JP2019121724A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019121724A5 JP2019121724A5 JP2018001664A JP2018001664A JP2019121724A5 JP 2019121724 A5 JP2019121724 A5 JP 2019121724A5 JP 2018001664 A JP2018001664 A JP 2018001664A JP 2018001664 A JP2018001664 A JP 2018001664A JP 2019121724 A5 JP2019121724 A5 JP 2019121724A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tray
- processed
- substrate
- plasma processing
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims description 9
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 description 1
Description
本発明に係るプラズマ処理装置用トレイは、次のような態様（第２態様）とすることもできる。すなわち、
a) 各被処理基板を個別に収容する孔部を有し、該被処理基板の厚さに対応した厚さを有するとともに、該孔部の周囲から内部に張り出す、耐プラズマ性の高い材料から成る耐久縁を有する板状の上部材と、
b) 前記上部材の下に配置される板状の部材である下部材と
を備えるプラズマ処理装置用トレイとすることができる。
a) 各被処理基板を個別に収容する孔部を有し、該被処理基板の厚さに対応した厚さを有するとともに、該孔部の周囲から内部に張り出す、耐プラズマ性の高い材料から成る耐久縁を有する板状の上部材と、
b) 前記上部材の下に配置される板状の部材である下部材と
を備えるプラズマ処理装置用トレイとすることができる。
上記のように下部材２３と上部材２２を重ねてトレイ２０を形成する場合（特に、上部材２２に下部材２３の側面を覆う部分が設けられない場合（図５(b)））、下部材２３と上部材２２とを位置合わせするとともに位置ずれを防止ための要素を設けることも好ましい。具体的には例えば、下部材２３および上部材２２のうちの一方に、その外周縁の３箇所以上の位置に立設する位置決めピンを設けることができる。
Claims (6)
- a) 上面に、各被処理基板を個別に収容する、該被処理基板の厚さに対応する深さを有する1又は複数の穴部を有するとともに、
b) 前記各穴部の周囲の部分に耐プラズマ性の高い耐久部が設けられている
ことを特徴とするプラズマ処理装置用トレイ。 - 1枚又は複数枚の被処理基板をトレイに載置し、該トレイを静電チャック上に載置した状態で該被処理基板に対してプラズマ処理を施す場合に使用するトレイであって、
a) 各被処理基板を個別に収容する孔部を有する、該被処理基板の厚さに対応した厚さを有する板状の上部材と、
b) 前記上部材の下に配置される板状の部材であって、上面の、前記孔部の周囲に対応する部分に耐プラズマ性の高い材料から成る耐久部を有する下部材と
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置用トレイ。 - 前記耐久部が、下部材に形成された溝内に充填された耐プラズマ性の高い材料から成ることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置用トレイ。
- 前記耐プラズマ性の高い材料がイットリア（Y2O3）であることを特徴とする請求項２又は３に記載のプラズマ処理装置用トレイ。
- 1枚又は複数枚の被処理基板をトレイに載置し、該トレイを静電チャック上に載置した状態で該被処理基板に対してプラズマ処理を施す場合に使用するトレイであって、
a) 各被処理基板を個別に収容する孔部を有し、該被処理基板の厚さに対応した厚さを有するとともに、該孔部の周囲から内部に張り出す、耐プラズマ性の高い材料から成る耐久縁を有する板状の上部材と、
b) 前記上部材の下に配置される板状の部材である下部材と
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置用トレイ。 - 前記上部材がイットリア（Y2O3）、石英、窒化アルミニウム（AlN）、ジルコニア(ZrO2)のいずれかであることを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理装置用トレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018001664A JP6981652B2 (ja) | 2018-01-10 | 2018-01-10 | プラズマ処理用基板トレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018001664A JP6981652B2 (ja) | 2018-01-10 | 2018-01-10 | プラズマ処理用基板トレイ |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019121724A JP2019121724A (ja) | 2019-07-22 |
| JP2019121724A5 true JP2019121724A5 (ja) | 2020-10-22 |
| JP6981652B2 JP6981652B2 (ja) | 2021-12-15 |
Family
ID=67307440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018001664A Active JP6981652B2 (ja) | 2018-01-10 | 2018-01-10 | プラズマ処理用基板トレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6981652B2 (ja) |
-
2018
- 2018-01-10 JP JP2018001664A patent/JP6981652B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11437275B2 (en) | Method of processing wafer and protective sheeting for use in this method | |
| TWI624899B (zh) | 手部構件及手部 | |
| JP6320198B2 (ja) | テープ拡張装置 | |
| KR102311579B1 (ko) | 이면측에 돌기를 갖는 웨이퍼를 처리하는 방법 | |
| EP3273466A3 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP6575874B2 (ja) | 素子チップの製造方法 | |
| JP2012033737A (ja) | 半導体ウェーハの取り扱い方法 | |
| TWI650292B (zh) | 脆性材料基板之分斷方法及分斷裝置 | |
| TW201523787A (zh) | 用於較小晶圓及晶圓片之晶圓載具 | |
| MY180133A (en) | Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor substrate fabrication | |
| TW201923966A (zh) | 用於雙面處理的圖案化夾盤 | |
| US20180144959A1 (en) | Electrostatic chucking force measurement tool for process chamber carriers | |
| US20170263461A1 (en) | Plasma processing method | |
| JP2019121724A5 (ja) | ||
| TWI595546B (zh) | Breaking fixture | |
| JP2014203967A (ja) | チャックテーブル | |
| JP2018029152A (ja) | 保持テーブル | |
| US9478697B2 (en) | Reusable substrate carrier | |
| JP2018018702A5 (ja) | ||
| JP2013254901A (ja) | シール材およびエッチング装置 | |
| JP5798140B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20200074544A (ko) | 웨이퍼 크기 확장 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 정렬 장치 | |
| TWI663136B (zh) | Plate glass and manufacturing method thereof | |
| JP6981652B2 (ja) | プラズマ処理用基板トレイ | |
| US20160141199A1 (en) | Apparatus and method for holding a workpiece |