JP2019091749A - コンデンサ、及び該コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】導電体薄膜の酸化を抑制することができ、かつ導電体薄膜が誘電体薄膜から剥離するのを防止する。【解決手段】素子本体４は、微小な細孔を有する金属焼結体８と、細孔の内表面を含む表面所定域に原子層単位で堆積された多層膜９とを有する。多層膜９はＣｕを主成分とする導電体薄膜と、導電体薄膜の両主面に形成されたＡｌ酸化物を主成分とする第１及び第２の誘電体薄膜とからなり、第１の端子電極５ａは導電体薄膜に接続され、第２の端子電極５ｂは、電極層３を介して金属焼結体８接続されている。原子堆積法で金属焼結体８の表面にＣｕ薄膜を形成すると該Ｃｕ薄膜は瞬時に酸化してＣｕＯｘ薄膜を形成し、その後に形成されたＡｌ薄膜との間で酸化還元反応を生じ、導電性薄膜の両主面に誘電体薄膜が形成された多層膜９を得る。【選択図】図１

Description

本発明は、コンデンサ、及び該コンデンサの製造方法に関し、より詳しくは素子本体が複雑な内部形状を有する小型・大容量のコンデンサとその製造方法に関する。

今日、パーソナルコンピュータや携帯情報端末等の電子機器には、多くの各種コンデンサが搭載されている。そして、近年では、誘電体層や導電層を薄膜化し、小型・大容量化が可能なコンデンサも盛んに研究・開発されている。

例えば、特許文献１には、図１９に示すように、Ｓｉ基板１０１上に形成された三次元立体状のＣｕ薄膜１０２と、溶液中に浸漬しながら化学的に反応させることによりＣｕ薄膜１０２上に形成されたチタン酸バリウムやチタン酸ジルコン酸鉛等の高比誘電率を有する誘電体薄膜１０３と、該誘電体薄膜１０３の表面に形成されたＣｕやＮｉ等からなる導電体薄膜（金属層）１０４とを有し、Ｓｉ基板１０１と一体化されたコンデンサが提案されている。

図２０は、このコンデンサの製造工程の概略を示す工程図である。

このコンデンサは、図２０（ａ）に示すように、まず、Ｓｉ基板１０１上に微細加工された柱状のポリマー１０５を作製し、次いで、図２０（ｂ）に示すように、ポリマー１０５とポリマー１０５との間隙にＣｕめっきを施してＣｕ薄膜１０２を形成した後、周知のフォトリソグラフィー技術を使用し、図２０（ｃ）に示すように、ポリマー１０５を除去して溝１０６を作製し、その後ゾルーゲル法等を使用してＣｕ薄膜１０２の表面に誘電体薄膜１０３を形成し、該誘電体薄膜１０３の表面に導電体薄膜（金属層）１０４を形成し、上記図１９に示すようなコンデンサを得ている。

そして、特許文献１では、Ｃｕ薄膜１０２をＳｉ基板１０１上に柱状に形成することにより表面積を増大させることができることから、Ｃｕ薄膜１０２、誘電体薄膜１０３及び導電体薄膜１０４で形成される素子本体の接触面積を増大させることができ、これにより小型・大容量のコンデンサを得ようとしている。

米国特許第８１７４０１７号明細書（クレーム１、第４欄第６行目〜同欄第２４行目、図３（ａ）等）

しかしながら、特許文献１は、導電体薄膜１０４が表面露出しているため、導電体薄膜１０４がＣｕ等の安価な卑金属材料で形成されている場合は、導電体薄膜１０４が大気雰囲気に接して容易に酸化され、コンデンサとしての特性劣化を招くおそれがある。

特に、静電容量の取得容量を増大させるためにＣｕ薄膜１０２の形状を複雑化させて表面積を大きくし、該Ｃｕ薄膜１０２の表面に誘電体薄膜１０３及び導電体薄膜１０４を形成した場合、大気雰囲気と接する導電体薄膜１０４の接触面積も大きくなることから抵抗が増大し、顕著な特性劣化を招くおそれがある。

また、上述したようにＣｕ薄膜１０２を複雑な形状とし、Ｃｕ薄膜１０２の表面に誘電体薄膜１０３及び導電体薄膜１０４を形成した場合、特許文献１のようなゾルーゲル法等では、Ｃｕ薄膜１０２の表面全域に均一で緻密な誘電体薄膜１０３及び導電体薄膜１０４を形成するのが困難となり、高性能・高品質のコンデンサを得ることができなくなるおそれがある。

本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、導電体薄膜をＣｕ等の卑金属材料で形成した場合であっても、導電体薄膜の酸化を抑制することができ、かつ導電体薄膜が誘電体薄膜から剥離するのを防止することができ、緻密で均一な膜質を有する高品質・高信頼性の小型・大容量のコンデンサ、及び該コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。

本発明者は上記目的を達成するために、多数の微小な細孔を有する内部形状が複雑な高比表面積基体（金属焼結体、金属箔等）について、緻密で密着性の良好な膜形成が可能な原子堆積（Atomic Layer Deposition；以下、「ＡＬＤ」という）法を使用し、鋭意研究を行った。すなわち、まず、高比表面積基体内の細孔を含む表面所定域にＣｕ薄膜及びＡｌ薄膜を順次形成することを試みた。すると、Ｃｕ薄膜は瞬時に酸化してＣｕ酸化物薄膜を生成し、さらにこのＣｕ酸化物薄膜はその後に成膜されたＡｌ薄膜との間で酸化還元反応を生じ、Ｃｕ酸化物はＣｕに還元され、Ａｌは酸化されてＡｌ酸化物薄膜を生成することが分かった。しかも、ＡｌはＣｕ薄膜を貫通して該Ｃｕ薄膜の裏面側に拡散し、その結果、裏面側にもＡｌ酸化物が形成されることとなり、これによりＣｕを主成分とする導電体薄膜の両主面にＡｌ酸化物を主成分とする誘電体薄膜が形成された緻密で均質かつ密着性の良好な三層構造の多層膜を形成することができることが分かった。そして、導電体薄膜の表面が誘電体薄膜で被覆されることから導電体薄膜は酸化されることもなく、また、密着性が良好であることから導電体薄膜と誘電体薄膜とが剥離することもなく、緻密で均質な膜質を有する高品質・高信頼性のコンデンサを得ることができるという知見を得た。

本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るコンデンサは、互いに電気的に絶縁された少なくとも２つの端子電極が素子本体に接続されたコンデンサであって、前記素子本体が、微小な細孔が形成された大きな比表面積を有する導電材料からなる高比表面積基体と、前記細孔の内表面を含む表面所定域に原子層単位で堆積された多層膜とを有し、前記多層膜が、Ｃｕを主成分とする導電体薄膜と、該導電体薄膜の両主面に形成されたＡｌ酸化物を主成分とする第１及び第２の誘電体薄膜とからなり、前記２つ端子電極のうち、一方の端子電極は前記導電体薄膜に電気的に接続されると共に、他方の端子電極は前記高比表面積基体に電気的に接続されていることを特徴としている。

また、本発明のコンデンサは、前記高比表面積基体が、金属焼結体からなるのが好ましく、この場合、前記金属焼結体は、Ｎｉを主成分としているのが好ましい。

さらに、本発明のコンデンサは、絶縁性材料からなる基板上に電極層が形成されると共に、前記高比表面積基体は前記電極層を介して前記他方の端子電極に接続されているのが好ましい。

また、本発明のコンデンサは、前記高比表面積基体が、前記２つの端子電極のうちのいずれかの端子電極で覆われているのが好ましい。

また、本発明のコンデンサは、前記高比表面積基体が、金属箔からなるのが好ましく、この場合、前記金属箔は、Ａｌを主成分としているのが好ましい。

さらに、本発明のコンデンサは、前記導電体薄膜と前記一方の端子電極とが前記高比表面積基体の一方の主面側で電気的に接続され、前記高比表面積基体の他方の主面側で該高比表面積基体と前記他方の端子電極とが電気的に接続されているのが好ましい。

また、本発明のコンデンサは、前記導電体薄膜と前記第１及び第２の誘電体薄膜を一組とした多層膜が、原子層単位で堆積された電極薄膜を介して前記表面所定域に複数積層されているのが好ましい。

また、本発明のコンデンサは、前記高比表面積基体が、空隙率は３０〜９０％であるのが好ましい。

そして、上記コンデンサは、多層膜をＡＬＤ法で作製することにより、効率良く製造することができる。

すなわち、本発明に係るコンデンサの製造方法は、微小な細孔が形成された大きな比表面積を有する導電材料からなる高比表面積基体を作製する工程と、ＡＬＤ法を使用して前記細孔の内表面を含む表面所定域にＣｕ薄膜を成膜し、成膜された前記Ｃｕ薄膜が瞬時に酸化してＣｕ酸化物薄膜を得る工程と、前記ＡＬＤ法を使用して前記Ｃｕ酸化物薄膜の表面にＡｌ薄膜を成膜し、成膜された前記Ａｌ薄膜が瞬時に前記Ｃｕ酸化物薄膜と反応すると共にＡｌ成分が前記高比表面積基体側に拡散し、Ｃｕを主成分とする導電体薄膜とＡｌ酸化物を主成分とする第１及び第２の誘電体薄膜とからなる多層膜を得る工程と、前記導電体薄膜を一方の端子電極に電気的に接続し、前記高比表面積基体を他方の端子電極に電気的に接続する工程とを含むことを特徴としている。

また、本発明のコンデンサの製造方法は、絶縁性材料からなる基板上に電極層を形成する工程と、導電性ペーストを前記電極層の一部に塗布して塗布膜を形成する工程とを含み、前記高比表面積基体は、前記塗布膜を熱処理して作製し、前記電極層を介して前記他方の端子電極と接続するのが好ましい。

また、本発明のコンデンサの製造方法は、前記高比表面積基体が、Ｎｉを主成分とするのが好ましい。

さらに、本発明のコンデンサの製造方法は、前記多層膜の一方の端部は、前記第１及び第２の誘電体薄膜のうちの一方の誘電体薄膜を除去して前記導電体薄膜を表面露出させ、該導電体薄膜を前記一方の端子電極と電気的に接続させるのが好ましい。

また、本発明のコンデンサの製造方法は、前記高比表面積基体が、Ａｌを主成分とする金属箔であるのが好ましい。

また、本発明のコンデンサの製造方法は、前記一方の端子電極を前記高比表面積基体の一方の主面側に形成し、前記他方の端子電極を前記高比表面積基体の他方の主面側に形成し、前記多層膜の両端は、前記第１及び第２の誘電体薄膜のうちの一方の誘電体薄膜を除去して前記導電体薄膜を表面露出させ、該導電体薄膜を前記一方の端子電極と電気的に接続させるのが好ましい。

さらに、本発明のコンデンサの製造方法は、前記ＡＬＤ法を使用し、チタン窒化物からなる電極薄膜を作製する工程と、前記導電体薄膜と前記第１及び第２の誘電体薄膜を一組とした多層膜を前記電極薄膜を介して複数回積層する工程とを含むのが好ましい。

本発明のコンデンサによれば、互いに電気的に絶縁された少なくとも２つの端子電極が素子本体に接続されたコンデンサであって、前記素子本体が、微小な細孔が形成された大きな比表面積を有する導電材料からなる高比表面積基体と、前記細孔の内表面を含む表面所定域に原子層単位で堆積された多層膜とを有し、前記多層膜は、Ｃｕを主成分とする導電体薄膜と、該導電体薄膜の両主面に形成されたＡｌ酸化物を主成分とする第１及び第２の誘電体薄膜とからなり、前記２つ端子電極のうち、一方の端子電極は前記導電体薄膜に電気的に接続されると共に、他方の端子電極は前記高比表面積基体に電気的に接続されているので、導電体薄膜の両主面は第1及び第２の誘電体薄膜で覆われることから、導電体薄膜が大気と直接接することもなく該導電体薄膜が酸化するのを抑制することができる。また、誘電体薄膜と導電体薄膜とが剥離することもなく、緻密で膜質の良好な多層膜を得ることができ、漏れ電流の少ない絶縁性が良好な高品質・高信頼性を有する小型・大容量のコンデンサを得ることができる。

本発明のコンデンサの製造方法によれば、微小な細孔が形成された大きな比表面積を有する導電材料からなる高比表面積基体を作製する工程と、ＡＬＤ法を使用して前記細孔の内表面を含む表面所定域にＣｕ薄膜を成膜し、成膜された前記Ｃｕ薄膜が瞬時に酸化してＣｕ酸化物薄膜を得る工程と、前記ＡＬＤ法を使用して前記Ｃｕ酸化物薄膜の表面にＡｌ薄膜を成膜し、成膜された前記Ａｌ薄膜が瞬時に前記Ｃｕ酸化物薄膜と反応すると共にＡｌ成分が前記高比表面積基体側に拡散し、Ｃｕを主成分とする導電体薄膜とＡｌ酸化物を主成分とする第１及び第２の誘電体薄膜とからなる多層膜を得る工程と、前記導電体薄膜を一方の端子電極に電気的に接続し、前記高比表面積基体を他方の端子電極に電気的に接続する工程とを含むので、ＡＬＤ法を使用することにより、緻密で均質かつ密着性が良好な膜質の多層膜を形成することができ、漏れ電流が小さく絶縁性が良好な高品質・高信頼性を有する小型・大容量のコンデンサを容易に得ることができる。

本発明に係るコンデンサの一実施の形態（第１の実施の形態）を模式的に示す断面図である。 図１のＡ部詳細断面図である。 図１のＢ部詳細断面図である。 図１のＣ部詳細断面図である。 上記第１の実施の形態に係るコンデンサの製造方法を一実施の形態（第１の実施の形態）を模式的に示す製造工程図（１／３）である。 上記第１の実施の形態に係るコンデンサの製造方法を模式的に示す製造工程図（２／２）である。 上記第１の実施の形態に係るコンデンサの製造方法を模式的に示す製造工程図（３／３）である。 本発明に係るコンデンサの第２の実施の形態を模式的に示す断面図である。 図８のＦ部詳細断面図である。 図８のＧ部詳細断面図である。 上記第２の実施の形態に係るコンデンサの製造方法を模式的に示す製造工程図（１／２）である。 上記第２の実施の形態に係るコンデンサの製造方法を模式的に示す製造工程図（２／２）である。 本発明に係るコンデンサの第３の実施の形態を模式的に示す断面図である。 図１３のＨ部詳細断面図である。 図１３のＩ部詳細断面図である。 図１３のＪ部詳細断面図である。 上記第３の実施の形態に係るコンデンサの製造方法を模式的に示す要部製造工程図（１／２）である。 上記第３の実施の形態に係るコンデンサの製造方法を模式的に示す製造工程図（２／２）である。 特許文献１に記載されたコンデンサの断面図である。 図１９のコンデンサの製造工程を示す工程図である。

次に、本発明の実施の形態を添付図面を参照しながら詳説する。

図１は、本発明に係るコンデンサの一実施の形態（第１の実施の形態）を模式的に示す断面図である。

このコンデンサは、絶縁性材料からなる基板１の表面に酸化被膜２が形成されると共に、該酸化被膜２の表面所定域に電極層３が形成されている。素子本体４は、金属焼結体（高比表面積基体）８と多層膜９とからなり、金属焼結体８は前記電極層３に電気的に接続されている。また、第１の端子電極５ａは、素子本体４の一部を覆うように酸化被膜２の表面に形成され、さらに第２の端子電極５ｂが、前記第１の端子電極５ａと電気的に絶縁されるように前記電極層３の表面に形成されている。そして、第１の端子電極５ａの表面には第１のバンプ６ａが形成され、第２の端子電極５ｂの表面には第２のバンプ６ｂが形成されている。

ここで、電極層３の形成材料としては、導電性材料であれば特に限定されるものではなく、例えばＣｕ、ＴｉＮ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ等の使用が可能であるが、通常は安価で良導電性を有するＣｕを好んで使用することができる。

また、第１及び第２の端子電極５ａ、５ｂの形成材料としては、電極層３と同様、導電性材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｂ等の金属材料やこれらの合金等を使用することができるが、通常は安価で良導電性を有するＣｕが好んで使用される。

バンプ６ａ、６ｂの形成材料としては、良導電性を有すればよく、例えばＣｕ、Ｓｎ、Ａｕ、及びこれらの合金やはんだを使用することができる。

基板１の形成材料としては、絶縁性材料であれば特に限定されるものではなく、Ｓｉ、アルミナなどのセラミック材料等が使用可能であるが、通常はＳｉが好んで使用される。尚、基板１がＳｉで形成されている場合は、酸化被膜２はＳｉ酸化物（ＳｉＯ_ｘ）で形成されることになる。

図２は、図１のＡ部詳細断面図である。

素子本体４は、上述したように微小な細孔７が形成された大きな比表面積を有する多孔質の金属焼結体（高比表面積基体）８と、前記細孔７の内表面を含む表面所定域に原子層単位で堆積された多層膜９とを有している。

多層膜９は、Ｃｕを主成分とする導電体薄膜１０と、該導電体薄膜１０の両主面に形成されたＡｌ酸化物を主成分とする第１及び第２の誘電体薄膜１１ａ、１１ｂとからなる三層構造とされている。

これら導電体薄膜１０、第１及び第２の誘電体薄膜１１ａ、１１ｂの膜厚は、原子層単位で堆積されているのであれば、特に限定されるものではないが、通常はそれぞれ１０〜３０ｎｍに形成される。

図３は、図１のＢ部詳細断面図である。

多層膜９の一方の端部では、第２の誘電体薄膜１１ａが除去されて導電体薄膜１０が表面露出され、第１の端子電極５ａと導電体薄膜１０とが電気的に接続されている。

図４は、図１のＣ部詳細断面図である。

多層膜９の他方の端部は、導電体薄膜１０が第２の端子電極５ｂと接しないように導電体薄膜１０が除去され、金属焼結体８に電気的に接続された電極層３が第２の端子電極５ｂに電気的に接続されている。

このように本コンデンサは、素子本体４が、微小な細孔７が形成された大きな比表面積を有する金属焼結体８と、前記細孔７の内表面を含む表面所定域に原子層単位で堆積された多層膜９とを有し、多層膜９は、Ｃｕを主成分とする導電体薄膜１０と、該導電体薄膜１０の両主面に形成されたＡｌ酸化物を主成分とする第１及び第２の誘電体薄膜１１ａ、１１ｂとからなり、第１の端子電極５ａは導電体薄膜１０に接続されると共に、第２の端子電極は５ｂは電極層３を介して金属焼結体８に接続されているので、導電体薄膜１０の両主面は第１及び第２の誘電体薄膜１１ａ、１１ｂで覆われることから、導電体薄膜１０が大気と接するのを回避でき、したがって該導電体薄膜１０が酸化するのを抑制することができる。また、第１の誘電体薄膜１１ａと導電体薄膜１０とが剥離するのを防止でき、緻密で膜質の良好な多層膜９を得ることができ、漏れ電流の少ない絶縁性が良好な高品質・高信頼性を有するコンデンサを得ることができる。

次に、上記コンデンサの製造方法を図５〜図７を参照しながら詳述する。

まず、図５（ａ）に示すように、厚みが約５０μｍのＳｉ等の基板１を用意する。次いで、基板１を高温（例えば、８００〜１１００℃）で熱酸化し、基板１上に厚みが５〜１０μｍのＳｉＯ_２等の酸化被膜２を形成する。このように基板１に熱酸化を施して該基板１上に酸化被膜２を形成することにより、耐熱性が向上すると共に、密着性が良好で緻密な膜質を有する安定した膜を酸化被膜２上に形成することが可能となる。

次に、図５（ｂ）に示すように、酸化被膜２上の所定領域に厚みが１００〜５００ｎｍのＣｕ等の電極層３を形成する。この電極層３の形成方法は特に限定されるものではなく、例えば、化学的気相成長（Chemical Vapor Deposition；以下、「ＣＶＤ」という。）法やスパッタ法を使用することができる。

次いで、Ｎｉ等の卑金属材料を主成分とする導電性ペーストを用意する。そして、図５（ｃ）に示すように、電極層３の一部を覆うように酸化被膜２上に導電性ペーストを塗布し、乾燥させて塗布膜１２を形成する。

次に、塗布膜１２をＮ_２−Ｈ_２混合ガスの還元雰囲気下、３００〜４００℃の温度で２時間程度熱処理を行い、図５（ｄ）示すように、厚みが４０〜５０μｍの多数の微小な細孔７が形成された複雑な内部形状を有する多孔質の金属焼結体８を作製する。すなわち、金属焼結体８は金属粉を熱処理して得られるが、小型・大容量のコンデンサとしての機能を発揮すべく多数の微小な細孔７を金属焼結体８の内部に形成するためには、大きな空隙率を有するのが望ましく、空隙率を大きくすることにより、大きな静電容量を取得することができる。そして、そのためには空隙率は３０％以上が好ましく、４０％以上がより好ましい。一方、空隙率が過度に大きくなると金属焼結体８の焼結密度が小さくなり、粗な状態となって機械的強度の低下を招くおそれがある。このような観点からは金属焼結体８の空隙率は９０％以下が好ましく、８０％以下がより好ましい。したがって、金属焼結体８の空隙率が３０〜９０％、より好ましくは４０〜８０％となるように熱処理条件を調整するのが望ましく、斯かる観点から熱処理温度は、上述したように３００〜４００℃の範囲で行うのが望ましい。

尚、金属焼結体８の空隙率は以下の方法で測定することができる。すなわち、まず、金属焼結体８を集束イオンビーム（ＦＩＢ；Focused Ion Beam）加工し、測定試料を作製する。次いで、この測定試料の所定領域（例えば、縦５μｍ、横５μｍ）を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；Transmission Electron Microscope）で撮像する。次いで、このＴＥＭで撮像された画像を解析し、金属が存在する面積を測定し、斯かる測定面積と上記所定領域とから空隙率を求めることができる。

次に、図６（ｅ）に示すように、一端が酸化被膜２の一方の端部上に位置し、他端が電極層３を懸架して酸化被膜２の他方の端部上に位置するように、ＡＬＤ法を使用し、金属焼結体８の内表面を含む表面所定域に多層膜９を形成し、これにより金属焼結体８と多層膜９とからなる素子本体４を作製する。

すなわち、ＡＬＤ法では、有機金属前駆体を反応室に供給して化学吸着させた後、気相中に過剰に存在する有機金属前駆体をパージして除去し、その後、反応室で反応ガスと反応させ、これにより薄膜を原子層単位で堆積させることができる。したがって、ＡＬＤ法で上述の過程を繰り返すことにより、原子層単位で薄膜が積層されることとなり、これにより細孔７の内表面の奥深くまで均一で所定膜厚を有する薄膜かつ緻密で密着性に優れた高品質・高信頼性の多層膜９を形成することができる。

図６（ｅ−１）、（ｅ−２）は、多層膜９の両端部近傍の作製手順を示す詳細工程図であって、図６（ｅ−１）、（ｅ−２）の右図は、図６（ｅ）のＤ部の詳細工程図であり、左図は図６（ｅ）のＥ部詳細工程図である。尚、金属焼結体８の内表面及び外表面も図６（ｅ−１）、（ｅ−２）と同様の多層膜９が形成される。

すなわち、まず、有機金属前駆体として化学式（１）で示すヘキサフルオロアセチルアセトン銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン（以下、「Ｃｕ（ｈＦａ）ＴＭＶＳ」という。）を用意する。

そして、このＣｕ（ｈＦａ）ＴＭＶＳを反応室に供給して被膜形成面（金属焼結体８、電極層３及び酸化被膜２等）に化学吸着させた後、気相中に過剰に存在するＣｕ（ｈＦａ）ＴＭＶＳをパージして除去し、その後、反応室で反応ガスとしてのＮＨ_３ガスと反応させ、これにより被膜形成面に原子層単位で堆積されたＣｕ薄膜を形成する。そして、このＣｕ薄膜は瞬時に残存酸素と反応し、図６（ｅ−１）に示すように、Ｃｕ酸化物の薄膜（以下、「ＣｕＯ_ｘ薄膜」という。）１３が形成される。

次に、有機金属前駆体として化学式（２）で示すジエチルアルミニウムハイドライド（以下、「ＤＥＡＨ」という。）を用意する。

そして、このＤＥＡＨを反応室に供給してＣｕＯ_ｘ薄膜１３の表面に化学吸着させた後、気相中に過剰に存在するＤＥＡＨをパージして除去し、その後、反応室で反応ガスとしてのＨ_２ガスと反応させ、これにより、ＣｕＯ_ｘ薄膜１３上に原子層単位で堆積されたＡｌ薄膜が形成されると共に、瞬時にＣｕＯ_ｘ薄膜１３とＡｌ薄膜との間で酸化還元反応が生じる。

すなわち、ＡｌはＣｕに比べて電気化学的に卑なことから、Ａｌ薄膜は容易に酸化されてＡｌ酸化物を生成し、一方、ＣｕＯ_ｘ薄膜１３は還元されてＣｕを主成分とする導電性薄膜１０を生成する。また、Ａｌ成分は前記酸化還元反応と同時に導電体薄膜１０を貫通して該導電体薄膜１０の裏面側に拡散し、これにより図６（ｅ-２）に示すように、Ｃｕを主成分とする導電体薄膜１０の両主面にＡｌ酸化物を主成分とする第１及び第２の誘電体薄膜１１ａ、１１ｂが形成され、多層膜９が作製される。

このようにして金属焼結体８と多層膜９とを有する素子本体４が形成され、金属焼結体８と多層膜９を形成する第１の誘電体薄膜１１ａ及び導電性薄膜１０とで静電容量を取得することができる。

次に、多層膜９の一方の端部において導電体薄膜１０が表面露出し、他方の端部において電極層３が表面露出するようにエッチング処理を行う。

図７（ｆ）は、多層膜９の一方の端部近傍のエッチング処理後を示している。

すなわち、第２の誘電体薄膜１１ｂに可溶なエッチング溶液を使用し、多層膜９の一方の端部近傍に位置する第２の誘電体薄膜１１ｂを溶解除去し、導電体薄膜１０を表面露出させる。

図７（ｇ）は、多層膜９の他方の端部近傍のエッチング処理後を示している。

すなわち、まず、第１及び第２の誘電体薄膜１１ａ、１１ｂ及び導電体薄膜１０に可溶なエッチング溶液をそれぞれ使用し、図７（ｇ）に示すように、第２の誘電体薄膜１１ｂ、及び導電体薄膜１０、及び第１の誘電体薄膜１１ａの一部を順次溶解除去し、電極層３を表面露出させ、凹部１４を形成する。ここで、導電体薄膜１０については、第２の誘電体薄膜１１ｂの内端面に表面露出しないようにその一部を溶解除去する。この際、電極層３がＣｕで形成されている場合、該電極層３の表層面もこのエッチング処理によって若干溶解除去される。

次に、Ｃｕ等の卑金属材料を使用して電解めっき等のめっき処理を施し、図７（ｈ）に示すように、表面露出した前記導電体薄膜１０上に第１の端子電極５ａを形成し、導電体薄膜１０と前記第１の端子電極５ａとを電気的に接続する。また、前記凹部１４に電解めっき等のめっき処理を施して第２の端子電極５ｂを形成し、第２の端子電極５ｂと金属焼結体８とを電極層３を介して電気的に接続する。

その後、第１及び第２の端子電極５ａ、５ｂの表面にバンプ６ａ、６ｂを形成し、これにより図１に示す本発明のコンデンサが作製される。

このように本製造方法によれば、微小な細孔７が形成された大きな比表面積を有する金属焼結体８を作製する工程と、ＡＬＤ法を使用して前記細孔の内表面を含む表面所定域にＣｕ薄膜を成膜し、成膜された前記Ｃｕ薄膜が瞬時に酸化してＣｕＯ_ｘ薄膜１３を得る工程と、前記ＡＬＤ法を使用して前記ＣｕＯ_ｘ薄膜１３の表面にＡｌ薄膜を成膜し、成膜された前記Ａｌ薄膜が瞬時に前記ＣｕＯ_ｘ薄膜と反応すると共にＡｌ成分が金属焼結体８側に拡散し、Ｃｕを主成分とする導電体薄膜１０とＡｌ酸化物を主成分とする第１及び第２の誘電体薄膜１１ａ、１１ｂとからなる多層膜９を得る工程と、導電体薄膜１０を第１の端子電極５ａに電気的に接続し、金属焼結体８を電極層３を介して第２の端子電極５ｂに電気的に接続する工程とを含むので、ＡＬＤ法を使用することにより導電体薄膜１０の酸化を抑制しつつ、第１の誘電体薄膜１１ａと導電体薄膜１０との剥離を防止できる緻密で均質かつ密着性が良好な膜質の多層膜９を形成することができ、漏れ電流が小さく絶縁性が良好で高品質・高信頼性のコンデンサを容易に得ることができる。

図８は、本発明に係るコンデンサの第２の実施の形態を模式的に示す断面図である。上記第１の実施の形態では、高比表面積基体が金属焼結体８（図１参照）で形成されていたが、本第２の実施の形態では、金属箔で形成されている。

すなわち、本第２の実施の形態は、微小な細孔２１が形成された大きな比表面積を有する多孔質の金属箔２２と、前記細孔２１の内表面を含む表面所定域に原子層単位で堆積された多層膜２３とを有し、金属箔２２と多層膜２３とで素子本体２４を形成している。そして、金属箔２２の一方の主面側には第１の端子電極２５ａが形成されると共に、前記金属箔２２の他方の主面側には第２の端子電極２５ｂが形成されている。また、前記金属箔２２の両端部と第２の端子電極２５ａとの間には絶縁性材料からなる保護層２６ａ、２６ｂが形成され、第１の端子電極２６ａと第２の端子電極２６ｂとは互いに電気的に絶縁されている。

ここで、金属箔２２の形成材料としては、導電性材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｆｅ等を使用することができるが、通常はＡｌを好んで使用することができる。

また、金属箔２２の厚みは、特に限定されるものではないが、機械的強度を確保しつつ、所望の小型・大容量化を図る観点からは、１０〜１０００μｍが好ましく、より好ましくは３０〜３００μｍである。

また、金属箔２２の空隙率は、第１の実施の形態と同様、３０〜９０％が好ましく、より好ましくは４０〜８０％である。

図９は、図８のＦ部詳細断面図である。

多層膜２３は、第１の実施の形態と同様、Ｃｕを主成分とする導電体薄膜２７と、該導電体薄膜２７の両主面に形成されたＡｌ酸化物を主成分とする第１及び第２の誘電体薄膜２８ａ、２８ｂとからなる三層構造とされ、上述したように多層膜２３は細孔２１の内表面を含む表面所定域に原子層単位で堆積され、例えばそれぞれ１０〜３０ｎｍに形成される。

図１０は、図８のＧ部詳細断面図である。尚、この実施の形態では多層膜２３の一方の端部近傍のみを図示しているが、他方の端部近傍も同様である。

すなわち、多層膜２３の両端部は、第２の誘電体薄膜２８ｂが除去されて導電体薄膜２７と第１の端子電極２５ａとが電気的に接続されている。

このように本第２の実施の形態でも、第１の実施の形態と同様、素子本体２３が、微小な細孔２１が形成された大きな比表面積を有する金属箔２２と、細孔２１の内表面を含む表面所定域に原子層単位で堆積された多層膜２３とを有し、多層膜２３は、Ｃｕを主成分とする導電体薄膜２７と、該導電体薄膜２７の両主面に形成されたＡｌ酸化物を主成分とする第１及び第２の誘電体薄膜２８ａ、２８ｂとからなり、第１の端子電極２５ａは導電体薄膜２７に電気的に接続されると共に、第２の端子電極２５ｂは金属箔２２に電気的に接続されているので、導電体薄膜２７の両主面は第１及び第２の誘電体薄膜２８ａ、２８ｂで覆われることから、導電体薄膜２７が大気と直接接して該導電体薄膜２７が酸化するのを抑制することができる。また、第１の誘電体薄膜２８ａと導電体薄膜２７とが剥離することもなく、緻密で膜質の良好な多層膜２３を得ることができ、漏れ電流の少ない絶縁性が良好な高品質・高信頼性のコンデンサを得ることができる。

次に、本第２の実施の形態のコンデンサの製造方法を図１１〜図１２を参照しながら詳述する。

まず、Ａｌ等の金属箔母材に任意の方向に所定電流を通電し、金属箔母材をエッチング加工し、図１１（ａ）に示すように、所定の空隙率、すなわち空隙率が３０〜９０％、好ましくは４０〜８０％となるように微小な細孔２１を有する金属箔２２を作製する。

次に、金属箔２２の両端部にプレス加工やレーザ照射を施して前記両端部の細孔２１を潰滅させ、図１１（ｂ）に示すように、低空隙部２９ａ、２９ｂを形成する。

尚、本第２の実施の形態では、機械的強度を向上させる観点からは、金属箔２２の高さＨに対する長さＬの比（Ｌ／Ｈ）を３以上、好ましくは４以上とし、これにより低背で小型かつ大容量のコンデンサを得ている。

次に、低空隙部２９ａ、２９ｂ上にポリイミド樹脂やエポキ樹脂等の絶縁性材料を塗布して乾燥させ、図１１（ｃ）に示すように、保護層２６ａ、２６ｂを形成する。

次に、ＡＬＤ法を使用し、図１２（ｄ）に示すように、細孔２１の内表面を含む金属箔２２の表面所定域に多層膜２３を形成し、これにより金属箔２２と多層膜２３とからなる素子本体２４を得る。

図１２（ｄ−１）〜（ｄ−３）は、図１２（ｄ）のＨ部の作製手順を示す詳細工程図である。

すなわち、まず、有機金属前駆体としてＣｕ（ｈＦａ）ＴＭＶＳを使用し、反応ガスとしてＮＨ_３ガスを使用し、第１の実施の形態と同様の方法・手順で、図１２（ｄ−１）に示すように、細孔２１の内表面を含む金属箔２２の表面所定域にＣｕＯ_ｘ薄膜３０を形成する。

次に、有機金属前駆体としてＤＥＡＨを使用し、反応ガスとしてＨ_２ガスを使用し、第１の実施の形態と同様の方法・手順で、原子層単位で堆積されたＡｌ薄膜３１をＣｕＯ_ｘ薄膜３０の表面に成膜すると共に、該Ａｌ薄膜３１は瞬時にＣｕＯ_ｘ薄膜３０との間で酸化還元反応を生じ、Ｃｕを主成分とする導電体薄膜２７が形成される。また、Ａｌ成分は前記酸化還元反応と同時に導電体薄膜２７を貫通して金属箔２２側に拡散し、図１２（ｄ−２）に示すように、該導電体薄膜２７の両主面にはＡｌ酸化物を主成分とする第１及び第２の誘電体薄膜２８ａ、２８ｂが形成され、これにより多層膜２３が作製される。

次に、第２の誘電体薄膜２８ｂに可溶なエッチング溶液を使用し、図１２（ｄ−３）に示すように、多層膜２３の両端部の第２の誘電体薄膜２８ｂを溶解除去する。

その後、金属箔２２の両主面に電解めっきを施して第１の端子電極２５ａ及び第２の端子電極２５ｂを形成し、これにより導電体薄膜２７が第１の端子電極２５ａに電気的に接続され、金属箔２２が第２の端子電極２５ｂに電気的に接続された第２の実施の形態のコンデンサが作製される。

このように本製造方法によれば、微小な細孔２１が形成された大きな比表面積を有する金属箔２２を作製する工程と、ＡＬＤ法を使用して前記細孔２１の内表面を含む表面所定域にＣｕ薄膜を成膜し、成膜された前記Ｃｕ薄膜が瞬時に酸化してＣｕＯ_ｘ薄膜３０を得る工程と、ＡＬＤ法を使用してＣｕＯ_ｘ薄膜３０の表面にＡｌ薄膜を成膜し、成膜された前記Ａｌ薄膜が瞬時に前記ＣｕＯ_ｘ薄膜３０と反応すると共にＡｌ成分が金属箔２２側に拡散し、Ｃｕを主成分とする導電体薄膜２７とＡｌ酸化物を主成分とする第１及び第２の誘電体薄膜２８ａ、２８ｂとからなる多層膜２３を得る工程と、導電体薄膜２７を第１の端子電極２５ａに電気的に接続し、金属箔２２を第２の端子電極２５ｂに電気的に接続する工程とを含むので、ＡＬＤ法を使用することにより、導電体薄膜２７の酸化を抑制しつつ、第１の誘電体薄膜２８ａと導電体薄膜２７との剥離を防止できる緻密で均質かつ密着性が良好な膜質の多層膜を形成することができ、漏れ電流が小さく絶縁性が良好で高品質・高信頼性のコンデンサを容易に得ることができる。

図１３は、本発明に係るコンデンサの第３の実施の形態を模式的に示す断面図であって、第１の実施の形態では、多層膜９が導電体薄膜１０と第１及び第２の誘電体薄膜１１ａ、１１ｂとを一組とした単層構造であったが（図１参照）、本第３の実施の形態では、多層膜が電極薄膜を介して複数積層された積層構造を有している。

すなわち、本第３の実施の形態は、第１の実施の形態と同様、基板１の表面に酸化被膜５０が形成されると共に、該酸化被膜５０の表面所定領域に電極層４１が形成されている。素子本体４２は金属焼結体４３と多層膜４４とからなり、前記金属焼結体４３が電極層４１に電気的に接続されている。そして、第１の端子電極４５ａが、素子本体４２の一部を覆いかつ多層膜４４の一端と接続されるように酸化被膜５０の表面に形成されている。また、前記第１の端子電極４５ａと電気的に絶縁される第２の端子電極４５ｂは、多層膜４４の他端と接続されるように前記電極層４１の表面に形成されている。そして、第１の端子電極４５ａの表面には第１のバンプ６ａが形成され、第２の端子電極４５ｂの表面には第２のバンプ６ｂが形成されている。

尚、電極層４１は、第１の実施の形態ではＣｕやＮｉ等の卑金属材料を使用することができるが、本第３の実施の形態では、成膜性を考慮すると、ＴｉＮ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ等を使用するのが好ましく、特にＴｉＮを好んで使用することができる。

図１４は、図１３のＩ部詳細断面図である。

金属焼結体４３は、第１の実施の形態と同様、多数の微小な細孔４６が形成された大きな比表面積を有しており、金属焼結体４３の細孔４６の内表面を含む表面所定域には積層構造の多層膜４４（４４ａ、４４ｂ）が原子層単位で堆積されている。

すなわち、多層膜４４ａ、４４ｂは、Ｃｕを主成分とする導電体薄膜と、該導電体薄膜の両主面に形成されたＡｌ酸化物を主成分とする第１及び第２の誘電体薄膜とを一組とし、これら多層膜４４ａと多層膜４４ｂとが電極薄膜４７を介して積層された積層構造とされている。

ここで、電極薄膜４７の形成材料は、ＡＬＤ法による膜形成が可能な材料であればよく、ＴｉＮ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ等の使用が可能であるが、通常はＴｉＮを好んで使用することができる。

また、電極薄膜４７の膜厚は、原子層単位で堆積されているのであれば、特に限定されるものではないが、通常は、導電体薄膜や第１及び第２の誘電体薄膜と同様、１０〜３０ｎｍに形成される。

図１５は、図１３のＪ部詳細断面図である。

多層膜４４ａ、４４ｂは、上述したように導電体薄膜４８、５１と該導電体薄膜４８、５１の両主面に形成された第１及び第２の誘電体薄膜４９ａ、４９ｂ、５２ａ、５２ｂとからなり、多層膜４４ａと多層膜４４ｂとは、電極薄膜４７を介して積層されている。

そして、多層膜４４ａ、４４ｂの一方の端部は、導電体薄膜４８、５１が第１の端子電極４５ａと電気的に接続され、電極薄膜４７が前記第１の端子電極４５ａと電気的に絶縁されるように各薄膜が形成されている。

この多層膜４４ａ、４４ｂの一方の端部は、具体的には、導電体薄膜４８、５１が第１の端子電極４５ａ内に位置するように形成されると共に、第１及び第２の誘電体薄膜４９ａ、４９ｂ、５２ａ、５２ｂは、第１の端子電極４５ａ内に埋め込まれないように形成されている。

図１６は、図１３のＫ部拡大断面図である。

多層膜４４ａ、４４ｂの他方の端部は、電極薄膜４７が前記第２の端子電極４５ｂと電気的に接続され、導電体薄膜４８、４９が第２の端子電極４５ｂと電気的に絶縁されるように各薄膜が形成されている。

この多層膜４４ａ、４４ｂの他方の端部は、具体的には、電極薄膜４７が第２の端子電極４５ｂ内に位置するように形成されると共に、第１及び第２の誘電体薄膜４９ａ、４９ｂ、５２ａ、５２ｂは、前記一方の端部と同様、第２の端子電極４５ｂ内に埋め込まれないよう形成されている。

このように本第３の実施の形態は、多層膜４４が電極薄膜４７を介して多層膜４４ａと多層膜４４ｂとが積層された積層構造とされた以外は、第１の実施の形態と同様の構造を有しており、したがって第１の実施の形態と同様の作用・効果を奏するのはいうまでもない。

次に、上記コンデンサの製造方法を図１７〜図１８を参照しながら詳述する。

まず、第１の実施の形態と同様の方法・手順で、図１７（ａ）に示すように、 被膜形成面（基板１上の酸化被膜５０、電極層４１、及び金属焼結体４３の表面所定域）にＡＬＤ法を使用して成膜処理を行い、酸化還元反応を生じさせ、導電体薄膜４８が第１及び第２の誘電体薄膜４９ａ、４９ｂで狭持された多層膜４４ａを作製する。

次に、ＡＬＤ法を使用し、図１７（ｂ）に示すように、第２の誘電体薄膜４９ｂ上に電極薄膜４７を成膜する。例えば、電極薄膜をＴｉＮで作製する場合は、有機金属前駆体に塩化チタン（IV）（ＴｉＣｌ_４）を使用することができ、反応ガスにＮＨ_３ガスを使用することができる。

次いで、ＡＬＤ法を使用して上述と同様の成膜処理を行い、酸化還元反応が生じると共にＡｌ成分が金属焼結体４３側に拡散し、これにより図１７（ｃ）に示すように、導電体薄膜５１が第１及び第２の誘電体薄膜５２ａ、５２ｂで狭持された多層膜４４ｂを電極薄膜４７の表面に作製する。

次に、基板１の両端部をハーフカットし、図１８（ｄ）に示すように、一方の端部では酸化被膜５０を表面露出させ、他方の端部では電極層４１を表面露出させ、カット部５３ａ、５３ｂを形成する。

次に、導電体薄膜４８、５１、電極薄膜４７、第１及び第２の誘電体薄膜４９ａ、４９ｂ、５２ａ、５２ｂのそれぞれに可溶なエッチング液を各々用意し、エッチング処理を行い、図１８（ｅ）に示すように、各薄膜の不要な先端部分を溶解除去する。

すなわち、まず、第１及び第２の誘電体薄膜４９ａ、４９ｂ、５２ａ、５２ｂに可溶なエッチング液を使用し、この図１８（ｅ）に示すように、第１及び第２の誘電体薄膜４９ａ、４９ｂ、５２ａ、５２ｂが第１及び第２の端子電極４５ａ、４５ｂ中に埋め込まれない程度に該第１及び第２の誘電体薄膜４９ａ、４９ｂ、５２ａ、５２ｂの先端部分を溶解除去する。

次いで、電極薄膜４７に可溶なエッチング液を使用し、図１８（ｅ）の右図に示すように、電極薄膜４７が第１の端子電極４５ａと接しないように電極薄膜４７の先端部分を溶解除去する。

次いで、導電体薄膜４８、５１に可溶なエッチング液を使用し、図１８（ｅ）の左図に示すように、導電体薄膜４８、５１が第２の端子電極４５ｂと接しないように該導電体薄膜４８、５１の先端部分を溶解除去する。

次いで、カット部５３ａ、５３ｂに電解めっき等のめっき処理を行い、図１８（ｆ）に示すように、第１及び第２の端子電極４５ａ、４５ｂを形成する。

その後、第１及び第２の端子電極４５ａ、４５ｂの表面にバンプ６ａ、６ｂを形成し、これにより第３の実施の形態のコンデンサが作製される。

このように本製造方法においても、ＡＬＤ法を使用し、電極薄膜４７を介して多層膜４４ａと多層膜４４ｂとを積層しているので、第１の実施の形態と同様の作用・効果を得ることができる。

尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記第３の実施の形態では、積層構造のコンデンサについて高比表面積基体に金属焼結体を使用したものを例示したが、金属箔を使用した場合も同様であるのはいうまでもない。

また、上記実施の形態では、高比表面積基体として金属焼結体や金属箔を例示したが、脱合金化法等で作製される多孔金属体にも適用可能である。

また、第３の実施の形態では、１個の電極薄膜４７を介して多層膜４４ａ、４４ｂを積層したが、多層膜→電極薄膜→多層膜→電極薄膜→多層膜→・・・の順序で３個以上の多層膜を積層させるのも好ましく、これにより、より一層の大容量のコンデンサを得ることができる。

導電体薄膜の酸化抑制と該導電体薄膜と誘電体薄膜とが剥離防止が可能となり、素子本体の内部が複雑な形状を有していても緻密で均質かつ密着性の良好な膜質を有するコンデンサを得ることができる。

１ 基板
３、４１ 電極層
４、２４、４２ 素子本体
５ａ、２５ａ、４５ａ 第１の端子電極
５ｂ、２５ｂ、４５ｂ 第２の端子電極
７、２１、４６ 細孔
８、４３ 金属焼結体（高比表面積基体）
９、２３、４４ 多層膜
１０、２７、４８、５１ 導電体薄膜
１１ａ、２８ａ、４９ａ、５２ａ 第１の誘電体薄膜
１１ｂ、２８ｂ、４９ｂ、５２ｂ 第２の誘電体薄膜
２２ 金属箔（高比表面積基体）

Claims (18)

1. 互いに電気的に絶縁された少なくとも２つの端子電極が素子本体に接続されたコンデンサであって、
   前記素子本体が、微小な細孔が形成された大きな比表面積を有する導電材料からなる高比表面積基体と、前記細孔の内表面を含む表面所定域に原子層単位で堆積された多層膜とを有し、
   前記多層膜は、Ｃｕを主成分とする導電体薄膜と、該導電体薄膜の両主面に形成されたＡｌ酸化物を主成分とする第１及び第２の誘電体薄膜とからなり、
   前記２つ端子電極のうち、一方の端子電極は前記導電体薄膜に電気的に接続されると共に、他方の端子電極は前記高比表面積基体に電気的に接続されていることを特徴とするコンデンサ。
2. 前記高比表面積基体は、金属焼結体からなることを特徴とする請求項１記載のコンデンサ。
3. 前記金属焼結体は、Ｎｉを主成分としていることを特徴とする請求項２記載のコンデンサ。
4. 絶縁性材料からなる基板上に電極層が形成されると共に、前記高比表面積基体は前記電極層を介して前記他方の端子電極に接続されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のコンデンサ。
5. 前記高比表面積基体は、前記２つの端子電極のうちのいずれかの端子電極で覆われていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のコンデンサ。
6. 前記高比表面積基体は、金属箔からなることを特徴とする請求項１記載のコンデンサ。
7. 前記金属箔は、Ａｌを主成分としていることを特徴とする請求項６記載のコンデンサ。
8. 前記導電体薄膜と前記一方の端子電極とが前記高比表面積基体の一方の主面側で電気的に接続されると共に、前記高比表面積基体の他方の主面側で該高比表面積基体と前記他方の端子電極とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１、請求項６又は請求項７のいずれかに記載のコンデンサ。
9. 前記導電体薄膜と前記第１及び第２の誘電体薄膜を一組とした多層膜が、原子層単位で堆積された電極薄膜を介して複数積層されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載のコンデンサ。
10. 前記電極薄膜は、チタン窒化物で形成されていることを特徴とする請求項９記載のコンデンサ。
11. 前記高比表面積基体は、空隙率が３０〜９０％であることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載のコンデンサ。
12. 微小な細孔が形成された大きな比表面積を有する導電材料からなる高比表面積基体を作製する工程と、
    原子堆積法を使用して前記細孔の内表面を含む表面所定域にＣｕ薄膜を成膜し、成膜された前記Ｃｕ薄膜が瞬時に酸化してＣｕ酸化物薄膜を得る工程と、
    前記原子堆積法を使用して前記Ｃｕ酸化物薄膜の表面にＡｌ薄膜を成膜し、成膜された前記Ａｌ薄膜が瞬時に前記Ｃｕ酸化物薄膜と反応すると共にＡｌ成分が前記高比表面積基体側に拡散し、Ｃｕを主成分とする導電体薄膜とＡｌ酸化物を主成分とする第１及び第２の誘電体薄膜とからなる多層膜を得る工程と、
    前記導電体薄膜を一方の端子電極に電気的に接続し、前記高比表面積基体を他方の端子電極に電気的に接続する工程とを含むことを特徴とするコンデンサの製造方法。
13. 絶縁性材料からなる基板上に電極層を形成する工程と、導電性ペーストを前記電極層の一部に塗布して塗布膜を形成する工程とを含み、
    前記高比表面積基体は、前記塗布膜を熱処理して作製し、前記電極層を介して前記他方の端子電極と接続することを特徴とする請求項１２記載のコンデンサの製造方法。
14. 前記高比表面積基体は、Ｎｉを主成分とすることを特徴とする請求項１２又は請求項１３記載のコンデンサの製造方法。
15. 前記多層膜の一方の端部は、前記第１及び第２の誘電体薄膜のうちの一方の誘電体薄膜を除去して前記導電体薄膜を表面露出させ、該導電体薄膜を前記一方の端子電極に電気的に接続させることを特徴とする請求項１２乃至請求項１４のいずれかに記載のコンデンサの製造方法。
16. 前記高比表面積基体は、Ａｌを主成分とする金属箔であることを特徴とする請求項１２記載のコンデンサの製造方法。
17. 前記一方の端子電極を前記高比表面積基体の一方の主面側に形成し、前記他方の端子電極を前記高比表面積基体の他方の主面側に形成し、前記多層膜の両端は、前記第１及び第２の誘電体薄膜のうちの一方の誘電体薄膜を除去して前記導電体薄膜を表面露出させ、該導電体薄膜を前記一方の端子電極に電気的に接続させることを特徴とする請求項１２又は請求項１６記載のコンデンサの製造方法。
18. 前記原子堆積法を使用し、チタン窒化物からなる電極薄膜を作製する工程と、
    前記導電体薄膜と前記第１及び第２の誘電体薄膜を一組とした多層膜を前記電極薄膜を介して複数回積層する工程とを含むことを特徴とする請求項１２乃至請求項１７のいずれかに記載のコンデンサの製造方法。

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