JP2019114737A - 熱伝導セラミック基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】発熱源の熱を効率よく伝導することができる熱伝導セラミック基板を提供する。【解決手段】発熱源の熱を別の場所へと伝導する熱伝導セラミック基板100は、複数のセラミック層が積層されたセラミック基板1と、発熱源と接続される、セラミック基板1の一方主面1a側に配置された一方主面側電極3と、一方主面側電極3と接続され、セラミック基板1内に配置された第1層間接続導体3と、第1層間接続導体3と接続され、セラミック基板1の他方主面1b側に配置された他方主面側電極4とを備える。第1層間接続導体3は、内部に空洞30が形成されており、空洞30に、蒸発と凝縮を繰り返す作動媒体31が封入されている。【選択図】図2
Description
本発明は、発熱源の熱を別の場所へと伝導する熱伝導セラミック基板に関する。
電子部品などの発熱源の熱を別の場所へと伝導する基板が知られている。
そのような基板の一つとして、特許文献1には、複数の基材層(例えばセラミック層)を積層してなる積層体と、積層体の側面または下面に形成された端子電極と、積層体の内部に配置されたビアホール導体とを備えた多層配線基板が記載されている。ビアホール導体は、積層体に実装される電子部品と端子電極とに接続されている。そのような構成により、電子部品の熱は、ビアホール導体を介して端子電極へと伝わり、外部へと放出される。
しかしながら、上述した多層配線基板では、電子部品の熱は、積層体の内部に配設されているビアホール導体を介して端子電極へと伝わるように構成されている。したがって、放熱効率を向上させるためには、電子部品の熱が積層体の内部を効率よく伝導する構成とすることが必要であり、その点において、更なる改良の余地がある。
本発明は、上記課題を解決するものであり、発熱源の熱を効率よく伝導することができる熱伝導セラミック基板を提供することを目的とする。
本発明の熱伝導セラミック基板は、
発熱源の熱を別の場所へと伝導する熱伝導セラミック基板であって、
複数のセラミック層が積層されたセラミック基板と、
前記発熱源と接続される、前記セラミック基板の一方主面側に配置された一方主面側電極と、
前記一方主面側電極と接続され、前記セラミック基板内に配置された第1層間接続導体と、
前記第1層間接続導体と接続され、前記セラミック基板の他方主面側に配置された他方主面側電極と、
を備え、
前記第1層間接続導体の内部には空洞が形成されており、
前記空洞に、蒸発と凝縮を繰り返す作動媒体が封入されていることを特徴とする。
発熱源の熱を別の場所へと伝導する熱伝導セラミック基板であって、
複数のセラミック層が積層されたセラミック基板と、
前記発熱源と接続される、前記セラミック基板の一方主面側に配置された一方主面側電極と、
前記一方主面側電極と接続され、前記セラミック基板内に配置された第1層間接続導体と、
前記第1層間接続導体と接続され、前記セラミック基板の他方主面側に配置された他方主面側電極と、
を備え、
前記第1層間接続導体の内部には空洞が形成されており、
前記空洞に、蒸発と凝縮を繰り返す作動媒体が封入されていることを特徴とする。
前記空洞を形成する前記第1層間接続導体の内壁には、凹凸が形成されていてもよい。
また、前記作動媒体は、水であってもよい。
上記熱伝導セラミック基板は、前記セラミック基板内に配置され、内部が導体で充填された第2層間接続導体をさらに備えていてもよい。
前記一方主面側電極と前記他方主面側電極のうちの少なくとも一方は、前記複数のセラミック層のうちの一番外側のセラミック層内に配置され、前記セラミック層の1層分の厚みを有していてもよい。
本発明の熱伝導セラミック基板によれば、セラミック基板の内部に配置された第1層間接続導体の内部に空洞が形成され、空洞に、蒸発と凝縮を繰り返す作動媒体が封入されているので、第1層間接続導体をヒートパイプとして機能させることができ、発熱源の熱を効率よく伝導させることができる。
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところを具体的に説明する。
図1は、一実施の形態における熱伝導セラミック基板100の上面図、図2は、図1に示す熱伝導セラミック基板100をII−II線で切断した場合の断面図、図3は、図2に示す熱伝導セラミック基板100をIII−III線で切断した場合の断面図である。
熱伝導セラミック基板100は、セラミック基板1と、一方主面側電極2と、第1層間接続導体3と、他方主面側電極4と、第2層間接続導体5とを備える。
セラミック基板1は、複数のセラミック層が積層された構造を有する。セラミック基板1の一方主面1aには、発熱源である電子部品が実装される。ただし、発熱源が電子部品に限定されることはない。セラミック基板1の他方主面1bは、例えば、マザー基板10と接続される。
第1層間接続導体3は、セラミック基板1内に配置されており、信号伝送路として機能するとともに、セラミック基板1の一方主面1a上に実装される電子部品の熱を他方主面1b側へと伝達するヒートパイプとして機能する。本実施形態において、第1層間接続導体3の高さは、セラミック基板1の厚みと略同一である。
セラミック基板1内に配置する第1層間接続導体3の数は1つでもよいし、複数でもよい。ただし、セラミック基板1内に複数の第1層間接続導体3を設けることにより、発熱源である電子部品の熱をより多く、セラミック基板1の他方主面1b側に伝えて、効果的に放熱させることができる。
本実施形態では、図1に示すように、セラミック基板1内に均一に、複数の第1層間接続導体3が設けられているが、電子部品が実装される位置にだけ第1層間接続導体3を設けるようにしてもよい。
第1層間接続導体3の内部には、空洞30が形成されている。空洞30には、温度に応じて、蒸発と凝縮を繰り返す作動媒体31が封入されている。作動媒体31は、例えば冷媒であって、本実施形態では、濡れ性や気化温度を鑑みて、水を用いる。作動媒体31として水を用いることにより、コストを低減することができる。ただし、作動媒体31が水に限定されることはない。
第1層間接続導体3の内壁は、ウィック、すなわち毛細管構造を有する。第1層間接続導体3の内壁がウィックを有することにより、作動媒体31である水が毛細管力によって上方へと上昇するように構成されている。ウィックは、例えば、第1層間接続導体3の内壁に形成された凹凸である。
図4は、第1層間接続導体3の内壁の拡大図である。図4に示すように、第1層間接続導体3の内壁には、凹凸が形成されている。凹凸は、例えば、内壁に細かい疵や溝を形成することによって、形成することができる。
一方主面側電極2は、セラミック基板1の一方主面1a側に配置され、第1層間接続導体3と接続されている。より詳しくは、一方主面側電極2は、第1層間接続導体3の内部に形成されている空洞30の、一方主面1a側端部を封止するような態様で設けられている。発熱源である電子部品は、一方主面側電極2と接続される。
なお、一方主面側電極2は、セラミック基板1の一方主面1a上に配設されていてもよい。
他方主面側電極4は、セラミック基板1の他方主面1b側に配置され、第1層間接続導体3と接続されている。より詳しくは、他方主面側電極4は、第1層間接続導体3の内部に形成されている空洞30の、他方主面1b側端部を封止するような態様で設けられている。
なお、他方主面側電極4は、セラミック基板1の他方主面1b側に配設されていてもよい。
第2層間接続導体5は、セラミック基板1の内部に配置されている。第2層間接続導体5は、内部が導体で充填されており、信号伝送路として機能する。ただし、第2層間接続導体5は、必要に応じて省略してもよい。
上述した構成を備える熱伝導セラミック基板100では、発熱源である電子部品の熱が一方主面側電極2に伝わると、一方主面側電極2およびその近傍が加熱され、一方主面側電極2の近傍で空洞30内の水が蒸発する。水の蒸発により発生した水蒸気は、温度の低い他方主面側電極4およびその近傍で凝縮して水となる。
他方主面側電極4およびその近傍で凝縮した水は、毛細管現象によって、第1層間接続導体3の内壁を上昇し、一方主面側電極2およびその近傍で再び蒸発する。
このように、作動媒体31である水の蒸発と凝縮が繰り返し行われることによって、セラミック基板1の一方主面1a側に実装される電子部品の熱は、他方主面1b側、本実施形態では、他方主面1b側に配置されているマザー基板10へと伝わって、外部に放出される。
すなわち、セラミック基板1内に配置されている第1層間接続導体3がヒートパイプとして機能するので、セラミック基板1内の伝熱効率を向上させることができる。これにより、セラミック基板1の一方主面1a側に位置する発熱源の熱を他方主面1b側に効率良く伝えて、放熱させることができる。また、セラミック基板1内に配置されている第1層間接続導体3の空洞30に作動媒体31を封入する構成としているので、小型・薄型の熱伝導セラミック基板100を実現することができる。
図5は、上述した構造を有する熱伝導セラミック基板100Aに、電子部品51〜55を実装した状態を示す上面図である。熱伝導セラミック基板100Aは、マザー基板10上に実装されている。また、図6は、図5に示す、マザー基板10に実装された熱伝導セラミック基板100AをVI−VI線で切断した場合の断面図である。
熱伝導セラミック基板100Aには、電子部品51〜55が実装されている。ここでは、電子部品51〜55のうち、電子部品51の放熱を効果的に行うものとして説明する。
発熱源である電子部品51は、熱伝導セラミック基板100Aの第1層間接続導体3の直上に配置され、一方主面側電極2と接続されている。図6に示すように、電子部品51は、第1層間接続導体3および第2層間接続導体5を介して、マザー基板10と接続されている。また、電子部品52〜55は、第2層間接続導体5を介してマザー基板10と接続されている。
電子部品51の熱は、第1層間接続導体3を介してマザー基板10に伝わる。上述したように、第1層間接続導体3の空洞30の内部には、蒸発と凝縮を繰り返す作動媒体である水が封入されているので、水が封入されていない構成と比べて、第1層間接続導体3の伝熱性を向上させることができる。これにより、電子部品51の放熱を効果的に行うことができる。
なお、電子部品51と同様に、電子部品52〜54の直下にも第1層間接続導体3を配置することにより、電子部品52〜54の放熱を効果的に行うことができる。
図7は、図5に示す電子部品52、53の代わりに、FPC(フラットパネルケーブル)70を配置した場合の上面図である。また、図8は、図7に示す、マザー基板10に実装された熱伝導セラミック基板100AをVIII−VIII線で切断した場合の断面図である。
図7および図8において、電子部品51と熱伝導セラミック基板100Aとの位置関係は、図5および図6に示す位置関係と同じであるので、同様に、電子部品51の放熱を効果的に行うことができる。
<熱伝導セラミック基板の製造方法>
図9は、本実施形態における熱伝導セラミック基板の製造方法を説明するための図である。ここでは、セラミック基板1内に第2層間接続導体5を配置していない熱伝導セラミック基板の製造方法について説明する。
図9は、本実施形態における熱伝導セラミック基板の製造方法を説明するための図である。ここでは、セラミック基板1内に第2層間接続導体5を配置していない熱伝導セラミック基板の製造方法について説明する。
事前に用意したセラミックグリーンシート91に貫通孔92を形成する(図9(a))。貫通孔92は、例えば、ドリル、ルータ、または、レーザなどにより形成することができる。
なお、セラミックグリーンシート91は、例えば、セラミック粉末にガラス粉末を混合した混合粉末と、有機バインダと、溶剤とを含有するセラミックスラリーを、ドクターブレード法などによってシート状に成形することによって作製することができる。
次に、セラミックグリーンシート91の貫通孔92に、導電性ペースト93を充填する(図9(b))。導電性ペースト93には、焼成により消失する樹脂ビーズが含まれている。
続いて、導電性ペースト93に貫通孔94を形成する(図9(c))。貫通孔94は、例えば、ドリル、ルータ、または、レーザなどにより形成することができる。
続いて、上述した加工が施された複数のセラミックグリーンシート91を積層する。また、貫通孔94の一方端を塞ぐために、貫通孔94を形成していないセラミックグリーンシート91を1枚、積層方向の外側に配置して、未焼成積層体95を作製する(図9(d))。貫通孔94を形成していないセラミックグリーンシート91とは、図9(b)に示す工程まで行ったセラミックグリーンシート91である。
なお、図9では、貫通孔94を形成した3枚のセラミックグリーンシートを積層する構成を示しているが、積層するセラミックグリーンシートの枚数が3枚に限定されることはない。
続いて、未焼成積層体95を、例えばAgを主成分とする導体ペーストを用いる場合は900℃、Cuを主成分とする導体ペーストを用いる場合は1000℃で焼成する。これにより、空洞30を有する第1層間接続導体3が形成される(図9(e))。焼成によって樹脂ビーズが消失するので、第1層間接続導体3の内壁に凹凸が形成される。
また、積層方向外側に配置した、貫通孔94を形成していないセラミックグリーンシート91が焼成されることにより、セラミックグリーンシート91中の導電性ペーストが他方主面側電極4となる。
すなわち、他方主面側電極4は、積層された複数のセラミック層のうちの一番外側のセラミック層に配置され、セラミック層の1層分の厚みを有する。
続いて、作動媒体31である水を第1層間接続導体3の空洞30内に入れる(図9(f))。
最後に、第1層間接続導体3の開放されている側の端部を封止するような態様で、一方主面側電極2を配設する(図9(g))。
なお、セラミック基板1内に第2層間接続導体5を配置する場合には、導電性ペースト93に貫通孔94を形成する工程(図9(c))で、第2層間接続導体を配置する位置の導電性ペースト93には、貫通孔を形成しないようにすればよい。
図10は、本実施形態における熱伝導セラミック基板の別の製造方法を説明するための図である。
事前に用意したセラミックグリーンシート91に貫通孔92を形成し(図10(a))、形成した貫通孔92に、導電性ペースト93を充填する(図10(b))。導電性ペースト93には、焼成により消失する樹脂ビーズが含まれている。
続いて、複数のセラミックグリーンシート91を積層して、未焼成積層体101を作製する(図10(c))。
続いて、未焼成積層体101を、例えばAgを主成分とする導体ペーストを用いる場合は900℃、Cuを主成分とする導体ペーストを用いる場合は1000℃で焼成する(図10(d))。これにより、セラミック基板1と、セラミック基板1内に配設された第1層間接続導体3とが形成される。ただし、第1層間接続導体3の内部には空洞は形成されていない。
続いて、第1層間接続導体3に、ドリルなどを用いて孔を形成することによって、空洞30を形成する(図10(e))。ここでは、貫通孔ではなく、所定の深さの孔を形成することによって、空洞30と他方主面側電極4を形成する。
なお、未焼成積層体101を焼成する工程と第1層間接続導体3に空洞30を形成する工程を入れ替えてもよい。その場合、未焼成積層体101にドリルなどを用いて空洞30を形成する。続いて未焼成積層体を焼成することで、セラミック基板1が形成される。
上述したように、導電性ペースト93に樹脂ビーズが含まれる場合、樹脂ビーズは焼成によって消失する。これにより、第1層間接続導体3の内部に空洞30が形成されたときに、第1層間接続導体3の内壁に凹凸が形成される。
なお、導電性ペースト93に樹脂ビーズを含まず、ドリルなどを用いて空洞30を形成するときに、第1層間接続導体3の内壁に凹凸を形成するようにしてもよい。
続いて、作動媒体31である水を第1層間接続導体3の空洞30内に入れる(図10(f))。
最後に、第1層間接続導体3の開放されている側の端部を封止するような態様で、一方主面側電極2を配設する(図10(g))。
なお、セラミック基板1内に第2層間接続導体5を配置する場合には、第1層間接続導体3に空洞30を形成する工程(図10(e))で、第2層間接続導体を配置する位置の第1層間接続導体3には、空洞を形成しないようにすればよい。すなわち、空洞のない第1層間接続導体3が第2層間接続導体5となる。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
第1層間接続導体3の内壁のウィックが、内壁の凹凸に限定されることはない。例えば、ウィックとして、メッシュを用いてもよい。
上述した実施形態では、セラミック基板1の上面に電子部品を実装する例を挙げて説明したが、下面に電子部品を実装することもできる。その場合、電子部品と熱伝導セラミック基板の配置関係は、図6や図8に示す配置関係を上下反対にしたようなものとなる。すなわち、熱伝導セラミック基板100の一方主面側電極2が下側に位置し、他方主面側電極4が上側に位置することになる。
その場合でも、第1層間接続導体3がヒートパイプとして機能することに変わりはない。ただし、発熱源である電子部品の熱を上方へと移動させる構成となるため、第1層間接続導体3の内壁がウィックを有していない構成としてもよい。
すなわち、電子部品の熱が一方主面側電極2に伝わると、一方主面側電極2およびその近傍が加熱され、一方主面側電極2の近傍で空洞30内の水が蒸発する。水の蒸発により発生した水蒸気は、温度の低い他方主面側電極4およびその近傍で凝縮して水となる。他方主面側電極4は、一方主面側電極2よりも上方に位置するため、凝縮した水は、重力によって一方主面側電極2へと移動し、一方主面側電極2およびその近傍で再び蒸発する。
上記のように、凝縮した水は、重力によって、下方に位置する一方主面側電極2へと移動するので、発熱源の熱を上方へと移動させる構成とする場合には、第1層間接続導体3の内壁は、ウィックを有していなくてもよい。
図9に示す熱伝導セラミック基板100の製造方法において、他方主面側電極4は、積層された複数のセラミック層のうちの一番外側のセラミック層に配置され、セラミック層の1層分の厚みを有するものとして説明したが、他方主面側電極4の厚みがセラミック層の1層分の厚みに限定されることはない。
また、一方主面側電極2の厚みがセラミック層の1層分の厚みとなるように構成してもよい。
1 セラミック基板
1a セラミック基板の一方主面
1b セラミック基板の他方主面
2 一方主面側電極
3 第1層間接続導体
4 他方主面側電極
5 第2層間接続導体
10 マザー基板
30 空洞
31 作動媒体
51、52、53、54、55 電子部品
70 FPC
91 セラミックグリーンシート
92 貫通孔
93 導電性ペースト
94 貫通孔
95 未焼成積層体
100、100A 熱伝導セラミック基板
101 未焼成積層体
1a セラミック基板の一方主面
1b セラミック基板の他方主面
2 一方主面側電極
3 第1層間接続導体
4 他方主面側電極
5 第2層間接続導体
10 マザー基板
30 空洞
31 作動媒体
51、52、53、54、55 電子部品
70 FPC
91 セラミックグリーンシート
92 貫通孔
93 導電性ペースト
94 貫通孔
95 未焼成積層体
100、100A 熱伝導セラミック基板
101 未焼成積層体
Claims (5)
- 発熱源の熱を別の場所へと伝導する熱伝導セラミック基板であって、
複数のセラミック層が積層されたセラミック基板と、
前記発熱源と接続される、前記セラミック基板の一方主面側に配置された一方主面側電極と、
前記一方主面側電極と接続され、前記セラミック基板内に配置された第1層間接続導体と、
前記第1層間接続導体と接続され、前記セラミック基板の他方主面側に配置された他方主面側電極と、
を備え、
前記第1層間接続導体の内部には空洞が形成されており、
前記空洞に、蒸発と凝縮を繰り返す作動媒体が封入されていることを特徴とする熱伝導セラミック基板。 - 前記空洞を形成する前記第1層間接続導体の内壁には、凹凸が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱伝導セラミック基板。
- 前記作動媒体は、水であることを特徴とする請求項1または2に記載の熱伝導セラミック基板。
- 前記セラミック基板内に配置され、内部が導体で充填された第2層間接続導体をさらに備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の熱伝導セラミック基板。
- 前記一方主面側電極と前記他方主面側電極のうちの少なくとも一方は、前記複数のセラミック層のうちの一番外側のセラミック層内に配置され、前記セラミック層の1層分の厚みを有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の熱伝導セラミック基板。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017248885A JP2019114737A (ja) | 2017-12-26 | 2017-12-26 | 熱伝導セラミック基板 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112020002935T5 (de) | 2019-06-20 | 2022-03-03 | Denso Corporation | Kraftstoffeinspritzventil |
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2017
- 2017-12-26 JP JP2017248885A patent/JP2019114737A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112020002935T5 (de) | 2019-06-20 | 2022-03-03 | Denso Corporation | Kraftstoffeinspritzventil |
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