JP2019165289A - 高周波接続構造 - Google Patents
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Abstract
Description
例えば、図13に示すように、ソース接地FETを用いた、ドレイン注入ミキサやレジスティブミキサなどのミキサの高周波回路にリッジカプラ212を適用する場合を考える。
はじめに、本発明の実施の形態に係るリッジカプラを用いた高周波接続構造の原理について説明する。本実施の形態に係る高周波接続構造は、導波管に設けられたリッジカプラに形成される接地インダクタンスLの値を調整する手段である、インダクタンス調整構造を備えることを特徴とする。
以下、本発明の第1の実施の形態に係る高周波接続構造1について詳細に説明する。なお、以下において接地インダクタンスLをより小さくする場合のインダクタンス調整構造について説明する。これは、図1のスミスチャートで説明した矢印(i)方向への調整を行う場合に対応する。
導波管壁11は、導体で構成され、例えば筒状の導波管10を形成している。導波管壁11は、図2の(b)に示すように、第1面11aと、第1面11aに対向する第2面11bとを有する。高周波基板20は、導波管壁11の第1面11aと第2面11bとの空間内に、導波管10と隣接するように配置されている。
導波管10の導波管壁11、およびリッジカプラ12は金属などの導体により形成される。
より詳細には、高周波基板20には、伝送線路23と、伝送線路23を挟むように形成された接地導体24と、接地導体24の導波管10側の端部に設けられたアースポスト25とが配設されている。なお、アースポスト25は、図2の(b)に示すように、導波管10の第2面11bと接するように形成されていてもよい。
まず、300GHz帯で動作するように設計したリッジカプラ12において、金属ブロック40の高さH_ADJを100μmから300μmまで変化させた。このときに開放整合される周波数の変化の計算結果を図4に示す。
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。なお、以下の説明では、上述した第1の実施の形態と同じ構成については同一の符号を付し、重複した説明は省略する。
まず、300GHz帯で動作するように設計したリッジカプラ12において、電磁波の伝搬方向における凹部50の長さL_HORIを400μmから600μmまで変化させた。このときに開放整合される周波数の変化の計算結果を図7に示す。
図7の横軸は周波数を示し、縦軸は高周波回路21側から見たときのリッジカプラ12における反射係数の位相(Phase_S22)を示している。図7において、太線は凹部50の長さL_HORIが400μmのときの位相、点線はL_HORIが500μmのときの位相、細線はL_HORIが600μmのときの位相をそれぞれ示している。
Claims (6)
- 導波管と、
前記導波管の一端の内部に形成された導体からなるリッジ構造体と、
前記導波管の前記一端に隣接する伝送線路と、
前記リッジ構造体と前記伝送線路との間に設けられ、前記リッジ構造体と前記導波管との接続により生ずる接地インダクタンスを調整するインダクタンス調整構造と、
前記リッジ構造体の前記伝送線路側の一端と、前記伝送線路の一端とを接続するワイヤと、
を備えることを特徴とする高周波接続構造。 - 請求項1に記載の高周波接続構造において、
前記リッジ構造体の側面と平行な側面を有する台座をさらに備え、
前記リッジ構造体は、四角錐台状に形成され、かつ、前記伝送線路側の側面と底面および上面とのつくる角はそれぞれ直角に形成され、
前記リッジ構造体の底面は前記導波管の内壁に接し、
前記伝送線路は集積回路基板上に形成され、
前記集積回路基板は前記台座に支持され、
前記ワイヤは、前記リッジ構造体の上面の一端と、前記伝送線路の一端とを接続する
ことを特徴とする高周波接続構造。 - 請求項2に記載の高周波接続構造において、
前記インダクタンス調整構造は、前記リッジ構造体の側面、前記台座の側面、および前記導波管の内壁にそれぞれ接する直方体に形成された金属ブロックを含むことを特徴とする高周波接続構造。 - 請求項3に記載の高周波接続構造において、
前記金属ブロックの、前記導波管の電磁波の伝搬方向に垂直な方向の高さは、前記導波管の内壁から前記ワイヤまでの高さより低いことを特徴とする高周波接続構造。 - 請求項2に記載の高周波接続構造において、
前記インダクタンス調整構造は、前記リッジ構造体の側面側の端部から前記台座の側面にわたって前記リッジ構造体の底面側の前記導波管の内壁に形成された凹部であることを特徴とする高周波接続構造。 - 請求項5に記載の高周波接続構造において、
前記凹部の前記導波管の電磁波の伝搬方向の長さは、前記リッジ構造体の側面から前記台座の側面までの間隔よりも長いことを特徴とする高周波接続構造。
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