JP2019095694A

JP2019095694A - 表示装置

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Publication number: JP2019095694A
Application number: JP2017226875A
Authority: JP
Inventors: 歴人鶴岡; Rekito Tsuruoka
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2017-11-27
Filing date: 2017-11-27
Publication date: 2019-06-20
Also published as: US10615246B2; US20200203466A1; US10910464B2; US20190165078A1

Abstract

【課題】ＩＣの端子と配線層の電極との安定的な電気的接続を実現する表示装置を提供する。【解決手段】第１の電極列の辺縁部の少なくとも一部を覆う被覆部と、第２の電極列の辺縁部の少なくとも一部を覆う被覆部との間の、少なくとも一部の領域に設けられた第２の有機層を基板の上に有し、前記第２の有機層の上方の位置での前記導電膜の厚さが、第１の有機層が有する被覆部の位置での前記導電膜の厚さよりも小さい。【選択図】図４

Description

本発明は、表示装置に関し、特に表示装置の基板上の構造に関する。

従来、有機エレクトロルミネッセンス材料（有機ＥＬ材料）を表示部の発光素子（有機ＥＬ素子）に用いた有機ＥＬ表示装置（ＯｒｇａｎｉｃＥｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅＤｉｓｐｌａｙ）が知られている。有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置等とは異なり、有機ＥＬ材料を発光させることにより表示を実現する。いわゆる自発光型の表示装置である。

近年、このような有機ＥＬ表示装置において、表示パネルの基板にポリイミド膜などの樹脂フィルム等を用いて、当該表示パネルが湾曲可能なフレキシブルディスプレイの開発が進められている。

特開２０１６−０３１４９９号公報特開２０１５−０７６４８６号公報特開２０１２−１９１０１５号公報

上記のような湾曲可能な有機ＥＬ表示装置のうち、基板が有する配線上へ設けられた第１及び第２の電極列は、電極を保護するため、辺縁部の少なくとも一部が有機膜で覆われている。そして、当該第１及び第２の電極列と、ドライバＩＣが有する第１及び第２の端子列とを、導電材料を含む樹脂組成物によって電気的に接続させる。すなわち、当該ドライバＩＣと当該基板との間に流動性を有する当該導電材料を含む樹脂組成物を設け、圧着時に硬化させている。

しかし、当該第１の及び第２の電極列に設けられる当該有機膜間の領域には、当該導電材料を含む樹脂組成物が残留したまま硬化する。そのため、安定的な当該端子列と当該電極列の電気的な接続が保障されない。

よって、本発明の課題の１つは、当該導電材料を含む樹脂組成物の残留を低減させることで、当該端子と当該電極との安定的な電気的接続を実現する表示装置を提供することにある。

本発明の一実施形態における表示装置は、表面に、互いに対向かつ離間した第１の端子列及び第２の端子列を備えるＩＣと、表面に、互いに対向かつ離間した第１の電極列及び第２の電極列と、前記第１の電極列及び前記第２の電極列の辺縁部の少なくとも一部をそれぞれ覆う被覆部を有する第１の有機層と、を有する配線層と、前記ＩＣと前記配線層との間に位置し、前記第１の端子列と前記第１の電極列、及び前記第２の端子列と前記第２の電極列を電気的に接続させる導電膜と、前記第１の電極列の前記辺縁部の少なくとも一部を覆う前記被覆部と、前記第２の電極列の前記辺縁部の少なくとも一部を覆う前記被覆部との間の、少なくとも一部の領域に設けられた第２の有機層と、を基板の上に有し、前記第２の有機層の上方の位置での前記導電膜の厚さが、前記第１の有機層が有する被覆部の位置での前記導電膜の厚さよりも小さいことを特徴とする。

本発明の一実施形態における表示装置は、前記基板の上には、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの前記基板とは反対側に位置する発光素子と、が配置され、前記発光素子は、画素電極と発光層と共通電極とを有し、前記画素電極の前記薄膜トランジスタの側には、前記画素電極に接して、有機材料からなる平坦化層が位置し、前記第１の有機層と前記平坦化層とは、同じ材料であってもよい。

本発明の一実施形態における表示装置は、前記基板の上には、発光素子を備える複数の画素と、有機材料からなり前記複数の画素を区画する絶縁層と、が位置し、前記第２の有機層と前記絶縁層とは、同じ材料であってもよい。

本発明の一実施形態における表示装置は、前記導電材料を含む樹脂組成物が、異方性導電膜であってもよい。

本発明の一実施形態における表示装置は、複数の画素を備える基板と、前記基板の上に位置する第１の電極列と、前記基板の上に位置し、前記第１の電極列と離間して対向する第２の電極列と、前記第１の電極列と前記第２の電極列とに接続するＩＣと、前記第１の電極列と前記第２の電極列との間に位置する第１の有機層と、前記第１の有機層と前記ＩＣとの間に位置する第２の有機層と、前記画素に備えられ、画素電極と発光層と共通電極とを有する発光素子と、前記画素電極の前記基板の側に、前記画素電極に接して位置する、有機材料からなる平坦化層と、有機材料からなり、前記複数の画素を区画する絶縁層と、を有し、前記第１の有機層と前記平坦化層とは、同層であり、前記第２の有機層と前記絶縁層とは、同層であることを特徴とする。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。本発明の一実施形態に係る表示パネルの模式的な平面図である。本発明の第１の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の部品実装領域における構成の模式的な平面図である。図３に示すＩＶ−ＩＶ線に沿った位置での表示パネルの模式的な垂直断面図である。第１の実施例の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の部品実装領域における構成の模式的な平面図である。本発明の第２の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の部品実装領域における構成の模式的な平面図である。図６に示すＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った位置での表示パネルの模式的な垂直断面図である。本発明の第３の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の部品実装領域における構成の模式的な平面図である。図８に示すＩＸ−ＩＸ線に沿った位置での表示パネルの模式的な垂直断面図である。図２に示すＸ−Ｘ線に沿った位置での有機ＥＬ表示装置の模式的な垂直断面図である。

以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

本発明の実施形態に係る表示装置は有機ＥＬ表示装置である。有機ＥＬ表示装置は、アクティブマトリックス型表示装置であり、テレビ、パソコン、携帯端末、携帯電話等に搭載される。

図１は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２の概略の構成を示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、複数の画素を備え、画像を表示する画素アレイ部４と、当該画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基板８０を有する。基板８０は、ポリイミド樹脂やポリエチレンテレフタラート等から形成されており、柔軟性を有する。したがって、有機ＥＬ表示装置２は、屈曲可能になっている。本実施形態において、例えば極薄のガラス基板のような柔軟性、可撓性を有する基板であれば、基板８０の替わりに適用することができる。

基板８０の上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ）などの積層構造が形成される。

画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６及び画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は、複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。

一方、駆動部は走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４及び制御装置２６を含み、画素回路８を駆動し、ＯＬＥＤ６の発光を制御する。

走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）毎に設けられた走査信号線２８へ接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択する。そして、選択した走査信号線２８に点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。

映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）毎に設けられた映像信号線３０へ接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給する。これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。

駆動電源回路２４は画素列毎に設けられた駆動電源線３２へ接続され、駆動電源線３２及び選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。

ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。

図２は有機ＥＬ表示装置２の表示パネル４０の模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述のように、画素アレイ部４にはＯＬＥＤが配列される。また上述のように、ＯＬＥＤ６を構成する上部電極４４は各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。

図１０は図２に示すＸ−Ｘ線に沿った位置での有機ＥＬ表示装置の模式的な垂直断面図である。基板８０の表面には、複数層からなる表示回路層８６が積層されている。表示回路層８６は、基板８０が含有する不純物に対するバリアとなる下地層８２を含む。下地層８２は、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮ_ｙ）などの無機絶縁材料からなり、それらの積層構造であってもよい。下地層８２の上には半導体層８８が形成されている。半導体層８８にソース電極９０及びドレイン電極９２が電気的に接続し、半導体層８８を覆ってゲート絶縁膜９４が形成されている。ゲート絶縁膜９４も無機絶縁材料からなる。ゲート絶縁膜９４の上にはゲート電極９６が形成され、ゲート電極９６を覆って層間絶縁膜９８が形成されている。層間絶縁膜９８も無機絶縁材料からなる。ソース電極９０及びドレイン電極９２は、ゲート絶縁膜９４及び層間絶縁膜９８を貫通している。半導体層８８、ソース電極９０、ドレイン電極９２及びゲート電極９６から駆動ＴＦＴ１２の少なくとも一部が構成される。駆動ＴＦＴ１２を覆うようにパッシベーション膜１００が設けられている。パッシベーション膜１００も無機絶縁材料からなる。

パッシベーション膜１００の上には、平坦化層１０２が設けられている。平坦化層１０２の上には、複数の画素（サブピクセル）それぞれに対応するように、複数の画素電極１０４（下部電極、例えば陽極）が設けられている。平坦化層１０２は、少なくとも画素電極１０４が設けられる面が平坦になるように形成される。平坦化層１０２は有機材料からなる有機層である。平坦化層１０２に用いる有機材料としては、感光性アクリル樹脂等が用いられる。画素電極１０４は、平坦化層１０２及びパッシベーション膜１００を貫通するコンタクトホール１０６によって、半導体層８８上のソース電極９０及びドレイン電極９２の一方に電気的に接続している。

平坦化層１０２及び画素電極１０４の上に、絶縁層１０８が形成されている。絶縁層１０８は有機材料からなる有機層である。絶縁層１０８に用いる有機材料としては、感光性アクリル樹脂等が用いられる。絶縁層１０８は、画素電極１０４の周縁部に載り、画素電極１０４の一部（例えば中央部）を開口させるように形成されている。絶縁層１０８によって、画素電極の一部を囲むバンクが形成される。即ち、絶縁層１０８は、図２に示す表示領域４２に配置された複数の画素を区画している。

画素電極１０４上に発光層１１０が設けられている。発光層１１０は、画素電極１０４ごとに別々に（分離して）設けられており、各画素に対応して青、赤又は緑で発光するようになっている。各画素に対応する色はこれに限られず、例えば、黄又は白等が追加されてもよい。発光層１１０は、例えば、蒸着により形成される。あるいは、発光層１１０は、図２に示す表示領域４２を覆う全面に、複数の画素に亘るように形成してもよい。つまり、発光層１１０を絶縁層１０８上で連続するように形成してもよい。この場合、発光層１１０は溶媒分散による塗布により形成する。発光層１１０を複数の画素に亘るように形成する場合は、全サブピクセルにおいて白色で発光し、図示しないカラーフィルタを通して所望の色波長部分を取り出す構成になる。

発光層１１０の上には、共通電極１１２（上部電極、例えば陰極）が設けられている。共通電極１１２は、バンクとなる絶縁層１０８の上に載る。共通電極１１２は、隣り合う画素電極１０４の上方で連続している。発光層１１０は、画素電極１０４及び共通電極１１２に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。発光層１１０と画素電極１０４との間には、図示しない正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも一層を設けてもよい。発光層１１０と共通電極１１２との間には、図示しない電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一層を設けてもよい。画素電極１０４、発光層１１０及び共通電極１１２から発光素子１１４の少なくとも一部が構成される。

封止層１１６が複数の発光素子１１４を覆う。これにより、発光素子１１４は水分から遮断される。封止層１１６は、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮ_ｙ）などの無機絶縁材料からなり、それらの積層構造であってもよい。例えば、一対の無機膜が、アクリル等の樹脂などの有機膜を上下で挟む構造であってもよい。

表示回路層８６は、基板８０に積層された封止層１１６よりも下の複数層を少なくとも含み、封止層１１６を含むことにしてもよい。表示回路層８６は、発光素子１１４、駆動ＴＦＴ１２及び無機絶縁層１１８を含む。無機絶縁層１１８は、下地層８２、ゲート絶縁膜９４、層間絶縁膜９８及びパッシベーション膜１００の少なくとも１層を含む。

フィルム１２０は、表示回路層８６に貼り付けられており、フィルム１２０と表示回路層８６との間に充填層１２２が介在する。フィルム１２０は、画像を表示するために光透過性を有し、透明である。フィルム１２０は、光学クリアフィルム又は偏光板である。

［第１の実施例］
本発明の第１の実施例について、図３，４を用いて説明する。図３は、本発明の第１の実施例に係る有機ＥＬ表示装置２の部品実装領域４６における構成の模式的な平面図である。矩形である表示パネル４０の一辺には部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２の表示回路層８６につながる配線層８４が配置される。さらに、部品実装領域４６には駆動部を構成するドライバＩＣ４８（単にＩＣともいう）が搭載される、若しくはフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：ＦｌｅｘｉｂｌｅＰｒｉｎｔＣｉｒｃｕｉｔ）５０が接続されるなどする。また、ＦＰＣ５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されるなどする。

また、配線層８４は、ドライバＩＣ４８と電気的に接続するための電極６０が列状に並んだ電極列を２列以上有している。これら電極列のうち、少なくとも２列（図３における、第１の電極列Ａ１と第２の電極列Ａ２）は互いに対向かつ離間している。さらに、配線層８４が備える電極６０の辺縁部は、第１の有機層６４によって、少なくとも一部が被覆されている。なお、電極６０を被覆するための第１の有機層６４は、図１０に示す、平坦化層１０２を利用してもよい。平坦化層１０２を利用して第１の有機層６４を設ける場合は、第１の有機層６４を平坦化層１０２と同層に位置するように設けてもよく、同じ材料で平坦化層１０２と同時に第１の有機層６４を形成してもよい。若しくは新たに有機材料による層を設けてもよい。新たに設ける際に第１の有機層６４を構成する材料は、有機材料であれば特に限定されず、例えば、アクリルポリマー、アモルファスフルオロポリマー、エポキシ樹脂、ポリイミド等が挙げられる。

第１の有機層６４の間の領域には、第１の有機層６４とは異なる第２の有機層６６が設けられている。なお第２の有機層６６は、図１０に示す、絶縁層１０８（バンク）を利用してもよい。絶縁層１０８を利用して第１の有機層６４を設ける場合は、第１の有機層６４を絶縁層１０８と同層に位置するように設けてもよく、同じ材料で絶縁層１０８と同時に第１の有機層６４を形成してもよい。若しくは新たに有機材料による層を設けてもよい。新たに設ける際に第２の有機層６６を構成する材料は、第１の有機層６４を構成する有機材料以外であれば特に限定されず、例えば、アクリルポリマー、アモルファスフルオロポリマー、エポキシ樹脂、ポリイミド等が挙げられる。

図４は、図３に示すＩＶ−ＩＶ線に沿った位置での部品実装領域４６の模式的な垂直断面図である。下地層８２上に形成される配線層８４や配線層８４が備える電極６０とドライバＩＣ４８との間には、導電膜、例えば導電材料を含む樹脂組成物である異方性導電膜６８が配置される。これは、ドライバＩＣ４８の端子５２と配線層８４が備える電極６０との間に、多数の導電粒子を含む異方性導電膜６０を配置し圧着接続するためである。これはドライバＩＣ４８を有機ＥＬ表示装置２の表示パネル４０へ実装する方法として知られており、異方性導電膜６０に含まれる導電粒子が端子５２と電極５８の間で潰されるため、電気的な接続が得られる。

ここで、第２の有機層６６上の領域における異方性導電膜６８の厚さＨ２は、第１の有機層６４が電極６０の辺縁部を被覆している部分において支持されている異方性導電膜６８の厚さＨ１よりも薄い。つまり、第２の有機層６６上の領域において支持されている異方性導電膜６８の高さ（異方性導電膜６８が第２の有機層６６の上面と接する位置の高さ）は、第１の有機層６４が電極６０の辺縁部を被覆している部分において支持されている異方性導電膜６８の高さ（異方性導電膜６８が第１の有機層６４の上面と接する位置の高さ）よりも高い。即ち、異方性導電膜６８が第２の有機層６６の上面と接する位置は、方性導電膜６８が第１の有機層６４の上面と接する位置よりも、基板８０からの距離が大きい。

このような構成を採用することで、上述のドライバＩＣ４８を有機ＥＬ表示装置２の表示パネル４０へ実装を行う際に、第１の有機層６４の間の領域における異方性導電膜６８の残留を低減させることが可能なため、端子６２と電極６０の安定的な電気的接続が実現する。

図５は、第１の実施例の変形例に係る有機ＥＬ表示装置２の部品実装領域４６における構成の模式的な平面図である。互いに対向かつ離間した第１の電極列Ａ１及び第２の電極列Ａ２以外に、図５で示すような、第３の電極列Ａ３が存在してもよい。その際、第３の電極列は、第１の電極列Ａ１と第２の電極列Ａ２との離間領域以外に設けられる。

［第２の実施例］
次に、本発明の第２の実施例について、図６，７を用いて説明する。なお、第１の実施例と同様の部分については、説明を省略する。図６は、本発明の第２の実施例に係る有機ＥＬ表示装置２の部品実装領域４６における構成の模式的な平面図である。本実施例においては、電極６０の辺縁部の少なくとも一部を被覆している第１の有機層６４が、第１の電極列Ａ１及び第２の電極列Ａ２間の領域にも設けられている。そして、当該第１の有機層６４上に第２の有機層６６が設けられている。

図７は、図６に示すＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った位置での部品実装領域４６の模式的な垂直断面図である。第１の実施例では、第１の有機層６４の間の領域の両端には異方性導電膜６８が存在しているが、本実施例では、上述の領域にも第１の有機層６４が設けられている。

第２の有機層６６上の領域における異方性導電膜６８の厚さＨ２は、第１の有機層６４が電極６０の辺縁部を被覆している部分において支持されている異方性導電膜６８の厚さＨ１よりも薄い。つまり、第２の有機層６６上の領域において支持されている異方性導電膜６８の高さは、第１の有機層６４が電極６０の辺縁部を被覆している部分において支持されている異方性導電膜６８の高さよりも高い。これにより、第１の有機層６４の間の領域における異方性導電膜６８の残留を、より低減させることが可能である。よって、端子６２と電極６０の安定的な電気的接続が実現する。

［第３の実施例］
続いて、本発明の第３の実施例について、図８，９を用いて説明する。なお同様に、第１の実施例と同様の部分については、説明を省略する。図８は、本発明の第３の実施例に係る有機ＥＬ表示装置２の部品実装領域４６における構成の模式的な平面図である。本実施例においては、第１の電極列Ａ１及び第２の電極列Ａ２間の領域に、ドライバＩＣ４８の反りを防止するための支えとして、ダミー端子７２が設けられている。なお、このダミー端子７２は電気的な接続を必ずしも目的としていないが、これらダミー端子７２と接続するため、配線層８４にはダミー端子用電極７０を備えたダミー端子用電極列Ａ４が設けられる。ダミー端子用電極７０は、電気的にフローティングであってもよい。

その上で本実施例おいては、ダミー端子７２と接続するダミー端子用電極７０以外の第１及び第２の電極列間の領域に第１の有機層６４が設けられ、当該領域の第１の有機層６４上に第２の有機層６６が設けられている。

図９は、図８に示すＩＸ−ＩＸ線に沿った位置での部品実装領域４６の模式的な垂直断面図である。本実施例においても第２の実施例と同様に、第１の電極列Ａ１及び第２の電極列Ａ２間の領域にも第１の有機層６４が設けられている。

第２の有機層６６上の領域における異方性導電膜６８の厚さＨ２は、第１の有機層６４が電極６０の辺縁部を被覆している部分において支持されている異方性導電膜６８の厚さＨ１よりも薄い。つまり、第２の有機層６６上の領域において支持されている異方性導電膜６８の高さは、第１の有機層６４が電極６０の辺縁部を被覆している部分において支持されている異方性導電膜６８の高さよりも高い。これにより、ダミー端子６４の存在有無に関係なく、第１の有機層６４の間の領域における異方性導電膜６８の残留を低減させることが可能である。よって、端子６２と電極６０の安定的な電気的接続が実現する。

本発明の実施形態及び実施例として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。また、上述した各実施形態は、技術的矛盾の生じない範囲において、相互に組み合わせることが可能である。

また、上述した実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

２：有機ＥＬ表示装置、４：画素アレイ部、６：ＯＬＥＤ、８：画素回路、１０：点灯ＴＦＴ、１２：駆動ＴＦＴ、１４：キャパシタ、２０：走査線駆動回路、２２：映像線駆動回路、２４：駆動電源回路、２６：制御装置、２８：走査信号線、３０：映像信号線、３２：駆動電源線、４０：表示パネル、４２：表示領域、４４：上部電極、４６：部品実装領域、４８：ドライバＩＣ、５０：ＦＰＣ、６０：電極、６２：端子、６４：第１の有機層、６６：第２の有機層、６８：異方性導電膜、７０：ダミー端子用電極、７２：ダミー端子、８０：基板、８２：下地層、８４：配線層、８６：表示回路層、８８：半導体層、９０：ソース電極、９２：ドレイン電極、９４：ゲート絶縁膜、９６：ゲート電極、９８：層間絶縁膜、１００：パッシベーション膜、１０２：平坦化層、１０４：画素電極、１０６：コンタクトホール、１０８：絶縁層、１１０：発光層、１１２：共通電極、１１４：発光素子、１１６：封止層、１１８：無機絶縁層、１２０：フィルム、１２２：充填層、Ａ１：第１の電極列、Ａ２：第２の電極列、Ａ３：第３の電極列、Ａ４：ダミー端子用電極列、Ｈ１：異方性導電膜の厚さ、Ｈ２：異方性導電膜の厚さ。

Claims

表面に、互いに対向かつ離間した第１の端子列及び第２の端子列を備えるＩＣと、
表面に、互いに対向かつ離間した第１の電極列及び第２の電極列と、前記第１の電極列及び前記第２の電極列の辺縁部の少なくとも一部をそれぞれ覆う被覆部を有する第１の有機層と、を有する配線層と、
前記ＩＣと前記配線層との間に位置し、前記第１の端子列と前記第１の電極列、及び前記第２の端子列と前記第２の電極列を電気的に接続させる導電膜と、
前記第１の電極列の前記辺縁部の少なくとも一部を覆う前記被覆部と、前記第２の電極列の前記辺縁部の少なくとも一部を覆う前記被覆部との間の、少なくとも一部の領域に設けられた第２の有機層と、を基板の上に有し、
前記第２の有機層の上方の位置での前記導電膜の厚さが、前記第１の有機層が有する被覆部の位置での前記導電膜の厚さよりも小さい、
ことを特徴とする表示装置。
前記基板の上には、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの前記基板とは反対側に位置する発光素子と、が配置され、
前記発光素子は、画素電極と発光層と共通電極とを有し、
前記画素電極の前記薄膜トランジスタの側には、前記画素電極に接して、有機材料からなる平坦化層が位置し、
前記第１の有機層と前記平坦化層とは、同じ材料であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
前記第１の有機層と前記平坦化層とは、同層であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
前記基板の上には、発光素子を備える複数の画素と、有機材料からなり前記複数の画素を区画する絶縁層と、が位置し、
前記第２の有機層と前記絶縁層とは、同じ材料であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
前記第２の有機層と前記絶縁層とは、同層であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
前記発光素子は、画素電極と発光層と共通電極とを有し、
前記画素電極の前記基板の側には、前記画素電極に接して、有機材料からなる平坦化層が位置し、
前記第１の有機層と前記平坦化層とは、同じ材料であることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の表示装置。
前記第１の有機層と前記平坦化層とは、同層であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
前記導電材料を含む樹脂組成物は、異方性導電膜であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の表示装置。
前記導電膜は、前記第１の有機層の上面と接する第１の位置と、前記第２の有機層の上面と接する第２の位置と、を有し、
前記第２の位置は、前記第１の位置よりも、前記基板からの距離が大きいことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の表示装置。
前記第２の有機層は、前記第１の有機層の上に位置することを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の表示装置。
前記第１の電極列と前記第２の電極列との間に、前記ＩＣと接続する電極が位置し、
前記第１の有機層は、前記電極と前記第１の電極列との間に位置する第１領域と、前記電極と前記第２の電極列との間に位置する第２領域と、を含み、
前記第２の有機層は、前記第１領域の上に位置する第３領域と、前記第２領域の上に位置する第４領域と、を含むことを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の表示装置。
前記電極は、電気的にフローティングであることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
複数の画素を備える基板と、
前記基板の上に位置する第１の電極列と、
前記基板の上に位置し、前記第１の電極列と離間して対向する第２の電極列と、
前記第１の電極列と前記第２の電極列とに接続するＩＣと、
前記第１の電極列と前記第２の電極列との間に位置する第１の有機層と、
前記第１の有機層と前記ＩＣとの間に位置する第２の有機層と、
前記画素に備えられ、画素電極と発光層と共通電極とを有する発光素子と、
前記画素電極の前記基板の側に、前記画素電極に接して位置する、有機材料からなる平坦化層と、
有機材料からなり、前記複数の画素を区画する絶縁層と、を有し、
前記第１の有機層と前記平坦化層とは、同層であり、
前記第２の有機層と前記絶縁層とは、同層であることを特徴とする表示装置。
前記第１の電極列は、第１の電極を含み、
前記第２の電極列は、第２の電極を含み、
前記第１の有機層は、前記第１の電極の上面の一部と、前記第２の電極の上面の一部とを覆うことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
前記絶縁層は、前記画素電極の端部を覆い、前記画素電極の前記端部とは異なる部分を露出し、
前記平坦化層の前記画素電極とは反対の側には、前記画素電極と接続する薄膜トランジスタが位置することを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の表示装置。
前記第１の電極列と前記第２の電極列との間に、前記ＩＣと接続する電極が位置し、
前記第１の有機層は、前記電極と前記第１の電極列との間に位置する第１領域と、前記電極と前記第２の電極列との間に位置する第２領域と、を含み、
前記第２の有機層は、前記第１領域の上に位置する第３領域と、前記第２領域の上に位置する第４領域と、を含むことを特徴とする請求項１３乃至１５の何れか１項に記載の表示装置。
前記電極は、電気的にフローティングであることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。