JP2019124932A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質が向上した表示装置を提供する。【解決手段】本発明の実施形態に係る表示装置はブルー光を生成する光源と、映像を表示する表示パネルと、前記表示パネル下部に配置される導光部材と、前記導光部材及び前記表示パネルの間に配置され、複数の量子点を含む第１光変換層と、前記導光部材及び前記第１光変換層の間に配置され、前記導光部材の屈折率より小さい屈折率を有する低屈折層と、光経路上で前記光源及び前記第１光変換層の間に配置され、複数のＫＳＦ蛍光体を含む第２光変換層と、を含み、前記第１光変換層は前記ブルー光を吸収してグリーン光に変換し、前記第２光変換層は前記ブルー光を吸収してレッド光に変換する。【選択図】図２

Description

本発明は表示装置に係り、より詳しくは、表示品質が向上され、光効率が向上された表示装置に関する。

表示装置は消費電力が低く、携帯性が良好であり、付加価値が高い次世代の先端ディスプレイ（ｄｉｓｐｌａｙ）素子として脚光を浴びている。表示装置は各画素別に薄膜トランジスタを含んで、画素別電圧のオン／オフを調節する。
一方、表示装置は表示パネル及び表示パネルに光を提供するバックライトユニットを含む。バックライトユニットは光源及び導光板を含む。光源から生成された光は導光板の内部で導光されて表示パネルに提供される。

米国特許第９，２７４，２６４号公報 米国特許第９，４１７，３７５号公報 米国特許公開第２０１７／０１２５６５０号明細書

本発明の目的は表示品質が向上された表示装置を提供することにある。

本発明の実施形態に係る表示装置は、ブルー光を生成する光源と、映像を表示する表示パネルと、前記表示パネル下部に配置される導光部材と、前記導光部材及び前記表示パネルの間に配置され、複数の量子点を含む第１光変換層と、前記導光部材及び前記第１光変換層の間に配置され、前記導光部材の屈折率より小さい屈折率を有する低屈折層と、光経路上で前記光源及び前記第１光変換層の間に配置され、複数のＫＳＦ蛍光体を含む第２光変換層と、を含み、前記第１光変換層は前記ブルー光を吸収してグリーン光に変換し、前記第２光変換層は前記ブルー光を吸収してレッド光に変換する。

前記第２光変換層は、前記光源及び前記導光部材の間に配置される。

前記第１光変換層及び前記表示パネルの間に配置されて前記第１光変換層をカバーする第１保護層をさらに含む。

前記光源は前記導光部材の側面の中の少なくともいずれか１つと隣接するように配置される。

表示装置は、前記低屈折層及び前記第１光変換層の間に配置され、入射される光の中で前記グリーン光は反射し、前記レッド光及び前記ブルー光は透過する光学フィルター層をさらに含む。

前記光学フィルター層は、各々が第１屈折率を有する複数の第１絶縁膜、及び各々が前記第１屈折率より小さい第２屈折率を有する複数の第２絶縁膜を含み、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とは交互に積層される。

前記第１光変換層は、前記低屈折層上にコーティングされる。

前記第２光変換層は、前記低屈折層及び前記第１光変換層の間に配置される。

表示装置は、前記第１光変換層及び前記低屈折層の間に配置されて前記低屈折層と前記第１光変換層とを隔離させる第２保護層をさらに含む。

前記光源で提供されたブルー光のピーク波長の強さに対する前記第２光変換層を透過した前記レッド光のピーク波長の強さの比は約０．２以下である。

前記第１光変換層は、入射される光を拡散させる複数の拡散粒子をさらに含む。

前記導光部材の上面に中央領域及び前記中央領域を囲む周辺領域が定義され、前記導光部材の中央領域は前記低屈折層の下面と接触し、前記導光部材の周辺領域の少なくとも一部は前記表示パネルの下面の縁と結合される。

前記周辺領域は前記光源と隣接する入光部を含み、前記入光部を除外した前記周辺領域が前記表示パネルの下面の前記縁と結合される。

前記導光部材、前記低屈折層、前記第１光変換層、及び前記表示パネルは一体の形状を有する。

前記第１光変換層の厚さは約５μｍ以上３０μｍ以下である。

前記第１光変換層の単位体積当たり量子点含有量は約５％以上３０％以下である。

前記低屈折層の厚さは約０．５μｍ以上である。

本発明の実施形態に係る表示装置は映像を表示する表示パネルと、前記表示パネルの下部に配置され、少なくとも１つの一側面に定義される入光面を含む導光部材と、前記入光面と隣接するように配置され、ブルー光を生成する光源と、前記導光部材及び前記表示パネルの間に配置され、複数の量子点を含む第１光変換層と、前記導光部材、及び前記第１光変換層の間に配置され、前記導光部材の屈折率より小さい屈折率を有する低屈折層と、前記第１光変換層及び前記表示パネルの間に配置されて前記第１光変換層をカバーする第１保護層と、前記光源及び前記導光部材の前記入光面の間に配置され、複数のＫＳＦ蛍光体を含む第２光変換層と、を含み、前記第１光変換層は前記ブルー光を吸収してグリーン光に変換し、前記第２光変換層は前記ブルー光を吸収してレッド光に変換する。

前記光源で提供されたブルー光のピーク波長の強さに対する前記第２光変換層を透過した前記レッド光のピーク波長の強さの比は約０．２以下である。

本発明の実施形態に係るバックライトユニットは少なくとも１つの一側面に定義される入光面を含む導光部材と、前記入光面と隣接するように配置され、ブルー光を生成する光源と、前記導光部材上に配置され、複数の量子点を含む第１光変換層と、前記第１光変換層及び前記導光部材の間に配置され、前記第１光変換層の屈折率及び前記導光部材の屈折率の各々より小さい屈折率を有する低屈折層と、光経路上で、前記第１光変換層及び前記光源の間に配置され、複数のＫＳＦ蛍光体を含む第２光変換層と、を含み、前記第１光変換層は前記ブルー光を吸収してグリーン光に変換し、前記第２光変換層は前記ブルー光を吸収してレッド光に変換する。

本発明の実施形態によれば、表示装置の表示品質が向上され、光効率を向上できる。

本発明の実施形態による表示装置の斜視図である。 図１に図示したＩ−Ｉ’線の断面図である。 図２に図示した表示部材の断面図である。 図２に図示したＡ領域の拡大図である。 本発明の実施形態に係る光源及び第２光変換層の拡大断面図である。 導光部材に提供される光の波長別相対的な強さのグラフである。 （ａ）は、光源ユニットで発生した光と第２光変換層から放出された光の波長別相対的な強さとを比較したグラフであり、（ｂ）は、本発明の実施形態に係るバックライトユニットから表示部材に提供される光の相対的な強さを比較したグラフである。 バックライトユニットから表示部材に提供される光の色度座標である。 本発明の他の実施形態に係るＡ領域の拡大図である。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の分解斜視図である。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の分解斜視図である。 本発明の他の実施形態に係る導光部材の平面図である。 図１１に図示したＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の断面図である。 図１６に図示した光学フィルター層の拡大断面図である。 図１６に図示した光学フィルター層の透過グラフである。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の断面図である。

本発明の長所及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後術する実施形態を参照すれば、明確になる。しかし、本発明は以下に開示する実施形態に限定されず、互に異なる多様な形態に具現でき、単なる本実施形態は本発明の開示が完全になるようにし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範疇によって定義されるだけである。明細書の全文にわたって同一の参照符号は同一の構成要素を称する。

素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）又は層が他の素子又は層の‘‘上（ｏｎ）’’又は‘‘上部（ｏｎ）’’と称するのは他の素子又は層の直ちに上のみならず、中間に他の層又は他の素子を介在した場合を全て含む。一方、素子が‘‘直接上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）’’又は‘‘直ぐ上’’と称するのは中間に他の素子又は層を介在しないことを示す。‘‘及び／又は’’は言及したアイテムの各々及び１つ以上のすべての組合せを含む。

空間的に相対的な用語である‘‘下（ｂｅｌｏｗ）’’、‘‘下（ｂｅｎｅａｔｈ）’’、‘‘下部（ｌｏｗｅｒ）’’、‘‘上（ａｂｏｖｅ）’’、‘‘上部（ｕｐｐｅｒ）’’等は図面に図示するように１つの素子又は構成要素と、他の素子又は構成要素と、の相関関係を容易に記述するために使用する。空間的に相対的な用語は図面に図示する方向に加えて使用の時又は動作の時、素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されなければならない。明細書の全文にわたって同一の参照符号は同一の構成要素を称する。

第１、第２等が多様な素子、構成要素、及び／又はセクションを記述するために使用するが、これらの素子、構成要素、及び／又はセクションはこれらの用語によって制限されないことは勿論である。これらの用語は単なる１つの素子、構成要素、又はセクションを他の素子、構成要素、又はセクションと区別するために使用する。したがって、以下で言及する第１素子、第１構成要素、又は第１セクションは本発明の技術的思想内で第２素子、第２構成要素、又は第２セクションであることは勿論である。

本明細書で記述する実施形態は本発明の理想的な概略図である平面図及び断面図を参考にして説明する。したがって、製造技術及び／又は許容誤差等によって例示図の形態が変形できる。したがって、本発明の実施形態は図示した特定形態に制限されず、製造工程によって生成される形態の変化も含む。したがって、図面で例示した領域は概略的な属性を有し、図面で例示した領域の模様は素子の領域の特定形態を例示するためのものであり、発明の範疇を制限するためのものではない。

以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態をより詳細に説明する。
図１は本発明の実施形態による表示装置の全体斜視図であり、図２は図１に図示したＩ−Ｉ’線の断面図である。

図１及び図２を参照すれば、本発明の実施形態に係る表示装置１０００は第１方向ＤＲ１に短辺を有し、第２方向ＤＲ２に長辺を有する長方形状を有する。しかし、本発明の他の実施形態に係る表示装置１０００はこれに限定されず、多様な形状を有することができる。

表示装置１０００はウインドー部材１００、表示部材ＤＭ、バックライトユニットＢＬＵ、及び収納部材６００を含む。

説明の簡易のために、表示装置１０００で映像が提供される方向を上部方向として定義し、上部方向の反対方向を下部方向として定義する。本実施形態では、上部及び下部方向は第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２と直交する方向として定義される第３方向ＤＲ３と平行である。第３方向ＤＲ３は後述する構成要素の前面と背面を区分する基準方向である。しかし、上部方向や下部方向は相対的な概念として、他の方向に変換できる。

ウインドー部材１００は表示部材ＤＭから提供される映像を透過させる透光部ＴＡ及び透光部ＴＡに隣接し、映像が透過されない遮光部ＣＡを含む。透光部ＴＡは第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２によって定義される平面上で表示装置１０００の中心部に配置される。遮光部ＣＡは透光部ＴＡの周辺部に配置されて透光部ＴＡを囲んだフレーム形状を有する。

ウインドー部材１００はガラス、サファイア、又はプラスチックを含む材質である。

表示部材ＤＭはウインドー部材１００の下部に配置される。表示部材ＤＭはバックライトユニットＢＬＵから受信した光を利用して映像を表示する。即ち、表示部材ＤＭは受光型表示パネルを含む。例示的に、本発明の実施形態によれば、表示部材ＤＭは液晶表示パネル（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）を含む。

平面上で、映像が表示される表示部材ＤＭの面は表示面として定義される。表示面は表示面に映像が表示される表示領域ＤＡ及び映像が表示されない非表示領域ＮＤＡを含む。表示領域ＤＡは前記平面上で表示部材ＤＭの中央として定義されて、ウインドー部材１００の透光部ＴＡと重畳する。

バックライトユニットＢＬＵは表示部材ＤＭの下部に配置されて、表示部材ＤＭに光を提供する。本実施形態によれば、バックライトユニットＢＬＵはエッジ型バックライトユニットである。しかし、本発明はこれに限定されない。例示的に、図面に図示しないが、本発明の他の実施形態に係るバックライトユニットＢＬＵは直下型バックライトユニットであってもよい。

本実施形態に係るバックライトユニットＢＬＵは光源ＬＳ、導光部材２００、低屈折層３００、第１光変換層ＣＶＬ１、第２光変換層ＣＶＬ２、反射シート４００、及びモールドフレーム５００を含む。

光源ＬＳは第１方向ＤＲ１で導光部材２００の一側面と隣接するように配置される。しかし、本発明は光源ＬＳの位置により限定されず、導光部材２００の側面の中の少なくともいずれか一側面に隣接するように配置される。光源ＬＳと隣接する導光部材２００の一側面は入光面ＩＳとして定義される。

光源ＬＳは複数の光源ユニットＬＳＵ及び光源基板ＬＳＳを含む。
光源ユニットＬＳＵは表示部材ＤＭに提供されるための光を生成して導光部材２００に提供する。

本実施形態によれば、光源ユニットＬＳＵは第１光を生成する。第１光は第１波長帯域を有する。例示的に、第１波長帯域は約４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。即ち、光源ユニットＬＳＵは実質的にブルー光を生成する。

本実施形態によれば、光源ユニットＬＳＵはＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）が点光源として使用された形態である。しかし、本発明は光源ユニットＬＳＵの種類に限定ない。

また、本発明は光源ユニットＬＳＵの数に限定されない。本発明の他の実施形態によれば、光源ユニットＬＳＵは複数ではない１つのＬＥＤが点光源として提供されるか、或いは複数のＬＥＤグループにより提供される。また、本発明の他の実施形態によれば、光源ユニットＬＳＵは線光源である。

光源ユニットＬＳＵは光源基板ＬＳＳ上に実装される。光源基板ＬＳＳは第１方向ＤＲ１で導光部材２００の一側と対向するように配置されて第２方向ＤＲ２に延長される。光源基板ＬＳＳは光源ユニットＬＳＵに連結された光源制御部（図示せず）を含む。光源制御部（図示せず）は表示部材ＤＭに表示される映像を分析してローカル調光信号を出力し、前記ローカル調光信号に応答して光源ユニットＬＳＵが生成する光の輝度を制御する。本発明の他の実施形態では、光源制御部（図示せず）が別の回路基板に実装されて提供され、その位置は特に限定されない。

導光部材２００は可視光線領域で光透過率が高い物質を含む。例示的に、導光部材２００はガラス材質を含む。その他の実施形態で、ポリメチルメタクリラート（ＰＭＭＡ、ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）等の透明な高分子樹脂からなされる。本実施形態で、導光部材２００は約１．４以上１．５５以下の屈折率を有する。

導光部材２００は導光部材２００の下面に形成された複数の出光パターンＰＴを含む。出光パターンＰＴは導光部材２００の下面に入射する光を屈折させて、反射角を変更させる役割をする。図２では出光パターンＰＴが導光部材２００の下面から下部に突出された陽刻形状を有するが、本発明は出光パターンＰＴの形状に特に限定されない。例示的に、本発明の他の実施形態によれば、出光パターンＰＴは導光部材２００の下面から上部に掘られた陰刻形状を有する。また、図２では出光パターンＰＴの各々が半球形状を有するが、本発明は出光パターンＰＴの各々の形状は特に限定されない。

低屈折層３００は導光部材２００の上面に配置される。低屈折層３００は導光部材２００の屈折率より低い屈折率を有する。例示的に、低屈折層３００の屈折率は約１．１５以上約１．３５以下である。低屈折層３００は低屈折層３００及び導光部材２００の間の界面で屈折率差を形成して、光源ＬＳから導光部材２００に提供された光が導光部材２００内で全反射されるようにする。

本実施形態によれば、既存の第１光変換層ＣＶＬ１及び導光部材２００の間に形成されているエアーギャップを低屈折層３００が代替する。したがって、導光部材２００及び第１光変換層ＣＶＬ１が低屈折層３００によって互いに結合されても、導光部材２００に提供される光が全反射されて導光される。

本実施形態によれば、低屈折層３００の厚さは約０．５μｍ以上である。本実施形態とは異なり、低屈折層３００が０．５μｍ未満である場合、導光部材２００に提供された光の中で全反射条件を満足する光が導光部材２００内で全反射されず、第１光変換層ＣＶＬ１に入射する。第１光変換層ＣＶＬ１は低屈折層３００の上部に配置される。第１光変換層ＣＶＬ１は低屈折層３００の上面上にコーティングされる。第１光変換層ＣＶＬ１は入射される光の波長帯域を変換させる役割をする。本実施形態で、第１光変換層ＣＶＬ１は複数の量子点ＱＤ（図４）を含む。

第１光変換層ＣＶＬ１は導光部材２００の屈折率より高い屈折率を有する。例示的に、第１光変換層ＣＶＬ１の屈折率は約１．６５以上である。

第２光変換層ＣＶＬ２は光源ＬＳ及び導光部材２００の入光面ＩＳの間に配置される。本実施形態で、第２光変換層ＣＶＬ２は複数よりに提供され、第２光変換層ＣＶＬ２は光源ユニットＬＳＵ上に一対一対応して配置される。しかし、本発明が第２光変換層ＣＶＬ２の数に限定されることではない。第２光変換層ＣＶＬ２は入射される光の波長帯域を変換させる役割をする。本実施形態で、第２光変換層ＣＶＬ２は複数の蛍光体ＰＨ（図５）を含む。以下、第１光変換層ＣＶＬ１及び第２光変換層ＣＶＬ２に関して図４及び図５により詳細に後述する。

反射シート４００は導光部材２００の下部に配置される。反射シート４００は導光部材２００の下部に放出される光を上部方向に反射させる。反射シート４００は光を反射する物質を含む。例示的に、反射シート４００はアルミニウム又は銀を含む。

図面に図示しないが、バックライトユニットＢＬＵは第１光変換層ＣＶＬ１及び表示部材ＤＭの間に配置される光学部材（図示せず）をさらに含む。第１光変換層ＣＶＬ１から光学部材（図示せず）に提供される光は光学部材（図示せず）によって拡散及び集光されて表示部材ＤＭに提供される。光学部材（図示せず）は複数のシートを含む。具体的に、光学部材（図示せず）は拡散シート、プリズムシート、及び保護シートを含む。拡散シートは第１光変換層ＣＶＬ１から提供される光を拡散させる。プリズムシートは拡散シートの上部に配置されて、拡散シートによって拡散された光を平面上に垂直になる上部方向に集光する。

保護シートは外部の摩擦からプリズムシートのプリズムを保護する。本発明は光学部材（図示せず）を含むシートの種類及び数に限定されない。

モールドフレーム５００は第１光変換層ＣＶＬ１及び表示部材ＤＭの間に配置される。前述した光学部材（図示せず）を含む表示装置１０００の場合、モールドフレーム５００は第１光変換層ＣＶＬ１及び光学部材（図示せず）の間に配置される。

本実施形態によれば、モールドフレーム５００はフレーム形状を有する。具体的に、モールドフレーム５００は第１光変換層ＣＶＬ１の上面上で縁領域に対応されるように配置される。モールドフレーム５００上に表示部材ＤＭが安着される。モールドフレーム５００は表示部材ＤＭ及びバックライトユニットＢＬＵを固定する役割をする。

収納部材６００は表示装置１０００の最下端に配置されてバックライトユニットＢＬＵを収納する。収納部材６００は底部６１０及び底部６１０に連結された複数の側壁部６２０を含む。本発明の実施形態では、収納部材６００の側壁部６２０の中のいずれか１つの内側面上に光源ＬＳが配置される。収納部材６００は剛性を有する金属物質を含む。

図３は図２に図示した表示部材の断面図である。
図３を参照すれば、表示部材ＤＭは第１偏光層ＰＯＬ１及び表示パネルＰＮＬを含む。第１偏光層ＰＯＬ１は表示パネルＰＮＬ及びバックライトユニットＢＬＵの間に配置されて、バックライトユニットＢＬＵから提供される光の成分を偏光させる。第１偏光層ＰＯＬ１は所定の方向を有する透過軸（図示せず）を有する。

表示パネルＰＮＬは第１偏光層ＰＯＬ１の上部に配置されて、表示領域ＤＡを通じて映像を表示する。表示パネルＰＮＬは受光型表示パネルである。例示的に、本発明の実施形態によれば、表示パネルＰＮＬは液晶表示パネル（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）である。

表示パネルＰＮＬは第１基板ＳＵＢ１、第２偏光層ＰＯＬ２、第２基板ＳＵＢ２、及び液晶層ＬＣを含む。

第１基板ＳＵＢ１は第１偏光層ＰＯＬ１の上部に配置される。第１基板ＳＵＢ１はバックライトユニットＢＬＵから提供される光を容易に伝達するように光透光性が高い材質で構成される。例示的に、第１基板ＳＵＢ１は透明ガラス基板、透明プラスチック基板、又は透明フィルムである。

図示しないが、前記平面上で第１基板ＳＵＢ１に少なくとも１つの画素領域（図示せず）及び画素領域に隣接する非画素領域（図示せず）が定義される。本実施形態で、画素領域は複数により具備され、非画素領域は画素領域の間に定義される。

第１基板ＳＵＢ１の画素領域には画素（図示せず）が各々配置される。画素は複数の画素電極（図示せず）及び画素電極と一対一対応して電気的に連結された複数の薄膜トランジスタ（図示せず）に含む。薄膜トランジスタは画素電極と各々連結されて各画素電極に提供される駆動信号をスイッチングする。

第２基板ＳＵＢ２は第１基板ＳＵＢ１の上部に配置されて第１基板ＳＵＢ１と対向する。第２基板ＳＵＢ２及び第１基板ＳＵＢ１の間に液晶層ＬＣが介在される。液晶層ＬＣは所定の方向に配列される複数の液晶分子（図示せず）を含む。

第２基板ＳＵＢ２は前記画素電極と共に液晶分子ＬＣＭの配列を制御するための電界を形成する共通電極（図示せず）を含む。表示部材ＤＭは液晶層ＬＣを駆動して上部方向である第３方向ＤＲ３に映像を表示する。

図示しないが、表示部材ＤＭには駆動信号を提供する駆動チップ、駆動チップが実装されるテープキャリヤーパッケージ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）、及びテープキャリヤーパッケージを通じて表示パネルＰＮＬと電気的に連結される印刷回路基板が提供される。

第２偏光層ＰＯＬ２は液晶層ＬＣ及び第２基板ＳＵＢ２の間に配置される。しかし、本発明は図３に図示した第２偏光層ＰＯＬ２の位置に限定されない。例示的に、本発明の他の実施形態によれば、第２偏光層ＰＯＬ２は第２基板ＳＵＢ２の上部に配置される。

本実施形態で、第２偏光層ＰＯＬ２はワイヤグリッド偏光子（Ｗｉｒｅ Ｇｒｉｄ Ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）である。図示しないが、第２偏光層ＰＯＬ２は金属材質の複数のナノワイヤを含む。しかし、本発明は第２偏光層ＰＯＬ２の具体的な形状及び材質に限定されない。

第２偏光層ＰＯＬ２は所定の方向を有する吸収軸（図示せず）を有する。表示装置１０００の表示モードが明るい状態である場合、第２偏光層ＰＯＬ２は光を透過させ、表示装置１０００の表示モードが暗い状態である場合、第２偏光層ＰＯＬ２は光を吸収する。

本実施形態によれば、液晶分子（図示せず）の配列モードに応じて、第１偏光層ＰＯＬ１の透過軸と第２偏光層ＰＯＬ２の吸収軸がなす角度が設定される。例示的に、第１偏光層ＰＯＬ１の透過軸は前記平面上で第２偏光層ＰＯＬ２の吸収軸と垂直である。

図４は図２に図示したＡ領域の拡大図である。
図４を参照すれば、第１光変換層ＣＶＬ１は複数の量子点ＱＤを含む。量子点ＱＤの各々は入射される光の少なくとも一部を吸収して、特定色相を持つ光を放出するか、或いはそのまま透過させる。

第１光変換層ＣＶＬ１に入射される光が量子点ＱＤを励起させるのに十分なエネルギーを有する場合、量子点ＱＤは入射される光の少なくとも一部を吸収して励起状態になった後、安定化しながら、特定色相の光を放出する。これと異なり、入射される光が量子点ＱＤを励起させるのに十分なエネルギーを有しない場合、入射される光は第１光変換層ＣＶＬ１をそのまま通過して外部から視認される。第１光変換層ＣＶＬ１の量子点ＱＤから放出される光は多様な方向に放射される。

本実施形態によれば、量子点ＱＤの各々は第１光を吸収して、第２波長帯域を有する第２光に変換する。第２波長帯域の中心波長は第１波長帯域の中心波長より大きい。例示的に、第２波長帯域は約４８０ｎｍ以上５６０ｎｍ以下である。即ち、量子点ＱＤの各々は実質的にブルー光をグリーン光に変換する。本実施形態によれば、量子点ＱＤの各々の直径は約５ｎｍ以上７ｎｍ以下である。

図５は本発明の実施形態に係る光源及び第２光変換層の拡大断面図である。

図５（ａ）を参照すれば、光源ユニットＬＳＵは光源基板ＬＳＳ上に実装される。光源ユニットＬＳＵは発光ダイオードＬＥＤ及び発光ダイオードＬＥＤをカバーするカバー基板ＣＶＲを含む。カバー基板ＣＶＲは発光ダイオードＬＥＤをカバーして、発光ダイオードＬＥＤ及び第２光変換層ＣＶＬ２を隔離させる。カバー基板ＣＶＲは透明な材質を含む。

第２光変換層ＣＶＬ２は光源ユニットＬＳＵの上に配置される。具体的に、第２光変換層ＣＶＬ２はカバー基板ＣＶＲ上に配置される。本実施形態によれば、第２方向ＤＲ２及び第３方向ＤＲ３によって定義される平面上で第２光変換層ＣＶＬ２の面積は発光ダイオードＬＥＤの面積より大きいか、或いは同一である。この場合、発光ダイオードＬＥＤで生成された光が第２光変換層ＣＶＬ２に入射される光量を最大化させる。

第２光変換層ＣＶＬ２は複数の蛍光体ＰＨを含む。例示的に、蛍光体ＰＨはポリマー材質のバインダー部材（図示せず）に散布された形態を有する。蛍光体ＰＨの各々は第１光を吸収して、第３波長帯域を有する第３光に変換する。第３波長帯域の中心波長は第１波長帯域及び第２波長帯域の各々の中心波長より大きい。例示的に、第３波長帯域は約６４０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下である。即ち、蛍光体ＰＨの各々は実質的にブルー光をレッド光に変換する。本実施形態によれば、蛍光体ＰＨはフッ化物化合物であるＫＳＦ蛍光体（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋）又は窒化物（Ｎｉｔｒｉｄｅ）系列の蛍光体を含む。

第２光変換層ＣＶＬ２に入射される光が蛍光体ＰＨを励起させるのに十分なエネルギーを有する場合、蛍光体ＰＨは入射される光の少なくとも一部を吸収して励起された状態になった後、安定化しながら、特定色相の光を放出する。これとは異なり、入射される光が蛍光体ＰＨを励起させるのに十分なエネルギーを有しない場合、入射される光は第２光変換層ＣＶＬ２をそのまま通過して導光部材２００に入射される。導光部材２００に入射された光は導光部材２００及び低屈折層３００によって導光された後、第１光変換層ＣＶＬ１に入射される。

図５（ａ）では発光ダイオードＬＥＤをカバーするカバー基板ＣＶＲを含む光源ユニットＬＳＵの構造を図示しが、本発明の光源ユニットＬＳＵの構造は特に限定されない。本発明の他の実施形態によれば、カバー基板ＣＶＲは削除される。具体的に、図５（ｂ）に図示したように、本発明の他の実施形態に係る光源ＬＳ−１は発光ダイオードＬＥＤが実装される領域を定義するモールドＭＤをさらに含む。モールドＭＤは光源基板ＬＳＳ上に配置される。光源基板ＬＳＳ上でモールドＭＤが形成されない領域に発光ダイオードＬＥＤが配置される。

第２光変換層ＣＶＬ２−１はモールドＭＤが定義する前記領域上で、発光ダイオードＬＥＤをカバーする。発光ダイオードＬＥＤは第２光変換層ＣＶＬ２−１によって封止される。即ち、発光ダイオードＬＥＤの上面及び側面が第２光変換層ＣＶＬ２−１と直接的に接触してカバーされる。

図６は導光部材に提供される光の波長別相対的な強さのグラフである。具体的に、第１グラフ（Ｇｒａｐｈ １）は第２光変換層ＣＶＬ２を含まないバックライトユニットＢＬＵの光源ＬＳから導光部材２００に提供される光の波長別相対的な強さのグラフである。第２グラフ（Ｇｒａｐｈ ２）は第２光変換層ＣＶＬ２を含むバックライトユニットＢＬＵの光源ＬＳから導光部材２００に提供される光の波長別相対的な強さのグラフである。

本実施形態とは異なり、第３グラフ（Ｇｒａｐｈ ３）に図示したように、別の光変換層を含まないバックライトユニットの場合、光源は白色光を発生させる。即ち、導光部材に第１波長帯域、第２波長帯域、及び第３波長帯域を有する光が提供される。この時、光源ＬＳから導光部材に提供された第１光（ブルー光）のピーク波長の強さに対する第３光（レッド光）のピーク波長の強さの比は１．０５である（Ｇｒａｐｈ ３）。

本実施形態によれば、第４グラフ（Ｇｒａｐｈ ４）に図示したように、光源ＬＳから発生される第１光（ブルー光）及び前記第１光（ブルー光）の中で少なくとも一部が第２光変換層ＣＶＬ２によって変換された第３光（レッド光）が導光部材２００に提供される。即ち、導光部材２００に第１波長帯域及び第３波長帯域を有する光が提供される。この時、光源ＬＳで提供された第１光（ブルー光）のピーク波長の強さに対する第２光変換層ＣＶＬ２を透過した第３光（レッド光）のピーク波長の強さの比は約０．２以下である。本実施形態とは異なり、光経路上で、第２光変換層ＣＶＬ２が第１光変換層ＣＶＬ１より前方に配置されるか、同一な層上に配置される場合、即ち、第２光（グリーン光）を放出する量子点ＱＤが第３光（レッド光）を放出する蛍光体ＰＨより前方に配置されるか、或いは同一な層上に配置される場合、量子点の各々によって放出された第２光（グリーン光）が蛍光体に再入射される。この時、第２光（グリーン光）のエネルギーによって蛍光体が励起される。したがって、最終的にバックライトユニットＢＬＵから放出される光の中で第２光（グリーン光）の光量が第３光（レッド光）の光量より顕著に少ない。即ち、表示装置１０００のホワイトバランスが減少し、光効率が低下する。しかし、本発明の実施形態によれば、第１光変換層ＣＶＬ１及び第２光変換層ＣＶＬ２が導光部材２００によって互いに離隔され、光経路上で、第３光（レッド光）を放出する蛍光体ＰＨが第２光（グリーン光）を放出する量子点ＱＤより前方に配置されるので、第２光（グリーン光）が蛍光体ＰＨに再吸収される現象を防止できる。即ち、表示装置１０００の光効率が増加し、ホワイトバランスが増加する。

また、第１光変換層ＣＶＬ１は第２光（グリーン光）を放出する量子点ＱＤのみを含む。即ち、第３光（レッド光）を放出する変換粒子を含まない。したがって、第１光変換層ＣＶＬ１の厚さが減少できる。即ち、表示装置１０００の厚さが減少できる。例示的に、第１光変換層ＣＶＬ１の厚さは約５μｍ以上３０μｍ以下である。

本実施形態とは異なり第１光変換層ＣＶＬ１の厚さが厚い場合、第１光変換層ＣＶＬ１が硬化されながら、収縮に応じて導光部材２００が曲がるか、或いはクラックが発生する。しかし、本発明の実施形態によれば、第１光変換層ＣＶＬ１の厚さが減少するので、導光部材２００が損傷される現象を防止できる。

図７（ａ）は光源ユニットで発生した光と第２光変換層から放出された光の波長別相対的な強さとを比較したグラフであり、図７（ｂ）は本発明の実施形態に係るバックライトユニットから表示部材に提供される光の相対的な強さを比較したグラフである。

本発明の実施形態とは異なり、光源ＬＳと隣接するように配置される第２光変換層ＣＶＬ２が第３光（レッド光）を放出する量子点を含む場合、光源ユニットＬＳＵによって量子点が劣化する。即ち、第２光変換層ＣＶＬ２の第３光（レッド光）変換率が低下する。

しかし、本発明の実施形態によれば、第２光変換層ＣＶＬ２が量子点より相対的に熱に強い蛍光体ＰＨを含むので、第２光変換層ＣＶＬ２が劣化される現象が緩和される。即ち、第２光変換層ＣＶＬ２の第３光（レッド光）変換率が低下することを防止して表示装置１０００の光効率が向上できる。

図７（ａ）に図示したように、光源ＬＳで発生した第１光（ブルー光）は第２光変換層ＣＶＬ２に入射されることによって一部が第３光（レッド光）に変換される。第２光変換層ＣＶＬ２を透過した光に対する第１波長帯域の強さは第２光変換層ＣＶＬ２を透過しない光に対する第１波長帯域の強さより小さい。

図７（ｂ）を参照すれば、第２光変換層ＣＶＬ２が第３光（レッド光）を放出するＫＳＦ蛍光体ＰＨ（図５）ではない第３光（レッド光）を放出する量子点を含む時、バックライトユニットＢＬＵから表示部材ＤＭに提供される光の波長別相対的な強さは第１グラフ（Ｇｒａｐｈ １）と同一である。第２光変換層ＣＶＬ２がＫＳＦ蛍光体ＰＨ（図５）を含む時、バックライトユニットＢＬＵから表示部材ＤＭに提供される光の波長別強さは第２グラフ（Ｇｒａｐｈ ２）と同一である。

本実施形態によれば、光源ＬＳで提供された第１光（ブルー光）が量子点ＱＤ及びＫＳＦ蛍光体ＰＨ（図５）によって第２光（グリーン光）及び第３光（レッド光）に変換されて表示部材ＤＭに提供される場合の波長別強さ（Ｇｒａｐｈ ２）は、光源ＬＳで提供された第１光（ブルー光）が第２光（グリーン光）を放出する量子点ＱＤ及び第３光を放出する量子点によって第２光（グリーン光）及び第３光（レッド光）に変換されて表示部材ＤＭに提供される場合の波長別強さ（Ｇｒａｐｈ １）より大きい。

図７（ａ）及び図７（ｂ）を共に参照すれば、光源ＬＳからＫＳＦ蛍光体ＰＨ（図５）を含む第２光変換層ＣＶＬ２を透過することによって、第１光（ブルー光）の強さが減少しても（図６）、最終的にバックライトユニットＢＬＵから表示部材ＤＭに提供された第１光（ブルー光）、第２光（グリーン光）、及び第３光（レッド光）の各々の変換率は第２光変換層ＣＶＬ２がＫＳＦ蛍光体ＰＨ（図５）を含む場合が第２光変換層ＣＶＬ２が量子点のみを含む場合より大きい。即ち、第２光変換層ＣＶＬ２がＫＳＦ蛍光体ＰＨ（図５）を含む場合、表示装置１０００の光効率が向上できる。

図８はバックライトユニットから表示部材に提供される光の色度座標である。図８ではバックライトユニットＢＬＵから表示部材ＤＭに提供される光に対して、様々な色度座標の中でＣＩＥ１９７６色度座標を使用して例示的に示した。色度座標がなす三角形の面積が広い光であるほど、高い色純度を有する。

図８を参照すれば、第Ａグラフ（Ｇｒａｐｈ Ａ）は第２光変換層ＣＶＬ２が第３光（レッド光）に対する変換粒子としてＫＳＦ蛍光体ＰＨ（図５）ではない量子点を含む場合の色度座標であり、第Ｂグラフ（Ｇｒａｐｈ Ｂ）は第２光変換層ＣＶＬ２が第３光（レッド光）に対する変換粒子としてＫＳＦ蛍光体ＰＨ（図５）を含む場合の色度座標である。第Ａグラフ（Ｇｒａｐｈ Ａ）及び第Ｂグラフ（Ｇｒａｐｈ Ｂ）の全てはＤＣＩ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｉｎｅｍａ Ｉｎｉｔｉａｔｉｖｅ）標準規格と類似な範囲の色度座標を有し、第Ａグラフ（Ｇｒａｐｈ Ａ）の面積は第Ｂグラフ（Ｇｒａｐｈ Ｂ）より広い面積を有する。即ち、第２光変換層ＣＶＬ２が第３光（レッド光）に対する変換粒子としてＫＳＦ蛍光体ＰＨ（図５）を含む場合、第２光変換層ＣＶＬ２が第３光（レッド光）に対する変換粒子としてＫＳＦ蛍光体ＰＨ（図５）ではない量子点を含む場合より最終的に表示部材ＤＭに提供される光の色純度が増加する。

図９は本発明の他の実施形態に係るＡ領域の拡大図である。
説明の簡易のために、本発明の一実施形態と異なる点を主に説明し、省略した部分は本発明の一実施形態にしたがう。また、先に説明した構成要素に対しては図面符号を併記し、前記構成要素に対する重複する説明は省略する。

図９を参照すれば、本発明の他の実施形態に係る第１光変換層ＣＶＬ１−２は複数の拡散粒子ＳＣをさらに含む。拡散粒子ＳＣは第１光変換層ＣＶＬ１−２に入射された光を散乱させて拡散させる役割をする。例示的に、拡散粒子ＳＣはチタニウム酸化物（ＴｉＯ２）である。

本実施形態によれば、拡散粒子ＳＣの各々のサイズは量子点ＱＤの各々のサイズより大きい。例示的に、拡散粒子ＳＣの各々の直径は約１５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である。

本実施形態によれば、拡散粒子ＳＣによって表示装置１０００の輝度が増加する。

また、本実施形態によれば、第１光変換層ＣＶＬ１−２は第２光（グリーン光）に変換する変換粒子ＱＤのみを含む。即ち、第１光変換層ＣＶＬ１−２は第３光（レッド光）を変換するための変換粒子ＰＨを含まない。したがって、１つの光変換層が第２光（グリーン光）を変換する変換粒子及び第３光（レッド光）を変換する変換粒子を全て含む場合より第１光変換層ＣＶＬ１−２の単位体積当たり変換粒子ＱＤ、ＰＨの密度が減少する。本発明の実施形態によれば、第１光変換層ＣＶＬ１の単位体積当たり量子点ＱＤ含有量は約５％以上３０％以下である。本実施形態によれば、減少した前記密度差に対応して、第１光変換層ＣＶＬ１−２の単位体積当たり拡散粒子ＳＣの密度を増加させることによって、表示装置１０００の輝度均一性をさらに増加できる。例示的に、第１光変換層ＣＶＬ１の単位体積当たり拡散粒子ＳＣ含有量は約１％以上である。

図１０は本発明の他の実施形態に係る表示装置の分解斜視図である。
説明の簡易のために、本発明の一実施形態と異なる点を主に説明し、省略した部分は本発明の一実施形態にしたがう。また、先に説明した構成要素に対しては図面符号を併記し、前記構成要素に対する重複する説明は省略する。

図１０を参照すれば、本発明の他の実施形態に係る表示装置１０００−３の第２光変換層ＣＶＬ２−３は第２方向ＤＲ２に延長された形状を有する。第２光変換層ＣＶＬ２−３は光源ユニットＬＳＵ及び導光部材２００の入光面ＩＳの間に配置されて第２方向ＤＲ２及び第３方向ＤＲ３によって定義される平面上で光源ユニットＬＳＵをカバーする。

図１１は本発明の他の実施形態に係る表示装置の分解斜視図であり、図１２は本発明の他の実施形態に係る導光部材の平面図である。図１３は図１１に図示したＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
説明の簡易のために、本発明の一実施形態と異なる点を主に説明し、省略した部分は本発明の一実施形態にしたがう。また、先に説明した構成要素に対しては図面符号を併記し、前記構成要素に対する重複する説明は省略する。

図１１乃至図１３を参照すれば、本発明の他の実施形態に係る表示装置１０００−４の導光部材２００−４の少なくとも一部は表示部材ＤＭと結合されて一体の形状を有する。この時、導光部材２００−４及び表示部材ＤＭによって低屈折層３００−４及び第１光変換層ＣＶＬ１−４がカバーされる。

具体的に、導光部材２００−４の上面上に中央領域ＣＲ及び中央領域を囲む周辺領域ＰＲが定義される。周辺領域ＰＲは導光部材２００−４の上面と平行である平面上でフレーム形状を有する。周辺領域ＰＲは導光部材２００−４の上面の縁領域と重畳される。

周辺領域ＰＲは第１領域ＩＳＲ及び第１領域ＩＳＲを除外した第２領域ＮＩＳＲを含む。第１領域ＩＳＲは周辺領域ＰＲの中で光源ＬＳと隣接する領域として定義される。第１領域ＩＳＲは入光面ＩＳと重畳する。

低屈折層３００−４及び第１光変換層ＣＶＬ１−４は導光部材２００−４の中央領域ＣＲと重畳するように配置される。即ち、低屈折層３００−４の下面は中央領域ＣＲに対応する導光部材２００−４の上面と重畳する。図１１及び図１３では低屈折層３００−４及び第１光変換層ＣＶＬ１−４が導光部材２００−４の中央領域ＣＲのみに配置されるが、本発明はこれに限定されない。例示的に、本発明の他の実施形態では、低屈折層３００−４及び第１光変換層ＣＶＬ１−４が中央領域ＣＲのみならず、第１領域ＩＳＲとも重畳するように配置される。

導光部材２００−４の周辺領域ＰＲの少なくとも一部は表示部材ＤＭの下面の縁領域と重畳する。例示的に、導光部材２００−４の周辺領域ＰＲは表示部材ＤＭの非表示領域ＮＤＡと全面的に重畳する。

導光部材２００−４及び表示部材ＤＭの間の第２領域ＮＩＳＲ上に、結合部材ＡＤが配置される。この時、第１領域ＩＳＲは結合部材ＡＤが配置されない。本実施形態とは異なり、第１領域ＩＳＲに結合部材ＡＤが配置される場合、入光面ＩＳと隣接する導光部材２００内の空間で全反射が行われないこともある。即ち、第１領域ＩＳＲで光漏れが発生する。

結合部材ＡＤによって導光部材２００−４及び表示部材ＤＭが結合される。結合部材ＡＤは粘着力を有する物質を含む。しかし、本発明はこれに限定されない。例示的に、本発明の他の実施形態によれば、結合部材ＡＤは省略される。この場合、導光部材２００−４及び表示部材ＤＭはレーザー接合を通じて互いに結合される。具体的に、導光部材２００−４の周辺領域ＰＲの第２領域ＮＩＳＲにレーザーを照射して表示部材ＤＭと接合する。

図１３では前述したモールドフレーム５００（図１及び図２）が省略され、遮光部材ＣＭが配置される。遮光部材ＣＭは光源ＬＳから提供される光が低屈折層３００、第１光変換層ＣＶＬ１、及び表示部材ＤＭの側面に入射されることを防止する役割をする。しかし、遮光部材ＣＭはバックライトユニットＢＬＵ及び収納部材６００の形状に沿って省略可能である。

図１４は本発明の他の実施形態に係る表示装置の断面図である。
説明の簡易のために、本発明の一実施形態と異なる点を主に説明し、省略した部分は本発明の一実施形態にしたがう。また、先に説明した構成要素に対しては図面符号を併記し、前記構成要素に対する重複する説明は省略する。

図１４を参照すれば、本発明の他の実施形態に係る表示装置１０００−５のバックライトユニットは第１保護層ＰＴＬ１をさらに含む。第１保護層ＰＴＬ１は第１光変換層ＣＶＬ１の量子点ＱＤが損傷することを防止する役割をする。本実施形態に係る第１保護層ＰＴＬ１は無機膜又は有機膜を含む。例示的に、第１保護層ＰＴＬ１はシリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）を含む。

図１５は本発明の他の実施形態に係る表示装置の断面図である。
説明の簡易のために、本発明の一実施形態と異なる点を主に説明し、省略した部分は本発明の一実施形態にしたがう。また、先に説明した構成要素に対しては図面符号を併記し、前記構成要素に対する重複する説明は省略する。

図１５を参照すれば、本発明の他の実施形態に係る第２光変換層ＣＶＬ２−６は低屈折層３００及び第１光変換層ＣＶＬ１の間に配置される。

導光部材２００で導光された第１光は低屈折層３００を経て第２光変換層ＣＶＬ２−６に入射する。第２光変換層ＣＶＬ２−６に入射した第１光の一部は第２光変換層ＣＶＬ２−６の蛍光体によって第３光に変換される。第２光変換層ＣＶＬ２−６から第１光変換層ＣＶＬ１に変換されない第１光及び第３光が入射される。第１光変換層ＣＶＬ１に入射した第１光の一部は第１光変換層ＣＶＬ１の量子点によって第２光に変換され、第１光乃至第３光は表示部材ＤＭを向かって出射される。

本実施形態によれば、光経路上で、レッド光を放出する第２光変換層ＣＶＬ２−６がグリーン光を放出する第１光変換層ＣＶＬ１より前方に配置される。

図１６は本発明の他の実施形態に係る表示装置の断面図であり、図１７は図１６に図示した光学フィルター層の拡大断面図である。図１８は図１６に図示した光学フィルター層の透過グラフである。
説明の簡易のために、本発明の一実施形態と異なる点を主に説明し、省略した部分は本発明の一実施形態にしたがう。また、先に説明した構成要素に対しては図面符号を併記し、前記構成要素に対する重複する説明は省略する。

図１６及び図１７を参照すれば、本発明の他の実施形態に係る表示装置１０００−６は光学フィルター層ＦＴＬを含む。光学フィルター層ＦＴＬは第１光変換層ＣＶＬ１及び第２光変換層ＣＶＬ２−７の間に配置される。

具体的に、導光部材２００上に低屈折層３００が配置され、低屈折層３００上に第２光変換層ＣＶＬ２−７が配置され、第２光変換層ＣＶＬ２−７上に光学フィルター層ＦＴＬが配置され、光学フィルター層ＦＴＬ上に第１光変換層ＣＶＬ１が配置される。

光学フィルター層ＦＴＬは複数の絶縁膜を含む。絶縁膜は第１絶縁膜ＩＬ１及び第２絶縁膜ＩＬ２を含む。第１絶縁膜ＩＬ１及び第２絶縁膜ＩＬ２の各々は複数具備されて交互に積層される。本実施形態で、第１絶縁膜ＩＬ１は光学フィルター層ＦＴＬの最上部及び最下部の各々に配置される。

第１絶縁膜ＩＬ１及び第２絶縁膜ＩＬ２は互いに異なる屈折率を有する。具体的に、第１絶縁膜ＩＬ１は第１屈折率ｎ１を有する。本発明の実施形態によれば、第１屈折率ｎ１は約２．０である。例示的に、第１絶縁膜ＩＬ１はシリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）、チタニウム酸化物（ＴｉＯｘ）、タンタル酸化物（ＴａＯｘ）、及びジンク酸化物（ＺｒＯｘ）の中の少なくともいずれか１つを含む。

第２絶縁膜ＩＬ２は第２屈折率ｎ２を有する。第２屈折率ｎ２は第１屈折率ｎ１より小さい。本発明の実施形態によれば、第２屈折率ｎ２は約１．５である。例示的に、第２絶縁膜ＩＬ２はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）及びフッ化マグネシウム（ＭｇＦ）の中の少なくともいずれか１つを含む。

第１絶縁膜ＩＬ１及び第２絶縁膜ＩＬ２の各々の厚さは屈折率によって決定される。例示的に、光学フィルター層ＦＴＬに入射される光の中心波長がλとして定義される時、第１絶縁膜ＩＬ１の各々の厚さはλ／４ｎ１であり、第２絶縁膜ＩＬ２の各々の厚さはλ／４ｎ２である。

したがって、第１絶縁膜ＩＬ１及び第２絶縁膜ＩＬ２の各々の厚さに応じて、光学フィルター層ＦＴＬをなす第１絶縁膜ＩＬ１及び第２絶縁膜ＩＬ２の層数が決定される。例示的に、第１絶縁膜ＩＬ１及び第２絶縁膜ＩＬ２は２０個以下の層をなす。

図１８を参照すれば、本実施形態に係る光学フィルター層ＦＴＬは第２光（グリーン光）は反射し、第１光（ブルー光）及び第３光（レッド光）を透過する。したがって、第１光変換層ＣＶＬ１から放出される第２光（グリーン光）の中で下部方向に進行して第２光変換層ＣＶＬ２−７に向かって放出されても、第１光変換層ＣＶＬ１及び第２光変換層ＣＶＬ２−７の間の光学フィルター層ＦＴＬによって第２光（グリーン光）が上部方向に反射される。即ち、第１光変換層ＣＶＬ１によって変換された第２光（グリーン光）が第２光変換層ＣＶＬ２−７に再入射される現象をさらに効果的に防止する。

図１６では第２光変換層ＣＶＬ２−７が導光部材２００の上部に配置され、第１光変換層ＣＶＬ１及び第２光変換層ＣＶＬ２−７の間に光学フィルター層ＦＴＬが配置される場合を図示したが、本発明はこれに限定されない。本発明の他の実施形態によれば、第２光変換層ＣＶＬ２が導光部材２００の上部でない入光面ＩＳと隣接するように配置される場合にも光学フィルター層ＦＴＬが低屈折層３００及び第１光変換層ＣＶＬ１の間に配置される。この場合、第１光変換層ＣＶＬ１から変換された第２光（グリーン光）が下部方向に進行する現象を防止できるので、光効率が増加できる。

図１９は本発明の他の実施形態に係る表示装置の断面図である。
説明の簡易のために、本発明の一実施形態と異なる点を主に説明し、省略した部分は本発明の一実施形態にしたがう。また、先に説明した構成要素に対しては図面符号を併記し、前記構成要素に対する重複する説明は省略する。

図１９を参照すれば、本発明の他の実施形態に係る表示装置１０００−８は第２保護層ＰＴＬ２をさらに含む。第２保護層ＰＴＬ２は低屈折層３００及び第１光変換層ＣＶＬ１の間に配置される。

第２保護層ＰＴＬ２は低屈折層３００及び第１光変換層ＣＶＬ１を隔離させる役割をする。具体的に、第２保護層ＰＴＬ２は低屈折層３００上に第１光変換層ＣＶＬ１をコーティングする過程で、第１光変換層ＣＶＬ１が含むソルベント（Ｓｏｌｖｅｎｔ）によって低屈折層３００が損傷される現象を防止する。

以上、実施形態を参照して説明したが、該当技術分野の熟練した当業者は下記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更できることを理解するべきである。また、本発明に開示した実施形態は本発明の技術思想を限定するためではなく、下記の特許請求の範囲及びそれと同等な範囲内にあるすべての技術思想は本発明の権利範囲に含まれると解釈されなければならない。

１００ ウインドー部材
２００、２００−４ 導光部材
３００、３００−４ 低屈折層
４００ 反射シート
５００ モールドフレーム
６００ 収納部材
６１０ 底部
６２０ 側壁部
１０００、１０００−３、１０００−４、１０００−５、１０００−６、１０００−７、１０００−８ 表示装置
ＢＬＵ、ＢＬＵ−３、ＢＬＵ−４ バックライトユニット
ＡＤ 結合部材
ＣＡ 遮光部
ＣＭ 遮光部材
ＣＲ 中央領域
ＣＶＬ１、ＣＶＬ１−４ 第１光変換層
ＣＶＬ２、ＣＶＬ２−３、ＣＶＬ２−６、ＣＶＬ２−７ 第２光変換層
ＣＶＲ カバー基板
ＤＡ 表示領域
ＤＭ 表示部材
ＦＴＬ 光学フィルター層
ＩＳ 入光面
ＩＳＲ 第１領域
ＬＣ 液晶層
ＬＳ、ＬＳ１ 光源
ＬＳＳ 光源基板
ＬＳＵ 光源ユニット
ＭＤ モールド
ＮＩＳＲ 第２領域
ＮＤＡ 非表示領域
ＰＨ 蛍光体、ＫＳＦ蛍光体
ＰＮＬ 表示パネル
ＰＯＬ１ 第１偏光層
ＰＯＬ２ 第２偏光層
ＰＲ 周辺領域
ＰＴ 出光パターン
ＰＴＬ１ 第１保護層
ＰＴＬ２ 第２保護層
ＱＤ 量子点
ＳＣ 拡散粒子
ＳＵＢ１ 第１基板
ＳＵＢ２ 第２基板
ＴＡ 透光部

Claims (10)

1. ブルー光を生成する光源と、
   映像を表示する表示パネルと、
   前記表示パネルの下部に配置される導光部材と、
   前記導光部材及び前記表示パネルの間に配置され、複数の量子点を含む第１光変換層と、
   前記導光部材及び前記第１光変換層の間に配置され、前記導光部材の屈折率より小さい屈折率を有する低屈折層と、
   光経路上で前記光源及び前記第１光変換層の間に配置され、複数のＫＳＦ蛍光体を含む第２光変換層と、を含み、
   前記第１光変換層は、前記ブルー光を吸収してグリーン光に変換し、
   前記第２光変換層は、前記ブルー光を吸収してレッド光に変換することを特徴とする表示装置。
2. 前記第２光変換層は、前記光源及び前記導光部材の間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１光変換層及び前記表示パネルの間に配置されて前記第１光変換層をカバーする第１保護層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記光源は、前記導光部材の側面の中の少なくともいずれか１つと隣接するように配置されることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
5. 前記低屈折層及び前記第１光変換層の間に配置され、
   入射される光の中で前記グリーン光は、反射し、前記レッド光及び前記ブルー光は、透過する光学フィルター層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 前記光学フィルター層は、
   各々が第１屈折率を有する複数の第１絶縁膜と、
   各々が前記第１屈折率より小さい第２屈折率を有する複数の第２絶縁膜と、を含み、
   前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜は、交互に積層されることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
7. 前記第１光変換層は、前記低屈折層上にコーティングされることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
8. 前記第２光変換層は、前記低屈折層及び前記第１光変換層の間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
9. 前記第１光変換層及び前記低屈折層の間に配置されて前記低屈折層と前記第１光変換層とを隔離させる第２保護層をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
10. 前記光源で提供されたブルー光のピーク波長の強さに対する前記第２光変換層を透過した前記レッド光のピーク波長の強さの比は、約０．２以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

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