JP2019128325A - ガスセンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】センサユニットに金属製のケーシングを使用しつつ、測定精度を高められるガスセンサを提供する。【解決手段】ガスセンサ1は、触媒ユニット2と、センサユニット3と、少なくとも1つのヒータと、を備える。触媒ユニットは、被測定ガスに含まれる成分を化学変化させるための触媒と、触媒を格納する第1ケーシング2Bとを有する。センサユニットは、触媒ユニットを通過した被測定ガス中の特定成分を検知するように構成されたセンサ素子3Aと、センサ素子を格納する金属製の第2ケーシング3Bとを有する。少なくとも1つのヒータ5は、触媒ユニットとセンサユニットとを加熱するように構成される。第2ケーシングの内面は、被測定ガス中の特定成分を吸着せず、かつ被測定ガス中の特定成分と化学反応しない不活性コーティング材によって被覆される。【選択図】図1
Description
本開示は、ガスセンサに関する。
被測定ガス中の特定成分の濃度を測定するガスセンサとして、触媒を用いてガス中の成分を化学変化させた後に、センサ素子によってガス成分濃度を測定するものが公知である(特許文献1参照)。
特許文献1のガスセンサでは、触媒によって測定対象のガス成分を化学変化によってセンサ素子が検知可能な成分に変換すると共に、被測定対象に含まれる雑ガス成分を燃焼等の化学変化によって除去する。
上述のガスセンサにおいて、センサ素子は測定時にヒータによって加熱される。また、センサ素子が配置されるケーシングは、コスト、成型性、強度、耐熱性等の観点から金属で形成される。
このようなガスセンサでは、ヒータによってセンサ素子と共にケーシングが加熱されると、ケーシングが還元剤として働いてしまい、触媒による化学変化を経た被測定ガスの成分と化学反応するおそれがある。例えば、被測定ガスがNO2を含む場合、加熱されたケーシングによってNO2がNOに還元される。
このような化学反応がセンサのケーシング内において生じると、化学反応によって被測定ガス中の成分比(例えばNO2に対するNOの比)が変化するため、センサ素子による測定対象成分の測定精度が低下する。
本開示の一局面は、センサユニットに金属製のケーシングを使用しつつ、測定精度を高められるガスセンサを提供することを目的とする。
本開示の一態様は、被測定ガスに含まれる成分の濃度を測定するためのガスセンサである。ガスセンサは、触媒ユニットと、センサユニットと、少なくとも1つのヒータと、を備える。触媒ユニットは、被測定ガスに含まれる成分を化学変化させるための触媒と、触媒を格納する第1ケーシングとを有する。センサユニットは、触媒ユニットを通過した被測定ガス中の特定成分を検知するように構成されたセンサ素子と、センサ素子を格納する金属製の第2ケーシングとを有する。少なくとも1つのヒータは、触媒ユニットとセンサユニットとを加熱するように構成される。第2ケーシングの内面は、被測定ガス中の特定成分を吸着せず、かつ被測定ガス中の特定成分と化学反応しない不活性コーティング材によって被覆される。
このような構成によれば、金属製の第2ケーシングの内面が、被測定ガス中の特定成分を吸着せず、かつ被測定ガス中の特定成分と化学反応しない不活性コーティング材によって被覆されるため、第2ケーシング内で被測定ガス中の特定成分が化学反応することを抑制できる。その結果、被測定ガス中の特定成分の測定精度を高めることができる。
本開示の一態様では、第2ケーシングには、第2ケーシング内に被測定ガスを導入するための導入口と、第2ケーシング内の被測定ガスを排出するための排出口と、が設けられてもよい。少なくとも導入口の内面は、不活性コーティング材によって被覆されてもよい。このような構成によれば、第2ケーシングに被測定ガスを導入する流路内における被測定ガス中の特定成分の化学反応も抑制できるため、被測定ガス中の特定成分の測定精度をさらに高めることができる。
以下、本開示が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
[1.第1実施形態]
[1−1.構成]
図1に示すガスセンサ1は、被測定ガスGに含まれるガス成分の濃度を測定するためのガスセンサである。ガスセンサ1の測定対象のガス成分としては、窒素酸化物(NOx)、二酸化炭素等が挙げられる。
[1.第1実施形態]
[1−1.構成]
図1に示すガスセンサ1は、被測定ガスGに含まれるガス成分の濃度を測定するためのガスセンサである。ガスセンサ1の測定対象のガス成分としては、窒素酸化物(NOx)、二酸化炭素等が挙げられる。
ガスセンサ1は、環境管理、プロセス管理、医療等の分野に使用できる。ガスセンサ1は、特に数ppbから数百ppbレベルの極低濃度のNOxを含むガスの測定、具体的には喘息診断に好適に使用できる。
ガスセンサ1は、図1に示すように、触媒ユニット2と、センサユニット3と、流通路4と、1つのヒータ5と、隔壁6と、シール材7とを備える。なお、本実施形態での被測定ガスGは呼気である。
<触媒ユニット>
触媒ユニット2は、被測定ガスGが含む成分を化学変化させる触媒部2Aと、触媒部2Aを格納する第1ケーシング2Bとを有する。
触媒ユニット2は、被測定ガスGが含む成分を化学変化させる触媒部2Aと、触媒部2Aを格納する第1ケーシング2Bとを有する。
触媒部2Aによる化学変化には、ある成分を他の成分に変換することや、ある成分を燃焼させることが含まれる。具体的には、触媒部2Aは、ガスセンサ1が濃度を測定する成分をセンサ素子3Aが検知可能な成分に変換する。また、触媒部2Aは、ガスセンサ1が濃度を測定しない成分を燃焼する。例えば、喘息診断の場合では、触媒部2Aは、測定対象であるNOをNO2に変換すると共に、CO、H2、VOC等の被測定ガスG(呼気)中に含まれる微量の還元ガスを燃焼させる。
触媒部2Aは、被測定ガスGが含む成分を化学変化させるための触媒と、触媒を担持する基体部とを有する。基体部内には、被測定ガスGの流路が形成されている。触媒は、基体部の少なくともガス流路の内面に配置されている。
触媒部2Aの基体部は、例えばアルミナ等のセラミックを主成分とする。触媒部2Aの触媒は、用途や温度に応じて適宜選択される。触媒としては、例えば白金、ロジウム、金等の貴金属、それら貴金属の粒子を例えばγアルミナやゼオライトに担持させた担持体、又は、例えば酸化マンガン、酸化コバルト、酸化錫等の金属酸化物が使用される。
第1ケーシング2Bは、センサユニット3と対向する面が開口しており、この開口面が後述する隔壁6によって塞がれている。触媒部2Aは、第1ケーシング2Bと隔壁6とによって画定される内部空間に配置されている。具体的には、触媒部2Aは、隔壁6と、第1ケーシング2Bの内面のうち隔壁6と対向する面とに固定されている。
第1ケーシング2Bは、隔壁6と対向するフランジ2Cを有する。また、第1ケーシング2Bには、第1ケーシング2Bの内部空間と外部とをそれぞれ連通する導入口2D及び排出口2Eが設けられている。排出口2Eには、後述する流通路4が接続されている。第1ケーシング2Bは、例えば、アルミニウム、ステンレス(SUS)等の金属で形成される。
導入口2Dから第1ケーシング2B内に導入された被測定ガスGは、触媒部2Aの触媒に接触しながら、排出口2Eから第1ケーシング2Bの外(具体的には第2ケーシング3B内)に排出される。
<センサユニット>
センサユニット3は、触媒ユニット2を通過した被測定ガスG中の特定成分(つまり測定対象成分)を検知するように構成されたセンサ素子3Aと、センサ素子3Aを格納する第2ケーシング3Bとを有する。
センサユニット3は、触媒ユニット2を通過した被測定ガスG中の特定成分(つまり測定対象成分)を検知するように構成されたセンサ素子3Aと、センサ素子3Aを格納する第2ケーシング3Bとを有する。
センサ素子3Aは、混成電位式の検知体を有し、検知体はセラミックからなるベース基板に搭載されている。センサ素子3Aは、さらに測温用抵抗体を有してもよい。混成電位式の検知体は、公知であるため詳述はしないが、例えば、ジルコニアからなる固体電解質体と、それぞれ異なる材料からなる電極とを有し、これら電極間の電位差をセンサ信号として出力する構成を有する。なお、センサ素子3Aの検知体としては、これに限定されず、検知対象のガス成分の存在により自身の抵抗が変化する金属酸化物半導体からなる検知体や、容量変化型の検知体を使用してもよい。検知体及び測温用抵抗体は、隔壁6に形成された配線に電気的に接続され、外部から電力が供給される。
第2ケーシング3Bは、触媒ユニット2と対向する面が開口しており、この開口面が隔壁6によって塞がれている。センサ素子3Aは、第2ケーシング3Bと隔壁6とによって画定される内部空間に配置されている。具体的には、センサ素子3Aは、隔壁6に固定されている。
第2ケーシング3Bは、隔壁6と対向するフランジ3Cを有する。また、第2ケーシング3Bには、第2ケーシング3Bの内部空間と外部とをそれぞれ連通する導入口3D及び排出口3Eが設けられている。
導入口3Dは、第2ケーシング3B内に被測定ガスGを導入する。また、導入口3Dには、流通路4が接続されている。排出口3Eは、第2ケーシング3B内の被測定ガスGを排出する。第2ケーシング3Bは、例えば、アルミニウム、ステンレス(SUS)等の金属で形成される。
第2ケーシング3Bの内面は、被測定ガス中Gの特定成分を吸着せず、かつ被測定ガス中の特定成分と化学反応しない不活性コーティング材によって被覆されている。つまり、第2ケーシング3Bは、不活性コーティング材で形成されたコーティング層3Fを有する。なお、不活性コーティング材は、被測定ガスGが含む成分に対する触媒作用も有しないか、少なくとも第2ケーシング3Bを構成する金属に比べて被測定ガスGが含む成分に対する触媒作用が小さいとよい。
コーティング層3Fは、第2ケーシング3Bの内面に積層されている。コーティング層3Fは、被測定ガスGの特定成分を通過させないように緻密に形成されている。つまり、コーティング層3Fは、被測定ガスGの特定成分が第2ケーシング3Bに接触することを阻止する。
不活性コーティング材としては、ガスセンサ1の使用時、つまりヒータ5によって加熱された状態で化学的に安定した物質のうち、この加熱状態において被測定ガス中Gの特定成分を吸着せず、かつ被測定ガス中の特定成分と化学反応しない物質であれば、特に限定されない。
不活性コーティング材としては、アルミナ、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂などが例示される。また、コーティング層3Fは、例えば、スパッタリング、ゾルゲル法、ゾル液の塗布等の手法によって形成することができる。
導入口3D(つまり流通路4)から第2ケーシング3B内に導入された被測定ガスGは、センサ素子3Aに接触しながら、排出口3Eから第2ケーシング3Bの外(具体的にはガスセンサ1の系外)に排出される。
<流通路>
流通路4は、第1ケーシング2B内の被測定ガスGを、第2ケーシング3B内に供給する。流通路4は、第1ケーシング2Bの排出口2Eと、第2ケーシング3Bの導入口3Dとを連結する配管である。
流通路4は、第1ケーシング2B内の被測定ガスGを、第2ケーシング3B内に供給する。流通路4は、第1ケーシング2Bの排出口2Eと、第2ケーシング3Bの導入口3Dとを連結する配管である。
<ヒータ>
ヒータ5は、触媒ユニット2とセンサユニット3とを同時に加熱する。本実施形態では、ヒータ5は、センサ素子3A内に配置されている。ヒータ5をセンサ素子3A内に配置することで、触媒ユニット2よりも高温で温度制御を行う必要のあるセンサ素子3Aの温度制御が可能となる。なお、測温用抵抗体からの出力を用いてヒータ5の通電制御を行うことで、センサ素子3Aの温度制御を精度の高いものにすることも可能である。
ヒータ5は、触媒ユニット2とセンサユニット3とを同時に加熱する。本実施形態では、ヒータ5は、センサ素子3A内に配置されている。ヒータ5をセンサ素子3A内に配置することで、触媒ユニット2よりも高温で温度制御を行う必要のあるセンサ素子3Aの温度制御が可能となる。なお、測温用抵抗体からの出力を用いてヒータ5の通電制御を行うことで、センサ素子3Aの温度制御を精度の高いものにすることも可能である。
本実施形態では、1つのヒータ5で触媒ユニット2とセンサユニット3とを同時に加熱できるため、ガスセンサ1の消費電力を低減できる。また、ガスセンサ1の構造を簡素化することができる。
ヒータ5は、例えば白金等の金属配線(つまり負荷抵抗)によって構成される。ヒータ5は、隔壁6に形成された配線に電気的に接続され、外部から電力が供給されることで発熱する。
<隔壁及びシール材>
隔壁6は、第1ケーシング2Bと第2ケーシング3Bとに挟持され、触媒部2Aが配置される空間と、センサ素子3Aが配置される空間とを仕切るように配置されている。
隔壁6は、第1ケーシング2Bと第2ケーシング3Bとに挟持され、触媒部2Aが配置される空間と、センサ素子3Aが配置される空間とを仕切るように配置されている。
具体的には、隔壁6は、第1ケーシング2Bのフランジ2Cと、第2ケーシング3Bのフランジ3Cとの間に配置されている。また、隔壁6と2つのフランジ2C,3Cとの間には、それぞれリング状のシール材7が配置され、気密が確保されている。
つまり、隔壁6は、2つのシール材7を介して、第1ケーシング2Bのフランジ2Cと、第2ケーシング3Bのフランジ3Cとによって厚み方向に挟持されている。第1ケーシング2Bのフランジ2Cと、第2ケーシング3Bのフランジ3Cとは、例えば、厚み方向の締結によって固定されている。シール材7としては、例えばポリテトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂を主成分とするガスケットが使用される。
隔壁6の一部は、フランジ2C,3Cの外側まで延伸している。隔壁6は、その表面又は内部に配置された配線を有する。この配線は、センサ素子3A及びヒータ5と外部回路とを接続するためのものであり、電極パッドを有する。電極パッドには、センサ素子3A及びヒータ5が、抵抗溶接、ボンディング等によって電気的に接続されている。
隔壁6の材質は特に限定されないが、隔壁6は例えばセラミックを主成分とする。ここで、「主成分」とは、80質量%以上含有される成分を意味する。また、隔壁6に用いるセラミックとしては絶縁性セラミック(例えば、アルミナ)が好ましい。
隔壁6は、触媒部2A及びセンサ素子3Aが配置された配置部6Aの厚みが他の部分の厚みよりも小さい。換言すれば、触媒部2A及びセンサ素子3Aは、隔壁6において他の部分よりも薄肉化された配置部6Aに固定されている。
[1−2.効果]
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(1a)金属製の第2ケーシング3Bの内面が、不活性コーティング材によって被覆されるため、第2ケーシング3B内で被測定ガスG中の特定成分が化学反応することを抑制できる。その結果、被測定ガスG中の特定成分の測定精度を高めることができる。
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(1a)金属製の第2ケーシング3Bの内面が、不活性コーティング材によって被覆されるため、第2ケーシング3B内で被測定ガスG中の特定成分が化学反応することを抑制できる。その結果、被測定ガスG中の特定成分の測定精度を高めることができる。
[2.第2実施形態]
[2−1.構成]
図2に示すガスセンサ11は、図1に示すガスセンサ1と同様、被測定ガスGに含まれるガス成分の濃度を測定するためのガスセンサである。
[2−1.構成]
図2に示すガスセンサ11は、図1に示すガスセンサ1と同様、被測定ガスGに含まれるガス成分の濃度を測定するためのガスセンサである。
ガスセンサ11は、触媒ユニット2と、センサユニット13と、流通路4と、1つのヒータ5と、隔壁6と、シール材7とを備える。
触媒ユニット2、流通路4、ヒータ5、隔壁6、及びシール材7は、図1のガスセンサ1と同じものであるため、同一符号を付して説明を省略する。
触媒ユニット2、流通路4、ヒータ5、隔壁6、及びシール材7は、図1のガスセンサ1と同じものであるため、同一符号を付して説明を省略する。
センサユニット13は、コーティング層13Fを除いて、図1のセンサユニット3と同じものである。
本実施形態のコーティング層13Fは、第2ケーシング3Bの内面に加えて、第2ケーシング3Bの導入口3D及び排出口3Eの内面にも積層されている。つまり、導入口3D及び排出口3Eは、不活性コーティング材によって被覆されている。
本実施形態のコーティング層13Fは、第2ケーシング3Bの内面に加えて、第2ケーシング3Bの導入口3D及び排出口3Eの内面にも積層されている。つまり、導入口3D及び排出口3Eは、不活性コーティング材によって被覆されている。
[2−2.効果]
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(2a)第2ケーシング3Bの導入口3D及び排出口3Eの内面が不活性コーティング材によって被覆されることで、第2ケーシング3Bに連通する流路内における被測定ガスG中の特定成分の化学反応も抑制できる。そのため、被測定ガスG中の特定成分の測定精度をさらに高めることができる。
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(2a)第2ケーシング3Bの導入口3D及び排出口3Eの内面が不活性コーティング材によって被覆されることで、第2ケーシング3Bに連通する流路内における被測定ガスG中の特定成分の化学反応も抑制できる。そのため、被測定ガスG中の特定成分の測定精度をさらに高めることができる。
[3.他の実施形態]
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
(3a)上記実施形態のガスセンサ1,11において、第1ケーシング2Bと第2ケーシング3Bとを配管ではなく、隔壁6に設けた貫通孔で接続してもよい。つまり、流通路4を第1ケーシング2Bと第2ケーシング3Bとを貫通する貫通孔で構成してもよい。
また、ガスセンサ1,11は、必ずしも隔壁6及びシール材7を備えなくてもよい。第1ケーシング2Bと第2ケーシング3Bとは、離間して配置されてもよいし、隔壁6を介さずに接合されていてもよい。
(3b)上記実施形態のガスセンサ1,11において、ヒータ5は、センサ素子3Aと隔壁6との間、触媒部2Aの内部、又は触媒部2Aと隔壁6との間に配置されてもよい。また、ガスセンサ1,11は、触媒部2Aを加熱する第1ヒータと、センサ素子3Aを加熱する第2ヒータとを備えてもよい。
(3c)上記実施形態のガスセンサ1,11において、第1ケーシング2B及び第2ケーシング3Bは、それぞれ配管によって構成されてもよい。つまり、触媒部2A及びセンサ素子3Aは、それぞれ配管の内部に配置されてもよい。
(3d)上記実施形態のガスセンサ1,11において、触媒ユニット2の第1ケーシング2Bの内面に不活性コーティング材を被覆してもよい。これによって、被測定ガスG中の特定成分の化学反応をより確実に抑制できる。
(3e)上記第2実施形態のガスセンサ11では、コーティング層13Fを第2ケーシング3Bの導入口3D及び排出口3Eの内面の双方に設けたが、ガスセンサ11において、コーティング層13Fを、第2ケーシング3Bの導入口3Dの内面にのみ設ける構成としてもよい。導入口3D側にコーティング層13Fを設けておくことで、触媒による化学変化を経た被測定ガスの成分と導入口3Dの内面との間での化学反応を抑制する効果をもたらすことができるからである。
(3f)上記実施形態における1つの構成要素が有する機能を複数の構成要素として分散させたり、複数の構成要素が有する機能を1つの構成要素に統合したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
1…ガスセンサ、2…触媒ユニット、2A…触媒部、2B…第1ケーシング、
2C…フランジ、2D…導入口、2E…排出口、3…センサユニット、
3A…センサ素子、3B…第2ケーシング、3C…フランジ、3D…導入口、
3E…排出口、3F…コーティング層、4…流通路、5…ヒータ、6…隔壁、
6A…配置部、7…シール材、11…ガスセンサ、13…センサユニット、
13F…コーティング層。
2C…フランジ、2D…導入口、2E…排出口、3…センサユニット、
3A…センサ素子、3B…第2ケーシング、3C…フランジ、3D…導入口、
3E…排出口、3F…コーティング層、4…流通路、5…ヒータ、6…隔壁、
6A…配置部、7…シール材、11…ガスセンサ、13…センサユニット、
13F…コーティング層。
Claims (2)
- 被測定ガスに含まれる成分の濃度を測定するためのガスセンサであって、
被測定ガスに含まれる成分を化学変化させるための触媒と、前記触媒を格納する第1ケーシングとを有する触媒ユニットと、
前記触媒ユニットを通過した前記被測定ガス中の特定成分を検知するように構成されたセンサ素子と、前記センサ素子を格納する金属製の第2ケーシングとを有するセンサユニットと、
前記触媒ユニットと前記センサユニットとを加熱するように構成された少なくとも1つのヒータと、
を備え、
前記第2ケーシングの内面は、前記被測定ガス中の特定成分を吸着せず、かつ前記被測定ガス中の特定成分と化学反応しない不活性コーティング材によって被覆される、ガスセンサ。 - 前記第2ケーシングには、前記第2ケーシング内に前記被測定ガスを導入するための導入口と、前記第2ケーシング内の前記被測定ガスを排出するための排出口と、が設けられ、
少なくとも前記導入口の内面は、前記不活性コーティング材によって被覆される、請求項1に記載のガスセンサ。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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