JP2019122947A - 殺菌装置及び給湯装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】殺菌用の光を照射する光源に必要なエネルギー量に対する殺菌力を高められ、より少ないエネルギー量で従来と同程度の殺菌力を得られる殺菌装置等を提供する。【解決手段】殺菌装置100は、水が内部を通過する配管110と、予め設定された第1の波長の光を発生させる光源部120と、光源部120が発生させた光を第1の波長より短い第2の波長の光に変換する波長変換部130と、を備える。波長変換部130は、光源部120が発生させた第1の波長の光を受光可能、かつ、変換後の第2の波長の光を配管110の内部の水に照射可能に設けられる。【選択図】図2

Description

この発明は、殺菌装置及び給湯装置に関するものである。
貯湯式給湯装置に設けられる殺菌装置においては、水を加熱することにより湯水を生成する湯水生成装置と、湯水を貯湯する貯湯タンクと、貯湯タンク内の湯水を殺菌する殺菌光として波長260nm前後の紫外線を照射する紫外線LEDとを備えたものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2010−043799号公報
このように、特許文献1に示されるような殺菌装置は、紫外線LEDを用いてタンク内の湯水を殺菌している。しかしながら、タンク内の湯水全体に波長260nm前後の紫外線を照射するためには、高出力な紫外線LEDが数多く必要となり、殺菌用の光(紫外線)を照射する光源に必要なエネルギー量が多くなる。
この発明は、このような課題を解決するためになされたものである。その目的は、殺菌用の光を照射する光源に必要なエネルギー量に対する殺菌力を高めることができ、より少ないエネルギー量で従来と同程度の殺菌力を得ることができる殺菌装置及び給湯装置を得ることにある。
この発明に係る殺菌装置は、水が内部を通過する管と、予め設定された第1の波長の光を発生させる光源部と、前記光源部が発生させた光を前記第1の波長より短い第2の波長の光に変換する波長変換部と、を備え、前記波長変換部は、前記光源部が発生させた前記第1の波長の光を受光可能、かつ、変換後の前記第2の波長の光を前記管の内部の水に照射可能に設けられる。
また、この発明に係る給湯装置は、上述のように構成された殺菌装置を備える。
この発明に係る殺菌装置及び給湯装置によれば、殺菌用の光を照射する光源に必要なエネルギー量に対する殺菌力を高めることができ、より少ないエネルギー量で従来と同程度の殺菌力を得ることができるという効果を奏する。
この発明の実施の形態1に係る殺菌装置を備えた給湯装置の全体構成を示す図である。 この発明の実施の形態1に係る殺菌装置の構成を模式的に示す断面図である。 この発明の実施の形態1に係る殺菌装置の要部の一例を模式的に示す拡大断面図である。 この発明の実施の形態1に係る殺菌装置の要部の別例を模式的に示す拡大断面図である。 この発明の実施の形態2に係る殺菌装置の構成を模式的に示す断面図である。
この発明を実施するための形態について添付の図面を参照しながら説明する。各図において、同一又は相当する部分には同一の符号を付して、重複する説明は適宜に簡略化又は省略する。なお、本発明は以下の実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
実施の形態1.
図1から図4は、この発明の実施の形態1に係るもので、図1は殺菌装置を備えた給湯装置の全体構成を示す図、図2は殺菌装置の構成を模式的に示す断面図、図3は殺菌装置の要部の一例を模式的に示す拡大断面図、図4は殺菌装置の要部の別例を模式的に示す拡大断面図である。
図1に示すように、この発明の実施の形態1に係る殺菌装置100を備えた給湯装置1は、ヒートポンプユニット2と、タンクユニット3とを備える。ヒートポンプユニット2は、屋外に設置される。タンクユニット3は、屋外に設置されてもよいし、屋内に設置されてもよい。図示の構成ではヒートポンプユニット2とタンクユニット3とが別体であるが、ヒートポンプユニット2とタンクユニット3とが一体でもよい。
ヒートポンプユニット2は、冷媒回路4を備える。冷媒回路4は、圧縮機5、熱交換器6、減圧装置7、蒸発器8、及び冷媒配管9を備える。冷媒配管9は、圧縮機5、熱交換器6、減圧装置7、及び蒸発器8を環状に接続する。圧縮機5は、低圧冷媒ガスを圧縮する。冷媒は、例えば、二酸化炭素、R410A、R32、炭化水素、のうちの一つでもよい。熱交換器6は、圧縮機5により圧縮された高温高圧の冷媒と、水との間で熱を交換する。水は、熱交換器6内で加熱されることで湯になる。減圧装置7は、熱交換器6を通過した高圧冷媒を減圧させて膨張させる。膨張弁を減圧装置7として用いてもよい。蒸発器8は、減圧装置7を通過した低圧冷媒を蒸発させる。蒸発器8は、外気の熱を冷媒に吸収させることで冷媒を蒸発させるものでもよい。蒸発器8で蒸発した低圧冷媒ガスは、圧縮機5に吸入される。
タンクユニット3内には、貯湯タンク10、第1のポンプ11、切替弁12、風呂熱交換器13、第2のポンプ14、第3のポンプ15、減圧弁16、給湯混合弁17、風呂混合弁18、殺菌装置100、及び制御装置50が備えられている。
貯湯タンク10は、ヒートポンプユニット2で加熱された湯を貯留できる。貯湯タンク10内には、温度による水の密度の違いによって、温度成層を形成できる。すなわち、貯湯タンク10内は、上側が高温で下側が低温になる。
第1の給水路21は、外部からタンクユニット3の内部に引き込まれている。第1の給水路21には、例えば上水道のような水源からの水が流れる。第1の給水路21は、タンクユニット3の内部で減圧弁16に接続されている。減圧弁16は、第1の給水路21から供給される水の圧力を所定圧力に減圧する。
減圧弁16の下流は、第2の給水路22と第3の給水路23とに分岐している。第2の給水路22は、貯湯タンク10の下部にある水入口10aに接続されている。第1の給水路21及び第2の給水路22を通って水が貯湯タンク10の下部に流入することで、貯湯タンク10は満水状態に維持される。第2の給水路22の途中の位置に殺菌装置100が設置されている。殺菌装置100については後述する。第3の給水路23は、給湯混合弁17及び風呂混合弁18のそれぞれに水を供給可能に接続されている。
貯湯タンク10の下部にある水出口10bは、第1の水路24を介して、ヒートポンプユニット2内の熱交換器6の水入口に接続されている。第1の水路24の途中の位置に第1のポンプ11が接続されている。第1のポンプ11は、貯湯タンク10とヒートポンプユニット2との間で水を循環させる。図示の構成では第1のポンプ11がタンクユニット3に内蔵されているが、第1のポンプ11がヒートポンプユニット2内に配置されてもよい。
熱交換器6の水出口は、第2の水路25を介して、タンクユニット3内の切替弁12の入口に接続されている。第1の水路24及び第2の水路25の一部は、ヒートポンプユニット2及びタンクユニット3の外部を通る。貯湯タンク10の上部にある湯入口10cは、上部通路26を介して、切替弁12の第1の出口に接続されている。切替弁12の第2の出口は、バイパス通路27を介して、貯湯タンク10の戻り口10dに接続されている。戻り口10dは、貯湯タンク10の下部において、水入口10a及び水出口10bより高い位置にある。切替弁12は、第2の水路25を上部通路26に連通させる状態と、第2の水路25をバイパス通路27に連通させる状態とに、流路を切替可能である。
本実施の形態の給湯装置1は、浴室にある浴槽200に湯を供給できる。以下の説明では、浴槽200に供給された湯を「浴槽水」と呼ぶことがある。風呂熱交換器13は、浴槽水を再加熱するための熱交換器である。風呂熱交換器13は、一次側流路及び二次側流路を備える。
貯湯タンク10の上部にある湯出口10eは、第3の水路28を介して、風呂熱交換器13の一次側流路の入口である第1の入口13aに接続されている。風呂熱交換器13の一次側流路の出口である第1の出口13bは、第4の水路29を介して、貯湯タンク10の戻り口10fに接続されている。戻り口10fは、貯湯タンク10の下部において、水入口10a及び水出口10bより高い位置にある。第4の水路29の途中の位置に第2のポンプ14が接続されている。第2のポンプ14は、貯湯タンク10と風呂熱交換器13との間で水を循環させる。
風呂熱交換器13の二次側流路の入口である第2の入口13cは、第5の水路30を介して、浴槽200に接続されている。第5の水路30の途中の位置に第3のポンプ15が接続されている。風呂熱交換器13の二次側流路の出口である第2の出口13dは、第6の水路31を介して、浴槽200に接続されている。第5の水路30及び第6の水路31は、浴槽アダプタ210を介して、浴槽200内に連通している。第3のポンプ15は、浴槽200と風呂熱交換器13との間で浴槽水を循環させる。
湯路32は、第3の水路28の途中の位置から分岐して、給湯混合弁17及び風呂混合弁18のそれぞれに湯を供給可能に接続されている。本実施の形態の給湯装置1は、給湯栓300に湯を供給できる。給湯栓300は、例えば、浴室のシャワー、キッチンシンクの蛇口、洗面所の蛇口のうちの少なくとも一つでもよい。給湯栓300は、使用者が手で操作して開栓するものである。給湯栓300は、使用者がセンサを感応させて自動的に開栓させるものでもよい。給湯混合弁17の出口は、第1の給湯管33を介して、給湯栓300に接続されている。第4の給水路34は、タンクユニット3の外部において、第1の給水路21から分岐して延びて、給湯栓300に接続されている。
風呂混合弁18の出口は、第2の給湯管35を介して、第5の水路30の途中の位置に接続されている。第2の給湯管35の途中の位置には、風呂電磁弁38が設置されている。風呂電磁弁38は、第2の給湯管35の通路を開閉する。
貯湯タンク10には、複数のタンク温度センサ36が、高さの異なる位置に取り付けられている。例えば、貯湯タンク10の上部からの容積が、50L、100L、150L、200L、250Lとなる位置に、タンク温度センサ36を配置してもよい。これらのタンク温度センサ36により鉛直方向の水温分布を検出することで、貯湯タンク10内の貯湯温度及び貯湯量を検出できる。
第2の水路25には、水路温度センサ37が取り付けられている。水路温度センサ37により、ヒートポンプユニット2で加熱された水の温度を検出できる。以下の説明では、ヒートポンプユニット2で加熱された水の温度、すなわちヒートポンプユニット2から流出する湯の温度を、「被加熱水温度」とも呼ぶ。
制御装置50は、給湯装置1の後述する各種の運転を制御する。給湯装置1が備えるアクチュエータ、センサ等の電子機器は、制御装置50に接続される。上述した圧縮機5、減圧装置7、第1のポンプ11、切替弁12、第2のポンプ14、第3のポンプ15、給湯混合弁17、風呂混合弁18、殺菌装置100、風呂電磁弁38等の動作は、制御装置50により制御される。タンク温度センサ36及び水路温度センサ37で検出された温度情報は、制御装置50に入力される。
端末装置60は、制御装置50に対して、無線又は有線により、双方向にデータ通信可能に接続されている。端末装置60は、給湯装置1に対するユーザーインターフェースとして機能する。端末装置60は、例えば、キッチンに設置されてもよい。端末装置60は、例えば、浴室に設置されてもよい。給湯装置1は、異なる場所に設置された複数の端末装置60を備えてもよい。あるいは、端末装置60は、持ち運び可能なものでもよい。端末装置60が制御装置50と直接通信する構成に限らず、端末装置60が他の機器を介して制御装置50と通信する構成にしてもよい。
端末装置60は、操作部61及び表示装置62を備える。操作部61は、使用者が操作する複数の入力スイッチを有する。使用者は、操作部61を操作することで、例えば、給湯温度の設定、浴槽200に湯を供給する運転、浴槽水を再加熱する運転等の指令又は予約、蓄熱運転の制御モードの選択等に関する入力操作を行うことができる。すなわち、使用者は、給湯装置1の運転に関する指令及び設定値の変更等を、端末装置60に対して入力できる。
端末装置60は、その入力された情報を制御装置50へ送信する。制御装置50は、端末装置60から受信した情報に応じて、給湯装置1の運転を制御する。表示装置62は、例えば、液晶表示パネル、有機EL表示パネル等のフラットディスプレイパネルを用いて構成される。表示装置62は、文字、図形、キャラクタ等を視覚表示することで情報を表示できる。表示装置62は、報知装置の例である。端末装置60は、例えば、音声出力装置等の他の報知装置をさらに備えてもよい。
次に、給湯装置1の蓄熱運転について説明する。蓄熱運転は、ヒートポンプユニット2により加熱された湯を貯湯タンク10内に蓄積する運転である。蓄熱運転のときには、以下のようになる。ヒートポンプユニット2及び第1のポンプ11が運転される。切替弁12は、第2の水路25を上部通路26に連通させる状態にされる。貯湯タンク10の下部の水出口10bから流出した低温水が、第1の水路24及び第1のポンプ11を通って、ヒートポンプユニット2の熱交換器6に導かれる。水が熱交換器6内で加熱されることで、湯、すなわち高温水が生成する。この湯が、第2の水路25、切替弁12、及び上部通路26を通って、湯入口10cから貯湯タンク10の上部へ流入する。貯湯タンク10内で、上から下へ向かって湯が蓄積していく。
蓄熱運転のとき、制御装置50は、水路温度センサ37により検出される被加熱水温度が目標温度に等しくなるように、ヒートポンプユニット2及び第1のポンプ11を制御する。ヒートポンプユニット2及び第1のポンプ11の少なくとも一方の運転状態を、例えば以下のように制御することで、被加熱水温度を調整できる。水の循環流量が増すように第1のポンプ11を制御すると、被加熱水温度が低下する。水の循環流量が減るように第1のポンプ11を制御すると、被加熱水温度が上昇する。圧縮機5の動作速度を増すと、被加熱水温度が上昇する。圧縮機5の動作速度を減速すると、被加熱水温度が低下する。
ヒートポンプユニット2の圧縮機5を起動した直後は、熱交換器6に流入する冷媒の温度が十分に高くならない。このため、ヒートポンプユニット2を起動した直後は、被加熱水温度が目標温度より低くなりやすい。蓄熱運転を開始するときに、ヒートポンプユニット2の起動直後は、切替弁12により、第2の水路25をバイパス通路27に連通させる状態にしてもよい。そして、水路温度センサ37により検出される被加熱水温度が目標温度に達した後に、切替弁12を切り替えて、第2の水路25を上部通路26に連通させる状態すればよい。そのようにすることで、目標温度より低い温度の水が貯湯タンク10の上部に流入することを防止できる。
次に、給湯栓300への給湯運転について説明する。使用者によって給湯栓300が開かれると、給湯栓300への給湯運転が開始する。この給湯運転のときには、以下のようになる。水源から供給される低温水が、第1の給水路21及び第3の給水路23を通って、給湯混合弁17の第1の入口に流入する。貯湯タンク10の上部の湯出口10eから流出した高温水が、第3の水路28及び湯路32を通って、給湯混合弁17の第2の入口に流入する。このとき、湯出口10eから流出した高温水と同量の低温水が、第2の給水路22及び水入口10aを通って貯湯タンク10の下部に流入する。給湯混合弁17は、低温水と高温水とを混合する。給湯混合弁17は、低温水と高温水との混合比を変えることができる。
給湯混合弁17での混合により生成された湯は、第1の給湯管33を通って給湯栓300へ供給される。制御装置50は、第1の給湯管33に設置された温度センサ(図示省略)により検出される給湯温度が、目標値に等しくなるように、給湯混合弁17の動作を制御する。給湯温度の目標値は、使用者が端末装置60にて設定した温度でもよい。使用者は、さらに温度調節したい場合には、給湯栓300を操作することで、第1の給湯管33から供給される湯に、第4の給水路34から供給される低温水を混合できる。第1の給湯管33内の流れを検出するセンサ(図示省略)の出力に応じて、制御装置50が給湯運転を制御してもよい。
次に、浴槽200への給湯運転について説明する。制御装置50が風呂電磁弁38を開くと、浴槽200への給湯運転が開始する。この給湯運転のときには、以下のようになる。水源から供給される低温水が、第1の給水路21及び第3の給水路23を通って、風呂混合弁18の第1の入口に流入する。貯湯タンク10の上部の湯出口10eから流出した高温水が、第3の水路28及び湯路32を通って、風呂混合弁18の第2の入口に流入する。このとき、湯出口10eから流出した高温水と同量の低温水が、第2の給水路22及び水入口10aを通って貯湯タンク10の下部に流入する。風呂混合弁18は、低温水と高温水とを混合する。風呂混合弁18は、低温水と高温水との混合比を変えることができる。
風呂混合弁18での混合により生成された湯は、第2の給湯管35、第5の水路30及び31を通って、浴槽200へ注入される。制御装置50は、第2の給湯管35に設置された温度センサ(図示省略)により検出される給湯温度が、目標値に等しくなるように、風呂混合弁18の動作を制御する。給湯温度の目標値は、使用者が端末装置60にて設定した温度でもよい。
次に、浴槽200に対する追い焚き運転について説明する。追い焚き運転は、浴槽水を再加熱する運転である。追い焚き運転のときには、以下のようになる。第2のポンプ14及び第3のポンプ15が運転される。浴槽200の浴槽水が、第5の水路30、第3のポンプ15、風呂熱交換器13、第6の水路31を通過して、浴槽200に戻るように循環する。貯湯タンク10の上部の湯出口10eから流出した高温水が、第3の水路28を通って、風呂熱交換器13に流入する。風呂熱交換器13内で、浴槽水が高温水によって加熱される。風呂熱交換器13内で、高温水は、浴槽水に熱を奪われることで、中温水になる。風呂熱交換器13から流出した中温水は、第4の水路29及び第2のポンプ14を通って、戻り口10fから貯湯タンク10内に流入する。風呂熱交換器13内の浴槽水は、貯湯タンク10の湯出口10eから供給される湯の熱で加熱される対象物に相当する。
次に、図2から図4を参照しながら、殺菌装置100について説明する。図2に示すように、殺菌装置100は、配管110、光源部120、波長変換部130及び窓部140を備えている。
配管110の内部には、水が通過する。図1の構成例では、殺菌装置100は第2の給水路22に設けられている。したがって、図1の構成例の場合、配管110は第2の給水路22を形成するための管である。図2に示す例では、殺菌装置100が設けられる部分の配管110はL字型に屈曲している。ただし、殺菌装置100が設けられる部分の配管110はL字型に限られず、他に例えば直管型でもよい。
光源部120は、第1の波長の光を発生させる。第1の波長は予め設定される。具体的に例えば、第1の波長は300nm以上である。光源部120は、電源部121から供給される電力により点灯する。具体的に例えば、光源部120は、発光ダイオード(LED)を備える。なお、光源部120は、前述の第1の波長の光を発生させるものであれば、LED以外の光源を用いても構わない。
波長変換部130は、光源部120が発生させた光を第2の波長の光に変換する。第2の波長は、前述の第1の波長より短い。第2の波長は、具体的に例えば、200nm以上300nm未満である。波長変換部130は、光源部120が発生させた前述の第1の波長の光を受光可能に設けられる。そして、波長変換部130は、変換後の前述した第2の波長の光を配管110の内部の水に照射可能にも設けられる。この実施の形態1においては、波長変換部130は、入射した前述の第1の波長の光を反射可能である。そして、波長変換部130は、光源部120が発生させた光の反射光を配管110の内部の水に照射可能である。
波長変換部130への入射光の波長が前述の第1の波長である場合、波長変換部130からの反射光の波長が前述の第2の波長である。このような性質を有する波長変換部130を実現するため、例えば、表面プラズモン共鳴を利用することが考えられる。すなわち、波長変換部130は、前述の第1の波長の光に対し表面プラズモン共鳴を生じるAu、Ag、Cu、Al、Ni、Cr及びTiからなる群から選択される材料からなる。換言すれば、波長変換部130は、負の誘電率を有する材料で構成することが望ましい。
このような表面プラズモン共鳴を生じる波長変換部130の構成の具体例について、図3及び図4を参照しながら説明する。表面プラズモン共鳴を生じさせるため、波長変換部130には、これらの図に示すような凹凸構造を表面に有する。この凹凸構造の周期、すなわち、凸部から凸部までの距離又は凹部から凹部までの距離は、1nm以上1μm以下で、かつ、前述の第1の波長より短い。凹凸構造の形状は、表面プラズモン共鳴が起こるものであればよい。例えば、グレーティングのような長方形状の凹凸、円錐状の凹凸、ホールアレイ等である。
図3に示すのはこの凹凸構造を、配管110内壁の表面に金属ナノ粒子131を付着させることで形成した例である。すなわち、前述の凹凸構造の凸部は、球状、柱状又は板状の粒子が表面に付着したものである。金属ナノ粒子131は、前述したAu、Ag、Cu、Al、Ni、Cr及びTiのいずれかである。金属ナノ粒子131は、球状、柱状又は板状の粒子である。例えば、球状とした場合、金属ナノ粒子131の外径は1nm以上1μm以下である。柱状又は板状とした場合も、金属ナノ粒子131の寸法は、凹凸構造の周期が1nm以上1μm以下となるように調整される。
図4に示すのは前述の凹凸構造を、配管110内壁の表面に金属からなる凹凸部132を設けることで形成した例である。凹凸部132は、前述したAu、Ag、Cu、Al、Ni、Cr及びTiのいずれかである。そして、凹凸部132の周期は1nm以上1μm以下である。凹凸部132の材質は、全体が上述した金属でもよいし、凹凸が加工された非金属材料に上述した金属薄膜を形成したものでもよい。後者の例としては、ガラス板をエッチングして表面を凹凸に加工した上で、その表面に金属薄膜を形成したものが挙げられる。
この実施の形態1に係る殺菌装置100の具体的な構成例として、図2においては、光源部120は、配管110の外部に設けられている。また、配管110の壁の一部には、窓部140が設けられている。窓部140は、光源部120が発した前述の第1の波長の光を透過する材質でできている。したがって、光源部120が発した前述の第1の波長の光は、窓部140を通って配管110の内部に照射される。
そして、波長変換部130は、配管110の内部における光源部120からの光を反射可能な位置に設けられる。すなわち、光源部120から窓部140を通って配管110内に照射された光が届く範囲内に、波長変換部130が配置される。波長変換部130に届いた光源部120からの光は、波長変換部130で反射される。波長変換部130が光源部120からの前述した第1の波長の光を反射する際、表面プラズモン共鳴が生じ、反射光の波長は前述した第2の波長に変換される。そして、波長変換部130で反射された前述の第2の波長の光が、配管110の内部の水に照射される。
このようにして、配管110の内部の水には、光源部120から直接に照射される光と、波長変換部130で反射された、より波長の短い光の2種類の光が照射される。したがって、波長変換部130での反射光が殺菌に有効な波長となるようにすれば、光源部120で発生させる光は、殺菌に有効な波長よりも長い波長であってもよい。そして、光源部120で発生させる光の波長を長くできるため、殺菌用の光を照射する光源に必要なエネルギー量を低減できる。すなわち、殺菌力を低下させることなく、殺菌用の光を照射する光源に必要なエネルギー量を低減できる。つまり、殺菌用の光を照射する光源に必要なエネルギー量に対する殺菌力を高めることができ、より少ないエネルギー量で従来と同程度の殺菌力を得ることが可能である。
配管110は、耐水性を有し、かつ、さらに紫外線耐性を有する材料で構成される。具体的に例えば、ポリテトラフルオロエチレンを用いることが望ましい。ポリテトラフルオロエチレンは、紫外線耐性に優れるだけでなく、紫外線を反射する。したがって、配管110にポリテトラフルオロエチレンを用いることで、配管110の内面は、前述の第2の波長の光を反射可能となる。このようにすることで、波長変換部130での変換後の光を配管110の内側で反射させ、配管110内のより広範囲に前述の第2の波長の光を照射できる。
この際、配管110の水流に垂直な断面形状を、多角形状とするとなおよい。配管110の断面形状を多角形状にすることで、多角形状の各辺に相当する各面で前述の第2の波長の光を反射させ、配管110内の各所に前述の第2の波長の光をいきわたらせることが可能である。なお、少なくとも配管110の内側表面をポリテトラフルオロエチレンで被覆等すれば、配管110の全体をポリテトラフルオロエチレンで構成しなくともよい。
次に、以上のように構成された殺菌装置100を、図1の構成例のように給湯装置1に適用した場合の動作と作用について説明する。制御装置50は、殺菌装置100内を水が流れているときには電源部121から光源部120に電力を供給する。この際、制御装置50は、殺菌装置100内を水が流れていないときには電源部121から光源部120への電力供給を停止するように、電源部121を制御してもよい。そのようにすることで、殺菌装置100を通過する水に光を確実に照射しつつ、電力消費量を低減できる。例えば、制御装置50は、給湯栓300への給湯運転中、及び浴槽200への給湯運転中に、電源部121から光源部120に電力を供給すればよい。また、給湯装置1の設置後最初の使用時に、貯湯タンク10を水で満たすときに、電源部121から光源部120に電力を供給してもよい。
第2の給水路22内に、例えばレジオネラ菌のような細菌が存在する可能性がある。レジオネラ菌は、自然界の土壌及び淡水に生息するグラム陰性の桿菌である。レジオネラ菌は、20℃から50℃の温度範囲で生育し、36℃前後で最もよく生育するといわれている。本実施の形態であれば、殺菌装置100により、水に含まれる細菌等の微生物が殺菌される。このため、給湯装置1内の水に、例えばレジオネラ菌のような細菌類を含む微生物が生育する可能性を低減できる。以下の説明では、例えばレジオネラ菌のような細菌類を含む微生物を単に「微生物」と呼ぶ場合がある。
本実施の形態であれば、水源から貯湯タンク10に流入する前の水に対して殺菌装置100が作用することで、貯湯タンク10に流入する水の全量を殺菌しやすい。よって、貯湯タンク10内で微生物が生育する可能性をより低くできる。
特に、波長変換部130による変換後の前述した第2の波長は、200nm以上300nm未満である。この波長帯の紫外線は、細菌の原形質である核酸に作用して増殖能力を奪うだけでなく、原形質を破壊して細菌を死滅させる作用を有する。このため、そのような波長の紫外線を照射することにより、殺菌効果をさらに向上できる。
また、一般に水中の微生物の生育を防止するためには、水の温度が高い方が有利である。このため、貯湯タンク10内に微生物が存在する場合、微生物の生育を妨げるためには、貯湯タンク10内の貯湯温度を高くする必要がある。その一方で、被加熱水温度が高いほど、ヒートポンプユニット2のエネルギー効率が低くなる。逆にいえば、被加熱水温度が低いほど、ヒートポンプユニット2のエネルギー効率が高くなる。このため、給湯装置1のエネルギー効率を向上するためには、貯湯タンク10内の貯湯温度を低くした方がよい。本実施の形態であれば、殺菌装置100により、貯湯タンク10内で微生物が生育する可能性をより低くできる。このため、貯湯タンク10内での微生物の生育を抑制しつつも、貯湯タンク10内の貯湯温度を低くして、給湯装置1のエネルギー効率を向上できる。
なお、ここでは、給湯装置1の第2の給水路22に殺菌装置100を設けた構成例について説明したが、殺菌装置100の設置箇所はこれに限られない。また、給湯装置1に殺菌装置100を複数設けてもよい。さらに、以上のように構成された殺菌装置100は、給湯装置1以外にも他に例えば、浄水器等にも適用可能である。
実施の形態2.
図5は、この発明の実施の形態2に係るもので、殺菌装置の構成を模式的に示す断面図である。以下、この実施の形態2に係る殺菌装置及び給湯装置について、実施の形態1との相違点を中心に説明する。
この発明の実施の形態2に係る殺菌装置100の光源部120は、レーザー発振器である。レーザー発振器である光源部120は、前述した第1の波長のレーザー光を射出する。すなわち、この実施の形態2においても実施の形態1と同様に、光源部120は前述の第1の波長の光を発生させる。
光源部120から射出されたレーザー光は、波長変換部130に入射する。波長変換部130は、実施の形態1と同じく、光源部120が発生させた前述の第1の波長の光を前述の第2の波長の光に変換する。この実施の形態2においては、波長変換部130は入射した前述の第1の波長の光が透過可能である。そして、波長変換部130への入射光の波長が前述の第1の波長である場合の透過光の波長が、前述の第2の波長である。
より詳しくいえば、波長変換部130へ前述の第1の波長の光を入射させると、波長変換部130から射出される透過光には、少なくとも前述の第2の波長が含まれる。したがって、波長変換部130を透過した光には前述の第2の波長以外の波長が含まれていてもよい。
このような波長変換部130は、例えば、長波長の光を短波長の光へ変換する性質を有する非線形光学結晶を用いることで実現できる。この際に用いる非線形光学結晶としては、具体的に例えば、KTP結晶、CLBO結晶等を挙げることができる。
波長変換部130は、光源部120が発生させた光の透過光を配管110の内部の水に照射可能である。図5に示す構成例では、光源部120及び波長変換部130は、配管110の外部に設けられている。また、配管110の壁の一部には、窓部140が設けられている。窓部140は、波長変換部130を透過した前述の第2の波長の光を透過する材質でできている。そして、波長変換部130したがって、波長変換部130を透過した前述の第2の波長の光は、窓部140を通って配管110の内部に照射される。
ここで、前述したように、波長変換部130を透過した光には前述の第2の波長以外の波長が含まれていてもよい。このような場合、窓部140は前述の第2の波長の光だけを通過させ、それ以外の波長の光を遮蔽するフィルタを備えるようにするとよい。なお、フィルタは、前述の第2の波長以外であっても微生物の生育抑制に効果が期待できる波長の光を透過させるものとしてもよい。
他の構成については実施の形態1と同様であり、ここでは、その説明を省略する。以上のように構成された殺菌装置及び給湯装置においても、実施の形態1と同様の効果を奏することができる。
なお、光源部120が備えるレーザー発振器は1台とは限らず、異なる波長のレーザー光を射出する複数のレーザー発振器を備えてもよい。また、波長変換部130が備える非線形光学結晶も1つとは限らず、性質、特性等が異なる複数の非線形光学結晶を備えてもよい。
1 給湯装置
2 ヒートポンプユニット
3 タンクユニット
4 冷媒回路
5 圧縮機
6 熱交換器
7 減圧装置
8 蒸発器
9 冷媒配管
10 貯湯タンク
11 第1のポンプ
12 切替弁
13 風呂熱交換器
14 第2のポンプ
15 第3のポンプ
16 減圧弁
17 給湯混合弁
18 風呂混合弁
21 第1の給水路
22 第2の給水路
23 第3の給水路
24 第1の水路
25 第2の水路
26 上部通路
27 バイパス通路
28 第3の水路
29 第4の水路
30 第5の水路
31 第6の水路
32 湯路
33 第1の給湯管
34 第4の給水路
35 第2の給湯管
36 タンク温度センサ
37 水路温度センサ
38 風呂電磁弁
50 制御装置
60 端末装置
61 操作部
62 表示装置
100 殺菌装置
110 配管
120 光源部
121 電源部
130 波長変換部
131 金属ナノ粒子
132 凹凸部
140 窓部
200 浴槽
300 給湯栓

Claims (13)

  1. 水が内部を通過する管と、
    予め設定された第1の波長の光を発生させる光源部と、
    前記光源部が発生させた光を前記第1の波長より短い第2の波長の光に変換する波長変換部と、を備え、
    前記波長変換部は、前記光源部が発生させた前記第1の波長の光を受光可能、かつ、変換後の前記第2の波長の光を前記管の内部の水に照射可能に設けられる殺菌装置。
  2. 前記波長変換部は、
    入射した前記第1の波長の光を反射可能であり、かつ、入射光の波長が前記第1の波長である場合の反射光の波長が前記第2の波長であるとともに、
    前記光源部が発生させた光の反射光を前記管の内部の水に照射可能である請求項1に記載の殺菌装置。
  3. 前記光源部は、前記管の外部に設けられ、前記管の内部に前記第1の波長の光を照射し、
    前記波長変換部は、前記管の内部における前記光源部からの光を反射可能な位置に設けられる請求項2に記載の殺菌装置。
  4. 前記波長変換部は、前記第1の波長の光に対し表面プラズモン共鳴を生じるAu、Ag、Cu、Al、Ni、Cr及びTiからなる群から選択される材料からなる請求項2又は請求項3に記載の殺菌装置。
  5. 前記波長変換部は、表面に凹凸構造を有する請求項4に記載の殺菌装置。
  6. 前記凹凸構造の凸部は、球状、柱状又は板状の粒子が表面に付着したものである請求項5に記載の殺菌装置。
  7. 前記凹凸構造は、周期が1nm以上1μm以下である請求項5又は請求項6に記載の殺菌装置。
  8. 前記波長変換部は、
    入射した前記第1の波長の光が透過可能であり、かつ、入射光の波長が前記第1の波長である場合の透過光の波長が前記第2の波長であるとともに、
    前記光源部が発生させた光の透過光を前記管の内部の水に照射可能である請求項1に記載の殺菌装置。
  9. 前記光源部及び前記波長変換部は、前記管の外部に設けられる請求項8に記載の殺菌装置。
  10. 前記管の内面は、前記第2の波長の光を反射可能である請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の殺菌装置。
  11. 前記管の断面形状は、多角形状である請求項10に記載の殺菌装置。
  12. 前記第1の波長は、300nm以上である請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の殺菌装置。
  13. 請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の殺菌装置を備えた給湯装置。
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