JP2019172915A - Temporal adhesive film used for manufacturing electronic device, support substrate for manufacturing electronic package, and manufacturing method of electronic package - Google Patents

Temporal adhesive film used for manufacturing electronic device, support substrate for manufacturing electronic package, and manufacturing method of electronic package Download PDF

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JP2019172915A JP2018065345A JP2018065345A JP2019172915A JP 2019172915 A JP2019172915 A JP 2019172915A JP 2018065345 A JP2018065345 A JP 2018065345A JP 2018065345 A JP2018065345 A JP 2018065345A JP 2019172915 A JP2019172915 A JP 2019172915A
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一樹 出町
高橋 豊誠
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Abstract

To suppress generation of problems such as defective plating in a temporally adhered element in manufacturing an electronic package including a temporal adhesion process.SOLUTION: There is provided a temporal adhesive film used for manufacturing an electronic device, in which X-Xis 7 mass% or less, wherein Xmass% is amount of a carbon atom based on a copper atom when the temporal adhesive film and a first surface of a copper foil with arithmetic mean surface roughness of a first surface of 0.4 μm are thermal compression bond under a constant condition, the copper foil is peeled from the temporal adhesive film, and an element composition of the first surface of the peeled copper foil is measured by an energy dispersion type X ray analysis with an electron beam with accelerating voltage of 10 kV as a primary ray, and Xmass% is amount of the carbon atom based on the copper atom when the element composition of the first surface of the copper foil before thermal compression bond is measured by same energy dispersion type X ray analysis. There is provided a temporal adhesive film of which adhesive force is reduced or eliminated by exposure, and which can manufacture the temporal adhesive film by exposure with i ray of 2000 mJ/cm.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、電子装置の製造に用いられる仮接着フィルム、電子パッケージ製造用サポート基板および電子パッケージの製造方法に関する。より具体的には、電子装置の製造に用いられる仮接着フィルム、その仮接着フィルムを備える電子パッケージ製造用サポート基板、および、そのサポート基板を用いた電子パッケージの製造方法に関する。   The present invention relates to a temporary adhesive film used for manufacturing an electronic device, a support substrate for manufacturing an electronic package, and a method for manufacturing the electronic package. More specifically, the present invention relates to a temporary adhesive film used for manufacturing an electronic device, an electronic package manufacturing support substrate including the temporary adhesive film, and an electronic package manufacturing method using the support substrate.

電子パッケージの製造に際して、基板や素子を一時的にサポート基板に固定または接着しておくプロセス(仮接着、仮固定などとしばしば呼ばれる)が行われる場合がある。また、仮接着や仮固定のための材料、プロセスなどが盛んに検討されている。   In manufacturing an electronic package, a process of temporarily fixing or bonding a substrate or an element to a support substrate (often referred to as temporary bonding or temporary fixing) may be performed. In addition, materials and processes for temporary bonding and temporary fixing are actively studied.

例えば、特許文献1には、「ウエハとサポート基板の容易な仮接着」などの課題を解決するものとして、ポリイミド樹脂の樹脂膜からなる第一仮接着材層と、硬化性シリコーン樹脂を含む接着剤組成物の硬化膜からなる第二仮接着材層とを有する、ウエハ加工用積層体が記載されている。   For example, in Patent Document 1, as a solution to problems such as “easy temporary adhesion between a wafer and a support substrate”, a first temporary adhesive layer made of a polyimide resin film and an adhesive containing a curable silicone resin The laminated body for wafer processing which has a 2nd temporary adhesive material layer which consists of a cured film of an agent composition is described.

また、特許文献2には、仮固定のプロセスを含み、半導体パッケージの薄型化と低反り化とを両立し、薄型の半導体装置を高い歩留まりで提供することができる技術が開示されている。具体的には、まず封止材により封止された半導体パッケージを作製した後に、その半導体パッケージの表面に反り矯正基板を仮固定する工程、リフローする工程、リフロー後に半導体パッケージから反り矯正基板を除去する工程などを含む半導体装置の製造方法が開示されている。   Patent Document 2 discloses a technique that includes a temporary fixing process and that can achieve both thinning and low warpage of a semiconductor package and provide a thin semiconductor device with high yield. Specifically, after manufacturing a semiconductor package sealed with a sealing material, a step of temporarily fixing a warp correction substrate to the surface of the semiconductor package, a step of reflowing, and removing the warp correction substrate from the semiconductor package after reflow A method of manufacturing a semiconductor device including a process for performing the process is disclosed.

特開2016−86158号公報JP, 2006-86158, A 特開2016−072254号公報JP 2006-072254 A

上述のように、電子装置の製造において、仮接着ないし仮固定(以下では「仮接着」の語で統一する)については様々な検討が進められている。
しかし、本発明者らの検討によれば、サポート基板に仮接着されていた素子や基板を、サポート基板から引きはがし、その後その素子や基板に更なる処理を行う場合、不具合が生じる場合があった。
例えば、サポート基板から引きはがされた素子、基板、配線構造などに対し、金メッキを行った場合、金メッキができなかったり、金が異常析出したりなどして、適切に金メッキを施すことができない場合があった。
As described above, in the manufacture of electronic devices, various studies are being made on temporary bonding or temporary fixing (hereinafter, unified by the term “temporary bonding”).
However, according to the study by the present inventors, when the element or substrate temporarily bonded to the support substrate is peeled off from the support substrate and then further processing is performed on the element or substrate, a problem may occur. It was.
For example, when gold plating is applied to an element, a substrate, a wiring structure, etc. that are peeled off from a support substrate, gold plating cannot be performed properly, or gold cannot be properly deposited due to abnormal deposition. There was a case.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものである。本発明は、仮接着工程を含む電子パッケージの製造において、仮接着されていた素子、基板、配線構造などにメッキ不良などの不具合が生じることを低減することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances. An object of the present invention is to reduce the occurrence of defects such as defective plating in a temporarily bonded element, substrate, wiring structure, etc., in the manufacture of an electronic package including a temporary bonding step.

本発明者らは、上記の不具合の原因や、その解決方法について様々な観点から検討した。検討の結果、仮接着フィルムと特定の銅箔とを熱圧着し、その後その銅箔を引きはがした際の、銅箔表面に付着するミクロな有機物等が、メッキ不良などの不具合と関係しているらしいことを知見した。この知見に基づき更に検討を進め、以下の本発明を完成させた。   The present inventors have examined the cause of the above-described problems and the solutions thereof from various viewpoints. As a result of the investigation, when the temporary adhesive film and a specific copper foil are thermocompression bonded and then the copper foil is peeled off, the micro organic matter that adheres to the copper foil surface is related to defects such as plating defects. I found out that it seems to be. Further studies were made based on this finding, and the following invention was completed.

本発明によれば、
電子装置の製造に用いられる仮接着フィルムであって、
前記仮接着フィルムと、第一面の算術平均表面粗さRaが0.4μmである第一の銅箔の当該第一面とを、温度40℃、圧力0.2MPa、時間30秒で熱圧着し、その後150℃で1時間加熱して仮接着し、そして前記第一の銅箔を前記仮接着フィルムから引きはがし、引きはがされた第一の銅箔の当該第一面の元素組成を加速電圧10kVの電子線を一次線とするエネルギー分散型X線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をX質量%とし、
前記熱圧着前の前記第一の銅箔の当該第一面の元素組成を前記エネルギー分散型X線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をX質量%としたとき、
−Xで表される炭素原子増加量が7質量%以下である仮接着フィルム
が提供される。なお、この発明を「第1発明」とも表記する。
According to the present invention,
A temporary adhesive film used in the manufacture of electronic devices,
Thermobonding the temporary adhesive film and the first surface of the first copper foil having an arithmetic average surface roughness Ra of 0.4 μm on the first surface at a temperature of 40 ° C., a pressure of 0.2 MPa, and a time of 30 seconds. And then temporarily bonded by heating at 150 ° C. for 1 hour, and the first copper foil is peeled off from the temporary adhesive film, and the elemental composition of the first surface of the peeled first copper foil is determined. The amount of carbon atoms relative to copper atoms when measured by an energy dispersive X-ray analysis method using an electron beam with an acceleration voltage of 10 kV as a primary line is Xf mass%,
When when the elemental composition of the first surface of the first copper foil before the thermocompression bonding was measured by the energy dispersive X-ray analysis, the amount of carbon atoms to copper atoms was X i mass%,
Temporary adhesive film in which the carbon atom increasing amount represented by X f -X i is equal to or less than 7 mass% is provided. This invention is also referred to as “first invention”.

また、本発明によれば、
第1の基板と、
当該第1の基板の片面に設けられた、上記第1発明の仮接着フィルムと
を備える電子パッケージ製造用サポート基板
が提供される。なお、この発明を「第2発明」とも表記する。
Moreover, according to the present invention,
A first substrate;
Provided is a support substrate for manufacturing an electronic package comprising the temporary adhesive film of the first invention provided on one side of the first substrate. This invention is also referred to as “second invention”.

また、本発明によれば、
上記第2発明のサポート基板が備える仮接着フィルムと、第2の基板とを仮接着し、複合基板を得る仮接着工程と、
前記第2の基板のある面を上面として前記複合基板を上面視したとき、前記複合基板における前記第2の基板の上に電子素子を配置する配置工程と、
前記配置工程で配置された前記電子素子に対して封止用組成物を適用し、前記封止用組成物の硬化物で前記電子素子が封止された封止基板を得る封止工程と、
前記封止基板の少なくとも一部を切削する切削工程と、
前記サポート基板と、前記第2の基板とを分離する分離工程と、
を含む電子パッケージの製造方法
が提供される。なお、この発明を「第3発明」とも表記する。
Moreover, according to the present invention,
A temporary bonding step of temporarily bonding the temporary adhesive film provided on the support substrate of the second invention and the second substrate to obtain a composite substrate;
An arrangement step of arranging an electronic element on the second substrate in the composite substrate when the composite substrate is viewed from above with a surface of the second substrate as an upper surface;
A sealing step of applying a sealing composition to the electronic elements arranged in the arrangement step, and obtaining a sealing substrate in which the electronic elements are sealed with a cured product of the sealing composition;
A cutting step of cutting at least a part of the sealing substrate;
A separation step of separating the support substrate and the second substrate;
A method for manufacturing an electronic package is provided. This invention is also referred to as “third invention”.

また、本発明によれば、
電子装置の製造に用いられる仮接着フィルムであって、
当該仮接着フィルムは、露光により接着力が低下または消失する性質を有し、
2000mJ/cmのi線で露光した当該仮接着フィルムと、第一面の算術平均表面粗さRaが0.4μmである第一の銅箔の当該第一面とを、温度40℃、圧力0.2MPa、時間30秒で熱圧着し、その後150℃で1時間加熱して仮接着し、そして前記第一の銅箔を当該仮接着フィルムから引きはがし、引きはがされた前記第一の銅箔の当該第一面の元素組成を加速電圧10kVの電子線を一次線とするエネルギー分散型X線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をY質量%し、
前記熱圧着前の前記第一の銅箔の当該第一面の元素組成を前記エネルギー分散型X線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をY質量%としたとき、
−Yで表される炭素原子増加量が7質量%以下である仮接着フィルム
が提供される。なお、この発明を「第4発明」とも表記する。
Moreover, according to the present invention,
A temporary adhesive film used in the manufacture of electronic devices,
The temporary adhesive film has the property that the adhesive strength is reduced or disappears by exposure,
The temporary adhesive film exposed with i-line of 2000 mJ / cm 2 and the first surface of the first copper foil having an arithmetic average surface roughness Ra of 0.4 μm on the first surface, a temperature of 40 ° C. and a pressure Thermocompression bonding was performed at 0.2 MPa for 30 seconds, followed by temporary bonding at 150 ° C. for 1 hour, and the first copper foil was peeled off from the temporary adhesive film, and the first copper film was peeled off. When the elemental composition of the first surface of the copper foil is measured by energy dispersive X-ray analysis using an electron beam with an acceleration voltage of 10 kV as a primary line, the amount of carbon atoms relative to copper atoms is Yf mass%,
When the elemental composition of the first surface of the first copper foil before the thermocompression bonding is measured by the energy dispersive X-ray analysis method, when the amount of carbon atoms relative to copper atoms is Y i mass%,
Temporary adhesive film weight increased carbon atoms represented by Y f -Y i is less than 7 mass% is provided. This invention is also referred to as “fourth invention”.

また、本発明によれば、
第1の基板と、
当該第1の基板の片面に設けられた、上記第4発明の仮接着フィルムと
を備える電子パッケージ製造用サポート基板
が提供される。なお、この発明を「第5発明」とも表記する。
Moreover, according to the present invention,
A first substrate;
Provided is a support substrate for manufacturing an electronic package comprising the temporary adhesive film of the fourth invention provided on one side of the first substrate. This invention is also referred to as “fifth invention”.

また、本発明によれば、
上記第5発明の電子パッケージ製造用サポート基板が有する仮接着フィルムを露光し、接着力の強い領域Aと、前記領域Aより接着力の弱い領域Bと設ける露光工程と、
前記露光工程で露光された仮接着フィルムと第2の基板とを仮接着し、複合基板を得る仮接着工程と、
前記第2の基板のある面を上面として前記複合基板を上面視したとき、前記領域Bと重なるようにして電子素子を配置する配置工程と、
前記配置工程で配置された前記電子素子に対して封止用組成物を適用し、前記封止用組成物の硬化物で前記電子素子が封止された封止基板を得る封止工程と
前記封止基板の少なくとも一部を切削する切削工程と、
前記サポート基板と、前記第2の基板とを分離する分離工程と、
を含む電子パッケージの製造方法
が提供される。なお、この発明を「第6発明」とも表記する。
Moreover, according to the present invention,
Exposing the temporary adhesive film of the support substrate for manufacturing an electronic package of the fifth invention, and providing an area A having a strong adhesive force and a region B having a weaker adhesive force than the region A;
A temporary bonding step of temporarily bonding the temporary adhesive film and the second substrate exposed in the exposure step to obtain a composite substrate;
An arrangement step of arranging an electronic element so as to overlap with the region B when the composite substrate is viewed from above with a surface of the second substrate as an upper surface;
A sealing step of applying a sealing composition to the electronic elements arranged in the arranging step to obtain a sealing substrate in which the electronic elements are sealed with a cured product of the sealing composition; A cutting step of cutting at least a part of the sealing substrate;
A separation step of separating the support substrate and the second substrate;
A method for manufacturing an electronic package is provided. This invention is also referred to as “sixth invention”.

本発明によれば、仮接着工程を含む電子パッケージの製造において、仮接着されていた素子、基板、配線構造などにメッキ不良などの不具合が生じることを低減することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in manufacture of the electronic package including a temporary bonding process, it can reduce that malfunctions, such as a plating defect, arise in the element, the board | substrate, wiring structure, etc. which were temporarily bonded.

第1実施形態の電子パッケージの製造工程などを模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the manufacturing process etc. of the electronic package of 1st Embodiment. 第1実施形態の電子パッケージの製造工程などを模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the manufacturing process etc. of the electronic package of 1st Embodiment. 第2実施形態の電子パッケージの製造工程などを模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the manufacturing process etc. of the electronic package of 2nd Embodiment. 第2実施形態の電子パッケージの製造工程などを模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the manufacturing process etc. of the electronic package of 2nd Embodiment. 引きはがし強さの測定方法を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the measuring method of peeling strength.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ、詳細に説明する。
すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
煩雑さを避けるため、(i)同一図面内に同一の構成要素が複数ある場合には、その1つのみに符号を付し、全てには符号を付さない場合や、(ii)特に図2以降において、図1と同様の構成要素に改めては符号を付さない場合がある。
すべての図面はあくまで説明用のものである。図面中の各部材の形状や寸法比などは、必ずしも現実の物品と対応するものではない。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
In all the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.
In order to avoid complications, (i) when there are a plurality of identical components in the same drawing, only one of them is given a reference, and all are not attached, or (ii) 2 and later, the same components as in FIG. 1 may not be denoted again.
All drawings are for illustrative purposes only. The shape and dimensional ratio of each member in the drawings do not necessarily correspond to an actual article.

本明細書中、「略」という用語は、特に明示的な説明の無い限りは、製造上の公差や組立て上のばらつき等を考慮した範囲を含むことを表す。
本明細書中、数値範囲の説明における「a〜b」との表記は、特に断らない限り、a以上b以下のことを表す。例えば、「1〜5質量%」とは「1質量%以上5質量%以下」の意である。
In this specification, the term “substantially” means that it includes a range that takes into account manufacturing tolerances, assembly variations, and the like, unless otherwise specified.
In the present specification, the notation “ab” in the description of the numerical range represents a range from a to b unless otherwise specified. For example, “1 to 5% by mass” means “1 to 5% by mass”.

本明細書における基(原子団)の表記において、置換か無置換かを記していない表記は、置換基を有しないものと置換基を有するものの両方を包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有しないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本明細書における「(メタ)アクリル」との表記は、アクリルとメタクリルの両方を包含する概念を表す。「(メタ)アクリレート」等の類似の表記についても同様である。
本明細書において「電子パッケージ」とは、電子素子(典型的には半導体チップ)が、何らかの形で封止材により封止されたもののことをいう。
In the notation of a group (atomic group) in this specification, the notation which does not describe substitution or non-substitution includes both those having no substituent and those having a substituent. For example, the “alkyl group” includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).
The notation “(meth) acryl” in the present specification represents a concept including both acrylic and methacrylic. The same applies to similar notations such as “(meth) acrylate”.
In this specification, an “electronic package” refers to an electronic element (typically a semiconductor chip) sealed in some form with a sealing material.

以下では、第1発明、第2発明および第3発明の実施の形態を<第1実施形態>、第4発明、第5発明および第6発明の実施の形態を<第2実施形態>として説明する。   Hereinafter, the first, second, and third embodiments will be described as <first embodiment>, and the fourth, fifth, and sixth embodiments will be described as <second embodiment>. To do.

<第1実施形態>
[仮接着フィルム]
第1実施形態の仮接着フィルムは、電子装置の製造に用いられるものである。
この仮接着フィルムと、第一面の算術平均表面粗さRaが0.4μmである第一の銅箔の第一面とを、温度40℃、圧力0.2MPa、時間30秒で熱圧着し、その後150℃で1時間加熱して仮接着し、そして第一の銅箔を仮接着フィルムから引きはがし、引きはがされた第一の銅箔の第一面の元素組成を加速電圧10kVの電子線を一次線とするエネルギー分散型X線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量(割合)をX質量%とし、
熱圧着前の第一の銅箔の第一面の元素組成を上記と同様の(加速電圧10kVの電子線を一次線とする)エネルギー分散型X線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量(割合)をX質量%としたとき、
−Xで表される炭素原子増加量は7質量%以下である。
<First Embodiment>
[Temporary adhesive film]
The temporary adhesive film of 1st Embodiment is used for manufacture of an electronic device.
This temporary adhesive film and the first surface of the first copper foil having an arithmetic average surface roughness Ra of 0.4 μm on the first surface are thermocompression bonded at a temperature of 40 ° C., a pressure of 0.2 MPa, and a time of 30 seconds. Then, heating is performed at 150 ° C. for 1 hour for temporary bonding, and the first copper foil is peeled off from the temporary bonding film, and the elemental composition of the first surface of the peeled first copper foil is changed to an acceleration voltage of 10 kV. The amount (ratio) of carbon atoms with respect to copper atoms when measured by an energy dispersive X-ray analysis method using an electron beam as a primary beam is Xf mass%,
When the elemental composition of the first surface of the first copper foil before thermocompression bonding is measured by the same energy dispersive X-ray analysis method (using an electron beam with an acceleration voltage of 10 kV as a primary line) as described above, when the amount of carbon atoms (ratio) and X i mass%,
Carbon atoms increase represented by X f -X i is less than 7 mass%.

このような仮接着フィルムにより、仮接着されていた素子、基板、配線構造などにメッキ不良などの不具合が生じることを低減できる理由については、以下のように説明することができる。なお、以下説明は推測を含み、また、以下説明により本発明が限定されるわけではない。   The reason why such a temporary adhesive film can reduce the occurrence of defects such as defective plating in the temporarily bonded elements, substrates, wiring structures, etc. can be explained as follows. The following description includes a guess, and the present invention is not limited to the following description.

本発明者らは、従来の仮接着フィルムを用いて仮接着されていた素子、基板、配線構造などにメッキ不良などの不具合が生じることがある原因を様々な観点から検討した。
検討の結果、仮接着フィルムから剥がした素子、基板、配線構造などは、一見して清浄であり、仮接着フィルムのカス等が目視や光学顕微鏡では確認できないものの、目視や光学顕微鏡では確認できないミクロな仮接着フィルム由来の有機物が付着し、これがメッキ不良などの原因になっているように推測された。
The present inventors have examined the causes of defects such as poor plating in elements, substrates, wiring structures, etc. that have been temporarily bonded using conventional temporary bonding films from various viewpoints.
As a result of the study, the elements, substrates, wiring structures, etc. removed from the temporary adhesive film are clean at first glance, and the residue of the temporary adhesive film cannot be confirmed visually or with an optical microscope, but cannot be confirmed visually or with an optical microscope. It was speculated that an organic substance derived from a temporary adhesive film adhered, which caused plating defects and the like.

上記推測に基づき、本発明者らは、まず、仮接着フィルムと接触しうる素子や基板を代表するものとして、第一面の算術平均表面粗さRaが0.4μmである第一の銅箔を準備した。そして、この第一の銅箔の第一面と仮接着フィルムとを接着し、その後この第一の銅箔を引きはがしたときの「第一の銅箔の第一面に付着する有機物等の量」を制御因子として、この値が一定値以下となる仮接着フィルムを設計して、メッキ不良などの課題を解決しようと考えた。
また、このときの、第一の銅箔の第一面に付着する、目視や光学顕微鏡では確認できない微小な有機物等の定量に、加速電圧10kVの電子線を一次線とするエネルギー分散型X線分析法を用いることにした。
Based on the above assumption, the present inventors first represented a first copper foil having an arithmetic average surface roughness Ra of 0.4 μm as a representative element or substrate that can come into contact with the temporary adhesive film. Prepared. Then, when the first surface of the first copper foil and the temporary adhesive film are bonded, and then the first copper foil is peeled off, “organic matter attached to the first surface of the first copper foil, etc. With the amount of "a" as a control factor, we designed a temporary adhesive film with this value below a certain value to solve problems such as plating defects.
In addition, energy dispersive X-rays using an electron beam with an accelerating voltage of 10 kV as a primary line for quantification of minute organic substances that adhere to the first surface of the first copper foil and cannot be confirmed visually or with an optical microscope. We decided to use the analytical method.

種々の検討の結果、本発明者らは、
・仮接着フィルムと、第一の銅箔とを、実プロセスに近い条件(温度40℃、圧力0.2MPa、時間30秒で熱圧着し、その後150℃で1時間加熱)で仮接着し、その後第一の銅箔を引きはがして、第一の銅箔の第一面の元素組成を、加速電圧10kVの電子線を一次線とするエネルギー分散型X線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量(割合)をX質量%とし、
・仮接着フィルムと熱圧着/仮接着される前の第一の銅箔の第一面の元素組成を、上記と同様の(加速電圧10kVの電子線を一次線とする)エネルギー分散型X線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量(割合)をX質量%としたとき、
−Xで表される炭素原子増加量が7質量%以下となる仮接着フィルムを新たに設計した。このような仮接着フィルムにより、メッキ不良などの不具合を低減することができた。
As a result of various studies, the present inventors have
-Temporary adhesion of the temporary adhesive film and the first copper foil under conditions close to the actual process (temperature 40 ° C, pressure 0.2 MPa, time 30 seconds, then heated at 150 ° C for 1 hour), Thereafter, the first copper foil is peeled off, and the elemental composition of the first surface of the first copper foil is measured by energy dispersive X-ray analysis using an electron beam with an acceleration voltage of 10 kV as a primary line. The amount (ratio) of carbon atoms to atoms is X f mass%,
Energy dispersive X-ray similar to the above (with an electron beam with an accelerating voltage of 10 kV as the primary line) for the elemental composition of the first surface of the first copper foil before being thermocompression bonded / temporarily bonded to the temporary adhesive film when measured by analytical method, when the amount of carbon atoms to copper atoms (ratio) was X i mass%,
X f -X carbon atoms increase represented by i is newly designed temporary adhesive film equal to or less than 7 mass%. With such a temporary adhesive film, defects such as plating defects could be reduced.

このような仮接着フィルムは、仮接着フィルムを構成する成分の種類や配合量、仮接着フィルムの製造方法などを適切に工夫することにより得ることができる。なお、仮接着フィルムは、典型的には、熱硬化性樹脂組成物により構成される。
より具体的には、仮接着フィルムの素材としてエポキシ化合物および重合性(メタ)アクリレート化合物からなる群より選択される少なくとも1種の重合性化合物を用いること、フィラー粒子を用いること、これらの量を適切にすること、調製や製膜の方法を工夫すること等により、X−Xで表される炭素原子増加量が7質量%以下となる仮接着フィルムを得ることができる。
仮接着フィルムを構成する各成分の種類や配合量、製造方法などの詳細は後述する。
Such a temporary adhesive film can be obtained by appropriately devising the type and amount of components constituting the temporary adhesive film, the method for producing the temporary adhesive film, and the like. The temporary adhesive film is typically composed of a thermosetting resin composition.
More specifically, at least one polymerizable compound selected from the group consisting of an epoxy compound and a polymerizable (meth) acrylate compound is used as a material for the temporary adhesive film, filler particles are used, and these amounts are determined. be suitably, such as by devising a method of preparing or film, it is possible to obtain a temporary adhesive film carbon atoms increase represented by X f -X i is equal to or less than 7 mass%.
Details of the types and blending amounts of each component constituting the temporary adhesive film, the manufacturing method, and the like will be described later.

なお、X−Xの値は、0に近いほど好ましいことは言うまでもない。X−Xの値は、好ましくは5質量%以下、より好ましくは4質量%以下、さらに好ましくは3質量%以下ある。 It goes without saying that the value of X f −X i is preferably as close to 0 as possible. The value of X f -X i is preferably 5 mass% or less, more preferably 4 wt% or less, still more preferably less 3 wt%.

「第一の銅箔」や「エネルギー分散型X線分析法」について補足しておく。
第一の銅箔は、例えば、三井金属鉱山社製の銅箔(品番:3EC−M3−VLP、厚み:12μm、光沢面の算術平均表面粗さRa:0.2μm)の光沢面に、以下のような処理を施すことで得ることができる。もちろん、第一の銅箔を得る方法は、これに限定されない。
(1)まず、上記銅箔を、エッチング前処理液(例えば、メック株式会社製、商品名:CA−5330Aを、純水で50vol%に希釈したもの)に浸漬する。前処理液の温度は25℃程度に調整し、浸漬の時間は10秒間程度とする。
(2)続いて、上記前処理をした銅箔を、水平ラインに置き、銅エッチング液(例えば、メック株式会社製、商品名:CZ−8101の原液)をスプレーする。スプレー圧は0.2MPa程度、スプレーの時間は30秒間程度とする。また、銅エッチング液の温度は25℃程度に調節する。
(3)上記スプレー処理後の銅箔を、防錆剤(例えば、メック株式会社製、商品名:CL−8301を、純水で50vol%に希釈したもの)に浸漬する。防錆剤の温度は25℃程度に調節する。浸漬の時間は15秒間程度とする。
(4)上記の浸漬後、銅箔を乾燥する。乾燥条件は120℃程度で30分間程度とする。
It supplements about "the first copper foil" and "energy dispersive X-ray analysis method".
The first copper foil is, for example, a glossy surface of copper foil (product number: 3EC-M3-VLP, thickness: 12 μm, arithmetic average surface roughness Ra: 0.2 μm of glossy surface) manufactured by Mitsui Mining & Mining Co., Ltd. It can obtain by performing the process like. Of course, the method of obtaining the first copper foil is not limited to this.
(1) First, the copper foil is immersed in a pre-etching treatment solution (for example, product name: CA-5330A manufactured by MEC Co., Ltd. diluted to 50 vol% with pure water). The temperature of the pretreatment liquid is adjusted to about 25 ° C., and the immersion time is about 10 seconds.
(2) Subsequently, the pretreated copper foil is placed on a horizontal line and sprayed with a copper etching solution (for example, trade name: CZ-8101 stock solution manufactured by MEC Co., Ltd.). The spray pressure is about 0.2 MPa, and the spraying time is about 30 seconds. The temperature of the copper etchant is adjusted to about 25 ° C.
(3) The copper foil after the spray treatment is immersed in a rust inhibitor (for example, product name: CL-8301, diluted with pure water to 50 vol%). The temperature of the rust inhibitor is adjusted to about 25 ° C. The immersion time is about 15 seconds.
(4) After the immersion, the copper foil is dried. Drying conditions are about 120 ° C. and about 30 minutes.

なお、上記(3)の防錆処理により防錆膜が表面に形成される都合上、上記方法で得られた銅箔の表面には、典型的には、銅原子に対して3質量%程度の量の炭素原子不可避的にが存在する(エネルギー分散型X線分析法により確認することができる)。   For the convenience of forming a rust preventive film on the surface by the rust preventive treatment of (3) above, the surface of the copper foil obtained by the above method is typically about 3% by mass with respect to copper atoms. Inevitable amounts of carbon atoms (can be confirmed by energy dispersive X-ray analysis).

ちなみに、Raの定義/測定方法は、JIS B 0601:2013に基づく。   Incidentally, the definition / measurement method of Ra is based on JIS B 0601: 2013.

エネルギー分散型X線分析法とは、電子線照射により発生する特性X線を検出し、エネルギーで分光することによって、元素分析や組成分析を行う手法である。特性X線は元素により固有のエネルギーを持つので、これを測定することにより元素分析を行うことができる。
エネルギー分散型X線分析法は、Energy Dispersive X−ray Spectroscopyの頭文字をとって、EDXまたはEDSなどとも呼ばれる。
エネルギー分散型X線分析を行う装置は、しばしば、走査型電子顕微鏡(SEM)または透過電子顕微鏡(TEM)に付属している。
第1実施形態(および後述の第2実施形態)では、照射する電子線(一次線)の加速電圧を10kVとすることで、銅箔をはがしたときの表面に付着する仮接着フィルムの残渣を適切に評価することができる。
The energy dispersive X-ray analysis method is a technique for performing elemental analysis and composition analysis by detecting characteristic X-rays generated by electron beam irradiation and performing spectral analysis with energy. Since characteristic X-rays have energy inherent to each element, elemental analysis can be performed by measuring this characteristic X-ray.
Energy dispersive X-ray analysis is an acronym for Energy Dispersive X-ray Spectroscopy and is also called EDX or EDS.
An apparatus for performing energy dispersive X-ray analysis is often attached to a scanning electron microscope (SEM) or transmission electron microscope (TEM).
In 1st Embodiment (and 2nd Embodiment mentioned later), the residue of the temporary adhesive film adhering to the surface when peeling copper foil is set by making the acceleration voltage of the electron beam (primary line) to irradiate into 10 kV. Can be appropriately evaluated.

また、第1実施形態の仮接着フィルムと、少なくとも片面の算術平均表面粗さRaが0.2μmである第二の銅箔のその片面とを、温度60℃、圧力0.3MPa、時間30秒で熱圧着し、その後150℃で1時間加熱して仮接着し、そして第二の銅箔を仮接着フィルムから引きはがしたときの引きはがし強さが、0.1[kN/m]以上であることが好ましい。
この、引きはがし強さが0.1[kN/m]以上であることにより、十分な接着力を得ることができる。そして、後述の電子パッケージの製造において、第2の基板がはがれる等の不具合を低減できる。
なお、この引きはがし強さは、好ましくは0.1〜0.5[kN/m]、より好ましくは0.15〜0.4[kN/m]、さらに好ましくは0.2〜0.3[kN/m]である。
Moreover, the temporary adhesive film of 1st Embodiment and the one side of the 2nd copper foil whose arithmetic mean surface roughness Ra of at least one side is 0.2 micrometer are temperature 60 degreeC, pressure 0.3 MPa, time 30 seconds. After that, when the second copper foil is peeled off from the temporary adhesive film, the peel strength is 0.1 [kN / m] or more. It is preferable that
When the peel strength is 0.1 [kN / m] or more, a sufficient adhesive force can be obtained. And in the manufacture of the electronic package described later, it is possible to reduce problems such as peeling of the second substrate.
The peel strength is preferably 0.1 to 0.5 [kN / m], more preferably 0.15 to 0.4 [kN / m], and still more preferably 0.2 to 0.3. [KN / m].

引きはがし強さを調整する方法は、特に限定されないが、仮接着フィルムを構成する各成分の種類や配合量、また、仮接着フィルムの製造方法を適切に工夫することで引きはがし強さを調整することができる。特に、素材としてエポキシ化合物および重合性(メタ)アクリレート化合物からなる群より選択される少なくとも1種の重合性化合物を用いること、フィラー粒子を用いること、これらの量を適切にすること、調製や製膜の方法を工夫すること等により、引きはがし強さを適切に調整することができる。   The method of adjusting the peel strength is not particularly limited, but the peel strength is adjusted by appropriately devising the type and amount of each component constituting the temporary adhesive film and the method of manufacturing the temporary adhesive film. can do. In particular, the use of at least one polymerizable compound selected from the group consisting of an epoxy compound and a polymerizable (meth) acrylate compound as a material, the use of filler particles, the appropriate amount thereof, preparation and production The peel strength can be adjusted appropriately by devising the film method.

なお、第二の銅箔としては、例えば、前述の三井金属鉱山社製の銅箔(品番:3EC−M3−VLP、厚み:12μm、光沢面の算術平均表面粗さRa:0.2μm)の光沢面を用いることができる。   In addition, as the second copper foil, for example, the above-mentioned copper foil manufactured by Mitsui Mining Co., Ltd. (product number: 3EC-M3-VLP, thickness: 12 μm, arithmetic average surface roughness Ra: 0.2 μm of glossy surface) A glossy surface can be used.

第1実施形態の仮接着フィルムの含有成分などについて説明する。
なお、第1実施形態の仮接着フィルムは、典型的には、熱硬化性樹脂組成物である。そして、好ましくは、以下に説明される成分の1種または2種以上を含む。
The components contained in the temporary adhesive film of the first embodiment will be described.
Note that the temporary adhesive film of the first embodiment is typically a thermosetting resin composition. And preferably, 1 type or 2 types or more of the component demonstrated below is included.

(エポキシ樹脂)
第1実施形態の仮接着フィルムは、好ましくは、エポキシ樹脂、および/または、後述の重合性(メタ)アクリレート化合物を含む。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂が挙げられる。
(Epoxy resin)
The temporary adhesive film of the first embodiment preferably contains an epoxy resin and / or a polymerizable (meth) acrylate compound described later.
Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, and bisphenol Z type epoxy resin. Bisphenol type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin and other novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, aryl aralkyl type epoxy resin having biphenylene skeleton, arylalkylene type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, Anthracene type epoxy resin, phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene type epoxy resin, adamantane type Epoxy resins, epoxy resins, such as a fluorene epoxy resin.

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば100以上であり、150〜5000が好ましく、150〜1000がより好ましく、150〜500がさらに好ましい。
エポキシ樹脂は、多官能エポキシ基を有する硬化性樹脂としては、芳香環構造(ベンゼン環構造など)および脂環構造(脂環式の炭素環構造)の少なくともいずれか一方を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。
エポキシ樹脂は、典型的には、多官能(2官能以上)である。
The epoxy equivalent of an epoxy resin is 100 or more, for example, 150-5000 are preferable, 150-1000 are more preferable, 150-500 are more preferable.
The epoxy resin includes an epoxy resin having at least one of an aromatic ring structure (such as a benzene ring structure) and an alicyclic structure (an alicyclic carbocyclic structure) as a curable resin having a polyfunctional epoxy group. Is preferred.
The epoxy resin is typically polyfunctional (bifunctional or higher).

一態様として、エポキシ樹脂は、フェノキシ樹脂を含むことが好ましい。
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂、イミド骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの骨格を複数種有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。
As one aspect, the epoxy resin preferably contains a phenoxy resin.
Examples of the phenoxy resin include a phenoxy resin having a bisphenol skeleton, a phenoxy resin having a naphthalene skeleton, a phenoxy resin having an anthracene skeleton, a phenoxy resin having a biphenyl skeleton, and a phenoxy resin having an imide skeleton. A phenoxy resin having a structure having a plurality of these skeletons can also be used.

特に、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型のフェノキシ樹脂、イミド骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールアセトフェノン骨格を有するフェノキシ樹脂を用いるのが好ましい。また、上記のうち複数の骨格を有するフェノキシ樹脂を用いてもよい。   In particular, it is preferable to use a bisphenol A type, bisphenol F type phenoxy resin, a phenoxy resin having an imide skeleton, or a phenoxy resin having a bisphenolacetophenone skeleton. Moreover, you may use the phenoxy resin which has several frame | skeleton among the above.

フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、5.0×10〜8.0×10が好ましい。なお、本明細書において、重量平均分子量とは、特に断りのない限り、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定したポリスチレン換算の値である。
また、フェノキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば1000〜30000、より好ましくは5000〜20000である。
Although the weight average molecular weight of a phenoxy resin is not specifically limited, 5.0 * 10 < 3 > -8.0 * 10 < 4 > is preferable. In the present specification, the weight average molecular weight is a value in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC) unless otherwise specified.
Moreover, the epoxy equivalent of a phenoxy resin is 1000-30000, for example, More preferably, it is 5000-20000.

一態様として、フェノキシ樹脂ではないエポキシ樹脂と、フェノキシ樹脂とが併用されることが好ましい。これにより、硬化速度を速めることができる。これにより、後述の電子パッケージの製造において、プロセスのスループットを高める効果が期待できる。
フェノキシ樹脂ではないエポキシ樹脂と、フェノキシ樹脂との量比は、特に限定されないが、例えば9:1〜5:5、好ましくは9:1〜6:4(質量比)である。
As one embodiment, it is preferable that an epoxy resin that is not a phenoxy resin and a phenoxy resin are used in combination. Thereby, the curing rate can be increased. As a result, an effect of increasing the throughput of the process can be expected in the manufacture of the electronic package described later.
The amount ratio between the epoxy resin that is not a phenoxy resin and the phenoxy resin is not particularly limited, but is, for example, 9: 1 to 5: 5, preferably 9: 1 to 6: 4 (mass ratio).

仮接着フィルム中のエポキシ樹脂の含有量(複数種のエポキシ樹脂を併用する場合は、その合計量)は、例えば20〜98質量%、好ましくは30〜96質量%、より好ましくは35〜90質量%、さらに好ましくは55〜90質量%である。   The content of the epoxy resin in the temporary adhesive film (when a plurality of types of epoxy resins are used in combination) is, for example, 20 to 98% by mass, preferably 30 to 96% by mass, and more preferably 35 to 90% by mass. %, More preferably 55 to 90% by mass.

エポキシ樹脂(フェノキシ樹脂を含む)については、公知のものや市販のものを適宜用いることができる。市販品としては、例えば、三菱ケミカル株式会社、日本化薬株式会社、新日鉄住金化学株式会社等のものが挙げられる。   As the epoxy resin (including phenoxy resin), a known one or a commercially available one can be used as appropriate. As a commercial item, things, such as Mitsubishi Chemical Corporation, Nippon Kayaku Co., Ltd., Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., are mentioned, for example.

(重合性(メタ)アクリレート化合物)
重合性(メタ)アクリレート化合物とは、光、熱、その他外部刺激により重合反応可能な(メタ)アクリロイル基を有する化合物である。重合性(メタ)アクリレート化合物は、2官能以上である(1分子中に2以上の(メタ)アクリロイル基を有する)ことが好ましく、2〜6官能であることがより好ましい。
(Polymerizable (meth) acrylate compound)
The polymerizable (meth) acrylate compound is a compound having a (meth) acryloyl group that can be polymerized by light, heat, or other external stimulus. The polymerizable (meth) acrylate compound is preferably bifunctional or more (having two or more (meth) acryloyl groups in one molecule), and more preferably 2 to 6 functional.

重合性(メタ)アクリレート化合物として具体的には、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、1,4−ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート等の、(メタ)アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物;エステル(メタ)アクリレートオリゴマー;2−プロペニル−ジ−3−ブテニルシアヌレート等の炭素−炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物;トリス(2−アクリロキシエチル)イソシアヌレート、トリス(2−メタクリロキシエチル)イソシアヌレート、2−ヒドロキシエチルビス(2−アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ビス(2−アクリロキシエチル)2−[(5−アクリロキシヘキシル)−オキシ]エチルイソシアヌレート、トリス(1,3−ジアクリロキシ−2−プロピル−オキシカルボニルアミノ−n−ヘキシル)イソシアヌレート、トリス(1−アクリロキシエチル−3−メタクリロキシ−2−プロピル−オキシカルボニルアミノ−n−ヘキシル)イソシアヌレート、トリス(4−アクリロキシ−n−ブチル)イソシアヌレート等の炭素−炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物;市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタン(メタ)アクリレート等が挙げられる。   Specific examples of polymerizable (meth) acrylate compounds include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, and tetraethylene glycol. Di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, 1,4 -(Meth) acrylic acid and polyhydric alcohols such as butylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, glycerin di (meth) acrylate Esterified products; ester (meth) acrylate oligomers; cyanurate-based compounds having a carbon-carbon double bond-containing group such as 2-propenyl-di-3-butenyl cyanurate; tris (2-acryloxyethyl) Isocyanurate, tris (2-methacryloxyethyl) isocyanurate, 2-hydroxyethylbis (2-acryloxyethyl) isocyanurate, bis (2-acryloxyethyl) 2-[(5-acryloxyhexyl) -oxy] Ethyl isocyanurate, tris (1,3-diacryloxy-2-propyl-oxycarbonylamino-n-hexyl) isocyanurate, tris (1-acryloxyethyl-3-methacryloxy-2-propyl-oxycarbonylamino-n-hexyl) ) Isocyanurate, Tris (4 Isocyanurate compounds having carbon-carbon double bond-containing groups such as (acryloxy-n-butyl) isocyanurate; commercially available oligoester acrylates, aromatic and aliphatic urethane (meth) acrylates, etc. Can be mentioned.

重合性(メタ)アクリレート化合物は、一態様として、ウレタン(メタ)アクリレートであることが好ましい。この態様として具体的には、ポリエステル型またはポリエーテル型等のポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物(例えば、2,4−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレンジイソシアナート、1,3−キシリレンジイソシアナート、1,4−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン4,4−ジイソシアナート等)を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する(メタ)アクリレート(例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート等)を反応させて得られたもの、等が挙げられる。   As an aspect, the polymerizable (meth) acrylate compound is preferably urethane (meth) acrylate. Specifically, as this aspect, a polyol compound such as a polyester type or a polyether type and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3- A terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.) with a (meth) acrylate having a hydroxyl group (for example, 2 -Hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate and the like), and the like.

ウレタン(メタ)アクリレートは、そのウレタン結合などにより、接着力の点で有利である。つまり、例えば前述の引きはがし強さを適切に調整する点でウレタン(メタ)アクリレートを用いることが好ましいと考えられる。   Urethane (meth) acrylate is advantageous in terms of adhesive force due to its urethane bond and the like. That is, for example, it is considered preferable to use urethane (meth) acrylate in terms of appropriately adjusting the aforementioned peeling strength.

重合性(メタ)アクリレート化合物は、1種のみを用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
仮接着フィルム中の硬化性(メタ)アクリレート化合物の含有量(複数種を併用する場合は、その合計量)は、例えば10〜85質量%、好ましくは20〜80質量%、より好ましくは25〜75質量%である。
Only one type of polymerizable (meth) acrylate compound may be used, or two or more types may be used in combination.
The content of the curable (meth) acrylate compound in the temporary adhesive film (when a plurality of types are used in combination, the total amount) is, for example, 10 to 85% by mass, preferably 20 to 80% by mass, more preferably 25 to 25%. 75% by mass.

(熱硬化触媒)
第1実施形態の仮接着フィルムは、好ましくは熱硬化触媒を含む。
熱硬化触媒を含むことで、後述する電子パッケージの製造において、時間短縮によるスループットの向上や、他の部材との密着性向上等の効果が期待できる。
熱硬化触媒としては、好ましくはイミダゾール類および/またはオニウム塩化合物が用いられる。
イミダゾール類として具体的には、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−エチル−4−エチルイミダゾール、2−フェニル−4−エチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシイミダゾール等が挙げられる。
熱硬化触媒として用いられるオニウム塩化合物は、特に限定されないが、例えば、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート(TPP−K)、テトラフェニルホスホニウム・テトラキス(4−メチルフェニル)ボレート(TPP−MK)、テトラフェニルホスホニウムのビス(ナフタレン−2,3−ジオキシ)フェニルシリケート付加物のような四級ホスホニウム系化合物等が挙げられる。
(Thermosetting catalyst)
The temporary adhesive film of the first embodiment preferably includes a thermosetting catalyst.
By including a thermosetting catalyst, effects such as improved throughput due to time reduction and improved adhesion to other members can be expected in the manufacture of electronic packages described below.
As the thermosetting catalyst, imidazoles and / or onium salt compounds are preferably used.
Specific examples of imidazoles include 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-ethyl-4-ethylimidazole, 2-phenyl-4-ethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5- Examples include hydroxyimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, and 2-phenyl-4,5-dihydroxyimidazole.
The onium salt compound used as the thermosetting catalyst is not particularly limited. For example, tetraphenylphosphonium / tetraphenylborate (TPP-K), tetraphenylphosphonium / tetrakis (4-methylphenyl) borate (TPP-MK), tetra Quaternary phosphonium compounds such as bis (naphthalene-2,3-dioxy) phenyl silicate adducts of phenylphosphonium are exemplified.

熱硬化触媒は、1種のみを用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
仮接着フィルム中の熱硬化触媒の含有量(複数種を組み合わせて用いた場合は、その合計量)は、例えば0.1〜15質量%、好ましくは0.3〜10質量%、より好ましくは0.5〜8質量%である。
熱硬化触媒は、市販品を用いてもよい。例えば、四国化成工業株式会社の「キュアゾール」シリーズ等を用いることができる。
熱硬化触媒は、市販品を用いてもよい。例えば、四国化成工業株式会社の「キュアゾール」シリーズ等を用いることができる。
Only one type of thermosetting catalyst may be used, or two or more types may be used in combination.
The content of the thermosetting catalyst in the temporary adhesive film (when used in combination of a plurality of types) is, for example, 0.1 to 15% by mass, preferably 0.3 to 10% by mass, more preferably 0.5-8 mass%.
A commercially available product may be used as the thermosetting catalyst. For example, the “Curazole” series of Shikoku Chemicals Co., Ltd. can be used.
A commercially available product may be used as the thermosetting catalyst. For example, the “Curazole” series of Shikoku Chemicals Co., Ltd. can be used.

(フィラー粒子)
第1実施形態の仮接着フィルムは、好ましくは、フィラー粒子(充填材)を含む。
フィラー粒子は、任意のフィラー粒子であってよく、有機フィラー粒子や無機フィラー粒子であってよい。半導体プロセスにおける耐熱性などの観点などからは、有機フィラー粒子よりも無機フィラー粒子が好ましく用いられる。
(Filler particles)
The temporary adhesive film of the first embodiment preferably includes filler particles (filler).
The filler particles may be arbitrary filler particles, and may be organic filler particles or inorganic filler particles. From the viewpoint of heat resistance in a semiconductor process, inorganic filler particles are preferably used rather than organic filler particles.

フィラー粒子により、仮接着時(熱や圧力を加えた時)の、仮接着フィルムの流動性をコントロールすることができる。具体的には、仮接着フィルムがフィラー粒子を含むことで、樹脂成分(例えば前述のエポキシ化合物や重合性(メタ)アクリレート化合物)の流動性が抑得られる。これにより、仮接着フィルムと基板(例えば後述の第2の基板)との「濡れ性」が小さくなると考えられる。この結果、残渣が残りにくくなる(X−Xを7質量%以下としやすくなる)と考えられる。 The filler particles can control the fluidity of the temporary adhesive film during temporary adhesion (when heat or pressure is applied). Specifically, the fluidity of the resin component (for example, the aforementioned epoxy compound or polymerizable (meth) acrylate compound) can be suppressed by including the filler particles in the temporary adhesive film. Thereby, it is considered that the “wetting property” between the temporary adhesive film and the substrate (for example, a second substrate described later) is reduced. As a result, it is considered that the residue is less likely to remain (X f -X i is easily set to 7% by mass or less).

また、仮接着フィルムがフィラー粒子を含むことにより、樹脂成分が基板(例えば後述の第2の基板)に接触する実効的な面積自体が小さくなると考えられる。このことも、残渣が残りにくくなる(X−Xを7質量%以下としやすくなる)ことに寄与していると考えられる。 Moreover, it is thought that the effective area itself in which a resin component contacts a board | substrate (for example, 2nd board | substrate mentioned later) becomes small because a temporary adhesive film contains a filler particle. This also residues (easily the X f -X i and 7 wt% or less) remaining hardly made is in particular considered to contribute.

フィラー粒子は特に限定されないが、たとえば、溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ、アルミナ、水酸化アルミニウム、窒化珪素、硫酸バリウム、タルク、窒化ホウ素および窒化アルミからなる群から選択される1種類または2種類以上の無機フィラー粒子を含むことができる。これらの中でも、シリカおよびアルミナが、入手性や、上記の接着力の調整効果の点で好ましい。   The filler particles are not particularly limited, but for example, one or two types selected from the group consisting of silica such as fused silica and crystalline silica, alumina, aluminum hydroxide, silicon nitride, barium sulfate, talc, boron nitride and aluminum nitride. The above inorganic filler particles can be included. Among these, silica and alumina are preferable in terms of availability and the effect of adjusting the adhesive strength.

フィラー粒子の平均粒径は、特に限定されないが、例えば、レーザー回折式粒度分布計による測定値において、好ましくは0.2〜2.0μm、より好ましくは0.2〜1.0μmある。また、無機充填材の形状は、略真円状であることが好ましい。   Although the average particle diameter of a filler particle is not specifically limited, For example, in the measured value by a laser diffraction type particle size distribution meter, Preferably it is 0.2-2.0 micrometers, More preferably, it is 0.2-1.0 micrometers. Moreover, it is preferable that the shape of an inorganic filler is a substantially perfect circle shape.

フィラー粒子を用いる場合、その使用量は特に限定されないが、例えば、組成物中の不揮発成分の全量に対し、例えば10〜80質量%、好ましくは20〜70質量%、より好ましくは20〜60質量%である。   When the filler particles are used, the amount used is not particularly limited, but for example, for example, 10 to 80% by mass, preferably 20 to 70% by mass, and more preferably 20 to 60% by mass with respect to the total amount of nonvolatile components in the composition. %.

(仮接着フィルムの膜厚、製造方法などについて)
第1実施形態の仮接着フィルムは、例えば、上述の各成分を適当な溶剤に溶解させて塗布液とし、その塗布液を用いて膜形成することで得ることができる。
(About film thickness of temporary adhesive film, manufacturing method, etc.)
The temporary adhesive film of the first embodiment can be obtained, for example, by dissolving the above-described components in an appropriate solvent to form a coating solution, and forming a film using the coating solution.

より具体的には、上記塗布液を、適当な基材の上に塗布して膜状にし、そして溶剤を乾燥させることで仮接着フィルムを得ることができる。なお、ここでの「適当な基材」としては、例えば後掲の[サポート基板]の項で説明される第1の基板10などがある。
または、適当なフィルム状の基材(PETフィルムなどの合成樹脂フィルム)に、上記の塗布液を塗布して仮接着フィルムを得ることもできる。このようにして得られた仮接着フィルムを、公知のラミネート法(例えば真空ラミネート法)により、適当な基材(例えば後掲の[サポート基板]の項で説明される第1の基板10)に貼り合せることで、後述のサポート基板を得ることができる。
More specifically, a temporary adhesive film can be obtained by applying the coating solution on a suitable substrate to form a film and drying the solvent. Here, examples of the “appropriate base material” include the first substrate 10 described in the section “Support substrate” described later.
Alternatively, a temporary adhesive film can be obtained by applying the above coating liquid to a suitable film-like substrate (a synthetic resin film such as a PET film). The temporary adhesive film thus obtained is applied to an appropriate base material (for example, the first substrate 10 described in the following [Support substrate] section) by a known laminating method (for example, vacuum laminating method). By bonding, a support substrate described later can be obtained.

上記の塗布液を塗布する方法としては、特に限定されず、ロールコート、コンマコート、スピンコート、スリットコート、カーテンコート、バーコート等の公知のコーティング方法を適用することができる。   The method for applying the coating solution is not particularly limited, and known coating methods such as roll coating, comma coating, spin coating, slit coating, curtain coating, and bar coating can be applied.

上述の各成分を塗布液とする際に用いられる溶剤については、各成分を均一に溶解または分散できるものであれば特に限定されない。使用可能な溶剤は、典型的には有機溶剤である。有機溶剤としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、N−メチルピロリドン等が挙げられる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
溶剤を用いる場合、その使用量は特に限定されず、塗布膜厚等に応じて適宜調整すればよいが、例えば、塗布液の不揮発成分の濃度が30〜80質量%、好ましくは40〜70質量%となるように使用される。
The solvent used when each of the above components is used as a coating solution is not particularly limited as long as each component can be uniformly dissolved or dispersed. The solvent that can be used is typically an organic solvent. Examples of the organic solvent include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, ethyl acetate, cyclohexane, heptane, cyclohexane, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, cellosolve, carbitol, anisole, N-methylpyrrolidone etc. are mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
In the case of using a solvent, the amount used is not particularly limited, and may be appropriately adjusted according to the coating film thickness and the like. For example, the concentration of the nonvolatile component in the coating solution is 30 to 80% by mass, preferably 40 to 70% by mass. % To be used.

第1実施形態の仮接着フィルムの厚みは、特に限定されないが、例えば1〜100μm、好ましくは3〜80μm、より好ましくは5〜50μmである。仮接着フィルムの厚みの調整は、上記の塗布液の濃度を調整する、塗布方法/塗布量を調整する等により行うことができる。   Although the thickness of the temporary adhesive film of 1st Embodiment is not specifically limited, For example, 1-100 micrometers, Preferably it is 3-80 micrometers, More preferably, it is 5-50 micrometers. Adjustment of the thickness of a temporary adhesive film can be performed by adjusting the density | concentration of said coating liquid, adjusting a coating method / coating amount.

第1実施形態の仮接着フィルムの大きさや形状は特に限定されないが、例えば縦50〜1000mm、横50〜1000mmの略長方形状または略正方形状である。また、直径50〜1000mmの略円形状などであってもよい。   Although the magnitude | size and shape of the temporary adhesive film of 1st Embodiment are not specifically limited, For example, they are the substantially rectangular shape or the substantially square shape of 50-1000 mm long and 50-1000 mm wide. Moreover, the substantially circular shape etc. of diameter 50-1000mm may be sufficient.

[サポート基板]
第1実施形態の電子パッケージ製造用サポート基板(単に「サポート基板」とも記載する)は、第1の基板と、その第1の基板の片面に設けられた仮接着フィルム(上記で[仮接着フィルム]として説明したもの)とを備える。
このサポート基板の一例を、模式的に図1(i)に示す。
図1(i)において、サポート基板3は、第1の基板10と、その片面に設けられた仮接着フィルム12とを備える。
[Support substrate]
The electronic package manufacturing support substrate (also referred to simply as “support substrate”) of the first embodiment includes a first substrate and a temporary adhesive film (referred to as “temporary adhesive film” provided on one surface of the first substrate). ).
An example of this support substrate is schematically shown in FIG.
In FIG. 1I, the support substrate 3 includes a first substrate 10 and a temporary adhesive film 12 provided on one surface thereof.

第1の基板10の材質、厚み、大きさ、形状等は、特に限定されないが、好ましくは以下に説明されるものである。
第1の基板10の材質としては、例えば、金属や合成樹脂等が挙げられる。後述する種々のプロセス(加熱などを含む)を考慮すると、ある程度の高温に耐えられる材質であることが好ましい。この点では、第1の基板10は金属製であることが好ましい。より好ましくは、鉄、ステンレス鋼材、銅などである。これらの中でも、ステンレスが好ましい。
また、第1の基板10の材質を合成樹脂とする場合は、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。例えば、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂等が挙げられる。また、第1の基板10の材質が合成樹脂である場合、フィラーや繊維等の成分が含まれていてもよい。これら成分により強度の向上が期待できる。
The material, thickness, size, shape, and the like of the first substrate 10 are not particularly limited, but are preferably described below.
Examples of the material of the first substrate 10 include metals and synthetic resins. In consideration of various processes (including heating and the like) described later, a material that can withstand a certain high temperature is preferable. In this respect, the first substrate 10 is preferably made of metal. More preferably, iron, stainless steel, copper or the like is used. Among these, stainless steel is preferable.
Further, when the material of the first substrate 10 is a synthetic resin, it is preferable to use a thermosetting resin. For example, a phenol resin, a melamine resin, a urea resin, etc. are mentioned. Moreover, when the material of the 1st board | substrate 10 is a synthetic resin, components, such as a filler and a fiber, may be contained. These components can be expected to improve strength.

第1の基板10の厚みは、好ましくは30μm以上、より好ましくは40μm以上、さらに好ましくは50μm以上である。厚みを一定の値以上とすることで、第1の基板10が十分な強度・剛性を有することとなる。よって、例えば、後述する電子パッケージの製造方法において、第1の基板10の変形が抑えられる。つまり、安定的に電子パッケージを製造することができる。
また、第1の基板10の厚みは、例えば1000μm以下、好ましくは500μm以下、より好ましくは200μm以下である。厚みを一定の値以下とすることで、第1の基板10の重量の増加が抑えられるため、ハンドリング性が向上する。
The thickness of the first substrate 10 is preferably 30 μm or more, more preferably 40 μm or more, and further preferably 50 μm or more. By setting the thickness to a certain value or more, the first substrate 10 has sufficient strength and rigidity. Therefore, for example, in the electronic package manufacturing method described later, deformation of the first substrate 10 can be suppressed. That is, an electronic package can be manufactured stably.
Moreover, the thickness of the 1st board | substrate 10 is 1000 micrometers or less, for example, Preferably it is 500 micrometers or less, More preferably, it is 200 micrometers or less. By making the thickness equal to or less than a certain value, an increase in the weight of the first substrate 10 can be suppressed, so that handling properties are improved.

第1の基板10の大きさや形状は、例えば縦50〜1000mm、横50〜1000mmの略長方形状または略正方形状である。また、直径50〜1000mmの略円形状などであってもよい。
第1の基板10は、少なくともその片面(仮接着フィルム12が形成される面)が、略平坦であることが好ましい。
The size and shape of the first substrate 10 is, for example, a substantially rectangular shape or a substantially square shape with a length of 50 to 1000 mm and a width of 50 to 1000 mm. Moreover, the substantially circular shape etc. of diameter 50-1000mm may be sufficient.
The first substrate 10 preferably has at least one surface (surface on which the temporary adhesive film 12 is formed) substantially flat.

第1の基板10の片面に、仮接着フィルム12を設ける方法は、前述のとおり、塗布やラミネートによる方法が挙げられる。
仮接着フィルム12の厚みについても、前述のとおりである。つまり、例えば1〜100μm、好ましくは3〜80μm、より好ましくは5〜50μmである。
Examples of the method of providing the temporary adhesive film 12 on one surface of the first substrate 10 include methods by coating and laminating as described above.
The thickness of the temporary adhesive film 12 is also as described above. That is, for example, the thickness is 1 to 100 μm, preferably 3 to 80 μm, more preferably 5 to 50 μm.

[電子パッケージの製造方法]
第1実施形態の電子パッケージの製造方法では、上記の仮接着フィルムないしサポート基板を用いて、電子パッケージを製造することができる。
第1実施形態の電子パッケージの製造方法は、仮接着工程、配置工程、封止工程、切削工程および分離工程を含むことができる。これら各工程について、図を参照しつつ説明する。
[Electronic Package Manufacturing Method]
In the electronic package manufacturing method of the first embodiment, an electronic package can be manufactured using the temporary adhesive film or the support substrate.
The manufacturing method of the electronic package of 1st Embodiment can include a temporary adhesion process, an arrangement | positioning process, a sealing process, a cutting process, and a isolation | separation process. Each of these steps will be described with reference to the drawings.

・仮接着工程(図1(ii))
仮接着工程では、上述のサポート基板3が有する仮接着フィルム12と、第2の基板14とを密着させて、第1の基板10、仮接着フィルム12および第2の基板14の少なくとも3層を備える複合基板を得る。
-Temporary bonding process (Fig. 1 (ii))
In the temporary bonding step, the temporary bonding film 12 included in the support substrate 3 and the second substrate 14 are brought into close contact with each other, and at least three layers of the first substrate 10, the temporary bonding film 12, and the second substrate 14 are formed. A composite substrate is provided.

第2の基板14として具体的には、半導体ウェハ(シリコンウェハ等)、有機基板、インターポーザー基板に代表される各種パッケージ用基板などが挙げられる。本実施形態においては、インターポーザー基板を好ましく適用することができる。
インターポーザー基板とは、典型的には、電子パッケージ内で異なる電子素子の間を電気的に接続するためのものである。このため、インターポーザー基板には、典型的には銅配線などの金属配線が含まれていたり、露出していたりする。
Specific examples of the second substrate 14 include a semiconductor wafer (such as a silicon wafer), an organic substrate, and various package substrates typified by an interposer substrate. In the present embodiment, an interposer substrate can be preferably applied.
The interposer substrate is typically for electrically connecting different electronic elements in the electronic package. For this reason, the interposer substrate typically includes or exposes metal wiring such as copper wiring.

近年、電子装置(パッケージ)の一層の薄型化が要求されている。そのため、インターポーザー基板についても薄型化が要求されている。インターポーザーの材質として剛性が大きいものを用いることにより、インターポーザー基板のたわみや割れを抑えることも可能であるが、近年の薄膜化の要求に対しては材質の選択・改良のみでは不十分な場合もあると考えられる。
第1実施形態の電子パッケージの製造方法によれば、第1の基板10の剛性により、第2の基板14(具体的にはインターポーザー基板)のたわみや割れが抑えられる。
また、インターポーザー基板の材質として剛性が大きいものを用いる場合、より一層インターポーザー基板を薄く設計することができる。
In recent years, there has been a demand for thinner electronic devices (packages). Therefore, the interposer substrate is also required to be thin. It is possible to suppress bending and cracking of the interposer substrate by using a material with high rigidity as the material of the interposer. However, selection and improvement of the material alone are not sufficient for the recent demand for thin film. It may be possible.
According to the electronic package manufacturing method of the first embodiment, the second substrate 14 (specifically, the interposer substrate) can be prevented from being bent or cracked due to the rigidity of the first substrate 10.
Further, when a material having high rigidity is used as the material of the interposer substrate, the interposer substrate can be designed to be thinner.

第2の基板14(インターポーザー基板等)は、位置合わせのためのアラインメントマーク(図示せず)を有することが好ましい。これにより、第1の基板10と第2の基板14との位置合わせがしやすくなる、後述する配置工程において電子素子16を適切な位置に配置しやすくなる、後述する切削工程において適切な位置を切削しやすくなる、などの効果がある。   The second substrate 14 (interposer substrate or the like) preferably has an alignment mark (not shown) for alignment. Thereby, it becomes easy to align the first substrate 10 and the second substrate 14, and it becomes easy to place the electronic element 16 in an appropriate position in an arrangement step described later, and an appropriate position in a cutting step described later. There are effects such as easy cutting.

仮接着工程の具体的方法は、特に限定されないが、例えばラミネート法を用いることができる。具体的には、第2の基板14と、仮接着フィルム12とを密着させたうえで、30〜100℃、0.1〜1MPaの条件での真空ラミネートにより接着することができる。
また、例えばラミネート工程の後に、第1の基板10、仮接着フィルム12および第2の基板14の全体を、オーブンに投入するなどして、100〜200℃で10〜120分加熱してもよい。これにより、接着性が確実となる等の効果が期待できる。
Although the specific method of a temporary adhesion process is not specifically limited, For example, the lamination method can be used. Specifically, after the second substrate 14 and the temporary adhesive film 12 are brought into close contact, they can be bonded by vacuum lamination under conditions of 30 to 100 ° C. and 0.1 to 1 MPa.
Further, for example, after the laminating step, the entire first substrate 10, temporary adhesive film 12, and second substrate 14 may be heated at 100 to 200 ° C. for 10 to 120 minutes by putting them in an oven. . Thereby, effects such as adhesion can be expected.

なお、仮接着フィルム12の接着性が適当である(具体的には、前述した、引きはがし強さが0.1[kN/m]以上である)ことにより、十二分な強さで第1の基板10と第2の基板14とを接着することができる。   In addition, the adhesiveness of the temporary adhesive film 12 is appropriate (specifically, the peeling strength is 0.1 [kN / m] or more, as described above), so that the first adhesive film 12 is sufficiently strong. The first substrate 10 and the second substrate 14 can be bonded.

・配置工程(図1(iii))
配置工程では、仮接着工程で得た複合基板の、第2の基板14を備えた面を上面視したときに、複合基板における第2の基板14の上に電子素子16を配置する。
Placement process (FIG. 1 (iii))
In the arranging step, the electronic element 16 is arranged on the second substrate 14 of the composite substrate when the surface of the composite substrate obtained in the temporary bonding step and including the second substrate 14 is viewed from above.

配置工程では、複数の電子素子16を配置することが好ましい。そうすることで、電子パッケージの生産性の一層の向上が期待できる。本実施形態の電子パッケージの製造方法において、一度に配置される電子素子16の個数は、例えば、2〜2000個、好ましくは4〜1000個である。また、複数の電子素子16の相対的な配置位置は、特に限定はされないが、典型的には略等間隔に配置される。   In the arranging step, it is preferable to arrange a plurality of electronic elements 16. By doing so, further improvement in the productivity of electronic packages can be expected. In the electronic package manufacturing method of the present embodiment, the number of electronic elements 16 disposed at a time is, for example, 2 to 2000, preferably 4 to 1000. The relative arrangement positions of the plurality of electronic elements 16 are not particularly limited, but are typically arranged at substantially equal intervals.

配置される電子素子16は、装置・電子回路などの構成要素となる個々の部品で、独立した固有の機能をもっているものであれば、特に限定されない。電子素子16の例としては、半導体チップなどがある。   The electronic element 16 to be arranged is not particularly limited as long as it is an individual component that is a component of an apparatus / electronic circuit or the like and has an independent unique function. Examples of the electronic element 16 include a semiconductor chip.

配置される電子素子16は、後の封止工程において配置位置がずれないようにするため、またはその他の目的のため、追加の適当なプロセスにより、固定や仮止め等がされてもよい。   The electronic element 16 to be arranged may be fixed or temporarily fixed by an additional appropriate process so that the arrangement position is not shifted in the subsequent sealing process or for other purposes.

例えば、第2の基板14がインターポーザー基板である場合には、そのインターポーザー基板と電子素子16とを接続するプロセスを含むことが好ましい。具体的には、いわゆるリフロー工程を行う、すなわち、第2の基板14および/または電子素子16にあらかじめ付けておいた半田を、適当な手段で(例えば基板全体を加熱することで)溶かし、第2の基板14と電子素子16とを接続する工程を行ってもよい。リフロー工程の条件は、例えば、温度250〜300℃で1〜10分である。
ここでの固定や仮止めには、リフロー工程以外に、公知のバンプ形成技術、チップ接続技術等を適用してもよい。
For example, when the second substrate 14 is an interposer substrate, it is preferable to include a process of connecting the interposer substrate and the electronic element 16. Specifically, a so-called reflow process is performed, that is, the solder previously applied to the second substrate 14 and / or the electronic element 16 is melted by an appropriate means (for example, by heating the entire substrate), The step of connecting the second substrate 14 and the electronic element 16 may be performed. The conditions for the reflow process are, for example, 1 to 10 minutes at a temperature of 250 to 300 ° C.
In addition to the reflow process, a known bump formation technique, chip connection technique, or the like may be applied to the fixing or temporary fixing here.

・封止工程(図1(iv))
封止工程では、配置工程で配置された電子素子16に対して封止用組成物を適用し、封止用組成物の硬化物(硬化物18)で電子素子16が封止された封止基板20を得る。
・ Sealing process (FIG. 1 (iv))
In the sealing process, the sealing composition is applied to the electronic element 16 arranged in the arranging process, and the electronic element 16 is sealed with a cured product (cured product 18) of the sealing composition. A substrate 20 is obtained.

封止用組成物は、電子素子16を封止可能なものであれば、特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂等を含むものが好ましく挙げられる。
封止用組成物としては、公知のものを適宜適用することができる。
封止用組成物は、一態様として、以下に説明する熱硬化性樹脂(A)を好ましく含有する。また、その他、硬化剤(B)、硬化触媒(C)、無機充填材(D)等の成分を含有してもよい。以下、これら成分について説明しておく。
Although it will not specifically limit if the composition for sealing can seal the electronic element 16, For example, what contains a thermosetting resin etc. is mentioned preferably.
As the sealing composition, a known composition can be appropriately applied.
The sealing composition preferably contains a thermosetting resin (A) described below as one embodiment. In addition, components such as a curing agent (B), a curing catalyst (C), and an inorganic filler (D) may be contained. Hereinafter, these components will be described.

(熱硬化性樹脂(A))
熱硬化性樹脂(A)は、たとえばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、オキセタン樹脂、(メタ)アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、およびマレイミド樹脂からなる群から選択される一種類または二種類以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性、保存性、耐熱性、耐湿性、および耐薬品性を向上させる観点から、エポキシ樹脂を含むことができる。
(Thermosetting resin (A))
The thermosetting resin (A) is, for example, one or more selected from the group consisting of epoxy resins, phenol resins, oxetane resins, (meth) acrylate resins, unsaturated polyester resins, diallyl phthalate resins, and maleimide resins. Can be included. Among these, an epoxy resin can be included from the viewpoint of improving curability, storage stability, heat resistance, moisture resistance, and chemical resistance.

熱硬化性樹脂(A)に含まれるエポキシ樹脂としては、1分子内にエポキシ基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量や分子構造は特に限定されない。   As the epoxy resin contained in the thermosetting resin (A), monomers, oligomers and polymers generally having two or more epoxy groups in one molecule can be used, and the molecular weight and molecular structure are not particularly limited.

エポキシ樹脂は、たとえばビフェニル型エポキシ樹脂;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂;スチルベン型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等に例示されるトリスフェノール型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂;フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂;ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの2量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂;トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種類または二種類以上を含むことができる。これらのうち、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、およびフェノールアラルキル型エポキシ樹脂から選択される一種または二種以上を含むことが、充填性、耐熱性、耐湿性等の諸特性のバランスを向上させる観点から好ましい。   Examples of the epoxy resin include a biphenyl type epoxy resin; a bisphenol type epoxy resin such as a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, and a tetramethylbisphenol F type epoxy resin; a stilbene type epoxy resin; a phenol novolac type epoxy resin, and a cresol novolak type. Novolak type epoxy resins such as epoxy resins; polyfunctional epoxy resins such as trisphenol type epoxy resins exemplified by triphenolmethane type epoxy resins and alkyl-modified triphenolmethane type epoxy resins; phenol aralkyl type epoxy resins having a phenylene skeleton , Naphthol aralkyl epoxy resin having phenylene skeleton, phenol aralkyl epoxy resin having biphenylene skeleton, biphenylene skeleton Phenolic aralkyl type epoxy resins such as phthalol aralkyl type epoxy resins; Dihydroxynaphthalene type epoxy resins, naphthol type epoxy resins such as epoxy resins obtained by dimerizing dihydroxynaphthalene to glycidyl ether; Triglycidyl isocyanurate, monoallyldi One or two or more types selected from the group consisting of triazine nucleus-containing epoxy resins such as glycidyl isocyanurate; bridged cyclic hydrocarbon compound-modified phenolic epoxy resins such as dicyclopentadiene-modified phenolic epoxy resins can be included. . Among these, the inclusion of one or more selected from a novolac type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, and a phenol aralkyl type epoxy resin improves the balance of various properties such as fillability, heat resistance, and moisture resistance. From the viewpoint of making it.

熱硬化性樹脂(A)の含有量は、封止用組成物の全体に対して好ましくは2〜50質量%、より好ましくは3〜30質量%、更に好ましくは4〜15質量%である。適切な含有量とすることで、充填性や成形安定性の向上、耐湿信頼性や耐リフロー性の向上などが期待できる。   The content of the thermosetting resin (A) is preferably 2 to 50% by mass, more preferably 3 to 30% by mass, and still more preferably 4 to 15% by mass with respect to the whole sealing composition. By setting it to an appropriate content, improvement in filling property and molding stability, improvement in moisture resistance reliability and reflow resistance can be expected.

(硬化剤(B))
封止用組成物は、硬化剤(B)を含むことが好ましい。硬化剤(B)は、例えば、重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、および縮合型の硬化剤の3タイプに大別することができる。
(Curing agent (B))
It is preferable that the composition for sealing contains a hardening | curing agent (B). The curing agent (B) can be roughly classified into three types, for example, a polyaddition type curing agent, a catalyst type curing agent, and a condensation type curing agent.

重付加型の硬化剤は、たとえばジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、メタキシレリレンジアミン(MXDA)などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン(DDM)、m−フェニレンジアミン(MPDA)、ジアミノジフェニルスルホン(DDS)などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド(DICY)、有機酸ジヒドラジドなどを含むポリアミン化合物;ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物;ノボラック型フェノール樹脂、ポリビニルフェノール、アラルキル型フェノール樹脂などのフェノール樹脂系硬化剤;ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物;イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物;カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。   Examples of polyaddition type curing agents include aliphatic polyamines such as diethylenetriamine (DETA), triethylenetetramine (TETA), and metaxylylene diamine (MXDA), diaminodiphenylmethane (DDM), m-phenylenediamine (MPDA), and diamino. In addition to aromatic polyamines such as diphenylsulfone (DDS), polyamine compounds including dicyandiamide (DICY), organic acid dihydrazide, and the like; alicyclic acid anhydrides such as hexahydrophthalic anhydride (HHPA) and methyltetrahydrophthalic anhydride (MTHPA) , Acid anhydrides including aromatic acid anhydrides such as trimellitic anhydride (TMA), pyromellitic anhydride (PMDA), and benzophenone tetracarboxylic acid (BTDA); novolac-type phenolic resin, polyvinyl phenol Selected from the group consisting of phenolic resin-based curing agents such as aralkyl-type phenolic resins; polymercaptan compounds such as polysulfides, thioesters and thioethers; isocyanate compounds such as isocyanate prepolymers and blocked isocyanates; organic acids such as carboxylic acid-containing polyester resins Including one or more types.

触媒型の硬化剤は、たとえばベンジルジメチルアミン(BDMA)、2,4,6−トリスジメチルアミノメチルフェノール(DMP−30)などの3級アミン化合物;2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール(EMI24)などのイミダゾール化合物;BF3錯体などのルイス酸からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。   Catalytic curing agents include tertiary amine compounds such as benzyldimethylamine (BDMA) and 2,4,6-trisdimethylaminomethylphenol (DMP-30); 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methyl Imidazole compounds such as imidazole (EMI24); one or more selected from the group consisting of Lewis acids such as BF3 complexes.

縮合型の硬化剤は、たとえばレゾール型フェノール樹脂;メチロール基含有尿素樹脂などの尿素樹脂;メチロール基含有メラミン樹脂などのメラミン樹脂からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。   The condensation type curing agent includes, for example, one type or two or more types selected from the group consisting of a resol type phenol resin; a urea resin such as a methylol group-containing urea resin; and a melamine resin such as a methylol group-containing melamine resin.

これらの中でも、耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、および保存安定性等についてのバランスを向上させる観点から、フェノール樹脂系硬化剤を含むことがより好ましい。フェノール樹脂系硬化剤としては、一分子内にフェノール性水酸基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量、分子構造は特に限定されない。   Among these, it is more preferable to include a phenol resin-based curing agent from the viewpoint of improving the balance of flame resistance, moisture resistance, electrical characteristics, curability, storage stability, and the like. As the phenol resin-based curing agent, monomers, oligomers, and polymers in general having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule can be used, and the molecular weight and molecular structure are not particularly limited.

硬化剤(B)として用いられるフェノール樹脂系硬化剤は、たとえばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック等のノボラック型フェノール樹脂;ポリビニルフェノール;トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂;フェニレン骨格及び/又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び/又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル型フェノール樹脂;ビスフェノールA、ビスフェノールF等のビスフェノール化合物からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。これらの中でも、封止用組成物の硬化性を向上させる観点からは、ノボラック型フェノール樹脂、およびフェノールアラルキル型フェノール樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましい。   The phenol resin-based curing agent used as the curing agent (B) is, for example, a novolac type phenol resin such as a phenol novolak resin, a cresol novolac resin, or a bisphenol novolac; a polyvinyl phenol; a polyfunctional phenol resin such as a triphenolmethane type phenol resin; Modified phenol resins such as terpene-modified phenol resin and dicyclopentadiene-modified phenol resin; phenol aralkyl resins having a phenylene skeleton and / or biphenylene skeleton, phenol aralkyl type phenol resins such as naphthol aralkyl resin having phenylene and / or biphenylene skeleton; bisphenol One type or two or more types selected from the group consisting of bisphenol compounds such as A and bisphenol F are included. Among these, it is more preferable that at least one of a novolac type phenol resin and a phenol aralkyl type phenol resin is included from the viewpoint of improving the curability of the sealing composition.

硬化剤(B)の含有量は、封止用組成物全体に対して1〜40質量%であることが好ましく、2〜25質量%であることがより好ましく、3〜10質量%であることが更に好ましい。硬化剤(B)の含有量を適切に調整することで、充填性や成形性の向上、耐湿信頼性や耐リフロー性の向上などが期待できる。   It is preferable that content of a hardening | curing agent (B) is 1-40 mass% with respect to the whole composition for sealing, It is more preferable that it is 2-25 mass%, It is 3-10 mass% Is more preferable. By appropriately adjusting the content of the curing agent (B), improvement in filling property and moldability, improvement in moisture resistance reliability and reflow resistance can be expected.

(硬化触媒(C))
封止用組成物は、硬化触媒(C)をさらに含んでもよい。硬化触媒(C)は、熱硬化性樹脂(A)(たとえば、エポキシ樹脂のエポキシ基)と、硬化剤(B)(たとえば、フェノール樹脂系硬化剤のフェノール性水酸基)と、の架橋反応を促進させるものであればよく、公知の封止用組成物に使用するものを用いることができる。
(Curing catalyst (C))
The composition for sealing may further contain a curing catalyst (C). The curing catalyst (C) promotes a crosslinking reaction between the thermosetting resin (A) (for example, epoxy group of epoxy resin) and the curing agent (B) (for example, phenolic hydroxyl group of phenol resin-based curing agent). What is necessary is just to be made, and what is used for a well-known sealing composition can be used.

硬化触媒(C)は、たとえば有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物、イミダゾール化合物、トリアジン系化合物のイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、2−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン等のアミン系硬化促進剤から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、バリの抑制や充填性、硬化性のバランスを向上させる観点からは、リン原子含有化合物およびイミダゾール化合物から選択される一種または二種以上を含むことがより好ましい。また、硬化性を向上させる観点からはリン原子含有化合物を含むことがより好ましい。   Curing catalysts (C) are, for example, organic phosphines, tetra-substituted phosphonium compounds, phosphobetaine compounds, adducts of phosphine compounds and quinone compounds, phosphorus atom-containing compounds such as adducts of phosphonium compounds and silane compounds, imidazole compounds, triazines An isocyanuric acid adduct of 2-phenylimidazole, an isocyanuric acid adduct of 2-phenylimidazole, an isocyanuric acid adduct of 2-methylimidazole, and an amine curing accelerator such as 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene 1 type or 2 types or more can be included. Among these, from the viewpoint of improving the balance of burr suppression, filling properties, and curability, it is more preferable to include one or more selected from phosphorus atom-containing compounds and imidazole compounds. Moreover, it is more preferable that a phosphorus atom containing compound is included from a viewpoint of improving sclerosis | hardenability.

硬化触媒(C)の含有量は、封止用組成物全体に対して0.05〜2.0質量%であることが好ましく、0.1〜1.0質量%であることがより好ましく、0.15〜0.5質量%であることが更に好ましい。硬化触媒(C)の含有量を適切に調整することで、硬化性の向上や、流動性の向上による充填性の向上などが期待できる。   The content of the curing catalyst (C) is preferably 0.05 to 2.0% by mass, more preferably 0.1 to 1.0% by mass with respect to the entire sealing composition, More preferably, it is 0.15-0.5 mass%. By appropriately adjusting the content of the curing catalyst (C), an improvement in curability and an improvement in filling property due to an improvement in fluidity can be expected.

(無機充填材(D))
封止用組成物は、無機充填材(D)(フィラー)を含んでもよい。無機充填材(D)は、たとえば溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ、アルミナ、水酸化アルミニウム、窒化珪素、および窒化アルミからなる群から選択される一種類または二種類以上を含むことができる。これらの中でも、汎用性の観点から、シリカを含むことが好ましく、溶融シリカを含むことがより好ましい。また、封止用組成物を用いて形成される封止樹脂の難燃性を向上させる観点からは、水酸化アルミニウムを含むことがより好ましい。とりわけシリカと水酸化アルミニウムをともに含む場合を、好ましい例として挙げることができる。
(Inorganic filler (D))
The composition for sealing may contain an inorganic filler (D) (filler). The inorganic filler (D) can include one or more selected from the group consisting of silica such as fused silica and crystalline silica, alumina, aluminum hydroxide, silicon nitride, and aluminum nitride. Among these, it is preferable that a silica is included from a versatility viewpoint, and it is more preferable that a fused silica is included. Moreover, it is more preferable that aluminum hydroxide is included from a viewpoint of improving the flame retardance of sealing resin formed using the composition for sealing. In particular, a case where both silica and aluminum hydroxide are contained can be mentioned as a preferred example.

無機充填材(D)の含有量は、封止用組成物全体に対して60〜90質量%であることが好ましく、70〜85質量%であることがより好ましい。含有量を適切に調整することにより、耐湿信頼性や耐リフロー性の向上、充填性の向上などが期待できる。   The content of the inorganic filler (D) is preferably 60 to 90% by mass, and more preferably 70 to 85% by mass with respect to the entire sealing composition. By appropriately adjusting the content, improvement in moisture resistance reliability, reflow resistance, and improvement in filling properties can be expected.

(その他の成分)
封止用組成物は、必要に応じて、たとえばカップリング剤、離型性付与剤、着色剤、イオン捕捉剤、オイル、低応力剤、難燃剤および酸化防止剤等の各種添加剤のうち1種以上を適宜配合することができる。
(Other ingredients)
The sealing composition may be one of various additives such as a coupling agent, a release agent, a colorant, an ion scavenger, an oil, a low stress agent, a flame retardant, and an antioxidant, if necessary. More than one species can be appropriately blended.

カップリング剤は、たとえば各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム/ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤を含んでもよい。これらの中でも、エポキシシランまたはアミノシランがより好ましく、2級アミノシランが更に好ましい。
離型性付与剤は、たとえばカルナバワックス等の天然ワックス、モンタン酸エステルワックスや酸化ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸およびその金属塩類、ならびにパラフィンから選択される一種類または二種類以上を含んでもよい。
着色剤は、たとえばカーボンブラックおよび黒色酸化チタンのうちのいずれか一方または双方を含んでもよい。
イオン捕捉剤は、たとえばハイドロタルサイトを含んでもよい。
オイルは、たとえばシリコーンオイルを含んでもよい。
低応力剤は、たとえばシリコーンゴムを含んでもよい。
難燃剤は、たとえば水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、およびホスファゼンから選択される一種類または二種類以上を含んでもよい。
酸化防止剤は、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤およびチオエーテル系酸化防止剤から選択される一種類または二種類以上を含んでもよい。
The coupling agent may include known coupling agents such as various silane compounds, titanium compounds, aluminum chelates, and aluminum / zirconium compounds. Among these, epoxy silane or aminosilane is more preferable, and secondary aminosilane is more preferable.
The releasability-imparting agent is, for example, one or two selected from natural waxes such as carnauba wax, synthetic waxes such as montanic acid ester wax and oxidized polyethylene wax, higher fatty acids such as zinc stearate and metal salts thereof, and paraffin. More than one type may be included.
The colorant may contain, for example, one or both of carbon black and black titanium oxide.
The ion scavenger may include, for example, hydrotalcite.
The oil may include, for example, silicone oil.
The low stress agent may include, for example, silicone rubber.
The flame retardant may include one or more selected from, for example, magnesium hydroxide, zinc borate, zinc molybdate, and phosphazene.
The antioxidant may include one kind or two or more kinds selected from a phenol-based antioxidant, a phosphorus-based antioxidant, and a thioether-based antioxidant.

(封止用組成物の性状)
封止用組成物の性状は、顆粒状、液体状、フィルム状(適当な支持体の上に膜状に形成されたもの)等であってよい。封止用組成物は、典型的には顆粒状である。
(Properties of sealing composition)
The properties of the sealing composition may be in the form of granules, liquid, film (formed in a film on an appropriate support), and the like. The sealing composition is typically granular.

封止工程は、例えば以下のように行うことができる。
まず、封止用組成物(典型的には、上記に説明した成分を含む顆粒状の封止用組成物)を、配置された電子素子16が十分に埋もれる程度の量、第2の基板14の上、すなわち配置された電子素子16の上面および側面に適用する。この際、配置された電子素子16の位置がずれないように留意する。
次に、圧縮成形等の方法により、封止成形を行う。これにより、硬化物18により電子素子16が封止された封止基板20が得られる。圧縮成形は、たとえば120〜180℃の温度で行うことができる。
また、封止用組成物を確実に硬化させるため、圧縮成形の後、更に加熱工程を行うことが好ましい。この加熱は、例えば、オーブンを用いて、温度120〜250℃で、1〜10時間程度とすることができる。
もちろん、封止工程は、上記以外のやり方により行ってもよい。例えば、封止用組成物として、顆粒状のものではなく、流動性のあるペースト状のものを用いるなどしてもよい。
A sealing process can be performed as follows, for example.
First, the sealing substrate (typically, the granular sealing composition containing the components described above) is added in an amount sufficient to bury the arranged electronic elements 16 in the second substrate 14. This is applied to the upper surface and the side surface of the arranged electronic element 16. At this time, attention should be paid so that the positions of the arranged electronic elements 16 do not shift.
Next, sealing molding is performed by a method such as compression molding. Thereby, the sealing substrate 20 in which the electronic element 16 is sealed with the cured product 18 is obtained. The compression molding can be performed at a temperature of 120 to 180 ° C., for example.
Moreover, in order to harden the composition for sealing reliably, it is preferable to perform a heating process after compression molding. This heating can be performed at a temperature of 120 to 250 ° C. for about 1 to 10 hours using an oven, for example.
Of course, you may perform a sealing process by methods other than the above. For example, as a sealing composition, a fluid paste may be used instead of granules.

・切削工程および分離工程(図2)
上述の封止基板20の少なくとも一部を切削する切削工程と、サポート基板3と第2の基板14とを分離する分離工程とにより、電子素子16が硬化物18で封止された構造物(電子パッケージ)を得ることができる。
・ Cutting process and separation process (Fig. 2)
A structure in which the electronic element 16 is sealed with the cured product 18 by the cutting step of cutting at least a part of the sealing substrate 20 and the separation step of separating the support substrate 3 and the second substrate 14 ( Electronic package).

切削の一例として、封止基板20における硬化物18がある面を上面として、電子素子16が存在する部分を切り出す(図2(v−1))。これにより、封止基板20から、電子パッケージを分離することができる。
ここでの切削は、例えば、少なくとも硬化物18の上面から第2の基板14の部分までの深さで行う(図2(v−1)は、このように切削した場合を模式的に示している)。もちろん、切削の深さは「硬化物18の上面から第2の基板14の部分まで」に限定されるものではない。硬化物18の上面から第1の基板10まで(上から下まで)を切削してもよい。
As an example of cutting, a portion where the electronic element 16 is present is cut out with the surface of the sealing substrate 20 on which the cured product 18 is present as an upper surface (FIG. 2 (v-1)). Thereby, the electronic package can be separated from the sealing substrate 20.
The cutting here is performed, for example, at least at a depth from the upper surface of the cured product 18 to the portion of the second substrate 14 (FIG. 2 (v-1) schematically shows the case of cutting in this way. ) Of course, the depth of cutting is not limited to “from the upper surface of the cured product 18 to the portion of the second substrate 14”. You may cut from the upper surface of the hardened | cured material 18 to the 1st board | substrate 10 (from the top to the bottom).

電子パッケージの分離の際、仮接着フィルム12の、X−Xで表される炭素原子増加量が7質量%以下であることにより、分離される電子パッケージの底面(第2の基板)に付着するミクロな残渣を少なくすることができる。これにより、分離された電子パッケージにさらにメッキ処理などを行う場合の不具合を低減することができる。 At the time of separation of the electronic package, when the carbon atom increase amount represented by X f -X i of the temporary adhesive film 12 is 7% by mass or less, the bottom surface (second substrate) of the separated electronic package is formed. Microscopic residue that adheres can be reduced. As a result, it is possible to reduce defects in the case where the separated electronic package is further subjected to a plating process or the like.

なお、切削および分離において、仮接着フィルム12の接着力が適度に強い(具体的には、前述の引きはがし強さが0.1[kN/m]以上である)ことにより、切削の際の振動などで仮接着フィルム12と第2の基板14とが剥がれる等の事態が起こりづらいと考えられる。
また、仮接着フィルム12の接着力が強すぎない(具体的には、前述の引きはがし強さが0.5[kN/m]以下である)ことにより、電子パッケージを分離しやすいという追加のメリットが得られる。
In the cutting and separation, the adhesive strength of the temporary adhesive film 12 is moderately strong (specifically, the above-mentioned peeling strength is 0.1 [kN / m] or more). It is considered that a situation such as the temporary adhesive film 12 and the second substrate 14 peeling off due to vibration or the like hardly occurs.
Further, since the adhesive strength of the temporary adhesive film 12 is not too strong (specifically, the above-mentioned peeling strength is 0.5 [kN / m] or less), the electronic package can be easily separated. Benefits are gained.

別の切削の例として、封止基板20における、第1の基板10の面を上面として、その上面側から切削し、その後、封止基板20の一部である、第1の基板10および仮接着フィルム12を分離してもよい(図2(v−2))。
この切削は、例えば、少なくとも第1の基板10の上面から仮接着フィルム12の部分の深さまで行う。もちろん、切削の深さは「第1の基板10の上面から仮接着フィルム12の部分まで」に限定されるものではない。第1の基板10の上面から硬化物18まで(上から下まで)を切削するようにしてもよい。
As another example of cutting, the surface of the first substrate 10 in the sealing substrate 20 is cut from the upper surface side, and then the first substrate 10 and the temporary substrate which are part of the sealing substrate 20 are temporarily cut. The adhesive film 12 may be separated (FIG. 2 (v-2)).
This cutting is performed, for example, at least from the upper surface of the first substrate 10 to the depth of the temporary adhesive film 12 portion. Of course, the depth of cutting is not limited to “from the upper surface of the first substrate 10 to the portion of the temporary adhesive film 12”. You may make it cut from the upper surface of the 1st board | substrate 10 to the hardened | cured material 18 (from the top to the bottom).

この場合も、仮接着フィルム12の、X−Xで表される炭素原子増加量が7質量%以下であることにより、電子パッケージの底面(第2の基板)に付着するミクロな残渣を少なくすることができ、そして分離された電子パッケージのメッキ処理の不具合などを低減できる。 Also in this case, when the carbon atom increase amount represented by X f -X i of the temporary adhesive film 12 is 7% by mass or less, a micro residue adhering to the bottom surface (second substrate) of the electronic package is removed. It is possible to reduce the number of defects, and it is possible to reduce defects in plating processing of the separated electronic package.

切削には、公知の切削技術を適宜適用できる。具体的には、公知のダイシングソーを用いた切削、すなわち、ダイシングブレード(ダイヤモンド製の円形回転刃が慣用される)を高速回転させ、純水等で冷却・切削屑の洗い流しを行いながら切断する方法、レーザーダイシングによる方法、これら方法の組み合わせ、等の方法を適用できる。   A known cutting technique can be appropriately applied to the cutting. Specifically, cutting using a known dicing saw, that is, a dicing blade (a diamond circular rotary blade is commonly used) is rotated at a high speed and cut while being cooled with pure water or the like and washed away with cutting waste. A method such as a method, a method by laser dicing, or a combination of these methods can be applied.

切削により分離された電子パッケージ(複数の電子素子16を含む)を、さらに切削するなどすれば、1つ1つの電子素子16が封止された電子パッケージが得られる。   If the electronic package (including the plurality of electronic elements 16) separated by cutting is further cut, an electronic package in which each electronic element 16 is sealed is obtained.

なお、上記では、複数個の電子素子16を含む電子パッケージを切り出す例について説明したが、当然、1つ1つの電子素子16が切り出されるように切削してもよい。   In addition, although the example which cuts out the electronic package containing the some electronic element 16 was demonstrated above, you may cut so that the electronic element 16 may be cut out naturally.

・補足
第1実施形態の電子パッケージの製造方法においては、特に、配置工程で複数の電子素子16を配置する場合、電子パッケージの製造を効率化できるというメリットがある。
つまり、1つ1つの電子パッケージそれぞれを第2の基板14(インターポーザー基板等)と接続し、封止用組成物で覆い、そして加熱して封止するという煩雑な工程ではなく、複数の電子素子16を一括して第2の基板14と接続し、一括して封止用組成物で覆い、一括して加熱し封止する、という効率的な工程により電子パッケージを得ることができる。
-Supplement The electronic package manufacturing method according to the first embodiment has an advantage that the manufacturing of the electronic package can be made more efficient especially when a plurality of electronic elements 16 are arranged in the arranging step.
In other words, each electronic package is connected to the second substrate 14 (interposer substrate or the like), covered with a sealing composition, and heated and sealed. An electronic package can be obtained by an efficient process in which the elements 16 are collectively connected to the second substrate 14, are collectively covered with a sealing composition, and are collectively heated and sealed.

換言すると、第1実施形態の仮接着フィルムまたはサポート基板を用いて電子パッケージを製造することで、電子パッケージの製造効率化という恩恵を受けることができる。   In other words, by manufacturing the electronic package using the temporary adhesive film or the support substrate of the first embodiment, it is possible to receive the benefit of increasing the manufacturing efficiency of the electronic package.

<第2実施形態>
[仮接着フィルム]
第2実施形態の仮接着フィルムは、電子装置の製造に用いられるものである。
この仮接着フィルムは、露光により接着力が低下または消失する性質を有する。
そして、2000mJ/cmのi線で露光した仮接着フィルムと、第一面の算術平均表面粗さRaが0.4μmである第一の銅箔の第一面とを、温度40℃、圧力0.2MPa、時間30秒で熱圧着し、その後150℃で1時間加熱して仮接着し、そして第一の銅箔を仮接着フィルムから引きはがし、引きはがされた第一の銅箔の第一面の元素組成を、加速電圧10kVの電子線を一次線とするエネルギー分散型X線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量(割合)をY質量%し、
熱圧着前の第一の銅箔の第一面の元素組成を、上記と同様のエネルギー分散型X線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量(割合)をY質量%としたとき、
−Yで表される炭素原子増加量が7質量%以下である。
<Second Embodiment>
[Temporary adhesive film]
The temporary adhesive film of 2nd Embodiment is used for manufacture of an electronic device.
This temporary adhesive film has a property that the adhesive strength is reduced or disappears by exposure.
And the temporary adhesive film exposed with i line | wire of 2000 mJ / cm < 2 > and the 1st surface of the 1st copper foil whose arithmetic mean surface roughness Ra of a 1st surface is 0.4 micrometer, temperature 40 degreeC, pressure 0.2 MPa, thermocompression bonding for 30 seconds, and then temporarily bonded at 150 ° C. for 1 hour, and then the first copper foil is peeled off from the temporary adhesive film. When the elemental composition of the first surface is measured by energy dispersive X-ray analysis using an electron beam with an acceleration voltage of 10 kV as a primary line, the amount (ratio) of carbon atoms with respect to copper atoms is Yf mass%,
When the elemental composition of the first surface of the first copper foil before thermocompression bonding is measured by the same energy dispersive X-ray analysis method as above, the amount (ratio) of carbon atoms relative to copper atoms is Y i mass%. When
Amount increasing carbon atoms represented by Y f -Y i is not more than 7 wt%.

なお、ここでのYやYの測定方法は、第1実施形態におけるXやXの測定方法と同様である。すなわち、測定装置や使用可能な銅箔などについて、第1実施形態におけるXやXの測定と同様とすることができる。
また、Y−Yの値は、0に近いほど好ましい。Y−Yの値は、好ましくは5質量%以下、より好ましくは4質量%以下、さらに好ましくは3質量%以下ある。
The method for measuring Y f and Y i here is the same as the method for measuring X f and X i in the first embodiment. That is, for such measuring apparatus and available copper foil, may be similar to the measurement of X f and X i in the first embodiment.
Further, the value of Y f −Y i is preferably as close to 0 as possible. The value of Y f -Y i is preferably 5% by mass or less, more preferably 4% by mass or less, and still more preferably 3% by mass or less.

第2実施形態の仮接着フィルムは、第1実施形態の仮接着フィルムの「前段階」のフィルムであると言うことができる。
別の言い方としては、第2実施形態の仮接着フィルムの一部または全部に、2000mJ/cm程度のi線を照射するなどして、照射部分の接着力を低下させることで、第1実施形態の仮接着フィルムの如き、ミクロな残渣が銅に付着しづらい仮接着フィルムを得ることができる。
It can be said that the temporary adhesive film of the second embodiment is a “previous stage” film of the temporary adhesive film of the first embodiment.
In other words, a part or all of the temporary adhesive film of the second embodiment is irradiated with i-rays of about 2000 mJ / cm 2 to reduce the adhesive strength of the irradiated portion, thereby implementing the first implementation. A temporary adhesive film in which a micro residue is difficult to adhere to copper, such as a temporary adhesive film of a form, can be obtained.

第2実施形態の仮接着フィルム(正確には、第2実施形態の仮接着フィルムに、2000mJ/cm程度のi線を照射して、Y−Yの値を7質量%以下としたフィルム)のメリットは、第1実施形態(仮接着フィルム、サポート基板および電子パッケージの製造方法)で説明したものと同様であるため、改めての詳述はしない。
ただし、第2実施形態の仮接着フィルムは、露光により接着力が低下または消失する性質を有することにより、追加のメリットを有する。これについては、後掲の[電子パッケージの製造方法]の項で説明する。
Temporary adhesive film of the second embodiment (To be precise, the temporary adhesive film of the second embodiment was irradiated with i-rays of about 2000 mJ / cm 2 to set the value of Y f -Y i to 7 mass% or less. The merit of the film is the same as that described in the first embodiment (a method for manufacturing the temporary adhesive film, the support substrate, and the electronic package), and therefore will not be described in detail again.
However, the temporary adhesive film of 2nd Embodiment has an additional merit by having the property in which adhesive force falls or lose | disappears by exposure. This will be described later in [Electronic Package Manufacturing Method].

また、
・第2実施形態の仮接着フィルム(未露光)と、少なくとも片面の算術平均表面粗さRaが0.2μmである第二の銅箔のその片面とを、温度60℃、圧力0.3MPa、時間30秒で熱圧着し、その後150℃で1時間加熱して接着したとき、第二の銅箔の引きはがし強さが0.35[kN/m]以上であり、
・2000mJ/cmのi線で露光した第2実施形態の仮接着フィルムと、第二の銅箔のその片面とを、温度60℃、圧力0.3MPa、時間30秒で熱圧着し、その後150℃で1時間加熱して接着したとき、第二の銅箔の引きはがし強さが0.3[kN/m]以下である
ことが好ましい。このように仮接着フィルムを設計することで、後述の第2の基板14との適度な接着性(適度に接着性が強い)、後述の分離工程において電子パッケージをより容易に分離しやすい、等のメリットが得られると考えられる。
Also,
The temporary adhesive film (unexposed) of the second embodiment and the one side of the second copper foil having an arithmetic average surface roughness Ra of 0.2 μm on at least one side, a temperature of 60 ° C., a pressure of 0.3 MPa, When the thermocompression bonding is carried out for 30 seconds and then heated and bonded at 150 ° C. for 1 hour, the peel strength of the second copper foil is 0.35 [kN / m] or more,
The thermobonding of the temporary adhesive film of the second embodiment exposed with i-line of 2000 mJ / cm 2 and the one side of the second copper foil at a temperature of 60 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a time of 30 seconds, and then When bonding is performed by heating at 150 ° C. for 1 hour, the peel strength of the second copper foil is preferably 0.3 [kN / m] or less. By designing the temporary adhesive film in this way, moderate adhesion to the second substrate 14 described later (appropriately strong adhesion), easier separation of the electronic package in the separation process described later, etc. It is thought that the merit of

第2実施形態の仮接着フィルムは、典型的には、光硬化性樹脂組成物により構成される。
ここでの光硬化性樹脂組成物は、例えば、第1実施形態において熱硬化性樹脂組成物の成分として説明された成分(エポキシ樹脂、重合性(メタ)アクリレート化合物、熱硬化触媒、フィラー粒子等)の1種または2種以上を含み、かつ、光により硬化する性質を有する組成物であることができる。各成分の好ましい含有量については、第1実施形態での説明のとおりである。
光硬化性樹脂組成物は、好ましくは、第1実施形態において熱硬化性樹脂組成物の成分として説明された成分の1種または2種以上と、光重合開始剤とを含むものである。
The temporary adhesive film of the second embodiment is typically composed of a photocurable resin composition.
The photocurable resin composition here is, for example, the components described as the components of the thermosetting resin composition in the first embodiment (epoxy resin, polymerizable (meth) acrylate compound, thermosetting catalyst, filler particles, etc. 1) or two or more of the above and can be cured by light. About preferable content of each component, it is as the description in 1st Embodiment.
The photocurable resin composition preferably contains one or more components described as components of the thermosetting resin composition in the first embodiment and a photopolymerization initiator.

光重合開始剤について説明する。
光重合開始剤としては、公知の光ラジカル重合開始剤や光カチオン重合開始剤を挙げることができる。
The photopolymerization initiator will be described.
Examples of the photopolymerization initiator include known radical photopolymerization initiators and cationic photopolymerization initiators.

光ラジカル重合開始剤として具体的には、例えば、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、2−ヒドロキシ−1−{4−[4−(2−ヒドロキシ−2−メチル−プロピオニル)−ベンジル]フェニル}−2−メチル−プロパン−1−オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、α−ヒドロキシ−α,α´−ジメチルアセトフェノン、2−メチル−2−ヒドロキシプロピオフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)−フェニル]−2−モルホリノプロパン−1、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン、2−ナフタレンスルホニルクロリド、1−フェノン−1,1―プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、4,4´−ジメチルアミノベンゾフェノン、4,4´−ジエチルアミノベンゾフェノン、4,4´−ジクロロベンゾフェノン、3,3´−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノン、o−アクリルオキシベンゾフェノン、p−アクリルオキシベンゾフェノン、o−メタクリルオキシベンゾフェノン、p−メタクリルオキシベンゾフェノン、p−(メタ)アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、1,4−ブタンジオールモノ(メタ)アクリラート、1,2−エタンジオールモノ(メタ)アクリラート、1,8−オクタンジオールモノ(メタ)アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン−4−カルボン酸エステル、チオキサンソン、2−クロロチオキサンソン、2−メチルチオキサンソン、2,4−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、2,4−ジクロロチオキサンソン、2,4−ジエチルチオキサンソン、2,4−ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β−クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、2−エチルアントラキノン、t−ブチルアントラキノン、2,4,5−トリアリ−ルイミダゾール二量体、等が挙げられる。
光ラジカル重合開始剤としては、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。
Specific examples of the radical photopolymerization initiator include 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one and 1- [4- (2-hydroxyethoxy) -phenyl] -2-hydroxy-2. -Methyl-1-propan-1-one, 2-hydroxy-1- {4- [4- (2-hydroxy-2-methyl-propionyl) -benzyl] phenyl} -2-methyl-propan-1-one, Benzyldiphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypro Piophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, Michler's ketone, acetophenone, methoxyacetate Phenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1, benzoin methyl ether, benzoin ethyl Ether, benzoin propyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzyl, benzoin, dibenzyl, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzyl dimethyl ketal, 2-hydroxymethylphenylpropane, 2-naphthalenesulfonyl chloride, 1-phenone-1, 1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, benzophenone, benzoylbenzoic acid, 4,4'-dimethylaminobenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzene Nzophenone, 4,4'-dichlorobenzophenone, 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone, o-acryloxybenzophenone, p-acryloxybenzophenone, o-methacryloxybenzophenone, p-methacryloxybenzophenone, p- (meta ) Benzophenone-4- of acrylate such as acrylicoxyethoxybenzophenone, 1,4-butanediol mono (meth) acrylate, 1,2-ethanediol mono (meth) acrylate, 1,8-octanediol mono (meth) acrylate Carboxylic acid ester, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-diethyl Thioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, azobisisobutyronitrile, β-chloranthraquinone, camphorquinone, halogenated ketone, acyl phosphinoxide, acyl phosphonate, polyvinyl benzophenone, chlorothioxanthone, dodecyl thioxanthone, Examples thereof include dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, 2-ethylanthraquinone, t-butylanthraquinone, 2,4,5-triallylimidazole dimer, and the like.
The radical photopolymerization initiator is preferably at least one selected from benzophenone derivatives and alkylphenone derivatives.

光カチオン重合開始剤としては、例えば、オニウム塩構造のものが挙げられる。より具体的には、ジアゾニウム塩のようなルイス酸発生型のものや、ヨードニウム塩、スルホニウム塩のようなブレンステッド酸発生型のもの等が挙げられる。
光カチオン重合開始剤は、特に、エポキシ樹脂が有するエポキシ基に対して作用し、硬化反応を進行させる。
As a photocationic polymerization initiator, the thing of an onium salt structure is mentioned, for example. More specifically, a Lewis acid generation type such as a diazonium salt, a Bronsted acid generation type such as an iodonium salt and a sulfonium salt, and the like can be mentioned.
The cationic photopolymerization initiator particularly acts on the epoxy group of the epoxy resin to advance the curing reaction.

光カチオン重合開始剤が、オニウム塩構造のものである場合、オニウムカチオンの構造として具体的には、ジフェニルヨードニウム、4−メトキシジフェニルヨードニウム、ビス(4−メチルフェニル)ヨードニウム、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム、ビス(ドデシルフェニル)ヨードニウム、トリフェニルスルホニウム、ジフェニル−4−チオフェノキシフェニルスルホニウム、ビス[4−(ジフェニルスルフォニオ)−フェニル]スルフィド、ビス[4−(ジ(4−(2−ヒドロキシエチル)フェニル)スルホニオ)―フェニル]スルフィド、η5−2,4−(シクロペンタジエニル)[1,2,3,4,5,6−η−(メチルエチル)ベンゼン]−鉄(1+)等が挙げられる。   When the photocationic polymerization initiator has an onium salt structure, specific examples of the onium cation structure include diphenyliodonium, 4-methoxydiphenyliodonium, bis (4-methylphenyl) iodonium, bis (4-tert- Butylphenyl) iodonium, bis (dodecylphenyl) iodonium, triphenylsulfonium, diphenyl-4-thiophenoxyphenylsulfonium, bis [4- (diphenylsulfonio) -phenyl] sulfide, bis [4- (di (4- ( 2-hydroxyethyl) phenyl) sulfonio) -phenyl] sulfide, η5-2,4- (cyclopentadienyl) [1,2,3,4,5,6-η- (methylethyl) benzene] -iron ( 1+) and the like.

また、光カチオン重合開始剤が、オニウム塩構造のものである場合、そのアニオンとしては、ボレート、ホスフェート、アンチモネート、スルホン酸アニオン等が挙げられる。より具体的なアニオンとしては、例えば以下の(i)〜(iii)などが挙げられる。   When the photocationic polymerization initiator has an onium salt structure, examples of the anion include borate, phosphate, antimonate, and sulfonate anion. More specific anions include, for example, the following (i) to (iii).

(i)ハロゲン化錯体:例えば、テトラフルオロボレート等のボレート、ヘキサフルオロホスフェート等のホスフェート、ヘキサフルオロアンチモネート、ヘキサクロロアンチモネート等のアンチモネート。
(ii)有機酸アニオン:例えば、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、トルエンスルホン酸イオン、トリニトロトルエンスルホン酸イオン等。
(iii)芳香族陰イオン:具体例には、テトラ(フルオロフェニル)ボレート、テトラ(ジフルオロフェニル)ボレート、テトラ(トリフルオロフェニル)ボレート、テトラ(テトラフルオロフェニル)ボレート、テトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート、テトラ(パーフルオロフェニル)ボレート、テトラ(トリフルオロメチルフェニル)ボレート、テトラ(ジ(トリフルオロメチル)フェニル)ボレート等。
(I) Halogenated complex: For example, borate such as tetrafluoroborate, phosphate such as hexafluorophosphate, antimonate such as hexafluoroantimonate and hexachloroantimonate.
(Ii) Organic acid anion: For example, trifluoromethanesulfonate ion, toluenesulfonate ion, trinitrotoluenesulfonate ion, and the like.
(Iii) Aromatic anions: Specific examples include tetra (fluorophenyl) borate, tetra (difluorophenyl) borate, tetra (trifluorophenyl) borate, tetra (tetrafluorophenyl) borate, tetra (pentafluorophenyl) borate Tetra (perfluorophenyl) borate, tetra (trifluoromethylphenyl) borate, tetra (di (trifluoromethyl) phenyl) borate and the like.

好ましい光カチオン重合開始剤としては、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、2,4,6−トリフェニルチオピリリウムヘキサフルオロホスフェート、4−イソブチルフェニル(4−メチルフェニル)ヨードニウム・ヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。   Preferred photocationic polymerization initiators include diphenyliodonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, 2,4,6-triphenylthiopyrylium hexafluorophosphate, 4-isobutylphenyl (4-methylphenyl) iodonium, Examples include hexafluorophosphate.

光重合開始剤は、1種のみを用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、光ラジカル重合開始剤と光カチオン重合開始剤とを併用してもよい。もちろん、2種以上の光ラジカル重合開始剤を用いてもよいし、2種以上の光カチオン重合開始剤を用いてもよい。
第2実施形態の仮接着フィルム中の光重合開始剤の量(複数種を組み合わせて用いた場合は、その合計量)は、例えば0.1〜15質量%、好ましくは0.3〜10質量%、より好ましくは0.5〜8質量%である。
Only one type of photopolymerization initiator may be used, or two or more types may be used in combination. Moreover, you may use together a radical photopolymerization initiator and a photocationic polymerization initiator. Of course, two or more types of photo radical polymerization initiators may be used, or two or more types of photo cationic polymerization initiators may be used.
The amount of the photopolymerization initiator in the temporary adhesive film of the second embodiment (when used in combination of a plurality of types) is, for example, 0.1 to 15% by mass, preferably 0.3 to 10% by mass. %, More preferably 0.5 to 8% by mass.

第2実施形態の仮接着フィルムを得る方法については、第1実施形態の仮接着フィルムを得る方法と同様とすることができる。すなわち、第1実施形態での説明のように、上述の成分を適当な溶剤に溶解させて塗布液とし、その塗布液を用いて膜形成することで得ることができる。塗布の具体的方法、塗布膜を形成する基材、塗布液を調製するための溶剤、塗布液の濃度などについても前述のとおりである。
また、第2実施形態の仮接着フィルムの厚み、大きさ、形状などについても、第1実施形態の仮接着フィルムと同様とすることができる。
The method for obtaining the temporary adhesive film of the second embodiment can be the same as the method for obtaining the temporary adhesive film of the first embodiment. That is, as described in the first embodiment, it can be obtained by dissolving the above-described components in an appropriate solvent to form a coating solution, and forming a film using the coating solution. The specific method of coating, the substrate for forming the coating film, the solvent for preparing the coating solution, the concentration of the coating solution, and the like are also as described above.
Further, the thickness, size, shape, and the like of the temporary adhesive film of the second embodiment can be the same as those of the temporary adhesive film of the first embodiment.

[サポート基板]
第2実施形態の電子パッケージ製造用サポート基板(単に「サポート基板」とも記載する)は、第1の基板と、その第1の基板の片面に設けられた仮接着フィルム(上記で[仮接着フィルム]として説明したもの)とを備える。
[Support substrate]
The support substrate for manufacturing an electronic package according to the second embodiment (also simply referred to as “support substrate”) includes a first substrate and a temporary adhesive film (referred to as “temporary adhesive film” provided on one surface of the first substrate). ).

このサポート基板については、模式的には、図3(i)のように図示することができる。
図3(i)において、サポート基板3は、第1の基板10と、その片面に設けられた仮接着フィルム12とを備える。
仮接着フィルム12の具体的態様や、第1の基板10の片面に仮接着フィルム12を設ける方法などについては、上記[仮接着フィルム]の項での説明のとおりである。
第1の基板10の具体的態様(材質、厚み、大きさ、形状等)については、第1実施形態における第1の基板10と同様である。
The support substrate can be schematically illustrated as shown in FIG.
In FIG.3 (i), the support substrate 3 is provided with the 1st board | substrate 10 and the temporary adhesive film 12 provided in the single side | surface.
The specific mode of the temporary adhesive film 12, the method of providing the temporary adhesive film 12 on one side of the first substrate 10, and the like are as described in the above section [Temporary adhesive film].
Specific modes (material, thickness, size, shape, etc.) of the first substrate 10 are the same as those of the first substrate 10 in the first embodiment.

[電子パッケージの製造方法]
第2実施形態の電子パッケージの製造方法は、露光工程、仮接着工程、配置工程、封止工程、切削工程および分離工程を含むことができる。以下、これら工程について説明する。
[Electronic Package Manufacturing Method]
The method for manufacturing an electronic package of the second embodiment can include an exposure process, a temporary bonding process, an arrangement process, a sealing process, a cutting process, and a separation process. Hereinafter, these steps will be described.

・露光工程(図3(ii))
露光工程においては、上述のサポート基板3が有する仮接着フィルム12を露光し、接着力の強い領域Aと、領域Aより接着力の弱い領域Bと設けることができる。
露光する光は、光硬化性樹脂組成物の感光特性などに基づき適宜選択可能であるが、例えば波長100〜1000nmの光、より具体的にはg線、i線などが適用される。露光量(ドーズ)も、組成物の感光特性などに基づき適宜設定可能である。例えば、10〜10000mJ/cm、好ましくは50〜5000mJ/cm、より好ましくは100〜3000mJ/cmである。露光の方法としては、密着露光法、投影露光法、コンタクト・プロキシミティ露光法などが適宜適用可能である。
・ Exposure process (Fig. 3 (ii))
In the exposure step, the temporary adhesive film 12 of the support substrate 3 described above can be exposed to provide a region A having a strong adhesive force and a region B having a weaker adhesive force than the region A.
The light to be exposed can be appropriately selected based on the photosensitive characteristics of the photocurable resin composition, and for example, light having a wavelength of 100 to 1000 nm, more specifically g-line, i-line, and the like are applied. The exposure amount (dose) can also be appropriately set based on the photosensitive characteristics of the composition. For example, 10~10000mJ / cm 2, preferably 50 to 5000 mJ / cm 2, more preferably 100~3000mJ / cm 2. As an exposure method, a contact exposure method, a projection exposure method, a contact proximity exposure method, or the like can be appropriately applied.

露光条件については、例えば、領域Bにおいて、前述の方法で測定された炭素原子増加量(Y−Yの値)が7質量%以下となる、つまり、ミクロな残渣の付着が抑えられる程度に露光して接着力を低下させることが好ましい。これにより、後の仮接着工程〜分離工程を経て得られる半導体パッケージの、メッキの不具合等を低減することができる。
また、露光条件については、別観点として、(i)領域Aにおいて、前述した第二の銅箔の引きはがし強さが0.35[kN/m]以上であり、かつ、(ii)領域Bにおいて、前述した第二の銅箔の引きはがし強さが0.3[kN/m]以下となるようにすることが好ましい。
(引きはがし強さの測定方法については、第1実施形態と同様とすることができる。)
As for the exposure conditions, for example, in the region B, the amount of increase in carbon atoms (value of Y f -Y i ) measured by the above-described method is 7% by mass or less, that is, the degree to which micro residue adhesion is suppressed. It is preferable to reduce the adhesive force by exposing to the surface. Thereby, the defect etc. of the plating of the semiconductor package obtained through the subsequent temporary bonding process to the separation process can be reduced.
Regarding the exposure conditions, as another viewpoint, (i) in the region A, the peel strength of the second copper foil described above is 0.35 [kN / m] or more, and (ii) the region B The peel strength of the second copper foil is preferably 0.3 [kN / m] or less.
(The method for measuring the peel strength can be the same as in the first embodiment.)

・仮接着工程(図3(iii))
仮接着工程では、上述のサポート基板3が有する仮接着フィルム12(領域AおよびBを備える)と、第2の基板14とを密着させて、第1の基板10、仮接着フィルム12および第2の基板14の少なくとも3層を備える複合基板を得る。
複合基板を得る具体的方法については、第1実施形態の仮接着工程と同様の方法を適用することができる。
-Temporary bonding process (Fig. 3 (iii))
In the temporary bonding step, the temporary bonding film 12 (including the regions A and B) included in the support substrate 3 and the second substrate 14 are brought into close contact with each other, and the first substrate 10, the temporary bonding film 12, and the second substrate 14 are brought into close contact with each other. A composite substrate comprising at least three layers of the substrate 14 is obtained.
As a specific method for obtaining the composite substrate, a method similar to the temporary bonding step of the first embodiment can be applied.

・配置工程(図3(iv))
配置工程では、仮接着工程で得た複合基板の第2の基板14を備えた面を上面として、複合基板を上面視したときに、領域Bと重なるようにして、複合基板における第2の基板14の上に電子素子16を配置する。
このように電子素子16を配置することで、後述する切削工程、分離工程等を経て切り出される電子パッケージの底面が、接着力が比較的弱い領域Bと接することとなる。よって、切削工程後に、電子パッケージを第1の基板10から分離することが容易となる。つまり、電子パッケージ製造の生産性を高めることができる。この点は、第2実施形態特有のメリットである。
このことについては、後述の切削工程および分離工程でより詳しく説明する。
Placement process (Fig. 3 (iv))
In the placement step, the surface of the composite substrate obtained in the temporary bonding step is provided with the second substrate 14 as an upper surface, and when viewed from above, the second substrate in the composite substrate overlaps with the region B. An electronic element 16 is arranged on the top 14.
By disposing the electronic element 16 in this manner, the bottom surface of the electronic package cut out through a cutting process, a separation process, and the like, which will be described later, comes into contact with the region B having a relatively weak adhesive force. Therefore, it becomes easy to separate the electronic package from the first substrate 10 after the cutting process. That is, the productivity of electronic package manufacturing can be increased. This is a merit unique to the second embodiment.
This will be described in more detail in the cutting process and the separation process described later.

配置工程で配置される電子素子16の数、相対的な配置位置、電子素子16の具体例、固定/仮止め/リフロー工程などの追加工程の有無、などについては、第1実施形態の配置工程で説明されたものと同様とすることができる。   The number of electronic elements 16 arranged in the arrangement process, the relative arrangement position, specific examples of the electronic elements 16, the presence / absence of additional processes such as a fixing / temporary fixing / reflow process, and the like are described in the arrangement process of the first embodiment. Can be the same as described in.

・封止工程(図3(v))
封止工程では、配置工程で配置された電子素子16に対して封止用組成物を適用し、封止用組成物の硬化物(硬化物18)で電子素子16が封止された封止基板20を得る。
封止用組成物の態様(構成成分や性状)、封止の具体的方法などは、第1実施形態の配置工程で説明されたものと同様とすることができる。
・ Sealing process (Fig. 3 (v))
In the sealing process, the sealing composition is applied to the electronic element 16 arranged in the arranging process, and the electronic element 16 is sealed with a cured product (cured product 18) of the sealing composition. A substrate 20 is obtained.
The aspect (components and properties) of the sealing composition, the specific method of sealing, and the like can be the same as those described in the disposing step of the first embodiment.

・切削工程および分離工程(図4)
上述の封止基板20の少なくとも一部を切削する切削工程と、サポート基板3と第2の基板14とを分離する分離工程とにより、電子素子16が硬化物18で封止された構造物(電子パッケージ)を得ることができる。
・ Cutting process and separation process (Fig. 4)
A structure in which the electronic element 16 is sealed with the cured product 18 by the cutting step of cutting at least a part of the sealing substrate 20 and the separation step of separating the support substrate 3 and the second substrate 14 ( Electronic package).

一例として、封止基板20における硬化物18がある面を上面として、封止基板20を上面視したときに領域Bに相当する部分(特に、領域Bにおける、領域Aとの境界に近い部分)を切削する。
(念のために述べておくが、本実施形態において、領域Aに相当する部分を切削してはいけないということはない。また、切削は、通常は電子素子16を傷つけないように行われる。)
As an example, a portion corresponding to the region B when the sealing substrate 20 is viewed from the top surface with the surface having the cured product 18 in the sealing substrate 20 as an upper surface (particularly, a portion close to the boundary with the region A in the region B). To cut.
(As a reminder, in this embodiment, the portion corresponding to the region A should not be cut. In addition, the cutting is usually performed so as not to damage the electronic element 16. )

切削後、封止基板20の一部である、領域Bに相当する部分の第2の基板14、硬化物18および電子素子16を分離する。以上により、封止基板20から、電子パッケージを切り出し、そして分離することができる(図4(vi−1))。   After the cutting, the second substrate 14, the cured product 18, and the electronic element 16 corresponding to the region B, which are a part of the sealing substrate 20, are separated. Thus, the electronic package can be cut out and separated from the sealing substrate 20 (FIG. 4 (vi-1)).

なお、ここでの切削は、例えば、少なくとも硬化物18の上面から第2の基板14の部分までの深さで行う(図4(vi−1)は、このように切削した場合を模式的に示している)。もちろん、切削の深さは「硬化物18の上面から第2の基板14の部分まで」に限定されるものではない。硬化物18の上面から第1の基板10まで(上から下まで)を切削するようにしてもよい。   The cutting here is performed, for example, at least at a depth from the upper surface of the cured product 18 to the portion of the second substrate 14 (FIG. 4 (vi-1) schematically shows the case of cutting in this way. Shown). Of course, the depth of cutting is not limited to “from the upper surface of the cured product 18 to the portion of the second substrate 14”. You may make it cut from the upper surface of the hardened | cured material 18 to the 1st board | substrate 10 (from the top to the bottom).

切削および分離に際し、領域Bの接着力が領域Aの接着力よりも小さいことにより、電子パッケージの分離が容易であるというメリットがある。また、領域Aの部分の接着力は比較的大きいことにより、切削工程や前述の各工程において、サポート基板3が第2の基板14から剥がれる等の不具合が起こりにくいというメリットもある。
つまり、第2実施形態においては、(i)接着力が比較的強い領域Aが存在することにより、第2の基板14等は全体としてサポート基板3に強く接着することができ、(ii)一方、接着力が比較的弱い領域Bがあることにより、サポート基板からの半導体パッケージの分離が容易となる。つまり、第2実施形態には、第1実施形態には無い追加のメリットがある。
At the time of cutting and separation, since the adhesive force in the region B is smaller than the adhesive force in the region A, there is an advantage that the electronic package can be easily separated. In addition, since the adhesive force of the region A is relatively large, there is an advantage that troubles such as the support substrate 3 being peeled off from the second substrate 14 are less likely to occur in the cutting process and the above-described processes.
That is, in the second embodiment, (i) since the region A having a relatively strong adhesive force exists, the second substrate 14 and the like can strongly adhere to the support substrate 3 as a whole, and (ii) The presence of the region B having a relatively weak adhesive force facilitates the separation of the semiconductor package from the support substrate. That is, the second embodiment has an additional merit that is not found in the first embodiment.

図4(vi−1)とは別の切削/分離方法として、封止基板20における、第1の基板10の面を上面として、封止基板20を上面視したときに領域Bに相当する部分の周縁部を切削してもよい(図4(vi−2))。
この切削は、例えば、少なくとも第1の基板10の上面から仮接着フィルム12の部分の深さまで行う。もちろん、切削の深さは「第1の基板10の上面から仮接着フィルム12の部分まで」に限定されるものではない。第1の基板10の上面から硬化物18まで(上から下まで)を切削するようにしてもよい。
図4(vi−2)に示されるような切削および分離方法の場合も、図4(vi−1)のような切削の場合と同様のメリットがある。
As a cutting / separation method different from that shown in FIG. 4 (vi-1), a portion of the sealing substrate 20 corresponding to the region B when the surface of the first substrate 10 is the top surface and the sealing substrate 20 is viewed from above. You may cut the peripheral part of (FIG. 4 (vi-2)).
This cutting is performed, for example, at least from the upper surface of the first substrate 10 to the depth of the temporary adhesive film 12 portion. Of course, the depth of cutting is not limited to “from the upper surface of the first substrate 10 to the portion of the temporary adhesive film 12”. You may make it cut from the upper surface of the 1st board | substrate 10 to the hardened | cured material 18 (from the top to the bottom).
The cutting and separating method as shown in FIG. 4 (vi-2) has the same merit as the cutting as shown in FIG. 4 (vi-1).

なお、切削に用いることができる装置、切削により分離された電子パッケージ(複数の電子素子16を含む)をさらに切削してもよいこと、1つ1つの電子素子16が切り出されるように切削してもよいこと等は、第1実施形態と同様である。
また、第2実施形態の電子パッケージの製造方法により電子パッケージを製造することで、上述の「追加のメリット」だけでなく、当然、第1実施形態が持つメリットをも享受することができる。例えば、1つ1つの電子パッケージそれぞれを封止用組成物で覆い、加熱して封止するという煩雑な工程ではなく、それより単純な工程により最終的な電子パッケージを得られる。つまり、生産性向上のメリットを享受することができる。
It should be noted that an apparatus that can be used for cutting, an electronic package (including a plurality of electronic elements 16) separated by cutting may be further cut, and cutting may be performed so that each electronic element 16 is cut out. The other features are the same as in the first embodiment.
In addition, by manufacturing an electronic package by the method for manufacturing an electronic package of the second embodiment, not only the “additional merits” described above but also the merits of the first embodiment can be enjoyed. For example, the final electronic package can be obtained by a simpler process than the complicated process of covering each of the electronic packages with a sealing composition and heating and sealing them. That is, the merit of productivity improvement can be enjoyed.

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。また、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, these are illustrations of this invention and can employ | adopt various structures other than the above. Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.

本発明の実施態様を、実施例および比較例に基づき詳細に説明する。なお、本発明は実施例に限定されるものではない。   Embodiments of the present invention will be described in detail based on examples and comparative examples. In addition, this invention is not limited to an Example.

I.熱硬化性樹脂組成物(非感光性)により仮接着フィルムを製造した例 I. Example of producing a temporary adhesive film from a thermosetting resin composition (non-photosensitive)

1.仮接着フィルム/サポート基板の製造
以下(1)〜(3)の手順により、仮接着フィルムを製造し、それをステンレス製の第1の基板の片面に密着させてサポート基板を製造した。
1. Production of Temporary Adhesive Film / Support Substrate A temporary adhesive film was produced by the following procedures (1) to (3), and the support substrate was produced by adhering it to one surface of a stainless steel first substrate.

(1)後掲の表1に記載の成分をメチルエチルケトンに溶解させて、濃度60質量%の塗布液を調製した。
(2)上記の塗布液を、コンマコーターを用いて、PETフィルム(ユニチカ社製 TR1(膜厚38μm))に塗布し、溶媒を乾燥させた。このときの膜厚(乾燥時)は10μmとした。これにより、PETフィルムの片面に仮接着フィルムが形成された積層フィルムを得た。
(3)上記(2)の積層フィルムの仮接着フィルムが形成された面を、ステンレス製の第1の基板(厚さ100μm、縦70mm×横200mm)と密着させ、そして真空ラミネートを行った。真空ラミネートには、真空ラミネーター装置(株式会社名機製作所製 MVLP−500/600IIA)を用い、ラミネート条件は50℃/0.3MPaとした。
なお、PETフィルムは、下記2.の各測定の直前、または、下記3.(1)の工程の直前に剥離した。
(1) The components listed in Table 1 below were dissolved in methyl ethyl ketone to prepare a coating solution having a concentration of 60% by mass.
(2) The above coating solution was applied to a PET film (TR1 (film thickness: 38 μm) manufactured by Unitika Ltd.) using a comma coater, and the solvent was dried. The film thickness (at the time of drying) at this time was 10 μm. Thereby, the laminated | multilayer film with which the temporary adhesive film was formed in the single side | surface of PET film were obtained.
(3) The surface on which the temporary adhesive film of the laminated film of (2) was formed was brought into close contact with a stainless steel first substrate (thickness 100 μm, length 70 mm × width 200 mm), and vacuum lamination was performed. A vacuum laminator (MVLP-500 / 600IIA manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.) was used for vacuum lamination, and the lamination conditions were 50 ° C./0.3 MPa.
In addition, PET film has the following 2. Immediately before each measurement of the above or the following 3. It peeled just before the process of (1).

2.XおよびXの測定、ならびに、引きはがし強さの測定
(1)XおよびXの測定
三井金属鉱山社製の銅箔(品番:3EC−M3−VLP、厚み:12μm、光沢面の算術平均表面粗さRa:0.2μm)の光沢面に、以下(i)〜(iv)の処理を施して、算術平均表面粗さRaが0.4μmである第一の銅箔を準備した。
(i)まず、上記銅箔を、25℃に調整されたエッチング前処理液(メック株式会社製、商品名:CA−5330Aを、純水で50vol%に希釈したもの)に10秒間浸漬した。
(ii)続いて、上記前処理をした銅箔を、水平ラインに置き、25℃に温度調節した銅エッチング液(メック株式会社製、商品名:CZ−8101の原液)を、スプレー圧0.2MPaで30秒間スプレーした。
(iii)上記スプレー処理後の銅箔を、25℃に温度調節した防錆剤(メック株式会社製、商品名:CL−8301を、純水で50vol%に希釈したもの)に15秒間浸漬した。
(iv)上記の浸漬後、銅箔を120℃で30分間乾燥した。
2. Measurements of X f and X i, and, peeling strength measurements (1) X f and X i of the measurement Mitsui Kinzoku Mining Co. copper foil (product number: 3EC-M3-VLP, thickness: 12 [mu] m, the glossy surface The glossy surface having arithmetic average surface roughness Ra: 0.2 μm was subjected to the following treatments (i) to (iv) to prepare a first copper foil having arithmetic average surface roughness Ra of 0.4 μm. .
(I) First, the copper foil was immersed for 10 seconds in an etching pretreatment solution adjusted to 25 ° C. (trade name: CA-5330A manufactured by MEC Co., Ltd. diluted to 50 vol% with pure water).
(Ii) Subsequently, the copper foil subjected to the above pretreatment was placed on a horizontal line and the temperature of the copper etching solution adjusted to 25 ° C. (trade name: CZ-8101 stock solution, manufactured by MEC Co., Ltd.) was sprayed at a spray pressure of 0. Sprayed at 2 MPa for 30 seconds.
(Iii) The copper foil after the spray treatment was immersed for 15 seconds in a rust inhibitor (trade name: CL-8301, manufactured by MEC Co., Ltd. diluted to 50 vol% with pure water) whose temperature was adjusted to 25 ° C. .
(Iv) After the immersion, the copper foil was dried at 120 ° C. for 30 minutes.

上記の銅箔の算術平均表面粗さRaが0.4μmである面を、上記1.で得られた第1の基板上の仮接着フィルムと密着させた。そして、真空ラミネーター装置(株式会社名機製作所製、MVLP−500/600IIA)を用いて温度40℃、圧力0.2MPa、時間30秒で熱圧着し、その後さらにオーブンを用いて150℃で1時間加熱した。加熱終了後、室温で放冷した。   The surface having the arithmetic average surface roughness Ra of the copper foil of 0.4 μm is referred to as 1. It was made to adhere to the temporary adhesion film on the 1st substrate obtained by. Then, thermocompression bonding was performed at a temperature of 40 ° C., a pressure of 0.2 MPa, and a time of 30 seconds using a vacuum laminator (manufactured by Meiki Seisakusho, MVLP-500 / 600IIA), and then further using an oven at 150 ° C. for 1 hour. Heated. After the heating, it was allowed to cool at room temperature.

熱圧着した銅箔を、銅箔が破断しないようにゆっくりと引きはがし、熱圧着されていた面のエネルギー分散型X線分析を行った。
具体的には、まず、走査電子顕微鏡JSM−7900F(日本電子製)を使用して、測定対象(仮接着フィルムから引きはがした銅部分)の適当な箇所を拡大し(倍率1000倍)、その範囲について、エネルギー分散型X線分析装置JED−2300 Analysis Station Plus(同じく日本電子製)を使用して、一次線として加速電圧10kVの電子線を照射し、スペクトルを得、銅原子に対する炭素原子の量を求めた。
The thermocompression-bonded copper foil was slowly peeled off so as not to break the copper foil, and energy dispersive X-ray analysis was performed on the thermocompression-bonded surface.
Specifically, first, using a scanning electron microscope JSM-7900F (manufactured by JEOL Ltd.), an appropriate portion of the measurement object (copper portion peeled off from the temporary adhesive film) is enlarged (magnification 1000 times), Using the energy dispersive X-ray analyzer JED-2300 Analysis Station Plus (also made by JEOL Ltd.), the range is irradiated with an electron beam having an acceleration voltage of 10 kV as a primary line, and a spectrum is obtained. The amount of was determined.

上記測定により求められる、銅原子に対する炭素原子の量(割合)をX質量%とした。また、仮接着フィルムと密着させる前の銅箔の、算術平均表面粗さRaが0.4μmである面を、上記と同様に測定して求められる、銅原子に対する炭素原子の量(割合)をX質量%とした。そして、(X−X)質量%を求めた。 The amount (ratio) of carbon atoms with respect to copper atoms determined by the above measurement was Xf mass%. Moreover, the quantity (ratio) of the carbon atom with respect to a copper atom calculated | required similarly to the above by calculating | requiring the surface where arithmetic mean surface roughness Ra of the copper foil before making it adhere | attach with a temporary adhesive film is 0.4 micrometer is carried out. It was X i mass%. Then, to determine the (X f -X i) mass%.

(2)引きはがし強さの測定
まず、算術平均表面粗さRaが0.2μmの銅箔として、三井金属鉱山社製の銅箔(品番:3EC−M3−VLP、厚み:35μm)を、幅25mmの短冊状に切ったものを準備した。
次に、この銅箔の、算術平均表面粗さが0.2μmの面を、上記1.でステンレス基板上に形成された仮接着フィルムに接触させた。これを温度60℃、圧力0.3MPa、時間30秒の条件で熱圧着(真空ラミネート)し、さらに、オーブンを用いて150℃で1時間加熱した。その後、室温で放冷した。
(2) Measurement of peel strength First, as a copper foil having an arithmetic average surface roughness Ra of 0.2 μm, a copper foil (product number: 3EC-M3-VLP, thickness: 35 μm) manufactured by Mitsui Mining Co., Ltd. A 25 mm strip was prepared.
Next, the surface of this copper foil having an arithmetic average surface roughness of 0.2 μm is treated as 1. Then, the film was brought into contact with the temporary adhesive film formed on the stainless steel substrate. This was thermocompression-bonded (vacuum lamination) under the conditions of a temperature of 60 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a time of 30 seconds, and further heated at 150 ° C. for 1 hour using an oven. Then, it stood to cool at room temperature.

その後、上記で仮接着フィルムに接着された銅箔を、50mm/minの速度で、図5に示されるように垂直方向に引き剥がした。このときの引きはがし強さ(単位:kN)を、銅箔の幅0.025mで割った値を、引きはがし強さ(単位:kN/m)とした。
引きはがし(引きはがし強さの測定)には、島津製作所社製の精密万能試験機(オートグラフ AG−X plus)を用いた。また、ここに明記のない測定条件等については、JIS C 6481の特に5.7項に準拠した。
Thereafter, the copper foil bonded to the temporary adhesive film was peeled off in the vertical direction as shown in FIG. 5 at a speed of 50 mm / min. The value obtained by dividing the peel strength (unit: kN) by the width of the copper foil 0.025 m was defined as the peel strength (unit: kN / m).
A precision universal testing machine (Autograph AG-X plus) manufactured by Shimadzu Corporation was used for peeling (measurement of peeling strength). In addition, the measurement conditions and the like that are not specified here are based on JIS C 6481, particularly, section 5.7.

3.電子パッケージの製造
以下(1)〜(4)の手順で、電子パッケージを製造した。
3. Manufacture of electronic package The electronic package was manufactured in the following procedures (1) to (4).

(1)仮接着工程
サポート基板が有する仮接着フィルムと、あらかじめ準備しておいた第2の基板(アラインメントマーク付きのインターポーザー基板)とを、真空ラミネーター装置(株式会社名機製作所製 MVLP−500/600IIA)を用い、60℃、0.3MPaの条件で真空ラミネートを行うことで、接着した。
用いたインターポーザー基板は、厚み80μmであり、縦横の大きさが第1の基板と略同じであった。また、このインターポーザー基板は、主としてエポキシ樹脂により構成され、略等間隔にユニット構造(インターポーザーの上下を電気的に接続する銅配線や、半田バンプ構造等を含む)が設けられ、また、ユニット構造が設けられていない部分は略平坦だった。
真空ラミネートによる接着後、接着性を確実にするため、オーブンを用いて、150℃で1時間加熱処理を行い、その後、放冷した。
以上により、第1の基板−仮接着フィルム−第2の基板(インターポーザー基板)の3層構成の複合基板を得た。
(1) Temporary adhesion process A temporary adhesion film which a support substrate has and a second substrate (an interposer substrate with an alignment mark) prepared in advance are combined with a vacuum laminator device (MVLP-500 manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.). / 600IIA) and bonded by vacuum lamination under conditions of 60 ° C. and 0.3 MPa.
The interposer substrate used had a thickness of 80 μm, and the vertical and horizontal sizes were substantially the same as those of the first substrate. This interposer substrate is mainly composed of epoxy resin, and is provided with unit structures (including copper wiring and solder bump structures etc. for electrically connecting the upper and lower sides of the interposer) at substantially equal intervals. The part where the structure was not provided was substantially flat.
After bonding by vacuum laminating, heat treatment was performed at 150 ° C. for 1 hour using an oven to ensure adhesion, and then allowed to cool.
As a result, a composite substrate having a three-layer structure of a first substrate, a temporary adhesive film, and a second substrate (interposer substrate) was obtained.

(2)配置工程(リフロー工程を含む)
上記(1)で得られた複合基板のインターポーザー基板のユニット構造部分に、複数個の電子素子を配置した。
その後、電子素子を配置した複合基板をリフロー炉(株式会社大和製作所製 NRY−325−5Z)に投入し、リフロー処理(炉内雰囲気温度260℃、投入時間5分)を行った。これにより、インターポーザー基板と電子素子とを接続した。
(2) Placement process (including reflow process)
A plurality of electronic elements were arranged in the unit structure portion of the interposer substrate of the composite substrate obtained in (1) above.
Thereafter, the composite substrate on which the electronic elements were arranged was put into a reflow furnace (NRY-325-5Z manufactured by Yamato Seisakusho Co., Ltd.), and reflow treatment (furnace atmosphere temperature 260 ° C., throwing time 5 minutes) was performed. Thereby, the interposer substrate and the electronic element were connected.

(3)封止工程
まず、上記の配置工程を行った後の基板の上面(電子素子が配置されている面)に、電子素子が十分隠れる量の封止用組成物を適用した。封止用組成物としては、公知の顆粒状の封止用組成物(エポキシ樹脂、シリカ粒子、硬化剤等を含有)を用いた。
その後、温度175℃、圧力10MPa、時間120秒の条件で封止用組成物を封止し、そして、オーブンで温度175℃、時間5時間の条件で硬化させ、封止基板を得た。
(3) Sealing Step First, an amount of the sealing composition that sufficiently hides the electronic device was applied to the upper surface of the substrate (the surface on which the electronic device was placed) after the placement step. As the sealing composition, a known granular sealing composition (containing epoxy resin, silica particles, curing agent, etc.) was used.
Thereafter, the sealing composition was sealed under conditions of a temperature of 175 ° C., a pressure of 10 MPa, and a time of 120 seconds, and cured in an oven at a temperature of 175 ° C. for a time of 5 hours to obtain a sealing substrate.

(4)切削工程および分離工程
上記で得られた封止基板における、封止物と第2の基板(インターポーザー基板)とを適切に切削することで、複数個の電子素子が封止された電子パッケージを切り出した。
切削装置としては、株式会社ディスコ製のダイシング装置 DAD3240を使用した。また、ダイシングブレードとして、型番ZH05−SD2000のものを使用した。
(4) Cutting step and separation step A plurality of electronic elements are sealed by appropriately cutting the sealing material and the second substrate (interposer substrate) in the sealing substrate obtained above. The electronic package was cut out.
As a cutting device, a dicing machine DAD3240 manufactured by DISCO Corporation was used. A dicing blade having a model number ZH05-SD2000 was used.

4.評価
(1)メッキ性(金メッキ)
上記3.で得られた電子パッケージの、インターポーザー基板部分(銅配線等が存在する)に対し、金メッキ処理を行った。
具体的には、電解金めっき液であるテンペレジストEX(日本高純度化学製)へ、電子パッケージの少なくともインターポーザー基板部分を浸漬し(65℃で2分間)、電流密度0.2〜0.4A/dmの条件で処理を行った。
金メッキ処理後、電子パッケージのインターポーザー基板部分を観察し、問題なく金メッキできたものを○(良い)、金が析出せず金メッキができなかったり、金の異常析出が認められたりしたものを×(悪い)とした。
4). Evaluation (1) Plating property (gold plating)
3. above. The gold plating process was performed with respect to the interposer board | substrate part (a copper wiring etc. exist) of the electronic package obtained by (1).
Specifically, at least the interposer substrate portion of the electronic package is immersed in Tempe Resist EX (manufactured by Nippon Kogyo Chemical Co., Ltd.), which is an electrolytic gold plating solution (at 65 ° C. for 2 minutes), and a current density of 0.2-0. The treatment was performed under the condition of 4 A / dm 2 .
After the gold plating process, observe the interposer substrate part of the electronic package. ○ (good) if gold plating was possible without any problems, or if gold was not deposited without gold deposition or abnormal gold deposition was observed. (Bad).

(2)基板接着性
上記3.(2)の配置工程(リフロー工程を含む)において、リフロー処理後に、基板の剥がれ等が発生していないかを確認した。基板(第1の基板および/または第2の基板)の剥がれや膨れが発生しなかった場合を○(良い)、剥がれまたは膨れが発生した場合を×(悪い)とした。
(2) Substrate adhesion 3. In the arrangement process (including the reflow process) of (2), it was confirmed whether or not peeling of the substrate occurred after the reflow process. A case where peeling or swelling of the substrate (first substrate and / or second substrate) did not occur was evaluated as “good”, and a case where peeling or swelling occurred was evaluated as “poor”.

(3)電子パッケージ分離性
上記3.(4)の切削工程にて切り出された電子パッケージについて、以下基準で評価した。
○(良い):切削終了時には、電子パッケージは仮接着フィルムと接着していたが、容易に剥離でき、電子パッケージを分離することができた。
△(やや悪い):切削終了時に、既に電子パッケージは仮接着フィルムから剥離していた。
×(悪い):電子パッケージを仮接着フィルムから容易に剥離することができなかった、または、電子パッケージを仮接着フィルムから剥離した際、第2の基板に損傷が認められた。
(3) Electronic package separability The electronic package cut out in the cutting step (4) was evaluated according to the following criteria.
○ (good): At the end of cutting, the electronic package was adhered to the temporary adhesive film, but could be easily peeled off and the electronic package could be separated.
Δ (slightly bad): At the end of cutting, the electronic package had already peeled from the temporary adhesive film.
X (Bad): The electronic package could not be easily peeled from the temporary adhesive film, or when the electronic package was peeled from the temporary adhesive film, damage was observed on the second substrate.

表1に、仮接着フィルム(熱硬化性樹脂組成物)の組成、上記3.の測定結果、および、上記4.の評価結果をまとめて示す。
表1において、各成分の量の単位は、質量部である。
Table 1 shows the composition of the temporary adhesive film (thermosetting resin composition), 3. Measurement results and 4. above. The evaluation results are summarized.
In Table 1, the unit of the amount of each component is part by mass.

Figure 2019172915
Figure 2019172915

表1(および後掲の表2)に記載されたものの入手先などは以下の通りである。
・エポキシ樹脂1:YX6954BH30(フェノキシ樹脂) 三菱ケミカル社製
・エポキシ樹脂2:1256B40(フェノキシ樹脂) 三菱ケミカル社製
・エポキシ樹脂3:YL6810(ビスフェノールA型エポキシ樹脂) 三菱ケミカル社製
・エポキシ樹脂4:NC3000(BA型エポキシ樹脂) 日本化薬社製
・アクリレート1:NKオリゴUA−122P(ウレタンアクリレート系化合物) 新中村化学社製
・アクリレート2:NKオリゴUA−160TM (ウレタンアクリレート系化合物) 新中村化学社製
・光重合開始剤:Irgacure 651(光ラジカル重合開始剤、化合物名:2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン) BASF社製
・熱硬化触媒:2PZ−PW(イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤) 四国化成製
・無機フィラー粒子:SO−C2(平均粒径0.5μmの溶融シリカ) アドマテックス社製
Where to find what is listed in Table 1 (and Table 2 below) is as follows.
・ Epoxy resin 1: YX6954BH30 (phenoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation ・ Epoxy resin 2: 1256B40 (phenoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation ・ Epoxy resin 3: YL6810 (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation ・ Epoxy resin 4: NC3000 (BA type epoxy resin) Nippon Kayaku Co., Ltd., acrylate 1: NK oligo UA-122P (urethane acrylate compound) Shin Nakamura Chemical Co., Ltd., acrylate 2: NK oligo UA-160TM (urethane acrylate compound) Shin Nakamura Chemical Photopolymerization initiator manufactured by the company: Irgacure 651 (photo radical polymerization initiator, compound name: 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one) Thermosetting catalyst manufactured by BASF: 2PZ-PW (imidazole) Epoxy resin curing agent Shikoku Chemicals Corporation Inorganic filler particles: SO-C2 (mean particle size 0.5μm fused silica) Admatechs Co.

表1に示されるとおり、X−Xで表される炭素原子増加量が7質量%以下である実施例1〜7の仮接着フィルムを用いて電子パッケージを製造した場合、メッキ性は良好であった。
また、引きはがし強さが0.1[kN/m]以上である実施例1〜5および7については、基板接着性や電子パッケージ分離性なども良好であった。仮接着フィルムの接着力を適切に調整することで、電子パッケージ製造において種々の好ましい効果が得られることがわかる。
As shown in Table 1, when producing an electronic package using a temporary adhesive film of Examples 1 to 7 carbon atoms increase represented by X f -X i is equal to or less than 7 wt%, coatability was good Met.
Moreover, about Examples 1-5 and 7 whose peeling strength is 0.1 [kN / m] or more, substrate adhesiveness, electronic package separability, etc. were also favorable. It can be seen that various favorable effects can be obtained in electronic package manufacturing by appropriately adjusting the adhesive strength of the temporary adhesive film.

一方、X−Xが7質量%を超える比較例1〜3では、メッキ性が悪かった。また、電子パッケージ分離性が悪く、実用に供しづらいことが分かった。 On the other hand, in Comparative Examples 1 to 3 X f -X i exceeds 7 mass%, resulting in poor plating property. Moreover, it turned out that electronic package separation property is bad and it is hard to use for practical use.

II.感光性樹脂組成物により仮接着フィルムを製造した例 II. Example of producing a temporary adhesive film from a photosensitive resin composition

1.仮接着フィルム/サポート基板の製造
以下(1)〜(3)の手順により、ステンレス製の第1の基板の片面に、仮接着フィルムを設けた(つまり、サポート基板を製造した)。
1. Manufacture of Temporary Adhesive Film / Support Substrate A temporary adhesive film was provided on one side of the first stainless steel substrate (ie, a support substrate was manufactured) by the following procedures (1) to (3).

(1)後掲の表2に記載の成分をメチルエチルケトンに溶解させて、濃度60質量%の塗布液(光硬化性樹脂組成物)を調製した。
(2)上記の塗布液を、コンマコーターを用いて、PETフィルム(ユニチカ社製 TR1(膜厚38μm))に塗布し、溶媒を乾燥させた。塗布量については、乾燥後の膜厚が10μm程度となるように適宜調整した。これにより、PETフィルムの片面に仮接着フィルムが形成された積層フィルムを得た。
(3)上記(2)の積層フィルムの仮接着フィルムが形成された面を、ステンレス製の第1の基板(厚さ100μm、縦70mm×横200mm)と密着させ、そして真空ラミネートを行った。真空ラミネートには、真空ラミネーター装置(株式会社名機製作所製 MVLP−500/600IIA)を用い、ラミネート条件は50℃/0.3MPaとした。
なお、PETフィルムは、下記2.の各測定の直前、または、下記3.(1)の工程の直前に剥離した。
(1) The components listed in Table 2 below were dissolved in methyl ethyl ketone to prepare a coating liquid (photocurable resin composition) having a concentration of 60% by mass.
(2) The above coating solution was applied to a PET film (TR1 (film thickness: 38 μm) manufactured by Unitika Ltd.) using a comma coater, and the solvent was dried. About the application quantity, it adjusted suitably so that the film thickness after drying might be set to about 10 micrometers. Thereby, the laminated | multilayer film with which the temporary adhesive film was formed in the single side | surface of PET film were obtained.
(3) The surface on which the temporary adhesive film of the laminated film of (2) was formed was brought into close contact with a stainless steel first substrate (thickness 100 μm, length 70 mm × width 200 mm), and vacuum lamination was performed. A vacuum laminator (MVLP-500 / 600IIA manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.) was used for vacuum lamination, and the lamination conditions were 50 ° C./0.3 MPa.
In addition, PET film has the following 2. Immediately before each measurement of the above or the following 3. It peeled just before the process of (1).

2.YおよびYの測定、ならびに、引きはがし強さの測定
(1)YおよびYの測定
まず、上記1.で得られたサポート基板の片面に存在する仮接着フィルムの一部に、露光機(オーク社製の高圧水銀ランプ EXM−1201)を用いて、2000mJ/cmのi線を照射した。これにより、接着力が低下した領域(領域B)と、露光されず接着力が比較的強い領域(領域A)とを設けた。
次に、上記I.2.(1)で準備したものと同じ銅箔の、算術平均表面粗さRaが0.4μmである面を、領域Bの部分に密着させた。そして、真空ラミネーター装置(株式会社名機製作所製 MVLP−500/600IIA)を用いて、温度40℃、圧力0.2MPa、時間30秒で熱圧着し、その後さらにオーブンを用いて150℃で1時間加熱した。加熱終了後、室温で放冷した。
その後、上記I.2.(1)と同様にして、銅箔を引きはがしてエネルギー分散型X線分析測定を行った。
2. Measurement of Y f and Y i and measurement of peel strength (1) Measurement of Y f and Y i First, the above 1. A part of the temporary adhesive film present on one side of the support substrate obtained in the above was irradiated with 2000 mJ / cm 2 of i-line using an exposure machine (High Pressure Mercury Lamp EXM-1201 manufactured by Oak Co.). Thereby, the area | region (area | region B) where the adhesive force fell and the area | region (area | region A) where the adhesive force was not exposed and were comparatively strong were provided.
Next, the above I.D. 2. The surface of the same copper foil as prepared in (1) having an arithmetic average surface roughness Ra of 0.4 μm was brought into close contact with the region B. And using a vacuum laminator device (MVLP-500 / 600IIA manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.), thermocompression bonding was performed at a temperature of 40 ° C., a pressure of 0.2 MPa, and a time of 30 seconds, and further using an oven at 150 ° C. for 1 hour. Heated. After the heating, it was allowed to cool at room temperature.
Thereafter, the above I.D. 2. In the same manner as (1), the copper foil was peeled off, and energy dispersive X-ray analysis measurement was performed.

引きはがした銅箔における仮接着フィルムと接着していた面の、銅原子に対する炭素原子の量(割合)をY質量%とした。また、仮接着フィルムと密着させる前の銅箔の、算術平均表面粗さRaが0.4μmである面の、銅原子に対する炭素原子の量(割合)をY質量%とした。そして、Y−Yを求めた。 The amount (ratio) of carbon atoms to copper atoms on the surface of the peeled copper foil adhered to the temporary adhesive film was defined as Yf mass%. Further, the copper foil prior to contact with the temporary adhesive film, the arithmetic average surface roughness Ra of the surface is 0.4 .mu.m, the amount of carbon atoms to copper atoms (ratio) was Y i mass%. Then, to determine the Y f -Y i.

(2)引きはがし強さの測定
まず、上記1.で得られたサポート基板の片面に存在する仮接着フィルムの一部に、露光機(オーク社製の高圧水銀ランプ EXM−1201)を用いて、2000mJ/cmのi線を照射した。これにより、接着力が低下した領域(領域B)と、露光されず接着力が比較的強い領域(領域A)とを設けた。
次に、上記I.2.(2)で用いたものと同様の銅箔の、算術平均表面粗さRaが0.2μmの面を、領域AとBの両方にまたがるように接触させた。これを 温度60℃、圧力0.3MPa、時間30秒の条件で熱圧着(真空ラミネート)し、さらに、オーブンを用いて150℃で1時間加熱した。その後、室温で放冷した。
その後、上記I.2.(2)と同様にして、銅箔を垂直方向に引きはがし、引きはがし強さ(単位:kN/m)を求めた。
(2) Measurement of peel strength First, the above 1. A part of the temporary adhesive film present on one side of the support substrate obtained in the above was irradiated with 2000 mJ / cm 2 of i-line using an exposure machine (High Pressure Mercury Lamp EXM-1201 manufactured by Oak Co.). Thereby, the area | region (area | region B) where the adhesive force fell and the area | region (area | region A) where the adhesive force was not exposed and were comparatively strong were provided.
Next, the above I.D. 2. A surface of the same copper foil as that used in (2) having an arithmetic average surface roughness Ra of 0.2 μm was brought into contact with both regions A and B. This was thermocompression-bonded (vacuum lamination) under the conditions of a temperature of 60 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a time of 30 seconds, and further heated at 150 ° C. for 1 hour using an oven. Then, it stood to cool at room temperature.
Thereafter, the above I.D. 2. In the same manner as (2), the copper foil was peeled off in the vertical direction, and the peel strength (unit: kN / m) was determined.

3.電子パッケージの製造
以下(1)〜(5)の手順で、電子パッケージを製造した。
3. Manufacture of electronic package The electronic package was manufactured in the following procedures (1) to (5).

(1)露光工程
上記1.で得られたサポート基板の片面に存在する仮接着フィルムの一部に、露光機(オーク社製の高圧水銀ランプ EXM−1201)を用いて、2000mJ/cmのi線をパターン照射した。これにより、接着力が低下した領域(領域B)と、露光されず接着力が比較的強い領域(領域A)とを設けた。
露光パターンについては、図3(ii)のように、仮接着フィルムの中心部に長方形状の領域Bが設けられ、それを領域Aが囲うようにした。
(1) Exposure step A part of the temporary adhesive film present on one side of the support substrate obtained in the above was subjected to pattern irradiation with i-line of 2000 mJ / cm 2 using an exposure machine (high pressure mercury lamp EXM-1201 manufactured by Oak Co.). Thereby, the area | region (area | region B) where the adhesive force fell and the area | region (area | region A) where the adhesive force was not exposed and were comparatively strong were provided.
As for the exposure pattern, as shown in FIG. 3 (ii), a rectangular area B was provided at the center of the temporary adhesive film, and the area A surrounded the area.

(2)仮接着工程
上記I.3.(1)と同様にして、第1の基板−仮接着フィルム−第2の基板(インターポーザー基板)の3層構成の複合基板を得た。
(2) Temporary bonding step 3. In the same manner as (1), a composite substrate having a three-layer structure of a first substrate, a temporary adhesive film, and a second substrate (interposer substrate) was obtained.

(3)配置工程(リフロー工程を含む)
上記I.3.(2)と同様にした。ただし、複数個の電子素子の配置位置については、上記(2)で得られた複合基板を上面視したときに、全ての電子素子が領域Bと重なるようにした。
(3) Placement process (including reflow process)
I. above. 3. Same as (2). However, regarding the arrangement positions of the plurality of electronic elements, all the electronic elements overlap with the region B when the composite substrate obtained in (2) is viewed from above.

(4)封止工程
上記I.3.(3)と同様にした。
(4) Sealing step 3. Same as (3).

(5)切削工程および分離工程
上記I.3.(4)と同様にした。ただし、切削の「位置」については、封止基板を上面視したときの、領域Bに相当する部分の周縁部を長方形状に切削した。
(5) Cutting process and separation process 3. Same as (4). However, with regard to the “position” of cutting, the peripheral portion of the portion corresponding to the region B when the sealing substrate is viewed from above is cut into a rectangular shape.

4.評価
メッキ性(金メッキ)、基板接着性および電子パッケージ分離性について、上記I.4.と同様にして評価した。
4). Evaluation Regarding the plating property (gold plating), the substrate adhesiveness and the electronic package separability, the above I.D. 4). And evaluated in the same manner.

表2に、仮接着フィルム(光硬化性樹脂組成物)の組成、上記3.の測定結果、および、上記4.の評価結果をまとめて示す。
表2において、各成分の量の単位は、質量部である。
表2に記載されたものの入手先などは、表1で説明したとおりである。
Table 2 shows the composition of the temporary adhesive film (photo-curable resin composition), 3. Measurement results and 4. above. The evaluation results are summarized.
In Table 2, the unit of the amount of each component is part by mass.
The sources of the items listed in Table 2 are as described in Table 1.

Figure 2019172915
Figure 2019172915

表2に示されるとおり、Y−Yで表される炭素原子増加量が7質量%以下である実施例2−1〜2−8の仮接着フィルムを用いて電子パッケージを製造した場合、メッキ性は良好であった。
また、未露光部(領域A)の引きはがし強さが0.35[kN/m]以上であり、露光部(領域B)の引きはがし強さが0.3[kN/m]以下である実施例2−1〜2−7については、基板接着性や電子パッケージ分離性なども良好であった。仮接着フィルムの接着力を適切に調整することで、電子パッケージ製造において種々の好ましい効果が得られることがわかる。
As shown in Table 2, when manufacturing an electronic package using a temporary adhesive film of Example 2-1 to 2-8 carbon atoms increase represented by Y f -Y i is not more than 7 wt%, The plating property was good.
Further, the peel strength of the unexposed portion (region A) is 0.35 [kN / m] or more, and the peel strength of the exposed portion (region B) is 0.3 [kN / m] or less. In Examples 2-1 to 2-7, the substrate adhesiveness and the electronic package separability were also good. It can be seen that various favorable effects can be obtained in electronic package manufacturing by appropriately adjusting the adhesive strength of the temporary adhesive film.

一方、Y−Yが7質量%を超える比較例2−1〜2−3では、メッキ性が悪かった。 On the other hand, in Comparative Examples 2-1 to 2-3 in which Y f -Y i exceeds 7 mass%, the plating property was poor.

3 サポート基板
10 第1の基板
12 仮接着フィルム
14 第2の基板
16 電子素子
18 硬化物
20 封止基板
3 Support substrate 10 First substrate 12 Temporary adhesive film 14 Second substrate 16 Electronic element 18 Cured material 20 Sealing substrate

Claims (18)

電子装置の製造に用いられる仮接着フィルムであって、
前記仮接着フィルムと、第一面の算術平均表面粗さRaが0.4μmである第一の銅箔の当該第一面とを、温度40℃、圧力0.2MPa、時間30秒で熱圧着し、その後150℃で1時間加熱して仮接着し、そして前記第一の銅箔を前記仮接着フィルムから引きはがし、引きはがされた第一の銅箔の当該第一面の元素組成を、加速電圧10kVの電子線を一次線とするエネルギー分散型X線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をX質量%とし、
前記熱圧着前の前記第一の銅箔の当該第一面の元素組成を前記エネルギー分散型X線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をX質量%としたとき、
−Xで表される炭素原子増加量が7質量%以下である仮接着フィルム。
A temporary adhesive film used in the manufacture of electronic devices,
Thermobonding the temporary adhesive film and the first surface of the first copper foil having an arithmetic average surface roughness Ra of 0.4 μm on the first surface at a temperature of 40 ° C., a pressure of 0.2 MPa, and a time of 30 seconds. And then temporarily bonded by heating at 150 ° C. for 1 hour, and the first copper foil is peeled off from the temporary adhesive film, and the elemental composition of the first surface of the peeled first copper foil is determined. The amount of carbon atoms relative to copper atoms when measured by energy dispersive X-ray analysis using an electron beam with an acceleration voltage of 10 kV as a primary line is Xf mass%,
When when the elemental composition of the first surface of the first copper foil before the thermocompression bonding was measured by the energy dispersive X-ray analysis, the amount of carbon atoms to copper atoms was X i mass%,
Temporary adhesive film in which the carbon atom increasing amount represented by X f -X i is equal to or less than 7 wt%.
請求項1に記載の仮接着フィルムであって、
前記仮接着フィルムと、少なくとも片面の算術平均表面粗さRaが0.2μmである第二の銅箔の当該片面とを、温度60℃、圧力0.3MPa、時間30秒で熱圧着し、その後150℃で1時間加熱して仮接着し、そして前記第二の銅箔を前記仮接着フィルムから引きはがしたときの引きはがし強さが0.1[kN/m]以上である仮接着フィルム。
The temporary adhesive film according to claim 1,
The temporary adhesive film and at least one side of the second copper foil having an arithmetic average surface roughness Ra of 0.2 μm are thermocompression bonded at a temperature of 60 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a time of 30 seconds, and then Temporary adhesion by heating for 1 hour at 150 ° C. and peeling off when the second copper foil is peeled off from the temporary adhesion film is 0.1 [kN / m] or more .
請求項1または2に記載の仮接着フィルムであって、
エポキシ化合物および重合性(メタ)アクリレート化合物からなる群より選択される少なくとも1種の重合性化合物を含む仮接着フィルム。
The temporary adhesive film according to claim 1 or 2,
A temporary adhesive film comprising at least one polymerizable compound selected from the group consisting of an epoxy compound and a polymerizable (meth) acrylate compound.
請求項1〜3のいずれか1項に記載の仮接着フィルムであって、
ウレタン(メタ)アクリレート化合物を含む仮接着フィルム。
The temporary adhesive film according to any one of claims 1 to 3,
A temporary adhesive film containing a urethane (meth) acrylate compound.
請求項1〜4のいずれか1項に記載の仮接着フィルムであって、
フィラー粒子を含む仮接着フィルム。
The temporary adhesive film according to any one of claims 1 to 4,
Temporary adhesive film containing filler particles.
請求項5に記載の仮接着フィルムであって、
前記フィラー粒子が、無機フィラー粒子を含む仮接着フィルム。
The temporary adhesive film according to claim 5,
The temporary adhesive film in which the filler particles include inorganic filler particles.
第1の基板と、
当該第1の基板の片面に設けられた請求項1〜6のいずれか1項に記載の仮接着フィルムと
を備える電子パッケージ製造用サポート基板。
A first substrate;
A support substrate for manufacturing an electronic package, comprising: the temporary adhesive film according to claim 1 provided on one side of the first substrate.
請求項7に記載の電子パッケージ製造用サポート基板が備える仮接着フィルムと、第2の基板とを仮接着し、複合基板を得る仮接着工程と、
前記第2の基板のある面を上面として前記複合基板を上面視したとき、前記複合基板における前記第2の基板の上に電子素子を配置する配置工程と、
前記配置工程で配置された前記電子素子に対して封止用組成物を適用し、前記封止用組成物の硬化物で前記電子素子が封止された封止基板を得る封止工程と、
前記封止基板の少なくとも一部を切削する切削工程と、
前記サポート基板と、前記第2の基板とを分離する分離工程と、
を含む電子パッケージの製造方法。
A temporary bonding step of temporarily bonding the temporary adhesive film and the second substrate included in the electronic package manufacturing support substrate according to claim 7 to obtain a composite substrate,
An arrangement step of arranging an electronic element on the second substrate in the composite substrate when the composite substrate is viewed from above with a surface of the second substrate as an upper surface;
A sealing step of applying a sealing composition to the electronic elements arranged in the arrangement step, and obtaining a sealing substrate in which the electronic elements are sealed with a cured product of the sealing composition;
A cutting step of cutting at least a part of the sealing substrate;
A separation step of separating the support substrate and the second substrate;
An electronic package manufacturing method including:
電子装置の製造に用いられる仮接着フィルムであって、
当該仮接着フィルムは、露光により接着力が低下または消失する性質を有し、
2000mJ/cmのi線で露光した当該仮接着フィルムと、第一面の算術平均表面粗さRaが0.4μmである第一の銅箔の当該第一面とを、温度40℃、圧力0.2MPa、時間30秒で熱圧着し、その後150℃で1時間加熱して仮接着し、そして前記第一の銅箔を当該仮接着フィルムから引きはがし、引きはがされた前記第一の銅箔の当該第一面の元素組成を加速電圧10kVの電子線を一次線とするエネルギー分散型X線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をY質量%し、
前記熱圧着前の前記第一の銅箔の当該第一面の元素組成を前記エネルギー分散型X線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をY質量%としたとき、
−Yで表される炭素原子増加量が7質量%以下である仮接着フィルム。
A temporary adhesive film used in the manufacture of electronic devices,
The temporary adhesive film has the property that the adhesive strength is reduced or disappears by exposure,
The temporary adhesive film exposed with i-line of 2000 mJ / cm 2 and the first surface of the first copper foil having an arithmetic average surface roughness Ra of 0.4 μm on the first surface, a temperature of 40 ° C. and a pressure Thermocompression bonding was performed at 0.2 MPa for 30 seconds, followed by temporary bonding at 150 ° C. for 1 hour, and the first copper foil was peeled off from the temporary adhesive film, and the first copper film was peeled off. When the elemental composition of the first surface of the copper foil is measured by energy dispersive X-ray analysis using an electron beam with an acceleration voltage of 10 kV as a primary line, the amount of carbon atoms relative to copper atoms is Yf mass%,
When the elemental composition of the first surface of the first copper foil before the thermocompression bonding is measured by the energy dispersive X-ray analysis method, when the amount of carbon atoms relative to copper atoms is Y i mass%,
Temporary adhesive film weight increased carbon atoms represented by Y f -Y i is less than 7 mass%.
請求項9に記載の仮接着フィルムであって、
未露光の前記仮接着フィルムと、少なくとも片面の算術平均表面粗さRaが0.2μmである第二の銅箔の当該片面とを、温度60℃、圧力0.3MPa、時間30秒で熱圧着し、その後150℃で1時間加熱して接着したとき、前記第二の銅箔の引きはがし強さが0.35[kN/m]以上であり、
2000mJ/cmのi線で露光した前記仮接着フィルムと、前記第二の銅箔の当該片面とを、温度60℃、圧力0.3MPa、時間30秒で熱圧着し、その後150℃で1時間加熱して接着したとき、前記第二の銅箔の引きはがし強さが0.3[kN/m]以下である仮接着フィルム。
The temporary adhesive film according to claim 9,
Thermocompression bonding the unexposed temporary adhesive film and the one surface of the second copper foil having an arithmetic average surface roughness Ra of at least one surface of 0.2 μm at a temperature of 60 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a time of 30 seconds. Then, when bonded by heating at 150 ° C. for 1 hour, the peel strength of the second copper foil is 0.35 [kN / m] or more,
The temporary adhesive film exposed with i-line of 2000 mJ / cm 2 and the one side of the second copper foil are thermocompression bonded at a temperature of 60 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a time of 30 seconds, and then at 150 ° C. for 1 A temporary adhesive film having a peel strength of 0.3 [kN / m] or less when the second copper foil is bonded by heating for a period of time.
請求項9または10に記載の仮接着フィルムであって、
光硬化性樹脂組成物により構成されている仮接着フィルム。
The temporary adhesive film according to claim 9 or 10,
The temporary adhesive film comprised with the photocurable resin composition.
請求項9〜11のいずれか1項に記載の仮接着フィルムであって、
エポキシ樹脂および重合性(メタ)アクリレート化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物を含む仮接着フィルム。
The temporary adhesive film according to any one of claims 9 to 11,
A temporary adhesive film comprising at least one compound selected from the group consisting of an epoxy resin and a polymerizable (meth) acrylate compound.
請求項9〜12のいずれか1項に記載の仮接着フィルムであって、
フィラー粒子を含む仮接着フィルム。
The temporary adhesive film according to any one of claims 9 to 12,
Temporary adhesive film containing filler particles.
請求項13に記載の仮接着フィルムであって、
前記フィラー粒子が、無機フィラー粒子を含む仮接着フィルム。
The temporary adhesive film according to claim 13,
The temporary adhesive film in which the filler particles include inorganic filler particles.
請求項に13または14に記載の仮接着フィルムであって、
前記フィラー粒子の平均粒径が0.05〜10μmである仮接着フィルム。
The temporary adhesive film according to claim 13 or 14,
The temporary adhesive film whose average particle diameter of the said filler particle is 0.05-10 micrometers.
第1の基板と、
当該第1の基板の片面に設けられた請求項9〜15のいずれか1項に記載の仮接着フィルムと
を備える電子パッケージ製造用サポート基板。
A first substrate;
A support substrate for manufacturing an electronic package, comprising: the temporary adhesive film according to any one of claims 9 to 15 provided on one side of the first substrate.
請求項16に記載の電子パッケージ製造用サポート基板が有する仮接着フィルムを露光し、接着力の強い領域Aと、前記領域Aより接着力の弱い領域Bと設ける露光工程と、
前記露光工程で露光された仮接着フィルムと第2の基板とを仮接着し、複合基板を得る仮接着工程と、
前記第2の基板のある面を上面として前記複合基板を上面視したとき、前記領域Bと重なるようにして電子素子を配置する配置工程と、
前記配置工程で配置された前記電子素子に対して封止用組成物を適用し、前記封止用組成物の硬化物で前記電子素子が封止された封止基板を得る封止工程と
前記封止基板の少なくとも一部を切削する切削工程と、
前記サポート基板と、前記第2の基板とを分離する分離工程と、
を含む電子パッケージの製造方法。
An exposure process for exposing the temporary adhesive film of the support substrate for manufacturing an electronic package according to claim 16, and providing a region A having a strong adhesive force and a region B having a weaker adhesive force than the region A;
A temporary bonding step of temporarily bonding the temporary adhesive film and the second substrate exposed in the exposure step to obtain a composite substrate;
An arrangement step of arranging an electronic element so as to overlap with the region B when the composite substrate is viewed from above with a surface of the second substrate as an upper surface;
A sealing step of applying a sealing composition to the electronic elements arranged in the arranging step to obtain a sealing substrate in which the electronic elements are sealed with a cured product of the sealing composition; A cutting step of cutting at least a part of the sealing substrate;
A separation step of separating the support substrate and the second substrate;
An electronic package manufacturing method including:
請求項17に記載の電子パッケージの製造方法であって、
前記封止基板における、前記封止用組成物の硬化物のある面を上面として前記封止基板を上面視したとき、前記切削工程は、前記領域Bに相当する部分を切削する工程である電子パッケージの製造方法。
A method of manufacturing an electronic package according to claim 17,
When the sealing substrate is viewed from above with the surface of the sealing substrate having the cured product of the sealing composition as an upper surface, the cutting step is a step of cutting a portion corresponding to the region B Package manufacturing method.
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