JP2019131793A - 高度なフォトリソグラフィのためのマイクロエマルション除去剤 - Google Patents

高度なフォトリソグラフィのためのマイクロエマルション除去剤 Download PDF

Info

Publication number
JP2019131793A
JP2019131793A JP2019001561A JP2019001561A JP2019131793A JP 2019131793 A JP2019131793 A JP 2019131793A JP 2019001561 A JP2019001561 A JP 2019001561A JP 2019001561 A JP2019001561 A JP 2019001561A JP 2019131793 A JP2019131793 A JP 2019131793A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ether
microemulsion
glycol
remover
alkyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019001561A
Other languages
English (en)
Inventor
アダム・ケイ・シュミット
K Schmitt Adam
キャロル・イー・モーラー
E Mohler Carol
キャサリーン・エム・オコンネル
M O'connell Kathleen
クリストファー・ジェイ・タッカー
J Tucker Christopher
ツィチアン・ルー
Zhijian Lu
シンタロウ・ヤマダ
Shintaro Yamada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Global Technologies LLC
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Dow Global Technologies LLC
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Global Technologies LLC, Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical Dow Global Technologies LLC
Publication of JP2019131793A publication Critical patent/JP2019131793A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D17/00Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties
    • C11D17/0008Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties aqueous liquid non soap compositions
    • C11D17/0017Multi-phase liquid compositions
    • C11D17/0021Aqueous microemulsions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/002Surface-active compounds containing sulfur
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/02Anionic compounds
    • C11D1/04Carboxylic acids or salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/02Anionic compounds
    • C11D1/12Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof
    • C11D1/123Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof derived from carboxylic acids, e.g. sulfosuccinates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/02Anionic compounds
    • C11D1/12Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof
    • C11D1/14Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof derived from aliphatic hydrocarbons or mono-alcohols
    • C11D1/143Sulfonic acid esters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/02Anionic compounds
    • C11D1/12Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof
    • C11D1/14Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof derived from aliphatic hydrocarbons or mono-alcohols
    • C11D1/146Sulfuric acid esters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/02Anionic compounds
    • C11D1/12Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof
    • C11D1/22Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof derived from aromatic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/02Anionic compounds
    • C11D1/12Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof
    • C11D1/29Sulfates of polyoxyalkylene ethers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/04Water-soluble compounds
    • C11D3/044Hydroxides or bases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/26Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/30Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/39Organic or inorganic per-compounds
    • C11D3/3942Inorganic per-compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/39Organic or inorganic per-compounds
    • C11D3/3947Liquid compositions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/43Solvents
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0752Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/311Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127Etching organic layers
    • H01L21/31133Etching organic layers by chemical means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10Objects to be cleaned
    • C11D2111/14Hard surfaces
    • C11D2111/22Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/18Hydrocarbons
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/20Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2003Alcohols; Phenols
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/20Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2068Ethers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/20Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2072Aldehydes-ketones
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/20Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2093Esters; Carbonates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】三層積層体、特にエッチング前およびエッチング後のSiARC膜などの高度なフォトリソグラフィスキームで使用されるポリマー膜の除去が可能なマイクロエマルション除去剤を提供する。【解決手段】マイクロエマルション除去剤の全重量に基づいて、i)10%〜60%の少なくとも1つの有機溶剤、ii)10%〜50%の少なくとも1つの共溶剤、iii)0.1%〜10%の少なくとも1つの塩基、iv)0.1%〜10%の少なくとも1つの酸化剤、v)0.1%〜10%の少なくとも1つの界面活性剤、およびvi)水を含むマイクロエマルション除去剤。【選択図】なし

Description

本発明は、三層積層体、特にエッチング前およびエッチング後のSiARC膜などの高度なフォトリソグラフィスキームで使用されるポリマー膜の除去が可能なマイクロエマルション除去剤に関する。
高度なリソグラフィ技術は、フォトレジスト層、高シリコン含有反射防止コーティング(SiARC)、および高炭素含有量の下層からなる三層レジストシステムなどの複雑なパターニングスキームの使用を必要とする。この三層積層体は、10nmノードでのフィーチャのパターニングを可能にするが、フォトリソグラフィ処理後のこれらの膜、特にSiARC膜の湿式除去は、膜中の高レベルの架橋およびケイ素含有量のために大きな課題を提起する。これらの膜を除去するには、典型的には、水酸化アンモニウムおよび過酸化水素などの高レベルの強力な塩基および酸化剤に曝露する必要がある。これらの化学作用は、高温で低ケイ素含有量のSiARC膜を除去することができるが、他の高感度なフィーチャにかなりの損傷をもたらし、高ケイ素含有量のSiARC層を除去することができない。したがって、新しい湿式除去化学作用の最も重要な要件は、初期段階での用途における基板または最終段階での用途における超低誘電率誘電体に悪影響を及ぼすことなく、三層レジスト積層体を完全に除去することである。
SiARC膜に加えて、隣接する構造物に損傷を与える、または最終的にデバイス性能に影響を及ぼすことなく、高度なリソグラフィにおいて典型的に使用される広範囲のポリマー膜を効果的に除去することも重要である。これは、フォトレジスト膜、トップコート膜、高炭素含有量の下層などの有機ポリマー膜、および上記の膜のうちの1つ以上の組み合わせ、架橋された、または架橋されていないポリマー膜、熱硬化された膜、およびUV光照射で硬化された膜の除去を含む。また、プラズマエッチプロセス(塩素、臭素、フッ素、酸素、オゾン、水素、SO、アルゴン、CO、およびXeFなどのプラズマ組成物)中にバリアとして使用された後に除去されるべき膜、およびイオン注入(ホウ素、リン、およびヒ素イオン)に対するバリアとして使用された後に除去されるべき膜も含まれる。
したがって、当技術分野では、高度なフォトリソグラフィスキームに使用されるこれらのポリマー膜のすべての除去が可能な新しい除去剤が望まれている。
本発明は、マイクロエマルション除去剤の総重量に基づいて、i)10%〜60%の少なくとも1つの有機溶剤、ii)10%〜50%の少なくとも1つの共溶剤、iii)0.1%〜10%の少なくとも1つの塩基、iv)0.1%〜10%の少なくとも1つの酸化剤、v)0.1%〜10%の少なくとも1つの界面活性剤、およびvi)水を含むマイクロエマルション除去剤を提供する。有機溶剤としては、水溶解度が10%未満の脂肪族アルコールおよび芳香族アルコール、ジ脂肪族エステル、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、脂肪族ジエステル、水溶解度が21℃で10%未満の脂肪族ケトン、脂肪族エーテルが挙げられ、共溶剤としては、水溶解度が21℃で10%を超える脂肪族アルコールが挙げられる。
本明細書に記載される本発明は、水相に取り込まれた水酸化アンモニウムおよび過酸化水素などの化学作用を有する油連続マイクロエマルションを使用するポリマー膜用の剥離剤配合物である。拘束されるものではないが、これらのマイクロエマルション中の有機連続相がポリマー膜を膨潤させ、膜の物理的除去を助長し、同時に、除去化学作用(水酸化アンモニウム、過酸化水素)を含む水相が膨潤した膜の中に輸送され、膜全体に除去剤の化学作用を供給して、それを効果的に溶解させるという仮説が進められている。ポリマー膜を除去するのに必要な強力な除去化学物質の濃度が大幅に低減され、その結果、除去プロセス中の周辺構造への損傷が少なくなる。
特許請求されるマイクロエマルションは、いくつかの成分を含み、これらは、油連続相を提供し、かつポリマー膜を膨潤させる1つ以上の有機溶剤と、マイクロエマルションを形成するために必要な低界面張力を提供する10%未満の水混和性を有する少なくとも1つの共溶剤と、ポリマー膜を溶解させるための酸化剤および塩基と、マイクロエマルションの水性部分を形成し、酸化剤および塩基を可溶化するための水と、水性−有機溶剤界面を安定化させるための界面活性剤とを含む。場合によっては、界面活性剤の酸官能性を中和するために、アルコールアミンなどの中和剤が必要である。
本発明のマイクロエマルション除去剤は、マイクロエマルション除去剤の全重量に基づいて、i)10〜60重量%、好ましくは20〜50重量%、より好ましくは30〜45重量%の少なくとも1つの有機溶剤と、ii)10%〜50%、好ましくは12%〜40%、より好ましくは15%〜30%の少なくとも1つの共溶剤と、iii)0.1%〜10%、好ましくは0.5%〜6%、より好ましくは1%〜3%の少なくとも1つの塩基と、iv)0.1%〜10%、好ましくは1%〜8%、より好ましくは3%〜5%の少なくとも1つの酸化剤と、v)0.1%〜10%、好ましくは1%〜8%、より好ましくは3%〜6%の少なくとも1つの界面活性剤と、vi)水とを含む。
本発明の実施において使用することができる好ましいクラスの有機溶剤としては、水溶解度が21℃で10%未満の脂肪族アルコールおよび芳香族アルコール、ジ脂肪族エステル、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、脂肪族ジエステル、水溶解度が21℃で10%未満の脂肪族ケトン、ならびに脂肪族エーテルが挙げられる。別の好ましい溶剤としては、脂肪族または芳香族ケト−エステル、脂肪族または芳香族ケト−アルコール、および芳香族または脂肪族エステル−アルコールが挙げられる。
脂肪族アルコールは、第一級、第二級、または第三級であり得る。好ましい脂肪族アルコールは、4〜24個の炭素原子を有する。より好ましい脂肪族アルコールの代表例としては、オクタノール、2−エチル−ヘキサノール、ノナノール、ドデカノール、ウンデカノール、およびデカノールが挙げられる。
芳香族アルコールは、第一級、第二級、または第三級であり得る。好ましい芳香族アルコールは4〜24個の炭素原子を有する。より好ましい脂肪族アルコールの代表例としては、ベンジルアルコール、フェニルアルコール、エチレングリコールモノフェニルエーテル、およびプロピレングリコールモノフェニルエーテルが挙げられる。
好ましいジ脂肪族エステルは、4〜24個の炭素原子を有する。より好ましいジ脂肪族エステルの代表例としては、ラウリン酸メチル、オレイン酸メチル、酢酸ヘキシル、酢酸ペンチル、酢酸オクチル、酢酸ノニル、および酢酸デシルが挙げられる。
脂肪族炭化水素は、直鎖状、分枝鎖状、環状、またはそれらの組み合わせであり得る。好ましい脂肪族炭化水素は、3〜24個の炭素原子、好ましくは6〜24個の炭素原子を含有する。より好ましい脂肪族炭化水素の代表例としては、液体プロパン、ブタン、ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、ヘキサデカンなどのアルカン、鉱油、パラフィン油、デカヒドロナフタレン、ビシクロヘキサン、シクロヘキサン、ならびに1−デセン、オクタデセン、およびヘキサデセンなどのオレフィンが挙げられる。市販の脂肪族炭化水素の例としては、NORPAR(商標)12、13、および15(Exxon Corporationから入手可能な通常のパラフィン溶剤)、ISOPAR(商標)G、H、K、L、M、およびV(Exxon Corporationから入手可能なイソパラフィン溶剤)、ならびにSHELLSOL(商標)溶剤(Shell Chemical Company)が挙げられる。
好ましい芳香族炭化水素は、6〜24個の炭素原子を含有する。より好ましい芳香族炭化水素の代表例としては、トルエン、ナフタレン、ビフェニル、エチルベンゼン、キシレン、ドデシルベンゼンなどのアルキルベンゼン、オクチルベンゼン、およびノニルベンゼンが挙げられる。
好ましい脂肪族ジエステルは、6〜24個の炭素原子を含有する。より好ましい脂肪族ジエステルの代表例としては、アジピン酸ジメチル、コハク酸ジメチル、グルタル酸ジメチル、アジピン酸ジイソブチル、およびマレイン酸ジイソブチルが挙げられる。
好ましい脂肪族ケトンは、4〜24個の炭素原子を有する。より好ましい脂肪族ケトンの代表例としては、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、メチルイソブチルケトン、およびメチルヘキシルケトンが挙げられる。
好ましい脂肪族エーテルは、4〜24個の炭素原子を有する。より好ましい脂肪族エーテルの代表例としては、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテル、ヘキシルエーテル、ブチルエーテル、およびメチルt−ブチルエーテルが挙げられる。
より好ましい有機溶剤の代表例としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノn−ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジテリン(dithelyne)グリコール−ブチルエーテルアセテート、エチレングリコールn−ブチルエーテルアセテート、およびエチレングリコールフェニルエーテルが挙げられる。
最も好ましいクラスの有機溶剤は、プロピレングリコールフェニルエーテルおよびエチレングリコールフェニルエーテルである。
本発明の実施において使用することができる好ましいクラスの共溶剤としては、水溶解度が10%を超える脂肪族アルコールが挙げられる。さらに、共溶剤は、これらの官能基のうちの2つ以上を含有することができる、またはこれらの官能基の組み合わせを含有することができる。
より好ましい共溶剤の代表例としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールn−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールn−プロピルエーテル、プロピレングリコールn−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールn−ブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールn−ブチルエーテル、エチレングリコールプロピルエーテル、エチレングリコールn−ブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールエチルエーテル、およびトリエチレングリコールn−ブチルエーテルが挙げられる。
最も好ましい共溶剤は、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、およびジプロピレングリコールモノメチルエーテルである。
単相油連続マイクロエマルションには、1つ以上の有機溶剤に可溶である1つ以上のイオン性界面活性剤が使用される。1つ以上のイオン性界面活性剤はまた、水中よりも1つ以上の有機溶剤中でより大きな溶解度を有し、優先的に水と有機溶剤との混合物中の有機溶剤に分配するものとして特徴付けられてもよい。典型的には、1つ以上のイオン性界面活性剤は、水に難溶である。ここで、溶解性は、分散性または乳化性を含まない。1つ以上のイオン性界面活性剤は、350を超え700未満の分子量を有する。2つ以上のイオン性界面活性剤が使用される場合、上記で使用される「分子量」は、2つ以上のイオン性界面活性剤の分子量の平均に基づいて計算される。
1つ以上の有機溶剤に水溶性であり、水に難溶である有用なイオン性界面活性剤としては、アルキルベンゼンスルホネート、アルキルトルエンスルホネート、アルキルナフチルスルホネート、石油スルホネート、アルキルスルフェート、アルキルポリエトキシエーテルスルフェート、パラフィンスルホネート、アルファ−オレフィンスルホネート、アルファ−スルホカルボキシレートおよびそのエステル、アルキルグリセリルエーテルスルホネート、脂肪酸モノグリセリドスルフェートおよびスルホネート、アルキルフェノールポリエトキシエーテルスルフェート、2−アシルオキシ−アルカン−1−スルホネート、脂肪酸塩、硫酸化ヒマシ油などの硫酸化油、ならびにベータ−アルキルオキシアルカンスルホネートの塩が挙げられる。
イオン性界面活性剤の好ましいクラスは、式RB−SOMのアニオン界面活性剤であり、式中、Rは、アルキルを表し、xは、1または2であり、Bは、xが1である場合にはビラジカルであるか、またはxが2である場合にはトリラジカルであり、芳香族部分に由来し、Mは、水素またはカチオン性対イオンを表し、式RB−SOMのアニオン性界面活性剤中の炭素の総数は、18〜30である。好ましくは、少なくとも1つのアニオン性界面活性剤が、この式のものである。式RxB−SOMのアニオン性界面活性剤の分子量は、Mの分子量を除いて計算され、すなわち、分子量は、RxB−SOのみについて計算される。対イオンとしてMを含有するアニオン性界面活性剤は、スルホン酸を、アンモニウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウムの水酸化物を含む金属水酸化物と反応させるなどによって、Mが水素である界面活性剤から容易に調製することができる。特定のM対イオンの選択は、得られた界面活性剤が有機溶剤に可溶のままであり、水に難溶であり、本発明のマイクロエマルションを生成することが可能なアニオン性界面活性剤を提供する限り重要ではない。好ましくは、Mは、1価である。好ましくは、Bは、ベンゼン、トルエン、またはナフタレン由来である。好ましくは、アニオン性界面活性剤は、400を超える分子量を有する。好ましくは、アニオン性界面活性剤は、600未満、より好ましくは550未満の分子量を有する。
好ましくは、好ましいアニオン性界面活性剤は、マイクロエマルション中に0.5重量%を超える量で存在する。好ましくは、好ましいアニオン性界面活性剤は、マイクロエマルション中に10%未満の量、より好ましくは8%未満の量で存在する。
本発明のマイクロエマルションは、1つ以上の有機または無機塩基を含有する。好ましい塩基は、アルカリ金属水酸化物、有機水酸化アンモニウム、またはアルカノールアミンから選択される。これらの塩基としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、および水酸化アンモニウムが挙げられる。また、アルキル基が、直鎖または分枝鎖の形態のメチル、エチル、プロピル、またはブチルから選択される1つ以上のアルキル基の組み合わせであり得る水酸化第四級アンモニウムも含まれる。アルカノールアミンとしては、モノアルカノールアミン、ジアルカノールアミン、およびトリアルカノールアミンが挙げられ、そこで、アルカノール基は、直鎖または分枝鎖の形態のメタノール、エタノール、プロパノール、またはブタノールのうちの1つ以上であり得る。最も好ましい塩基は、アルカリ金属を有しないものであり、それには、水酸化アンモニウム、有機アンモニウム第四級水酸化物、およびアルカノールアミン、特に、エタノールアミンが含まれる。
本発明のマイクロエマルションはまた、1つ以上の酸化剤を含有する。典型的な酸化剤としては、有機または無機過酸化物、オゾン、溶存酸素、酸、およびハロゲンガスが挙げられる。本発明の好ましい酸化剤は、過酸化水素、オゾン、酸素、次亜塩素酸、フッ素、および塩素から選択される。本発明の最も好ましい酸化剤は、過酸化水素である。
一実施形態では、本発明は、成分または溶液がイオン交換樹脂で処理されたか、または微量金属カチオン汚染物質を10億分の1もしくは1兆分の1レベルまで除去する蒸留によって精製され、0.01〜0.2ミクロンまで粒子を除去するように濾過されたマイクロエマルション除去剤である。
本発明は、別の実施形態において、20℃〜80℃に上昇する槽温度で、かき混ぜ、ブレード、もしくはバブルシャワーによる溶液槽の撹拌、または溶液槽の超音波攪拌を使用して、開放または閉鎖容器内であるかどうかにかかわらず、除去剤溶液の槽中のコーティングされたウエハーの回転の有無にかかわらず、浸漬によってマイクロエマルション除去剤溶液を適用することにより、ポリマー膜を除去する方法である。マイクロエマルション除去剤はまた、単一ウエハーコーティング上のパドル、続くスピンオフによって、スプレーリンスプロセスによって、回転ドラムスプレープロセスによって、高または低インピンジメントによって塗布されてもよい。マイクロエマルション除去剤はまた、リサイクル/回収システムにも使用されてもよく、それにより、新しい除去剤溶液が定期的に添加されて、槽またはスプレータンクを満たし、溶剤、共溶剤、界面活性剤、および水の適切な比率を維持する。マイクロエマルション除去剤は、コンピュータまたは遠隔電子制御下で、手動、自動、ロボットで自動化された除去プロセスにおいて使用されてもよい。
II.実施例の調製
1.界面活性剤複合体の調製
使用された界面活性剤は、モノエタノールアミンで中和された直鎖アルキルベンゼンスルホン酸である。界面活性剤は、モノエタノールアミン(12.9g)をDI水(320.53g)と撹拌しながらガラス瓶中で混合することによって調製した。直鎖アルキルベンゼンスルホン酸(67.3g)を撹拌しながらゆっくりと添加した。添加が完了した後、界面活性剤複合体を30分間撹拌した。
2.除去剤溶液の調製
除去剤溶液は、各成分をプラスチックカップに計量することによって手動で調製した。過酸化水素を含有する溶液については、まず、過酸化水素なしで配合物を調製した。試験の直前に、除去剤溶液を65℃のオーブン中で試験温度(通常60℃)に予熱した。過酸化水素溶液を予熱された除去剤溶液に容積測定で添加し、それらを3分間オーブンに戻して直ちに膜除去試験に使用した。
比較用マイクロエマルション除去剤の実施例1〜9(比較例1〜9)および本発明のマイクロエマルション除去剤の実施例1〜7(本発明の実施例1〜7)は、以下の表1〜3に記載の成分を用いて調製する。
3.除去試験用膜の調製
SiARC溶液は、特許文献(US9,442,377Bの試料−A)に記載されている通りに調製した。SiARC試料−Aのケイ素含有量は、約18重量%である。Tokyo Electron Co.からのACT 8 Coating Trackを用いて、SiARC試料Aを200mmのシリコンウエハー上にスピンコーティングし、60秒間240℃で焼成して、SiARC膜を形成した。SiARC試料Aの膜厚をThermawaveからのOptiProbeによって測定し、35nmと決定した。カーボン下層溶液は、Gun Ei Chemical Co.から得られた1−ナフトールとホルムアルデヒド(Mw=6066、Mn=2362)、トリエチルアンモニウムパラ−トルエンスルホネート、架橋剤(Nihon Cytec IndustriesからのMYCOAT XM3629)、Polyfox(登録商標)656界面活性剤、プロピレングリコールモノメチルエーテル、および乳酸エチルの縮合ポリマーを混合することによって調製した。この下層溶液(下層−A)を、Tokyo Electron Co.からのACT 8 Coating Trackを用いて、0.2umのPTFEシリンジフィルターを通して濾過し、200mmのシリコンウエハー上にスピンコーティングし、60秒間240℃で焼成して、炭素下層膜を形成した。炭素下層膜の膜厚をThermawave Co.からのOptiProbeによって測定し、123nmと決定した。Plasma−Therm Co.からのプラズマドライエッチャーPlasma−therm RIE790を用いて、ブランケットドライエッチングをSiARCおよび炭素下層膜に適用した。SiARC膜のドライエッチング条件は、ガス種:O、ガス流量:25sccm、電力:180W、圧力:6mTorr、エッチング時間:60秒である。炭素下層膜のドライエッチング条件は、ガス種:CF、ガス流量:20sccm、電力:200W圧力:30mTorr、エッチング時間:60秒である。
II.試験方法
1.溶液の外観
除去剤溶液の外観は、様々な混合プロトコールを用いて制御された温度環境で、1mLのバイアルのデジタル画像を取得する自動イメージング機器を用いて決定した。溶液の外観を20℃および60℃で測定した。溶液の外観を両方の温度で混合する前後に測定し、溶液が複数の相(混合後に不透明)か単相(混合後に透明)かを決定した。
2.膜除去試験
除去剤溶液の膜除去は、溶液を、シリコンウエハー上にコーティングされた膜に曝露することによって試験した。コーティングされたウエハーを所定の位置に保持するために、ポリエチレンガスケットを備えたバネ式圧縮装置を使用した。バネ式圧縮装置は、複数の溶液を同時に独立して試験することができるように、ウエハーを個々の正方形のウェルに分割した。ウエハーをバネ式圧縮装置に挿入し、試料溶液と共に60℃に予熱されるまで65℃のオーブンに配置した。過酸化水素を溶液に加え(必要に応じて)、溶液をオーブンにさらに3分間配置した。ウエハーを有するバネ式圧縮装置および除去剤溶液をオーブンから取り出した。750マイクロリットルの各除去剤溶液を、マイクロピペットを用いて個々のウェルに分注し、装置をオーブンに戻して試験温度を60℃に保った。5分後、装置をオーブンから取り出し、溶液を試料ウェルから注ぎ出した。ウエハーを水で十分に濯いで、膜表面から配合物を除去した。ウエハーを装置から取り出し、再び水で洗浄し、窒素気流で乾燥させた。
3.膜厚測定
膜の膨潤度および膜除去の有効性は、膜厚を測定するために可変角度分光偏光解析法を用いて評価した。重水素および石英タングステンハロゲンランプ(λ=192.2〜998.5nm)を装備したVariable−Angle Spectroscopic Ellipsometer(M−2000D、J.A.Woollam Co.,Inc.)を使用した。データ収集中には、集光光学系を使用した。5つの異なる入射角(45°、50°、55°、60°、65°、および70°)で6秒間データを収集した。厚さのデータは、CompleteEASEソフトウェア(J.A.Woollam Co.,Inc.,バージョン4.93f)を用いて、測定されたPsiおよびDel曲線を分析することによって決定した。得られたデータは、対象とするシリコン基板、薄い自然酸化ケイ素層、および上層膜を含む膜積層体に適合させた。膜は、最初に、膜が非吸着性であると仮定する、Cauchyモデルを用いて400nmを超えてモデル化した。膜の波長依存性屈折率のこの適合から、βスプラインモデルを用いてより短い波長での光吸収を含むようにモデルを拡張した。
IV.結果
表1は、配合物中の異なる成分に対するマイクロエマルション構造(単相マイクロエマルション対多相非マイクロエマルション)の感度を示す。実施例1対比較例1は、共溶剤が油中に安定した水のマイクロエマルションを形成するのに十分高い量で存在しなければならないことを示す。実施例2対比較例2は、界面活性剤がマイクロエマルション中の水相を安定させるのに十分高い量で存在しなければならないことを示す。実施例3対比較例3は、モノエタノールアミンなどの追加の添加剤がマイクロエマルションの安定性に影響を及ぼすことを示す。マイクロエマルション配合物は、溶剤、界面活性剤、塩基、および酸化剤の正確な選択に基づいて微細に調整されなければならない。
表2は、マイクロエマルションを形成しない同じ成分の不完全な組み合わせに対するマイクロエマルション除去剤の除去効率(実施例4)を比較する。比較例4は、溶剤のみを含有し、結果としてSi−ARC膜は、除去されない。比較例5は、水相(界面活性剤、水、塩基、酸化剤)のみを含有し、結果としてSi−ARC膜は、除去されない。比較例6は、界面活性剤を除くすべての成分を含有し、結果としてSi−ARC膜は、除去されない。比較例7は、水混和性溶剤を除くすべての成分を含有し、結果としてSi−ARC膜は、除去されない。実施例4は、安定な単相マイクロエマルションをもたらすすべての成分を含有し、結果としてSi−ARC膜の95%が除去される。これらの実施例は、マイクロエマルション構造および安定性に対するすべての成分の重要性、したがってSi−ARC膜を除去する有効性を証明する。
表3は、一般的な除去剤溶液と、2つのフォトリソグラフィ膜、1)Oエッチングを受けた炭素下層上のSi−ARC膜、および2)CFエッチングを受けた炭素下層、を除去するための本発明に記載される3つのマイクロエマルション除去剤の配合物とを比較する。比較例9は、CFエッチングされた炭素下層の98%を除去することができるが、炭素下層上のOエッチングされたSi−ARC膜を少しも除去することができないSC−1である。3つのマイクロエマルション除去剤(実施例5、6、および7)は、CFエッチングされた炭素下層の98%および炭素下層上のOエッチングされたSi−ARC膜の99%を除去する。これらの実施例は、標準的なSC−1溶液に対するマイクロエマルション除去剤の利点を証明する。

Claims (10)

  1. マイクロエマルション除去剤であって、前記マイクロエマルション除去剤の総重量に基づいて、i)10%〜60%の少なくとも1つの有機溶剤と、ii)10%〜50%の少なくとも1つの共溶剤と、iii)0.1%〜10%の少なくとも1つの塩基と、iv)0.1%〜10%の少なくとも1つの酸化剤と、v)0.1%〜10%の少なくとも1つの界面活性剤と、vi)水と、を含み、
    前記有機溶剤は、水溶解度が10%未満の脂肪族アルコールおよび芳香族アルコール、ジ脂肪族エステル、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、脂肪族ジエステル、水溶解度が10%未満の脂肪族ケトン、および脂肪族エーテルから選択され、前記共溶剤は、水溶解度が10%を超える脂肪族アルコールである、マイクロエマルション除去剤。
  2. 前記有機溶剤が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノn−ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジテリン(dithelyne)グリコール−ブチルエーテルアセテート、エチレングリコールn−ブチルエーテルアセテート、およびエチレングリコールフェニルエーテルから選択される、請求項1に記載のマイクロエマルション除去剤。
  3. 前記有機溶剤が、プロピレングリコールフェニルエーテルおよびエチレングリコールフェニルエーテルから選択される、請求項1に記載のマイクロエマルション除去剤。
  4. 前記共溶剤が、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールn−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールn−プロピルエーテル、プロピレングリコールn−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールn−ブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールn−ブチルエーテル、エチレングリコールプロピルエーテル、エチレングリコールn−ブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールエチルエーテル、およびトリエチレングリコールn−ブチルエーテルから選択される、請求項1に記載のマイクロエマルション除去剤。
  5. 前記共溶剤が、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、およびジプロピレングリコールモノメチルエーテルから選択される、請求項1に記載のマイクロエマルション除去剤。
  6. 前記界面活性剤が、アルキルベンゼンスルホネート、アルキルトルエンスルホネート、アルキルナフチルスルホネート、石油スルホネート、アルキルスルフェート、アルキルポリエトキシエーテルスルフェート、パラフィンスルホネート、アルファ−オレフィンスルホネート、アルファ−スルホカルボキシレートおよびそのエステル、アルキルグリセリルエーテルスルホネート、脂肪酸モノグリセリドスルフェートおよびスルホネート、アルキルフェノールポリエトキシエーテルスルフェート、2−アシルオキシ−アルカン−1−スルホネート、脂肪酸塩、硫酸化油、ならびにベータ−アルキルオキシアルカンスルホネートの塩から選択されるアニオン界面活性剤である、請求項1に記載のマイクロエマルション除去剤。
  7. 前記界面活性剤が、式RB−SOMのアニオン界面活性剤であり、式中、Rは、アルキルを表し、xは、1または2であり、Bは、xが1である場合にはビラジカルであるか、またはxが2である場合にはトリラジカルであり、芳香族部分に由来し、Mは、水素またはカチオン性対イオンを表し、前記式RB−SOMのアニオン性界面活性剤中の炭素の総数は、18〜30である、請求項1に記載のマイクロエマルション除去剤。
  8. 前記アニオン性界面活性剤が、400を超える分子量を有する、請求項1に記載のマイクロエマルション除去剤。
  9. 前記塩基が、アルカリ金属水酸化物、有機水酸化アンモニウム、およびアルカノールアミンから選択される、請求項1に記載のマイクロエマルション除去剤。
  10. 前記酸化剤が、有機または無機過酸化物、オゾン、溶存酸素、酸、およびハロゲンガスから選択される、請求項1に記載のマイクロエマルション除去剤。
JP2019001561A 2018-01-30 2019-01-09 高度なフォトリソグラフィのためのマイクロエマルション除去剤 Pending JP2019131793A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/883,141 2018-01-30
US15/883,141 US20190233777A1 (en) 2018-01-30 2018-01-30 Microemulsion removers for advanced photolithography

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019131793A true JP2019131793A (ja) 2019-08-08

Family

ID=67391887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019001561A Pending JP2019131793A (ja) 2018-01-30 2019-01-09 高度なフォトリソグラフィのためのマイクロエマルション除去剤

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20190233777A1 (ja)
JP (1) JP2019131793A (ja)
KR (1) KR20190092274A (ja)
CN (1) CN110095954A (ja)
TW (1) TW201932586A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021073718A1 (en) * 2019-10-15 2021-04-22 Henkel Ag & Co. Kgaa Photoresist stripping composition

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1144960A (ja) * 1997-06-24 1999-02-16 Kurarianto Japan Kk リソグラフィー用洗浄剤
JP2005284257A (ja) * 2004-03-03 2005-10-13 Daicel Chem Ind Ltd リソグラフィー用洗浄剤及びリンス液
JP2009075285A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Fujifilm Corp 半導体デバイスの剥離液、及び、剥離方法
JP2010524208A (ja) * 2007-03-31 2010-07-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド ウエハ再生のために材料を剥離する方法
JP2012018982A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Tosoh Corp レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離法
JP2012094703A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Fujifilm Corp 多剤型半導体基板用洗浄剤、それを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法
US20140076356A1 (en) * 2011-06-09 2014-03-20 Technic France Composition of solutions and conditions for use enabling the stripping and complete dissolution of photoresists
JP2017504076A (ja) * 2013-10-11 2017-02-02 バブルズ アンド ビヨンド ゲーエムベーハー 高機能溶液を用いたフォトレジスト剥離
JP2017116871A (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 花王株式会社 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
WO2017170428A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 富士フイルム株式会社 電子材料製造用薬液の製造方法、パターン形成方法、半導体デバイスの製造方法、電子材料製造用薬液、容器、及び、品質検査方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6593283B2 (en) * 2000-04-28 2003-07-15 Ecolab Inc. Antimicrobial composition
DE102006013104A1 (de) * 2006-03-20 2007-09-27 Henkel Kgaa Mehrphasiges Wasch-, Spül- oder Reinigungsmittel mit vertikalen Phasengrenzen
EP3077492A1 (en) * 2013-12-05 2016-10-12 Rohm and Haas Company Cleaning composition with rapid foam collapse

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1144960A (ja) * 1997-06-24 1999-02-16 Kurarianto Japan Kk リソグラフィー用洗浄剤
JP2005284257A (ja) * 2004-03-03 2005-10-13 Daicel Chem Ind Ltd リソグラフィー用洗浄剤及びリンス液
JP2010524208A (ja) * 2007-03-31 2010-07-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド ウエハ再生のために材料を剥離する方法
JP2009075285A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Fujifilm Corp 半導体デバイスの剥離液、及び、剥離方法
JP2012018982A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Tosoh Corp レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離法
JP2012094703A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Fujifilm Corp 多剤型半導体基板用洗浄剤、それを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法
US20140076356A1 (en) * 2011-06-09 2014-03-20 Technic France Composition of solutions and conditions for use enabling the stripping and complete dissolution of photoresists
JP2017504076A (ja) * 2013-10-11 2017-02-02 バブルズ アンド ビヨンド ゲーエムベーハー 高機能溶液を用いたフォトレジスト剥離
JP2017116871A (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 花王株式会社 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
WO2017170428A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 富士フイルム株式会社 電子材料製造用薬液の製造方法、パターン形成方法、半導体デバイスの製造方法、電子材料製造用薬液、容器、及び、品質検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110095954A (zh) 2019-08-06
US20190233777A1 (en) 2019-08-01
KR20190092274A (ko) 2019-08-07
TW201932586A (zh) 2019-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100714951B1 (ko) 수성 박리 및 세정 조성물
JP4819429B2 (ja) 残留物を除去するための組成物及び方法
KR100857337B1 (ko) 리소그래피용 린스액
TWI454573B (zh) 清潔配方及該清潔配方的使用方法
KR100490506B1 (ko) 물체의 미세구조로부터 잔사를 제거하는 조성물
TWI414908B (zh) 用於除去後蝕刻光阻劑、蝕刻聚合物及殘留物的含有縮醛或縮酮的剝除劑
US20070243773A1 (en) Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US20070149430A1 (en) Formulation for removal of photoresist, etch residue and BARC
JP2007531006A (ja) パターン化されたイオン注入フォトレジストのウエハーから裏面反射防止膜を除去するのに有用な組成物
CN103777475A (zh) 清洁制剂
US20100104824A1 (en) Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists
JP2007535697A (ja) イオン注入されたフォトレジストを除去するための非フッ化物含有超臨界流体組成物
KR100335011B1 (ko) 레지스트 제거용 조성물
WO2017150620A1 (ja) 半導体基板又は装置の洗浄液及び洗浄方法
EP3268810B1 (en) Compositions and methods that promote charge complexing copper protection during low pka driven polymer stripping
US8926758B2 (en) Composition and method for removing photoresist and bottom anti-reflective coating for a semiconductor substrate
JP2019131793A (ja) 高度なフォトリソグラフィのためのマイクロエマルション除去剤
US20050107274A1 (en) Removal of post etch residues and copper contamination from low-k dielectrics using supercritical CO2 with diketone additives
US7183245B2 (en) Stripper for cured negative-tone isoprene-based photoresist and bisbenzocyclobutene coatings
US7410751B2 (en) Compositions and methods for image development of conventional chemically amplified photoresists
JP2004177669A (ja) シリコン含有2層レジストの剥離除去方法及びこれに用いる洗浄液
Hess et al. Dependence of Photoresist and Etch Residue Removal on CO2 Pressure in Alcohol-Based Gas-Expanded Liquids
Myneni Post plasma etch residue removal using carbon dioxide based fluids

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190111

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20190115

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20190411

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20191119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200507

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20201125