JP2019095241A - 放射線撮像パネル、放射線撮像装置および放射線撮像システム - Google Patents

Abstract

【課題】多方向放射線撮像システムに用いる放射線撮像装置において、画質の向上に有利な技術を提供する。【解決手段】基板と基板の第１の面に配される複数の第１の光電変換素子を含む第１の光電変換部と第１の光電変換部を覆うように配されるシンチレータ層を含む第１の波長変換部と基板の第１の面とは反対側の第２の面を覆うように配される第２の波長変換部とを含み、第２の波長変換部は、所定の形状を有する複数の区画を定義する隔壁部と隔壁部によって区画された複数の領域にそれぞれ配される複数のシンチレータ部とを含み、隔壁部は、複数のシンチレータ部で発生する光の複数のシンチレータ部間での拡散を抑制し、第１の面に対する正射影において、隔壁部は、複数の第１の光電変換素子が配される行および列方向のうち少なくとも一方に沿って、複数の第１の光電変換素子のうち互いに隣接する光電変換素子の間の領域と重なるように配される。【選択図】図１

Description

本発明は、放射線撮像パネル、放射線撮像装置および放射線撮像システムに関する。

医療画像診断や非破壊検査において、放射線撮像パネル（フラットパネルディテクタ：ＦＰＤ）を用いた放射線撮像装置が広く使用されている。特許文献１には、光電変換素子が配された基板の両面にシンチレータを配することによって、放射線から変換される光量を増加させ、感度を向上させた放射線検出装置が示されている。

特開２００９−１３３８３７号公報

特許文献１の放射線検出装置において、一方のシンチレータで変換された光は基板を介して光電変換素子に到達するため、他方のシンチレータで変換され基板を介さずに光電変換素子に到達する光と比較して光路長が長くなる。光路長が長くなると、散乱などの影響によって解像度が低下しうる。

本発明は、放射線撮像パネルの解像度の向上に有利な技術を提供することを目的とする。

上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る放射線撮像パネルは、基板と、基板の第１の面にアレイ状に配される複数の第１の光電変換素子を含む第１の光電変換部と、第１の光電変換部を覆うように配されるシンチレータ層を含む第１の波長変換部と、基板の第１の面とは反対側の第２の面を覆うように配される第２の波長変換部と、を含む放射線撮像パネルであって、第２の波長変換部は、所定の形状を有する複数の区画を定義する隔壁部と、隔壁部によって区画された複数の領域にそれぞれ配される複数のシンチレータ部と、を含み、隔壁部は、複数のシンチレータ部で発生する光の複数のシンチレータ部間での拡散を抑制し、第１の面に対する正射影において、隔壁部は、複数の第１の光電変換素子が配される行方向および列方向のうち少なくとも一方に沿って、複数の第１の光電変換素子のうち互いに隣接する光電変換素子の間の領域と重なるように配されることを特徴とする。

上記手段によって、放射線撮像パネルの解像度の向上に有利な技術を提供する。

本発明の実施形態に係る放射線撮像パネルの概略を示す図。 図１の放射線撮像パネルの変形例を示す断面図。 図１の放射線撮像パネルの変形例を示す断面図。 放射線撮像パネルの比較例を示す断面図。 図１の放射線撮像パネルを用いた放射線撮像装置の構成例を示す図。 図５の放射線撮像装置を用いた放射線撮像システムの構成例を示す図。

以下、本発明に係る放射線撮像システムの具体的な実施形態を、添付図面を参照して説明する。以下の説明及び図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。また、本発明における放射線には、放射線崩壊によって放出される粒子（光子を含む）の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギを有するビーム、例えばＸ線や粒子線、宇宙線なども含みうる。

図１〜６を参照して、本発明の実施形態による放射線撮像パネル１００の構成について説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の放射線撮像パネル１００の構成例を示す概略図である。図１（ａ）は、放射線撮像パネル１００の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線における放射線撮像パネル１００の断面図、図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＢ−Ｂ’線における放射線撮像パネル１００の断面図である。

放射線撮像パネル１００は、複数の光電変換素子１０４を含むセンサパネル１０２と、波長変換部１０１と、波長変換部１２０と、を含む。センサパネル１０２は、基板１０３と、基板１０３の表面１５１にアレイ状に配される複数の光電変換素子１０４を含む光電変換部１１４と、光電変換部１１４を保護するために光電変換部１１４を覆うように配されるセンサ保護層１０５と、を含む。また、センサパネル１０２は、センサパネル１０２をセンサパネル１０２の外部の実装基板などと接続するための、フレキシブルケーブルなどを用いた配線部１１２が接続される接続パッド部１１１を含む。光電変換部１１４には、複数の光電変換素子１０４によって生成された電荷に応じた信号を読み出すためのスイッチング素子（不図示）が、それぞれの光電変換素子１０４に対応して配されうる。基板１０３は、ガラス基板やプラスティック基板などの波長変換部１０１、１２０で放射線から変換された光に対して透明な絶縁性基板でありうる。光電変換素子１０４は、基板１０３上に堆積されたシリコンなどの半導体層に形成されうる。

センサ保護層１０５は、光電変換部１１４を覆うように配される。センサ保護層１０５は、例えば、ＳｉＮ、ＴｉＯ_２、ＬｉＦ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯなどを用いて形成されうる。また、センサ保護層１０５は、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂などを用いて形成されてもよい。さらに、センサ保護層１０５は、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などを用いて形成されてもよい。ただし、波長変換部１０１によって放射線から変換された光がセンサ保護層１０５を通過することができるように、波長変換部１０１で変換された光の波長について高い透過率を有する材料で構成される。

波長変換部１０１は、シンチレータ層１０６と、接着層１０９と、保護層１１０と、を含む。シンチレータ層１０６は、基板１０３の表面１５１の側に、光電変換部１１４を覆うように配される。

波長変換部１２０は、基板１０３の光電変換部１１４が配される表面１５１とは反対側の裏面１５２を覆うように配される。波長変換部１２０は、所定の形状を有する複数の区画を定義する隔壁部１２２と、隔壁部１２２によって区画された複数の領域にそれぞれ配される複数のシンチレータ部１２１と、を含む。

シンチレータ層１０６およびシンチレータ部１２１は、放射線撮像パネル１００に入射した放射線を光に変換する。シンチレータ層１０６およびシンチレータ部１２１は、柱状結晶のシンチレータおよび粒子状結晶のシンチレータの何れかを含む。

柱状結晶のシンチレータは、シンチレータで放射線から変換された光が柱状結晶内を伝搬するため、光散乱が少なく高い解像度を得ることができる。柱状結晶を形成するシンチレータ層の材料としては、ハロゲン化アルカリを主成分とする材料が用いられる。例えば、柱状結晶のシンチレータは、ヨウ化セシウムや臭化セシウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化リチウム、ヨウ化カリウムなどを主成分とする。また、柱状結晶のシンチレータは、タリウム、ナトリウム、ユーロピウムなどの賦活剤を含む。つまり、柱状結晶のシンチレータは、例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＢｒ：Ｔｌ、ＮａＩ：Ｔｌ、ＬｉＩ：Ｅｕ、ＫＩ：Ｔｌなどが用いられる。例えば、ＣｓＩ：Ｔｌは、ＣｓＩとＴｌＩを同時に蒸着することによって形成できる。

粒子状結晶のシンチレータは、放射線を光に変換する複数のシンチレータ粒子と、複数のシンチレータ粒子を互いに固定するバインダとを含みうる。粒子状結晶のシンチレータは、塗布などで容易に形成することができ、安価にシンチレータ層１０６やシンチレータ部１２１を得ることができる。例えば、粒子状結晶のシンチレータとして、微量のテルビウム（Ｔｂ）が添加された硫酸化ガドリニウム（ＧＯＳ：Ｔｂ）が用いられうる。粒子状結晶のシンチレータは、耐湿性、発光効率、熱プロセス耐性、残光性の観点から、一般式Ｍｅ_２Ｏ_２Ｓ：Ｒｅで示される金属酸硫化物で構成されうる。ここで、ＭｅはＬａ、Ｙ、Ｇｄのいずれか１つであり、ＲｅはＴｂ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｔｍの少なくとも１つである。

バインダには、例えば、様々な種類の樹脂が用いられる。バインダは、有機溶剤に溶解するものであり、かつチクソトロピックな特性を有するものであってもよい。具体的には、エチルセルロース、ニトロセルロース等のセルロース系樹脂、ポリメチルメタアクリレート等のアクリル系、ポリビニルブチラール溶剤系グレードなどのポリビニルアセタール系樹脂で構成されてもよい。バインダは、これらの樹脂の２種類以上の組み合わせで構成されてもよい。粒子状結晶のシンチレータおよびバインダは、バインダを溶解する有機溶剤に添加される。これによってペーストが形成される。粒子状結晶を含むシンチレータは、ペーストを基板１０３に直接塗布して形成されてもよいし、または、別の工程でシート状に形成してから接着材などを介してセンサ基板に貼り合わせて形成されてもよい。

接着層１０９は、シンチレータ層１０６と保護層１１０とを結合し、保護層１１０をセンサパネル１０２に固定する。接着層１０９は、シンチレータ層１０６で変換された光の波長について高い透過率を有する材料で構成されうる。

保護層１１０は、シンチレータ層１０６を保護するほか、電磁シールドやシンチレータ層１０６で発生した光を光電変換部１１４の側に反射する反射層として機能しうる。シンチレータ層１０６と保護層１１０との間に、保護層１１０とは別に反射層（不図示）を配してもよい。保護層１１０は、例えば、金属箔または金属薄膜で構成されうる。保護層１１０の厚さは１μｍ以上かつ１００μｍ以下でありうる。保護層１１０の厚さが１μｍより薄い場合、保護層１１０の形成時に、保護層１１０にピンホール欠陥が発生しやすく、また遮光性に劣る。一方、保護層１１０の厚さが１００μｍを超えた場合、入射する放射線の吸収量が大きくなり過ぎ、また、保護層１１０によって形成される段差が大きくなり過ぎる。保護層１１０の材料として、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、アルミ合金などの金属材料が用いられうる。これらの中で、放射線透過性が高い材料であるアルミニウムが用いられてもよい。また、保護層１１０は、金属材料層に耐擦傷性を向上させるためにＰＥＴなど所望の樹脂層を最外層に形成した積層構造であってもよい。

次に、波長変換部１２０について図１（ｃ）を用いて説明する。波長変換部１２０は、上述のように隔壁部１２２によって区画された複数の領域のそれぞれに複数のシンチレータ部１２１が配される。隔壁部１２２は、複数のシンチレータ部１２１で発生する光の複数のシンチレータ部間の相互での拡散を抑制する。また、基板の表面１５１に対する正射影において、隔壁部１２２は、複数の光電変換素子１０４が配される行方向および列方向のうち少なくとも一方に沿って、複数の光電変換素子１０４のうち互いに隣接する光電変換素子１０４の間の領域と重なるように配される。ここで、複数のシンチレータ部１２１が配されるピッチが、複数の光電変換素子１０４が配されるピッチの自然数倍であってもよい。また例えば、図１（ｂ）、（ｃ）に示すように、複数のシンチレータ部１２１が、複数の光電変換素子１０４が配されるピッチと同じピッチで配されてもよい。この場合、図１（ｃ）に示すように、隔壁部１２２が、基板１０３の表面１５１に対する正射影において、複数の光電変換素子１０４と重ならないように配されてもよい。

基板１０３の裏面１５２の側からの光は、光電変換部１１４までの光路長が長いため、散乱などの影響によって拡散してしまい、得られる放射線画像の解像度が低下しうる。しかしながら、隔壁部１２２が配されることによって、複数のシンチレータ部１２１のそれぞれで放射線から変換された光の拡散が抑制される。結果として、センサパネル１０２の両面に配された波長変換部１０１、１２０両方で変換される光を検出することよって、放射線撮像パネル１００の感度が高くなるだけでなく、得られる放射線画像の解像度が向上しうる。

隔壁部１２２は、隔壁部１２２を形成するための基板を切削して立方体や直方体などの空洞を配することによって形成してもよいし、隔壁格子構造と底面となる基板とを貼り合わせることによって形成してもよい。例えば、隔壁部１２２は、アルミニウム、金、銀、銅、アルミ合金などの金属材料や種々の樹脂材料を切削加工やエッチング加工を行うことで形成されうる。また、隔壁部１２２は、樹脂材料の表面にセラミックやガラス、金属粒子などを含有させた塗料を印刷することによって形成されてもよい。隔壁部１２２のそれぞれのシンチレータ部１２１は、導光性能を向上させるために反射性を高くかつ遮光性を高くしてもよい。例えば、高反射かつ遮光性の高い材料で、高いアスペクト比のエッチングが可能な材料を適宜用いることができる。

ここで、シンチレータ層１０６とシンチレータ部１２１とは、同じ材料のシンチレータが用いられてもよい。また、シンチレータ層１０６とシンチレータ部１２１とに、互いに異なるシンチレータ材料が用いられてもよい。例えば、シンチレータ層１０６が、ヨウ化セシウムを用いた柱状結晶のシンチレータであり、複数のシンチレータ部１２１のそれぞれが、硫酸化ガドリニウムを用いた粒子状結晶のシンチレータであってもよい。粒子状結晶のシンチレータは、柱状結晶のシンチレータと比較して光の指向性が低い。しかしながら、シンチレータ部１２１に粒子状結晶のシンチレータを用いた場合であっても、隔壁部１２２が存在するため、シンチレータ部１２１で変換される光の拡散を抑制することができる。

また、図１（ｂ）に示されるように、シンチレータ層１０６は、シンチレータ部１２１と比較して光電変換部１１４のそれぞれの光電変換素子１０４までの光路長が短い。このため、波長変換部１０１が、シンチレータ層１０６を複数の区画に区分する波長変換部１２０に配されるような隔壁部を含まなくてもよい。

図１（ｂ）、（ｃ）に示す構成において、センサパネル１０２の両面に配された波長変換部１０１、１２０両方で変換される光を検出することよって、高感度の放射線撮像パネル１００を実現したが、放射線撮像パネル１００の構成はこれに限られることはない。例えば、図２に示すように、光電変換素子１０４のうち一部の光電変換素子１０４’とシンチレータ層１０６との間に、シンチレータ層１０６からの光が光電変換素子１０４’に入射することを抑制するための遮光層１０７が配されてもよい。遮光層１０７によって、光電変換素子１０４と光電変換素子１０４’とで、シンチレータ層１０６で変換された光に対する感度を異ならせることが可能となる。これによって、エネルギ成分が異なる放射線を用いたエネルギサブトラクション画像を得ることが可能となる。図２に示す構成では、光電変換素子１０４は、シンチレータ層１０６とシンチレータ部１２１とで発生した光を信号に変換し、光電変換素子１０４’は、シンチレータ部１２１で発生した光を信号に変換する。このとき、波長変換部１２０に隔壁部１２２が配されるため、それぞれのシンチレータ部１２１で放射線から変換された光の拡散が抑制され、得られるエネルギサブトラクション画像の解像度を向上させることが可能となる。図２に示す構成では、光電変換素子１０４’とシンチレータ層１０６との間に遮光層１０７が配されるが、光電変換素子１０４’とシンチレータ部１２１との間に遮光層が配されてもよい。この場合であっても、それぞれのシンチレータ部１２１で放射線から変換された光の拡散が抑制され、得られるエネルギサブトラクション画像の解像度を向上させることが可能となる。

また、図３に示すように、エネルギサブトラクション画像を取得するために、放射線撮像パネル１００が、基板１０３の裏面１５２にアレイ状に配される複数の光電変換素子１２４を含む光電変換部１３４をさらに含んでいてもよい。光電変換部１３４は、複数の光電変換素子１０４を含む光電変換部１１４と波長変換部１２０との間に配される。このとき、シンチレータ層１０６と複数の光電変換素子１２４のそれぞれとの間に、シンチレータ層１０６からの光が複数の光電変換素子１２４に入射することを抑制するための遮光層１０７が配されてもよい。また、シンチレータ部１２１と複数の光電変換素子１０４のそれぞれとの間に、シンチレータ部１２１からの光が複数の光電変換素子１０４に入射することを抑制するための遮光層（不図示）が配されてもよい。シンチレータ部１２１で放射線から変換される光を受光する光電変換素子１２４を基板１０３の裏面１５２に配することによって、図２に示される構成と比較して、シンチレータ部１２１で発せられる光の光路長を短くできる。このため、放射線撮像パネル１００で得られるエネルギサブトラクション画像の解像度がより向上しうる。図３に示す構成において、基板１０３の表面１５１に対する正射影において、複数の光電変換素子１２４のそれぞれが、複数の光電変換素子１０４のそれぞれと重なる位置に配されてもよい。互いに重なる位置に配された光電変換素子１０４と光電変換素子１２４とで生成される信号からエネルギサブトラクション画像を生成することによって、画素の位置がずれることによる画質の低下を抑制できる。

次いで、放射線撮像パネル１００の製造方法について実施例を用いて説明する。

実施例１
まず、表面１５１の側に光電変換部１１４が形成された基板１０３を準備した。光電変換部１１４の波長変換部１０１側の電極および波長変換部１２０側の電極には透明電極を用いた。次いで、光電変換部１１４が形成された基板１０３の上にポリイミドを含む保護層材料を塗布し、これを２００℃で２時間硬化させることによって、センサ保護層１０５を形成した。次いで、センサ保護層１０５が形成されたセンサパネル１０２上に、シンチレータとしてＣｓＩ：Ｔｌを用いて、光電変換部１１４を覆うようにシンチレータ層１０６を形成した。具体的には、センサパネル１０２の光電変換素子１０４が配される光電変換部１１４の領域の外側にマスキングを行い、所望の領域にシンチレータ層１０６を蒸着によって形成した。

次に、耐擦傷性を向上させるためのＰＥＴ層と耐湿保護層であるＡｌ層とが積層されたフィルム状シートに、さらに接着層１０９を積層させた保護シートを、シンチレータ層１０６全体を覆うようにセンサパネル１０２に貼りあわせた。貼りあわせには、真空ラミネータを使用し、シンチレータ層１０６の上に積層シートを配し、０．４Ｐａ、９０℃で５分間、保持した。これによって、シンチレータ層１０６全体が保護シートによって被覆され、保護シートの周端部の接着層１０９がセンサパネル１０２に全周接するように接着された。

次に波長変換部１２０の製造方法について説明する。まず、シリコンウェーハをエッチングし、光電変換素子１０４の画素ピッチである１５０μｍ間隔で深さ２５０μｍの凹部を形成した。次いで、形成された凹部にシンチレータ部１２１として粒子状結晶のシンチレータとして硫酸化ガドリニウム（ＧＯＳ：Ｔｂ）を充填し、波長変換部１２０を得た。

波長変換部１２０は、波長変換部１０１が形成された基板１０３の裏面１５２に光電変換素子１０４と格子のピッチが合うように配され、周辺を封止して固定された。２つの波長変換部１０１、１２０を形成したセンサパネル１０２に設けられた接続パッド部１１１に配線部１１２を熱圧着した。これによって、図１に示すような放射線撮像パネル１００を得た。

実施例２
図２に示される実施例２の放射線撮像パネル１００を形成した。光電変換素子１０４’の上にシンチレータ層１０６から入射する光を遮光するための遮光層１０７を配する以外は、上述の実施例１と同様の方法によって製造した。遮光層１０７は、Ａｌなどの金属層を配してもよしい。また、遮光層１０７は、光電変換素子１０４’のシンチレータ層１０６側の電極を金属などの材料で形成することによって、遮光層１０７として機能させてもよい。

比較例１
実施例１と同様の方法でセンサパネル１０２および波長変換部１０１を形成した。波長変換部１２０は、ＰＥＴ基板１３２に粒子状結晶のシンチレータである硫酸化ガドリニウム（ＧＯＳ：Ｔｂ）をバインダ樹脂に分散させたペーストをスリットコータ法によって塗布、乾燥して２００μｍ厚シンチレータ層１３１を形成した。この波長変換部１３０を、センサパネル１０２の基板１０３の裏面１５２に、シンチレータの側を３０μｍのアクリル接着材を介して基板１０３と貼り合わせた。これによって、図４に示すような、比較例１の放射線撮像パネル２００を得た。

比較例２
実施例２の波長変換部１２０を上述の比較例１と同様の波長変換部１２０と置き換えた比較例２の放射線撮像パネル２００を製造した。

評価
放射線撮像パネル１００、２００を、図５に示すように、放射線撮像パネルを制御するための制御部５０１および放射線撮像パネルから出力される信号を処理するための信号処理部５０２に配線部１１２を介して接続させ、放射線撮像装置６０４０を得た。放射線撮像パネル１００または放射線撮像パネル２００、制御部５０１、信号処理部５０２は、図５に示されるように、１つの筐体５００内に収められうる。放射線撮像装置６０４０は、さらに、各構成を動作させるためのバッテリなどの電源部や放射線撮像装置６０４０の外部と通信するための通信部などを含んでいてもよい。また、図５に示される構成では、制御部５０１と信号処理部５０２は、別々の構成で示されているが、一体の構成であってもよい。

得られた放射線撮像装置６０４０を評価装置にセットし、放射線撮像装置６０４０と放射線源との間に２０ｍｍＡｌフィルタをセットした。次いで、放射線撮像装置６０４０と放射線源との距離を１３０ｃｍに調整した。この状態で、管電圧８０ｋＶ、管電流２５０ｍＡ、５０ｍｓで放射線パルスを３回爆射して画像を取得した。実施例２、比較例２については、異なるエネルギ成分の画像を２つ取得し、エネルギサブトラクション画像を得た。実施例１は比較例２と比べて、また、実施例２は比較例２と比べて、それぞれ得られた画像の画質の劣化を低減することができた。波長変換部１２０に隔壁部１２２を配する放射線撮像パネル１００によって、鮮鋭度に優れた放射線撮像装置６０４０が得られた。

以上、本発明に係る実施形態および実施例を示したが、本発明はこれらの実施形態および実施例に限定されないことはいうまでもなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、上述した実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。

以下、図６を参照しながら本発明の放射線撮像パネル１００が組み込まれた上述の放射線撮像装置６０４０を適用した放射線撮像システムについて例示的に説明する。放射線撮像装置６０４０に放射線を照射するための放射線源であるＸ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者又は被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、放射線撮像装置６０４０に入射する。この入射したＸ線に患者又は被験者６０６１の体内部の情報が含まれる。放射線撮像装置６０４０において、Ｘ線６０６０の入射に対応してシンチレータが発光し、これが光電変換素子で光電変換され、電気的情報を得る。この情報は、デジタルに変換され信号処理部としてのイメージプロセッサ６０７０によって画像処理され、制御室の表示部としてのディスプレイ６０８０で観察できる。

また、この情報は、電話、ＬＡＮ、インターネットなどのネットワーク６０９０などの伝送処理部によって遠隔地へ転送できる。これによって別の場所のドクタールームなどの表示部であるディスプレイ６０８１に表示し、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、この情報は、光ディスクなどの記録媒体に記録することができ、またフィルムプロセッサ６１００によって記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。

１００：放射線撮像パネル、１０１，１２０：波長変換部、１０４，１２４：光電変換素子、１０６：シンチレータ層、１１４，１３４：光電変換部、１２１：シンチレータ部、１２２：隔壁部

Claims (15)

1. 基板と、前記基板の第１の面にアレイ状に配される複数の第１の光電変換素子を含む第１の光電変換部と、前記第１の光電変換部を覆うように配されるシンチレータ層を含む第１の波長変換部と、前記基板の前記第１の面とは反対側の第２の面を覆うように配される第２の波長変換部と、を含む放射線撮像パネルであって、
   前記第２の波長変換部は、所定の形状を有する複数の区画を定義する隔壁部と、前記隔壁部によって区画された複数の領域にそれぞれ配される複数のシンチレータ部と、を含み、
   前記隔壁部は、前記複数のシンチレータ部で発生する光の前記複数のシンチレータ部間での拡散を抑制し、
   前記第１の面に対する正射影において、前記隔壁部は、前記複数の第１の光電変換素子が配される行方向および列方向のうち少なくとも一方に沿って、前記複数の第１の光電変換素子のうち互いに隣接する光電変換素子の間の領域と重なるように配されることを特徴とする放射線撮像パネル。
2. 前記複数のシンチレータ部が配されるピッチが、前記複数の第１の光電変換素子が配されるピッチの自然数倍であることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像パネル。
3. 前記複数のシンチレータ部が、前記複数の第１の光電変換素子が配されるピッチと同じピッチで配されることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線撮像パネル。
4. 前記第１の面に対する正射影において、前記隔壁部が、前記複数の第１の光電変換素子と重ならないように配されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の放射線撮像パネル。
5. 前記複数の第１の光電変換素子のうち一部の第１の光電変換素子と前記シンチレータ層との間に、前記シンチレータ層からの光が前記一部の第１の光電変換素子に入射することを抑制するための第１の遮光層が配されることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の放射線撮像パネル。
6. 前記放射線撮像パネルは、前記第２の面にアレイ状に配される複数の第２の光電変換素子を含む第２の光電変換部をさらに含み、
   前記シンチレータ層と前記複数の第２の光電変換素子のそれぞれとの間に、前記シンチレータ層からの光が前記複数の第２の光電変換素子に入射することを抑制するための第２の遮光層が配されることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の放射線撮像パネル。
7. 前記第１の面に対する正射影において、前記複数の第２の光電変換素子が、前記複数の第１の光電変換素子と重なる位置に配されることを特徴とする請求項６に記載の放射線撮像パネル。
8. 前記第１の波長変換部が、前記シンチレータ層を複数の区画に区分する隔壁部を含まないことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の放射線撮像パネル。
9. 前記シンチレータ層と前記複数のシンチレータ部とに、互いに異なるシンチレータ材料が用いられることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の放射線撮像パネル。
10. 前記シンチレータ層が、柱状結晶のシンチレータを含むことを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の放射線撮像パネル。
11. 前記柱状結晶のシンチレータが、ヨウ化セシウムを含むことを特徴とする請求項１０に記載の放射線撮像パネル。
12. 前記複数のシンチレータ部のそれぞれが、粒子状結晶のシンチレータを含むことを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の放射線撮像パネル。
13. 前記粒子状結晶のシンチレータが、硫酸化ガドリニウムを含むことを特徴とする請求項１２に記載の放射線撮像パネル。
14. 請求項１乃至１３の何れか１項に記載の放射線撮像パネルと、
    前記放射線撮像パネルを制御するための制御部と、
    前記放射線撮像パネルから出力される信号を処理するための信号処理部と、
    を含む放射線撮像装置。
15. 請求項１４に記載の放射線撮像装置と、
    前記放射線撮像装置に放射線を照射するための放射線源と、
    を含む放射線撮像システム。

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