JP2019132667A - 走査装置及び測距装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光反射面の最大揺動角よりも広い範囲を走査することが可能な走査装置を提供する。【解決手段】走査装置は、光を出射する出射部と、光の照射方向を周期的に変化させることで、光を第１の領域へ向けて第１走査光として照射させ、第１の領域と互いに隣接する第２の領域へ向けて第２走査光として照射させる光走査部と、光走査部から照射された光の光路を変化させることで、第１走査光を第１の走査領域へ導き、第２走査光を第２の走査領域へ導く光路制御部と、を有する。第１の走査領域と第２の走査領域とは互いに離間している。【選択図】図１

Description

本発明は、光学的な走査を行う走査装置及び測距装置に関する。

光を対象領域内で走査して、物体までの距離を計測する測距装置が知られている。このような測距装置は、例えば、レーザパルスを出射する光源と、当該レーザパルスを反射させて走査する走査機構と、物体によって反射されたレーザパルスを受光する受光部と、を有している。そして、当該測距装置は、光源によって出射されたレーザパルスの出射時刻と、受光部によって受光されたレーザパルスの受光時刻に基づいて対象物までの距離を計測する。

例えば、特許文献１には、光反射面を有し、当該光反射面に入射される光を対象領域内でリサージュ走査できる光走査部と、光源部から出射されたパルス光が物体によって反射された反射光を受光する受光部と、前記光源部によるパルス光の出射タイミングと前記受光部による反射光の受光タイミングとに基づいて、前記物体の距離を計測する測距部と、を備える光測距装置が開示されている。

特開２０１１−５３１３７号公報

上記したような測距装置においては、リサージュ軌跡に沿ってパルス光を照射するいわゆるリサージュ走査によって測距が行われる。

具体的には、測距装置は、光走査部としてＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）ミラー装置を備える。測距装置は、ＭＥＭＳミラー装置の光反射面を揺動させ、光反射面にパルス光を照射することによって所定の対象領域を走査する。従って、測距の対象領域の範囲は、光反射面の最大揺動角度に応じて定まる。

このため、１台のＭＥＭＳミラー装置では、光反射面の最大揺動角によって定まる測距の対象領域の外側にある領域を測距することが困難であることが、課題の一例として挙げられる。

本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、光反射面の最大揺動角による測距の対象領域の外にある領域を走査することが可能な走査装置及び測距装置を提供することを目的の一つとしている。

本願請求項１に記載の発明は、光を出射する出射部と、前記光の照射方向を周期的に変化させることで、前記光を第１の領域へ向けて第１走査光として照射させ、前記第１の領域と互いに隣接する第２の領域へ向けて第２走査光として照射させる光走査部と、前記光走査部から照射された前記光の光路を変化させることで、前記第１走査光を第１の走査領域へ導き、前記第２走査光を第２の走査領域へ導く光路制御部と、を有し、前記第１の走査領域と前記第２の走査領域とは互いに離間していることを特徴とする走査装置である。

また、本願請求項５に記載の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の走査装置と、前記第１の走査領域又は前記第２の走査領域に存在する対象物で反射された前記第１走査光又は前記第２走査光を反射光として受光する受光部と、前記受光部の受光した反射光に基づいて、前記対象物までの距離を測定する測距部と、を有することを特徴とする測距装置である。

図１は、実施例に係る測距装置の構成を示すブロック図である。 図２Ａは、実施例に係る光走査部の上面図である。 図２Ｂは、実施例に係る光走査部の断面図である。 図３は、実施例に係る測距装置の光走査部の走査の態様を示す説明図である。 図４は、実施例に係る光走査部に印加される駆動信号の波形及び当該光走査部によるパルス光の走査軌跡の例を示す説明図である。 図５は、反射鏡部において走査光が反射される態様を示す説明図である。 図６は、走査光が反射鏡部で反射された出射光の態様を示す説明図である。 図７は、図６の走査面に照射される走査光の軌跡を示した図である。

図１を参照しつつ、実施例に係る測距装置１０の構成について説明する。測距装置１０は、対象物ＯＢまでの距離を光学的に計測する測距装置である。具体的には、測距装置１０は、所定の空間領域、すなわち、走査対象領域Ｒに向かって光を照射する。また、測距装置１０は、当該光が対象物ＯＢによって反射された光を受光し、当該対象物ＯＢとの距離を計測、すなわち測距する。

光源２０は、例えばパルス光を出射可能なレーザダイオード等の発光素子であり、出射部として機能する。

光学系ＯＳは、パルス光Ｌ１の光路上に設けられている。光学系ＯＳは、例えばコリメータレンズ等の光学部材を含む光学系であり、光源２０から出射されたパルス光Ｌ１を平行光に変換する。

パルス光Ｌ１の光路上には、ビームスプリッタＢＳが設けられている。具体的には、光源２０から出射されたパルス光Ｌ１は、光学系ＯＳによって平行光に変換され、ビームスプリッタＢＳを透過する。ビームスプリッタＢＳは、ビームスプリッタＢＳに入射される入射光を所定の方向に透過又は反射するように配置されている。本実施例においては、ビームスプリッタＢＳは光源２０から出射されたパルス光Ｌ１を透過するようになっている。

ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）ミラー装置３０は、パルス光Ｌ１の光路上に設けられている。具体的には、パルス光Ｌ１は、光学系ＯＳ及びビームスプリッタＢＳを透過した後にＭＥＭＳミラー装置３０に照射される。ＭＥＭＳミラー装置３０は、パルス光Ｌ１を反射する反射表面３０Ｓを有する。反射表面３０Ｓは、例えば、パルス光Ｌ１を反射する光反射膜からなっている。

ＭＥＭＳミラー装置３０は、パルス光Ｌ１を反射部材で反射させて走査光Ｌ２を生成する。また、ＭＥＭＳミラー装置３０は、反射部材を揺動させることで走査光Ｌ２の出射方向を連続的に変化させる。

光源制御部１３は、光源２０を駆動する駆動回路である。光源制御部１３は、光源２０からパルス光Ｌ１を出射するタイミングテーブル（図示せず）を有している。光源制御部１３は、タイミングテーブルを参照して、光源２０に駆動信号を提供する。

走査制御部１４は、ＭＥＭＳミラー装置３０の反射部材を揺動させるための駆動信号を生成し、生成した駆動信号をＭＥＭＳミラー装置３０に供給する。

ＭＥＭＳミラー装置３０は、走査制御部１４が生成した駆動信号に基づいて反射部材が揺動する。従って、パルス光Ｌ１がＭＥＭＳミラー装置３０によって反射される方向、すなわち照射方向が逐次変化する。このように、ＭＥＭＳミラー装置３０は、パルス光Ｌ１を反射させて走査光Ｌ２を生成する。具体的には、後述する仮想面ＳＳ１のうちの第１の領域へ向けて照射する走査光を第１走査光として生成する。また、後述する仮想面ＳＳ１のうちの第２の領域へ向けて照射する走査光を第２走査光として生成する。すなわち、光源２０及びＭＥＭＳミラー装置３０は、所定の照射方向に向けて走査光Ｌ２を走査する光走査部として機能する。

走査対象領域Ｒは、互いに離間して配された第１の走査領域Ｒａ及び第２の走査領域Ｒｂを有する。第１の走査領域Ｒａ及び第２の走査領域Ｒｂは、例えば、ＭＥＭＳミラー装置３０の反射部材の揺動軸に沿った方向に互いに離間している。

反射鏡部４０は、ＭＥＭＳミラー装置３０によって生成される走査光Ｌ２の照射範囲、すなわち、走査光Ｌ２が通る光路上に配されている鏡部材である。

反射鏡部４０は、ＭＥＭＳミラー装置３０と対向する面に反射面４１を有している。走査光Ｌ２は、反射鏡部４０の反射面４１によって反射されて、走査対象領域Ｒに向けて出射される。従って、反射鏡部４０は、走査光Ｌ２の光路を制御する光路制御部（反射部）として機能する。

尚、本実施例においては、ＭＥＭＳミラー装置３０から出射された走査光Ｌ２は、直接的に反射鏡部４０に照射される。しかし、ＭＥＭＳミラー装置３０から出射された走査光Ｌ２は、間接的に反射鏡部４０に照射されるようにしてもよい。例えば、ＭＥＭＳミラー装置３０から出射された走査光Ｌ２は、ミラー等の光学部材を介して反射鏡部４０に照射されるようにしてもよい。すなわち、走査光Ｌ２が間接的に反射鏡部４０に照射される場合、反射鏡部４０は、ＭＥＭＳミラー装置３０と対向する面に反射面４１を有していなくてもよい。

ここで、図１には、走査対象領域Ｒ内におけるＭＥＭＳミラー装置３０から所定の距離だけ離れた仮想の面が走査対象面Ｓとして示されている。走査対象面Ｓは、第１の走査領域Ｒａ側に配される第１の走査面Ｓａと、第２の走査領域Ｒｂ側に配される第２の走査面Ｓｂと、を有する。尚、走査対象面Ｓは実在するわけではなく、本実施例の説明のために図示したものである。

ＭＥＭＳミラー装置３０から出射される走査光Ｌ２の出射方向は、ＭＥＭＳミラー装置３０の反射表面３０Ｓの搖動によって時間の経過と共に連続的に変化する。従って、走査対象面Ｓにおいて出射光Ｌ３の軌跡が描かれることになる。尚、走査光Ｌ２の反射鏡部４０に対する照射範囲は、ＭＥＭＳミラー装置３０の反射部材が揺動可能な角度範囲に応じて定まる。

走査対象領域Ｒの出射光Ｌ３の光路上に対象物ＯＢ（出射光Ｌ３を反射する性質を持った物体）が存在する場合、出射光Ｌ３が対象物ＯＢで反射される。

出射光Ｌ３が対象物ＯＢで反射された反射光Ｌ４は、反射鏡部４０の反射面４１で再び反射されＭＥＭＳミラー装置３０に入射する。ＭＥＭＳミラー装置３０の反射表面３０Ｓで反射された反射光Ｌ４は、ビームスプリッタＢＳで再び反射され受光部５０に入射する。

受光部５０は、ビームスプリッタＢＳによって反射される反射光Ｌ４の光路上に配されている。受光部５０は、受光部５０に入射された光の強度に基づいた受光信号を生成する光検出器である。このような光検出器としては、アバランシェフォトダイオード等の受光素子を用いることができる。

ビームスプリッタＢＳによって反射された反射光Ｌ４は、受光部５０によって受光信号に変換される。変化された受光信号は、測距部６０に供給される。

測距部６０は、光源２０が出射したパルス光Ｌ１と、受光部５０が受光した反射光Ｌ４に基づいて、受光部５０と対象物ＯＢとの間の距離を計測する。例えば、測距部６０は、信号処理回路を含み、演算によって対象物ＯＢの距離データを算出する。距離データを算出する例としては、タイムオブフライト法を用いることができる。

具体的には、光源制御部１３は、光源２０がパルス光Ｌ１を出射した時刻（タイミング）を含む出射信号を測距部６０に供給する。また、受光部５０が生成する受光信号には、反射光Ｌ４を受光したタイミングが含まれている。測距部６０は、光源２０がパルス光Ｌ１を出射したタイミングと、受光部５０が反射光Ｌ４を受光したタイミングと、の差に基づいて、測距装置１０から対象物ＯＢまでの距離を計測する。

図２Ａ及び図２Ｂを参照しつつ、ＭＥＭＳミラー装置３０の構成例について説明する。図２Ａは、ＭＥＭＳミラー装置３０の模式的な上面図である。図２Ｂは、図２ＡのＶ−Ｖ線に沿った断面図である。

図２Ａ及び図２Ｂに示すように、固定部３１は、固定基板Ｂ１及び固定基板Ｂ１上に形成された環状の枠体である固定枠Ｂ２を含む。図２Ｂに示すように、固定基板Ｂ１は、固定基板Ｂ１の上面Ｂ１Ｓに、固定枠Ｂ２と対向する領域に枠状の平面形状を有する突出部Ｂ１Ｐを有しており、突出部Ｂ１Ｐ上に固定枠Ｂ２が載置されている構成になっている。

可動部３２は、固定枠Ｂ２の内側に配されており、揺動板ＳＹと、揺動板ＳＹを囲む揺動枠ＳＸとを含んでいる。反射部材としての揺動板ＳＹ上には、円形の光反射膜３３が設けられている。以下、光反射膜３３の上面、すなわち反射表面３０Ｓの中心をＡＣとして説明する。

揺動枠ＳＸは、第１のトーションバーＴＸによって固定枠Ｂ２に接続されている。第１のトーションバーＴＸは、反射表面３０Ｓの中心ＡＣを通りかつ反射表面３０Ｓの面内方向に伸長する第１の揺動軸ＡＸに沿って伸長する一対の長板状の構造部分である。揺動枠ＳＸに揺動軸ＡＸ周りの力がかかると、第１のトーションバーＴＸがねじれ、揺動枠ＳＸは第１の揺動軸ＡＸを中心に、すなわち第１の揺動軸ＡＸを揺動中心軸として揺動する。揺動枠ＳＸは、第１の揺動軸ＡＸを中心に線対称な形状を有している。

揺動板ＳＹは、第２のトーションバーＴＹによって、揺動枠ＳＸに接続されている。第２のトーションバーＴＹは、光反射膜の中心ＡＣを通り、反射表面３０Ｓの面内方向に伸長しかつ第１の揺動軸ＡＸと直交している第２の揺動軸ＡＹに沿って伸長する一対の長板状の構造部分である。揺動板ＳＹに揺動軸ＡＹ周りの力がかかると、第２のトーションバーＴＹがねじれ、揺動板ＳＹは第２の揺動軸ＡＹを中心に、すなわち第２の揺動軸ＡＹを揺動中心軸として揺動する。揺動板ＳＹは、揺動軸ＡＹを中心に線対称な形状を有している。

従って、揺動板ＳＹは、互いに直交する揺動軸ＡＸ及びＡＹを中心に揺動するようになっている。この揺動板ＳＹの揺動によって、反射表面３０Ｓの向く方向が変化するようになっている。

上述したように、可動部３２は固定枠Ｂ２に接続されており、固定部Ｂ２は固定基板Ｂ１の突出部Ｂ１Ｐ上に載置されている構成になっている。従って、可動部３２は、固定基板Ｂ１の上面Ｂ１Ｓから離間している。そして、揺動枠ＳＸが揺動軸ＡＸ周りに揺動し、揺動板ＳＹが揺動軸ＡＹ周りに揺動すると、可動部３２が固定枠Ｂ２に対して傾斜するように揺動する。突出部Ｂ１Ｐは、可動部３２が当該揺動によって上面Ｂ１Ｓに接触しない十分な高さで形成されている。なお、例えば、固定枠Ｂ２及び可動部３２は、１の半導体基板から加工して形成された一体構造であり得る。

駆動力生成部３４は、固定基板Ｂ１上の突出部Ｂ１Ｐの外側に配置された永久磁石ＭＧ１及び永久磁石ＭＧ２と、揺動枠ＳＸ上において揺動枠ＳＸの外周に沿って引き回された金属配線（第１のコイル）ＣＸと、揺動板ＳＹ上において揺動板ＳＹの外周に沿って引き回された金属配線（第２のコイル）ＣＹとを含む。

永久磁石ＭＧ１は、揺動軸ＡＸ上に配されかつ、可動部３２を挟んで対向するように設けられた一対の磁石片である。また、永久磁石ＭＧ２は、揺動軸ＡＹ上に配されかつ、可動部３２を挟んで対向するように設けられた一対の磁石片である。従って、本実施例においては、４つの磁石片が、可動部３２を囲むように夫々配置されている。

また、永久磁石ＭＧ１を構成する２つの磁石片は、互いに反対の極性を示す部分が対向するように配置されている。同様に、永久磁石Ｍ２を構成する２つの磁石片は、互いに反対の極性を示す部分が対向するように配置されている。

走査制御部１４は、金属配線ＣＸ及びＣＹに接続されている。走査制御部１４は、金属配線ＣＸ及びＣＹに電流（駆動信号）を供給する。駆動力生成部３４は、当該駆動信号の印加によって、可動部３２の揺動枠ＳＸ及び揺動板ＳＹを揺動させる電磁気力を生成する。

具体的には、金属配線ＣＸに電流が流れると、当該電流と、揺動軸ＡＹに沿った方向に配置された永久磁石ＭＧ１の２つの磁石片によって生じた磁界との相互作用によって、揺動枠ＳＸに揺動軸ＡＸ周りの力がかかる。それによって、第１のトーションバーＴＸが揺動軸ＡＸ周りにねじれ、揺動枠ＳＸが揺動軸ＡＸを中心に揺動する。

また、金属配線ＣＹに電流が流れると、当該電流と、揺動軸ＡＸに沿った方向に配置された永久磁石ＭＧ２の２つの磁石片による磁界との相互作用によって、揺動板ＳＹに揺動軸ＡＹ周りの力がかかる。それによって、第２のトーションバーＴＹが揺動軸ＡＹ周りにねじれ、揺動板ＳＹが揺動軸ＡＹを中心に揺動する。

ここで、図１において走査対象領域Ｒは、第１の走査領域Ｒａと第２の走査領域Ｒｂを有する。第１の走査領域Ｒａと第２の走査領域Ｒｂとは互いに離間していることを説明した。当該領域Ｒａ，Ｒｂ間の離間の方向は、後述する反射鏡部４０の屈曲（すなわち、後述する第２の反射面４１Ｒと第１の反射面４１Ｌの走査対象領域Ｒに対する向き）によって決定され、例えばＭＥＭＳミラー装置３０の揺動軸ＡＸ周りに沿った方向と揺動軸ＡＹ周りに沿った方向などに離間させることができる。本実施例において、第１の走査領域Ｒａ及び第２の走査領域Ｒｂは、ＭＥＭＳミラー装置３０の揺動方向の１つである第１の揺動軸ＡＸに沿った方向に対して領域を有している。

図３は、ＭＥＭＳミラー装置３０から走査光Ｌ２が出射される態様を示している。図３において、パルス光Ｌ１は、ＭＥＭＳミラー装置３０に入射すると、反射表面３０Ｓで反射して走査光Ｌ２が生成される。

反射鏡部４０は、ＭＥＭＳミラー装置３０から見て照射方向にある空間領域に配されている。ここで、ＭＥＭＳミラー装置３０に電圧が印加されていないときの揺動板ＳＹの位置を基準位置とする。パルス光Ｌ１が、揺動板ＳＹの基準位置において、反射表面３０Ｓで反射された走査光Ｌ２の光軸を光軸ＡＺとする。

図３において、ＭＥＭＳミラー装置３０から出射される走査光Ｌ２の出射方向であって、反射鏡部４０の反射面４１の裏側には、仮想面ＳＳ１が示されている。仮想面ＳＳ１と反射鏡部４０との間には、走査光Ｌ２が反射鏡部４０を透過するものと仮定した場合の走査光Ｌ２である透過光Ｌ２’が描かれている。尚、仮想面ＳＳ１及び透過光Ｌ２’は実在するわけではなく、本実施例の説明のために図示したものである。

仮想面ＳＳ１は、互いに隣接する第１の領域と第２の領域を有している。第１の領域は、本実施例においては、第１の反射面４１Ｌを透過した透過光Ｌ２’が照射される領域である。また、第２の領域は、本実施例においては、第２の反射面４１Ｒを透過した透過光Ｌ２’が照射される領域である。

図４は、ＭＥＭＳミラー装置３０がリサージュ走査で走査する際に走査制御部１４が生成する駆動信号ＤＸ及びＤＹと、これに基づいてＭＥＭＳミラー装置３０が走査する走査光Ｌ２の走査軌跡との関係を模式的に示している。

以下の説明において、駆動信号ＤＸは、走査制御部１４によって生成されて金属配線ＣＸに供給される駆動信号として説明する。これによって、揺動枠ＳＸが揺動軸ＡＸ周りに揺動する。また、駆動信号ＤＹは、走査制御部１４によって生成されて金属配線ＣＹに供給される駆動信号として説明する。これによって、揺動板ＳＹが揺動軸ＡＹ周りに揺動する。

また、以下の説明において、駆動信号ＤＸ及び駆動信号ＤＹの振幅はすべて同等（図中、ＡＭＰ＝１）であるものとしている。

図４において（ａ）は、図３に示した仮想面ＳＳ１において描かれる透過光Ｌ２’の走査軌跡ＴＲを示している。図中のＡＸ１及びＡＹ１は、ＭＥＭＳミラー装置３０の揺動軸ＡＸ及び揺動軸ＡＹにそれぞれ対応している。すなわち、ＭＥＭＳミラー装置３０の揺動軸ＡＸ周りの揺動は、仮想面ＳＳ１におけるＡＹ１に沿った方向の走査位置の変化に対応する。また、ＭＥＭＳミラー装置３０の揺動軸ＡＹ周りの揺動は、仮想面ＳＳ１におけるＡＸ１方向の走査位置の変化に対応する。

図４の（ｂ）は、図４（ａ）に示したリサージュ走査の際の駆動信号ＤＸの波形を模式的に示している。図４の（ｂ）の駆動信号ＤＸは、Ａ₁及びＢ₁を定数とし、θ₁を変数としたとき、ＤＸ（θ₁）＝Ａ₁ｓｉｎ（θ₁＋Ｂ₁）の式で示される正弦波の信号である。変数θ₁は、駆動信号ＤＸが、ＭＥＭＳミラー装置３０の第１のトーションバーＴＸによって固定枠Ｂ２に支持されている揺動枠ＳＸ及び揺動板ＳＹの固有振動数に対応し、これらを共振させる周波数の正弦波となるように設定される。

図４の（ｃ）は、図４（ａ）に示したリサージュ走査の際の駆動信号ＤＹの波形を模式的に示している。駆動信号ＤＹは、Ａ₂及びＢ₂を定数とし、θ₂を変数としたとき、ＤＹ（θ₂）＝Ａ₂ｓｉｎ（θ₂＋Ｂ₂）の式で示される正弦波の信号である。変数θ₂は、駆動信号ＤＹが、ＭＥＭＳミラー装置３０の揺動板ＳＹの固有振動数に対応し、これを共振させる周波数の正弦波となるように設定される。

従って、揺動枠ＳＸ及び揺動板ＳＹは、駆動信号ＤＸによって揺動軸ＡＸ周りに共振しつつ揺動させられる。すなわち、揺動軸ＡＸ周りに共振モードの動作モードで駆動される。また、揺動板ＳＹは、駆動信号ＤＹによって揺動軸ＡＹ周りに共振しつつ揺動させられる。従って、揺動板ＳＹは、揺動軸ＡＸ周りに揺動し、かつ揺動軸ＡＹ周りに揺動する。揺動板ＳＹの揺動に応じて、光反射膜３３の向く方向が変化する。従って、光源２０から出射されたパルス光Ｌ１は光反射膜３３に反射され、揺動板ＳＹの揺動に応じて出射方向を変化させつつ走査光Ｌ２として反射鏡部４０に向けて出射される。

図４（ａ）に示すように、上述のように揺動板ＳＹが揺動軸ＡＸ及び揺動軸ＡＹの周りに共振しつつ揺動する。従って、透過光Ｌ２’の仮想面ＳＳ１における照射点（スポット位置）の軌跡ＴＲは、リサージュ曲線に沿って描かれる。

仮想面ＳＳ１の軸ＡＸ１に沿った方向の端部領域は、軌跡の密度が高い密領域が形成されている。仮想面ＳＳ１の軸ＡＸ１に沿った方向の中央付近に配される中央領域は、軌跡の密度が低い疎領域が形成されている。すなわち、端部領域から中央領域に近づくにつれて当該端部領域よりも軌跡同士の間隔が広くなっている。さらに、パルス光Ｌ１を等間隔で出射する場合、端部領域では中央領域に比べて走査速度が遅くなるため空間的なパルス光の間隔も、端部領域では密度が高く、中央領域では密度が低くなる。

図３に戻って、反射鏡部４０は、反射面４１に垂直でありかつ、光軸ＡＺに沿った断面がＶ字状に形成されている。具体的には、反射鏡部４０は、反射鏡部４０の中心ＭＣを通りかつ、光軸ＡＺに対して交わる軸ＡＭに沿って屈曲している。すなわち、反射鏡部４０は、軸ＡＭに沿って形成された屈曲部４２を有している。

反射鏡部４０のＭＥＭＳミラー装置３０に対向する面には反射面４１が設けられている。反射面４１は、光反射膜からなっている。反射面４１は、ＭＥＭＳミラー装置３０の反射表面３０Ｓと対向するように配されている。

反射鏡部４０の反射面４１は、第１の第１の反射面４１Ｌと第２第２の反射面４１Ｒとを有している。第１の反射面４１Ｌは、ＭＥＭＳミラー装置３０と対向する一方の面に設けられている。第２の反射面４１Ｒは、ＭＥＭＳミラー装置３０と対向する他方の面に設けられている。

第１の反射面４１Ｌは、ＭＥＭＳミラー装置３０と対向する他方の面に設けられている。尚、本実施例において第１の反射面４１Ｌ、第２の反射面４１Ｒは、軸ＡＭと軸ＡＺを含む面に対して対象となるように設けられている。

図５は、反射鏡部４０の軸ＡＭに沿った方向から見た反射鏡部４０で反射された走査光Ｌ２の態様を示している。図中の矢印の太さは、軌跡の密度に応じている。すなわち、太い矢印は軌跡の密度が高いことを示し、細い矢印は軌跡の密度が低いことを示している。また、第１の反射面４１Ｌに向かう走査光Ｌ２を第１走査光Ｌ２Ｆとし、第２の反射面４１Ｒに向かう走査光Ｌ２を第２走査光Ｌ２Ｓとする。

図５において、ＭＥＭＳミラー装置３０の揺動軸ＡＹ周りの揺動板ＳＹの最大揺動角において出射される２つの走査光Ｌ２のうち、一方の最大揺動角において出射された走査光Ｌ２Ｓの射線をＬ２Ｒとし、他方の最大揺動角において出射された走査光Ｌ２Ｆの射線をＬ２Ｌとする。

走査光Ｌ２の射線Ｌ２Ｒ及び射線Ｌ２Ｌは、それぞれ反射面４１の屈曲部４２に対して離れた位置（すなわち、反射面４１の外側）に向けて照射される。

本実施例において、反射面４１の２つの第１の反射面４１Ｌと第２の反射面４１Ｒとは、互いに対する角度のうちＭＥＭＳミラー装置３０に対向する角度Ｄ１が平角（１８０度）よりも大きくなっている。

その結果、反射鏡部４０で反射された出射光Ｌ３が走査対象領域Ｒに向けて出射される際、第１の反射面４１Ｌで反射した出射光Ｌ３の光路は、走査対象領域Ｒのうち第１の走査領域Ｒａに向かう。また、第２の反射面４１Ｒで反射した出射光Ｌ３の光路は、第２の走査領域Ｒｂに向かう。

なお、角度Ｄ１の大きさが、第１の走査領域Ｒａと第２の走査領域Ｒｂとの間隔を規定し、角度Ｄ１が大きいほど両領域Ｒａ、ＲＢの間隔は広くなる。また、ＭＥＭＳミラー装置３０の反射鏡部４０に対する照射角度θの大きさ（すなわち、ＭＥＭＳミラー装置３０の反射表面３０Ｓの搖動角度の大きさ）は、第１の走査領域Ｒａと第２の走査領域Ｒｂの大きさに反映される。

なお、本実施例において、第１の反射面４１Ｌで反射した出射光Ｌ３の光路は、直接的に第１の走査領域Ｒａに向かうように設定される。しかし、第１の反射面４１Ｌで反射した出射光Ｌ３の光路直接的に第１の走査領域Ｒａに向かう光路でなくてもよい。例えば、反射鏡部４０と第１の走査領域Ｒａとの間にミラー等の光学部材を設けて、第１の反射面４１Ｌで反射した出射光Ｌ２が第１の走査領域Ｒａに向かうように間接的に光路を設定してもよい。

同様に、第２の反射面４１Ｒで反射した出射光Ｌ３の光路は、直接的に第２の走査領域Ｒｂに向かう光路でなくてもよい。例えば、反射鏡部４０と第２の走査領域Ｒｂとの間にミラー等の光学部材を設けて出射光Ｌ３が第２の走査領域Ｒｂに向かうように間接的に光路を設定してもよい。

図６は、軸ＡＭに沿った方向から見た反射鏡部４０で反射された出射光Ｌ３の出射態様を示している。図中の矢印の太さは、軌跡の密度に応じている。すなわち、太い矢印は軌跡の密度が高いことを示し、細い矢印は軌跡の密度が低いことを示している。

図６において、走査対象面Ｓと反射鏡部４０との距離に比べると、ＭＥＭＳミラー装置３０と反射鏡部４０との距離は非常に短い。従って、巨視的に見れば反射鏡部４０、すなわち光出射点から出射しているといえる。

反射鏡部４０で反射された走査光Ｌ２は、走査対象面Ｓに向けて出射光Ｌ３として出射される。具体的には、走査光Ｌ２が第１の反射面４１Ｌで反射した出射光Ｌ３は、第１の走査領域Ｒａに向けて照射される。同様に、走査光Ｌ２が第２の反射面４１Ｒで反射した出射光Ｌ３は、第２の走査領域Ｒｂに向けて照射される。

図７は、図６の走査対象面Ｓにおいて照射される出射光Ｌ３の軌跡を示している。図７において、走査対象面Ｓは、反射面４１の第２の反射面４１Ｒで反射された出射光Ｌ３によって走査軌跡が描かれる領域Ｓ１Ｌと、反射面４１の第１の反射面４１Ｌで反射された出射光Ｌ３によって走査軌跡が描かれる領域Ｓ１Ｒと、を示している。

すなわち、ＭＥＭＳミラー装置３０に対向する、第１の反射面４１Ｌと第２の反射面４１Ｒとの角度Ｄ１が１８０度以上となるように、反射面４１が屈曲することにより、異なる方向にある第１の走査領域Ｒａ及び第２の走査領域Ｒｂが走査される。

ところで、走査光Ｌ２は所定の太さを有するため、例えば反射鏡部４０の屈曲部４２に走査光Ｌ２を照射すると、第２の反射面４１Ｒ及び第１の反射面４１Ｌの両方に走査光Ｌ２が照射されることになる。具体的には、走査光Ｌ２の半分が第２の反射面４１Ｒに、残りの半分が第１の反射面４１Ｌに照射される。このような場合、多方向に走査光Ｌ２が反射され、走査対象領域Ｒの特定の位置のみに出射光Ｌ３を照射することが困難となる。従って、光源制御部１３は、屈曲部４２に対して走査光Ｌ２を照射しないように制御するとよい。

また、本実施例においては、反射鏡部４０は１の矩形の板状体で一体として構成されるものであった。しかし、反射鏡部４０はこのような構成に限られず、例えば、第２の反射面４１Ｒを有する第１の部材と、第１の反射面４１Ｌを有する第２の部材と、をそれぞれ配置して構成してもよい。

このようにして反射鏡部４０を構成した場合であっても、上述のように例えば反射鏡部４０の第１の部材と第２の部材の接合面に形成される屈曲部４２に走査光Ｌ２を照射すると、第２の反射面４１Ｒ及び第１の反射面４１Ｌの両方に走査光Ｌ２が照射されることになる。このため、走査対象領域Ｒの特定の位置のみに出射光Ｌ３を照射することが困難となる。

従って、上記同様に光源制御部１３は、屈曲部４２に対して走査光Ｌ２を照射しないように制御するとよい。またこのような不具合を防止するために、第１の部材と第２の部材との間を少なくとも走査光Ｌ２のスポット径以上の間隔を有して設けるとよい。

以上のように、本発明の測距装置１０は、ＭＥＭＳミラー装置３０から出射された走査光Ｌ２を反射鏡部４０で反射させて走査対象領域Ｒを走査する。

また、反射鏡部４０の反射面４１は、第１の反射面４１Ｌ及び第２の反射面４１Ｒを有する。ＭＥＭＳミラー装置３０に対向する、第１の反射面４１Ｌと第２の反射面４１Ｒとの角度Ｄ１が１８０度以上となるように、設定されているため、第１の反射面４１Ｌで反射した出射光Ｌ３の光路は、走査対象領域Ｒのうち第１の走査領域Ｒａに向かうように設定されている。また、第２の反射面４１Ｒで反射した出射光Ｌ３の光路は、第１の走査領域Ｒａから離隔した位置にある第２の走査領域Ｒｂに向かうように設定されている。

従って、ＭＥＭＳミラー装置３０は、その光反射面３０Ｓの第１の揺動軸ＡＸ又は第２の揺動軸ＡＹ周りの最大揺動角で走査光Ｌ２を出射して走査対象領域Ｒを走査した場合では走査できない領域である、第１の走査領域Ｒａ及び第２の走査領域Ｒｂを走査することが可能となる。この結果、互いに離間した２つの領域を１の走査装置で走査することが可能となる。

なお、実施例においてＭＥＭＳミラー装置３０の揺動板ＳＹの最大揺動角、もしくは揺動板ＳＸの最大揺動角において出射される２つの走査光をＬ２Ｒ、Ｌ２Ｌとしたが、パルス光Ｌ１は最大揺動角付近では出射せず、最大揺動角より小さな最大出射角以内において出射することも否定しない。この場合、最大出射角において出射される２つの走査光をＬ２Ｒ、Ｌ２Ｌと読み替えても良い。

尚、走査対象領域Ｒの第１の走査領域Ｒａ及び第２の走査領域Ｒｂ間の領域については、例えば、他の測距装置によって走査することにより測距を行ってもよい。このようにすることで、例えば、走査対象領域Ｒの第１の走査領域Ｒａ及び第２の走査領域Ｒｂ間の領域の走査を行うと共に、第１の走査領域Ｒａ及び第２の走査領域Ｒｂの走査を同時に行うことが可能となり、より広範囲に及ぶ走査及び測距が可能となる。

１０ 測距装置
３０ ＭＥＭＳミラー装置
４０ 反射鏡部
４１Ｌ 第１の反射面
４１Ｒ 第２の反射面
５０ 受光部
６０ 測距部

Claims (5)

1. 光を出射する出射部と、
   前記光の照射方向を周期的に変化させることで、前記光を第１の領域へ向けて第１走査光として照射させ、前記第１の領域と互いに隣接する第２の領域へ向けて第２走査光として照射させる光走査部と、
   前記光走査部から照射された前記光の光路を変化させることで、前記第１走査光を第１の走査領域へ導き、前記第２走査光を第２の走査領域へ導く光路制御部と、
   を有し、
   前記第１の走査領域と前記第２の走査領域とは互いに離間していることを特徴とする走査装置。
2. 前記光路制御部は、前記光走査部から照射される前記光を反射させる第１の反射面と第２の反射面を有し、
   前記第１走査光は前記第１の反射面で反射された前記光であり、
   前記第２走査光は前記第２の反射面で反射された前記光であり、
   前記第１の反射面と前記第２の反射面とは互いに角度をもって配置されていることを特徴とする請求項１に記載の走査装置。
3. 前記第１の反射面と前記第２の反射面は、前記光路制御部への前記光の入射方向に対して１８０度以上の角度を持って配置されていることを特徴とする請求項２に記載の走査装置。
4. 前記光路制御部は、前記第１の反射面と前記第２の反射面との間の角度を形成する屈曲部を有し、
   前記光を前記屈曲部へ向けて照射しないように前記出射部を制御する制御部を有することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の走査装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の走査装置と、
   前記第１の走査領域又は前記第２の走査領域に存在する対象物で反射された前記第１走査光又は前記第２走査光を反射光として受光する受光部と、
   前記受光部の受光した反射光に基づいて、前記対象物までの距離を測定する測距部と、
   を有することを特徴とする測距装置。

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