JP2019153771A - エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ESiO2=0.61×10−12nFST1/2e−1892/T …(1)
(1)式において、nFSはフッ素原子の密度(cm−3)であり、T(K)はシリコン酸化膜の温度である。
・チャンバ本体12の内部空間の圧力:40mTorr(5.333Pa)
・第1の高周波:100MHz、4.8kW
・第2の高周波:0.4MHz、5kW
・処理ガス
H2ガスの流量:150sccm
SF6ガスの流量:40sccm
・被加工物の温度:−60℃
・処理時間:150秒
・チャンバ本体12の内部空間の圧力:40mTorr(5.333Pa)
・第1の高周波:100MHz、4.8kW
・第2の高周波:0.4MHz、5kW
・処理ガス
H2ガスの流量:120sccm
フッ素含有ガスの流量:80sccm
HIガスの流量:5sccm
・被加工物の温度:−60℃
・処理時間:150秒
Claims (11)
- 酸化シリコン及び窒化シリコンの少なくとも一方から形成されたシリコン含有膜のエッチング方法であって、
前記シリコン含有膜及び該シリコン含有膜上に設けられたマスクを有する被加工物をプラズマ処理装置のチャンバ本体内に準備する工程であり、該マスクには開口が形成されている、該工程と、
前記シリコン含有膜をエッチングする工程であり、該シリコン含有膜をエッチングするために、フッ素、水素、及びヨウ素を含有する処理ガスのプラズマが前記チャンバ本体内で生成され、前記被加工物の温度が0℃以下の温度に設定される、該工程と、
を含む、エッチング方法。 - 前記処理ガスは、ヨウ素含有ガスを含む、請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記シリコン含有膜をエッチングする前記工程において前記チャンバ本体内に供給される前記処理ガスの全流量に対する前記ヨウ素含有ガスの流量の割合は2.5%以上である、
請求項2に記載のエッチング方法。 - 前記ヨウ素含有ガスは、HIガス、CF3Iガス、C2F5Iガス、C3F7Iガス、IF5ガス、IF7ガス、及びI2ガスからなる群より選ばれる少なくとも一種のガスを含む、請求項2又は3に記載のエッチング方法。
- 前記シリコン含有膜をエッチングする前記工程は、
フッ素含有ガスを含む前記処理ガスのプラズマにより、前記シリコン含有膜を部分的にエッチングする工程と、
添加ガスを更に含む前記処理ガスのプラズマにより、前記シリコン含有膜を更にエッチングする工程と、
を含み、
前記添加ガスは、フッ素を含む分子を含有し、該添加ガスに含まれる該分子におけるフッ素の結合エネルギーは、前記フッ素含有ガス中の分子におけるフッ素の結合エネルギーよりも低い、
請求項1〜4の何れか一項に記載のエッチング方法。 - 前記シリコン含有膜を更にエッチングする前記工程は、該シリコン含有膜に形成される開口のアスペクト比が40以上になっているときに実行される、請求項5に記載のエッチング方法。
- 前記シリコン含有膜を部分的にエッチングする前記工程の実行中に前記チャンバ本体内で生成される前記プラズマの発光のシリコンに対応した波長の発光強度に基づき、前記シリコン含有膜からシリコンが放出されていないと判断される場合に、前記シリコン含有膜を更にエッチングする前記工程が開始される、請求項5に記載のエッチング方法。
- 前記処理ガスは、炭素を更に含有する請求項1〜7の何れか一項に記載のエッチング方法。
- 前記シリコン含有膜は、交互に積層された複数のシリコン酸化膜と複数のシリコン窒化膜を含む、請求項1〜8の何れか一項に記載のエッチング方法。
- 前記マスクは、炭素を含有する、請求項1〜9の何れか一項に記載のエッチング方法。
- 前記マスクは、タングステンを含有する、請求項1〜9の何れか一項に記載のエッチング方法。
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US16/778,676 US11101138B2 (en) | 2017-09-01 | 2020-01-31 | Etching method |
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JP2017168789 | 2017-09-01 | ||
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JP2017050529A (ja) * | 2015-08-12 | 2017-03-09 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチング方法 |
JP2017117883A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
-
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- 2018-08-30 JP JP2018161816A patent/JP7181734B2/ja active Active
Patent Citations (3)
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JPH1187324A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法 |
JP2017050529A (ja) * | 2015-08-12 | 2017-03-09 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチング方法 |
JP2017117883A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
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