JP2019091515A - Magnetic disk substrate made of aluminum alloy and method of manufacturing the same, and magnetic disk - Google Patents

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村田拓哉
Takuya Murata
北脇高太郎
Kotaro Kitawaki
米光誠
Makoto Yonemitsu
畠山英之
Hideyuki Hatakeyama
中山賢
Ken Nakayama
藤井康生
Yasuo Fujii
戸田貞行
Sadayuki Toda
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Abstract

To provide a magnetic disk substrate made of aluminum alloy with less defects on a Ni-P plating surface and less swelling on the Ni-P plating surface, a method of manufacturing the same, and a magnetic disk using the same.SOLUTION: The present invention are a magnetic disk substrate made of aluminum alloy, a method of manufacturing the same, and a magnetic disk using the magnetic disk substrate made of the aluminum alloy, the magnetic disk substrate made of aluminum alloy is characterized in that an aluminum alloy base material made of aluminum alloy having a predetermined composition, and an electroless Ni-P plating layer formed on the surface of the same are comprised, and in the surface of the electroless Ni-P plating layer of the aluminum alloy base material, existence density of a chemical compound having a maximum diameter of 3-6 μm is equal to or less than 300 pieces/mm, and when opening diameter is (X)μm and depth is (Y)μm, 80 pieces/cm or more holes in which Y/X is 0.8-3.0 exist at a radial position.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、アルミニウム合金製の磁気ディスク基板に関し、詳細には、めっきの密着力に優れ、かつ、無電解Ni−Pめっき表面の欠陥と膨れを低減したアルミニウム合金製の磁気ディスク基板及びその製造方法、ならびに、当該アルミニウム合金製の磁気ディスク基板を用いた磁気ディスクに関する。   The present invention relates to an aluminum alloy magnetic disk substrate, and more particularly, to an aluminum alloy magnetic disk substrate which is excellent in adhesion of plating and in which defects and swelling of the electroless Ni-P plating surface are reduced and its manufacture The present invention relates to a method and a magnetic disk using the aluminum alloy magnetic disk substrate.

コンピュータやデータセンターの記憶装置に用いられるアルミニウム合金製の磁気ディスク基板は、良好なめっき性を有すると共に機械的特性や加工性に優れる基板を用いて製造される。例えばJIS5086(3.5mass%以上4.5mass%以下のMg、0.50mass%以下のFe、0.40mass%以下のSi、0.20mass%以上0.70mass%以下のMn、0.05mass%以上0.25mass%以下のCr、0.10mass%以下のCu、0.15mass%以下のTi、0.25mass%以下のZn、残部Al及び不可避的不純物)からなるアルミニウム合金を基本とした基板から製造されている。   An aluminum alloy magnetic disk substrate used for a storage device of a computer or data center is manufactured using a substrate having excellent plating properties and excellent mechanical characteristics and processability. For example, JIS 5086 (Mg of 3.5 mass% or more and 4.5 mass% or less, Fe of 0.50 mass% or less, Si of 0.40 mass% or less, Mn of 0.20 mass% or more and 0.70 mass% or less, 0.05 mass% or more Manufactured from a substrate based on an aluminum alloy consisting of 0.25 mass% or less of Cr, 0.10 mass% or less of Cu, 0.15 mass% or less of Ti, 0.25 mass% or less of Zn, the balance of Al and unavoidable impurities) It is done.

一般的なアルミニウム合金製の磁気ディスクは、まず円環状アルミニウム合金基板を作製し、このアルミニウム合金基板にめっきを施し、次いで、その表面に磁性体を付着させることにより製造されている。   A general aluminum alloy magnetic disk is manufactured by first producing an annular aluminum alloy substrate, plating the aluminum alloy substrate, and then depositing a magnetic material on the surface.

例えば、前記JIS5086合金からなるアルミニウム合金製の磁気ディスクは、以下の製造工程により製造される。まず、所望の化学成分としたアルミニウム合金を鋳造し、その鋳塊に均質化処理を施した後に熱間圧延し、次いで冷間圧延を施し、磁気ディスクとして必要な厚さを有する圧延材を作製する。この圧延材には、必要に応じて冷間圧延の途中等に焼鈍を施すことが好ましい。次に、この圧延材を円環状に打抜き、それまでの製造工程により生じた歪み等を除去するために、円環状に打抜いたアルミニウム合金板を積層し、上下の両面から加圧しつつ焼鈍を施して平坦化する加圧焼鈍を行うことにより、円環状のアルミニウム合金のディスクブランクが作製される。このようにして作製されたディスクブランクに、前処理として切削加工、研削加工、歪取り加熱加工を順次施すことにより、磁気ディスク用のアルミニウム合金基板が製造される。   For example, an aluminum alloy magnetic disk made of the aforementioned JIS 5086 alloy is manufactured by the following manufacturing process. First, an aluminum alloy having a desired chemical composition is cast, the ingot is homogenized, hot rolled, and then cold rolled to produce a rolled material having a thickness necessary for a magnetic disk. Do. The rolled material is preferably annealed during cold rolling as needed. Next, this rolled material is punched into an annular shape, and in order to remove distortion and the like caused by the manufacturing process up to that time, aluminum alloy sheets punched into an annular shape are laminated, and annealing is performed while pressing from both upper and lower sides. By applying and planarizing pressure annealing, an annular aluminum alloy disk blank is produced. An aluminum alloy substrate for a magnetic disk is manufactured by sequentially applying cutting, grinding, and strain-removing heating as pretreatment to the disk blank thus manufactured.

次いで、このようにして製造された磁気ディスク用アルミニウム合金基板に、脱脂処理、エッチング処理、デスマット処理、ジンケート処理(Zn置換処理)を順次施す。更に、下地処理として硬質非磁性金属であるNi−Pを無電解めっきすることによって、アルミニウム合金製の磁気ディスク基板が製造される。   Next, the aluminum alloy substrate for a magnetic disk manufactured in this manner is sequentially subjected to degreasing treatment, etching treatment, desmutting treatment, and zincate treatment (Zn substitution treatment). Furthermore, a magnetic disk substrate made of an aluminum alloy is manufactured by electrolessly plating Ni-P, which is a hard nonmagnetic metal, as a surface treatment.

最後に、Ni−P無電解めっき表面を研磨により平滑とした後に、磁性体をスパッタリングしてアルミニウム合金製の磁気ディスクが製造される。   Finally, the surface of the Ni-P electroless plating is smoothened by polishing, and then the magnetic material is sputtered to produce an aluminum alloy magnetic disk.

ところで、近年では新しい記憶装置であるSSDが登場し、特にノートPCではHDDからSSDへの置き換えが進みつつある。HDDは大容量化、高密度化、高速化を図り、記憶容量を年々増やしているデータセンター等への適用を進め、SSDに対抗している。HDDの大容量化には、記憶装置に搭載する磁気ディスクの枚数の増加、磁気ディスク1枚当たりの記憶容量の増加等の手法がある。無電解Ni−Pめっき表面に、例えばピットのような欠陥が存在すると、欠陥周辺部を除外してデータの読み書きを行わなければならない。その結果、欠陥の数に比例して磁気ディスク1枚当たりの記憶容量が低下する。このように、磁気ディスク1枚当たりの記憶容量を増加させるためには、無電解Ni−Pめっき表面の欠陥を低減することが必要不可欠である。   By the way, in recent years, a new storage device, SSD, has appeared, and in particular, in notebook PCs, HDDs are being replaced with SSDs. HDDs are being used in larger capacity, higher density, and higher speeds, and are being applied to data centers and the like, which are increasing their storage capacity year by year, to compete with SSDs. For increasing the capacity of the HDD, there are methods such as an increase in the number of magnetic disks mounted in a storage device and an increase in storage capacity per magnetic disk. If defects such as pits are present on the electroless Ni-P plated surface, reading and writing of data must be performed excluding the defect periphery. As a result, the storage capacity per magnetic disk decreases in proportion to the number of defects. Thus, in order to increase the storage capacity per magnetic disk, it is essential to reduce defects on the electroless Ni-P plating surface.

また、最近では磁気ディスクの表面品質の新たな課題として、無電解Ni−Pめっき表面の微小膨れの防止が挙げられる。微小膨れが存在すると、読み取り部であるヘッドがその膨れ形状に追従できずに接触してしまい、読み書きが不可能となりHDDの故障となる。特に高速化に伴う高速回転時に影響が大きいため、今後のHDDの需要を伸ばすためには、微小膨れを解決することが必要不可欠である。   Recently, as a new issue of the surface quality of the magnetic disk, prevention of microblurring on the electroless Ni-P plating surface has been mentioned. If there is a minute bulging, the head, which is a reading unit, can not follow the bulging shape and contacts, and reading and writing become impossible, resulting in a failure of the HDD. In particular, in order to expand the demand for the HDD in the future, it is essential to solve the microblurring, since the influence at the time of the high speed rotation accompanying the speeding up is large.

以上のような実情から、最近では無電解Ni−Pめっき表面の欠陥と微小膨れの低減を同時に達成する事が強く望まれている。両課題を解決するためには、FeやSiの含有量を低減することが効果的である。しかしながら、これら元素の低減はコスト増を避けることができず、また、含有量を低減することで例えば研削性の低下等の悪影響が無視できなくなる。よって、合金組成だけでは対策に限界があり、新たな手法の開発が必要である。   From the above situation, recently, it is strongly desired to simultaneously achieve the reduction of defects and micro blisters on the surface of electroless Ni-P plating. In order to solve both problems, it is effective to reduce the content of Fe and Si. However, the reduction of these elements can not avoid the cost increase, and the reduction of the content makes it impossible to ignore the adverse effects such as the deterioration of the grinding property. Therefore, there is a limit to the countermeasure only with the alloy composition, and it is necessary to develop a new method.

例えば特許文献1には、無電解Ni−Pめっき表面の研磨工程を省くために、エッチング溶液を調整し、平滑な無電解Ni−Pめっき表面が得られる技術が開示されている。また、特許文献2には、無電解Ni−Pめっき工程中の洗浄水に硫酸イオンを添加することで、めっき欠陥を抑制する技術が開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses a technique in which a smooth electroless Ni-P plated surface can be obtained by adjusting an etching solution in order to omit the polishing step of the electroless Ni-P plated surface. Moreover, the technique which suppresses a plating defect is disclosed by patent document 2 by adding a sulfate ion to the wash water in an electroless Ni-P plating process.

特開平5−247659号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 5-247659 gazette 特許5872322号公報Patent No. 5872322

しかしながら、特許文献1に開示されているアルミニウム合金基板では、無電解Ni−Pめっき表面の研磨工程を省くことが目的の処理であり、現在の問題である微小な欠陥や膨れを解決できるものではない。また、特許文献2の技術は化合物を除去する技術ではないため、微小膨れに対する効果は無く、加えて化合物数が多くなった場合には全ての化合物の除去効果が期待できない。   However, in the aluminum alloy substrate disclosed in Patent Document 1, the purpose is to omit the step of polishing the electroless Ni-P plating surface, and it is possible to solve the minute defects and swelling that are the current problems. Absent. In addition, since the technique of Patent Document 2 is not a technique for removing a compound, there is no effect on micro swelling, and additionally, when the number of compounds increases, the removal effect of all the compounds can not be expected.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、無電解Ni−Pめっき表面の欠陥と膨れの発生を同時に抑制したアルミニウム合金製の磁気ディスク基板と及びその製造方法、ならびに、当該アルミニウム合金製の磁気ディスク基板を用いた磁気ディスクの提供を目的とする。   The present invention has been made in view of the above situation, and an aluminum alloy magnetic disk substrate in which the occurrence of defects and blisters on an electroless Ni-P plating surface are simultaneously suppressed, a method of manufacturing the same, and the aluminum alloy An object of the present invention is to provide a magnetic disk using a magnetic disk substrate manufactured by

本発明者らは、アルミニウム合金基材中の化合物と、無電解Ni−Pめっき表面の欠陥と膨れの関係及び化合物の除去性について鋭意研究を重ねた。その結果、化合物除去工程によりアルミニウム合金基材の化合物を除去することで、無電解Ni−Pめっき表面の欠陥を低減し、化合物が除去された孔により無電解Ni−Pめっきの密着性が向上することで膨れが抑制できることを見出した。本発明者らは研究を重ねる中で、化合物数が多い場合であっても化合物除去工程により、無電解Ni−Pめっき表面の欠陥と膨れを抑制できることを更に見出し、本発明を完成するに至った。   The inventors of the present invention conducted intensive studies on the compounds in the aluminum alloy substrate, the relationship between defects and blisters on the surface of the electroless Ni-P plating, and the removability of the compounds. As a result, by removing the compound of the aluminum alloy substrate in the compound removing step, defects of the electroless Ni-P plating surface are reduced, and the adhesion of the electroless Ni-P plating is improved by the holes from which the compound is removed. It was found that swelling can be suppressed by doing. The present inventors have further found that, even when the number of compounds is large, the compound removal step can suppress defects and blisters on the surface of the electroless Ni-P plating, thereby completing the present invention. The

即ち、本発明は請求項1において、Mg:2.5〜10.0mass%、Cu:0.003〜0.200mass%、Zn:0.05〜0.60mass%及びBe:0.00001〜0.00200mass%、Si:0.001〜0.500mass%、Fe:0.001〜0.500mass%を含有し、Cr:0.30mass%以下及びMn:0.50mass%以下に規制され、残部Al及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなるアルミニウム合金基材と、当該アルミニウム合金基材の表面に形成された無電解Ni−Pめっき層とを備え、前記アルミニウム合金基材の無電解Ni−Pめっき層側の表面において、3〜6μmの最大径を有する化合物の存在密度が300個/mm以下であり、かつ、開口径を(X)μm及び深さを(Y)μmとしたときのY/Xが0.8〜3.0となる孔が半径位置に80個/cm以上存在することを特徴とするアルミニウム合金製の磁気ディスク基板とした。 That is, in the present invention, in claim 1, Mg: 2.5 to 10.0 mass%, Cu: 0.003 to 0.200 mass%, Zn: 0.05 to 0.60 mass% and Be: 0.00001 to 0. .00200 mass%, Si: 0.001 to 0.500 mass%, Fe: 0.001 to 0.500 mass%, Cr: 0.30 mass% or less and Mn: 0.50 mass% or less, balance Al And an electroless Ni-P plating layer of the aluminum alloy base material, and an electroless Ni-P plating layer formed on the surface of the aluminum alloy base material. in the surface side, the density of the compound having a maximum diameter of 3~6μm is 300 pieces / mm 2 or less, and the aperture diameter (X) mu And a magnetic disk substrate made of an aluminum alloy characterized in that at least 80 holes / cm at a radial position where Y / X is 0.8 to 3.0 when the depth is (Y) μm did.

本発明は請求項2では請求項1において、前記深さYが1.0〜5.0μmであるものとした。   According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the depth Y is 1.0 to 5.0 μm.

本発明は請求項3において、請求項1又は2に記載のアルミニウム合金製の磁気ディスク基板の製造方法であって、前記アルミニウム合金の鋳造段階、熱間圧延段階及び冷間圧延段階をこの順序で含むアルミニウム合金板の調製工程と;当該アルミニウム合金板を円環状に打ち抜いた円環状アルミニウム合金板の加圧平坦化焼鈍段階、切削・研削加工段階及び歪取り加熱処理段階をこの順序で含むアルミニウム合金基材の調製工程と;当該アルミニウム合金基材のアルカリ脱脂処理段階、酸エッチング処理段階、デスマット処理段階及びジンケート処理段階をこの順序で含むめっき前処理工程と;当該めっき前処理工程を実施したアルミニウム合金基材表面に無電解Ni−Pめっき処理を実施する無電解Ni−Pめっき処理工程と;を備え、前記切削・研削加工段階の後であってジンケート処理段階の前において、10〜30℃の10〜60mass%のHNO溶液であって10〜80g/LのHFを含有するHNO/HFの混合溶液に前記アルミニウム合金基材を5〜60秒浸漬する化合物除去工程を更に備えることを特徴とするアルミニウム合金製の磁気ディスク基板の製造方法とした。 The present invention according to claim 3 is the method of manufacturing an aluminum alloy magnetic disk substrate according to claim 1 or 2, wherein the casting step, the hot rolling step and the cold rolling step of the aluminum alloy are performed in this order. An aluminum alloy including a step of preparing an aluminum alloy sheet containing the material; a pressure flattening annealing step of an annular aluminum alloy plate obtained by punching the aluminum alloy plate into an annular shape, a cutting / grinding step and a strain removing heat treatment step in this order A substrate preparation step; an alkaline degreasing treatment step, an acid etching treatment step, a desmutting treatment step and a zincate treatment step of the aluminum alloy substrate in this order; and an aluminum subjected to the plating pretreatment step. An electroless Ni-P plating process for performing electroless Ni-P plating on the surface of the alloy substrate; Before after at a by zincate treatment stage of the serial cutting and grinding stages, mixing of HNO 3 / HF containing HF of 10~60Mass% of HNO 3 solution at a by 10 to 80 g / L of 10 to 30 ° C. A method of manufacturing a magnetic disk substrate made of an aluminum alloy, further comprising a compound removing step of immersing the aluminum alloy substrate in a solution for 5 to 60 seconds.

本発明は請求項4では請求項3において、前記鋳造段階と熱間圧延段階の間に均質化処理段階と、前記冷間圧延段階の前又は途中の焼鈍処理段階との一方、或いは、両方を更に備えるものとした。   According to the present invention, in claim 4 according to claim 4, one or both of the homogenization treatment step and the annealing treatment step before or during the cold rolling step are performed between the casting step and the hot rolling step. It was further provided.

本発明は請求項5において、請求項1又は2に記載のアルミニウム合金製の磁気ディスク基板の無電解Ni−Pめっき層上に磁性体層を備えることを特徴とする磁気ディスクとした。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a magnetic disk comprising a magnetic material layer on the electroless Ni-P plating layer of the aluminum alloy magnetic disk substrate according to the first or second aspect.

本発明に係るアルミニウム合金製の磁気ディスク基板は、無電解Ni−Pめっき表面の欠陥と膨れが低減され、且つ、Fe及びSiの含有量について上限が緩和できるという特徴を有する。これにより、本発明に係るアルミニウム合金製の磁気ディスクは、1枚当たりの記憶容量の増加と不良率の低減を可能とし、HDDの高容量化に寄与し、また安価に提供可能である。   The magnetic disk substrate made of aluminum alloy according to the present invention is characterized in that defects and blisters on the surface of the electroless Ni-P plating are reduced, and the upper limit of the content of Fe and Si can be relaxed. As a result, the aluminum alloy magnetic disk according to the present invention can increase the storage capacity per sheet and reduce the defect rate, contribute to increasing the capacity of the HDD, and can be provided inexpensively.

アルミニウム合金製の磁気ディスク基板のめっき前処理及び無電解Ni−Pめっきの工程の説明図である。It is explanatory drawing of the process of pre-plating treatment of a magnetic disc board | substrate made from aluminum alloy, and electroless-Ni-P plating.

以下、本発明を実施の形態に基づき詳細に説明する。本発明に係るアルミニウム合金製の磁気ディスク基板(以下、単に「磁気ディスク基板」と記す場合がある)、化合物除去工程によって表面に存在する化合物を除去したアルミニウム合金基材の表面に無電解Ni−Pめっき層を設けたものであり、アルミニウム合金基材表面の化合物を除去したことにより、無電解Ni−Pめっき表面における欠陥の発生が抑制され、同時に化合物除去に伴って所定の構造を有する孔が形成されることで無電解Ni−Pめっき表面における膨れの発生を抑制することを可能とするものである。以下に、これらについての効果と詳細なメカニズムについて説明する。なお、以下において、「無電解Ni−Pめっき」を単に「Ni−Pめっき」と記す場合がある。   Hereinafter, the present invention will be described in detail based on the embodiments. Electroless Ni--A magnetic disk substrate made of aluminum alloy according to the present invention (hereinafter sometimes referred to simply as "magnetic disk substrate"), aluminum alloy substrate from which compounds present on the surface have been removed by compound removing step A P plating layer is provided, and by removing the compound on the surface of the aluminum alloy substrate, generation of defects on the electroless Ni-P plating surface is suppressed, and at the same time, a hole having a predetermined structure along with the compound removal It is possible to suppress the occurrence of blistering on the electroless Ni-P plated surface by forming. Below, the effect and the detailed mechanism about these are explained. In addition, "electroless Ni-P plating" may only be described as "Ni-P plating" below.

1.アルミニウム合金基材表面の化合物
めっき表面の欠陥は、アルミニウム合金基材の溶解と関連する。アルミニウム合金基材の溶解は、後述する無電解Ni−Pめっき処理の工程において、化合物と化合物周辺の母相との電池反応が原因となる。アルミニウム合金基材表面に存在するAl−Fe系化合物及びAl−Si系化合物は、母相よりも電位が貴である。即ち、これらの化合物がカソードサイトとなり、化合物周辺の母相がアノードサイトとなる局部電池が形成される。このような局部電池の反応が無電解Ni−Pめっき工程中に発生すると、めっき表面の欠陥となる。無電解Ni−Pめっき工程中にアルミニウム合金基材が露出していると、局部電池反応により化合物周辺の母相の溶解が進行し、局部的なガス発生が連続的に起こることにより、アルミニウム合金基材からNi−Pめっき表面まで延びるアスペクト比の大きいめっき表面の欠陥となる。
1. Compound plating surface defects on aluminum alloy substrate surfaces are associated with the dissolution of aluminum alloy substrates. Dissolution of the aluminum alloy base material is caused by a battery reaction between the compound and a matrix phase around the compound in a process of electroless Ni-P plating treatment described later. The potential of the Al-Fe-based compound and the Al-Si-based compound present on the surface of the aluminum alloy substrate is nobler than that of the matrix phase. That is, a local battery is formed in which these compounds become cathode sites and the matrix around the compounds becomes anode sites. If such a local cell reaction occurs during the electroless Ni-P plating process, it results in defects on the plating surface. If the aluminum alloy substrate is exposed during the electroless Ni-P plating process, dissolution of the matrix around the compound proceeds by the local cell reaction, and local gas generation occurs continuously, so that the aluminum alloy is formed. It becomes a defect of a plating surface with a large aspect ratio which extends from a substrate to a Ni-P plating surface.

アルミニウム合金基材の無電解Ni−Pめっき層側の表面に存在する化合物の最大径が3μm未満の場合は、カソードサイトとして機能するには十分な大きさではなく、局部電池反応の速度は小さい。よって、化合物周辺の母相の溶解を進行させ、局部的なガス発生が連続的に起こることによるアスペクト比の大きいめっき表面の欠陥を形成するには至らない。一方、化合物の最大径が6μmを超える場合は、カソードサイトとして機能するのに十分な大きさであり、化合物と母相との局部電池反応の速度が大きく化合物周辺の母相の溶解が進行するが、前記化合物除去工程を設けることにより、このような大きな最大径を有する化合物は容易に除去される。このようなことから、上記化合物は、最大径3〜6μmのものを対象とする。なお、本発明で規定する最大径とは、金属間化合物の平面画像において、まず、輪郭線上における一点と輪郭線上の他の点との距離の最大値を計測し、次に、この最大値を輪郭線上における全ての点について計測し、最後に、これら全最大値のうちから選択される最も大きなものによって定義されるものである。   If the maximum diameter of the compound present on the surface on the electroless Ni-P plating layer side of the aluminum alloy substrate is less than 3 μm, it is not large enough to function as a cathode site, and the speed of the local cell reaction is small. . Therefore, the dissolution of the matrix phase around the compound proceeds and the defects of the plating surface having a large aspect ratio due to the continuous occurrence of the local gas generation can not be formed. On the other hand, if the maximum diameter of the compound exceeds 6 μm, it is large enough to function as a cathode site, the local cell reaction speed between the compound and the mother phase is large, and dissolution of the mother phase around the compound proceeds However, by providing the compound removal step, compounds having such a large maximum diameter are easily removed. From these facts, the above compound is intended for those having a maximum diameter of 3 to 6 μm. The maximum diameter defined in the present invention means that in the planar image of the intermetallic compound, first, the maximum value of the distance between one point on the outline and the other point on the outline is measured, and then this maximum value is All points on the contour line are measured, and finally, it is defined by the largest one selected from among these total maxima.

このような最大径3〜6μmの化合物の存在密度が300個/mm以下であれば、アルミニウム合金基材として適用することに問題はない。この存在密度は、好ましくは150個/mm以下である。なお、この存在密度の下限値は特に限定されるものではないが、用いるアルミニウム合金の組成や製造方法に依存する。存在密度は小さいほどよいが、約80個/mmが下限値となる。 If the existing density of such a compound having a maximum diameter of 3 to 6 μm is 300 pieces / mm 2 or less, there is no problem in applying as an aluminum alloy substrate. This presence density is preferably 150 pieces / mm 2 or less. The lower limit value of the presence density is not particularly limited, but it depends on the composition of the aluminum alloy to be used and the production method. The lower the existing density, the better, but the lower limit is about 80 pcs / mm 2 .

2.アルミニウム合金基材表面の凹凸
例えば後述の化合物除去工程において、化合物が除去されるとアルミニウム合金基材の表面には孔が形成される。形成された孔の内部においても、ジンケート皮膜が生成すればNi−Pが析出しめっきとなる。このような孔の内部にめっきが施されると、通常、アンカー効果によりめっきとアルミニウム合金基材との密着性が向上し、これは磁気ディスク基板においても同様である。磁気ディスク基板では、Ni−Pめっきとアルミニウム合金基材との密着性が高ければ膨れ欠陥を抑制することができるため、アンカー効果を高めることが効果的である。
2. Irregularities on the Surface of Aluminum Alloy Substrate For example, when the compound is removed in a compound removal step described later, holes are formed on the surface of the aluminum alloy substrate. Also in the inside of the formed hole, if a zincate film is formed, Ni-P precipitates and becomes plating. When plating is applied to the inside of such a hole, the adhesion between the plating and the aluminum alloy base is usually improved by the anchor effect, which is the same as in the magnetic disk substrate. In the magnetic disk substrate, if the adhesion between the Ni—P plating and the aluminum alloy substrate is high, it is possible to suppress the swelling defect, so it is effective to enhance the anchor effect.

本発明では、アルミニウム合金基材表面の孔については、上述のようにNi−Pめっきのアンカー効果が作用するので、アルミニウム合金基材とNi−Pめっき層との界面における構造と存在密度を規定するものである。前述の通り、孔の内部にもめっきが施されている必要があることから、めっき後において孔内部にもめっきが施されていることを断面から確認する必要がある。この時、半径位置において単位長さ当たりの孔の個数を定義すればよい。すなわち、前記アルミニウム合金基材のNi−Pめっき層側の表面における半径位置に存在する開口径(X)μmと深さ(Y)μmの関係Y/Xが0.8〜3.0である孔が、80個/cm以上存在するものと規定する。なお、本発明で規定するアルミニウム合金基材のNi−Pめっき層側の表面における半径位置とは、円盤状のアルミニウム合金基材の円中心を通り、かつ厚さ方向に沿った断面において、円中心から一方の円周端部にわたって延出する、アルミニウム合金基材のNi−Pめっき層側の表面として定義される。また、本発明で規定する開口径(X)とは、上記断面において測定される各孔の最大幅によって定義されるものである。また、本発明で規定する深さ(Y)とは、上記断面において測定される各孔における最大深さによって定義されるものである。   In the present invention, since the anchor effect of Ni-P plating acts on the pores on the surface of the aluminum alloy substrate as described above, the structure and the existing density at the interface between the aluminum alloy substrate and the Ni-P plating layer are specified. It is As described above, since the inside of the hole needs to be plated, it is necessary to confirm from the cross section that the inside of the hole is also plated after plating. At this time, the number of holes per unit length may be defined at the radial position. That is, the relationship Y / X between the opening diameter (X) μm and the depth (Y) μm present at the radial position on the surface on the Ni-P plating layer side of the aluminum alloy base material is 0.8 to 3.0. It is defined that holes are present at 80 / cm or more. The radial position on the surface on the Ni-P plating layer side of the aluminum alloy base defined in the present invention means the circle in the cross section along the thickness direction passing through the circle center of the disk-shaped aluminum alloy base It is defined as a surface on the Ni-P plated layer side of an aluminum alloy substrate extending from the center to one circumferential end. Further, the opening diameter (X) defined in the present invention is defined by the maximum width of each hole measured in the above-mentioned cross section. Moreover, the depth (Y) prescribed | regulated by this invention is defined by the maximum depth in each hole measured in the said cross section.

Y/Xの値が0.8未満の場合は、上記アンカー効果が十分に発現しない。一方、Y/Xの値が3.0を超えると、孔の底部においてジンケート反応が進行せず、その結果、ジンケート皮膜が形成されないことによりNi−Pめっきが析出せず、孔の底部に空洞が形成されることになる。このような空洞が存在すると、加熱された際に膨張してNi−Pめっき表面が膨れることになる。従って、Y/Xは0.8〜3.0の範囲とし、好ましくは
1.0〜2.5の範囲とする。
When the value of Y / X is less than 0.8, the above-mentioned anchor effect is not sufficiently expressed. On the other hand, when the value of Y / X exceeds 3.0, the zincate reaction does not proceed at the bottom of the hole, and as a result, the zincate film is not formed, so Ni-P plating does not precipitate, and the cavity at the bottom of the hole Will be formed. If such a cavity exists, it will expand when heated and the Ni-P plating surface will swell. Therefore, Y / X is in the range of 0.8 to 3.0, preferably in the range of 1.0 to 2.5.

なお、Yについては、1.0μm未満の場合は浅いためアンカー効果の発現には十分でないために、また、5.0μmを超える場合は、深いため孔内部のめっきの析出が不均一となり空洞が発生し膨れの原因となるために、上記Y/Xの関係を満たしていても十分なアンカー効果が得られない場合がある。したがって、Yは1.0〜5.0μmの範囲とするのが好ましい。   As for Y, if it is less than 1.0 μm, it is shallow and not sufficient for the expression of the anchor effect, and if it exceeds 5.0 μm, the plating inside of the holes is uneven because it is deep and the cavity Even if the above Y / X relationship is satisfied, a sufficient anchor effect may not be obtained in order to cause occurrence and swelling. Therefore, Y is preferably in the range of 1.0 to 5.0 μm.

また、上記の半径位置に存在するY/Xが0.8〜3.0である孔の存在密度は、好ましくは120個/cm以上である。この存在密度が80個/cm未満の場合は、上記アンカー効果によるめっきとアルミニウム合金基材との十分な密着性が得られない。なお、この存在密度の上限値は特に規定するものではない。   Further, the existence density of the holes having Y / X of 0.8 to 3.0 present at the above radial position is preferably 120 / cm or more. When this existing density is less than 80 pieces / cm, sufficient adhesion between the plating due to the anchor effect and the aluminum alloy substrate can not be obtained. The upper limit value of the presence density is not particularly limited.

3.アルミニウム合金基材の合金組成
本発明で用いるアルミニウム合金基材は、Mg:2.5〜10.0mass%(以下、単に「%」と略記する)、Cu:0.003〜0.200%、Zn:0.05〜0.60%及びBe:0.00001〜0.00200%、Si:0.0005〜0.500%、Fe:0.0005〜0.500%を含有し、Cr:0.30%以下及びMn:0.50%以下に規制され、残部Al及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなる。
3. Alloy Composition of Aluminum Alloy Substrate The aluminum alloy substrate used in the present invention is Mg: 2.5 to 10.0 mass% (hereinafter simply referred to as “%”), Cu: 0.003 to 0.200%, Zn: 0.05 to 0.60% and Be: 0.00001 to 0.00200%, Si: 0.0005 to 0.500%, Fe: 0.0005 to 0.500%, Cr: 0 .30% or less and Mn: 0.50% or less, and consists of an aluminum alloy composed of the balance Al and unavoidable impurities.

Mg:2.5〜10.0%
Mgは、主としてアルミニウム合金基材の強度を向上させる効果を有する。また、Mgは、ジンケート処理時のジンケート皮膜を均一に、薄く、かつ、緻密に付着させる作用を奏するので、無電解Ni−Pめっき工程において、めっき表面の欠陥の発生を抑制しNi−Pめっき表面の平滑性を向上させる。Mg含有量は、2.0〜10.0mass%と規定する。Mg含有量が2.5%未満では強度が不十分であり、10.0%を超えると圧延が困難となり工業的に生産できない。好ましいMg含有量は、強度と製造の容易さの兼合いから4.0〜6.0%である。
Mg: 2.5 to 10.0%
Mg mainly has the effect of improving the strength of the aluminum alloy substrate. Further, Mg exerts the function of adhering the zincate film uniformly, thinly and precisely at the time of zincate treatment, and therefore, in the electroless Ni-P plating step, the generation of defects on the plating surface is suppressed to perform Ni-P plating. Improve surface smoothness. The Mg content is defined as 2.0 to 10.0 mass%. If the Mg content is less than 2.5%, the strength is insufficient, and if it exceeds 10.0%, rolling is difficult and industrial production can not be achieved. The preferred Mg content is 4.0 to 6.0% because of the combination of strength and ease of manufacture.

Cu:0.003〜0.200%
Cuはジンケート皮膜を均一に、薄く、緻密に付着させる効果を有する。その結果、無電解Ni−Pめっき工程において、めっき表面の欠陥の発生を抑制しNi−Pめっき表面の平滑性が向上する。Cu含有量は、0.003〜0.200%と規定する。Cu含有量が0.003%未満では上記効果が十分に得られない。一方、Cu含有量が0.200%を超えると母相の電位が貴になり、化合物除去工程において化合物と母相との電位差が小さくなることで、局部電池反応の速度が小さくなり、母相の溶解が進行せず大きな化合物の除去が困難となる。好ましいCu含有量は、0.010〜0.100%である。
Cu: 0.003 to 0.200%
Cu has the effect of adhering the zincate coating uniformly, thinly and precisely. As a result, in the electroless Ni-P plating step, the generation of defects on the plated surface is suppressed, and the smoothness of the Ni-P plated surface is improved. The Cu content is defined as 0.003 to 0.200%. If the Cu content is less than 0.003%, the above effect can not be sufficiently obtained. On the other hand, if the Cu content exceeds 0.200%, the potential of the matrix becomes noble, and the potential difference between the compound and the matrix decreases in the compound removal step, whereby the speed of the local cell reaction decreases and the matrix Dissolution does not proceed and removal of large compounds becomes difficult. The preferred Cu content is 0.010 to 0.100%.

Zn:0.05〜0.60%
ZnはCuと同様にジンケート皮膜を均一に、薄く、緻密に付着させる効果を有する。その結果、無電解Ni−Pめっき工程において、めっき表面の欠陥の発生を抑制しNi−Pめっき表面の平滑性が向上する。Zn含有量は、0.05〜0.60%と規定する。Zn含有量が、0.05%未満では上記効果が十分に得られない。一方、Zn含有量が0.60%を超えると、母相の電位が卑になり、化合物除去工程において化合物と母相との電位差が大きくなり過ぎることで、局部電池反応の速度が大きくなり、母相の溶解が進行し過ぎることに加え全面溶解が進行するために、形成する孔が深くならず前記関係式を満足できなくなる。好ましいZn含有量は、0.10〜0.35%である。
Zn: 0.05 to 0.60%
Zn, like Cu, has the effect of adhering the zincate coating uniformly, thinly and densely. As a result, in the electroless Ni-P plating step, the generation of defects on the plated surface is suppressed, and the smoothness of the Ni-P plated surface is improved. The Zn content is defined as 0.05 to 0.60%. If the Zn content is less than 0.05%, the above effects can not be sufficiently obtained. On the other hand, when the Zn content exceeds 0.60%, the potential of the matrix becomes negative and the potential difference between the compound and the matrix in the compound removal step becomes too large, so that the speed of the local cell reaction becomes large. In addition to the progress of the dissolution of the matrix phase, the dissolution of the entire surface proceeds, so that the formed holes do not become deep and the above equation can not be satisfied. The preferred Zn content is 0.10 to 0.35%.

Be:0.00001〜0.00200%
Beは鋳造時に、Mgの溶湯酸化を抑制する効果を有する。しかしながら、BeはAlよりも電位が卑な金属であるため、アルミニウム合金基材表面にBe濃縮相が形成されると、Be濃縮相とマトリクスとで局部電池が形成される。その結果、Be濃縮相が溶解することでNi−Pの置換反応が不均一となり、局部的なガス発生が連続的に起こることによりめっき表面の欠陥が発生する。Be含有量は、0.00001〜0.00200%と規定する。Be含有量が0.00001%未満では、鋳造時にMgの溶湯酸化を抑制する効果が十分得られず鋳造が困難となる。一方、Be含有量が0.00200%を超えると、Be濃縮相が多量に形成され、めっき表面の欠陥が発生する原因となる。好ましいBe含有量は0.00003〜0.00100%である。
Be: 0.00001 to 0.00200%
Be has the effect of suppressing the oxidation of the Mg melt at the time of casting. However, since Be is a metal having a potential lower than that of Al, when a Be-enriched phase is formed on the surface of the aluminum alloy substrate, a local cell is formed of the Be-enriched phase and the matrix. As a result, dissolution of the Be-condensed phase makes the substitution reaction of Ni-P non-uniform, and local gas generation continuously occurs to cause defects on the plated surface. The Be content is defined as 0.00001 to 0.00200%. If the Be content is less than 0.00001%, the effect of suppressing the molten metal oxidation of Mg during casting can not be obtained sufficiently and casting becomes difficult. On the other hand, when the Be content exceeds 0.00200%, a large amount of Be-condensed phase is formed, which causes generation of defects on the plating surface. The preferred Be content is 0.00003 to 0.00100%.

Cr:0.30%以下
Crは鋳造時に微細なAl−Cr系金属間化合物を生成するが、一部はマトリックスに固溶して強度向上に寄与する。また、切削性と研削性を高め、更に再結晶組織を微細にして、めっき層の密着性を向上させる効果を有する。Cr含有量は、0.30%以下に規制する。Cr含有量が0.30%を超えると、鋳造時において過剰分が晶出すると同時に粗大なAl−Cr系金属間化合物が生成する。そして、晶出した過剰分がジンケート処理時における反応の不均一性を招き、めっき表面における欠陥発生の原因となる。好ましいCr含有量は、0.20%以下である。
Cr: 0.30% or less Cr forms a fine Al-Cr based intermetallic compound at the time of casting, but a part thereof forms a solid solution in the matrix and contributes to the improvement of strength. In addition, it has the effect of improving the machinability and the abradability, and further refining the recrystallized structure to improve the adhesion of the plating layer. The Cr content is regulated to 0.30% or less. When the Cr content exceeds 0.30%, an excess is crystallized at the time of casting and at the same time a coarse Al-Cr intermetallic compound is formed. Then, the crystallized excess causes non-uniformity of the reaction during zincate treatment and causes defects on the plating surface. The preferred Cr content is 0.20% or less.

Si:0.001〜0.500%
SiはAlと結合し、めっき表面における欠陥発生の原因となるAl−Si系金属間化合物を生成するため、アルミニウム合金中にSiが含有されることは好ましくないが、本発明の化合物除去工程を適用することで除去可能である。しかしながら、Si含有量が0.500%を超えると、粗大なAl−Si系金属間化合物が生成され、切削加工及び研削加工に悪影響を及ぼす。一方、Si含有量が0.001%未満では、製造コストが高額となり工業的な製造が困難となる。従って、Si含有量を0.001〜0.500%と規定する。Si含有量は、0.010〜0.200%とするのが好ましい。
Si: 0.001 to 0.500%
Since Si combines with Al to form an Al-Si based intermetallic compound which causes defects on the plating surface, it is not preferable that Si be contained in the aluminum alloy, but the compound removing step of the present invention It is removable by applying. However, when the Si content exceeds 0.500%, coarse Al-Si based intermetallic compounds are formed, which adversely affects cutting and grinding. On the other hand, if the Si content is less than 0.001%, the production cost is high and industrial production becomes difficult. Therefore, the Si content is defined as 0.001 to 0.500%. The Si content is preferably 0.010 to 0.200%.

Fe:0.001〜0.500%
FeはAlと結合し、めっき表面における欠陥発生の原因となるAl−Fe系金属間化合物を生成するため、アルミニウム合金中にFeが含有されることは好ましくない。しかし、Al−Fe系金属間化合物は砥石の目詰りを抑制するドレッシング効果を有するため、研削加工速度を向上させる効果がある。従って、Al−Fe系金属間化合物を分散させておくことで、研削加工速度を向上させ、研削加工後に本発明の化合物除去工程によりAl−Fe系金属間化合物を除去すれば、この金属間化合物の悪影響を排除することができる。しかしながら、Fe含有量が0.500%を超えると、粗大なAl−Fe系金属間化合物が生成してしまい、この化合物が除去されることで形成される孔は、Ni−Pめっきで埋めきれず、めっき表面の欠陥となる。一方、Fe含有量が0.001%未満では、製造コストが高額となり工業的な製造が困難となる。また、研削性が確保できなくなる。従って、Fe含有量を0.001〜0.500%と規定する。Fe含有量は、0.010〜0.200%とするのが好ましい。
Fe: 0.001 to 0.500%
Fe combines with Al to form an Al-Fe-based intermetallic compound which causes defects on the plating surface, and therefore, it is not preferable that Fe is contained in the aluminum alloy. However, since the Al-Fe-based intermetallic compound has a dressing effect to suppress clogging of the grindstone, it has an effect to improve the grinding speed. Therefore, by dispersing the Al-Fe-based intermetallic compound, the grinding speed can be improved, and after the grinding, if the Al-Fe-based intermetallic compound is removed by the compound removing step of the present invention, this intermetallic compound Can eliminate the negative effects of However, when the Fe content exceeds 0.500%, a coarse Al-Fe intermetallic compound is formed, and the pores formed by removing this compound are filled with Ni-P plating. It becomes a defect of the plating surface. On the other hand, if the Fe content is less than 0.001%, the production cost is high and industrial production becomes difficult. In addition, the grinding performance can not be secured. Therefore, the Fe content is defined as 0.001 to 0.500%. The Fe content is preferably 0.010 to 0.200%.

Mn:0.50%以下
Mnは、アルミニウム合金基材中に析出するAl−Fe系金属間化合物及びAl−Si系金属間化合物を、それぞれAl−Fe−Mn系金属間化合物及びAl−Si−Mn系金属間化合物として析出させる。これら金属間化合物は母相との電位差が小さいため、Ni−Pめっき工程中の局部電池反応により形成される、アスペクト比の大きいめっき欠陥の発生を抑制する。また、これら化合物と母相との電位差は化合物除去工程中の反応には影響しない程度である。Mn含有量が0.50%を超えると、粗大な上記金属間化合物が生成してしまい、この化合物が除去されることで形成される孔は、Ni−Pめっきで埋めきれずめっき表面の欠陥となる。従って、Mn含有量を0.50%以下に規制する。Mn含有量は、0.35%未満に規制するのが好ましく、0%であっても良い。
Mn: 0.50% or less Mn is an Al-Fe-based intermetallic compound and an Al-Si-based intermetallic compound precipitated in an aluminum alloy base material, respectively, the Al-Fe-Mn-based intermetallic compound and Al-Si- It precipitates as a Mn type | system | group intermetallic compound. Since these intermetallic compounds have a small potential difference with the matrix phase, they suppress the occurrence of plating defects with a large aspect ratio, which are formed by the local cell reaction during the Ni-P plating process. In addition, the potential difference between these compounds and the mother phase does not affect the reaction in the compound removal step. When the Mn content exceeds 0.50%, the above-mentioned coarse intermetallic compound is formed, and the pores formed by removing this compound can not be filled with Ni-P plating and defects on the plating surface It becomes. Therefore, the Mn content is regulated to 0.50% or less. The Mn content is preferably regulated to less than 0.35%, and may be 0%.

その他の元素
本発明の実施形態に係るアルミニウム合金基材の残部は、Alと不可避的不純物とからなる。不可避的不純物としては、Pb、Ga、Snなどが挙げられ、各々が0.1%未満で、且つ、合計で0.2%未満であれば、本発明で用いるアルミニウム合金基材としての特性を損なうことはない。
Other Elements The balance of the aluminum alloy base according to the embodiment of the present invention consists of Al and unavoidable impurities. As unavoidable impurities, Pb, Ga, Sn, etc. may be mentioned, and if each is less than 0.1% and less than 0.2% in total, the characteristics as an aluminum alloy base material used in the present invention can be obtained. There is no loss.

4.無電解Ni−Pめっき処理
アルミニウム合金製の磁気ディスク基板におけるめっき前処理の工程を、図1に示す。段階−0の処理前サンプルは、アルミニウム合金基材の円環状ディスクブランクに加圧平坦化焼鈍を施し、次いで、切削加工・研削加工を施し、更に、歪取り加熱処理を施した状態のものである。この処理前サンプルでは表面に汚れが付着し、また、サンプル毎に酸化皮膜の厚さが異なっている。
4. The process of the pre-plating process in the magnetic disc board | substrate made from electroless-Ni-P plating aluminum alloy is shown in FIG. In the stage-0 pre-treatment sample, an annular disk blank of an aluminum alloy substrate is subjected to pressure flattening annealing, then subjected to cutting and grinding, and is further subjected to strain removing heat treatment. is there. In this sample before treatment, dirt adheres to the surface, and the thickness of the oxide film is different for each sample.

次に、段階−1のアルカリ脱脂処理の段階において、材料表面に付着している汚れを除去する。段階−2の酸エッチング処理の段階では、アルミニウム合金基材の表面の酸化皮膜を除去する。段階−3のデスマット処理の段階では、アルミニウム合金基材の表面に薄い酸化皮膜を生成させ、サンプル毎における酸化皮膜の厚さをほぼ一定にする。ここまでの段階により、各アルミニウム合金基材の表面を一律に調整する。   Next, in the stage of alkaline degreasing treatment of stage-1, dirt adhering to the surface of the material is removed. In the stage-2 acid etching process, the oxide film on the surface of the aluminum alloy substrate is removed. In the stage-3 desmutting step, a thin oxide film is formed on the surface of the aluminum alloy substrate, and the thickness of the oxide film in each sample is made approximately constant. By the steps up to this point, the surface of each aluminum alloy base is uniformly adjusted.

次に、段階−4の1stジンケートの段階では、微細なFeをアルミニウム合金基材の表面に析出させた後に、Feとアルミニウム合金基材との電池反応によりアルミニウム合金基材を溶解し、置換反応によりZnを析出させる(ジンケート皮膜)。段階−5のZn剥離の段階では、段階−4で析出させたZnを溶解させてFeを残存させる。段階−6の2ndジンケートの段階では、1stジンケートの段階と同じ反応が生起するが、Feが再度析出することで電池反応の起点が増え、それによって、析出するZnは微細になり均一なジンケート皮膜が形成される。最後の工程−7の無電解Ni−Pめっきの工程において、アルミニウム合金基材の表面のZnとNi−Pの置換反応が最初に進行し、表面がNi−Pで覆われると自己触媒反応によりNi−P上にNi−Pが析出する。   Next, at the stage of 1st zincate at stage 4, after depositing fine Fe on the surface of the aluminum alloy substrate, the aluminum alloy substrate is dissolved by a battery reaction of Fe and the aluminum alloy substrate, and a substitution reaction is performed. Precipitate Zn (zinccate coating). In the stage of Zn stripping in stage 5, the Zn deposited in stage 4 is dissolved to leave Fe. The same reaction as the 1st zincate occurs in the 2nd zincate stage of stage-6, but Fe precipitation again increases the starting point of the cell reaction, whereby the precipitated Zn becomes fine and uniform zincate coating Is formed. In the step of electroless Ni-P plating in the final step-7, the substitution reaction of Zn and Ni-P on the surface of the aluminum alloy substrate first proceeds, and when the surface is covered with Ni-P, it is autocatalytic. Ni-P precipitates on Ni-P.

5.化合物除去工程
上記段階−2の酸エッチング段階では、アルミニウム合金基板の表面の酸化皮膜を除去し、母相を少量溶解する程度のエッチング力しか発揮されない。Fe及びSiの添加量が極めて少ない従来のアルミニウム合金基材では、化合物は小さく、かつ、存在密度が低いために、このような酸エッチング段階で化合物を除去していれば、無電解Ni−Pめっき表面の欠陥や膨れの問題は発生しなかった。
5. Compound Removal Step In the acid etching step of the above-mentioned Step-2, only the etching power to the extent that the oxide film on the surface of the aluminum alloy substrate is removed and a small amount of the matrix is dissolved is exhibited. In conventional aluminum alloy substrates with very small amounts of Fe and Si added, the compounds are small and the existing density is low, so if the compounds are removed in such an acid etching step, electroless Ni-P There were no defects or swelling problems on the plating surface.

しかしながら、最近ではディスク表面検査器の高精度化に伴い、これまで検出することができなかった欠陥や膨れを検出することが可能となったことで、高容量化等の磁気ディスクの性能の向上が進んでいる。従って、前記エッチング工程だけでは化合物除去が不十分であり、無電解Ni−Pめっき表面の欠陥を低減するためには、アルミニウム合金基材の表面に残存する化合物を少なくする必要があるため、化合物除去工程を備える必要がある。ここで、本発明でいう化合物とは、Al−Fe、Al−Si、Al−Fe−Si、Al−Fe−Mn、Al−Si−Mnなどの金属間化合物をいう。   However, recently, with the increase in the accuracy of disk surface inspection machines, it has become possible to detect defects and bulges that could not be detected so far, thereby improving the performance of magnetic disks, such as increasing the capacity. Is advancing. Therefore, the compound removal is insufficient only by the etching step, and in order to reduce defects on the electroless Ni-P plating surface, it is necessary to reduce the compound remaining on the surface of the aluminum alloy substrate. It is necessary to have a removal step. Here, the compounds referred to in the present invention refer to intermetallic compounds such as Al-Fe, Al-Si, Al-Fe-Si, Al-Fe-Mn, and Al-Si-Mn.

化合物除去工程では、アルミニウム合金基材の表面に残存する化合物を薬液によって除去する。使用する薬液としては、10〜30℃の10〜60mass%(以下、「%」と略記する)のHNO溶液であって10〜80g/LのHFを含有するHNO/HFの混合溶液(以下、単に「混合溶液」と略記する)が用いられる。この混合溶液は、エッチング力が強く特に化合物周辺のアルミニウム合金基材の溶解速度を大きくする。化合物周辺のアルミニウム合金基材が溶解することで化合物が除去され、アルミニウム合金基材の表面の化合物のみを選択的に除去することができる。 In the compound removal step, the compound remaining on the surface of the aluminum alloy substrate is removed by a chemical solution. The chemical solution to be used is a 10 to 60 mass% (hereinafter abbreviated as “%”) HNO 3 solution at 10 to 30 ° C. and a mixed solution of HNO 3 / HF containing 10 to 80 g / L of HF Hereinafter, simply referred to as “mixed solution” is used. This mixed solution is strong in etching power, and in particular increases the dissolution rate of the aluminum alloy substrate around the compound. The compound is removed by dissolving the aluminum alloy substrate around the compound, and it is possible to selectively remove only the compound on the surface of the aluminum alloy substrate.

上記混合溶液において、HFの濃度が10g/L未満、ならびに、HNOの濃度が10%未満の場合は、エッチング力が弱くアルミニウム合金基材表面の化合物を十分に除去できない。一方、HFの濃度が80g/Lを超え、ならびに、HNOの濃度が60%を超える場合は、エッチング力が強過ぎアルミニウム合金基材の母相の溶解が進行する。その結果、アルミニウム合金基材表面の凹凸が大きくなり、無電解Ni−Pめっき表面の平滑性が得られない。HF濃度は、好ましくは20〜60g/Lであり、HNO濃度は、好ましくは25〜50%である。 In the mixed solution, if the concentration of HF is less than 10 g / L and the concentration of HNO 3 is less than 10%, the etching power is weak and the compound on the surface of the aluminum alloy substrate can not be sufficiently removed. On the other hand, when the concentration of HF exceeds 80 g / L and the concentration of HNO 3 exceeds 60%, the etching power is too strong and dissolution of the matrix phase of the aluminum alloy base proceeds. As a result, the irregularities on the surface of the aluminum alloy substrate become large, and the smoothness of the electroless Ni-P plated surface can not be obtained. The HF concentration is preferably 20 to 60 g / L and the HNO 3 concentration is preferably 25 to 50%.

また、混合溶液の温度は10〜30℃とする。10℃未満では反応速度が遅くアルミニウム合金基材表面の化合物を十分に除去できない。一方、30℃を超えると反応速度が速過ぎてアルミニウム合金基材の母相の溶解が進行することで、アルミニウム合金基材表面の凹凸が大きくなる。混合溶液の温度は、好ましくは15〜25℃である。更に、化合物除去工程における処理時間は5〜60秒とする。5秒未満では反応時間が短過ぎてアルミニウム合金基材表面の化合物を十分に除去できない。一方、60秒を超えると反応時間が長過ぎてアルミニウム合金基材の母相の溶解が進行することで、アルミニウム合金基材表面の凹凸が大きくなる。処理時間は、好ましくは10〜30秒である。   In addition, the temperature of the mixed solution is 10 to 30 ° C. If it is less than 10 ° C., the reaction rate is slow and the compounds on the surface of the aluminum alloy substrate can not be removed sufficiently. On the other hand, when the temperature exceeds 30 ° C., the reaction rate is too fast, and the dissolution of the matrix of the aluminum alloy substrate progresses, so that the irregularities on the surface of the aluminum alloy substrate become large. The temperature of the mixed solution is preferably 15 to 25 ° C. Furthermore, the processing time in the compound removal step is 5 to 60 seconds. If it is less than 5 seconds, the reaction time is too short to sufficiently remove the compound on the surface of the aluminum alloy substrate. On the other hand, if the reaction time exceeds 60 seconds, the reaction time is too long, and the dissolution of the matrix of the aluminum alloy base proceeds, whereby the surface of the aluminum alloy base becomes rough. The treatment time is preferably 10 to 30 seconds.

化合物除去工程は、前記切削・研削加工の段階の後であってジンケート処理段階の前において実施される。例えば、図1における前記1stジンケート段階の前であって、前記段階−3のデスマット段階の後に実施しても良く、又は、このデスマット段階に代えて実施しても良い。更に、例えば、前記切削・研削加工の段階の後から前記段階−1のアルカリ脱脂処理段階の前までに実施しても良い。この場合には、化合物除去工程の前に前記段階−2の酸エッチング段階と同じ段階を設けることで、アルミニウム合金基材表面の酸化皮膜を除去しても良い。   The compound removal step is performed after the cutting and grinding step and before the zincate step. For example, it may be performed before the 1st zincate step in FIG. 1 and after the desmut step of the step-3, or may be performed instead of the desmut step. Furthermore, for example, it may be performed after the cutting / grinding step and before the alkaline degreasing step of the step-1. In this case, the oxide film on the surface of the aluminum alloy substrate may be removed by providing the same step as the acid etching step of Step-2 before the compound removal step.

6.磁気ディスク基板及び磁気ディスクの製造方法
次に、本発明に係るアルミニウム合金製の磁気ディスク基板の製造方法について説明する。本発明に係るアルミニウム合金製の磁気ディスク基板は、まず、所定の合金組成となるように調整した溶湯を鋳造し、任意の均質化処理段階、熱間圧延段階、冷間圧延段階及び任意の焼鈍段階含む工程を施すことによりアルミニウム合金板を作製する。次いで、これを円環状に打ち抜いて円環状のアルミニウム合金板とし、これに、加圧平坦化焼鈍段階、切削・研削加工段階及び歪取り加熱処理段階を含む工程を施すことにより磁気ディスク用のアルミニウム合金基材を作製する。次いで、これに、アルカリ脱脂処理段階、酸エッチング処理段階、デスマット処理段階及びジンケート処理段階を含むめっき前処理の工程を施す。更に、めっき前処理したアルミニウム合金基材表面に、下地めっき処理として無電解でのNi−Pめっき処理の工程を施して、アルミニウム合金製の磁気ディスク基板が得られる。以下に、各工程について詳細に説明する。
6. Magnetic Disk Substrate and Method of Manufacturing Magnetic Disk Next, a method of manufacturing an aluminum alloy magnetic disk substrate according to the present invention will be described. In the magnetic disk substrate made of aluminum alloy according to the present invention, first, a molten metal adjusted to have a predetermined alloy composition is cast, and any homogenization treatment stage, hot rolling stage, cold rolling stage and optional annealing An aluminum alloy sheet is produced by applying a process including steps. Next, this is punched into an annular shape to obtain an annular aluminum alloy plate, which is subjected to steps including a pressure flattening annealing step, a cutting / grinding step and a strain removing heat treatment step, thereby producing aluminum for a magnetic disk. Make an alloy substrate. This is then subjected to a pre-plating step which includes an alkaline degreasing step, an acid etching step, a desmutting step and a zincate step. Further, the surface of the aluminum alloy base material subjected to the pre-plating treatment is subjected to a step of electroless Ni-P plating treatment as a base plating treatment to obtain a magnetic disk substrate made of an aluminum alloy. Below, each process is demonstrated in detail.

6−1.鋳造段階
まず、所定の合金組成範囲となるようにアルミニウム合金溶湯を常法にしたがって加熱・溶融することによって調製する。このようにして調製したアルミニウム合金溶湯を、半連続鋳造(DC鋳造)法などの常法に従って鋳造する。鋳造時の冷却速度は、好ましくは0.1〜1000℃/sの範囲である。
6-1. Casting Stage First, a molten aluminum alloy is prepared by heating and melting according to a conventional method so as to achieve a predetermined alloy composition range. The molten aluminum alloy thus prepared is cast according to a conventional method such as a semi-continuous casting (DC casting) method. The cooling rate at the time of casting is preferably in the range of 0.1 to 1000 ° C./s.

6−2.均質化処理段階
次に、鋳造されたアルミニウム合金に必要に応じて均質化処理を実施する。均質化処理の条件は特に限定されるものではなく、例えば450℃以上で0.5時間以上の1段加熱処理を用いることができる。均質化処理時の加熱温度の上限は特に限定されるものではないが、650℃を超えるとアルミニウム合金の溶融が発生する虞があるため、上限は650℃とする。
6-2. Homogenization Step Next, homogenization treatment is performed on the cast aluminum alloy as required. The conditions of the homogenization treatment are not particularly limited, and for example, a one-stage heat treatment at 450 ° C. or more and 0.5 hours or more can be used. The upper limit of the heating temperature at the time of the homogenization treatment is not particularly limited, but if it exceeds 650 ° C., the upper limit may be 650 ° C. because melting of the aluminum alloy may occur.

6−3.熱間圧延段階
均質化処理を施した、又は施さないアルミニウム合金の鋳塊は、熱間圧延によって板材に加工する。熱間圧延工程では、均質化処理を行っている場合は熱間圧延開始温度を300〜550℃とするのが好ましく、熱間圧延終了温度については380℃未満とするのが好ましく、300℃以下とするのがより好ましい。熱間圧延終了温度の下限は特に限定されるものではないが、耳割れ等の不具合の発生を防止するため下限は100℃とする。一方、均質化処理を行っていない場合は熱間圧延開始温度を380℃未満とするのが好ましく、350℃未満とするのがより好ましい。熱間圧延終了温度については特に限定されるものではないが、耳割れ等の不具合の発生を防止するため下限は100℃とする。
6-3. Hot rolling stage The ingot of the aluminum alloy which has been subjected to the homogenization treatment or not is processed into a sheet material by hot rolling. In the hot rolling step, when homogenization treatment is performed, the hot rolling start temperature is preferably 300 to 550 ° C., and the hot rolling finish temperature is preferably less than 380 ° C., 300 ° C. or less It is more preferable to The lower limit of the hot rolling finish temperature is not particularly limited, but the lower limit is set to 100 ° C. in order to prevent occurrence of defects such as edge cracking. On the other hand, when the homogenization treatment is not performed, the hot rolling start temperature is preferably less than 380 ° C., and more preferably less than 350 ° C. The hot rolling completion temperature is not particularly limited, but the lower limit is set to 100 ° C. in order to prevent occurrence of defects such as edge cracking.

6−4.冷間圧延段階
次いで、熱間圧延板を冷間圧延によって0.45〜1.8mm程度の冷間圧延板に加工する。このように、熱間圧延板を冷間圧延によって所要の製品板厚に仕上げる。冷間圧延段階の条件は特に限定されるものではなく、必要な製品板強度や板厚に応じて定めれば良く、圧延率については10〜95%とするのが好ましい。冷間圧延の前又は冷間圧延の途中において、冷間圧延加工性を確保するために焼鈍処理段階を設けても良い。焼鈍処理を実施する場合には、例えばバッチ式焼鈍では200℃以上450℃未満の温度で0.1〜10時間の条件で行うことが好ましい。一方、連続式の焼鈍では、400〜500℃で0〜60秒間保持の条件で行うのが好ましく、450〜500℃で0〜30秒間保持の条件で行うのがより好ましい。この場合の0秒とは、所望の焼鈍温度に達した後、直ちに冷却することを意味する。
6-4. Next, the hot-rolled sheet is processed into a cold-rolled sheet of about 0.45 to 1.8 mm by cold rolling. Thus, the hot-rolled sheet is finished to the required product thickness by cold rolling. The conditions of the cold rolling step are not particularly limited, and may be determined according to the required product plate strength and plate thickness, and the rolling reduction is preferably 10 to 95%. Before cold rolling or in the middle of cold rolling, an annealing treatment step may be provided to secure cold rolling workability. When carrying out the annealing treatment, for example, in batch-type annealing, it is preferable to carry out at a temperature of 200 ° C. or more and less than 450 ° C. for 0.1 to 10 hours. On the other hand, continuous annealing is preferably performed under the conditions of holding at 400 to 500 ° C. for 0 to 60 seconds, and more preferably under the conditions of holding at 450 to 500 ° C. for 0 to 30 seconds. In this case, 0 seconds means cooling immediately after reaching a desired annealing temperature.

6−5.磁気ディスク基板の製造
上記のようにして作製したアルミニウム合金板を円環状に打ち抜いて、円環状のアルミニウム合金板を調製する。次いで、この円環状のアルミニウム合金板に250〜450℃、30分以上の加圧平坦化焼鈍段階を実施して、平坦化したディスクブランクを調製する。次いで、平坦化したディスクブランクに、切削・研削加工段階、ならびに、好ましくは250〜400℃の温度で5〜30分の条件での歪取り加熱処理段階からなる加工処理工程をこの順序で施す。このようにして、磁気ディスク用のアルミニウム合金基材が調製される。
6-5. Production of Magnetic Disk Substrate The aluminum alloy plate produced as described above is punched into an annular shape to prepare an annular aluminum alloy plate. Then, the annular aluminum alloy sheet is subjected to a pressure flattening annealing step at 250 to 450 ° C. for 30 minutes or more to prepare a flattened disk blank. The flattened disk blank is then subjected in this order to a processing step consisting of a cutting and grinding step and a strain removal heat treatment step preferably at a temperature of 250 to 400 ° C. for 5 to 30 minutes. In this way, an aluminum alloy substrate for a magnetic disk is prepared.

次に、この磁気ディスク用のアルミニウム合金基材に、めっき前処理として、アルカリ脱脂処理段階、酸エッチング処理段階、デスマット処理段階、ジンケート処理段階をこの順序で実施する。   Next, the aluminum alloy substrate for the magnetic disk is subjected to an alkaline degreasing step, an acid etching step, a desmutting step, and a zincate step in this order as a pretreatment for plating.

脱脂処理段階は市販のAD−68F(上村工業製)脱脂液等を用い、温度40〜70℃、処理時間3〜10分、濃度200〜800mL/Lの条件で脱脂を行うことが好ましい。酸エッチング処理段階は、市販のAD−107F(上村工業製)エッチング液等を用い、温度50〜75℃、処理時間0.5〜5分、濃度20〜100mL/Lの条件で酸エッチングを行うことが好ましい。酸エッチング処理の後、化合物除去工程が既に適用された場合では、通常のデスマット処理として、HNOを用い、温度15〜40℃、処理時間10〜120秒、濃度:10〜60%の条件でデスマット処理を行うことが好ましい。化合物除去工程が適用されていない場合には、デスマット処理に代えて、又は、これに加えて上述の化合物除去処理を実施しても良い。 In the degreasing step, it is preferable to carry out degreasing under the conditions of a temperature of 40 to 70 ° C., a treatment time of 3 to 10 minutes, and a concentration of 200 to 800 mL / L using a commercially available AD-68F (manufactured by Kamimura Kogyo) degreasing solution or the like. In the acid etching process step, acid etching is performed at a temperature of 50 to 75 ° C., a treatment time of 0.5 to 5 minutes, and a concentration of 20 to 100 mL / L using a commercially available AD-107F (made by Kamimura Kogyo) etching solution or the like Is preferred. In the case where the compound removal step has already been applied after the acid etching treatment, HNO 3 is used as a normal desmutting treatment at a temperature of 15 to 40 ° C., a treatment time of 10 to 120 seconds, and a concentration of 10 to 60%. Desmutting is preferably performed. When the compound removal step is not applied, the above-mentioned compound removal treatment may be performed instead of or in addition to the desmutting treatment.

1stジンケート処理段階は市販のAD−301F−3X(上村工業製)のジンケート処理液等を用い、温度10〜35℃、処理時間0.1〜5分、濃度100〜500mL/Lの条件で行うことが好ましい。1stジンケート処理段階の後、HNOを用い、温度15〜40℃、処理時間10〜120秒、濃度:10〜60%の条件でZn剥離処理を行うことが好ましい。その後、1stジンケート処理と同じ条件で2ndジンケート処理段階を実施する。2ndジンケート処理したアルミニウム合金基材表面に、下地めっき処理として無電解でのNi−Pめっき処理工程が施される。無電解でのNi−Pめっき処理は、市販のニムデンHDX(上村工業製)めっき液等を用い、温度80〜95℃、処理時間30〜180分、Ni濃度3〜10g/Lの条件でめっき処理を行うことが好ましい。 The 1st zincate treatment step is carried out under conditions of a temperature of 10 to 35 ° C., a treatment time of 0.1 to 5 minutes, and a concentration of 100 to 500 mL / L using a zincate treatment solution of AD-301F-3X (made by Kamimura Kogyo) commercially available. Is preferred. After the 1st zincate treatment step, it is preferable to perform Zn peeling treatment using HNO 3 under conditions of a temperature of 15 to 40 ° C., a treatment time of 10 to 120 seconds, and a concentration of 10 to 60%. Thereafter, the 2nd zincate treatment step is carried out under the same conditions as the 1st zincate treatment. An electroless Ni-P plating process is performed as a base plating process on the surface of the 2nd zincate-treated aluminum alloy substrate. Electroless Ni-P plating treatment is carried out using a commercially available Nimden HDX (made by Uemura Kogyo) plating solution, etc., under conditions of temperature 80-95 ° C., treatment time 30-180 minutes, Ni concentration 3-10 g / L It is preferred to carry out the treatment.

上記のめっき前処理工程と無電解でのNi−Pめっき処理工程によって、下地めっき処理した磁気ディスク基板が得られる。   By the above-described pre-plating treatment step and the electroless Ni-P plating step, a magnetic disk substrate subjected to the base plating treatment can be obtained.

7.磁気ディスクの製造
最後に、下地めっき処理した磁気ディスク基板の表面を研磨により平滑し、表面に下地層、磁性層、保護膜及び潤滑層等からなる磁性媒体をスパッタリングにより付着させ磁気ディスクとする。
7. Finally, the surface of the underlayer-plated magnetic disk substrate is smoothed by polishing, and a magnetic medium comprising an underlayer, a magnetic layer, a protective film, a lubricating layer and the like is attached to the surface by sputtering to form a magnetic disk.

以下に、本発明を実施例に基づいて更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES The present invention will be described in more detail based on examples given below, but the invention is not meant to be limited by these.

まず、表1に示す成分組成の各アルミニウム合金を常法に従って溶解し、アルミニウム合金溶湯を溶製した。次に、アルミニウム合金溶湯をDC鋳造法により鋳造し鋳塊を作製した。上記鋳塊の両面15mmを面削し520℃で1時間の均質化処理を施した。次に、熱間圧延開始温度460℃、熱間圧延終了温度280℃で熱間圧延を行ない、板厚3.0mmの熱間圧延板とした。熱間圧延板は中間焼鈍を行なわずに冷間圧延(圧延率73.3%)により板厚0.8mmまで圧延して最終圧延板とした。このようにして得たアルミニウム合金板を外径96mm、内径24mmの円環状に打抜き、円環状アルミニウム合金板を作製した。   First, each aluminum alloy having the component composition shown in Table 1 was melted according to a conventional method to melt a molten aluminum alloy. Next, a molten aluminum alloy was cast by a DC casting method to produce an ingot. 15 mm on both sides of the above ingot was chamfered and subjected to homogenization treatment at 520 ° C. for 1 hour. Next, hot rolling was performed at a hot rolling start temperature 460 ° C. and a hot rolling finish temperature 280 ° C. to obtain a hot-rolled sheet having a thickness of 3.0 mm. The hot-rolled sheet was rolled to a thickness of 0.8 mm by cold rolling (rolling ratio 73.3%) without intermediate annealing to form a final rolled sheet. The aluminum alloy plate thus obtained was punched into an annular shape having an outer diameter of 96 mm and an inner diameter of 24 mm to produce an annular aluminum alloy plate.

上記のようにして得た円環状アルミニウム合金板に、1.5MPaの圧力下において300℃で3時間の加圧平坦化焼鈍を施しディスクブランクとした。このディスクブランクの端面に切削加工を施して外径95mm、内径25mmとした。更に、表面を10μm研削する研削加工を行い、350℃で10分間の歪取り加熱処理を行なった。   The annular flat aluminum alloy sheet obtained as described above was subjected to pressure flattening annealing at 300 ° C. for 3 hours under a pressure of 1.5 MPa to obtain a disc blank. The end face of this disc blank was cut to an outer diameter of 95 mm and an inner diameter of 25 mm. Furthermore, the grinding process which grinds the surface 10 micrometers was performed, and distortion removal heat processing were performed at 350 degreeC for 10 minutes.

その後、歪取り加熱処理を行なったアルミニウム合金基材に、表2に示す条件で無電解Ni−Pめっきまで処理を実施した。最後に羽布により仕上げ研磨(研磨量4μm)を行い磁気ディスク基板の評価用サンプルとした。表2において、工程No.C1〜C9及びD1〜D8では、アルカリ脱脂処理段階の前に化合物処理工程を設けた。一方、工程No.C10〜C18及びD9〜D16では、1Stジンケート処理段階の前であってデスマット処理段階の後に化合物処理工程を設けた。D17では、化合物処理工程を実施しなかった。   Thereafter, the aluminum alloy base material subjected to the strain removing and heat treatment was subjected to treatment up to electroless Ni-P plating under the conditions shown in Table 2. Finally, finish polishing (polishing amount: 4 μm) with feather cloth was performed to obtain a sample for evaluation of the magnetic disk substrate. In Table 2, the process No. In C1 to C9 and D1 to D8, a compound treatment step was provided before the alkaline degreasing step. On the other hand, process No. For C10 to C18 and D9 to D16, a compound treatment step was provided before the 1 St zincate treatment step and after the desmutting treatment step. In D17, the compound treatment step was not performed.

上記のようにして作製した評価用サンプルを用いて以下の評価を行った。
評価1:アルミニウム合金基材表面の化合物密度
化合物除去工程後のサンプルを短冊状に切り出し、サンプル表面を上面からSEMにより倍率を500倍として組成像で15視野撮影を行なった(1視野の面積は53600μmとした)。測定した写真について、画像解析ソフトである「A像くん」により、化合物の最大径と個数を測定し、1mm当たりの個数として密度を算出した。15視野の算術平均値をもって、測定密度とした。結果を表3〜5に示す。
The following evaluation was performed using the sample for evaluation produced as mentioned above.
Evaluation 1: Compound density on the surface of the aluminum alloy substrate The sample after the compound removal step was cut into strips, and the sample surface was photographed from the top surface by SEM with a magnification of 500 times for 15 fields of view. 53,600 μm 2 ). About the measured photograph, the maximum diameter and number of compounds were measured by "image A" which is image analysis software, and the density was calculated as the number per 1 mm 2 . The arithmetic mean of 15 fields of view was taken as the measurement density. The results are shown in Tables 3-5.

評価2:断面観察によるアルミニウム合金基材のNi−Pめっき層側の表面における孔の形状と密度
上記の磁気ディスク基板の評価用サンプルを樹脂埋めし、断面観察用の樹脂サンプルを作製した。樹脂サンプルを鏡面研磨し、SEMによりアルミニウム合金基材の無電解Ni−Pめっき層側の表面における半径位置の断面観察サンプルを得た。断面観察は、5000倍の二次電子像で10視野撮影した(1視野の面積は536μmとした)。撮影した各視野の画像について、アルミニウム合金基材の無電解Ni−Pめっき層側の表面における半径位置に存在する孔の開口径と深さを測定した。次いで、上記関係式を満足する孔の個数をカウントし、1mm当たりの個数として存在密度を算出した。10視野の算術平均値をもって、測定存在密度とした。結果を表3〜5に示す。
Evaluation 2: Shape and density of holes on the surface on the Ni-P plated layer side of the aluminum alloy base material by cross-sectional observation The above-described sample for evaluation of the magnetic disk substrate was resin-filled to prepare a resin sample for cross-sectional observation. The resin sample was mirror-polished, and a cross-sectional observation sample of the radial position on the surface on the electroless Ni-P plated layer side of the aluminum alloy substrate was obtained by SEM. For cross-sectional observation, 10 fields of view were taken with a 5000 × secondary electron image (the area of one field of view was 536 μm 2 ). About the image of each field of view taken, the opening diameter and the depth of the hole which exists in the radial position in the surface at the side of an electroless Ni-P plating layer of an aluminum alloy substrate were measured. Next, the number of holes satisfying the above relational expression was counted, and the existing density was calculated as the number per 1 mm. The arithmetic mean value of 10 fields of view was taken as the measurement existing density. The results are shown in Tables 3-5.

評価3:めっき平滑性(欠陥)
評価用サンプルを50℃の50vol%硝酸に3分間浸漬して、Ni−Pめっき表面をエッチングした。エッチング後のNi−Pめっき表面を、SEMを用いて5000倍の倍率で5視野撮影した(1視野の面積は536μmとした)。5視野撮影した画像からめっき欠陥数を測定し、5視野の算術平均値を求めた。この算術平均値が、5個未満/視野を◎、5個以上10個未満/視野を○、10個以上/視野を×とした。◎と○を合格とし、×を不合格とした。結果を表3〜5に示す。
Evaluation 3: Plating smoothness (defects)
The sample for evaluation was immersed in 50 vol% nitric acid at 50 ° C. for 3 minutes to etch the Ni-P plated surface. The Ni-P plating surface after etching was photographed for 5 fields of view at a magnification of 5000 using an SEM (the area of one field of view was 536 μm 2 ). The number of plating defects was measured from images taken in 5 fields of view, and the arithmetic mean value of 5 fields of view was determined. The arithmetic mean value is less than 5 per field of view, 5 or more and less than 10 per field of view, 10 or more per field of view. ◎ and を were accepted, and x was rejected. The results are shown in Tables 3-5.

評価4:めっき平滑性(膨れ)
評価用サンプルを切り出し、AFM(JEOL製:JSPM−5200)を用いて表面形状を測定した。任意で5箇所の測定を実施し(1箇所の面積は625μmとした)、10nmを超える凸部の個数を各箇所でカウントした。この個数の5箇所の算術平均を求め、0個を◎、1個以上5個未満を○、5個以上を×とした。◎と○を合格とし、×を不合格とした。結果を表3〜5に示す。
Evaluation 4: Plating smoothness (bulge)
The sample for evaluation was cut out and the surface shape was measured using AFM (manufactured by JEOL: JSPM-5200). The measurement of five places was implemented arbitrarily (the area of one place was 625 micrometers 2 ), and the number of objects of a convex part over 10 nm was counted in each place. The arithmetic mean of 5 places of this number is calculated | required, 0 was set as (double-circle), 1 or more and less than 5 pieces as (circle), and 5 or more as x. ◎ and を were accepted, and x was rejected. The results are shown in Tables 3-5.

実施例1〜36及び比較例1〜28は、アルミニウム合金基材に用いたアルミニウム合金組成を変化させた実施例であり、実施例37〜52及び比較例29〜45は、アルミニウム合金基材の処理工程の条件を変えた実施例である。   Examples 1 to 36 and Comparative Examples 1 to 28 are examples in which the aluminum alloy composition used for the aluminum alloy substrate is changed, and Examples 37 to 52 and Comparative Examples 29 to 45 are examples of the aluminum alloy substrate. This is an embodiment in which the conditions of the treatment process are changed.

実施例1〜52は、合金組成及び化合物除去工程の条件が本発明範囲内であるので、無電解Ni−Pめっき表面の欠陥及び膨れの両方について評価結果が合格となった。   In Examples 1 to 52, since the conditions of the alloy composition and the compound removal step are within the scope of the present invention, the evaluation results for both defects and blisters on the electroless Ni-P plated surface were acceptable.

これに対して比較例1〜45では、無電解Ni−Pめっき表面の欠陥及び膨れの少なくともいずれか一方の評価結果が不合格となった。   On the other hand, in Comparative Examples 1 to 45, at least one of the evaluation results of defects and blisters on the electroless Ni-P plating surface was rejected.

具体的には、比較例1及び比較例15では、めっき平滑性は合格であったが、Mgの含有量が少なく強度が不足したため,取扱時のディスク変形を抑制できず,磁気ディスクとして使用することができなかった。   Specifically, in Comparative Example 1 and Comparative Example 15, although the plating smoothness was a pass, the content of Mg is small and the strength is insufficient, so that the disk deformation during handling can not be suppressed and it is used as a magnetic disk I could not.

比較例2及び比較例16では、Mgの含有量が多いため圧延時に割れが発生しサンプルを製造することができなかった。   In Comparative Example 2 and Comparative Example 16, since the content of Mg was large, cracking occurred during rolling, and a sample could not be manufactured.

比較例3と比較例17では、Cuの含有量が少ないためジンケート皮膜が不均一でとなり、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。   In Comparative Example 3 and Comparative Example 17, since the content of Cu was small, the zincate coating became uneven, many defects and blisters occurred on the plating surface, and any plating smoothness was also rejected.

比較例4と比較例18では、Cuの含有量が多いため母相の電位が貴となり、化合物との電位差が小さくなったことで化合物が除去され難くなった。その結果、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。   In Comparative Example 4 and Comparative Example 18, since the content of Cu was large, the potential of the matrix became noble, and the potential difference with the compound became small, so that the compound became difficult to remove. As a result, many defects and blisters occurred on the plated surface, and any plating smoothness was also rejected.

比較例5と比較例19では、Znの含有量が少ないためジンケート皮膜が不均一となり、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。   In Comparative Example 5 and Comparative Example 19, since the content of Zn was small, the zincate coating became nonuniform, many defects and swelling occurred on the plating surface, and any plating smoothness was also rejected.

比較例6と比較例20では、Znの含有量が多いため母相の電位が卑となり、母相の溶解速度が大きくなった。その結果、アンカー効果を発揮する孔が形成され難くなり、めっき表面に欠陥および膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。   In Comparative Example 6 and Comparative Example 20, since the content of Zn was large, the potential of the matrix became wrinkles, and the dissolution rate of the matrix increased. As a result, it was difficult to form holes exhibiting an anchor effect, many defects and blisters occurred on the plated surface, and any plating smoothness was also rejected.

比較例7と比較例21では、Beを含有しなかったため、鋳造時に溶湯表面が酸化してしまい、健全な鋳塊を製造することができず、サンプルを製造することができなかった。   In Comparative Example 7 and Comparative Example 21, since Be was not contained, the surface of the molten metal was oxidized at the time of casting, and a sound ingot could not be produced, and a sample could not be produced.

比較例8と比較例22では、Beの含有量が多いため母相の溶解が激しくアンカー効果を発揮する孔が形成され難くなった。その結果、めっき表面に欠陥および膨れが多く発生し、いずれもめっき平滑性も不合格であった。   In Comparative Example 8 and Comparative Example 22, since the content of Be was large, it was difficult to form a hole in which the dissolution of the matrix significantly exerts the anchor effect. As a result, many defects and blisters occurred on the plated surface, and in all cases the plating smoothness was also rejected.

比較例9と比較例23では、Crの含有量が多いため粗大な化合物が生成し、化合物除去工程により形成した孔がめっきで埋められなかった。その結果、めっき表面の欠陥が多く生じ、めっき平滑性(欠陥)が不合格であった。   In Comparative Example 9 and Comparative Example 23, a coarse compound was formed because the content of Cr was large, and the holes formed in the compound removing step were not filled by plating. As a result, many defects of the plating surface were generated, and the plating smoothness (defects) was rejected.

比較例10と比較例24では、Siの含有量が多いため粗大な化合物が生成し、化合物除去工程により形成した孔がめっきで埋められなかった。その結果、めっき表面の欠陥が多く生じ、めっき平滑性(欠陥)が不合格であった。   In Comparative Example 10 and Comparative Example 24, since the content of Si was large, a coarse compound was formed, and the holes formed in the compound removing step were not filled by plating. As a result, many defects of the plating surface were generated, and the plating smoothness (defects) was rejected.

比較例11と比較例25では、Feの含有量が多いため粗大な化合物が生成し、化合物除去工程により形成した孔がめっきで埋められなかった。その結果、めっき表面の欠陥が多く生じ、めっき平滑性(欠陥)が不合格であった。   In Comparative Example 11 and Comparative Example 25, coarse compounds were formed due to the large content of Fe, and the holes formed in the compound removing step were not filled with the plating. As a result, many defects of the plating surface were generated, and the plating smoothness (defects) was rejected.

比較例12と比較例26では、Mnの含有量が多いため粗大な化合物が生成し、化合物除去工程により形成した孔がめっきで埋められなかった。その結果、めっき表面の欠陥が多く生じ、めっき平滑性(欠陥)が不合格であった。   In Comparative Example 12 and Comparative Example 26, since the content of Mn was large, a coarse compound was formed, and the holes formed in the compound removing step were not filled by plating. As a result, many defects of the plating surface were generated, and the plating smoothness (defects) was rejected.

比較例13と比較例27では、Siの含有量が少ないため、欠陥のめっき平滑性は合格であったが、孔の形成が少なく膨れが発生して膨れのめっき平滑性は不合格であった。また、原料中のSi含有量を極度に低くすることから、工業的にはコスト高となり量産への適用は困難である。   In Comparative Example 13 and Comparative Example 27, since the content of Si was small, the plating smoothness of the defect was acceptable, but the formation of the holes was small and the swelling was generated and the plating smoothness of the blister was not acceptable. . In addition, since the Si content in the raw material is extremely low, the cost is industrially high and application to mass production is difficult.

比較例14と比較例28では、Feの含有量が少ないため、欠陥のめっき平滑性は合格であったが、孔の形成が少なく膨れが発生して膨れのめっき平滑性は不合格であった。また、原料中のSi含有量を極度に低くすることから、工業的にはコスト高となり量産への適用は困難である。   In Comparative Example 14 and Comparative Example 28, since the content of Fe was small, the plating smoothness of the defect was acceptable, but the formation of the holes was small, and the swelling was generated and the plating smoothness of the blister was not acceptable. . In addition, since the Si content in the raw material is extremely low, the cost is industrially high and application to mass production is difficult.

比較例29と比較例37では、化合物除去工程に使用した薬液のHF濃度が低かったため化合物が十分に除去されなかった。その結果、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。   In Comparative Example 29 and Comparative Example 37, the compound was not sufficiently removed because the HF concentration of the drug solution used in the compound removing step was low. As a result, many defects and blisters occurred on the plated surface, and any plating smoothness was also rejected.

比較例30と比較例38では、化合物除去工程に使用する薬液のHF濃度が高過ぎたため、基板の溶解が激しく凹凸が多数発生した。その結果、めっき表面の欠陥が多く発生し、めっき平滑性(欠陥)が不合格であった。   In Comparative Example 30 and Comparative Example 38, since the HF concentration of the chemical solution used in the compound removing step was too high, the substrate was strongly dissolved and a large number of irregularities were generated. As a result, many defects of the plating surface were generated, and the plating smoothness (defect) was a failure.

比較例31と比較例39では、化合物除去工程に使用する薬液のHNO濃度が低かったため化合物が十分に除去されなかった。その結果、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。 In Comparative Example 31 and Comparative Example 39, the compound was not sufficiently removed because the HNO 3 concentration of the drug solution used in the compound removing step was low. As a result, many defects and blisters occurred on the plated surface, and any plating smoothness was also rejected.

比較例32と比較例40では、化合物除去工程に使用する薬液のHNO濃度が高過ぎたため化合物が十分に除去されなかった。その結果、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。 In Comparative Example 32 and Comparative Example 40, the compound was not sufficiently removed because the HNO 3 concentration of the drug solution used in the compound removing step was too high. As a result, many defects and blisters occurred on the plated surface, and any plating smoothness was also rejected.

比較例33と比較例41では、化合物除去工程に使用する薬液の温度が低かったために反応速度が遅く、化合物が十分に除去されなかった。その結果、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。   In Comparative Example 33 and Comparative Example 41, since the temperature of the chemical solution used in the compound removing step was low, the reaction rate was slow, and the compound was not sufficiently removed. As a result, many defects and blisters occurred on the plated surface, and any plating smoothness was also rejected.

比較例34と比較例42では、化合物除去工程に使用する薬液の温度が高かったために反応速度が速く、基板の溶解が激しく凹凸が多数発生した。その結果、めっき表面の膨れ矢印が多く発生し、めっき平滑性(膨れ)が不合格であった。   In Comparative Example 34 and Comparative Example 42, the reaction speed was fast because the temperature of the chemical solution used in the compound removing step was high, and the substrate was strongly dissolved, and a large number of irregularities were generated. As a result, many blistering arrows were generated on the plating surface, and the plating smoothness (blistering) was rejected.

比較例35と比較例43では、化合物除去工程の時間が短かったために反応時間が十分でなく、化合物が十分に除去されなかった。その結果、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。   In Comparative Example 35 and Comparative Example 43, the reaction time was not sufficient because the time for the compound removal step was short, and the compound was not sufficiently removed. As a result, many defects and blisters occurred on the plated surface, and any plating smoothness was also rejected.

比較例36と比較例44では、化合物除去工程の時間が長かったために反応が進行しすぎにより、基板の溶解が激しく凹凸が多数発生した。その結果、めっき表面の欠陥が多く生じ、めっき平滑性(欠陥)が不合格であった。   In Comparative Example 36 and Comparative Example 44, the reaction progressed excessively due to the long time of the compound removing step, and the substrate was strongly dissolved and a large number of irregularities were generated. As a result, many defects of the plating surface were generated, and the plating smoothness (defects) was rejected.

比較例45では、化合物除去工程を適用しない従来の無電解Ni−Pめっき工程であったために、化合物が十分に除去されなかった。その結果、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。   In Comparative Example 45, the compound was not sufficiently removed because it was the conventional electroless Ni-P plating step to which the compound removal step was not applied. As a result, many defects and blisters occurred on the plated surface, and any plating smoothness was also rejected.

本発明により、1枚当たりの記憶容量の増加と不良率の低減を可能とし、HDDの高容量化に寄与し、また安価に製造可能なアルミニウム合金製の磁気ディスクが得られる。   According to the present invention, it is possible to increase the storage capacity per sheet and to reduce the defect rate, to contribute to increase the capacity of the HDD, and to obtain a magnetic disk made of an aluminum alloy which can be manufactured inexpensively.

Claims (5)

Mg:2.5〜10.0mass%、Cu:0.003〜0.200mass%、Zn:0.05〜0.60mass%及びBe:0.00001〜0.00200mass%、Si:0.001〜0.500mass%、Fe:0.001〜0.500mass%を含有し、Cr:0.30mass%以下及びMn:0.50mass%以下に規制され、残部Al及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなるアルミニウム合金基材と、当該アルミニウム合金基材の表面に形成された無電解Ni−Pめっき層とを備え、前記アルミニウム合金基材の無電解Ni−Pめっき層側の表面において、3〜6μmの最大径を有する化合物の存在密度が300個/mm以下であり、かつ、開口径を(X)μm及び深さを(Y)μmとしたときのY/Xが0.8〜3.0となる孔が半径位置に80個/cm以上存在することを特徴とするアルミニウム合金製の磁気ディスク基板。 Mg: 2.5 to 10.0 mass%, Cu: 0.003 to 0.200 mass%, Zn: 0.05 to 0.60 mass% and Be: 0.00001 to 0.00200 mass%, Si: 0.001 to An aluminum alloy containing 0.500 mass%, Fe: 0.001 to 0.500 mass%, Cr: 0.30 mass% or less, and Mn: 0.50 mass% or less, the balance being Al and an unavoidable impurity An alloy base material and an electroless Ni-P plating layer formed on the surface of the aluminum alloy base material, and the surface of the aluminum alloy base material on the side of the electroless Ni-P plating layer has a maximum of 3 to 6 μm The existence density of the compound having a diameter is 300 / mm 2 or less, and the opening diameter is (X) μm and the depth is (Y) μm A magnetic disk substrate made of an aluminum alloy, wherein 80 or more holes having a Y / X of 0.8 to 3.0 exist at a radial position. 前記深さYが1.0〜5.0μmである、請求項1に記載のアルミニウム合金製の磁気ディスク基板。   The aluminum alloy magnetic disk substrate according to claim 1, wherein the depth Y is 1.0 to 5.0 μm. 請求項1又は2に記載のアルミニウム合金製の磁気ディスク基板の製造方法であって、前記アルミニウム合金の鋳造段階、熱間圧延段階及び冷間圧延段階をこの順序で含むアルミニウム合金板の調製工程と;当該アルミニウム合金板を円環状に打ち抜いた円環状アルミニウム合金板の加圧平坦化焼鈍段階、切削・研削加工段階及び歪取り加熱処理段階をこの順序で含むアルミニウム合金基材の調製工程と;当該アルミニウム合金基材のアルカリ脱脂処理段階、酸エッチング処理段階、デスマット処理段階及びジンケート処理段階をこの順序で含むめっき前処理工程と;当該めっき前処理工程を実施したアルミニウム合金基材表面に無電解Ni−Pめっき処理を実施する無電解Ni−Pめっき処理工程と;を備え、前記切削・研削加工段階の後であってジンケート処理段階の前において、10〜30℃の10〜60mass%のHNO溶液であって10〜80g/LのHFを含有するHNO/HFの混合溶液に前記アルミニウム合金基材を5〜60秒浸漬する化合物除去工程を更に備えることを特徴とするアルミニウム合金製の磁気ディスク基板の製造方法。 3. A method of manufacturing an aluminum alloy magnetic disk substrate according to claim 1, wherein the step of preparing the aluminum alloy plate includes the casting step, the hot rolling step and the cold rolling step of the aluminum alloy in this order. A step of preparing an aluminum alloy base material comprising, in this order, a pressure flattening annealing step, a cutting / grinding step and a strain removing heat treatment step of an annular aluminum alloy plate obtained by punching the aluminum alloy plate into an annular shape; A step of pre-plating treatment including an alkaline degreasing step, an acid etching step, a desmutting step and a zincate step in this order of the aluminum alloy base material; and electroless Ni on the surface of the aluminum alloy base member subjected to the plating pre-treatment step. -Electroless Ni-P plating process step to carry out P plating process; and after the cutting and grinding step There in front of zincate treatment stage, the aluminum alloy base in a mixed solution of HNO 3 / HF containing HF of 10~60Mass% of HNO 3 solution at a by 10 to 80 g / L of 10 to 30 ° C. 5 A method of manufacturing a magnetic disk substrate made of an aluminum alloy, further comprising a compound removal step of immersion for 60 seconds. 前記鋳造段階と熱間圧延段階の間に均質化処理段階と、前記冷間圧延段階の前又は途中の焼鈍処理段階との一方、或いは、両方を更に備える、請求項3に記載のアルミニウム合金製の磁気ディスク基板の製造方法。   The aluminum alloy according to claim 3, further comprising one or both of a homogenization treatment step between the casting step and the hot rolling step, and an annealing treatment step before or during the cold rolling step. Method of manufacturing a magnetic disk substrate. 請求項1又は2に記載のアルミニウム合金製の磁気ディスク基板の無電解Ni−Pめっき層上に磁性体層を備えることを特徴とする磁気ディスク。   A magnetic disk comprising a magnetic layer on the electroless Ni-P plating layer of the aluminum alloy magnetic disk substrate according to claim 1 or 2.
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