JP2019134387A - 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 134
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 95
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 114
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 101000927796 Homo sapiens Rho guanine nucleotide exchange factor 7 Proteins 0.000 description 8
- 102100033200 Rho guanine nucleotide exchange factor 7 Human genes 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] Chemical compound [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 4
- 101100270417 Homo sapiens ARHGEF6 gene Proteins 0.000 description 3
- 102100033202 Rho guanine nucleotide exchange factor 6 Human genes 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T7/00—Details of radiation-measuring instruments
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/68—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/32—Transforming X-rays
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Surgery (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】対象画素の補正を精度良く行うための技術を提供する。【解決手段】画像処理装置は、補正対象画素を含む放射線画像を取得する取得部と、補正対象画素について、互いに交差する2つの方向のそれぞれの優先度を算出する算出部と、補正対象画素に対して優先度が高い方向にある画素の画素値に大きい重みを割り当て、補正対象画素に対して優先度が低い方向にある画素の画素値に小さい重みを割り当てることによって、補正対象画素の画素値を決定する決定部とを備え、算出部は、2つの方向のそれぞれの優先度の算出において、2つの方向のうち算出対象の方向を第1方向とし、他方の方向を第2方向とした場合に、補正対象画素に隣接した第1画素と、第1方向において第1画素に隣接した第2画素と、補正対象画素を通り第2方向に延びる直線に対して第1画素又は第2画素の反対側にある第3画素とを含む複数の画素の画素値を用いる。【選択図】図6
Description
本発明は、画像処理装置、画像処理方法及びプログラムに関する。
医療画像診断や非破壊検査に用いる撮像装置として、放射線を電荷に変換する変換素子と薄膜トランジスタ(TFT)などのスイッチ素子とを組み合わせた画素がアレイ状に配された撮像パネルを含む放射線撮像装置が利用されている。このような放射線撮像装置では、変換素子やスイッチ素子の異常により、正常な信号を出力しない欠陥画素が存在する。また、変換素子の上部に遮光層を設けてオプティカルブラック画素を作ることも行われている。特許文献1には、このような欠陥画素やオプティカルブラック画素を画像処理によって補正する技術が記載されている。
特許文献1では、対象画素の補正を行う際に優先する画素の方向を決定するために曲率情報を用いる。曲率情報は、補正対象画素から1画素離れた画素の情報を使用して算出される。そのため、高周波成分が多い画像に対して補正方向の算出を正しく行えないことがある。本発明は、対象画素の補正を精度良く行うための技術を提供することを目的とする。
上記課題に鑑みて、画像処理装置であって、補正対象画素を含む放射線画像を取得する取得手段と、前記補正対象画素について、互いに交差する2つの方向のそれぞれの優先度を算出する算出手段と、前記補正対象画素に対して前記優先度が高い方向にある画素の画素値に大きい重みを割り当て、前記補正対象画素に対して前記優先度が低い方向にある画素の画素値に小さい重みを割り当てることによって、前記補正対象画素の画素値を決定する決定手段とを備え、前記算出手段は、前記2つの方向のそれぞれの前記優先度の算出において、前記2つの方向のうち算出対象の方向を第1方向とし、他方の方向を第2方向とした場合に、前記補正対象画素に隣接した第1画素と、前記第1方向において前記第1画素に隣接した第2画素と、前記補正対象画素を通り前記第2方向に延びる直線に対して前記第1画素又は前記第2画素の反対側にある第3画素とを含む複数の画素の画素値を用いることを特徴とする画像処理装置が提供される。
上記手段により、対象画素の補正を精度良く行うための技術が提供される。
<第1実施形態>
以下、本発明に係る放射線撮像装置の具体的な実施形態を、添付図面を参照して説明する。以下の説明及び図面において、複数の図面にわたって共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。本明細書における放射線は、放射線崩壊によって放出される粒子(光子を含む)の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギーを有するビーム、例えばX線や粒子線、宇宙線なども含みうる。
以下、本発明に係る放射線撮像装置の具体的な実施形態を、添付図面を参照して説明する。以下の説明及び図面において、複数の図面にわたって共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。本明細書における放射線は、放射線崩壊によって放出される粒子(光子を含む)の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギーを有するビーム、例えばX線や粒子線、宇宙線なども含みうる。
図1〜7を参照して、第1実施形態による放射線撮像装置の構成および動作について説明する。図1は、第1実施形態における放射線撮像装置210を用いた放射線撮像システム200の構成例を示す図である。放射線撮像システム200は、放射線から変換される光学像を電気的に撮像し、放射線画像を生成するための電気的な信号(放射線画像データ)を得るように構成される。放射線撮像システム200は、例えば、放射線撮像装置210、放射線源230、曝射制御部220およびコンピュータ240を含む。
放射線源230は、曝射制御部220からの曝射指令(放射指令)に従って放射線の放射を開始する。放射線源230から放射された放射線は、不図示の被検体を通って放射線撮像装置210に照射される。放射線源230はまた、曝射制御部220からの停止指令に従って放射線の放射を停止する。
放射線撮像装置210は、撮像パネル212と、撮像パネル212を制御する制御部214とを含む。制御部214は、撮像パネル212から得られる信号に基づいて、放射線源230からの放射線の放射を停止させるための停止信号を発生する。停止信号は、曝射制御部220に供給される。曝射制御部220は、停止信号に応答して、放射線源230に対して停止指令を送る。制御部214は、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Array)などのPLD(Programmable Logic Device)、又は、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。
コンピュータ240は、放射線撮像装置210および曝射制御部220を制御する。また、コンピュータ240は、放射線撮像装置210から出力される放射線画像データを受信し、放射線画像データを処理することによって、放射線画像を生成する。そのため、コンピュータ240は、画像処理装置として機能する。コンピュータ240は、プロセッサ241とメモリ242とを備える。プロセッサ241は、コンピュータ240の全体の動作を制御するCPUとして機能する。プロセッサ241は上述の放射線撮像装置210および曝射制御部220の制御や、放射線画像の生成を行う。メモリ242は、プログラムを保持する。メモリ242に保持されたプログラムをプロセッサ241が実行することによって、コンピュータ240による処理が行われる。
曝射制御部220は、一例として曝射スイッチ(不図示)を有し、ユーザによって曝射スイッチがオンされると、曝射指令を放射線源230に送るほか、放射線の放射の開始を示す開始通知をコンピュータ240に送る。該開始通知を受けたコンピュータ240は、該開始通知に応答して、放射線の放射の開始を放射線撮像装置210の制御部214に通知する。
図2に、撮像パネル212の構成例が示される。撮像パネル212は、画素アレイ112を備える。画素アレイ112は、放射線を検出するための2次元アレイ状に配された変換素子S11〜S44(以下、変換素子Sと総称する)と、スイッチ素子T11〜T44(以下、スイッチ素子Tと総称する)とを含む複数の画素PIXを備える。また、画素アレイ112は、変換素子Sで生成された信号を出力するための列方向(図2の縦方向)に沿った複数の列信号線Sig1〜Sig4を有する。さらに、撮像パネル212は、画素アレイ112を駆動する駆動回路(行選択回路)114、および、画素アレイ112の列信号線Sigに現れる信号を検出するための読出回路113を備える。図2に示す構成では、記載の簡単化のために、画素アレイ112は、4行×4列の画素PIXで構成されているが、実際には、より多くの画素PIXが配列されうる。一例において、撮像パネル212は、17インチの寸法を有し、約3000行×約3000列の画素PIXを有しうる。
それぞれの画素PIXは、放射線を検出するための変換素子Sと、変換素子Sと列信号線Sig(複数の信号線Sigのうち変換素子Sに対応する信号線Sig)とを接続するスイッチ素子Tとを含む。それぞれの変換素子Sは、入射した放射線の量に対応する信号を列信号線Sigに出力する。変換素子Sは、例えば、ガラス基板等の絶縁性基板上に配置されアモルファスシリコンを主材料とするMIS型フォトダイオードであってもよい。また、変換素子Sは、PIN型フォトダイオードであってもよい。本実施形態において、変換素子Sは、放射線をシンチレータ層で光に変換した後に、光を検出する間接型の素子として構成されうる。間接型の素子において、シンチレータ層は、複数の画素PIX(複数の変換素子S)によって共有されうる。
スイッチ素子Tは、例えば、制御端子(ゲート)と2つの主端子(ソース、ドレイン)とを有する薄膜トランジスタ(TFT)などのトランジスタによって構成されうる。変換素子Sは、2つの主電極を有し、変換素子Sの一方の主電極は、スイッチ素子Tの2つの主端子のうちの一方に接続され、変換素子Sの他方の主電極は、共通のバイアス線Bsを介してバイアス電源に接続されている。バイアス電源は、バイアス電圧を供給する。第1行に配されるそれぞれの画素PIXのスイッチ素子Tの制御端子は、行方向(図2の横方向)に沿って配されたゲート線Vg1に接続される。同様に、第2〜4行に配されるそれぞれの画素PIXのスイッチSの制御端子は、それぞれゲート線Vg2〜Vg4に接続される。ゲート線Vg1〜Vg4には、駆動回路114によってゲート信号が供給される。
第1列に配されるそれぞれの画素PIXは、スイッチ素子Tの変換素子Sと接続されない側の主端子が、第1列の列信号線Sig1に接続さる。同様に、第2〜4列に配されるそれぞれの画素PIXは、スイッチ素子Tの変換素子Sと接続されない側の主端子が、それぞれ第2〜4列の列信号線Sig2〜Sig4に接続される。
読出回路113は、1つの列信号線Sigに1つの列増幅部CAが対応するように複数の列増幅部CAを有する。それぞれの列増幅部CAは、積分増幅器105、可変増幅器104、サンプルホールド回路107、バッファ回路106を含みうる。積分増幅器105は、列信号線Sigに現れた信号を増幅する。積分増幅器105は、演算増幅器と、演算増幅器の反転入力端子と出力端子との間に並列に接続された積分容量およびリセットスイッチとを含みうる。演算増幅器の非反転入力端子には、基準電位Vrefが供給される。リセットスイッチをオンさせることによって積分容量がリセットされるとともに、列信号線Sigの電位が基準電位Vrefにリセットされる。リセットスイッチは、制御部214から供給されるリセットパルスRCによって制御されうる。
可変増幅器104は、積分増幅器105から出力された信号を設定された増幅率で増幅する。サンプルホールド回路107は、可変増幅器104から出力された信号をサンプルホールドする。サンプルホールド回路107は、サンプリングスイッチとサンプリング容量とによって構成されうる。バッファ回路106は、サンプルホールド回路107から出力された信号をバッファリング(インピーダンス変換)して出力する。サンプリングスイッチは、制御部214から供給されるサンプリングパルスSHによって制御されうる。
また、読出回路113は、それぞれの列信号線Sigに対応するように設けられた複数の列増幅部CAからの信号を所定の順序で選択して出力するマルチプレクサ108を含む。マルチプレクサ108は、例えば、シフトレジスタを含む。シフトレジスタは、制御部214から供給されるクロック信号CLKに従ってシフト動作を行い、シフトレジスタによって複数の列増幅部CAからの1つの信号が選択される。読出回路113は、さらに、マルチプレクサ108から出力される信号をバッファリング(インピーダンス変換)するバッファ109、および、バッファ109から出力される信号であるアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換器110を含みうる。AD変換器110の出力、即ち、放射線画像データは、コンピュータ240に転送される。
図3に、変換素子Sを有する画素PIXの断面構造の一例が模式的に示される。ここでは、図面の上側から放射線を入射させる構成について説明するが、図面の下側から放射線を入射させてもよい。
それぞれの画素PIXの変換素子Sは、ガラス基板などの絶縁性を有する基板310の上に配される。それぞれ画素PIXは、基板310の上に、導電層311、絶縁層312、半導体層313、不純物半導体層314および導電層315を、基板310に近い方から順番に含む。導電層311は、スイッチ素子Tを構成するトランジスタ(例えばTFT)のゲート電極を構成する。絶縁層312は、導電層311を覆うように配置され、半導体層313は、絶縁層312を介して導電層311のうちゲート電極を構成する部分の上に配されている。不純物半導体層314は、スイッチ素子Tを構成するトランジスタの2つの主端子(ソース、ドレイン)を構成するように半導体層313の上に配されている。導電層315は、スイッチ素子Tを構成するトランジスタの2つの主端子(ソース、ドレイン)にそれぞれ接続された配線パターンを構成している。導電層315の一部は、列信号線Sigを構成し、他の一部は、変換素子Sとスイッチ素子Tとを接続するための配線パターンを構成する。
それぞれの画素PIXは、さらに、絶縁層312および導電層315を覆う層間絶縁膜316を含む。層間絶縁膜316には、導電層315のうちスイッチ素子Tを構成する部分と接続するためのコンタクトプラグ317が設けられている。また、それぞれの画素PIXは、層間絶縁膜316の上に配された変換素子Sを含む。図3に示される例では、変換素子Sは、シンチレータ層904で放射線から変換された光を電気信号に変換する間接型の変換素子として構成されている。変換素子Sは、層間絶縁膜316の上に積層された導電層318、絶縁層319、半導体層320、不純物半導体層321、導電層322、電極層325を含む。変換素子Sの上には、保護層323および接着層324が配される。シンチレータ層904は、接着層324の上に、基板310の入射面の側を覆うように配される。
導電層318は、個別の変換素子Sの下部電極を構成する。また、導電層322および電極層325は、個別の変換素子Sの上部電極を構成する。導電層318、絶縁層319、半導体層320、不純物半導体層321、および、導電層322は、変換素子SとしてMIS型センサを構成している。例えば、不純物半導体層321は、n型の不純物半導体層で形成される。
シンチレータ層904は、GOS(酸硫化ガドリニウム)やCsI(ヨウ化セシウム)などの材料を用いて構成されうる。これらの材料は、貼り合わせや印刷、蒸着などによって形成されうる。
本実施形態において、変換素子Sは、MIS型のセンサを用いる例を示しているが、これに限定されることはない。変換素子Sは、例えば、pn型やPIN型のフォトダイオードであってもよい。
次いで、図4を参照しながら放射線撮像装置210および放射線撮像システム200の動作を説明する。ここでは、図2に示される、それぞれ変換素子Sを備える4行4列の画素PIXを含む撮像パネル212を有する放射線撮像装置210の動作を例に説明する。放射線撮像システム200の動作は、コンピュータ240によって制御される。放射線撮像装置210の動作は、コンピュータ240による制御の下で、制御部214によって制御される。
まず、放射線源230からの放射線の放射、換言すると、放射線撮像装置210への放射線の照射が開始されるまで、制御部214は、駆動回路114および読出回路113にリセット動作を実施させる。リセット動作とは、駆動回路114が画素アレイ112のそれぞれの行のゲート線Vg1〜Vg4に供給されるゲート信号を順にアクティブレベルに駆動し、変換素子Sに蓄積されているダーク電荷をリセットする動作のことである。ここで、リセット動作の際、積分増幅器105のリセットスイッチには、アクティブレベルのリセットパルスRCが供給され、列信号線Sigが基準電位にリセットされる。ダーク電荷とは、変換素子Sに放射線が入射しないにも関わらず発生する電荷のことである。
制御部214は、例えば、曝射制御部220からコンピュータ240を介して供給される開始通知に基づいて、放射線源230からの放射線の放射の開始を認識することができる。また、放射線撮像装置210に画素アレイ112のバイアス線Bsまたは列信号線Sigなどを流れる電流を検出する検出回路が設けられてもよい。制御部214は、検出回路の出力に基づいて放射線源230からの放射線の照射の開始を認識することができる。
放射線が照射されると、制御部214は、スイッチ素子Tを開かれた状態(オフ状態)に制御する。これによって、放射線の照射によって変換素子Sに発生した電荷が蓄積される。放射線の照射が終了まで、制御部214は、この状態で待機する。
次に、制御部214は、駆動回路114および読出回路113に読出し動作を実行させる。読出し動作とは、駆動回路114が、画素アレイ112のそれぞれの行のゲート線Vg1〜Vg4に供給されるゲート信号をアクティブレベルに駆動する動作のことである。そして、読出回路113は、列信号線Sigを介して変換素子Sに蓄積されている電荷を読み出し、マルチプレクサ108、バッファ109およびAD変換器110を通して放射線画像データとしてコンピュータ240に出力する。
次にオフセット画像データの取得について説明する。変換素子Sは、放射線を照射しない状態においても、ダーク電荷が溜まり続ける。このため、制御部214は、放射線を照射せずに放射線画像データを取得する際と同様の動作を行うことによって、オフセット画像データを取得する。放射線画像データからオフセット画像データを引き算することで、ダーク電荷によるオフセット成分を除去できる。
次に、本実施形態における画像処理フローについて、図5を用いて説明する。まず、ステップS910において、制御部214は、上述のリセット動作を行った後、放射線画像データを取得するために、放射線の照射中に変換素子Sで生成される電荷を蓄積するように制御する。次いで、制御部214は、ステップS911において、駆動回路114および読出回路113に読出し動作を実行させ、放射線画像データを読み出す。このステップS911で、放射線画像データがコンピュータ240に出力される。次いで、制御部214は、ステップS912においてオフセット画像データを取得するための蓄積動作を行い、ステップ913において、オフセット画像データを駆動回路114および読出回路113に読み出させ、コンピュータ240に出力させる。
次いで、コンピュータ240のプロセッサ241は、ステップS914において、ステップS911で取得した放射線画像データから、ステップS913で取得したオフセット画像データを減算することによってオフセット補正を行う。プロセッサ241は、ステップS915において、オフセット補正後の画像データを、あらかじめ取得しておいたゲイン補正画像データで除算することによりゲイン補正を実施する。このようにして、プロセッサ241は、放射線画像を取得する。後述するように、この放射線画像は補正対象画素を含む。補正対象画素とは、画素アレイ112やシンチレータ層904を製造する際にできてしまった異常な画素値を出力をする欠陥画素や、意図的に配置されたオプティカルブラック画素のように、有意な画素値を有していない画素のことである。プロセッサ241は、放射線撮像装置210で生成され、その後に外部の記憶装置に格納された放射線画像を読み出すことによって、放射線画像を取得してもよい。
続いて、プロセッサ241は、ステップS916で、放射線画像に含まれる補正対象画素の補正を行う。具体的に、プロセッサ241は、ステップS917で、補正対象画素について、互いに交差する2つの方向のそれぞれの優先度を算出する。その後、プロセッサ241は、ステップS918は、算出された優先度に基づいて補正対象画素の画素値を決定する。
まず、図6を参照して優先度の算出方法について詳細に説明する。図6は、放射線画像のうち補正対象画素を含む部分に着目した図である。図6に示すように、画素a〜画素mと参照符号を付す。また、画素a〜画素mの画素値もそれぞれa〜mで表す。説明のために、図6に示す部分において、補正対象画素は画素eのみであり、その他の画素は有意の画素値を有するとする。
プロセッサ241は、画素eについて、矢印601で示す横方向と、矢印602で示す縦方向とのそれぞれの優先度を算出する。具体的に、プロセッサ241は、横方向の優先度Xを以下のように差分絶対値を用いて算出する。
ave1=(a+b+c)/3
ave2=(g+h+i)/3
S1=|a−ave1|+|b−ave1|+|c−ave1|
S2=|g−ave2|+|h−ave2|+|i−ave2|
S=(S1+S2)/2
X=1/S
この式において、S1は、3つの画素a、b、cの画素値と、これらの平均値ave1との差分絶対値の和である。すなわち、S1は、横方向に並んだ3つの画素a、b、cの画素値のばらつき具合を示す。S1が小さいほど3つの画素a、b、cの画素値のばらつきが小さく、S1が大きいほど3つの画素a、b、cの画素値のばらつきが大きい。Sは、画素eの上側で横方向に並んだ3つの画素a、b、cの画素値のばらつき具合と、画素eの下側で横方向に並んだ3つの画素g、h、iの画素値のばらつき具合との平均である。すなわち、Sは、画素eの周囲の画素の画素値の横方向におけるばらつき具合を示す。
ave2=(g+h+i)/3
S1=|a−ave1|+|b−ave1|+|c−ave1|
S2=|g−ave2|+|h−ave2|+|i−ave2|
S=(S1+S2)/2
X=1/S
この式において、S1は、3つの画素a、b、cの画素値と、これらの平均値ave1との差分絶対値の和である。すなわち、S1は、横方向に並んだ3つの画素a、b、cの画素値のばらつき具合を示す。S1が小さいほど3つの画素a、b、cの画素値のばらつきが小さく、S1が大きいほど3つの画素a、b、cの画素値のばらつきが大きい。Sは、画素eの上側で横方向に並んだ3つの画素a、b、cの画素値のばらつき具合と、画素eの下側で横方向に並んだ3つの画素g、h、iの画素値のばらつき具合との平均である。すなわち、Sは、画素eの周囲の画素の画素値の横方向におけるばらつき具合を示す。
プロセッサ241は、横方向の優先度Yも同様に、以下のように差分絶対値を用いて算出する。
ave3=(a+d+g)/3
ave4=(c+f+i)/3
T1=|a−ave3|+|d−ave3|+|g−ave3|
T2=|c−ave4|+|f−ave4|+|i−ave4|
T=(T1+T2)/2
Y=1/T
Sについての説明と同様に、Tは画素eの周囲の画素の画素値の縦方向におけるばらつき具合を示す。
ave4=(c+f+i)/3
T1=|a−ave3|+|d−ave3|+|g−ave3|
T2=|c−ave4|+|f−ave4|+|i−ave4|
T=(T1+T2)/2
Y=1/T
Sについての説明と同様に、Tは画素eの周囲の画素の画素値の縦方向におけるばらつき具合を示す。
画素eの周囲の画素の画素値に基づいて画素eの画素値を決定する場合に、ばらつき具合の少ない方向に位置する画素の画素値を優先的に使用することによって、画素値を精度よく補正できる。そこで、優先度X、YをそれぞれS、Tの逆数とする。逆数を取ることは、優先度X、YとS、Tとに負の相関関係を持たせるための1つの方法であり、他の方法が用いられてもよい。
続いて、算出された優先度に基づいて補正対象画素の画素値を決定する方法について説明する。具体的に、プロセッサ241は、補正対象画素に対して優先度が高い方向にある画素の画素値に大きい重みを割り当て、補正対象画素に対して優先度が低い方向にある画素の画素値に小さい重みを割り当てることによって、補正対象画素の画素値を決定する。
例えば、プロセッサ241は、画素eの画素値を以下の式で算出する。
e=α×(d+f)/2+β×(b+h)/2
ただし、重みα、βは、α+β=1を満たし、優先度X、Yの大小関係と一致する値である。
ただし、重みα、βは、α+β=1を満たし、優先度X、Yの大小関係と一致する値である。
例えば、一例では、X>Y(すなわち、横方向の優先度が高い)場合に、α=1、β=0(すなわち、画素eの横方向に位置する画素d、fの画素値のみを用いる)とする。X<Y(すなわち、縦方向の優先度が高い)場合に、α=0、β=1(すなわち、画素eの縦方向に位置する画素b、hの画素値のみを用いる)とする。X=Yのとき、α=β=0.5とする。
別の例で、
α=X/(X+Y)
β=Y/(X+Y)
としてする。この方法では、各方向の優先度合いに応じて重みα、βが定まる。
α=X/(X+Y)
β=Y/(X+Y)
としてする。この方法では、各方向の優先度合いに応じて重みα、βが定まる。
横方向のばらつき具合を示すS1を算出するために、プロセッサ241は、以下の画素を含む複数の画素の画素値を用いる。算出対象とは異なる方向である縦方向において画素eに隣接した画素b、横方向において画素bに隣接した画素a、画素eを通り縦方向に延びる直線に対して画素aの反対側にある画素cとを含む複数の画素。S2の算出に用いられる画素g、h、iもこの性質を満たす。優先度を算出するために使用する画素が補正対処画素に隣接した画素を含むことによって、高周波成分の影響を加味しやすくなる。また、横方向に連続した2つ以上の画素を含むことによって、縞々模様の影響を含めることができる。さらに、画素eを通り縦方向に延びる直線に対して画素aの反対側にある2つの画素を含むことによって、補正対象画素を含んだ高周波成分の連続性の影響も加味できる。縦方向のばらつき具合を示すT1を算出する場合も同様に、プロセッサ241は、以下の画素を含む複数の画素の画素値を用いる。算出対象とは異なる方向である横方向において画素eに隣接した画素d、縦方向において画素dに隣接した画素a、画素eを通り横方向に延びる直線に対して画素aの反対側にある画素g。
図7を参照して、本実施形態による補正の効果について説明する。図7(a)は、補正対象画素を含まない放射線画像を示す。この放射線画像のうち、1つの画素(枠線部分の中央にある黒塗りの画素)の画素値を、様々な方法で各方向の優先度を決定することによって周囲の画素の画素値から補正する。図7(b)は、補正対象画素から1画素以上離れた複数の画素(ハッチングされた画素)を用いて優先度を決定することによって得られる放射線画像を示す。図7(c)は、補正対象画素の一方の側だけにある複数の画素(ハッチングされた画素)を用いて優先度を決定することによって得られる放射線画像を示す。図7(d)は、本実施形態に従って優先度を決定することによって得られる放射線画像を示す。図7(d)に示す放射線画像は図7(b)、7(c)に示す放射線画像と比較して元の放射線画像(図7(a))に近いことがわかる。
プロセッサ241は、優先度X、Yを算出するために、上述の差分絶対値の他に、周囲の画素の画素値の標準偏差や分散、曲率を用いてもよい。プロセッサ241は、これらの少なくとも何れかを組み合わせて優先度X、Yを算出してもよい。例えば、プロセッサ241は、曲率を用いて優先度X、Yを算出する場合に、以下の式を用いる。
X=|a−2×b+c|+|g−2×h+i|
Y=|a−2×d+g|+|c−2×f+i|
曲率が小さいほど周囲の画素の画素値が高い線形性を有するので、周囲の画素を用いて精度よく補正対象画素の画素値を補正できるようになる。
Y=|a−2×d+g|+|c−2×f+i|
曲率が小さいほど周囲の画素の画素値が高い線形性を有するので、周囲の画素を用いて精度よく補正対象画素の画素値を補正できるようになる。
プロセッサ241は、画素eについて、横方向の優先度Xと縦方向の優先度Yとを以下のように算出してもよい。
ave5=(k+d+f+l)/4
S=|k−ave5|+|d−ave5|+|f−ave5|+|l−ave5|
X=1/S
ave6=(j+b+h+m)/4
T=|j−ave6|+|b−ave6|+|h−ave6|+|m−ave6|
Y=1/T
この式で、横方向のばらつき具合を示すSを算出するために、プロセッサ241は、以下を含む複数の画素の画素値を用いる。算出対象の方向である横方向において画素eに隣接した画素d、横方向において画素dに隣接した画素k、画素eを通り縦方向に延びる直線に対して画素kの反対側にある画素l。縦方向のばらつき具合を示すTを算出するために、プロセッサ241は、算出対象の方向である縦方向において画素eに隣接した画素bと、縦方向において画素bに隣接した画素jと、画素eを通り横方向に延びる直線に対して画素jの反対側にある画素mとを含む複数の画素の画素値を用いる。
S=|k−ave5|+|d−ave5|+|f−ave5|+|l−ave5|
X=1/S
ave6=(j+b+h+m)/4
T=|j−ave6|+|b−ave6|+|h−ave6|+|m−ave6|
Y=1/T
この式で、横方向のばらつき具合を示すSを算出するために、プロセッサ241は、以下を含む複数の画素の画素値を用いる。算出対象の方向である横方向において画素eに隣接した画素d、横方向において画素dに隣接した画素k、画素eを通り縦方向に延びる直線に対して画素kの反対側にある画素l。縦方向のばらつき具合を示すTを算出するために、プロセッサ241は、算出対象の方向である縦方向において画素eに隣接した画素bと、縦方向において画素bに隣接した画素jと、画素eを通り横方向に延びる直線に対して画素jの反対側にある画素mとを含む複数の画素の画素値を用いる。
第1実施形態では、縦方向と横方向との2方向の優先度を算出したが、斜め方向の優先度を算出し、補正対処画素の斜め方向に位置する画素を用いて補正対象画素の画素値を決定してもよい。
<第2実施形態>
図8〜11を参照して、第2実施形態による放射線撮像装置の構成および動作について説明する。第1実施形態と重複する箇所については説明を省略する。放射線撮像システムの構成例は図1と同様である。
図8〜11を参照して、第2実施形態による放射線撮像装置の構成および動作について説明する。第1実施形態と重複する箇所については説明を省略する。放射線撮像システムの構成例は図1と同様である。
図9に、撮像パネル212の構成例が示される。第1実施形態の撮像パネル212と、第2実施形態の撮像パネル212との相違点を以下に説明する。撮像パネル212には、放射線を入射させるための入射面の側と、入射面とは反対側の裏面と、の両方に、放射線を可視光に変換するシンチレータ層が、それぞれの面を覆うように配される。また、それぞれの画素PIXに含まれる変換素子Sは、2種類の変換素子Sを含む。図8に示す構成において、変換素子S11、S12、S13、S22、S23、S24、S31、S32、S34、S41、S42、S43、S44は、基板の両側に配されたシンチレータ層からの光を受けるように配される。以下において、変換素子Sのうち両側のシンチレータ層からの光を受ける変換素子を特定する場合、変換素子901と呼ぶ。また、変換素子S14、S21、S33には、一方のシンチレータ層と当該変換素子Sのそれぞれとの間に遮光層903が配される。これによって、変換素子S13、S21、S33は、一方のシンチレータ層からの光が遮断され、他方のシンチレータ層からの光を受けるように配される。これらの変換素子Sを、以下において、変換素子Sのうち片側のシンチレータ層からの光が遮断される変換素子を特定する場合、変換素子902と呼ぶ。遮光層903は、シンチレータ層で発光した光を遮る層であり、基板の入射面の側または裏面の側を覆うシンチレータ層の何れか一方と、変換素子902との間を遮光すればよい。
本実施形態では、基板の入射面の側に配されたシンチレータ層と変換素子902との間に遮光層903が配されるとする。基板の入射面の側から入射した放射線のうち、エネルギーの低い成分は、基板の入射面の側を覆うシンチレータ層で吸収され、可視光に変換されて、それぞれの画素PIXに入射する。変換素子902は、基板の入射面の側が遮光されているため、基板の入射面の側のシンチレータ層で発光した光が入射しない。そのため、放射線のエネルギーの低い成分から変換された光は、変換素子902に入射しない。一方、変換素子901は、遮光層903が配されないため、放射線のエネルギーの低い成分から変換された光が入射する。
また、放射線のうち、基板の入射面の側に配されたシンチレータ層で吸収されなかったエネルギーの高い成分は、基板の裏面の側を覆うシンチレータ層で吸収され、可視光に変換される。変換素子901および変換素子902において、基板の裏面の側は遮光されていないため、放射線のうちエネルギーが高い成分から変換された光は、変換素子901および変換素子902の両方に入射する。
このように、変換素子901は、放射線のうちエネルギーの高い成分およびエネルギーの低い成分に起因する信号を取得でき、変換素子902は、放射線のうちエネルギーの高い成分に起因する信号を取得できる。つまり、互いに隣接する画素PIXで、異なる放射線エネルギーの情報を保持することができる。このように隣接する画素PIXで、異なるエネルギー成分の放射線から取得される情報を保持することによって、後述する方法を用いてエネルギーサブトラクションを行うことができる。
図9は、変換素子901を有する画素PIXAと変換素子902を有する画素PIXBおよび画素PIXCとの断面構造の一例が模式的に示される。ここでは、図面の上側から放射線を入射させるとして説明するが、図面の下側から放射線を入射させてもよい。図9(a)は、変換素子901および変換素子902が基板310と基板310の入射面の側を覆うシンチレータ層904との間に配され、画素PIXBにおいて、遮光層903が、変換素子902とシンチレータ層904との間に配される場合を示す。また、図9(b)は、変換素子901および変換素子902が基板310と基板310の入射面の側を覆うシンチレータ層904との間に配されることは図9(a)と同じである。一方、図9(b)の構成において、画素PIXCにおいて、遮光層903が、変換素子902と基板310の入射面とは反対側の裏面を覆うシンチレータ層905との間に配される場合を示す。
それぞれの画素PIXの変換素子Sは、シンチレータ層904、905で発光した光を透過するガラス基板などの絶縁性を有する基板310の上に配される。シンチレータ層904は、接着層324の上に、基板310の入射面の側を覆うように配される。また、シンチレータ層905は、基板310の裏面の側を覆うように配される。シンチレータ層904、905は、GOS(酸硫化ガドリニウム)やCsI(ヨウ化セシウム)などの材料を用いて構成されうる。シンチレータ層904とシンチレータ層905とは、同じ材料を用いてもよいし、取得する放射線のエネルギーに応じて異なる材料を用いてもよい。シンチレータ層904とシンチレータ層905とは基板310を挟むように配されている。
次いで、シンチレータ層904またはシンチレータ層905から入射する光を遮断するために変換素子902に配される遮光層903の配置について説明する。図9(a)に示す構成において、画素PIXBの変換素子902は、基板310の入射面の側からシンチレータ層904に向かって下部電極を構成する導電層318と半導体層320と上部電極を構成する導電層322とをこの順番で含む。この上部電極を構成する導電層322が、遮光層903として機能する。具体的には、導電層322をAl、Mo、Cr、Cuなど、シンチレータ層904で発せられる光に対して不透明な材料で形成することによって、導電層322が遮光層903として機能する。また、図9(b)に示す構成において、画素PIXCの変換素子902は、基板310の入射面の側からシンチレータ層904に向かって下部電極を構成する導電層318と半導体層320と上部電極を構成する導電層322、電極層325とをこの順番で含む。この下部電極を構成する導電層318が、遮光層903として機能する。具体的には、導電層318をAl、Mo、Cr、Cuなど、シンチレータ層905で発せられる光に対して不透明な材料で形成することによって、導電層322が遮光層903として機能する。
一方、画素PIXAの変換素子901において、導電層318および電極層325には、ITO(酸化インジウムスズ)など、シンチレータ層904で発せられる光に対して透明な材料が用いられる。これによって、隣接する画素PIXAと画素PIXBまたは画素PIXCとの間でエネルギー成分の異なる信号を取得することができる。
また、本実施形態において、画素PIXBの導電層322および画素PIXCの導電層318を単層構造とする例を示したが、これに限られることはない。例えば、画素PIXBの導電層322および画素PIXCの導電層318において、透明な材料と不透明な材料とを積層させてもよく、その場合、不透明な材料の面積で遮光量が決定する。また、本実施形態において、画素PIXBの導電層322および画素PIXCの導電層318を遮光層903として機能させたが、遮光層903の配置はこれに限られることはない。例えば、画素PIXBにおいて、保護層323の中にシンチレータ層904から入射する光に対し、Al、Mo、Cr、Cuなどを用いた専用の遮光層903を配してもよい。この場合、遮光層903の電位を一定の電位に固定して用いてもよい。
次に、本実施形態における画像処理フローについて、図10及び図11を用いて説明する。ステップS910〜S915は第1実施形態同様である。
プロセッサ241は、ステップS921において、ゲイン補正後の放射線画像を、複数の変換素子901で得られた信号に基づく両面入射画像と、複数の変換素子902で得られた信号に基づく片面入射画像とに分離する。
図11を参照して、これらの2つの放射線画像について説明する。図11の左側の画像は、放射線撮像装置210から得られた放射線画像、すなわち変換素子901からの信号と変換素子902からの信号との両方に基づく画像である。この画像において、ハッチングなしの画素が変換素子901に対応し、ハッチングありの画素が変換素子902に対応する。プロセッサ241は、この放射線画像を、図11の右側に示すように、複数の変換素子901で得られた信号に基づく両面入射画像(上側)と、複数の変換素子902で得られた信号に基づく片面入射画像(下側)とに分離する。両側入射画像は、放射線撮像装置210に入射した放射線のうち高エネルギー及び低エネルギーの情報を含む画像である。片側入射画像は、低エネルギーの情報を含み高エネルギーの情報を含まない画像である。これに代えて、片側入射画像は、高エネルギーの情報を含み低エネルギーの情報を含まない画像であってもよい。両側入射画像では変換素子902に対応する画素が補正対象画素となり、片側入射画像では変換素子901に対応する画素が補正対象画素となる。両側入射画像に含まれる補正対象画素の個数は、片側入射画像に含まれる補正対象画素の個数よりも少ない。
続いて、プロセッサ241は、補正対象画素の個数が少ない両側入射画像の補正対象画素の補正を行い、その後に、片側入射画像の補正対象画素の補正を行う。プロセッサ241は、ステップS922〜S924で、図5のステップS916〜S918と同様にして、両側入射画像の補正対象画素の補正を行う。
続いて、プロセッサ241は、ステップS925で、片側入射画像の補正対象画素の補正を行う。図11の片側入射画像の補正対象画素である画素qの画素値を決定する場合について説明する。片側入射画像において、画素qの周囲には有意な画素値を有する画素が少ないので、各方向の優先度を精度よく算出することが困難である。そのため、プロセッサ241は、両側入射画像を用いて各方向の優先度を算出する。
具体的に、プロセッサ241は、ステップS926で、片側入射画像の画素qと同じ位置にある両側入射画像の画素fについて、両側入射画像の画素fの周囲にある画素の画素値を用いて各方向の優先度を算出する。優先度の算出は第1実施形態と同様に行われてもよく、例えば以下の式に従って行われる。
X=|a−2×b+c|+|e−2×f+g|+|i−2×j+k|
Y=|a−2×e+i|+|b−2×f+j|+|c−2×g+k|
ここで、画素eの画素値はステップS924で決定された値である。
Y=|a−2×e+i|+|b−2×f+j|+|c−2×g+k|
ここで、画素eの画素値はステップS924で決定された値である。
続いて、プロセッサ241は、ステップS927で、算出された優先度を用いて補正対象画素の画素値を決定する。画素値の決定は第2実施形態と同様に行われてもよく、例えば以下の式に従って行われる。
q=α×(t+u)/2+β×(r+s)/2
上述の通り、重みα、βは、α+β=1を満たし、優先度X、Yの大小関係と一致する値である。
上述の通り、重みα、βは、α+β=1を満たし、優先度X、Yの大小関係と一致する値である。
その後、プロセッサ241は、S928で、補正後の両側入射画像及び片側入射画像を用いてエネルギーサブトラクション処理を行う。
以上、本発明に係る実施形態を示したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、上述した実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。
210:放射線撮像装置、310:基板、901、902:変換素子、903:遮光層、904、905:シンチレータ層
Claims (10)
- 画像処理装置であって、
補正対象画素を含む放射線画像を取得する取得手段と、
前記補正対象画素について、互いに交差する2つの方向のそれぞれの優先度を算出する算出手段と、
前記補正対象画素に対して前記優先度が高い方向にある画素の画素値に大きい重みを割り当て、前記補正対象画素に対して前記優先度が低い方向にある画素の画素値に小さい重みを割り当てることによって、前記補正対象画素の画素値を決定する決定手段とを備え、
前記算出手段は、前記2つの方向のそれぞれの前記優先度の算出において、前記2つの方向のうち算出対象の方向を第1方向とし、他方の方向を第2方向とした場合に、前記補正対象画素に隣接した第1画素と、前記第1方向において前記第1画素に隣接した第2画素と、前記補正対象画素を通り前記第2方向に延びる直線に対して前記第1画素又は前記第2画素の反対側にある第3画素とを含む複数の画素の画素値を用いることを特徴とする画像処理装置。 - 前記第1画素は、前記第1方向において前記補正対象画素に隣接することを特徴とする請求項1に記載の画像処理装置。
- 前記第1画素は、前記第2方向において前記補正対象画素に隣接することを特徴とする請求項1に記載の画像処理装置。
- 前記算出手段は、前記複数の画素の画素値の標準偏差と、差分絶対値と、曲率との少なくとも何れかに基づいて前記優先度を算出することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の画像処理装置。
- 前記取得手段は、第1放射線画像及び第2放射線画像を取得し、
前記算出手段は、前記第2放射線画像について、前記第1放射線画像を用いて前記優先度を算出し、
前記決定手段は、前記第1放射線画像を用いて算出された前記優先度を用いて前記第2放射線画像の補正対象画素の画素値を決定することを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の画像処理装置。 - 前記第1放射線画像に含まれる補正対象画素の個数は、前記第2放射線画像に含まれる補正対象画素の個数よりも少ないことを特徴とする請求項5に記載の画像処理装置。
- 前記第1放射線画像は、放射線撮像装置に入射した放射線のうち第1エネルギー及び第2エネルギーの情報を含む画像であり、
前記第2放射線画像は、前記第1エネルギーの情報を含み前記第2エネルギーの情報を含まない画像であることを特徴とする請求項5又は6に記載の画像処理装置。 - 前記放射線撮像装置は、
複数の第1変換素子及び複数の第2変換素子を有する基板と、
前記基板を挟むように配された第1シンチレータ層及び第2シンチレータ層と、
前記複数の第2変換素子のそれぞれと前記第1シンチレータ層との間に配された遮光層とを備え、
前記複数の第1変換素子は、前記第1シンチレータ層で発生した光と前記第2シンチレータ層で発生した光とを受け、
前記複数の第2変換素子は、前記第2シンチレータ層で発生した光を受け、
前記第1放射線画像は前記複数の第1変換素子で得られた信号に基づいて生成され、
前記第2放射線画像は前記複数の第2変換素子で得られた信号に基づいて生成されることを特徴とする請求項7に記載の画像処理装置。 - 画像処理方法であって、
取得手段が、補正対象画素を含む放射線画像を取得する取得工程と、
算出手段が、前記補正対象画素について、互いに交差する2つの方向のそれぞれの優先度を算出する算出工程と、
決定手段が、前記補正対象画素に対して前記優先度が高い方向にある画素の画素値に大きい重みを割り当て、前記補正対象画素に対して前記優先度が低い方向にある画素の画素値に小さい重みを割り当てることによって、前記補正対象画素の画素値を決定する決定工程とを有し、
前記2つの方向のそれぞれの前記優先度の算出において、前記2つの方向のうち算出対象の方向を第1方向とし、他方の方向を第2方向とした場合に、前記補正対象画素に隣接した第1画素と、前記第1方向において前記第1画素に隣接した第2画素と、前記補正対象画素を通り前記第2方向に延びる直線に対して前記第1画素又は前記第2画素の反対側にある第3画素とを含む複数の画素の画素値を用いることを特徴とする画像処理方法。 - コンピュータを、請求項1乃至8の何れか1項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018017576A JP2019134387A (ja) | 2018-02-02 | 2018-02-02 | 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム |
PCT/JP2018/043717 WO2019150731A1 (ja) | 2018-02-02 | 2018-11-28 | 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019134387A true JP2019134387A (ja) | 2019-08-08 |
Family
ID=67477995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018017576A Pending JP2019134387A (ja) | 2018-02-02 | 2018-02-02 | 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019134387A (ja) |
WO (1) | WO2019150731A1 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6724945B1 (en) * | 2000-05-24 | 2004-04-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Correcting defect pixels in a digital image |
JP4054184B2 (ja) * | 2001-10-03 | 2008-02-27 | オリンパス株式会社 | 欠陥画素補正装置 |
JP4850730B2 (ja) * | 2006-03-16 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、その処理方法及びプログラム |
-
2018
- 2018-02-02 JP JP2018017576A patent/JP2019134387A/ja active Pending
- 2018-11-28 WO PCT/JP2018/043717 patent/WO2019150731A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019150731A1 (ja) | 2019-08-08 |
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