CN108141036B - 电子保护开关 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电子保护开关(1)，其具有控制单元(5)和能受控的半导体开关(6)，该半导体开关接在电压输入端(6)与负载输出端(7)之间的电流路径(4)中，其中，半导体开关(3)整合到电压受控的电流源电路(2)中，在已联接负载(L)情况下借助控制单元(5)来调设该电压受控的电流源电路的输出电流(IL)，从而使得半导体开关(3)的功率小于或等于最大功率值(P最大)，并且其中，控制单元(5)将设定值(I设定)发送至电压受控的电流源电路(2)并从其中得到差值(S)，该差值由代表输出电流(IL)的实际值(I实际)与设定值(I设定)的偏差形成并且被输送给半导体开关(3)作为用来驱控半导体开关的控制信号。

Description

电子保护开关
技术领域
本发明涉及一种电子保护开关，其具有控制单元和能受控的半导体开关，该半导体开关接在电压输入端与负载输出端之间的电流路径中。本发明还涉及一种控制这种电子保护开关的方法。
背景技术
这种电子保护开关例如由DE 203 02 275 U1公知。电子保护开关具有MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)形式的半导体开关，其在运行电压联接端与负载联接端之间接到电流路径中。为了在直流电压网中实现可靠的电流限制，将由电流路径中的电流传感器检测到的测量值输送给调节装置的比较器输入端。当出现接通信号并在测量值低过参考值时，调节装置控制导通半导体开关，而当测量值超过参考值时，调节装置控制截止功率晶体管并且将流过该功率晶体管的电流限制到参考值上。
根据EP 1 186 086 B1公知了一种在低伏特范围内的，尤其是24V DC范围内的电流分配系统，其具有若干分别具有作为短路保护和/或过载保护的电子保护开关的电流回路。这些电流回路利用时钟脉冲的电源件来共同供电。在过载情况下，当超过能调设的电流阈值的情况下，例如在是额定电流(IN)的1.1倍的情况下，在延迟时间期满之后实现对电子保护开关的截止，而在短路情况下，首先进行电流限制并且在超过另一电流阈值(例如2×IN)之后，在确定的断开时间之后实现对保护开关的截止。
由EP 1 150 410 A2公知了一种利用微处理器通过触发回路驱控的电子保护开关，其利用时间延迟中断通向负载的能量供应。提前或同时实现对保护开关的不完全中断。
由EP 1 294 069 B1公知了利用多个开关块进行的对电子保护开关的不完全中断，这些开关块分别具有MOSFET形式的电子开关和通过共同的微处理器控制这些电子开关的比较器。在过电流情况下，在不完全禁止至少一个开关之后的时间延迟之后中断通向负载的能量供应。
为了接上尤其是容性负载并且/或者为了保护容性负载以防发生过电流和短路，将电子保护开关的半导体开关用作为电容充电的恒定电流源。半导体开关以及尤其是在此使用的MOSFET必须能够在接上期间或在电容充电过程中承载由于接通电流所导致的损耗功率。基于这种情况，电子保护开关，尤其是具有主动电流限制的电子保护开关通常被设计成具有过大规格的半导体开关(MOSFET)，以便充分考虑到损耗功率。然而，所使用的半导体开关的这种规格确定导致费用成本的升高和在电子保护开关的电路内的相应较大的空间需求。
发明内容
本发明任务在于：在避免前述缺点的情况下给出一种尽可能高效工作的电子保护开关，其中，应当避免过大规格的半导体开关及其耗费的驱控。此外，应当给出一种适当的用于尤其是也在负载的接通过程期间控制(驱控)这种电子保护开关的方法。
该任务关于电子保护开关根据本发明的电子保护开关来解决，并且关于方法根据本发明的用于控制电子保护开关的方法来解决。
根据本发明的电子保护开关具有控制单元和能受控的半导体开关，所述半导体开关接在电压输入端与负载输出端之间的电流路径中，
-其中，所述半导体开关整合到电压受控的电流源电路中，在已联接负载情况下借助所述控制单元来调设所述电压受控的电流源电路的输出电流，从而使得所述半导体开关的功率小于或等于最大功率值，其中，所述控制单元将设定值发送至所述电压受控的电流源电路并且从所述电压受控的电流源电路得到差值，所述差值由代表所述输出电流的实际值与所述设定值的偏差形成并且被输送给所述半导体开关作为用来驱控所述半导体开关的控制信号，并且
-其中，所述控制单元在过载或短路情况下将所述输出电流的设定值调设到能预定或已预定的最小值，而当所述电压受控的电流源电路的输出电压随时间升高时则将所述输出电流的设定值提高至额定值。
根据本发明的用于控制电子保护开关的方法，所述电子保护开关具有整合到电压受控的电流源电路内的能受控的半导体开关，
-其中，检测所述电流源电路的输出电流作为实际值并且将其与设定值进行比较来形成差值，所述差值充当用来驱控所述半导体开关的控制信号，并且
-其中，调设所述电流源电路的输出电流的设定值，从而使得所述半导体开关的功率始终小于或等于最大功率值，并且
-其中，在过载或短路情况下，将所述输出电流的设定值调设到最小值上，并且随后仅当在所述电压受控的电流源电路的输出电压随时间升高时才依赖于所述输出电压地提高所述输出电流的设定值。
本发明具有有利的实施方案和改进方案。
根据本发明，接入受控的半导体开关以形成电压受控的电流源，即，将其整合到相应的电压受控的电流源电路中。在联接负载情况下借助控制单元调设电压受控的电流源电路的输出电流，从而使得半导体开关的功率始终小于或等于最大功率值。控制单元将输出电流的设定值发送至电压受控的电流源电路并从其中得到差值，该差值由输出电流与设定值的偏差形成。差值用于驱控半导体开关并且在控制侧作为控制信号(控制电压)输送给半导体开关。
控制单元为此按照适当方式将代表输出电流的电压输送给电压受控的电流源电路作为实际值及其输出电压。如果在电压受控的电流源电路内或由电压受控的电流源电路形成的差值在过载或短路的情况下或者在接通至容性负载的情况下与阈值有偏差，则根据差值由控制单元识别到该状态并且优选首先实现电流限制。此外，控制单元以如下方式调设输出电流的设定值，使得不超过半导体开关的最大功率值，即该半导体开关始终在考虑其最大功率损耗的情况下在其安全范围(安全运行范围)内工作。
在一个有利实施方案中，电子保护开关的控制单元在过载或短路情况下并且因而也在接通到容性负载的情况下以如下方式调设输出电流的设定值，使得该设定值在考虑到半导体开关的最大功率值的情况下仅在输出电压随时间升高时才从最小值出发同样升高。通过电子保护开关的控制单元预定设定值在此按照适当方式以不连续的步骤实现，从而输出电流(负载电流)分级地提高。在恒定的输出电流的阶段或阶梯期间，控制单元根据检测到的输出电压确认其是否升高。假如输出电压升高，则设定值设为下一个更高的值，从而输出电流同样也升高至更高的阶梯值。重复该过程直至在输出电压持续不断升高的前提条件下达到最大值。否则，如果输出电压没有升高，则截止半导体开关，从而触发电子保护开关并且将负载与电流路径分离。
在一个特别适当的实施方案中，电子保护开关的电压受控的电流源电路具有充当比较器工作的运算放大器，在输入端侧，将代表输出电流的实际值输送给运算放大器以及从控制单元将输出电流的设定值输送给运算放大器。在输出端侧，运算放大器与控制单元的输入端连接以及优选通过放大器电路与半导体开关的控制侧连接。在输入端侧输送给运算放大器的实际值以及同样在输入端侧输送给它的设定值是如下电压值，它们的差或差值在运算放大器输出端导致同实际值与当前预定的设定值的偏差相等或与之成比例的相应的电压差值。
如果设定值因此依赖于电子保护开关的电压受控的电流源电路的当前的输出电压地，优选分级地，设为更高的值，则运算放大器在输出端侧基于设定值与实际值形成差而提供用于半导体开关的相应升高的控制电压，从而半导体开关相应越来越多地打开(导通)并且输出电流相应提高，这又导致实际值提高。
在用于控制具有整合到电压受控的电流源电路内的半导体开关的控制电子保护开关的方法中，检测电压受控的电流源电路的输出电流以及优选其输出电压，并且半导体开关的功率调设为小于或等于最大功率值。
尤其在短路情况下，即，在容性负载的接通过程期间，优选首先将输出电流限制到一个电流值上。为此，将电流源电路的输出电流按照适当方式映射(spiegeln)为实际值，将该实际值与输出电流的设定值进行比较。根据设定-实际比较的结果，形成电压差(差值)，其直接用于驱控半导体开关。电压差或相应的差值在偏离阈值时首先触发电流限制。随后，设定值依赖于输出电压来调设，即，尤其是降低或减小设定值。调设在此以如下方式进行，即，一方面使得半导体开关的功率小于或等于最大功率值，另一方面仅在输出电压随时间升高时输出电流才从第一电流值(最小值)出发提高。
换而言之，在作为实际值连续检测的输出电流与设定值出现偏差时，代表该偏差的电压差值一方面直接被考虑用于驱控半导体开关以实现主动限制输出电流的目的，以及另一方面(在考虑电压受控的电流源的当前输出电压情况下)被考虑用于将半导体开关的功率确定为最大值并且必要时也被考虑用于限制功率，其方式是：相应地调设输出电流的设定值，即，更改和必要时降低该设定值。
基于半导体开关与所联接的负载的串联电路，电流源电路的输出电流的尤其是在电子保护开关的接通过程期间被考虑用于半导体开关的功率调设的电流测量值等于流过负载的负载电流，该负载电流利用半导体开关的电流路径内的映射电路和负载作为电压实际值来检测。
半导体开关的功率调设根据公式P＝U·I结合检测到的输出电流和测得的输出电压或负载电压来实现，通过其与电压受控的电流源电路的给定的输入电压之差来确定半导体开关上，即，其漏极-源极线路上的电压。在此，半导体开关以如下方式受驱控，即，使得其功率(损耗功率)始终，也就是在所有运行状态下都小于或等于确定的最大功率值。
利用本发明获得的优点尤其在于，电子保护开关的接入具有输出电流的连续检测部的电压受控的电流源(电流源电路)中的半导体开关在所有运行状态下以及因而也在过载或短路情况下以及在容性负载的充电过程期间在功率方面始终在具有小于或等于最大功率值，例如50W的功率(损耗功率)的安全范围内工作。
在有时间限制的短路情况下，尤其是在接通至容性负载的过程中，基于出现的电流源电路的电压差值一方面利用半导体开关限制输出电流或负载电流，另一方面通过检测到出现的电压差值识别该状态。因而可以以如下方式调设针对输出电流的设定值，使得半导体开关的最大功率损耗或功率值在其安全范围内。
基于同时监控电压受控的电流源电路(电流源)的输出电压，还识别其是否在确定时间间隔内升高。必要时，在考虑到半导体开关的功率方面的安全范围情况下使输出电流的设定值升高。否则，推导出持续的过载或短路情况并且切断电子保护开关，其方式是：利用半导体开关将输出电流设为零。
利用该设定值调设对半导体开关在所有运行状态下的功率进行调控，半导体开关可以关于待产生的损耗功率相应更小地确定规格。按照有利方式，电压受控的电流源电路在此以如下方式工作，即，在使用例如PMOS场效应晶体管时在正常模式下，由实际-设定比较形成且控制半导体开关的电压差值小于零(<0V)。在该状态下，控制单元可以休眠，也就是相应低功率。仅当电压差值超过阈值，例如大于零(>0V)时，控制单元才响应，其方式是：如果输出电压在时间窗内升高，控制单元降低设定值并且检测输出电压以及结合其时间曲线优选以不连续的步骤提升输出电压设定值。
附图说明
以下结合附图进一步阐述本发明实施例。其中：
图1以框图示出电子保护开关，其具有接到电压受控的电流源电路的正电流路径中的能受控的半导体开关以及具有例如微处理器形式的被设置和设立成用于其功率控制的控制单元或装置；
图2以流程图示出电子保护开关的控制方法的方法流程；
图3以电流-时间示意图示出容性负载的充电过程期间电子保护开关的电压受控的电流源电路的输出电流(负载电流)的曲线；以及
图4以对应于图3的电压-时间示意图示出在输出电流的以受控方式阶梯式升高情况下的电压受控的电流源电路的输出电压的曲线。
彼此对应的部件和参数在所有附图中具有相同附图标记。
具体实施方案
示意性示出的电子保护开关1包括具有正电流路径4内的功率晶体管或半导体开关3的电压受控的电流源电路2并且包括例如微控制器形式的控制单元或装置5。电流路径3在运行电压联接端或电压输入端6与(正)负载联接端或输出端7之间延伸。要接上的负载L的正极联接至该负载联接端或输出端，与此同时，其负极接零或接地。将例如24V(DC)直流电压形式的运行或输入电压V入施加到电子保护开关1的电压输入端6。能受控的半导体开关3在本实施例中通过所谓的PMOS(p通道MOSFET或PMOSFET)实现，即，金属氧化物半导体场效应晶体管，其中，正电荷载流子(电子空穴)用于传导电流经过通道。
在联接直流电压源并联接负载L情况下，在保护开关1运行时，负载电流从电压输入端6出发经过电流路径3并因而经过半导体开关3的漏极-源极线路以及经过负载L流向参考电位或接地(接零)。流过半导体开关3和负载L的负载电流相应于电压受控的电流源电路2的输出电流IL。输出电流IL借助于电压受控的电流源电路2来检测。为此，在其图1所示的布线图中，电压受控的电流源电路包括电阻R1至R3和运算放大器OP1以及晶体管Q4和接地(接零)或者向参考电位引导的电阻R7。
利用电压受控的电流源电路2的电阻R1、R2、R3和运算放大器OP1以及晶体管Q4和接零的电阻R7，在一定程度上实现电流映射，其方式是：流过电阻R1的输出电流IL在一定程度上在电阻R7上映射为相对较小的电流值。如果输出电流例如为1A，则流过电阻R7的电流例如为1mA。将电阻R7上的相应的电压值输送给运算放大器OP2的正输入端作为输出电流IL的实际值I实际。
电压受控的电流源电路2大致包括作为用于形成差的比较器的运算放大器OP2，电阻R7和因而是输出电流IL的实际值I实际通向运算放大器的(正的)输入端E(+)。运算放大器OP2的反相输入端E(-)通过电阻R8通向控制单元5的输出端AI设定。控制单元5通过输出端AI设定将输出电流IL的设定值I设定提供至运算放大器OP2。在运算放大器OP2的输出端As与反相输入端E(-)之间接有电容器C2。
电压受控的电流源电路2的运算放大器OP2的输出端As通向控制单元5的输入端EILim。控制单元5的另一输入端EV出在半导体开关3与负载联接端7之间通向电流路径4。此外，电流源电路2的运算放大器OP2的输出端As与半导体开关3的控制侧，即，与其控制输入端(控制极)连接。在本实施例中，这通过电压受控的电流源电路2的放大器8实现。
在电子保护开关1及其电压受控的电流源电路2的正常运行状态下，以如下方式调设控制单元5的输出端AI设定以及进而设定值I设定，使得输出电流IL优选大于最大的负载电流。在这些正常条件下，电子保护开关1的负载或输出电压V出等于其输入电压V入。
在过载或短路情况下或者当接通至容性负载L时，通过相应地驱控半导体开关3首先将输出电流IL主动限制为额定值I额定。这种状态由控制单元5识别出，这是因为其与运算放大器OP2的输出端As连接，该运算放大器形成在当前实际值I实际与预定的设定值I设定之间的差并且在输出端侧提供相应变化的差值S作为用于半导体开关3的控制信号(控制电压)。运算放大器OP2的变化的差值S导致对半导体开关3的相应的驱控，从而相应地控制截止该半导体开关并且将输出电流IL限制到电流限制值I最大。另外，由控制单元5根据变化的输出电压(负载电压)V出检测过载或短路情况。
一旦识别到过载或短路，电压受控的电流源电路2的输出电流IL通过设定值I设定的相应变化来设置，从而使得半导体开关3的最大功率损耗P最大在其安全范围(安全运行范围)内。同时监控输出电压V出。
假如在能预定的时间间隔内，输出电压V出未升高，则将输出电流IL设为零(0A)，即，电子保护开关1关断负载输出端或联接端7。
相反，假如输出电压V出升高，则在半导体开关3的安全范围内优选分级地提高设定值I设定，从而输出电流IL也相应分级地升高。在此，半导体开关3的功率，即损耗功率始终小于或等于最大功率值P最大。这利用控制单元5通过形成设定值I设定和输出电压V出的乘积(V出·I设定)实现。设定值I设定在半导体开关3的可靠功率范围内优选逐步提高直至输出电压V出重新等于电子保护开关3或其电流源电路2的输入电压V入。
在电子保护开关1接通至容性负载L时尤其也适用的这种控制方法在图2所示的流程图中示出。启动之后，即，随着电子保护开关1的接通，由控制单元5将设定值I设定设为对应的额定电流INom。随后进行询问，所设的设定值I设定是否大于电流限制值或最大值I最大。如果是的话，则在下一步骤中，形成当前设定值I设定和当前输出电压V出的乘积，并且询问，该乘积是否大于最大功率值P最大。如果是的话，则将设定值I设定设为最小值I最小。该最小值优选相当于输出电流IL的额定值I额定的例如20％的部分。
图4结合电流-时间示意图I额定(t)示出这种状态，其中，在x轴上绘制时间t(单位μs)并在y轴上绘制归一化的负载或输出电流IL作为额定值I额定(单位％)。在初始状态下，设定值I设定设为输出电流IL的额定值I额定。只要在设定值I设定低于最大值I最大并且半导体开关3的功率(V出·I设定)低于最大功率值P最大情况下，就保持该状态。
在时间点t＝400，将保护开关1接通至容性负载L。控制单元5在一定程度上同时将输出电流IL的设定值I设定设为额定值I额定的20％。随着设定值I设定的降低，通过运算放大器OP2根据差值S相应控制截止半导体开关3。在能预定的时间间隔例如Δt＝100之后，通过如下方式检测对调设或者说控制或调节的响应，即，询问当前的输出电压V出(t＝500)。如果输出电压为零(V出＝0)，则触发电子保护开关3。如果相反输出电压不等于零(V出≠0)，即，输出电压V出已达到一定的电压值Vt>0，则设定值I设定提高一个阶梯值I阶梯，其例如相应于额定电流I额定的例如30％。
随后进行询问，设定值I设定是否已经达到额定值I额定。如果是的话，则控制算法重新开始询问，设定值I设定是否相应于额定值I额定。如果否的话，则在询问输出电压V出以及尤其是其由于设定值I设定分级上升导致的升高的情况下，程序进程以另一设定值提高I阶梯开始运行。如果输出电压V出不超过电压值Vt，则重新触发电子保护开关3。
一方面是设定值I设定以及进而输出电流IL的逐渐、优选阶梯式上升与另一方面是归一化的负载电压或输出电压V出(％)的时间曲线之间的相关性可以在图3和图4所示示意图中看出。因此如果输出电流IL随着设定值I设定的不断提高而逐渐上升并且输出电压V也随着输出电流而逐渐上升，则将设定值I设定提高，直至输出电流IL达到额定值I额定。图4所示的电压曲线关于时间t(单位：μs)代表典型的接通至容性负载L的情况。
利用该方法并且结合图2所示的流程图有关的算法，在恒定的电流限制范围内，可以以如下方式驱控半导体开关3，使得在过载或短路情况下，输出电流或负载电流IL至少暂时限制为预定的最大电流限制值I最大，在此其损耗功率小于或等于最大功率值P最大。电流限制值I最大例如为保护开关1的额定电流的1.5倍至2倍。
基于由控制单元5向运算放大器OP2以及因而向电压受控的电流源电路2预定设定值I设定，半导体开关3的功率在全部运行状态下都由控制单元5调控。由此，半导体开关3可以关于要产生的损耗功率相应较小地确定规格。
在根据实施例使用PMOS场效应晶体管条件下按照有利方式利用实际-设定比较来工作的电压受控的电流源电路2中，在实践中在过载或短路情况下自动执行电流限制，其方式为：如果达到或超过阈值，基于在运算放大器OP2的输出端As上形成差值S而自动地控制截止半导体开关3。在正常运行模式下，差值S，即，作为控制信号控制半导体开关3的电压差值小于零(<0V)。在此状态下，控制单元5可以休眠并且是相应低功耗的。仅当差值S超过阈值S0(即，S0＝0V)，也就是说大于零(>0V)时，控制单元5才响应并使得设定值I设定降低，其中，利用差值S≥S0提前或同时使半导体开关控制到具有IL≤I的电流限制内。
本发明不局限于前述实施例。相反本领域技术人员也可以从中推导出发明的其它变型方案，而不偏离本发明主题。此外，尤其是结合实施例所述的所有单独特征也可以任意方式彼此组合，而不偏离本发明主题。
因此，例如代替PMOS也可以将其它MOSFET类型或双极晶体管类型作为半导体开关3。也可以取消放大器8或者将其构建为放大器电路。
附图标记列表
1 电子保护开关
2 电压受控的电流源电路
3 半导体开关
4 电流路径/正路径
5 控制单元/装置
6 电压输入端
7 负载联接端/负载输出端
8 放大器
AI设定 输出端
AS 输出端
C1、C2 电容器
E(+) (正)输入端
E(-) 反向输入端
EV出 输入端
EILim 输入端
L 负载
OP1、OP2 运算放大器
Q2、Q4 晶体管
R1至R8 欧姆电阻
IL 输出端电流/负载电流
I最大 最大限制值/电流限制值
I最小 最小值
Ι额定 额定值
I设定 设定值
V入 运行电压/输入电压
V出 输出电压
P最大 最大功率值
S 差值/控制信号
S0 阈值

Claims (10)

1.电子保护开关(1)，所述电子保护开关具有控制单元(5)和能受控的半导体开关(3)，所述半导体开关接在电压输入端(6)与负载输出端(7)之间的电流路径(4)中，
-其中，所述半导体开关(3)整合到电压受控的电流源电路(2)中，在已联接负载(L)情况下借助所述控制单元(5)来调设所述电压受控的电流源电路的输出电流(IL)，从而使得所述半导体开关(3)的功率小于或等于最大功率值(P最大)，其中，所述控制单元(5)将设定值(I设定)发送至所述电压受控的电流源电路(2)并且从所述电压受控的电流源电路得到差值(S)，所述差值由代表所述输出电流(IL)的实际值(I实际)与所述设定值(I设定)的偏差形成并且被输送给所述半导体开关(3)作为用来驱控所述半导体开关的控制信号，并且
-其中，所述控制单元(5)在过载或短路情况下将所述输出电流(IL)的设定值(I设定)调设到能预定或已预定的最小值(I最小)，而当所述电压受控的电流源电路(2)的输出电压(V出)随时间升高时则将所述输出电流的设定值提高至额定值(I额定)。
2.根据权利要求1所述的电子保护开关(1)，
其特征在于，
所述电压受控的电流源电路(2)的输出电压(V出)被输送给所述控制单元(5)，所述控制单元获知所述半导体开关(3)的功率并且依赖于所述输出电压(V出)地调设所述最大功率值(P最大)。
3.根据权利要求2所述的电子保护开关(1)，
其特征在于，
所述控制单元从所述输出电压(V出)和所述设定值(I设定)获知所述半导体开关(3)的功率。
4.根据权利要求1所述的电子保护开关(1)，
其特征在于，
所述能受控的半导体开关(3)在所述电压受控的电流源电路(2)内以如下方式受驱控，即，使得在过载或短路情况下，在考虑到所述最大功率值(P最大)的情况下限制所述输出电流(IL)。
5.根据权利要求4所述的电子保护开关(1)，
其特征在于，
所述控制单元(5)依赖于所述输出电压(V出)地分级地提高所述输出电流(IL)的设定值(I设定)。
6.根据权利要求1所述的电子保护开关(1)，
其特征在于，
所述电压受控的电流源电路(2)具有运算放大器(OP2)，在输入端侧将所述输出电流(IL)的实际值(I实际)和设定值(I设定)输送给所述运算放大器，并且所述运算放大器在输出端侧与所述控制单元(5)的输入端(EILim)连接以及与所述半导体开关(3)的控制侧连接。
7.用于控制电子保护开关(1)的方法，所述电子保护开关具有整合到电压受控的电流源电路(2)内的能受控的半导体开关(3)，
-其中，检测所述电流源电路(2)的输出电流(IL)作为实际值(I实际)并且将其与设定值(I设定)进行比较来形成差值(S)，所述差值充当用来驱控所述半导体开关(3)的控制信号，并且
-其中，调设所述电流源电路(2)的输出电流(IL)的设定值(I设定)，从而使得所述半导体开关(3)的功率始终小于或等于最大功率值(P最大)，并且
-其中，在过载或短路情况下，将所述输出电流(IL)的设定值(I设定)调设到最小值(I最小)上，并且随后仅当在所述电压受控的电流源电路(2)的输出电压(V出)随时间升高时才依赖于所述输出电压(V出)地提高所述输出电流(IL)的设定值(I设定)。
8.根据权利要求7所述的方法，
其特征在于，
当所述输出电流(IL)的由所述实际值(I实际)和所述设定值(I设定)形成的差值(S)达到或超过阈值(S0)时，将所述输出电流(IL)限制到电流值(I最大)上。
9.根据权利要求7所述的方法，
其特征在于，
检测所述电流源电路(2)的输出电压(V出)，并且依赖于所述输出电压(V出)地调设所述输出电流(IL)的设定值(I设定)。
10.根据权利要求7所述的方法，
其特征在于，
当在所述输出电压(V出)随时间升高时依赖于所述输出电压(V出)地阶梯式地提高所述输出电流(IL)的设定值(I设定)。
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