制御部32に接続され、検出した検出温度T(ジャンクション温度)を制御部32に出力する。温度検出部31は、例えば、検出温度Tとしてサーミスタの抵抗値を制御部32に出力する。
制御部32は、ドライブ回路20及び遮断部33を制御するものである。制御部32は、CPU、記憶部(図示省略)を構成するROM、RAM及びインターフェースを含む周知のマイクロコンピュータを主体とする電子回路を含んで構成される。制御部32は、ドライブ回路20に接続され、半導体スイッチ10をオン又はオフにするためのオン/オフ信号S1をドライブ回路20に出力する。また、制御部32は、当該ドライブ回路20からゲート電圧Vgsの情報を入力し、当該ゲート電圧Vgsの情報を電圧値に換算する。
制御部32は、温度検出部31に接続され、当該温度検出部31から検出温度Tを入力する。制御部32は、例えば、温度検出部31から入力した検出温度Tがサーミスタの抵抗値である場合、当該サーミスタの抵抗値を温度値に換算する。制御部32は、温度検出部31から入力した検出温度T及びドライブ回路20から入力したゲート電圧Vgsに基づいて半導体スイッチ10のオン抵抗Ronを定める。ここで、オン抵抗Ronとは、半導体スイッチ10がオンした際の抵抗値である。つまり、オン抵抗Ronとは、半導体スイッチ10の通電状態における抵抗値である。
記憶部は、例えば、図2に示すように、半導体スイッチ10のオン抵抗特性を示すオン抵抗特性情報P(マップデータ)を予め記憶している。ここで、図2に示すオン抵抗特性情報Pでは、縦軸がオン抵抗Ronを表し、横軸が温度を表す。オン抵抗特性情報Pには、それぞれ異なるゲート電圧Vgs(Vgs1〜Vgs3)におけるオン抵抗Ronが図示されている。各ゲート電圧Vgs1〜Vgs3は、半導体スイッチ10のゲート端子g1に印加される電圧である。各ゲート電圧Vgs1〜Vgs3において、第1ゲート電圧Vgs1が最も小さい値であり、第3ゲート電圧Vgs3が最も大きい値である。つまり、各ゲート電圧Vgs1〜Vgs3の大小関係は、第1ゲート電圧Vgs1 < 第2ゲート電圧Vgs2 < 第3ゲート電圧Vgs3となっている。オン抵抗Ronは、一般的に、ゲート電圧Vgsが大きくなるにつれて、当該オン抵抗Ronが小さくなる傾向がある。従って、各ゲート電圧Vgs1〜Vgs3において、第3ゲート電圧Vgs3の場合に最もオン抵抗Ronが小さくなり、第1ゲート電圧Vgs1の場合に最もオン抵抗Ronが大きくなる。また、オン抵抗Ronは、温度(ジャンクション温度)が高くなるにつれて大きくなる傾向がある。
制御部32は、このようなオン抵抗特性に基づいて半導体スイッチ10のオン抵抗Ronを定める。制御部32は、例えば、ドライブ回路20から入力したゲート電圧Vgsが各ゲート電圧Vgs1〜Vgs3のいずれであるかを特定する。なお、オン抵抗特性情報Pに表す各ゲート電圧Vgs1〜Vgs3は、3つのゲート電圧Vgs1〜Vgs3に限定されず、例えば、さらにゲート電圧Vgsのパターンを増やしてもよい。制御部32は、オン抵抗特性情報Pを参照し、ゲート電圧Vgs及び検出温度Tに基づいて半導体スイッチ10のオン抵抗Ronを定める(オン抵抗Ronを推定する)。制御部32は、例えば、ドライブ回路20から入力したゲート電圧Vgsが第1ゲート電圧Vgs1である場合、当該第1ゲート電圧Vgs1及び検出温度Tに基づいて半導体スイッチ10のオン抵抗Ronを定める。
さらに、制御部32は、検出温度Tに基づいて電流上限値Ithを定める。ここで、電流上限値Ithとは、半導体スイッチ10に流れる電流の上限値である。つまり、電流上限値Ithは、検出温度Tに応じて半導体スイッチ10が許容することができる電流の最大値である。半導体スイッチ10は、一般的に、当該半導体スイッチ10が安全に動作する領域である安全動作領域(SOA;Safe Operating Area)が定められている。半導体スイッチ10の安全動作領域は、例えば、図3に示すように、半導体スイッチ10の温度に応じてそれぞれ定められている。図3に示す半導体スイッチ10の安全動作領域では、縦軸がドレイン電流Idを表し、横軸がドレイン端子d1とソース端子s1との間の電圧(ドレイン−ソース間電圧Vds)を表す。図3では、各温度T1、T2における半導体スイッチ10の安全動作領域を図示している。温度T2は、温度T1よりも高い温度である。半導体スイッチ10の安全動作領域は、温度が高くなるにつれて狭くなる傾向がある。具体的には、半導体スイッチ10は、温度T2の安全動作領域が温度T1の安全動作領域よりも狭くなる。
記憶部は、例えば、図4に示すように、半導体スイッチ10の安全動作領域に関連し、半導体スイッチ10に流れる電流の上限値である電流上限値Ithと温度との関係を表す温度依存性情報Q(マップデータ)を記憶している。図4に示す温度依存性情報Qでは、縦軸が電流上限値Ithを表し、横軸が温度を表す。温度依存性情報Qに示すように、電流上限値Ithは、温度が高くなるにつれて小さくなる傾向がある。具体的には、半導体スイッチ10は、温度T2の電流上限値Ith2が温度T1の電流上限値Ith1よりも小さい。制御部32は、温度依存性情報Qを参照し、温度検出部31から出力された検出温度Tに基づいて電流上限値Ithを定める。このような温度ディレ―ティングにより、半導体スイッチ10を適正に動作させることができる。
そして、制御部32は、半導体スイッチ10の電流上限値Ith及びオン抵抗Ronに基づいて当該半導体スイッチ10を遮断するための遮断閾値Vthを求める。制御部32は、例えば、以下の式(1)により遮断閾値Vthを求める。ここで、式(1)において、Vthは、遮断閾値であり、Ithは、電流上限値であり、Ronは、半導体スイッチ10のオン抵抗であり、Vfは、ダイオード33bの順電圧である。
Vth=Ith×Ron+Vf ・・・(1)
Vth=Ith×Ron+Vf ・・・(1)
制御部32は、例えば、検出温度T又はゲート電圧Vgsの少なくとも一方が変化したタイミングに基づいて遮断閾値Vthを求める。制御部32は、所定の周期又は連続して検出温度T及びゲート電圧Vgsを順次入力する。制御部32は、過去の検出温度Tと現在の検出温度Tとを比較し、過去の検出温度Tと現在の検出温度Tとが異なる場合、新たに遮断閾値Vthを求める。そして、制御部32は、求めた遮断閾値Vthを後述する遮断部33の遮断閾値設定部33cに出力する。また、制御部32は、過去のゲート電圧Vgsと現在のゲート電圧Vgsとを比較し、過去のゲート電圧Vgsと現在のゲート電圧Vgsとが異なる場合、新たに遮断閾値Vthを求める。そして、制御部32は、求めた遮断閾値Vthを遮断閾値設定部33cに出力する。
遮断部33は、ドライブ回路20を介して半導体スイッチ10を遮断する回路である。遮断部33は、電流源33aと、ダイオード33bと、遮断閾値設定部33cと、比較器33dとを含んで構成される。
電流源33aは、一定の電流を供給する電源である。電流源33aは、ダイオード33bを介して半導体スイッチ10のドレイン端子d1に接続されている。また、電流源33aは、比較器33dの第1入力端子Vinpに接続されている。電流源33aは、半導体スイッチ10のドレイン端子d1に一定の電流を流す。
ダイオード33bは、アノード端子が電流源33aに接続され、カソード端子が半導体スイッチ10のドレイン端子d1に接続されている。ダイオード33bは、電流が電流源33aに向けて逆流することを防止する。
遮断閾値設定部33cは、遮断閾値Vthが表す電圧を設定するものである。遮断閾値設定部33cは、比較器33dの第2入力端子Vinn及び制御部32に接続されている。遮断閾値設定部33cは、制御部32から出力された遮断閾値Vthに基づいて比較器33dに電圧を設定する。
比較器33dは、遮断閾値Vthの電圧と検出電圧Vmとを比較する回路である。ここで、検出電圧Vmは、半導体スイッチ10に流れる電流に応じて変化する電圧である。検出電圧Vmは、例えば、半導体スイッチ10に流れる電流が増加すると当該検出電圧Vmが増加する。比較器33dは、第1入力端子Vinpと、第2入力端子Vinnと、出力端子Voutとを含んで構成される。第1入力端子Vinpは、電流源33aの接続端子に接続されている。電流源33aの接続端子及び第1入力端子Vinpの接続点は、ダイオード33bを介して半導体スイッチ10のドレイン端子d1に接続されている。第2入力端子Vinnは、遮断閾値設定部33cの接続端子に接続されている。出力端子Voutは、ドライブ回路20の接続端子に接続されている。
比較器33dは、第1入力端子Vinpを介して検出電圧Vmを入力する。また、比較器33dは、第2入力端子Vinnを介して遮断閾値Vthの電圧を入力する。そして、比較器33dは、検出電圧Vmと遮断閾値Vthの電圧とを比較し、比較結果を出力端子Voutからドライブ回路20に出力する。比較器33dは、例えば、検出電圧Vmが遮断閾値Vthの電圧以上である場合、過電流が半導体スイッチ10に流れていると判定し、半導体スイッチ10をオフにする遮断信号S2をドライブ回路20に出力する。また、比較器33dは、検出電圧Vmが遮断閾値Vthの電圧未満である場合、過電流が半導体スイッチ10に流れていないと判定し、当該遮断信号S2をドライブ回路20に出力しない。
次に、図5を参照して遮断装置30の動作例について説明する。この動作例では、半導体スイッチ10がオンされており、電源40から負荷部2に電流が流れていること前提とする。温度検出部31は、半導体スイッチ10のジャンクション温度を検出し、検出したジャンクション温度(検出温度T)を制御部32に出力する(ステップST1)。次に、制御部32は、ドライブ回路20からゲート電圧Vgsを取得する(ステップST2)。そして、制御部32は、オン抵抗特性情報Pを参照し、ゲート電圧Vgs及び検出温度Tに基づいて半導体スイッチ10のオン抵抗Ronを定める(ステップST3)。
次に、制御部32は、電流上限値Ithを定める(ステップST4)。制御部32は、例えば、温度依存性情報Qを参照し、温度検出部31から出力された検出温度Tに基づいて電流上限値Ithを定める。次に、制御部32は、半導体スイッチ10の電流上限値Ith及びオン抵抗Ronに基づいて、式(1)により当該半導体スイッチ10を遮断するための遮断閾値Vthを求める。そして、制御部32は、求めた遮断閾値Vthを遮断閾値設定部33cに出力する。遮断閾値設定部33cは、制御部32から出力された遮断閾値Vthに基づいて、比較器33dに遮断閾値Vthの電圧を設定する(ステップST5)。
比較器33dは、検出電圧Vmが遮断閾値Vthの電圧以上であるか否かを判定する(ステップST6)。比較器33dは、検出電圧Vmが遮断閾値Vthの電圧以上である場合(ステップST6;Yes)、半導体スイッチ10をオフにする遮断信号S2をドライブ回路20に出力する。ドライブ回路20は、比較器33dから出力された遮断信号S2に基づいて半導体スイッチ10をオフする(ステップST7)。一方、比較器33dは、検出電圧Vmが遮断閾値Vthの電圧未満である場合(ステップST6;No)、遮断信号S2をドライブ回路20に出力しない。これにより、半導体スイッチ10は、オン状態が維持される。
以上のように、実施形態に係る遮断装置30は、温度検出部31と、制御部32と、遮断部33とを備える。温度検出部31は、電流を入力するドレイン端子d1、ドレイン端子d1から入力した電流を出力するソース端子s1、及び、ドレイン端子d1からソース端子s1に流れる電流を通電又は遮断するゲート端子g1を含んで構成される半導体スイッチ10の温度を検出する。制御部32は、電流上限値Ith及びオン抵抗Ronに基づいて半導体スイッチ10を遮断するための遮断閾値Vthを出力する。ここで、電流上限値Ithは、半導体スイッチ10に流れる電流の上限値であり、温度検出部31により検出された温度である検出温度Tに応じて定まる。オン抵抗Ronは、半導体スイッチ10がオンした際の抵抗値であり、ゲート端子g1に印加されるゲート電圧Vgs及び検出温度Tに応じて定まる。遮断部33は、制御部32により出力された遮断閾値Vthに基づいて半導体スイッチ10を遮断する。
この構成により、遮断装置30は、半導体スイッチ10の検出温度Tに応じて電流上限値Ithが定まるので、半導体スイッチ10に流れる電流の上限値を電源装置1の状態に応じて適正に定めることができる。また、遮断装置30は、ゲート端子g1に印加されるゲート電圧Vgs及び半導体スイッチ10の検出温度Tに応じてオン抵抗Ronが定まるので、半導体スイッチ10がオンした際の抵抗値を電源装置1の状態に応じて適正に定めることができる。この結果、遮断装置30は、電源装置1の状態に応じて半導体スイッチ10の遮断閾値Vthの電圧を精度よく設定することができ、過電流の際に電源装置1を適正に遮断することができる。これにより、遮断装置30は、電源装置1に接続されるワイヤハーネス等や半導体スイッチ10を適正に保護することができる。
上記遮断装置30において、電流上限値Ithは、検出温度Tに応じて半導体スイッチ10が許容することができる電流の最大値である。この構成により、遮断装置30は、安全動作領域(SOA)内で半導体スイッチ10を使用することができる。
上記遮断装置30において制御部32は、ゲート端子g1に印加されるゲート電圧Vgs又は温度検出部31により検出された検出温度Tの少なくとも一方が変化したタイミングに基づいて遮断閾値Vthを出力する。この構成により、遮断装置30は、電源装置1の変化に応じて半導体スイッチ10の遮断閾値Vthの電圧を設定することができ、過電流の際に電源装置1を適正に遮断することができる。
電源装置1は、電源40と、半導体スイッチ10と、遮断装置30とを備える。電源40は、電力を負荷部2に供給する。半導体スイッチ10は、 電源40と負荷部2との間で流れる電流を入力するドレイン端子d1、ドレイン端子d1から入力した電流を出力するソース端子s1、及び、ドレイン端子d1からソース端子s1に流れる電流を通電又は遮断するゲート端子g1を含んで構成される。遮断装置30は、温度検出部31、制御部32、及び、遮断部33を含んで構成される。温度検出部31は、半導体スイッチ10の温度を検出する。制御部32は、電流上限値Ith及びオン抵抗Ronに基づいて半導体スイッチ10を遮断するための遮断閾値Vthを出力する。ここで、電流上限値Ithは、半導体スイッチ10に流れる電流の上限値であり、温度検出部31により検出された温度である検出温度Tに応じて定まる。オン抵抗Ronは、半導体スイッチ10がオンした際の抵抗値であり、ゲート端子g1に印加されるゲート電圧Vgs及び検出温度Tに応じて定まる。遮断部33は、制御部32により出力された遮断閾値Vthに基づいて半導体スイッチ10を遮断する。この構成により、電源装置1は、過電流の際に回路を適正に遮断することができる。
1 電源装置
2 負荷部
10 半導体スイッチ
30 遮断装置
31 温度検出部
32 制御部
33 遮断部
d1 ドレイン端子(入力端子)
s1 ソース端子(出力端子)
g1 ゲート端子(制御端子)
T 検出温度
Ith 電流上限値
Vgs ゲート電圧(電圧)
Ron オン抵抗
Vth 遮断閾値
2 負荷部
10 半導体スイッチ
30 遮断装置
31 温度検出部
32 制御部
33 遮断部
d1 ドレイン端子(入力端子)
s1 ソース端子(出力端子)
g1 ゲート端子(制御端子)
T 検出温度
Ith 電流上限値
Vgs ゲート電圧(電圧)
Ron オン抵抗
Vth 遮断閾値
Claims (4)
- 電流を入力する入力端子、前記入力端子から入力した前記電流を出力する出力端子、及び、前記入力端子から前記出力端子に流れる前記電流を通電又は遮断する制御端子を含んで構成される半導体スイッチの温度を検出する温度検出部と、
前記半導体スイッチに流れる電流の上限値であり前記温度検出部により検出された検出温度に応じて定まる電流上限値、及び、前記半導体スイッチがオンした際の抵抗値であり前記制御端子に印加される電圧及び前記検出温度に応じて定まるオン抵抗に基づいて前記半導体スイッチを遮断するための遮断閾値を出力する制御部と、
前記制御部により出力された前記遮断閾値に基づいて前記半導体スイッチを遮断する遮断部と、
を備えることを特徴とする遮断装置。 - 前記電流上限値は、前記検出温度に応じて前記半導体スイッチが許容することができる電流の最大値である請求項1に記載の遮断装置。
- 前記制御部は、前記制御端子に印加される電圧又は前記検出温度の少なくとも一方が変化したタイミングに基づいて前記遮断閾値を出力する請求項1又は2に記載の遮断装置。
- 電力を負荷部に供給する電源と、
前記電源と前記負荷部との間で流れる電流を入力する入力端子、前記入力端子から入力した前記電流を出力する出力端子、及び、前記入力端子から前記出力端子に流れる前記電流を通電又は遮断する制御端子を含んで構成される半導体スイッチと、
前記半導体スイッチの温度を検出する温度検出部、前記半導体スイッチに流れる電流の上限値であり前記温度検出部により検出された検出温度に応じて定まる電流上限値、及び、前記半導体スイッチがオンした際の抵抗値であり前記制御端子に印加される電圧及び前記検出温度に応じて定まるオン抵抗に基づいて前記半導体スイッチを遮断するための遮断閾値を出力する制御部、及び、前記制御部により出力された前記遮断閾値に基づいて前記半導体スイッチを遮断する遮断部を含んで構成される遮断装置と、
を備えることを特徴とする電源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018079552A JP2019192950A (ja) | 2018-04-18 | 2018-04-18 | 遮断装置及び電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018079552A JP2019192950A (ja) | 2018-04-18 | 2018-04-18 | 遮断装置及び電源装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019192950A true JP2019192950A (ja) | 2019-10-31 |
Family
ID=68390944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018079552A Pending JP2019192950A (ja) | 2018-04-18 | 2018-04-18 | 遮断装置及び電源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019192950A (ja) |
-
2018
- 2018-04-18 JP JP2018079552A patent/JP2019192950A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8243407B2 (en) | Semiconductor switch control device | |
US8918222B2 (en) | Controlling and protecting power-supply paths from thermal overloads | |
JP4929020B2 (ja) | 負荷回路の過電流保護装置 | |
JP5516825B2 (ja) | 絶縁ゲート型スイッチング素子の駆動回路 | |
TWI476558B (zh) | 電壓調節器 | |
US7728655B2 (en) | Current limiting load switch with dynamically generated tracking reference voltage | |
EP2763319A1 (en) | Short circuit protection circuit and method for insulated gate bipolar transistor | |
US7940034B2 (en) | Apparatus for detecting a state of operation of a power semiconductor device | |
JP2007159159A (ja) | 半導体素子の保護装置 | |
CN108141036B (zh) | 电子保护开关 | |
KR20020008801A (ko) | 전류를 진동시켜 과잉 전류를 차단하는 기능을 갖는반도체 스위칭 디바이스 | |
JP2018011482A (ja) | 半導体スイッチ制御装置 | |
JP6837842B2 (ja) | 半導体スイッチ制御装置 | |
EP3116129B1 (en) | Preventive apparatus | |
US9871367B2 (en) | Overcurrent protection circuit | |
JP2008141841A (ja) | 過電流保護回路 | |
JP2017152923A (ja) | 負荷駆動装置 | |
JP7118531B2 (ja) | 電源装置 | |
JP2009296826A (ja) | リレー制御装置 | |
JP2019192950A (ja) | 遮断装置及び電源装置 | |
JP2006349417A (ja) | ソレノイド駆動用トランジスタの温度異常検出装置 | |
JP2009170452A (ja) | 電力スイッチ回路 | |
JP2016201593A (ja) | 過電流保護回路及び誘導性負荷駆動装置 | |
JP2014075657A (ja) | 電力供給制御装置 | |
CN107529350B (zh) | 电动助力转向装置 |