JP2019161155A - 配線基板とその作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板とその作製方法を提供する。【解決手段】配線基板１００は、第１の基板、第１の基板１０２上の第１の配線１１０、第１の基板１０２上に位置し、樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体１１８、柱状構造体１１８と第１の配線１１０の上に位置し、柱状構造体１１８と第１の配線１１０と接する導電膜１１６、導電膜１１６の上に位置し、導電膜１１６と電気的に接続される第２の配線１１２および第２の配線１１２上の第２の基板１０４を有する。柱状構造体１１８は第１の配線１１０と重なってもよく、また、導電膜１１６は柱状構造体１１８の上面と側面を覆うことができる。【選択図】図１

Description

本開示は、例えば複数の配線基板を接続するための配線基板、およびこの配線基板を作製するための方法に関する。

半導体装置は、半導体基板や絶縁基板などの基板、およびパターニングされた種々の絶縁膜、半導体膜、金属膜の積層体を基本的な構成として備える。絶縁膜、半導体膜、金属膜の形状や積層構造を適宜設計することにより、様々な機能を有する半導体装置を提供することができる。通常、このような半導体装置は配線が形成された基板（配線基板）と接続された状態で使用され、この配線基板を介して供給される信号や電力によって半導体装置が制御、駆動される。例えば特許文献１に開示された半導体装置の一種である表示装置では、表示装置と配線基板とを電気的に接続するための配線パッドが、表示素子が設けられた基板を貫通する貫通配線（貫通電極とも呼ぶ）を介して設けられている。

特開２０１７−１３９４８９号公報

本開示は、配線が形成された複数の基板を電気的に接続するための配線構造とそれを含む配線基板、およびこの配線構造を含む配線基板を作製するための方法を提供することを課題の一つとする。

本開示の実施形態の一つは配線基板である。この配線基板は、第１の基板と、第１の基板上の第１の配線と、第１の基板上に位置し、樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体と、柱状構造体と第１の配線の上に位置し、柱状構造体と第１の配線と接する導電膜と、導電膜上に位置し、導電膜と電気的に接続される第２の配線と、第２の配線上の第２の基板とを有する。

本開示の実施形態の一つは配線基板である。この配線基板は、第１の基板と、第１の基板上の第１の配線と、第１の配線上に位置し、第１の配線と電気的に接続される導電膜と、導電膜上に位置し、導電膜と接し、樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体と、柱状構造体上に位置し、柱状構造体と接する第２の配線と、第２の配線上の第２の基板とを有する。

本開示の実施形態の一つは配線基板を作製する方法である。この方法は、第１の基板上に第１の配線を形成すること、第１の基板上に樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体を形成すること、柱状構造体上に導電膜を形成すること、第２の基板上に第２の配線を形成すること、導電膜と第２の配線が互いに直接接するように第１の基板と第２の基板を貼り合わせることを含む。

本開示の実施形態の一つは配線基板を作製する方法である。この方法は、第１の基板上に第１の配線を形成すること、第２の基板上に第２の配線を形成すること、第２の基板上に樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体を形成すること、柱状構造体上に導電膜を形成すること、導電膜と第２の配線が互いに直接接するように第１の基板と第２の基板を貼り合わせることを含む。

本開示の実施形態の一つは表示装置である。この表示装置は、第１の基板と、第１の基板上の第１の配線と、第１の基板上に位置し、樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体と、柱状構造体上の導電膜と、導電膜上に位置し、導電膜と電気的に接続される第２の配線と、第２の配線上の第２の基板と、第２の基板上に位置し、第２の配線と電気的に接続される第３の配線と、第２の基板上の表示素子とを有する。第３の配線は、表示素子へ信号を伝達するように構成される。

実施形態の一つに係る配線基板の模式的断面図。 実施形態の一つに係る配線基板の模式的断面図。 実施形態の一つに係る配線基板の模式的断面図。 実施形態の一つに係る配線基板の模式的断面図。 実施形態の一つに係る配線基板の模式的断面図。 実施形態の一つに係る配線基板の模式的断面図。 実施形態の一つに係る配線基板の作製方法を説明する模式的断面図。 実施形態の一つに係る配線基板の作製方法を説明する模式的断面図。 実施形態の一つに係る配線基板の作製方法を説明する模式的断面図。 実施形態の一つに係る表示装置の模式的上面図と底面図。 実施形態の一つに係る表示装置の模式的上面図と底面図。 実施形態の一つに係る表示装置の模式的断面図。 実施形態の一つに係る表示装置の模式的断面図。 実施形態の一つに係る表示装置の模式的断面図。 実施形態の一つに係る表示装置の模式的断面図。 実施形態の一つに係る表示装置の模式的断面図。 実施形態の一つに係る表示装置の模式的断面図。 実施形態の一つに係る表示装置の模式的上面図。 実施形態の一つに係る表示装置の模式的断面図。

以下、本開示の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本開示は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省くことがある。

本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」、あるいは「下」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上、あるいは直下に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方、あるいは下方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

本明細書および請求項において、「ある構造体が他の構造体から露出するという」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない態様を意味し、この他の構造体によって覆われていない部分は、さらに別の構造体によって覆われる態様も含む。

（第１実施形態）
１．基本構造
本実施形態では、配線が設けられた二つの基板を電気的に接続するための配線基板１００を説明する。図１（Ａ）に配線基板１００の断面模式図を示す。図１（Ａ）に示すように、配線基板１００は第１の基板１０２と第２の基板１０４を有し、第１の基板１０２上には第１の配線１１０が、第２の基板１０４上には第２の配線１１２が設けられる。第１の配線１１０や第２の配線１１２は、図１（Ａ）に示すようにそれぞれ第１の基板１０２と第２の基板１０４と接するように設けられてもよく、あるいは図示しない絶縁膜を介してそれぞれ第１の基板１０２、第２の基板１０４上に形成されていてもよい。絶縁膜を用いる場合、例えば酸化ケイ素や窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素などのケイ素含有無機化合物を含む層を一つ、あるいは複数有する膜を用いることができる。

配線基板１００はさらに、第１の基板１０２上に少なくとも一つの柱状構造体１１８を有する。柱状構造体１１８は有機化合物を含む絶縁体であり、有機化合物としては樹脂が挙げられる。樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などが例示される。このため、柱状構造体１１８は弾性を示し、外力によって変形することができる。柱状構造体１１８は第１の配線１１０と重ならないように形成されてもよく、あるいは図１（Ｂ）に示すように第１の配線１１０と重なるように設けられてもよい。柱状構造体１１８の高さは、例えば１μｍ以上１００μｍ以下、１μｍ以上８０μｍ以下、あるいは１μｍ以上５０μｍ以下とすることができる。また、第１の基板１０２の上面に平行な面における断面（以下、水平断面と記す）の最大面積は、２０μｍ²以上３０００μｍ²以下、あるいは１００μｍ²以上１５００μｍ²以下とすることができる。

配線基板１００はさらに、柱状構造体１１８上に位置し、柱状構造体１１８と接する導電膜１１６を有する。導電膜１１６は第１の配線１１０とも接し、これにより導電膜１１６と第１の配線１１０が電気的に接続される。導電膜１１６は柱状構造体の上面の少なくとも一部、および側面の少なくとも一部を覆うように形成される。

第１の基板１０２と第２の基板１０４は、導電膜１１６が第２の配線１１２と電気的に接続されるよう、互いに貼り合わされる。したがって、第１の配線１１０、柱状構造体１１８、導電膜１１６、および第２の配線１１２は第１の基板１０２と第２の基板１０４に挟まれる。この時、接着材として機能する樹脂膜１３０を第１の基板１０２と第２の基板１０４の間に設けてもよい。樹脂膜１３０には、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。図１（Ａ）や図１（Ｂ）に示した配線基板１００では、樹脂膜１３０は導電膜１１６の少なくとも一部を覆う。

上述した第１の配線１１０、第２の配線１１２、および導電膜１１６には導電性を示す種々の材料を用いることができる。例えば銅、モリブデン、チタン、タングステン、タンタル、アルミニウム、金、銀などの０価の金属、これらの金属から選択される少なくとも一つを含む合金、あるいはインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性酸化物を用いることができる。導電性が高い銅やアルミニウムを用いることで、配線基板１００を設置することによる抵抗の増大を抑制することができる。また、後述するように、比較的硬度が低い銅を用いることで、より信頼性が高い電気的接続が構築可能な配線基板１００を提供することができる。第１の配線１１０、第２の配線１１２の厚さは、例えば０．０５μｍ以上２０μｍ以下、０．１μｍ以上１５μｍ以下、あるいは０．２μｍ以上１０μｍ以下とすればよい。これにより、十分な導電性を得ることができる。導電膜１１６の厚さは、例えば０．０１μｍ以上１５μｍ以下、０．０５μｍ以上１０μｍ以下、あるいは０．２μｍ以上８μｍ以下とすることができる。このような厚さで導電膜１１６を形成することで導電膜１１６に高い柔軟性を付与することができ、柱状構造体１１８が変形しても導電膜１１６の破損や断線を防ぐことができる。

配線が設けられる二つの基板を電気的に接続する場合、異方性導電膜が汎用される。異方性導電膜は、樹脂でコーティングされたニッケルや銀、金などの導電体粒子やはんだ粒子が高分子に分散された構造を有しており、異方性導電膜を基板間に配置して加熱しながら圧力を加えることで、これらの金属やはんだが配線間を電気的に接続する。このため、配線間の電気的接続は粒子状の導電体と平面状の配線との接触によって行われるため、必ずしも電気的接続は安定しない。また、高分子と導電体の間には大きな熱膨張係数の差が存在するため、配線間の接続後の冷却過程で応力が蓄積される。このため、導電体にクラックが発生する、あるいは導電体と配線との剥離が生じ、これは配線基板の信頼性を低下させる要因となる。

これに対し、詳細は後述するが、本実施形態の配線基板１００は、導電膜１１６が形成された第１の基板１０２と第２の配線１１２が形成された第２の基板１０４を貼り合わせ、樹脂膜１３０を用いて接着することで作製され、これにより第１の配線１１０と第２の配線１１２が導電膜１１６を介して電気的に接続される。図１（Ａ）や図１（Ｂ）に示すように、柱状構造体１１８は上面に平坦な面を有することができる。したがって、柱状構造体１１８上では導電膜１１６も高い平坦性を有する。また、第２の配線１１２は第２の基板１０４上に形成されるため、その平坦性も高い。このため、導電膜１１６と第２の配線１１２間の電気的接続には比較的大きな面積を利用して行うことができるため、接触抵抗の増大を抑制することができるだけでなく、より確実な電気的接続を達成することができる。

柱状構造体１１８を形成した時点でその上面が平坦でない場合でも、柱状構造体１１８は弾性を示すため、第１の基板１０２と第２の基板１０４を貼り合わせる際に柱状構造体１１８は変形し、第２の配線１１２の平坦な面形状が柱状構造体１１８の上面に反映される。このため、導電膜１１６の上面にも平坦な面が形成され、その結果、信頼性の高い電気的接続を達成することができる。

上述したように、柱状構造体１１８は弾性を示すため、第１の基板１０２と第２の基板１０４を貼り合わせる際に圧力が印加されても柱状構造体１１８が破壊されることは無く、また、第１の基板１０２と第２の基板１０４の貼り合わせ後において導電膜１１６を第２の配線１１２の方向に押し付けるための応力が内部に発生する。この応力は導電膜１１６と第２の配線１１２を確実に物理的に接触させることに寄与する。また、銅などの硬度が低い導電材料を導電膜１１６に採用することで、第１の基板１０２と第２の基板１０４を貼り合わせる際に柱状構造体１１８が変形しても導電膜１１６が柱状構造体１１８の変形に追従するため、導電膜１１６の破損を抑制することができる。このため、導電膜１１６と第２の配線１１２間が剥離する可能性が大幅に低減され、高い信頼性を有する電気的接続を構築することができる。

２．変形例
配線基板１００の構造は上述した構造に限られることは無く、配線基板１００は種々の構造を有することができる。例えば柱状構造体１１８と導電膜１１６との上下関係に制約は無く、図１（Ｃ）に示すように、導電膜１１６上に柱状構造体１１８が位置するよう、配線基板１００を構成してもよい。この場合、導電膜１１６は第１の配線１１０と柱状構造体１１８の間、あるいは第１の基板１０２と柱状構造体１１８の間に配置され、導電膜１１６は樹脂膜１３０の一部を覆う。第１の配線１１０と第２の配線１１２間の電気的接続は、第１の配線１１０と導電膜１１６が有する平坦な面を介して行われるため、信頼性の高い電気的接続を達成することができる。

あるいは図２（Ａ）に示すように、配線基板１００は複数の柱状構造体１１８を有してもよい。複数の柱状構造体１１８を設ける場合、少なくとも１つは導電膜１１６から離れて配置され、導電膜１１６と接しなくてもよい。具体的には図２（Ｂ）に示すように、配線基板１００は、導電膜１１６と接する柱状構造体１１８−１と共に、上面や側面が導電膜１１６によって覆われない柱状構造体１１８−２を備えてもよい。この場合、柱状構造体１１８−２は緩衝材、あるいはスペーサーとして機能することもでき、第１の基板１０２と第２の基板１０４間の間隔の維持に寄与する。図示しないが、柱状構造体１１８−２は、導電膜１１６から絶縁されるように分離された導電性の膜で表面のすべて、あるいはその一部が覆われていてもよい。

あるいは図３（Ａ）から図３（Ｃ）に示すように、配線基板１００は貫通電極を備えてもよい。例えば図３（Ａ）に示した例のように、配線基板１００は第１の基板１０２に設けられる貫通孔、およびこの貫通孔を貫通する第１の貫通電極１２０を有することができる。第１の貫通電極１２０は第１の配線１１０と電気的に接続される。この場合、第１の配線１１０の一部は、導電膜１１６と第１の貫通電極１２０を電気的に接続するために十分な面積を提供するためのパッドとしても機能し、その部分はランドとも呼ばれる。任意の構成として、配線基板１００はさらに、第１の基板１０２の下に、第１の貫通電極１２０と電気的に接続される配線（第４の配線）１２２を有してもよい。第４の配線１２２もその一部がランドとして機能し、種々の半導体装置や他の配線基板との接続に利用することができる。

同様に、第２の基板１０４にも貫通電極を形成してもよい。例えば図３（Ｂ）に示すように、配線基板１００はさらに、第２の基板１０４に設けられる貫通孔、およびこの貫通孔を貫通する第２の貫通電極１２４を有することができる。第２の貫通電極１２４は第２の配線１１２と電気的に接続される。配線基板１００はさらに、第２の基板１０４の上に、第２の貫通電極１２４と電気的に接続される配線（第３の配線）１２６を有してもよい。第１の配線１１０や第４の配線１２２と同様、第２の配線１１２や第３の配線１２６の一部もランドとしても機能することができ、後者は他の半導体装置や配線基板との接続に供される。なお、柱状構造体１１８は必ずしも貫通電極と重なる必要は無い。例えば図３（Ｃ）に示すように、第１の貫通電極１２０は柱状構造体１１８と重ならないように形成することができる。図示していないが、第２の貫通電極１２４も柱状構造体１１８と重ならないよう形成してもよい。

第１の貫通電極１２０は必ずしも貫通孔の全体を埋める必要は無く、図４（Ａ）に示すように、第１の基板１０２の上面と下面の一部、および貫通孔の側壁を連続的に覆うことで第１の基板１０２の上面と下面の間で電気的接続が可能なように形成されればよい。同様に、第２の貫通電極１２４も第２の基板１０４の貫通孔の全体を埋める必要は無く、図４（Ｂ）に示すように、第２の基板１０４の上面と下面の一部、および貫通孔の側壁を連続的に覆うことで第２の基板１０４の上面と下面の間で電気的接続が可能なように形成してもよい。このような構造を採用する場合、貫通孔には充填材１３２を充填してもよい。充填材１３２としては、エポキシ樹脂やアクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステルなどの高分子が挙げられる。なお、貫通孔の全体を第１の貫通電極１２０で埋めない場合、図４（Ｃ）に示すように、第１の貫通電極１２０が第１の配線１１０としても機能するよう、配線基板１００を構成してもよい。この場合、第１の配線１１０を別途設ける必要は無く、第１の貫通電極１２０は樹脂膜１３０と接する。換言すると、第１の基板１０２を貫通する貫通孔の側壁の全体、あるいは少なくとも一部を覆うように、第１の配線１１０を貫通孔内に第１の貫通電極１２０として形成してもよい。この場合、第１の配線１１０は充填材１３２と側壁の間に位置し、第１の配線１１０が樹脂膜１３０と接する。柱状構造体１１８は充填材１３２と重なるように設けてもよい。

図示しないが、第２の配線１１２を形成せず、第２の貫通電極１２４が第２の配線１１２としても機能するよう、配線基板１００を構成してもよい。すなわち、第２の基板１０４を貫通する貫通孔の側壁の全体、あるいは少なくとも一部を覆うように、第２の配線１１２を第２の貫通電極１２４として貫通孔内に形成してもよい。この場合、第２の配線１１２は充填材１３２と側壁の間に位置する。柱状構造体１１８は充填材１３２の一部と重なるように設けてもよい。

柱状構造体１１８の形状に制約は無く、第１の基板１０２の上面に垂直な断面（以下、垂直断面と記す）の形状は、正方形、長方形、台形でもよい。図１（Ａ）に示すように柱状構造体１１８の垂直断面が長方形になる場合、柱状構造体１１８の底面積と上面の面積は同一、あるいは実質的に同一となる。これに対し図５（Ａ）に示す例では、垂直断面は、下底（互いに平行な辺のうち、第２の基板１０４よりも第１の基板１０２により近い辺）が上底よりも長くなるように構成される台形である。この場合、柱状構造体１１８の底面積は上面の面積よりも大きい。これに対し、垂直断面において下底が上底よりも短くなるよう柱状構造体１１８を形成してもよい（図５（Ｂ））。この場合には、柱状構造体１１８の底面積は上面の面積よりも小さい。

柱状構造体１１８の垂直断面は、必ずしも正確な多角形である必要は無く、図６（Ａ）に示すように丸みを帯びた角を有していてもよい。また、柱状構造体１１８の側面は直線のみで構成される必要は無く、曲面を含んでもよい。例えば、柱状構造体１１８は、第１の基板１０２の上面に平行な方向においてテーパー形状を有してもよい。すなわち、柱状構造体１１８の側面の第１の基板１０２の上面に対する傾きは、垂直断面において、第１の基板１０２から離れるにしたがって連続的に増大し、上面に近づくにつれて連続的に減少するよう柱状構造体１１８の形状を調整してもよい。このような形状を採用する場合、垂直断面において柱状構造体１１８の側面は複数の変曲点を含む。なお本明細書と請求項において、柱状構造体１１８の垂直断面の角が丸みを帯びる場合、上面の面積とは、柱状構造体１１８の高さ全体の９５％の位置を通る水平断面１１８ｃの面積を指す（図６（Ｂ）参照）。ここで、柱状構造体１１８の高さとは、柱状構造体１１８の最も高い位置１１８ａから底面までの距離Ｈであり、底面１１８ｂとは柱状構造体１１８が第１の配線１１０、あるいは第１の基板１０２（第１の基板１０２上に絶縁膜を形成する場合には、絶縁膜）と接する面である。

上述した変形例においても、第１の配線１１０と第２の配線１１２間の電気的接続は、これらが有する平坦な面、および導電膜１１６が有する平坦な面を介して行われる。このため、信頼性の高い電気的接続を構築することが可能となる。

（第２実施形態）
本実施形態では、配線基板１００の作製方法の一例を説明する。ここでは図５（Ａ）に示した配線基板１００の作製方法を図７（Ａ）から図９（Ｂ）に示した断面模式図を用いて述べる。第１実施形態で述べた構成と同様、あるいは類似する構成に関しては説明を割愛することがある。

まず、第１の基板１０２に貫通孔を形成する（図７（Ａ））。第１の基板１０２に用いられる材料としては、ガラスや石英などの酸化ケイ素、シリコン、ヒ化ガリウム、窒化ガリウムなどの半導体、セラミックス、高分子などが挙げられる。高分子としては、ポリイミドやポリアミド、ポリエステル、ポリカルボナートを基本骨格として有する高分子や、エポキシ樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などが例示される。あるいは第１の基板１０２は、ガラスと樹脂の複合材料を含んでもよく、この場合、樹脂としてはエポキシ樹脂などを用いることができる。第１の基板１０２は可撓性を有していてもよい。

貫通孔は、プラズマエッチングやウェットエッチングなどのエッチング、レーザ照射、あるいはサンドブラストや超音波ドリルなどの機械的な加工によって形成すればよい。貫通孔の数や大きさは配線基板１００に要求される機能に従って任意に決定される。

次に、第１の貫通電極１２０を形成する。第１の貫通電極１２０は種々の方法によって形成することができるが、代表的な方法としてめっき法が挙げられる。この場合、まず、シード層１３４を貫通孔の側壁や第１の基板１０２の上面と下面を覆うように形成する（図７（Ｂ））。シード層１３４はチタン、あるいは銅を含み、スパッタリング法や化学気相堆積（ＣＶＤ）法、無電解めっき、蒸着法などによって形成することができる。特にスパッタリング法を適用することで、効率よくシード層１３４が形成される。図示しないが、シード層１３４の形成の前に、貫通孔の側壁や第１の基板１０２の両面にポリイミドやポリアミドなどの有機化合物、あるいは酸化ケイ素や窒化ケイ素などの無機化合物を含む絶縁膜を一層、あるいは複数層形成してもよい。

次に、第１の貫通電極１２０を形成しない領域を保護するためのレジストマスク１３６を第１の基板１０２の上面と下面に形成する（図７（Ｃ））。レジストマスク１３６は、液体のレジストを塗布、硬化することで形成しても良いが、第１の基板１０２が貫通孔を有しているため、フィルム状のレジストを上面と下面に貼り付け、その後露光と現像を行うことで効率よく形成することができる。その後、シード層１３４に給電して電解めっきを行い、レジストマスク１３６に覆われていないシード層１３４上に金属膜を成膜し、第１の貫通電極１２０が形成される（図７（Ｄ））。

その後、レジストマスク１３６を除去し（図７（Ｄ））、第１の貫通電極１２０から露出したシード層１３４をエッチングによって除去する（図７（Ｅ））。エッチャントとしては、硫酸などの酸を含むエッチャントを使用することができる。必要に応じ、第１の基板１０２の上面と下面に対して平坦化処理を行ってもよい。平坦化処理は、例えば例えばダイヤモンドバイトによる物理的な研磨、あるいは研磨剤が分散した研磨液を用いる化学機械研磨（ＣＭＰ）を利用して行うことができる。

図４（Ａ）から図４（Ｃ）に示す配線基板１００のように、第１の基板１０２の貫通孔の全体を第１の貫通電極１２０で充填しない場合も同様に、シード層１３４を貫通孔の側壁や第１の基板１０２の上面と下面を覆うように形成し（図８（Ａ））、その後第１の貫通電極１２０を形成しない領域を保護するためのレジストマスク１３６を第１の基板１０２の上面と下面に形成する（図８（Ｂ））。引き続きシード層１３４に給電して電解めっきを行い、レジストマスク１３６に覆われていないシード層１３４上に金属膜１３５を成膜し、その後レジストマスク１３６の除去、および金属膜１３５から露出したシード層１３４をエッチングによって除去することで、シード層１３４と金属膜１３５の積層を含む第１の貫通電極１２０が形成される（図８（Ｃ））。第１の貫通電極１２０は第１の配線１１０として機能することができる。この後、上述した高分子を塗布する、あるいは貼り合わせて貫通孔を充填することで、充填材１３２が貫通孔内に配置される（図８（Ｄ））。

図７（Ｅ）の状態が得られた後、第１の貫通電極１２０と電気的に接続されるように第１の配線１１０と第４の配線１２２をそれぞれ第１の基板１０２の上下に形成する（図９（Ａ））。第１の配線１１０や第４の配線１２２はＣＶＤ法やスパッタリング法、無電解めっき法、電解めっき法などを用いて形成することができる。第１の配線１１０と第４の配線１２２の形成順序に限定は無い。また、第４の配線１２２は、第１の基板１０２と第２の基板１０４を貼り合わせたのちに形成してもよい。

この後、柱状構造体１１８をフォトリソグラフィーを適用して形成する（図９（Ｂ））。柱状構造体１１８は、柱状構造体１１８を構成する樹脂や高分子の原料であるオリゴマー、あるいは前駆体であるフォトレジストをスピンコート法やインクジェット法、ディップコーティング法などの湿式成膜法を適用して塗布し、その後フォトマスクを介した露光、現像、加熱処理を行うことで形成することができる。オリゴマーや前駆体がシート状である場合には、これを第１の基板１０２上に設置し、その後、フォトマスクを介した露光、現像、加熱処理を行うことで柱状構造体１１８が形成される。

柱状構造体１１８を形成した後、導電膜１１６を形成する（図９（Ｂ））。導電膜１１６もＣＶＤ法やスパッタリング法、めっき法などを適用して形成される。

第２の基板１０４に対しても貫通孔、貫通孔内に設置される第２の貫通電極１２４、第２の配線１１２、第３の配線１２６が形成される。第２の基板１０４も第１の基板１０２で使用可能な材料を含むことができ、第１の基板１０２と第２の基板１０４に可撓性を付与することで、変形可能な配線基板１００を形成することも可能である。第２の基板１０４の貫通孔や第２の貫通電極１２４、第２の配線１１２、第３の配線１２６は、第１の基板１０２に設けられる貫通孔、第１の貫通電極１２０、第１の配線１１０と同様の方法で形成できるため、これらの形成方法の説明は割愛する。第３の配線１２６も、第１の基板１０２と第２の基板１０４を貼り合わせたのちに形成してもよい。

この後、樹脂膜１３０を導電膜１１６上に塗布、あるいは貼り合わせによって形成し、第１の配線１１０、柱状構造体１１８、導電膜１１６、および第２の配線１１２が第１の基板１０２と第２の基板１０４に挟まれるよう、第２の基板１０４を第１の基板１０２上に配置する。この時、導電膜１１６と第２の配線１１２が確実に接するよう、第２の基板１０４、あるいは第１の基板１０２、もしくは両者に対して圧力を加えてもよい。柱状構造体１１８の上面が平坦でない場合、第２の配線１１２が柱状構造体１１８に押し付けられることで第２の配線１１２の平坦性が柱状構造体１１８と導電膜１１６の上面に反映される。このため、導電膜１１６と第２の配線１１２間には比較的広い面積を有する接触面が形成され、その結果、信頼性の高い電気的接続が構築される。その後樹脂膜１３０を硬化させることで第１の基板１０２と第２の基板１０４が固定される（図５（Ａ））。なお、樹脂膜１３０を第２の配線１１２に塗布し、その上に第１の基板１０２を配置することで貼り合わせを行ってもよい。

上述したように、柱状構造体１１８はフォトリソグラフィーを適用して形成することができる。詳細は割愛するが、導電膜１１６も汎用半導体プロセス、すなわちフォトリソグラフィーを利用して形成される。したがって、本実施形態の配線基板１００は、半導体プロセスで汎用される工程によって作製することができ、配線基板１００の形成に比較的高価な異方性導電膜を用いる必要は無い。また、リソグラフィーを適用することで、柱状構造体１１８や導電膜１１６を位置精度よく形成することが可能である。このため、本実施形態を実施することにより、低コストで高い信頼性を有する配線構造とそれを有する配線基板を提供することが可能となる。

（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態で述べた配線基板１００が適用された半導体装置として表示装置を説明する。第１実施形態で述べた構成と同様、あるいは類似する構成に関しては説明を割愛することがある。なお、本明細書と請求項において、表示素子は非自発光型表示素子と自発光型表示素子に分類される。非自発光型表示素子は、液晶素子や電気泳動素子、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）素子を有する表示素子などを含む。自発光型表示素子は、有機化合物が発光を担う有機電界発光素子、および無機半導体が発光を担う無機電界発光素子を含む。前者をＯＬＥＤと呼び、後者をＬＥＤと呼ぶ。本明細書と請求項では、ＯＬＥＤとＬＥＤを総じて発光素子と記す。

１．構造
本開示の実施形態の一つである表示装置１５０の模式的上面図と底面図をそれぞれ図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に示す。これらの図から理解されるように、表示装置１５０は第１の基板１５２、および第１の基板１５２上に設けられる第２の基板１５４を有する。第１の基板１５２と第２の基板１５４はそれぞれ、配線基板１００の第１の基板１０２と第２の基板１０４に対応する。

第２の基板１５４上にはパターニングされた種々の絶縁膜、半導体膜、絶縁膜が積層され、これらによって複数の画素１５６が構成される。複数の画素１５６が設けられる領域が表示領域１５８である。後述するように、各画素１５６にはＬＥＤ２００が設けられる。図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に示した例では、表示装置１５０は第１の基板１５２下に駆動回路（走査線側駆動回路１６０、信号線側駆動回路１６２）が設けられる。ここでは表示装置１５０に二つの走査線側駆動回路１６０と一つの信号線側駆動回路１６２が設けられる例が示されているが、これらの駆動回路の数や配置に制約はない。また、これらの駆動回路は第１の基板１５２の一つの面（下面）上に直接形成されてもよく、半導体基板などの異なる基板上に形成された集積回路を駆動回路として第１の基板１５２下に搭載してもよい。

図１１（Ａ）と図１１（Ｂ）に表示装置１５０の端部の模式的上面図と底面図をそれぞれ示す。一つの画素１５６の一部と表示装置１５０の端部付近の断面模式図を図１２に示す。各画素１５６は種々の配線と接続されており、図１１（Ａ）にはそのうちの一つの配線１７０とそれに接続される画素１５６が図示されている。図１１（Ａ）に示した例では、配線１７０が延伸する方向において複数の画素１５６が配線１７０と接続される。配線１７０は、各画素１５６に設けられるトランジスタ１８０やＬＥＤ２００（図１２参照）などの半導体素子と電気的に接続され、種々の信号（ゲート信号、リセット信号など）が配線１７０を介して各画素１５６に供給される。

配線１７０は第２の基板１５４付近で第３の配線１２６に接続される。第２の基板１５４には、貫通孔１７２とそこに配置される第２の貫通電極１２４、および第２の基板１５４の下面に設けられる第２の配線１１２が設けられる。これらの第３の配線１２６、第２の貫通電極１２４、および第２の配線１１２はそれぞれ、配線基板１００の第３の配線１２６、第２の貫通電極１２４、および第２の配線１１２に対応する。

第１の基板１５２にも貫通孔１７４が設けられ、貫通孔１７４には第１の貫通電極１２０が形成される（図１２参照）。表示装置１５０はさらに、第１の基板１５２上に配置され、第１の貫通電極１２０と電気的に接続される第１の配線１１０、第１の基板１５２上の柱状構造体１１８、および柱状構造体１１８上に形成される導電膜１１６を有する。これらの第１の配線１１０、柱状構造体１１８、および導電膜１１６もそれぞれ、配線基板１００の第１の配線１１０、柱状構造体１１８、および導電膜１１６に対応する。

第４の配線１２２は第１の基板１５２の下に配置され、走査線側駆動回路１６０と電気的に接続される。したがって走査線側駆動回路１６０は、第４の配線１２２、第１の貫通電極１２０、第１の配線１１０、導電膜１１６、第２の配線１１２、第２の貫通電極１２４、第３の配線１２６、および配線１７０を介し、画素１５６と電気的に接続される。換言すると、表示装置１５０は、その基板端部に配線基板１００を有し、これによって走査線側駆動回路１６０から供給される各種信号が画素１５６に与えられる。

図１２に示すように、各画素１５６にはＬＥＤ２００とそれに接続されるトランジスタ１８０が設けられる。ただし、画素１５６の構造はこれに限定されない。例えば複数のトランジスタや容量素子が各画素１５６に設けられていてもよい。

トランジスタ１８０は、例えばゲート電極１８２、ゲート電極１８２上のゲート絶縁膜１８４、ゲート絶縁膜１８４を介してゲート電極１８２と重なる半導体膜１８６、および半導体膜１８６と電気的に接続されるソース／ドレイン電極１８８、１９０などを含む。ＬＥＤ２００は、例えば接続パッド２０２、２０３、接続パッド２０２と電気的に接続される第１の電極２０６、第１の電極２０６の上に位置する積層された半導体膜２０８、半導体膜２０８上の第２の電極２１０、および第２の電極２１０と接続パッド２０３を電気的に接続する引回し配線２０４などを含む。ソース／ドレイン電極１８８、接続パッド２０２、および第１の電極２０６を介してホールが半導体膜２０８に注入され、一方、接続パッド２０３、引回し配線２０４、および第２の電極２１０を介して電子が半導体膜２０８に注入される。注入されたホールと電子は半導体膜２０８内の活性層で再結合し、発光に至る。表示装置１５０にはさらに、封止膜２１２を介して対向基板２１４が設けられ、これらによってトランジスタ１８０やＬＥＤ２００が保護される。

詳細な説明は割愛するが、走査線側駆動回路１６０と同様、信号線側駆動回路１６２と画素１５６間の接続においても配線基板１００を適用することができ、これにより、映像信号や初期化信号などの各種信号、ならびにＬＥＤ２００の発光に用いられる電力が配線基板１００を介して各画素１５６へ供給される。

２．変形例
表示装置１５０の構造は、上述した構造に限られない。例えば図１３に示すように、各画素１５６中に設けられるトランジスタの全て、あるいは一部は第２の基板１５４の下面に、第１の基板１５２と第２の基板１５４に挟まれるように設けてもよい。例えばＬＥＤ２００と接続されるトランジスタ１８０を第２の基板１５４の下に設けることができる。より具体的には、第２の基板１５４の下に位置し、かつ、第１の基板１５２と比較して第２の基板１５４により近く位置するよう、トランジスタ１８０を設けてもよい。この場合、樹脂膜１３０上にトランジスタ１８０が位置し、第２の貫通電極１２４、および第２の貫通電極１２４の下に設けられ、第２の貫通電極１２４と電気的に接続されるランド１２８によってトランジスタ１８０とＬＥＤ２００が電気的に接続される。画素１５６と接続される配線１７０は第２の基板１５４の下に設けられ、配線基板１００の第２の配線１１２として機能する。

あるいは図１４に示すように、トランジスタ１８０は、第２の基板１５４と比較して第１の基板１５２により近く位置するように第１の基板１５２の上に配置してもよい。この場合、樹脂膜１３０はトランジスタ１８０の上に位置し、その上に第２の基板１５４が設けられる。この時、トランジスタ１８０とＬＥＤ２００との電気的接続のために配線基板１００の構造を適用することができる。すなわち、柱状構造体１１８を第１の基板１５２上に形成し、その上に配線基板１００の導電膜としてソース／ドレイン電極１８８を設けることができる。第２の基板１５４の下には第２の配線１１２が設けられ、トランジスタ１８０はソース／ドレイン電極１８８として機能する導電膜１１６、第２の配線１１２、第２の貫通電極１２４を介してＬＥＤ２００と電気的に接続される。この時、半導体膜１８６、あるいはもう一方のソース／ドレイン電極１９０が配線基板１００の第１の配線１１０と見做すことができる。トランジスタ１８０はさらに、第１の基板１５２上に設けられる配線１７０と接続され、配線１７０は第１の基板１５２に形成される第１の貫通電極１２０を介して走査線側駆動回路１６０と接続される。なお、図１４に示した例では、ソース／ドレイン電極１８８が導電膜１１６を兼ねる構成が示されているが、ソース／ドレイン電極１８８上にソース／ドレイン電極１８８に接する導電膜１１６を柱状構造体１１８を覆うように設けてもよい。この場合には、ソース／ドレイン電極１８８を配線基板１００の第１の配線１１０と見做すことができる。

あるいは図１５に示すように、トランジスタ１８０を第１の基板１５２の下に形成してもよい。この場合、図１２に示した表示装置１５０と同様、第１の基板１５２と第２の基板１５４に設けられる配線間の電気的接続に配線基板１００の構造が利用される。すなわち、第１の基板１５２の貫通孔に第１の貫通電極１２０として設けられる第１の配線１１０、第１の配線１１０上の柱状構造体１１８、柱状構造体１１８上の導電膜１１６、および導電膜１１６の上に位置し、導電膜１１６と電気的に接続される第２の配線１１２が配線基板１００に相当し、この構造を介してＬＥＤ２００がトランジスタ１８０と電気的に接続される。トランジスタ１８０を第１の基板１５２の下に設ける場合、表示装置１５０は、トランジスタ１８０を保護する保護膜１３１を任意の構成としてさらに有してもよい。保護膜１３１は、少なくともトランジスタ１８０を覆うように設ければよい。

上述した表示装置１５０はいわゆるマイクロＬＥＤ表示装置であるが、表示装置１５０に適用可能な表示素子もＬＥＤに限られることはなく、例えば図１６に示すようにＯＬＥＤ２２０を適用することができる。図１６に示した例では、トランジスタ１８０上に平坦化膜２１６が設けられ、その上にＯＬＥＤ２２０が配置される。ＯＬＥＤ２２０は第１の電極２２２、第１の電極２２２上の第２の電極２２６、および第１の電極２２２と第２の電極２２６の間に設けられる電界発光層（以下、ＥＬ層と記す）２２４によって構成される。第１の電極２２２と第２の電極２２６の少なくとも一方は可視光を透過可能なように構成される。第１の電極２２２は、平坦化膜２１６中に設けられる開口を介してソース／ドレイン電極１９０と接続され、開口に起因する凹凸は隔壁２１８によって覆われる。ＥＬ層２２４の構造に制約は無く、キャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリアブロッキング層などの種々の機能層を適宜組み合わせて形成される。

同様に、表示素子として液晶素子を利用することも可能である。例えば図１７に示すように、液晶素子２３０を平坦化膜２１６上に形成することができる。液晶素子は第１の電極２３２、第１の電極２３２を覆う第１の配向膜２３４、第１の配向膜２３４上の液晶層２３６、液晶層２３６上の第２の配向膜２３８、第２の配向膜２３８上の第２の電極２４０を基本的な構成として有する。任意の構成として、液晶素子２３０と対向基板２１４の間にカラーフィルタ２４４や遮光膜２４６、およびこれらを覆うオーバーコート２４２を設けてもよい。ここに示した例では、液晶素子２３０はいわゆるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶素子、あるいはＶＡ（Ｖｉｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）液晶素子であるが、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）液晶素子を表示装置１５０に適用することも可能である。

上述したように、表示装置１５０は配線基板１００を含む。また、第１実施形態で述べたように、配線基板１００を適用することで、第１の基板１５２と第２の基板１０４に設けられる配線間において信頼性の高い電気的接続が構築されるため、表示装置１５０の信頼性を向上させることができる。また、配線基板１００では異方性導電膜を使用する必要が無いため、本実施形態を適用することにより、低コストで高信頼性の表示装置を提供することが可能となる。

（第４実施形態）
本実施形態では、表示装置１５０とは異なる構造を有する表示装置２５０に関して説明する。本実施形態では、表示素子としてＯＬＥＤ２２０が各画素１５６に設けられる例を用いて説明を行うが、適用可能な表示素子はＯＬＥＤ２２０に限られず、種々の自発光型表示素子、非自発光型表示素子を適用することができる。第１から第３実施形態で述べた構成と同様、あるいは類似する構成に関しては説明を割愛することがある。

表示装置２５０の上面模式図を図１８に、画素１５６と表示装置２５０の端部付近の断面模式図を図１９に示す。表示装置２５０と表示装置１５０の相違点として、表示装置２５０では第１の基板１５２上に表示素子が設けられる点、および表示装置１５０の第２の基板１５４に相当する基板がフレキシブル印刷回路基板（以下、ＦＰＣ）２５４である点などが挙げられる。

具体的には、表示装置２５０は第１の基板１５２を有し、第１の基板１５２上に複数の画素１５６や画素１５６を駆動するための走査線側駆動回路１６０が形成される。走査線側駆動回路１６０は表示領域１５８外に配置される。表示領域１５８や走査線側駆動回路１６０からはパターニングされた導電膜で形成される配線２５６（図１８では図示しない）が第１の基板１５２の一辺へ延び、配線２５６は第１の基板１５２の端部付近で露出されて端子２５２を形成する。端子２５２では、配線２５６上に少なくとも１つの柱状構造体１１８が形成され、さらに柱状構造体１１８の側面と上面の少なくとも一部を覆う導電膜１１６が設けられる。端子２５２を覆うようにＦＰＣ２５４が設けられる。図１８に示した例では信号線側駆動回路１６２はＦＰＣ２５４上に搭載されているが、信号線側駆動回路１６２は第１の基板１５２上に直接形成してもよい。

ＦＰＣ２５４にはＦＰＣ配線２５８が形成されており、ＦＰＣ配線２５８が導電膜１１６と電気的に接続される。これにより、外部回路（図示しない）から供給される映像信号や電源がＦＰＣ配線２５８、導電膜１１６、配線２５６を介して表示領域１５８、走査線側駆動回路１６０、信号線側駆動回路１６２へ与えられる。各画素１５６はこれらの信号や電源に基づいて制御され、これにより表示領域１５８上に映像を表示することができる。

表示装置２５０では、第１の基板１５２とＦＰＣ２５４が配線基板１００の第１の基板１０２と第２の基板にそれぞれに対応し、配線２５６とＦＰＣ配線２５８がそれぞれ、配線基板１００の第１の配線１１０と第２の配線１１２に対応する。また、柱状構造体１１８と導電膜１１６はそれぞれ、配線基板１００の柱状構造体１１８と導電膜１１６に対応する。換言すると、表示装置２５０では、端子２５２が設けられる領域に配線基板１００が形成され、この配線基板１００を利用して第１の基板１５２とＦＰＣ２５４との電気的接続が行われる。

通常、表示装置とＦＰＣとの接続には異方性導電膜が用いられるが、第１実施形態で述べたように、異方性導電膜は比較的高価であり、かつ、電気的接続の信頼性は必ずしも高くない。これに対し、本実施形態の表示装置２５０とＦＰＣ２５４の接続には第１実施形態で述べた配線基板１００が適用される。したがって、これらの間の電気的接続の信頼性は高く、かつ、コストの増大を引き起こさない。このため、本実施形態を適用することにより、信頼性の高い表示装置を低コストで製造することが可能となる。

本開示の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったものも、本開示の要旨を備えている限り、本開示の範囲に含まれる。

また、上述した各実施形態によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本開示によりもたらされるものと理解される。

１００：配線基板、１０２：第１の基板、１０４：第２の基板、１１０：第１の配線、１１２：第２の配線、１１６：導電膜、１１８：柱状構造体、１１８−１：柱状構造体、１１８−２：柱状構造体、１２０：第１の貫通電極、１２２：第４の配線、１２４：第２の貫通電極、１２６：第３の配線、１２８：ランド、１３０：樹脂膜、１３１：保護膜、１３２：充填材、１３４：シード層、１３５：金属膜、１３６：レジストマスク、１５０：表示装置、１５２：第１の基板、１５４：第２の基板、１５６：画素、１５８：表示領域、１６０：走査線側駆動回路、１６２：信号線側駆動回路、１７０：配線、１７２：貫通孔、１７４：貫通孔、１８０：トランジスタ、１８２：ゲート電極、１８４：ゲート絶縁膜、１８６：半導体膜、１８８：ソース／ドレイン電極、１９０：ソース／ドレイン電極、２００：ＬＥＤ、２０２：接続パッド、２０３：接続パッド、２０４：引回し配線、２０６：第１の電極、２０８：半導体膜、２１０：第２の電極、２１２：封止膜、２１４：対向基板、２１６：平坦化膜、２１８：隔壁、２２０：ＯＬＥＤ、２２２：第１の電極、２２４：ＥＬ層、２２６：第２の電極、２３０：液晶素子、２３２：第１の電極、２３４：第１の配向膜、２３６：液晶層、２３８：第２の配向膜、２４０：第２の電極、２４２：オーバーコート、２４４：カラーフィルタ、２４６：遮光膜、２５０：表示装置、２５２：端子、２５４：ＦＰＣ、２５６：配線、２５８：ＦＰＣ配線

Claims (56)

1. 第１の基板、
   前記第１の基板上の第１の配線、
   前記第１の基板上に位置し、樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体、
   前記柱状構造体と前記第１の配線の上に位置し、前記柱状構造体と前記第１の配線と接する導電膜、
   前記導電膜の上に位置し、前記導電膜と電気的に接続される第２の配線、および
   前記第２の配線上の第２の基板を有する配線基板。
2. 前記柱状構造体は前記第１の配線と重なる、請求項１に記載の配線基板。
3. 前記導電膜は前記柱状構造体の上面と側面を覆う、請求項１、または２に記載の配線基板。
4. 前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記導電膜と接する樹脂膜をさらに有する、請求項１に記載の配線基板。
5. 前記柱状構造体を複数有する、請求項１に記載の配線基板。
6. 前記複数の柱状構造体のうち少なくとも一つは前記導電膜から離れて配置される、請求項５に記載の配線基板。
7. 前記第１の基板は、前記第１の基板を貫通する貫通孔を有し、
   前記第１の配線は前記貫通孔の側壁の少なくとも一部を覆う、請求項１に記載の配線基板。
8. 前記貫通孔内に充填材をさらに有し、
   前記第１の配線の一部は前記充填材と前記側壁の間に位置する、請求項７に記載の配線基板。
9. 前記柱状構造体が前記充填材と重なる、請求項８に記載の配線基板。
10. 前記第１の基板を貫通し、前記第１の配線と電気的に接続される第１の貫通電極をさらに有する、請求項１に記載の配線基板。
11. 前記第２の基板を貫通し、前記第２の配線と電気的に接続される第２の貫通電極をさらに有する、請求項１に記載の配線基板。
12. 前記柱状構造体の底面積は前記柱状構造体の上面の面積よりも大きい、請求項１に記載の配線基板。
13. 前記柱状構造体は、前記第１の基板の上面に平行な方向においてテーパー形状を有する、請求項１に記載の配線基板。
14. 前記第２の基板上に、液晶素子と発光素子から選択される表示素子をさらに有する、請求項１に記載の配線基板。
15. 前記表示素子と電気的に接続されるトランジスタをさらに有する、請求項１４に記載の配線基板。
16. 前記トランジスタは前記第２の基板上に配置される、請求項１５に記載の配線基板。
17. 前記トランジスタは前記第２の基板の下に設けられ、前記第１の基板と比較して前記第２の基板により近く位置する、請求項１５に記載の配線基板。
18. 前記トランジスタは前記第１の基板の上に設けられ、前記第２の基板と比較して前記第１の基板により近く位置する、請求項１５に記載の配線基板。
19. 前記トランジスタは前記第１の基板の下に位置する、請求項１５に記載の配線基板。
20. 第１の基板上に第１の配線を形成し、
    樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体を前記第１の基板上に形成し、
    前記柱状構造体上に導電膜を形成し、
    第２の基板上に第２の配線を形成し、
    前記導電膜と前記第２の配線が互いに直接接するように第１の基板と第２の基板を貼り合わせることを含む、配線基板を作製する方法。
21. 前記柱状構造体は前記第１の配線を覆うように形成される、請求項２０に記載の方法。
22. 前記導電膜は前記柱状構造体の上面と側面を覆うように形成される、請求項２０に記載の方法。
23. 前記第１の基板と前記第２の基板は樹脂膜を用いて貼り合わされる、請求項２０に記載の方法。
24. 前記柱状構造体は複数形成される、請求項２０に記載の方法。
25. 前記導電膜は、少なくとも１つの柱状構造体と離れて配置されるように形成される、請求項２４に記載の方法。
26. 前記第１の配線を形成する前に、前記第１の基板を貫通する貫通孔を前記第１の基板に形成することをさらに含み、
    前記第１の配線は、前記貫通孔の側壁の少なくとも一部を覆うように形成される、請求項２０に記載の方法。
27. 前記第１の配線の形成後、前記柱状構造体を形成する前に、前記貫通孔内に充填材を形成することをさらに含む、請求項２６に記載の方法。
28. 前記柱状構造体は、前記充填材と重なるように形成される、請求項２７に記載の方法。
29. 前記第１の基板を貫通する第１の貫通電極を前記第１の配線を形成する前に形成することを含み、
    前記第１の配線は、前記第１の貫通電極と電気的に接続されるように形成される、請求項２０に記載の方法。
30. 前記第２の基板を貫通する第２の貫通電極を前記第２の配線を形成する前に形成することを含み、
    前記第２の配線は、前記第２の貫通電極と電気的に接続されるように形成される、請求項２０に記載の方法。
31. 前記柱状構造体は、底面積が上面の面積よりも大きくなるように形成される、請求項２０に記載の方法。
32. 前記柱状構造体は、前記第１の基板の上面に平行な方向においてテーパー形状を有するように形成される、請求項２０に記載の方法。
33. 液晶素子と発光素子から選択される表示素子を前記第２の基板上に形成することをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
34. 前記表示素子と電気的に接続されるトランジスタを形成することをさらに含む、請求項３３に記載の方法。
35. 前記トランジスタは前記第２の基板上に形成される、請求項３４に記載の方法。
36. 前記トランジスタは、前記第２の基板の下に設けられ、かつ、前記第１の基板と比較して前記第２の基板により近く位置するように形成される、請求項３４に記載の方法。
37. 前記トランジスタは、前記第１の基板の下に設けられ、かつ、前記第２の基板と比較して前記第１の基板により近く位置するように形成される、請求項３４に記載の方法。
38. 前記トランジスタは、前記第１の基板の下に位置するように形成される、請求項３４に記載の方法。
39. 第１の基板、
    前記第１の基板上の第１の配線、
    前記第１の基板上に位置し、樹脂を含む少なくとも一つの柱状構造体、
    前記柱状構造体上の導電膜、
    前記導電膜上に位置し、前記導電膜と電気的に接続される第２の配線、
    前記第２の配線上の第２の基板、
    前記第２の基板上に位置し、前記第２の配線と電気的に接続される第３の配線、および
    前記第２の基板上の表示素子を有し、
    前記第３の配線は、表示素子へ信号を伝達するように構成される表示装置。
40. 前記柱状構造体は前記第１の配線と重なる、請求項３９に記載の表示装置。
41. 前記導電膜は前記柱状構造体の上面と側面を覆う、請求項３９、または４０に記載の表示装置。
42. 前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記導電膜と接する樹脂膜をさらに有する、請求項３９に記載の表示装置。
43. 前記柱状構造体を複数有する、請求項３９に記載の表示装置。
44. 前記複数の柱状構造体のうち少なくとも一つは前記導電膜から離れて配置される、請求項４３に記載の表示装置。
45. 前記第１の基板は、前記第１の基板を貫通する貫通孔を有し、
    前記第１の配線は、前記貫通孔の側壁の少なくとも一部を覆う、請求項３９に記載の表示装置。
46. 前記貫通孔内に充填材をさらに有し、
    前記第１の配線の一部は前記充填材と前記側壁の間に位置する、請求項４５に記載の表示装置。
47. 前記柱状構造体が前記充填材と重なる、請求項４６に記載の表示装置。
48. 前記第１の基板を貫通し、前記第１の配線と電気的に接続される第１の貫通電極をさらに有する、請求項３９に記載の表示装置。
49. 前記第２の基板を貫通し、前記第２の配線と電気的に接続される第２の貫通電極をさらに有する、請求項３９に記載の表示装置。
50. 前記柱状構造体の底面積は前記柱状構造体の上面の面積よりも大きい、請求項３９に記載の表示装置。
51. 前記柱状構造体は、前記第１の基板の上面に平行な方向においてテーパー形状を有する、請求項３９に記載の表示装置。
52. 前記表示素子と電気的に接続されるトランジスタをさらに有する、請求項３９に記載の表示装置。
53. 前記トランジスタは前記第２の基板上に配置される、請求項５２に記載の表示装置。
54. 前記トランジスタは前記第２の基板の下に設けられ、前記第１の基板と比較して前記第２の基板により近く位置する、請求項５２に記載の表示装置。
55. 前記トランジスタは前記第１の基板の上に設けられ、前記第２の基板と比較して前記第１の基板により近く位置する、請求項５２に記載の表示装置。
56. 前記トランジスタは前記第１の基板の下に設けられる、請求項５２に記載の表示装置。

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