JP2019114803A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
第1の導電材料を含み、且つ前記平たい台の上表面の一部領域に位置する第1の層と、第2の導電材料を含み、且つ前記第1の層の上に位置する第2の層とを含む第1の電極と、を含む発光素子を提供する。
11 第1の導電型半導体層
12 第2の導電型半導体層
13 第2の電極
14 第1の絶縁層
15 第1の電極第1の層
16 第1の電極第2の層
17 第2の絶縁層
18 第1の電極パッド
19 第2の電極パッド
20 通路
21 活性層
30 LEDパッケージ
31 パッケージ構造
32 LEDチップ
33 p−n接面
34 ワイヤ
35、36 導電フレーム
40 電球
41 ランプカバー
42 レンズ
43 載置板
44 発光モジュール
45 ランプソケット
46 放熱フィン
47 結合部
48 電気端子
Claims (10)
- 発光素子であって、
第1の導電型半導体層と、活性層と、第2の導電型半導体層とを含む半導体積層であって、前記半導体積層は複数の凹溝と、平たい台とを含み、前記複数の凹溝は、前記第1の導電型半導体層を露出させる底部をそれぞれ有し、前記平たい台は上表面を有し、該上表面は前記第2の導電型半導体層の表面である、半導体積層と、
第1の導電材料を含み、前記平たい台の前記上表面の上に位置する第1の電極第1の層と、
互いに離れており、且つ前記複数の凹溝の各前記底部にそれぞれ位置する複数の第2の電極であって、前記複数の第2の電極は、前記複数の凹溝の各前記底部の一方側から離れた上表面をそれぞれ有する、複数の第2の電極と、
前記複数の凹溝に位置し、且つ前記平たい台の前記上表面の一部の上に位置する第1の絶縁層であって、前記第1の絶縁層は、前記複数の第2の電極の各前記上表面の一部を覆い、且つ前記複数の第2の電極の各前記上表面の他部を露出させるように複数の通路を含む、第1の絶縁層と、
第2の導電材料を含み、前記複数の第2の電極、前記第1の絶縁層及び前記第1の電極第1の層を覆う第1の電極第2の層であって、前記第1の絶縁層は前記第1の電極第2の層と前記複数の第2の電極との間に位置する、第1の電極第2の層と、
前記第1の電極第2の層の一部を覆い、且つ前記第1の電極第2の層の他部を露出させるように複数の間隔領域を含む第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層の上に位置し、前記第1の導電型半導体層及び前記第2の導電型半導体層を覆い、且つ前記第1の電極第2の層と接触する第1の電極パッドであって、前記第2の絶縁層は前記第1の電極第2の層と前記第1の電極パッドとの間に位置し、前記第2の絶縁層は前記第1の電極パッドと直接接触する、第1の電極パッドと、
前記複数の第2の電極の上に位置し、前記第1の導電型半導体層及び前記第2の導電型半導体層を覆い、且つ前記複数の第2の電極に電気的に接続される第2の電極パッドと、を含む発光素子。 - 前記半導体積層の下に位置する基板をさらに含む請求項1に記載の発光素子。
- 前記活性層は光線を発することができ、
前記複数の凹溝は、前記第2の導電型半導体層及び前記活性層を横切っている請求項1に記載の発光素子。 - 前記複数の凹溝の1つは前記平たい台を囲む請求項3に記載の発光素子。
- 前記第1の絶縁層は、前記第1の電極第1の層の上表面と前記第1の電極第2の層の上表面との間に位置する表面を含む請求項1に記載の発光素子。
- 前記第2の絶縁層は、前記第1の絶縁層と直接接触する一部の領域を含む請求項5に記載の発光素子。
- 前記第1の導電材料及び前記第2の導電材料は金属を含み、
前記第1の導電材料と前記第2の導電材料とは異なる請求項1に記載の発光素子。 - 前記第1の電極第1の層の前記光線に対する反射率は、前記第1の電極第2の層の前記光線に対する反射率よりも大きい請求項3に記載の発光素子。
- 前記第2の導電型半導体層の上に位置する第2の導電型接触層をさらに含み、
前記第2の導電型接触層の材料は、酸化インジウム錫、酸化カドミウム錫、酸化アンチモン錫、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム又は酸化亜鉛錫を含む請求項3に記載の発光素子。 - 発光素子であって、
第1の導電型半導体層と、活性層と、第2の導電型半導体層とを含む半導体積層であって、前記半導体積層は凹溝と、平たい台とを含み、前記凹溝は前記第1の導電型半導体層を露出させる底部を有し、前記平たい台は上表面を有し、該上表面は前記第2の導電型半導体層の表面である、半導体積層と、
第1の導電材料を含み、前記平たい台の前記上表面の上に位置する第1の電極第1の層と、
前記凹溝の前記底部に位置する第2の電極と、
前記凹溝に位置し、且つ前記平たい台の前記上表面の一部の上に位置する第1の絶縁層であって、前記第1の絶縁層は前記第2の電極を露出させるように通路を含む、第1の絶縁層と、
第2の導電材料を含み、前記第2の電極及び前記第1の電極第1の層を覆い、且つ前記第1の絶縁層の上に位置する第1の電極第2の層であって、前記発光素子の断面図において、前記第1の絶縁層は前記第1の電極第2の層と前記第2の電極との間に位置する、第1の電極第2の層と、
前記第1の電極第2の層を覆い、且つ前記第1の電極第2の層を露出させるように間隔領域を含む第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層の上に位置し、前記第1の導電型半導体層及び前記第2の導電型半導体層を覆い、且つ前記第1の電極第2の層に電気的に接続される第1の電極パッドと、
前記第2の電極の上に位置し、前記第1の導電型半導体層及び前記第2の導電型半導体層を覆い、且つ前記第2の電極に電気的に接続される第2の電極パッドと、を含む発光素子。
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