JP2019161151A - Electronic component, electronic device, and method of manufacturing electronic device - Google Patents

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Abstract

To achieve alignment properly making good use of surface tension of molten metal in positioning between terminals.SOLUTION: An electronic components comprises: a first electrode terminal which is provided on a first electrode formation surface that a first element body comprises, and has a first molten metal joint surface; and a first positioning terminal which is provided on the first electrode formation surface, and has a second molten metal joint surface comprising a molten metal impregnation part. The electronic component when joined to another electronic component is aligned first with surface tension of a molten metal layer between the first positioning terminal and a second positioning terminal that the other electronic component comprises. Then the electronic component is impregnated with the molten metal impregnation part of the molten metal layer being molten to obtain further alignment effect with the surface temperature of the molten metal layer between the first electrode terminal and the second electrode terminal that the other electronic component comprises.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、電子部品、電子装置及び電子装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an electronic component, an electronic device, and a method for manufacturing the electronic device.

昨今、半導体素子における電極接続端子の狭ピッチ化が進み、電極接続端子を形成するパッドやバンプの配置も高密度化していることから、素子を積層し、溶融金属層を介して端子間を接続する際のより正確な位置合わせが求められている。従来、可視光や赤外光を用いた光学的なマーク検出を利用して電極接続端子の接合における位置合わせを行うことがある。また、電極用パッドと位置合わせ用パッドを用いてはんだ付けを行い、各パッド間の表面張力による自己整列性を活用して位置合わせを行う提案が知られている(例えば、特許文献1参照)。   In recent years, the pitch of electrode connection terminals in semiconductor elements has been narrowed, and the arrangement of pads and bumps that form electrode connection terminals has also increased in density, so elements are stacked and the terminals are connected via a molten metal layer. There is a need for more accurate alignment when doing so. Conventionally, there is a case where alignment in joining of electrode connection terminals is performed using optical mark detection using visible light or infrared light. Also, a proposal is known in which soldering is performed using electrode pads and alignment pads, and alignment is performed by utilizing self-alignment due to surface tension between the pads (see, for example, Patent Document 1). .

特開平10−50773号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-50773

しかしながら、光学的なマーク検出を利用して電極接続端子の接合における位置合わせを行う場合、位置合わせ精度は、光学的検出精度や素子の積層を行う装置の機械的精度に制約される。また、特許文献1では、位置合わせ用パッド間の表面張力が発揮される状態となるときに電極接続端子間のはんだも接触し、全体として十分な位置合わせ効果が発揮されない事態が想定される。今後、電極接続端子間のピッチが狭まると、このような現象が顕著になることが想定される。   However, when alignment is performed in joining electrode connection terminals using optical mark detection, the alignment accuracy is limited by the optical detection accuracy and the mechanical accuracy of the device that stacks elements. Further, in Patent Document 1, it is assumed that the solder between the electrode connection terminals also contacts when the surface tension between the alignment pads is exerted, and a sufficient alignment effect is not exhibited as a whole. In the future, it is assumed that such a phenomenon becomes remarkable when the pitch between the electrode connection terminals is narrowed.

1つの側面では、本明細書開示の発明は、端子間の位置合わせにおいて、溶融金属の表面張力を適切に利用した整列を行うことを目的とする。   In one aspect, an object of the present disclosure is to perform alignment using the surface tension of molten metal appropriately in alignment between terminals.

1つの態様では、電子部品は、第1の素子本体が備える第1の電極形成面に設けられ、第1の溶融金属接合面を有する第1の電極端子と、前記第1の電極形成面に設けられ、溝状の溶融金属含浸部を備えた第2の溶融金属接合面を有する第1の位置合わせ端子と、を備える。   In one aspect, the electronic component is provided on a first electrode forming surface included in the first element body, and includes a first electrode terminal having a first molten metal bonding surface, and the first electrode forming surface. And a first alignment terminal having a second molten metal joint surface provided with a groove-shaped molten metal impregnated portion.

また、別の態様では、電子装置は、第1の素子本体が備える第1の電極形成面に第1の電極端子と第1の位置合わせ端子とを備えた第1の電子部品と、第2の素子本体が備える第2の電極形成面に第2の電極端子と第2の位置合わせ端子とを備えた第2の電子部品と、第1の溶融金属層によって形成され、前記第1の電極端子と前記第2の電極端子とを接合する第1の接合部と、第2の溶融金属層によって形成され、前記第1の位置合わせ端子と前記第2の位置合わせ端子とを接合する第2の接合部と、を備え、前記第2の接合部は、前記第1の位置合わせ端子が有する溶融金属含浸部に入り込んでいる。   In another aspect, the electronic device includes: a first electronic component including a first electrode terminal and a first alignment terminal on a first electrode formation surface included in the first element body; The first electrode is formed by a second electronic component having a second electrode terminal and a second alignment terminal on a second electrode forming surface of the element body, and a first molten metal layer. A second joining portion formed by a first joining portion joining the terminal and the second electrode terminal, and a second molten metal layer, joining the first alignment terminal and the second alignment terminal; The second joint portion enters the molten metal-impregnated portion of the first alignment terminal.

さらに、別の態様では、電子装置の製造方法は、第1の電極端子と第1の位置合わせ端子を備える第1の電子部品と、第2の電極端子と第2の位置合わせ端子を備える第2の電子部品とを、前記第1の電極端子と前記第2の電極端子との間に第1の接合部を介在させ、前記第1の位置合わせ端子と前記第2の位置合わせ端子との間に第2の接合部を介在させて接合する電子装置の製造方法であって、前記第1の電極端子と前記第2の電極端子との間に電極端子間溶融金属層を設け、前記第1の位置合わせ端子と前記第2の位置合わせ端子との間に位置合わせ端子間溶融金属層を設けた状態で前記第1の電子部品と前記第2の電子部品とを対向配置する工程と、前記第1の位置合わせ端子と前記第2の位置合わせ端子とを前記位置合わせ端子間溶融金属層を介して接触させる工程と、前記位置合わせ端子間溶融金属層を溶融し、前記第2の接合部を形成しつつ、一次整列を行う工程と、溶融状態の前記第2の接合部を前記第1の位置合わせ端子が備える溝状の溶融金属含浸部に含浸させつつ、前記電極端子間溶融金属層を介して接触させる工程と、溶融した前記電極端子間溶融金属層により前記第1の接合部を形成しつつ、二次整列を行う工程と、を有する。   Further, in another aspect, an electronic device manufacturing method includes a first electronic component including a first electrode terminal and a first alignment terminal, a second electrode terminal and a second alignment terminal. Two electronic components, a first joint portion is interposed between the first electrode terminal and the second electrode terminal, and the first alignment terminal and the second alignment terminal A method of manufacturing an electronic device in which a second bonding portion is interposed therebetween, wherein a molten metal layer between electrode terminals is provided between the first electrode terminal and the second electrode terminal, A step of disposing the first electronic component and the second electronic component facing each other in a state in which a molten metal layer between alignment terminals is provided between the first alignment terminal and the second alignment terminal; The first alignment terminal and the second alignment terminal are connected between the alignment terminals. A step of bringing the molten metal layer into contact with each other; a step of performing primary alignment while melting the molten metal layer between the alignment terminals to form the second bonding portion; and the second bonding portion in a molten state Is impregnated in the groove-shaped molten metal impregnated portion of the first alignment terminal, and is contacted via the molten metal layer between the electrode terminals, and the molten metal layer between the electrode terminals is used for the first And performing a secondary alignment while forming the joint portion.

本明細書開示の発明によれば、端子間の位置合わせにおいて、溶融金属の表面張力を適切に利用した整列を行うことができる。   According to the invention disclosed in this specification, it is possible to perform alignment using the surface tension of molten metal appropriately in alignment between terminals.

図1(A)は実施形態の第1の溶融金属層及び第2の溶融金属層を具備しない状態の第1の電子部品の断面図であり、図1(B)は実施形態の第1の溶融金属層及び第2の溶融金属層を具備した状態の第1の電子部品の断面図である。FIG. 1A is a cross-sectional view of the first electronic component without the first molten metal layer and the second molten metal layer of the embodiment, and FIG. 1B is a first embodiment of the first embodiment. It is sectional drawing of the 1st electronic component of the state which comprised the molten metal layer and the 2nd molten metal layer. 図2は実施形態の第1の電子部品の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the first electronic component of the embodiment. 図3(A)は第1の位置合わせ端子及び第2の溶融金属層を示す平面図であり、図3(B)は第1の位置合わせ端子及び第2の溶融金属層を示す側面図である。FIG. 3A is a plan view showing the first alignment terminal and the second molten metal layer, and FIG. 3B is a side view showing the first alignment terminal and the second molten metal layer. is there. 図4は第1の電極端子と第1の位置合わせ端子の各部の高さの関係を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing the relationship between the heights of the respective parts of the first electrode terminal and the first alignment terminal. 図5は実施形態の第2の電子部品の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of the second electronic component of the embodiment. 図6(A)は第2の位置合わせ端子を示す平面図であり、図6(B)は第2の位置合わせ端子を示す側面図である。6A is a plan view showing the second alignment terminal, and FIG. 6B is a side view showing the second alignment terminal. 第2の電極端子と第2の位置合わせ端子の各部の高さの関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the relationship of the height of each part of a 2nd electrode terminal and a 2nd alignment terminal. 図8は実施形態の電子装置の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of the electronic device of the embodiment. 図9(A)〜図9(E)は実施形態の電子装置の製造方法の工程を時系列的に示す説明図である。FIG. 9A to FIG. 9E are explanatory views showing the steps of the electronic device manufacturing method according to the embodiment in time series. 図10は第1の位置合わせ端子と第2の位置合わせ端子との間に介在する第2の溶融金属層と第4の溶融金属層を溶融し、第2の接合部を形成しつつ、一次整列を行う様子を示す説明図である。FIG. 10 shows a primary junction while melting the second molten metal layer and the fourth molten metal layer interposed between the first alignment terminal and the second alignment terminal to form a second joint portion. It is explanatory drawing which shows a mode that it arranges. 図11は溶融状態の第2の接合部が第1の位置合わせ端子が備える溶融金属含浸部に含浸される様子を示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory view showing a state in which the molten second impregnated portion is impregnated in the molten metal impregnated portion provided in the first alignment terminal. 図12(A)及び図12(B)は溶融金属含浸部の変形例を示す説明図である。12 (A) and 12 (B) are explanatory views showing a modification of the molten metal impregnated portion.

以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。ただし、図面中、各部の寸法、比率等は、実際のものと完全に一致するようには図示されていない場合がある。また、図面によっては、説明の都合上、実際には存在する構成要素が省略されていたり、寸法が実際よりも誇張されて描かれていたりする場合がある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, in the drawings, the dimensions, ratios, and the like of each part may not be shown so as to completely match the actual ones. Further, depending on the drawings, components that are actually present may be omitted for convenience of explanation, or dimensions may be exaggerated from the actual drawing.

(実施形態)
図1(A)を参照すると、第1の電子部品10は、第1の電極形成面11aを備えた第1の素子本体11を備える。第1の電極形成面11aには、金属ピラーである第1の電極端子12が形成されている。第1の電極端子12は、第1の溶融金属接合面12aを備える。本実施形態の第1の電極端子12は、Cu(銅)によって、円柱状に形成されている。ここで、図2を参照すると、第1の電極端子12は、矩形の第1の素材本体11の第1の電極形成面11aに区画された矩形の電極形成領域R内に複数設けられている。図2では、複数の第1の電極端子12の一部のみが描かれている。第1の電子部品10は、CPU(Central Processing Unit)やメモリ等のチップとすることができる。また、インターポーザとすることもできる。第1の電極端子12は、第1の電子部品10の機能に応じた電極接続端子として形成されている。第1の電極端子12は、他の素材によって形成してもよい。第1の電極端子12は、パッドやバンプとして設けることができる。本実施形態では、第1の電極端子12は、バンプとして形成されている。
(Embodiment)
Referring to FIG. 1A, the first electronic component 10 includes a first element body 11 including a first electrode formation surface 11a. A first electrode terminal 12 which is a metal pillar is formed on the first electrode formation surface 11a. The first electrode terminal 12 includes a first molten metal joining surface 12a. The 1st electrode terminal 12 of this embodiment is formed in the column shape by Cu (copper). Here, referring to FIG. 2, a plurality of the first electrode terminals 12 are provided in a rectangular electrode formation region R partitioned by the first electrode formation surface 11 a of the rectangular first material body 11. . In FIG. 2, only some of the plurality of first electrode terminals 12 are depicted. The first electronic component 10 can be a chip such as a CPU (Central Processing Unit) or a memory. It can also be an interposer. The first electrode terminal 12 is formed as an electrode connection terminal corresponding to the function of the first electronic component 10. The first electrode terminal 12 may be formed of other materials. The first electrode terminal 12 can be provided as a pad or a bump. In the present embodiment, the first electrode terminal 12 is formed as a bump.

第1の電極形成面11aには、金属ピラーである第1の位置合わせ端子13が設けられている。本実施形態の第1の位置合わせ端子13は、Cu(銅)によって、柱状に形成されている。第1の位置合わせ端子13は、電極形成領域Rの周囲に設けられている。具体的に、第1の位置合わせ端子13は、矩形の第1の電極形成面11aの角部と、各辺の中央部に設けられている。第1の位置合わせ端子13は、第2の溶融金属接合面13aを備える。また、第1の位置合わせ端子13は、溝状の溶融金属含浸部13bを備える。溶融金属含浸部13bは、第2の溶融金属接合面13aに十字状に設けられている。図3(A)や図3(B)を参照すると、溶融金属含浸部13bの幅はWとされている。溶融金属含浸部13bは、後述するように、第1の電子部品10を他の電子部品と接合するときに、毛細管現象によって溶融金属を含浸し、両者の間隔を調整する機能を有する。第1の位置合わせ端子13は、他の素材によって形成してもよい。第1の位置合わせ端子13は、パッドやバンプとして設けることができる。本実施形態では、第1の位置合わせ端子13は、バンプとして形成されている。   A first alignment terminal 13 that is a metal pillar is provided on the first electrode formation surface 11a. The first alignment terminal 13 of the present embodiment is formed in a column shape from Cu (copper). The first alignment terminal 13 is provided around the electrode formation region R. Specifically, the first alignment terminals 13 are provided at the corners of the rectangular first electrode formation surface 11a and at the center of each side. The first alignment terminal 13 includes a second molten metal joint surface 13a. The first alignment terminal 13 includes a groove-shaped molten metal impregnated portion 13b. The molten metal impregnated portion 13b is provided in a cross shape on the second molten metal joint surface 13a. Referring to FIGS. 3A and 3B, the width of the molten metal impregnated portion 13b is W. As will be described later, the molten metal impregnated portion 13b has a function of impregnating the molten metal by a capillary phenomenon when the first electronic component 10 is joined to another electronic component, and adjusting the distance therebetween. The first alignment terminal 13 may be formed of other materials. The first alignment terminal 13 can be provided as a pad or a bump. In the present embodiment, the first alignment terminal 13 is formed as a bump.

再び、図1(A)を参照すると、第1の位置合わせ端子13が有する第2の溶融金属接合面13aの直径R2は、第1の電極端子12が有する第1の溶融金属接合面12aの直径R1よりも大きい。第1の電極端子12及び第1の位置合わせ端子13は、後述するように、共に、溶融金属の表面張力による整列機能を発揮するが、直径が大きく、面積が大きい第1の位置合わせ端子13の方がより大きな整列機能を発揮することができる。   Referring to FIG. 1A again, the diameter R2 of the second molten metal bonding surface 13a of the first alignment terminal 13 is equal to the diameter R2 of the first molten metal bonding surface 12a of the first electrode terminal 12. It is larger than the diameter R1. As will be described later, the first electrode terminal 12 and the first alignment terminal 13 both exhibit an alignment function due to the surface tension of the molten metal, but have a large diameter and a large area. Can exert a larger alignment function.

図1(B)や図3を参照すると、第1の電極端子12が有する第1の溶融金属接合面12aには、第1の溶融金属層14が形成されている。また、第1の位置合わせ端子13が有する第2の溶融金属接合面13aには、第2の溶融金属層15が形成されている。本実施形態の第1の溶融金属層14及び第2の溶融金属層15は、いずれもSnAg(すず銀)はんだであるが、他の素材を用いてもよい。第1の溶融金属層14は、電極端子間溶融金属層に含まれる。第2の溶融金属層15は位置合わせ端子間溶融金属層に含まれる。   Referring to FIG. 1B and FIG. 3, a first molten metal layer 14 is formed on the first molten metal bonding surface 12 a of the first electrode terminal 12. A second molten metal layer 15 is formed on the second molten metal joint surface 13 a of the first alignment terminal 13. The first molten metal layer 14 and the second molten metal layer 15 of the present embodiment are both SnAg (tin silver) solder, but other materials may be used. The 1st molten metal layer 14 is contained in the molten metal layer between electrode terminals. The second molten metal layer 15 is included in the molten metal layer between alignment terminals.

図4を参照すると、第1の電極端子12の高さはha1とされている。また、第1の溶融金属層14の高さはha2とされている。そして、第1の電極形成面11aから第1の溶融金属層14の頂部までの高さはhaとなっている。一方、第1の位置合わせ端子13の高さはhb1とされている。また、第2の溶融金属層15の高さはhb2とされている。そして、第1の電極形成面11aから第2の溶融金属層15の頂部までの高さはhbとなっている。本実施形態では、第1の電極端子12の高さha1と、第1の位置合わせ端子13の高さhb1とを一致させている。そして、第1の溶融金属層14の高さha2を第2の溶融金属層15の高さhb2よりも低くしている。この結果、第1の電極形成面11aから第2の溶融金属層15の頂部までの高さhbは、第1の電極形成面11aから第1の溶融金属層14の頂部までの高さhaよりも高い。これにより、第2の溶融金属層15は、第1の溶融金属層14と他方の電子部品の電極端子又は溶融金属層との接触に先行して他方の位置合わせ端子又は溶融金属層に接触し易くなる。この結果、位置合わせ端子による整列機能が電極端子による整列機能に先行して発揮され易い状態となる。   Referring to FIG. 4, the height of the first electrode terminal 12 is ha1. The height of the first molten metal layer 14 is ha2. The height from the first electrode formation surface 11a to the top of the first molten metal layer 14 is ha. On the other hand, the height of the first alignment terminal 13 is hb1. The height of the second molten metal layer 15 is hb2. The height from the first electrode formation surface 11a to the top of the second molten metal layer 15 is hb. In the present embodiment, the height ha1 of the first electrode terminal 12 and the height hb1 of the first alignment terminal 13 are matched. The height ha2 of the first molten metal layer 14 is set lower than the height hb2 of the second molten metal layer 15. As a result, the height hb from the first electrode formation surface 11 a to the top of the second molten metal layer 15 is higher than the height ha from the first electrode formation surface 11 a to the top of the first molten metal layer 14. Is also expensive. As a result, the second molten metal layer 15 comes into contact with the other alignment terminal or molten metal layer prior to contact between the first molten metal layer 14 and the electrode terminal or molten metal layer of the other electronic component. It becomes easy. As a result, the alignment function by the alignment terminal is easily performed prior to the alignment function by the electrode terminal.

第1の電子部品10は、第1の位置合わせ端子13に溝状の溶融金属含浸部13bを備えることで、第1の電極端子12による整列機能よりも第1の位置合わせ端子13による整列機能を先行して発揮させることができる。すなわち、第1の電子部品10は、まず、第1の位置合わせ端子13に設けられた第2の溶融金属層15が他方の位置合わせ端子又は溶融金属層に接触することで整列機能を発揮する。そして、第1の電子部品10は、溝状の溶融金属含浸部13bが溶融金属を含浸することで、他の電子部品に接近し、第1の電極端子12に設けられた第1の溶融金属層14を他方の電子部品の電極端子又は溶融金属層と接触させ、さらなる整列機能を得る。このように、第1の電子部品10は、高い自己整列性を備えている。   The first electronic component 10 includes a groove-shaped molten metal impregnated portion 13 b in the first alignment terminal 13, so that the alignment function by the first alignment terminal 13 is higher than the alignment function by the first electrode terminal 12. Can be demonstrated in advance. That is, the first electronic component 10 exhibits an alignment function when the second molten metal layer 15 provided in the first alignment terminal 13 first contacts the other alignment terminal or the molten metal layer. . And the 1st electronic component 10 approaches the other electronic components, and the 1st molten metal provided in the 1st electrode terminal 12 because the groove-shaped molten metal impregnation part 13b impregnates a molten metal. Layer 14 is brought into contact with the electrode terminals or molten metal layer of the other electronic component to obtain further alignment functions. Thus, the first electronic component 10 has high self-alignment.

つぎに、図5から図6(B)を参照し、他の電子部品となる第2の電子部品30について説明する。第2の電子部品30は、第2の電極形成面31aを備えた第2の素子本体31を備える。第2の電極形成面31aには、金属ピラーである第2の電極端子32が形成されている。第2の電極端子32は、第3の溶融金属接合面32aを備える。本実施形態の第2の電極端子32は、Cu(銅)によって、円柱状に形成されている。第2の電極端子32は、第1の電極端子12の配置に対応させて複数設けられている。第2の電子部品30は、第1の電子部品10と接合して用いることができる種々の部品とすることができる。例えば、第1の電子部品10がCPUである場合に、第2の電子部品30をメモリとすることができる。第2の電極端子32は、第2の電子部品30の機能に応じた電極接続端子として形成されている。第2の電極端子32は、他の素材によって形成してもよい。第2の電極端子32は、パッドやバンプとして設けることができる。本実施形態では、第2の電極端子32は、バンプとして形成されている。第2の電極端子32する第3の溶融金属接合面32aの直径は、第1の電極端子12が有する第1の溶融金属接合面12aの直径と同様にR1とされている。   Next, the second electronic component 30 which is another electronic component will be described with reference to FIGS. 5 to 6B. The second electronic component 30 includes a second element body 31 including a second electrode formation surface 31a. A second electrode terminal 32 that is a metal pillar is formed on the second electrode formation surface 31a. The second electrode terminal 32 includes a third molten metal bonding surface 32a. The 2nd electrode terminal 32 of this embodiment is formed in the column shape with Cu (copper). A plurality of second electrode terminals 32 are provided corresponding to the arrangement of the first electrode terminals 12. The second electronic component 30 can be various components that can be used by being joined to the first electronic component 10. For example, when the first electronic component 10 is a CPU, the second electronic component 30 can be a memory. The second electrode terminal 32 is formed as an electrode connection terminal corresponding to the function of the second electronic component 30. The second electrode terminal 32 may be formed of other materials. The second electrode terminal 32 can be provided as a pad or a bump. In the present embodiment, the second electrode terminal 32 is formed as a bump. The diameter of the third molten metal joint surface 32a that is the second electrode terminal 32 is R1, similarly to the diameter of the first molten metal joint surface 12a that the first electrode terminal 12 has.

第2の電極形成面31aには、金属ピラーである第2の位置合わせ端子33が設けられている。本実施形態の第2の位置合わせ端子33は、Cu(銅)によって、円柱状に形成されている。第2の位置合わせ端子33は、第1の位置合わせ端子13の配置に対応させて設けられている。すなわち、第2の位置合わせ端子33は、第1の電極形成面11aと第2の電極形成面31aとを対向させたときに、第1の位置合わせ端子13と重なるように設けられている。   A second alignment terminal 33 that is a metal pillar is provided on the second electrode formation surface 31a. The second alignment terminal 33 of the present embodiment is formed in a cylindrical shape from Cu (copper). The second alignment terminal 33 is provided so as to correspond to the arrangement of the first alignment terminal 13. That is, the second alignment terminal 33 is provided so as to overlap the first alignment terminal 13 when the first electrode formation surface 11a and the second electrode formation surface 31a are opposed to each other.

第2の位置合わせ端子33は、第4の溶融金属接合面33aを備える。第2の位置合わせ端子33は、他の素材によって形成してもよい。第2の位置合わせ端子33は、パッドやバンプとして設けることができる。本実施形態では、第2の位置合わせ端子33は、バンプとして形成されている。第2の位置合わせ端子33が有する第4の溶融金属接合面33aの直径は、第1の位置合わせ端子13が有する第2の溶融金属接合面13aの直径と同様にR2とされている。   The second alignment terminal 33 includes a fourth molten metal joint surface 33a. The second alignment terminal 33 may be formed of other materials. The second alignment terminal 33 can be provided as a pad or a bump. In the present embodiment, the second alignment terminal 33 is formed as a bump. The diameter of the fourth molten metal joint surface 33a included in the second alignment terminal 33 is R2, similar to the diameter of the second molten metal joint surface 13a included in the first alignment terminal 13.

図5や図7を参照すると、第2の電極端子32が有する第3の溶融金属接合面32aには、第3の溶融金属層34が形成されている。また、第2の位置合わせ端子33が有する第4の溶融金属接合面33aには、第4の溶融金属層35が形成されている。本実施形態の第3の溶融金属層34及び第4の溶融金属層35は、いずれもSnAg(すず銀)はんだであるが、他の素材を用いてもよい。第3の溶融金属層34は電極端子間溶融金属層に含まれる。第4の溶融金属層35は位置合わせ端子間溶融金属層に含まれる。なお、本実施形態では、第1の溶融金属接合面12aに第1の溶融金属層14が設けられているため、第3の溶融金属層34を廃止した形態としてもよい。同様に、本実施形態では、第2の溶融金属接合面13aに第2の溶融金属層15が設けられているため、第4の溶融金属層35を廃止した形態としてもよい。これとは逆に、第1の溶融金属層14を廃止し、第3の溶融金属層34を採用するようにしてもよい。第2の溶融金属層15を廃止し、第4の溶融金属層35を採用するようにしてもよい。すなわち、溶融金属層は、いずれか一方の電子部品に設けられていてもよいし、双方の電子部品に設けられていてもよい。   Referring to FIG. 5 and FIG. 7, a third molten metal layer 34 is formed on the third molten metal bonding surface 32 a of the second electrode terminal 32. A fourth molten metal layer 35 is formed on the fourth molten metal joint surface 33 a of the second alignment terminal 33. The third molten metal layer 34 and the fourth molten metal layer 35 of the present embodiment are both SnAg (tin silver) solder, but other materials may be used. The third molten metal layer 34 is included in the molten metal layer between the electrode terminals. The fourth molten metal layer 35 is included in the molten metal layer between alignment terminals. In the present embodiment, since the first molten metal layer 14 is provided on the first molten metal joining surface 12a, the third molten metal layer 34 may be omitted. Similarly, in the present embodiment, since the second molten metal layer 15 is provided on the second molten metal joint surface 13a, the fourth molten metal layer 35 may be omitted. Conversely, the first molten metal layer 14 may be eliminated and the third molten metal layer 34 may be employed. The second molten metal layer 15 may be eliminated and the fourth molten metal layer 35 may be employed. That is, the molten metal layer may be provided on any one of the electronic components, or may be provided on both of the electronic components.

図7を参照すると、第2の電極端子32の高さはhc1とされている。また、第3の溶融金属層34の高さはhc2とされている。そして、第2の電極形成面31aから第3の溶融金属層34の頂部までの高さはhcとなっている。一方、第2の位置合わせ端子33の高さはhd1とされている。また、第4の溶融金属層35の高さはhd2とされている。そして、第2の電極形成面31aから第4の溶融金属層35の頂部までの高さはhdとなっている。本実施形態では、第2の電極端子32の高さhc1と、第2の位置合わせ端子33の高さhd1とを一致させている。そして、第3の溶融金属層34の高さhc2を第4の溶融金属層35の高さhd2よりも低くしている。この結果、第2の電極形成面31aから第4の溶融金属層35の頂部までの高さhdは、第2の電極形成面31aから第3の溶融金属層34の頂部までの高さhcよりも高い。   Referring to FIG. 7, the height of the second electrode terminal 32 is hc1. The height of the third molten metal layer 34 is hc2. The height from the second electrode formation surface 31a to the top of the third molten metal layer 34 is hc. On the other hand, the height of the second alignment terminal 33 is set to hd1. The height of the fourth molten metal layer 35 is hd2. The height from the second electrode formation surface 31a to the top of the fourth molten metal layer 35 is hd. In the present embodiment, the height hc1 of the second electrode terminal 32 and the height hd1 of the second alignment terminal 33 are matched. The height hc2 of the third molten metal layer 34 is set lower than the height hd2 of the fourth molten metal layer 35. As a result, the height hd from the second electrode formation surface 31 a to the top of the fourth molten metal layer 35 is higher than the height hc from the second electrode formation surface 31 a to the top of the third molten metal layer 34. Is also expensive.

ここで、各電子部品において電極端子と位置合わせ端子の高さが同一であることを前提とすると、第1の電子部品10及び第2の電子部品30における各部の寸法は、以下の関係を有する。すなわち、電極端子間溶融金属層の寸法となるha2+hc2と、位置合わせ端子間溶融金属層の寸法となるhb2+hd2との間には、ha2+hc2<hb2+hd2の関係が成立している。これにより、第1の電極形成面11aと第2の電極形成面31aとを対向させて両者を接近させたときに、位置合わせ端子間溶融金属層が電極端子間溶融金属層に先行して接触する。各端子及び溶融金属層の寸法は、適宜変更することができる。ただし、第1の電極形成面11aと第2の電極形成面31aとを対向させて両者を接近させたときに、位置合わせ端子間溶融金属層が電極端子間溶融金属層に先行して接触する関係が維持されることが条件となる。   Here, assuming that the heights of the electrode terminals and the alignment terminals are the same in each electronic component, the dimensions of the respective parts in the first electronic component 10 and the second electronic component 30 have the following relationship. . That is, the relationship ha2 + hc2 <hb2 + hd2 is established between ha2 + hc2 which is the dimension of the molten metal layer between the electrode terminals and hb2 + hd which is the dimension of the molten metal layer between the alignment terminals. Accordingly, when the first electrode forming surface 11a and the second electrode forming surface 31a are opposed to each other and the two are brought close to each other, the molten metal layer between the alignment terminals contacts the molten metal layer between the electrode terminals in advance. To do. The dimensions of each terminal and the molten metal layer can be changed as appropriate. However, when the first electrode forming surface 11a and the second electrode forming surface 31a are opposed to each other and the two are brought close to each other, the molten metal layer between the alignment terminals contacts the molten metal layer between the electrode terminals in advance. The condition is that the relationship is maintained.

つぎに、図8を参照して、本実施形態の電子装置1について説明する。電子装置1は、第1の電極形成面11aと第2の電極形成面31aを対向させた状態で、第1の電子部品10と第2の電子部品30とを接合して形成されている。第1の電極端子12と第2の電極端子32とは、第1の接合部2によって接合されており、両者間の電気導通が取られている。第1の位置合わせ端子13と第2の位置合わせ端子33とは、第2の接合部3によって接合されている。第1の位置合わせ端子13と第2の位置合わせ端子33は、整列機能を発揮するものであるが、第2の接合部3によって電気的導通が取られていることから、電極として使用することもできる。例えば、第1の位置合わせ端子13と第2の位置合わせ端子33は、電源や接地線として使用してもよい。   Next, with reference to FIG. 8, the electronic apparatus 1 of the present embodiment will be described. The electronic device 1 is formed by bonding the first electronic component 10 and the second electronic component 30 with the first electrode forming surface 11a and the second electrode forming surface 31a facing each other. The 1st electrode terminal 12 and the 2nd electrode terminal 32 are joined by the 1st junction part 2, and electrical conduction between both is taken. The first alignment terminal 13 and the second alignment terminal 33 are joined by the second joining portion 3. The first alignment terminal 13 and the second alignment terminal 33 exhibit an alignment function, but are used as electrodes because they are electrically connected by the second joint 3. You can also. For example, the first alignment terminal 13 and the second alignment terminal 33 may be used as a power source or a ground line.

電子装置1は、高い自己整列性を有する第1の電子部品10を備えるので、第1の電子部品10と第2の電子部品30との間で、高い位置合わせ精度を有している。   Since the electronic device 1 includes the first electronic component 10 having high self-alignment property, the electronic device 1 has high alignment accuracy between the first electronic component 10 and the second electronic component 30.

つぎに、図9(A)乃至図11を参照して、本実施形態の電子装置1の製造方法の一例について説明する。   Next, an example of a method for manufacturing the electronic device 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

まず、第1の電子部品10と第2の電子部品30を準備する。第1の電子部品10は、半導体素子基板となる第1の素子本体11に予め有機樹脂絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィーにより第1の電極端子12や第1の位置合わせ端子13に相当する位置を開口した。   First, the first electronic component 10 and the second electronic component 30 are prepared. In the first electronic component 10, an organic resin insulating film is formed in advance on a first element body 11 to be a semiconductor element substrate, and positions corresponding to the first electrode terminals 12 and the first alignment terminals 13 by photolithography. Opened.

ついで、シード層としてTi/Cu層を形成した。そして、バンプ用のレジストにより開口後、電界めっき法によりφ10μm(=R1)、高さ10μm(=ha1)のCuピラー上に、1μm厚のNi層と、SnAgはんだを2μm厚(=ha2)で形成し、第1の電極端子12を形成した。SnAgはんだは、第1の溶融金属層14に相当し、リフロー後は3μmとなった。第1の電極端子12は、20μmピッチで設けた。   Next, a Ti / Cu layer was formed as a seed layer. Then, after opening with a resist for bumps, a 1 μm thick Ni layer and SnAg solder with a thickness of 2 μm (= ha2) are formed on a Cu pillar of φ10 μm (= R1) and height 10 μm (= ha1) by electroplating. The first electrode terminal 12 was formed. The SnAg solder corresponds to the first molten metal layer 14 and was 3 μm after reflow. The first electrode terminals 12 were provided at a pitch of 20 μm.

また、第1の電極端子12の周辺に第1の位置合わせ端子13のバンプをφ20μm(=R2)、高さ10μm(=hb1)のCuピラー上に、1μm厚のNi層と、SnAgはんだを10μm厚(=hb2)で形成し、リフローを行った。このとき、幅W=4μmの十字状の溝が形成されるようにパターニングを行うことで溶融金属含浸部13bを形成した。これにより、第1の位置合わせ端子13は、4つの領域に分割された状態となった。ここで、第1の位置合わせ端子13はφ20μmであり、溶融金属含浸部13bの溝幅がW=4μmであるため、第1の位置合わせ端子13における電極占有率は44.3%となった。電極占有率は、第1の位置合わせ端子13の第2の溶融金属接合面13aから溶融金属含浸部13bの面積を除いた残りの部分の第2の溶融金属接合面13aに対する面積割合である。なお、SnAgはんだは、第2の溶融金属層15に相当し、リフロー後は15μmとなった。   Further, a bump of the first alignment terminal 13 is formed around the first electrode terminal 12 on a Cu pillar having a diameter of 20 μm (= R2) and a height of 10 μm (= hb1). It was formed with a thickness of 10 μm (= hb2) and reflowed. At this time, the molten metal impregnated portion 13b was formed by performing patterning so that a cross-shaped groove having a width W = 4 μm was formed. As a result, the first alignment terminal 13 is divided into four regions. Here, since the first alignment terminal 13 has a diameter of 20 μm and the groove width of the molten metal impregnated portion 13b is W = 4 μm, the electrode occupation ratio in the first alignment terminal 13 is 44.3%. . The electrode occupation ratio is an area ratio of the remaining portion of the first alignment terminal 13 excluding the area of the molten metal impregnated portion 13b from the second molten metal bonded surface 13a to the second molten metal bonded surface 13a. Note that the SnAg solder corresponds to the second molten metal layer 15 and was 15 μm after reflow.

第2の電子部品30は、半導体素子基板となる第2の素子本体31に予め有機樹脂絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィーにより第2の電極端子32や第2の位置合わせ端子33に相当する位置を開口した。   In the second electronic component 30, an organic resin insulating film is formed in advance on a second element body 31 to be a semiconductor element substrate, and positions corresponding to the second electrode terminals 32 and the second alignment terminals 33 by photolithography. Opened.

ついで、シード層としてTi/Cu層を形成した。そして、バンプ用のレジストにより開口後、電界めっき法によりφ10μm(=R1)、高さ5μm(=hc1=hd1)のCuピラーを形成した。第2の電極端子32は、20μmピッチで設けた。   Next, a Ti / Cu layer was formed as a seed layer. Then, after opening with a resist for bumps, a Cu pillar having a diameter of 10 μm (= R1) and a height of 5 μm (= hc1 = hd1) was formed by electroplating. The second electrode terminals 32 were provided at a pitch of 20 μm.

また、第2の電極端子32の周辺に第2の位置合わせ端子33のバンプをφ20μm(=R2)、高さ5μm(=hd1)のCuピラーを形成した。   Further, a bump of the second alignment terminal 33 is formed around the second electrode terminal 32 as a Cu pillar having a diameter of 20 μm (= R2) and a height of 5 μm (= hd1).

なお、第1の電子部品10及び第2の電子部品30は、従来公知のプロセスで準備することができ、図示を省略している。   In addition, the 1st electronic component 10 and the 2nd electronic component 30 can be prepared with a conventionally well-known process, and illustration is abbreviate | omitted.

第1の電子部品10及び第2の電子部品30を準備した後は、まず、図9(A)に示すように第1の電子部品10の第1の素子本体11と第2の電子部品30の第2の素子本体31を、第1の電極形成面11aと第2の電極形成面31aとを対向させた状態で配置する。これにより、第1の電極端子12と第2の電極端子32との間に電極端子間溶融金属層としての第1の溶融金属層14と第3の溶融金属層34とが設けられた状態となる。また、第1の位置合わせ端子13と第2の位置合わせ端子33との間に位置合わせ端子間溶融金属層としての第2の溶融金属層15と第4の溶融金属層35とが設けられた状態となる。   After preparing the first electronic component 10 and the second electronic component 30, first, as shown in FIG. 9A, the first element body 11 and the second electronic component 30 of the first electronic component 10. The second element body 31 is arranged in a state where the first electrode forming surface 11a and the second electrode forming surface 31a are opposed to each other. Thereby, between the 1st electrode terminal 12 and the 2nd electrode terminal 32, the state by which the 1st molten metal layer 14 and the 3rd molten metal layer 34 as a molten metal layer between electrode terminals were provided, and Become. Further, the second molten metal layer 15 and the fourth molten metal layer 35 as the molten metal layer between the alignment terminals are provided between the first alignment terminal 13 and the second alignment terminal 33. It becomes a state.

この状態で光学手段を用いた位置合わせを実施する。光学手段を用いた位置合わせは、専用の光学検出マークを設けて実施してもよいが、本実施形態では、第1の位置合わせ端子13と第2の位置合わせ端子33を用いている。なお、本実施形態では、光学手段を用いた位置合わせを、便宜上、零次整列と呼ぶこととする。   In this state, alignment using optical means is performed. The alignment using the optical means may be performed by providing a dedicated optical detection mark, but in the present embodiment, the first alignment terminal 13 and the second alignment terminal 33 are used. In the present embodiment, alignment using optical means is referred to as zero-order alignment for convenience.

光学手段を用いた位置合わせを実施した後、図9(B)に示すように第1の電子部品10と第2の電子部品を接近させ、第2の溶融金属層15と第4の溶融金属層35とを接触させて、フリップチップボンダーで両者の接合を開始する。零次整列後の第1の素子本体11と第2の素子本体31とのずれ量、すなわち、接合精度は、2〜5μm程度であった。この接合精度は、光学手段を用いた位置合わせに依存するものである。   After the alignment using the optical means, the first electronic component 10 and the second electronic component are brought close to each other as shown in FIG. 9B, and the second molten metal layer 15 and the fourth molten metal are brought together. The layer 35 is brought into contact, and the bonding of both is started by a flip chip bonder. The shift amount between the first element body 11 and the second element body 31 after the zero-order alignment, that is, the joining accuracy was about 2 to 5 μm. This bonding accuracy depends on alignment using optical means.

フリップチップボンダーで、還元雰囲気でのリフローが開始されると、第1の位置合わせ端子13と第2の位置合わせ端子33との間に介在する第2の溶融金属層15及び第4の溶融金属層35が溶融し始める。このとき、図9(C)や図10に示すように、第1の溶融金属層14と第3の溶融金属層34とは、離れた状態となっており、溶融した第2の溶融金属層15と第4の溶融金属層35とが一体となって第2の接合部3が形成される。溶融状態の第2の接合部3は、表面張力に起因する整列機能を発揮する。これにより、零次整列に引き続き、一次整列が実施される。一次整列後の第1の素子本体11と第2の素子本体31とのずれ量、すなわち、接合精度は、1μm程度であった。   When the reflow in the reducing atmosphere is started by the flip chip bonder, the second molten metal layer 15 and the fourth molten metal interposed between the first alignment terminal 13 and the second alignment terminal 33 are used. Layer 35 begins to melt. At this time, as shown in FIG. 9C and FIG. 10, the first molten metal layer 14 and the third molten metal layer 34 are separated from each other, and the molten second molten metal layer is formed. 15 and the 4th molten metal layer 35 are united, and the 2nd junction part 3 is formed. The molten second joint 3 exhibits an alignment function due to surface tension. Thereby, the primary alignment is performed following the zero-order alignment. The amount of deviation between the first element body 11 and the second element body 31 after the primary alignment, that is, the bonding accuracy was about 1 μm.

そして、リフローを継続すると、溶融した第2の溶融金属層15と第4の溶融金属層35、すなわち、第2の接合部3が第1の位置合わせ端子13が備える溝状の溶融金属含浸部13bに含浸される。溶融状態の第2の接合部3は、毛細管現象によって溶融金属含浸部13bに含浸される。この結果、第2の接合部3の高さが低くなり、第1の電極形成面11aと第2の電極形成面31aとが接近し、第1の溶融金属層14と第3の溶融金属層34とが接触する。すなわち、第1の電極端子12と第2の電極端子32とが第1の溶融金属層14と第3の溶融金属層34とを介して接触する。溶融した第1の溶融金属層14と第3の溶融金属層34とが一体となって第1の接合部2が形成される。溶融状態の第1の接合部2は、表面張力に起因する整列機能を発揮する。これにより、一次整列に引き続き、二次整列が実施される。表面張力に起因する整列機能は、各電極端子において発揮される。二次整列後の第1の素子本体11と第2の素子本体31とのずれ量、すなわち、接合精度は、1μm以下であった。   When the reflow is continued, the melted second molten metal layer 15 and the fourth molten metal layer 35, that is, the groove-shaped molten metal impregnated portion provided in the first alignment terminal 13 in the second bonding portion 3. 13b is impregnated. The molten second joint 3 is impregnated in the molten metal impregnated portion 13b by capillary action. As a result, the height of the second bonding portion 3 is reduced, the first electrode forming surface 11a and the second electrode forming surface 31a approach each other, and the first molten metal layer 14 and the third molten metal layer. 34 comes into contact. That is, the first electrode terminal 12 and the second electrode terminal 32 are in contact with each other via the first molten metal layer 14 and the third molten metal layer 34. The melted first molten metal layer 14 and the third molten metal layer 34 are integrated to form the first joint 2. The molten first joint 2 exhibits an alignment function due to surface tension. Thereby, secondary alignment is implemented following primary alignment. The alignment function resulting from the surface tension is exhibited at each electrode terminal. The amount of deviation between the first element body 11 and the second element body 31 after the secondary alignment, that is, the bonding accuracy was 1 μm or less.

以上の工程を経ることで、図9(E)に示す電子装置1を得ることができる。電子装置1は、複数回の整列の調整が行われることで、精度の高い位置合わせが行われている。   Through the above steps, the electronic device 1 shown in FIG. 9E can be obtained. The electronic device 1 is aligned with high accuracy by adjusting the alignment a plurality of times.

本実施形態の電子装置1は、溶融金属の表面張力を利用した複数回の調整過程を行うことで、光学的な位置合わせ精度以上の接合精度が実現し、狭ピッチの電極接続端子の接合が確実に行うことができ、信頼性の高い接合部が提供できる。本実施形態は、例えば、チップに予めシリコン貫通ビア(Through Silicon Via)を形成した半導体素子やインターポーザを用いて、3次元、2.5次元実装等の高密度実装にも適用できる。   The electronic device 1 of the present embodiment realizes a joining accuracy that is higher than the optical alignment accuracy by performing a plurality of adjustment processes using the surface tension of the molten metal, and can join the electrode connection terminals with a narrow pitch. This can be performed reliably and a highly reliable joint can be provided. The present embodiment can also be applied to high-density mounting such as three-dimensional and 2.5-dimensional mounting by using, for example, a semiconductor element or an interposer in which a through silicon via is previously formed on a chip.

(変形例)
図3(A)に示すように、本実施形態の溶融金属含浸部13bは、十字状に設けられている。溶融金属含浸部13bは、溶融金属を含浸して第2の接合部3の高さを調整する機能を有する。このため、電極占有率を調整し、溶融金属の含浸量を調整することで、適切な表面張力を発揮させ、精度の高い自己整列性を得ることができる。そこで、図12(A)に示すように、扇形状の中心部分の四か所に溝の拡張部13b1を設けることで、溶融金属の含浸量を増量することができる。また、図12(A)に示す例ほどは溶融金属の含浸量を増量しなくてもよい場合には、例えば、図12(B)に示すように、扇形状の中心部分の二か所に溝の拡張部13b1を設けるようにしてもよい。溝の形状は、これらの形状に限定されるものではなく、溶融金属の必要な含浸量を実現することができる形状とすることができる。
(Modification)
As shown in FIG. 3A, the molten metal impregnated portion 13b of the present embodiment is provided in a cross shape. The molten metal impregnated portion 13b has a function of adjusting the height of the second joint portion 3 by impregnating the molten metal. For this reason, by adjusting the electrode occupation ratio and adjusting the amount of impregnation of the molten metal, an appropriate surface tension can be exhibited, and highly accurate self-alignment can be obtained. Therefore, as shown in FIG. 12 (A), the amount of impregnation of the molten metal can be increased by providing groove expansion portions 13b1 at four locations in the central portion of the fan shape. Further, in the case where it is not necessary to increase the amount of molten metal impregnation as much as the example shown in FIG. 12A, for example, as shown in FIG. You may make it provide the expansion part 13b1 of a groove | channel. The shape of the groove is not limited to these shapes, and can be a shape capable of realizing a necessary impregnation amount of the molten metal.

以上本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。   Although the preferred embodiment of the present invention has been described in detail above, the present invention is not limited to the specific embodiment, and various modifications, within the scope of the gist of the present invention described in the claims, It can be changed.

なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
(付記1) 第1の素子本体が備える第1の電極形成面に設けられ、第1の溶融金属接合面を有する第1の電極端子と、
前記第1の電極形成面に設けられ、溝状の溶融金属含浸部を備えた第2の溶融金属接合面を有する第1の位置合わせ端子と、
を備えた電子部品。
(付記2) 前記第1の溶融金属接合面に第1の溶融金属層が形成され、前記第2の溶融金属接合面に第2の溶融金属層が形成された付記1に記載の電子部品。
(付記3) 前記第1の電極形成面から前記第2の溶融金属層の頂部までの高さは、前記第1の電極形成面から前記第1の溶融金属層の頂部までの高さよりも高い付記2に記載の電子部品。
(付記4) 前記第2の溶融金属接合面の直径は、前記第1の溶融金属接合面の直径よりも大きい付記1乃至3のいずれか一項に記載の電子部品。
(付記5) 第1の素子本体が備える第1の電極形成面に第1の電極端子と第1の位置合わせ端子とを備えた第1の電子部品と、
第2の素子本体が備える第2の電極形成面に第2の電極端子と第2の位置合わせ端子とを備えた第2の電子部品と、
第1の溶融金属層によって形成され、前記第1の電極端子と前記第2の電極端子とを接合する第1の接合部と、
第2の溶融金属層によって形成され、前記第1の位置合わせ端子と前記第2の位置合わせ端子とを接合する第2の接合部と、を備え、
前記第2の接合部は、前記第1の位置合わせ端子が有する溝状の溶融金属含浸部に入り込んでいる電子装置。
(付記6) 前記第1の電極端子は、第1の溶融金属接合面に第1の溶融金属層が形成され、前記第1の位置合わせ端子は、第2の溶融金属接合面に第2の溶融金属層が形成された付記5に記載の電子装置。
(付記7) 前記第1の電極形成面から前記第2の溶融金属層の頂部までの高さは、前記第1の電極形成面から前記第1の溶融金属層の頂部までの高さよりも高い付記6に記載の電子装置。
(付記8) 前記第2の溶融金属接合面の直径は、前記第1の溶融金属接合面の直径よりも大きい付記6又は7に記載の電子装置。
(付記9) 第1の電極端子と第1の位置合わせ端子を備える第1の電子部品と、第2の電極端子と第2の位置合わせ端子を備える第2の電子部品とを、前記第1の電極端子と前記第2の電極端子との間に第1の接合部を介在させ、前記第1の位置合わせ端子と前記第2の位置合わせ端子との間に第2の接合部を介在させて接合する電子装置の製造方法であって、
前記第1の電極端子と前記第2の電極端子との間に電極端子間溶融金属層を設け、前記第1の位置合わせ端子と前記第2の位置合わせ端子との間に位置合わせ端子間溶融金属層を設けた状態で前記第1の電子部品と前記第2の電子部品とを対向配置する工程と、
前記第1の位置合わせ端子と前記第2の位置合わせ端子とを前記位置合わせ端子間溶融金属層を介して接触させる工程と、
前記位置合わせ端子間溶融金属層を溶融し、前記第2の接合部を形成しつつ、一次整列を行う工程と、
溶融状態の前記第2の接合部を前記第1の位置合わせ端子が備える溝状の溶融金属含浸部に含浸させつつ、前記電極端子間溶融金属層を介して接触させる工程と、
溶融した前記電極端子間溶融金属層により前記第1の接合部を形成しつつ、二次整列を行う工程と、
を有する電子装置の製造方法。
In addition, the following additional notes are disclosed regarding the above description.
(Additional remark 1) The 1st electrode terminal which is provided in the 1st electrode formation surface with which the 1st element body is provided, and has the 1st molten metal joined surface,
A first alignment terminal provided on the first electrode forming surface and having a second molten metal joint surface provided with a groove-shaped molten metal impregnated portion;
With electronic components.
(Additional remark 2) The electronic component of Additional remark 1 by which the 1st molten metal layer was formed in the said 1st molten metal joining surface, and the 2nd molten metal layer was formed in the said 2nd molten metal joining surface.
(Additional remark 3) The height from the said 1st electrode formation surface to the top part of the said 2nd molten metal layer is higher than the height from the said 1st electrode formation surface to the top part of the said 1st molten metal layer The electronic component according to appendix 2.
(Supplementary note 4) The electronic component according to any one of supplementary notes 1 to 3, wherein a diameter of the second molten metal joint surface is larger than a diameter of the first molten metal joint surface.
(Additional remark 5) The 1st electronic component provided with the 1st electrode terminal and the 1st alignment terminal in the 1st electrode formation surface with which the 1st element body is provided,
A second electronic component comprising a second electrode terminal and a second alignment terminal on a second electrode forming surface provided in the second element body;
A first joining portion formed by a first molten metal layer and joining the first electrode terminal and the second electrode terminal;
A second joining portion that is formed by a second molten metal layer and joins the first alignment terminal and the second alignment terminal;
The electronic device in which the second joint portion enters a groove-shaped molten metal impregnation portion of the first alignment terminal.
(Additional remark 6) As for the said 1st electrode terminal, the 1st molten metal layer is formed in the 1st molten metal joint surface, and the said 1st alignment terminal is the 2nd on a 2nd molten metal joint surface. The electronic device according to appendix 5, wherein a molten metal layer is formed.
(Supplementary Note 7) The height from the first electrode formation surface to the top of the second molten metal layer is higher than the height from the first electrode formation surface to the top of the first molten metal layer. The electronic device according to attachment 6.
(Supplementary note 8) The electronic device according to supplementary note 6 or 7, wherein a diameter of the second molten metal joint surface is larger than a diameter of the first molten metal joint surface.
(Supplementary Note 9) A first electronic component including a first electrode terminal and a first alignment terminal, and a second electronic component including a second electrode terminal and a second alignment terminal are the first electronic component. A first joint between the electrode terminal and the second electrode terminal, and a second joint between the first alignment terminal and the second alignment terminal. A method of manufacturing an electronic device to be joined,
An inter-electrode molten metal layer is provided between the first electrode terminal and the second electrode terminal, and the inter-alignment terminal melting is performed between the first alignment terminal and the second alignment terminal. A step of disposing the first electronic component and the second electronic component opposite to each other in a state where a metal layer is provided;
Contacting the first alignment terminal and the second alignment terminal through the molten metal layer between the alignment terminals;
Melting the molten metal layer between the alignment terminals and performing the primary alignment while forming the second joint portion;
A step of contacting the molten metal impregnated portion of the first alignment terminal through the molten metal layer between the electrode terminals while impregnating the molten second impregnated portion with the groove-shaped molten metal impregnated portion provided in the first alignment terminal;
Performing a secondary alignment while forming the first joint with the molten metal layer between the electrode terminals,
Manufacturing method of electronic device having

1 電子装置
2 第1の接合部
3 第2の接合部
10 第1の電子部品
11 第1の素子本体
11a 第1の電極形成面
12 第1の電極端子
12a 第1の溶融金属接合面
13 第1の位置合わせ端子
13a 第2の溶融金属接合面
13b 溶融金属含浸部
14 第1の溶融金属層
15 第2の溶融金属層
30 第2の電子部品
31 第2の素子本体
31a 第2の電極形成面
32 第2の電極端子
33 第2の位置合わせ端子
34 第3の溶融金属層
35 第4の溶融金属層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electronic device 2 1st junction part 3 2nd junction part 10 1st electronic component 11 1st element main body 11a 1st electrode formation surface 12 1st electrode terminal 12a 1st molten metal junction surface 13 1st 1 alignment terminal 13a 2nd molten metal joint surface 13b molten metal impregnation part 14 1st molten metal layer 15 2nd molten metal layer 30 2nd electronic component 31 2nd element main body 31a 2nd electrode formation Surface 32 Second electrode terminal 33 Second alignment terminal 34 Third molten metal layer 35 Fourth molten metal layer

Claims (6)

第1の素子本体が備える第1の電極形成面に設けられ、第1の溶融金属接合面を有する第1の電極端子と、
前記第1の電極形成面に設けられ、溝状の溶融金属含浸部を備えた第2の溶融金属接合面を有する第1の位置合わせ端子と、
を備えた電子部品。
A first electrode terminal provided on a first electrode forming surface provided in the first element body and having a first molten metal bonding surface;
A first alignment terminal provided on the first electrode forming surface and having a second molten metal joint surface provided with a groove-shaped molten metal impregnated portion;
With electronic components.
前記第1の溶融金属接合面に第1の溶融金属層が形成され、前記第2の溶融金属接合面に第2の溶融金属層が形成された請求項1に記載の電子部品。   The electronic component according to claim 1, wherein a first molten metal layer is formed on the first molten metal bonding surface, and a second molten metal layer is formed on the second molten metal bonding surface. 前記第1の電極形成面から前記第2の溶融金属層の頂部までの高さは、前記第1の電極形成面から前記第1の溶融金属層の頂部までの高さよりも高い請求項2に記載の電子部品。   The height from the first electrode formation surface to the top of the second molten metal layer is higher than the height from the first electrode formation surface to the top of the first molten metal layer. The electronic component described. 前記第2の溶融金属接合面の直径は、前記第1の溶融金属接合面の直径よりも大きい請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子部品。   4. The electronic component according to claim 1, wherein a diameter of the second molten metal bonding surface is larger than a diameter of the first molten metal bonding surface. 5. 第1の素子本体が備える第1の電極形成面に第1の電極端子と第1の位置合わせ端子とを備えた第1の電子部品と、
第2の素子本体が備える第2の電極形成面に第2の電極端子と第2の位置合わせ端子とを備えた第2の電子部品と、
第1の溶融金属層によって形成され、前記第1の電極端子と前記第2の電極端子とを接合する第1の接合部と、
第2の溶融金属層によって形成され、前記第1の位置合わせ端子と前記第2の位置合わせ端子とを接合する第2の接合部と、を備え、
前記第2の接合部は、前記第1の位置合わせ端子が有する溝状の溶融金属含浸部に入り込んでいる電子装置。
A first electronic component comprising a first electrode terminal and a first alignment terminal on a first electrode forming surface provided in the first element body;
A second electronic component comprising a second electrode terminal and a second alignment terminal on a second electrode forming surface provided in the second element body;
A first joining portion formed by a first molten metal layer and joining the first electrode terminal and the second electrode terminal;
A second joining portion that is formed by a second molten metal layer and joins the first alignment terminal and the second alignment terminal;
The electronic device in which the second joint portion enters a groove-shaped molten metal impregnation portion of the first alignment terminal.
第1の電極端子と第1の位置合わせ端子を備える第1の電子部品と、第2の電極端子と第2の位置合わせ端子を備える第2の電子部品とを、前記第1の電極端子と前記第2の電極端子との間に第1の接合部を介在させ、前記第1の位置合わせ端子と前記第2の位置合わせ端子との間に第2の接合部を介在させて接合する電子装置の製造方法であって、
前記第1の電極端子と前記第2の電極端子との間に電極端子間溶融金属層を設け、前記第1の位置合わせ端子と前記第2の位置合わせ端子との間に位置合わせ端子間溶融金属層を設けた状態で前記第1の電子部品と前記第2の電子部品とを対向配置する工程と、
前記第1の位置合わせ端子と前記第2の位置合わせ端子とを前記位置合わせ端子間溶融金属層を介して接触させる工程と、
前記位置合わせ端子間溶融金属層を溶融し、前記第2の接合部を形成しつつ、一次整列を行う工程と、
溶融状態の前記第2の接合部を前記第1の位置合わせ端子が備える溝状の溶融金属含浸部に含浸させつつ、前記電極端子間溶融金属層を介して接触させる工程と、
溶融した前記電極端子間溶融金属層により前記第1の接合部を形成しつつ、二次整列を行う工程と、
を有する電子装置の製造方法。
A first electronic component comprising a first electrode terminal and a first alignment terminal; a second electronic component comprising a second electrode terminal and a second alignment terminal; and the first electrode terminal Electrons that are joined by interposing a first joint between the second electrode terminal and a second joint between the first alignment terminal and the second alignment terminal. A device manufacturing method comprising:
An inter-electrode molten metal layer is provided between the first electrode terminal and the second electrode terminal, and the inter-alignment terminal melting is performed between the first alignment terminal and the second alignment terminal. A step of disposing the first electronic component and the second electronic component opposite to each other in a state where a metal layer is provided;
Contacting the first alignment terminal and the second alignment terminal through the molten metal layer between the alignment terminals;
Melting the molten metal layer between the alignment terminals and performing the primary alignment while forming the second joint portion;
A step of contacting the molten metal impregnated portion of the first alignment terminal through the molten metal layer between the electrode terminals while impregnating the molten second impregnated portion with the groove-shaped molten metal impregnated portion provided in the first alignment terminal;
Performing a secondary alignment while forming the first joint with the molten metal layer between the electrode terminals,
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