JP2019115975A - Wafer grinding device - Google Patents

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Abstract

To provide a wafer grinding device capable of smoothly and easily executing positioning of a grinding start position.SOLUTION: A wafer grinding device comprises: an arm 11 which is extended in a horizontal direction H; lifting/lowering means 12 for lifting and lowering the arm 11 in a vertical direction V; an upper contact sensor 13 which is disposed at an upper part of a tip of the arm 11 and detects contact with a grindstone 4; a lower contact sensor 14 which is disposed at a lower part of the tip of the arm 11 and detects contact with a wafer chuck 3; and control means which determines that a state in which the upper contact sensor 13 is in contact with the grindstone 4 and the lower contact sensor 14 is in contact with the wafer chuck 3 as a grinding start point of the grindstone 4.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、ウェハ研削装置に関する。   The present invention relates to a wafer grinding apparatus.

ウェハの表面を研削加工するウェハ研削装置としては、ウェハの裏面を吸着保持するウェハチャックと該ウェハチャックの上方に配置された砥石とを備え、ウェハチャック及び砥石をそれぞれ回転させながら、砥石をウェハに押圧することにより、ウェハの表面を研削するものが知られている。   A wafer grinding apparatus for grinding the front surface of a wafer includes a wafer chuck for holding the back surface of the wafer by suction and a grinding wheel disposed above the wafer chuck, and rotates the wafer chuck and the grinding wheel while rotating the grinding wheel It is known to grind the surface of a wafer by pressing it.

このようなウェハ研削装置では、研削加工前に、砥石とウェハチャックとの間隔を測定して砥石の研削開始位置(0点位置)を登録する必要がある。従来は、ウェハチャック上にブロックゲージを載置し、砥石をブロックゲージに接触するまで下降させることにより、既知のブロックゲージの厚み(例えば、1〜2mm)から砥石の研削開始位置を導出していた。   In such a wafer grinding apparatus, it is necessary to measure the distance between the grinding wheel and the wafer chuck and register the grinding start position (zero point position) of the grinding wheel before grinding. Conventionally, the block gauge is placed on the wafer chuck, and the grinding start position of the grinding wheel is derived from the thickness (for example, 1 to 2 mm) of the known block gauge by lowering the grinding wheel until it contacts the block gauge. The

ブロックゲージを用いて研削開始位置を導出する作業は、作業者が手動で行うものであり、ウェハチャックや砥石を交換する度にブロックゲージを置き、ウェハチャックと砥石とが接触した位置を正確に把握して、研削開始位置の再登録を行わなければならないといったように作業者の負担が重かった。   The work of deriving the grinding start position using a block gauge is performed manually by the operator, and the block gauge is placed every time the wafer chuck or the grinding wheel is replaced, and the position where the wafer chuck and the grinding wheel are in contact is accurately determined. The burden on the operator was heavy, such as grasping and re-registration of the grinding start position.

このような研削開始位置の導出に要する作業者の負担を軽減するウェハ研削装置として、チャックテーブルに設けられてチャックテーブルの垂直方向の変位を検出する変位検出手段と、変位検出手段から出力されるチャックテーブルの変位に基づいて砥石の基準位置を登録する制御手段と、を備えているもの(例えば、特許文献1参照)や、ウェハチャックの位置は変わらないものとして扱い、砥石の高さのみをセンサ等で測定して砥石の研削開始位置を導出するものが知られている。   As a wafer grinding apparatus for reducing the burden on the operator required for deriving such a grinding start position, displacement detection means provided on a chuck table to detect vertical displacement of the chuck table, and output from the displacement detection means Treating only as the height of the grinding wheel is treated as that having control means for registering the reference position of the grinding wheel based on the displacement of the chuck table (for example, refer to Patent Document 1) or the position of the wafer chuck does not change. It is known to derive the grinding start position of the grinding wheel by measuring with a sensor or the like.

特開平11−198008号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 11-198008 gazette

しかしながら、前者のウェハ研削装置では、ウェハチャック内に変位検出手段等の特殊な機構を設ける必要があり、既存のウェハチャックを流用できず、装置設置に伴う経済的負担が重いという問題があった。   However, in the former wafer grinding apparatus, it is necessary to provide a special mechanism such as a displacement detection means in the wafer chuck, so that the existing wafer chuck can not be diverted, and there is a problem that the economic burden associated with the installation of the apparatus is heavy. .

また、後者のウェハ研削装置では、ウェハチャックと砥石とが接触してウェハチャックが損傷する等してウェ八チャックを交換する場合には、基準高さのウェハチャックの高さが変わり、ウェハチャック交換後の研削開始位置の導出には対応できないという問題があった。   In the latter wafer grinding apparatus, when the wafer chuck is replaced due to contact between the wafer chuck and the grindstone and the wafer chuck is replaced, the height of the wafer chuck at the reference height changes, and the wafer chuck is changed. There is a problem that it can not cope with the derivation of the grinding start position after replacement.

そこで、研削開始位置の位置合わせを円滑且つ簡便に行うために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明は、この課題を解決することを目的とする。   Then, the technical subject which should be solved in order to perform alignment of a grinding start position smoothly and simply arises, and an object of the present invention is to solve this subject.

本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項1記載の発明は、ウェハチャックに載置されたウェハの表面に砥石を押圧してウェハを研削するウェハ研削装置において、前記ウェハチャックと前記砥石との間で水平方向に延伸されたアームと、該アームを垂直方向に昇降させる昇降手段と、前記アームの上面に配置されて、前記砥石の接触を検出する上方接触センサと、前記上方接触センサが前記砥石に接触している状態を前記砥石の研削開始位置と判断する制御手段と、を備えているウェハ研削装置を提供する。   The present invention has been proposed to achieve the above object, and the invention according to claim 1 is a wafer grinding apparatus for grinding a wafer by pressing a grindstone against the surface of a wafer placed on a wafer chuck, An arm horizontally extended between the wafer chuck and the grindstone, lifting means for vertically lifting the arm, and an upper contact sensor disposed on the upper surface of the arm to detect contact of the grindstone And a control unit configured to determine that the upper contact sensor is in contact with the grindstone as the grinding start position of the grindstone.

この構成によれば、ウェハチャックと砥石との間隔を自動で測定可能なため、砥石の研削開始位置の位置合わせを簡便に行うことができる。また、従来のウェハ研削装置にアーム、昇降手段及び上方接触センサを設けるだけで砥石の研削開始位置を測定可能なため、既存のウェハ研削装置を流用して経済的コストを軽減することができる。   According to this configuration, since the distance between the wafer chuck and the grindstone can be automatically measured, the positioning of the grinding start position of the grindstone can be easily performed. Further, since the grinding start position of the grindstone can be measured simply by providing the conventional wafer grinding apparatus with the arm, the lifting means and the upper contact sensor, the existing wafer grinding apparatus can be diverted to reduce the economic cost.

本発明は、ウェハチャックと砥石との間隔を自動で測定可能なため、砥石の研削開始位置の位置合わせを簡便に行うことができる。また、従来のウェハ研削装置にアーム、昇降手段及び上方接触センサを設けるだけで砥石の研削開始位置を測定可能なため、既存のウェハ研削装置を流用して経済的コストを軽減することができる。   According to the present invention, since the distance between the wafer chuck and the grinding wheel can be automatically measured, the alignment of the grinding start position of the grinding wheel can be easily performed. Further, since the grinding start position of the grindstone can be measured simply by providing the conventional wafer grinding apparatus with the arm, the lifting means and the upper contact sensor, the existing wafer grinding apparatus can be diverted to reduce the economic cost.

本発明の一実施例に係るウェハ研削装置を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing a wafer grinding apparatus according to an embodiment of the present invention. 図1に示す粗研削ステージを示す部分拡大図。The elements on larger scale which show the rough grinding stage shown in FIG. 粗研削ステージを示す側面図。The side view which shows a rough grinding stage. 砥石の測定開始位置を測定する工程を示すフローチャート。The flowchart which shows the process of measuring the measurement start position of a whetstone. 砥石の真直性を測定する工程を示すフローチャート。The flowchart which shows the process of measuring the straightness of a whetstone. ウェハチャックの真直性を測定する工程を示すフローチャート。The flowchart which shows the process of measuring the straightness of a wafer chuck. 砥石の取り付け状態を確認する際の測定点を示す図。The figure which shows the measurement point at the time of confirming the attachment state of a grindstone. 砥石の高さに基づいて真直性を測定する手順を説明する図。The figure explaining the procedure which measures straightness based on the height of a whetstone.

本発明に係るウェハ研削装置は、研削開始位置の位置合わせを円滑且つ簡便に行うという目的を達成するために、ウェハチャックに載置されたウェハの表面に砥石を押圧してウェハを研削するウェハ研削装置において、ウェハチャックと砥石との間で水平方向に延伸されたアームと、アームを垂直方向に昇降させる昇降手段と、アームの上面に配置されて、砥石の接触を検出する上方接触センサと、上方接触センサが砥石に接触している状態を砥石の研削開始位置と判断する制御手段と、を備えていることにより実現する。   The wafer grinding apparatus according to the present invention is a wafer that presses a grindstone against the surface of a wafer mounted on a wafer chuck to grind the wafer, in order to achieve the purpose of aligning the grinding start position smoothly and easily. In a grinding apparatus, an arm horizontally extended between a wafer chuck and a grindstone, lifting means for raising and lowering the arm vertically, and an upper contact sensor disposed on the upper surface of the arm to detect contact of the grindstone The present invention is realized by providing control means for determining that the upper contact sensor is in contact with the grindstone as the grinding start position of the grindstone.

以下、本発明の一実施例に係るウェハ研削装置1について、図1に基づいて説明する。なお、本実施例において、「上」、「下」の語は、垂直方向における上方、下方に対応するものとする。図1は、ウェハ研削装置1の装置構成を示す図である。   Hereinafter, a wafer grinding apparatus 1 according to an embodiment of the present invention will be described based on FIG. In the present embodiment, the words "upper" and "lower" correspond to upper and lower sides in the vertical direction. FIG. 1 is a view showing an apparatus configuration of the wafer grinding apparatus 1.

ウェハ研削装置1は、図1の紙面を反時計回りに回動可能なINDEXテーブル2と、INDEXテーブル2上に互いに等間隔で離間して配置されている4台のウェハチャック3と、INDEXテーブル2の上方に配置された砥石4及び研磨布(ポリッシュパッド)5と、加工前のウェハWを収容する第1のラック6と、加工後のウェハを収容する第2のラック7と、第1のラック6からウェハチャック3にウェハWを搬送する第1のアーム8と、ウェハチャック3から第2のラック7にウェハWを搬送する第2のアーム9と、を備えている。なお、図1中の符号4aは、砥石4を上下方向に昇降させる砥石送り装置である。なお、ウェハ研削装置1の構成は上記のものに限定されず、例えば、研磨ステージを設けないものであっても構わない。   The wafer grinding apparatus 1 includes an INDEX table 2 capable of rotating the paper surface of FIG. 1 counterclockwise, four wafer chucks 3 arranged on the INDEX table 2 at equal intervals, and an INDEX table. 2 and the first rack 6 for containing the wafer W before processing, the second rack 7 for containing the wafer after processing, and The first arm 8 for transferring the wafer W from the rack 6 to the wafer chuck 3 and the second arm 9 for transferring the wafer W from the wafer chuck 3 to the second rack 7. In addition, the code | symbol 4a in FIG. 1 is a grindstone feeder which raises / lowers the grindstone 4 up and down. In addition, the structure of the wafer grinding apparatus 1 is not limited to said thing, For example, it is not necessary to provide a grinding | polishing stage.

ウェハ研削装置1には、アライメントステージST1と、粗研削ステージST2と、精研削ステージST3と、研磨ステージST4と、が設けられている。各ステージは、それぞれ区画されている。INDEXテーブル2が90°回転する度に、ウェハWは、粗研削、精研削、研磨の順に加工が施される。   The wafer grinding apparatus 1 is provided with an alignment stage ST1, a rough grinding stage ST2, a fine grinding stage ST3, and a polishing stage ST4. Each stage is individually divided. Every time the INDEX table 2 rotates by 90 °, the wafer W is processed in the order of rough grinding, fine grinding and polishing.

アライメントステージST1では、第1のアーム8が第1のラック6からウェハWを取り出し、ウェハチャック3上にウェハWを載置する。ウェハWは、ウェハチャック3に真空吸着されて、ウェハチャック3と一体に固定される。また、第2のアームは、研磨後のウェハWをウェハチャック3から第2のラック7に搬送する。ウェハWがウェハチャック3に取り付けられると、INDEXテーブル2が図1の紙面上で反時計回りに90°回転して、ウェハWは粗研削ステージST2に搬送される。   In alignment stage ST 1, first arm 8 takes out wafer W from first rack 6, and places wafer W on wafer chuck 3. The wafer W is vacuum-sucked to the wafer chuck 3 and fixed integrally with the wafer chuck 3. The second arm transports the wafer W after polishing from the wafer chuck 3 to the second rack 7. When the wafer W is attached to the wafer chuck 3, the INDEX table 2 is rotated by 90 ° counterclockwise on the paper surface of FIG. 1, and the wafer W is transferred to the rough grinding stage ST 2.

粗研削ステージST2では、砥石4とウェハチャック3をそれぞれ自転させ、砥石4をウェハWに押し付けることで、ウェハWの表面を研削する。粗研削加工後には、INDEXテーブル2が図1の紙面上で反時計回りに90°回転して、ウェハWは精研削ステージST3に搬送される。   In the rough grinding stage ST2, the grindstone 4 and the wafer chuck 3 are respectively rotated, and the grindstone 4 is pressed against the wafer W to grind the surface of the wafer W. After the rough grinding process, the INDEX table 2 is rotated 90 ° counterclockwise on the paper surface of FIG. 1, and the wafer W is transferred to the fine grinding stage ST3.

精研削ステージST3では、砥石4とウェハチャック3をそれぞれ自転させ、砥石4をウェハWに押し付けることで、ウェハWの表面を研削する。精研削加工後には、INDEXテーブル2が図1の紙面上で反時計回りに90°回転して、ウェハWは研磨ステージST4に搬送される。   In the fine grinding stage ST3, the grindstone 4 and the wafer chuck 3 are each rotated automatically, and the grindstone 4 is pressed against the wafer W to grind the surface of the wafer W. After the precision grinding process, the INDEX table 2 is rotated 90 ° counterclockwise on the paper surface of FIG. 1, and the wafer W is transferred to the polishing stage ST4.

研磨ステージST4では、研磨布5とウェハチャック3をそれぞれ自転させ、研磨布5をウェハWに押し付けることで、ウェハWの表面を鏡面に研磨する。研磨加工後には、INDEXテーブル2が図1の紙面上で反時計回りに90°回転して、ウェハWはアライメントステージST1に搬送される。   In the polishing stage ST4, the surface of the wafer W is polished to a mirror surface by rotating the polishing pad 5 and the wafer chuck 3 respectively and pressing the polishing pad 5 against the wafer W. After the polishing process, the INDEX table 2 is rotated by 90 ° counterclockwise on the paper surface of FIG. 1, and the wafer W is transferred to the alignment stage ST1.

ウェハ研削装置1の動作は、制御手段15によって制御されている。制御手段15は、ウェハ研削装置1を構成する構成要素をそれぞれ制御するものである。制御手段15は、例えば、CPU、メモリ等により構成される。なお、制御手段15の機能は、ソフトウェアを用いて制御することにより実現されても良く、ハードウェアを用いて動作することにより実現されても良い。   The operation of the wafer grinding apparatus 1 is controlled by the control means 15. The control means 15 controls each component of the wafer grinding apparatus 1. The control unit 15 is configured of, for example, a CPU, a memory, and the like. The function of the control means 15 may be realized by control using software or may be realized by operating using hardware.

次に、ウェハ研削装置1に配置された測定機構10の構成について、図面に基づいて説明する。以下、粗研削ステージST2に配置された測定機構を例に説明するが、測定機構10が精研削ステージST3又は研磨ステージST4に適用可能なことは言うまでもない。図2は、ウェハ研削装置1の粗研削ステージST2を示す平面図である。図3(a)は、アーム11を水平方向Hにスライドした状態を示す測定機構10であり、図3(b)は、昇降手段12を下降させた状態を示す側面図である。   Next, the configuration of the measurement mechanism 10 disposed in the wafer grinding apparatus 1 will be described based on the drawings. Hereinafter, although the measurement mechanism disposed in the rough grinding stage ST2 will be described as an example, it goes without saying that the measurement mechanism 10 is applicable to the fine grinding stage ST3 or the polishing stage ST4. FIG. 2 is a plan view showing the rough grinding stage ST2 of the wafer grinding apparatus 1. FIG. 3 (a) is a measuring mechanism 10 showing a state in which the arm 11 is slid in the horizontal direction H, and FIG. 3 (b) is a side view showing a state in which the elevating means 12 is lowered.

測定機構10は、水平方向Hに延伸されたアーム11と、アームを垂直方向Vに上下に昇降させる昇降手段12と、アーム11の上面に配置された上方接触センサ13と、アームの下面に配置された下方接触センサ14と、を備えている。   The measuring mechanism 10 includes an arm 11 extended in the horizontal direction H, lifting means 12 for moving the arm up and down in the vertical direction V, an upper contact sensor 13 disposed on the upper surface of the arm 11, and a lower surface of the arm And the lower contact sensor 14.

アーム11は、ウェハチャック3と砥石4との間で水平方向Hに延伸されている。アーム11の基端部11aは、昇降手段12に載置されたエアーピストン12aに連結されており、エアーピストン12aの水平方向Hの伸縮動作に応じて、アーム11が水平方向Hにスライドするようになっている。これにより、研削処理時には、アーム11がウェハチャック3と砥石4との間から退避して所定の待機位置に移動する。   The arm 11 is extended in the horizontal direction H between the wafer chuck 3 and the grinding wheel 4. The base end portion 11a of the arm 11 is connected to the air piston 12a mounted on the lifting means 12, and the arm 11 slides in the horizontal direction H according to the expansion and contraction operation of the air piston 12a in the horizontal direction H. It has become. Thereby, at the time of grinding processing, the arm 11 retracts from between the wafer chuck 3 and the grinding wheel 4 and moves to a predetermined standby position.

昇降手段12は、アーム11の基端部11aを支持しており、図示しないレール上を垂直方向Vに昇降することにより、アーム11を昇降させる。   The raising and lowering means 12 supports the base end 11 a of the arm 11 and raises and lowers the arm 11 by raising and lowering the rail (not shown) in the vertical direction V.

上方接触センサ13は、アーム11の先端上部に配置されている。上方接触センサ13は、公知の接触式センサであり、上方接触センサ13と砥石4との接触を検出する。   The upper contact sensor 13 is disposed on the top end of the arm 11. The upper contact sensor 13 is a known contact sensor, and detects a contact between the upper contact sensor 13 and the grinding wheel 4.

下方接触センサ14は、アーム11の先端下部に配置されている。下方接触センサ14は、公知の接触式センサであり、下方接触センサ14とウェハチャック3との接触を検出する。   The lower contact sensor 14 is disposed at the lower end of the arm 11. The lower contact sensor 14 is a known contact sensor, and detects a contact between the lower contact sensor 14 and the wafer chuck 3.

制御手段15は、予め記憶されたプログラムに従って測定機構10を動作させる。制御手段15は、上方接触センサ13が発する検出信号又は下方接触センサ14が発する検出信号を受信する。制御手段15は、上方接触センサ13及び下方接触センサ14が検出信号を発した状態、即ち、上方接触センサ13が砥石4に接触し、且つ、下方接触センサ14がウェハチャック3に接触している状態を研削開始位置と判断する。制御手段15は、砥石送り装置4aに砥石4の研削開始位置に関する位置情報を送る。   The control means 15 operates the measuring mechanism 10 in accordance with a program stored in advance. The control means 15 receives a detection signal emitted by the upper contact sensor 13 or a detection signal emitted by the lower contact sensor 14. The control means 15 is in a state in which the upper contact sensor 13 and the lower contact sensor 14 emit detection signals, that is, the upper contact sensor 13 contacts the grindstone 4 and the lower contact sensor 14 contacts the wafer chuck 3 The state is determined to be the grinding start position. The control means 15 sends position information on the grinding start position of the grinding wheel 4 to the grinding wheel feeder 4a.

次に、ウェハ研削方法について、図4に基づいて説明する。図4は、砥石の研削開始位置を測定する手順を示すフローチャートである。   Next, a wafer grinding method will be described based on FIG. FIG. 4 is a flowchart showing a procedure of measuring the grinding start position of the grinding wheel.

ウェハ研削方法は、公知の工程に加えて、図4に示すような測定機構10を用いた砥石4の研削開始位置(0点位置)を測定する工程を含む。まず、ウェハチャック3と砥石4との間にアーム11を配置する(S1)。具体的には、昇降手段12がアーム11を垂直方向Vでウェハチャック3と砥石4との間に配置する。また、必要に応じて、エアーピストン12aが伸縮してアーム11を水平方向Hにスライドさせる。これらの動作は、下方接触センサ14とウェハチャック3との接触点、及び上方接触センサ13と砥石4との接触点を所望の位置に配置するために任意に実行される。   The wafer grinding method includes the step of measuring the grinding start position (zero point position) of the grinding wheel 4 using the measuring mechanism 10 as shown in FIG. 4 in addition to the known steps. First, the arm 11 is disposed between the wafer chuck 3 and the grindstone 4 (S1). Specifically, the elevating means 12 arranges the arm 11 between the wafer chuck 3 and the grindstone 4 in the vertical direction V. In addition, the air piston 12 a expands and contracts to slide the arm 11 in the horizontal direction H as necessary. These operations are optionally performed to place the contact point of the lower contact sensor 14 with the wafer chuck 3 and the contact point of the upper contact sensor 13 with the grinding wheel 4 at a desired position.

次に、アーム11を下降させて(S2)、下方接触センサ14をウェハチャック3に接触させる(S3)。具体的には、昇降手段12の下降動作に従ってアーム11も下降する。下方接触センサ14がウェハチャック3と接触したことを検出すると、制御手段15が昇降手段12の下降動作を停止させ、アーム11が停止する。   Next, the arm 11 is lowered (S2) to bring the lower contact sensor 14 into contact with the wafer chuck 3 (S3). Specifically, the arm 11 is also lowered according to the lowering operation of the lifting means 12. When the lower contact sensor 14 detects the contact with the wafer chuck 3, the control means 15 stops the lowering operation of the lifting means 12, and the arm 11 stops.

次に、砥石4を下降させて(S4)、上方接触センサ13を砥石4に接触させる(S5)。具体的には、砥石送り装置4aが砥石4を下方に送り、上方接触センサ13が砥石4に接触したことを検出すると、制御手段15が砥石送り装置4aの送り動作を停止させ、砥石4が停止する。   Next, the grindstone 4 is lowered (S4), and the upper contact sensor 13 is brought into contact with the grindstone 4 (S5). Specifically, when the grinding stone feeder 4a feeds the grinding stone 4 downward and the upper contact sensor 13 detects that the grinding wheel 4 contacts the grinding wheel 4, the control means 15 stops the feed operation of the grinding stone feeder 4a and the grinding stone 4 Stop.

そして、上方接触センサ13が砥石4に接触すると共に下方接触センサ14がウェハチャック3に接触した状態を研削開始位置とする(S6)。すなわち、制御手段15が、下方接触センサ14からウェハチャック3に接触したことを検出した信号を受けた後に、上方接触センサ13から砥石4に接触したことを検出した信号を受けると、ウェハチャック3と砥石4とが、アーム11、下方接触センサ14及び上方接触センサ13の厚みに応じた間隔で対向する。したがって、ウェハチャック3と砥石4との間隔が自動で測定される。なお、上方接触センサ13と下方接触センサ14とはどちらを先に非接触物(ウェハチャック3、砥石4)に接触させても構わず、下方接触センサ14とウェハチャック3とが接触する前に、上方接触センサ13と砥石4とが接触しても構わない。また、研削開始位置を判断する上では、下方接触センサ14は必須の構成要素ではない。下方接触センサ14を昇降手段12の下降動作を停止させる機能を有する代替手段に置換することも可能である。下方接触センサ14の代替手段としては、例えば、モータ駆動の昇降手段12の負荷が一定値以上に達した場合に下降を停止させる過負荷ストッパや、シリンダ駆動の昇降手段12の所定量以上の下降を防止するシリンダーストッパ等が考えられる。   Then, the state in which the upper contact sensor 13 contacts the grindstone 4 and the lower contact sensor 14 contacts the wafer chuck 3 is set as the grinding start position (S6). That is, after the control means 15 receives a signal from the lower contact sensor 14 that detects contact with the wafer chuck 3, it receives a signal from the upper contact sensor 13 that detects contact from the lower surface to the grinding wheel 4. And the grindstone 4 face each other at an interval corresponding to the thickness of the arm 11, the lower contact sensor 14 and the upper contact sensor 13. Therefore, the distance between the wafer chuck 3 and the grinding wheel 4 is automatically measured. Note that the upper contact sensor 13 and the lower contact sensor 14 may either contact the non-contact object (the wafer chuck 3 or the grindstone 4) first before the lower contact sensor 14 and the wafer chuck 3 contact with each other. The upper contact sensor 13 and the grindstone 4 may be in contact with each other. Also, the lower contact sensor 14 is not an essential component in determining the grinding start position. It is also possible to replace the lower contact sensor 14 with an alternative means having the function of stopping the lowering operation of the lifting means 12. As an alternative means of the lower contact sensor 14, for example, an overload stopper for stopping the descent when the load of the motor-driven lifting means 12 reaches a predetermined value or more, a descent more than a predetermined amount of the cylinder-driven lifting means 12 The cylinder stopper etc. which can prevent can be considered.

ウェハ研削方法は、砥石4の真直性を測定する工程を含むのが好ましい。これにより、砥石4が水平に取り付けられていることが研削前に確認され、砥石4が傾いた状態でウェハWに片当たりすることが抑制されるため、砥石4の全面がウェハWに均一に接触して、滑らかな研削面を得ることができる。ここで、「砥石の真直性」とは、砥石4の表面が砥石4の回転軸に対して垂直であることを意味するものである。   The wafer grinding method preferably includes the step of measuring the straightness of the grinding wheel 4. Thereby, it is confirmed before grinding that the grindstone 4 is attached horizontally, and it is suppressed that the grindstone 4 is inclined to the wafer W in the inclined state, so the entire surface of the grindstone 4 is uniformly applied to the wafer W In contact, a smooth grinding surface can be obtained. Here, “straightness of the grindstone” means that the surface of the grindstone 4 is perpendicular to the rotation axis of the grindstone 4.

砥石4の真直性の測定手順について、図5に基づいて説明する。図5は、砥石4の真直性を測定する手順を示すフローチャートである。砥石4の真直性を測定する工程は、まず、砥石4の下方にアーム11を配置する(S11)。次に、アーム11を上昇させて砥石4に接近させる(S12)。アーム11は、上方接触センサ13と砥石4とが接触するまで上昇する(S13)。   The measurement procedure of the straightness of the grindstone 4 will be described based on FIG. FIG. 5 is a flow chart showing a procedure of measuring the straightness of the grindstone 4. In the process of measuring the straightness of the grindstone 4, first, the arm 11 is disposed below the grindstone 4 (S11). Next, the arm 11 is raised to approach the grindstone 4 (S12). The arm 11 ascends until the upper contact sensor 13 and the grinding wheel 4 contact (S13).

上方接触センサ13が、上方接触センサ13と砥石4との接触点の高さを測定する(S14)。接触点の高さは、例えば、昇降手段12の垂直方向Vの送り量に基づいて導出される。接触点の高さ測定が終わると、アーム11が僅かに下降する(S15)。これにより、上方接触センサ13と砥石4との接触が解除される。   The upper contact sensor 13 measures the height of the contact point between the upper contact sensor 13 and the grindstone 4 (S14). The height of the contact point is derived based on, for example, the amount of feed of the lifting means 12 in the vertical direction V. When the height measurement of the contact point is completed, the arm 11 is slightly lowered (S15). Thereby, the contact between the upper contact sensor 13 and the grinding wheel 4 is released.

次に、制御手段15が予め設定された接触点の数だけ接触点の高さ測定が終了したか否かを判定する(S16)。接触点の測定数が予め設定された測定数より少なければ(S16のNo)、砥石4を回転軸回りに自転させて(S17)、他の接触点の高さ測定を行う。砥石4を回転させることにより、接触点は砥石4上で同心円状に配置される。   Next, the control means 15 determines whether or not the height measurement of the touch points has been completed by the number of touch points set in advance (S16). If the number of measurement of the contact point is smaller than the number of measurement set in advance (No in S16), the grinding wheel 4 is rotated about the rotation axis (S17), and the height measurement of the other contact point is performed. By rotating the grinding wheel 4, the contact points are arranged concentrically on the grinding wheel 4.

接触点の測定数が予め設定された測定数に達しており、高さ測定が終了していれば(S16のYes)、各測定点の高さから砥石4の真直性を測定する(S18)。砥石の真直性の測定手順については、後述する。   If the measurement number of the contact points has reached the preset measurement number and the height measurement is completed (Yes in S16), the straightness of the grindstone 4 is measured from the height of each measurement point (S18) . The measurement procedure of the straightness of the grinding wheel will be described later.

さらに、ウェハ研削方法は、ウェハチャック3の真直性を測定する工程を含むのが好ましい。これにより、ウェハチャック3が水平に取り付けられていることが研削前に確認され、ウェハWが傾いた状態で砥石4に接触することが抑制されるため、砥石4がウェハWに均一に接触して、滑らかな研削面を得ることができる。ここで、「ウェハチャックの真直性」とは、ウェハチャック3の表面がウェハチャック3の回転軸に対して垂直であることを意味するものである。   Furthermore, the wafer grinding method preferably includes the step of measuring the straightness of the wafer chuck 3. Thereby, it is confirmed before grinding that the wafer chuck 3 is mounted horizontally, and since the wafer W is prevented from contacting the grindstone 4 in a tilted state, the grindstone 4 contacts the wafer W uniformly. And a smooth grinding surface can be obtained. Here, “straightness of the wafer chuck” means that the surface of the wafer chuck 3 is perpendicular to the rotation axis of the wafer chuck 3.

ウェハチャック3の真直性の測定手順について、図6に基づいて説明する。図6は、ウェハチャック3の真直性を測定するフローチャートである。ウェハチャック3の真直性を測定する工程は、まず、ウェハチャック3の上方にアーム11を配置する(S21)。次に、アーム11を下降させてウェハチャック3に接近させる(S22)。アーム11は、下方接触センサ14とウェハチャック4とが接触するまで下降する(S23)。   The measurement procedure of the straightness of the wafer chuck 3 will be described based on FIG. FIG. 6 is a flowchart for measuring the straightness of the wafer chuck 3. In the process of measuring the straightness of the wafer chuck 3, first, the arm 11 is disposed above the wafer chuck 3 (S21). Next, the arm 11 is lowered to approach the wafer chuck 3 (S22). The arm 11 is lowered until the lower contact sensor 14 and the wafer chuck 4 contact (S23).

下方接触センサ14が、下方接触センサ14とウェハチャック3との接触点の高さを測定する(S24)。接触点の高さは、例えば、昇降手段12の垂直方向Vの送り量に基づいて導出される。接触点の高さ測定が終わると、アーム11が僅かに上昇する(S25)。これにより、下方接触センサ14とウェハチャック3との接触が解除される。   The lower contact sensor 14 measures the height of the contact point between the lower contact sensor 14 and the wafer chuck 3 (S24). The height of the contact point is derived based on, for example, the amount of feed of the lifting means 12 in the vertical direction V. When the height measurement of the contact point is completed, the arm 11 is slightly raised (S25). Thereby, the contact between the lower contact sensor 14 and the wafer chuck 3 is released.

次に、制御手段15が予め設定された接触点の数だけ接触点の高さ測定が終了したか否かを判定する(S26)。接触点の測定数が予め設定された測定数より少なければ(S26のNo)、ウェハチャック3を回転軸回りに自転させて(S27)、他の接触点の高さ測定を行う。ウェハチャック3を回転させることにより、接触点はウェハチャック3上で同心円状に配置される。   Next, the control means 15 determines whether or not the height measurement of the touch points has been completed by the number of touch points set in advance (S26). If the number of measurement of the contact point is smaller than the number of measurement set in advance (No in S26), the wafer chuck 3 is rotated about the rotation axis (S27), and the height measurement of the other contact point is performed. By rotating the wafer chuck 3, the contact points are arranged concentrically on the wafer chuck 3.

接触点の測定数が予め設定された測定数に達しており、高さ測定が終了していれば(S26のYes)、各測定点の高さからウェハチャック3の真直性を測定する(S28)。ウェハチャック3の真直性の測定手順については、後述する。   If the measurement number of the contact points has reached the preset measurement number and the height measurement is completed (Yes in S26), the straightness of the wafer chuck 3 is measured from the height of each measurement point (S28) ). The measurement procedure of the straightness of the wafer chuck 3 will be described later.

砥石4の真直性及びウェハチャック3の真直性の測定について、図7、8に基づいて説明する。なお、砥石4の真直性の測定手順と砥石4の真直性の測定手順は同様であるので、ここでは、砥石4の真直性の測定手順についてのみ説明し、ウェハチャック4の真直性の測定手順に関する説明を省略する。図7は、砥石4の測定点を示す模式図であり、図8(a)は、真直性が確保できていない場合の各測定点の高さを示す図であり、図8(b)は、真直性が確保された場合の各測定点の高さを示す図である。   The measurement of the straightness of the grindstone 4 and the straightness of the wafer chuck 3 will be described based on FIGS. In addition, since the measurement procedure of the straightness of the grindstone 4 and the measurement procedure of the straightness of the grindstone 4 are the same, only the measurement procedure of the straightness of the grindstone 4 will be described here, and the measurement procedure of the straightness of the wafer chuck 4 I omit the explanation about. FIG. 7 is a schematic view showing the measurement points of the grindstone 4, and FIG. 8 (a) is a view showing the height of each measurement point when the straightness can not be secured, and FIG. 8 (b) is a view 3 is a diagram showing the height of each measurement point when the straightness is secured.

図7に示すように、砥石4上に同心円状で等間隔に離間した4点(A〜D)を接触点とした場合、図8(a)に示すように、各接触点の高さにバラつきが生じている場合には、砥石4の真直性が確保されていない。砥石4の真直性が確保できない原因としては、例えば、砥石4と砥石4を取り付けるフランジとの間に異物が介在しており、砥石4がフランジに対して斜めに取り付けられていること等が考えられる。したがって、砥石4とフランジとの間に異物が介在している場合には、砥石4をフランジから一度取り外して異物を除去する必要がある。そこで、砥石4をフランジから取り外して異物を除去して、図8(b)に示すように、各接触点(A〜D)の高さを同一にすることにより、砥石4の真直性は確保される。   As shown in FIG. 7, when four points (A to D) concentrically spaced at equal intervals on the grindstone 4 are used as the contact points, as shown in FIG. When the dispersion occurs, the straightness of the grindstone 4 is not ensured. The reason why the straightness of the grindstone 4 can not be ensured is, for example, that foreign matter intervenes between the grindstone 4 and the flange to which the grindstone 4 is attached, and it is considered that the grindstone 4 is attached obliquely to the flange Be Therefore, when foreign matter intervenes between the grindstone 4 and the flange, it is necessary to once remove the grindstone 4 from the flange to remove the foreign matter. Therefore, by removing the foreign matter from the flange 4 by removing the grindstone 4, as shown in FIG. 8 (b), the straightness of the grindstone 4 is secured by making the height of each contact point (A to D) the same. Be done.

このようにして、上述した本実施例に係る発明は、ウェハチャック3と砥石4との間隔を自動で測定可能なため、砥石4の研削開始位置の位置合わせを簡便に行うことができる。また、既存のウェハ研削装置に測定機構10を設けるだけで砥石4の研削開始位置を測定可能なため、経済的コストを軽減することができる。さらに、下方接触センサ14がウェハチャック3に接触した状態で砥石4の位置合わせを行うため、ウェハチャック3の交換前後でウェハチャック3の高さが変更した場合であっても、砥石4の研削開始位置を正確に得ることができる。   Thus, the invention according to the above-described embodiment can automatically measure the distance between the wafer chuck 3 and the grindstone 4, so that the positioning of the grinding start position of the grindstone 4 can be easily performed. In addition, since the grinding start position of the grinding wheel 4 can be measured simply by providing the measuring mechanism 10 in the existing wafer grinding apparatus, economical cost can be reduced. Furthermore, since the alignment of the grindstone 4 is performed in a state in which the lower contact sensor 14 contacts the wafer chuck 3, grinding of the grindstone 4 is performed even if the height of the wafer chuck 3 is changed before and after replacement of the wafer chuck 3. The starting position can be accurately obtained.

また、上方接触センサ13が、砥石4の複数の接触点の高さを測定し、制御手段15が、上方接触センサ13が測定した複数の接触点の高さから砥石4の真直性を測定することにより、砥石4が水平に取り付けられていることが研削前に確認されるため、砥石4が傾いた状態でウェハWに片当たりすることが抑制され、砥石4の全面がウェハWに均一に接触して、滑らかな研削面を得ることができる。   Further, the upper contact sensor 13 measures the heights of the plurality of contact points of the grindstone 4, and the control means 15 measures the straightness of the grindstone 4 from the heights of the plurality of contact points measured by the upper contact sensor 13. Thus, it is confirmed before grinding that the grindstone 4 is mounted horizontally, so that the wafer W is prevented from being partially hit while the grindstone 4 is inclined, and the entire surface of the grindstone 4 is uniformly applied to the wafer W In contact, a smooth grinding surface can be obtained.

また、下方接触センサ14が、ウェハチャック3の複数の接触点の高さを測定し、制御手段15が、下方接触センサ14が測定した複数の接触点の高さからウェハチャック3の真直性を測定することにより、ウェハチャック3が水平に取り付けられていることが研削前に確認され、ウェハWが傾いた状態で砥石4に接触することが抑制され、砥石4がウェハに均一に接触して、滑らかな研削面を得ることができる。   Also, the lower contact sensor 14 measures the heights of the plurality of contact points of the wafer chuck 3, and the control means 15 determines the straightness of the wafer chuck 3 from the heights of the plurality of contact points measured by the lower contact sensor 14. By measuring, it is confirmed before grinding that the wafer chuck 3 is mounted horizontally, contact with the grindstone 4 in a state where the wafer W is inclined is suppressed, and the grindstone 4 contacts the wafer uniformly. , Smooth ground surface can be obtained.

なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変をなすことができ、そして、本発明が該改変されたものにも及ぶことは当然である。   The present invention can be modified in various ways without departing from the spirit of the present invention, and it goes without saying that the present invention extends to those modified as well.

1 ・・・ ウェハ研削装置
2 ・・・ INDEXテーブル
2a・・・ 仕切壁
3 ・・・ ウェハチャック
4 ・・・ 砥石
4a・・・ 砥石送り装置
5 ・・・ 研磨布(ポリッシュパッド)
6 ・・・ 第1のラック
7 ・・・ 第2のラック
8 ・・・ 第1のアーム
9 ・・・ 第2のアーム
10・・・ 測定機構
11・・・ アーム
11a・・・(アームの)基端部
12・・・ 昇降手段
12a・・・エアーピストン
13・・・ 上方接触センサ
14・・・ 下方接触センサ
15・・・ 制御手段
W ・・・ ウェハ
H ・・・ 水平方向
V ・・・ 垂直方向
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 · · · Wafer grinding apparatus 2 · · · INDEX table 2a · · · Partition wall 3 · · · Wafer chuck 4 · · · Grinding stone 4a · · · Grinding stone feeding device 5 · · · Polishing cloth (polish pad)
6 ··· First rack 7 ··· Second rack 8 ··· First arm 9 ··· Second arm 10 ··· Measuring mechanism 11 ··· Arm 11a ··· (Arms ) Base end 12 ··· Lifting means 12a · · · Air piston 13 · · · Upper contact sensor 14 · · · Lower contact sensor 15 · · · Control means W · · · Wafer H · · · Horizontal direction V · · · · Vertical direction

本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項1記載の発明は、ウェハチャックに載置されたウェハの表面に砥石を押圧してウェハを研削するウェハ研削装置において、記砥石の複数の接触点の高さを測定する高さセンサと、前記高さセンサが測定した前記複数点の高さから前記砥石が水平に取り付けられているか否かを判定し、前記砥石が水平に取り付けられていないと判定された場合には、前記砥石を再取り付けし、前記砥石が水平に取り付けられていると判定された場合には、前記高さセンサが前記砥石に接触している状態を前記砥石の研削開始位置と判断する制御手段と、を備えているウェハ研削装置を提供する。 The present invention has been proposed to achieve the above object, and the invention according to claim 1 is a wafer grinding apparatus for grinding a wafer by pressing a grindstone against the surface of a wafer placed on a wafer chuck, determines the height sensor for measuring the height of a plurality of contact points of the previous SL grindstone, whether from said height grindstone of the plurality of points of said height sensor is measured is attached horizontally, said grinding wheel If it is determined that the wheel is not mounted horizontally, the wheel is reinstalled, and if it is determined that the wheel is mounted horizontally, the height sensor contacts the wheel A wafer grinding apparatus is provided, comprising: control means for judging that the wheel is in the grinding start position of the grinding wheel.

本発明に係るウェハ研削装置は、研削開始位置の位置合わせを円滑且つ簡便に行うという目的を達成するために、ウェハチャックに載置されたウェハの表面に砥石を押圧してウェハを研削するウェハ研削装置において、記砥石の複数の接触点の高さを測定する高さセンサと、前記高さセンサが測定した前記複数点の高さから前記砥石が水平に取り付けられているか否かを判定し、前記砥石が水平に取り付けられていないと判定された場合には、前記砥石を再取り付けし、前記砥石が水平に取り付けられていると判定された場合には、前記高さセンサが前記砥石に接触している状態を前記砥石の研削開始位置と判断する制御手段と、を備えていることにより実現する。
The wafer grinding apparatus according to the present invention is a wafer that presses a grindstone against the surface of a wafer mounted on a wafer chuck to grind the wafer, in order to achieve the purpose of aligning the grinding start position smoothly and easily. in the grinding device, determining a height sensor for measuring the heights of the plurality of contact points of the previous SL grindstone, whether from said height grindstone of the plurality of points of said height sensor is measured is attached horizontally If it is determined that the whetstone is not attached horizontally, the whetstone is reattached, and if it is determined that the whetstone is attached horizontally, the height sensor indicates the whetstone. Control means for determining the state of contact with the grinding start position of the grinding wheel.

Claims (1)

ウェハチャックに載置されたウェハの表面に砥石を押圧してウェハを研削するウェハ研削装置において、
前記ウェハチャックと前記砥石との間で水平方向に延伸されたアームと、
該アームを垂直方向に昇降させる昇降手段と、
前記アームの上面に配置されて、前記砥石の接触を検出する上方接触センサと、
前記上方接触センサが前記砥石に接触している状態を前記砥石の研削開始位置と判断する制御手段と、
を備えていることを特徴とするウェハ研削装置。
In a wafer grinding apparatus for grinding a wafer by pressing a grinding stone against the surface of a wafer placed on a wafer chuck,
An arm horizontally extended between the wafer chuck and the grinding wheel;
Raising and lowering means for vertically raising and lowering the arm;
An upper contact sensor disposed on the upper surface of the arm to detect contact of the grinding wheel;
A control unit that determines a state in which the upper contact sensor is in contact with the grindstone as a grinding start position of the grindstone;
A wafer grinding apparatus comprising:
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