JP2019085591A - 基板処理装置及び成膜装置 - Google Patents
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Abstract
Description
基板が配置されるとともに放電ガスが導入されるチャンバと、
前記基板を前記チャンバ内で保持する基板ホルダと、
前記基板ホルダを前記チャンバ内で支持する基板ホルダ支持部と、
前記基板ホルダをカソードとし、少なくとも前記チャンバ及び前記基板ホルダ支持部をアノードとして、前記基板に電圧を印加する電圧印加手段と、
を備え、
前記電圧印加手段の電圧印加により発生する放電によって前記チャンバ内に発生させたイオン又は電子を前記基板の表面に照射することで、前記基板の表面処理を行う基板処理装置において、
前記基板ホルダと前記基板ホルダ支持部が、前記基板ホルダ及び前記基板ホルダ支持部に対して電気的に絶縁されたフローティング部を介して、連結されていることを特徴とする。
上記目的を達成するため、本発明の成膜装置は、
上記基板処理装置と、
前記基板処理装置によって表面処理が施された基板の表面に成膜処理を行う成膜処理部と、
を備えることを特徴とする。
<成膜装置の全体構成>
図4は、本発明の実施例に係る成膜装置1の全体構成を概略的に示した模式図である。成膜装置1は、成膜処理される基板2が収容されるストッカ室11と、基板2の加熱処理を行う加熱室12と、基板2の被処理面に成膜処理を行う成膜室13と、を備える。成膜室13には、成膜処理に先立って基板2の被処理面の洗浄等の前処理やエッチング処理を行うための基板処理装置14と、基板2の被処理面に成膜処理を行う成膜処理部としてのスパッタ装置15と、を備える。本実施例の成膜装置1では、基板2を縦にした状態(被処理面が垂直となる姿勢)で各室間を搬送する構成となっている(図1参照)。
Temperature Co−fired Ceramics:低温同時焼成セラミックス)等が挙げられる。
図1は、本実施例に係る基板処理装置14の全体構成を概略的に示す模式図である。図1(a)は、基板処理装置14の構成を基板2の搬送方向に見た構成図を含む概略図、図1(b)は、基板ホルダ及び基板ホルダ支持部の構成を基板2の被処理面21と対向する方向に見た模式図である。基板処理装置14は、成膜室13を構成するチャンバ41と、基板ホルダ42と、基板ホルダ支持部43と、電圧印加手段としてのマッチングボックス44及び高周波電源45と、圧力調整手段46と、ガス供給手段47と、を備える。
チャンバ41内に基板2が設置された状態において、ガス供給手段47によりチャンバ41内に放電ガスが供給されるとともに、真空ポンプ461等を備えた圧力調整手段46により、チャンバ41内の圧力が所定の圧力(例えば、0.3〜1.2Pa)に維持される。放電ガスとしては、例えば、O2、N2、Ar、CF3、NF3およびこれらの混合ガスや、大気などが挙げられる。基板ホルダ42は、給電部46を介してマッチングボックス44及び高周波電源45に接続されており、マッチングボックス44によりインピーダンス整合された所定の高周波電圧(例えば、50〜400W/210mm×320mm
(トレイ面積)=0.07〜0.60W/cm2(駆動パワー))が印加される。
図1〜図3を参照して、本実施例の優れた点について説明する。図2は、本実施例に係る基板処理装置14の特徴を、比較例と比較して説明するための模式図である。図2(a)は、本実施例に係る基板処理装置14の基板ホルダ42と基板ホルダ支持部43との連結部分の構成を示す模式図(図1(a)のフローティング部50周辺の拡大図)である。図2(b)は、本実施例に係る基板処理装置14の回路構成を模式的に示した回路図である。図2(c)は、比較例における基板ホルダ42と基板ホルダ支持部43との連結部分の構成を示す模式図である。図2(d)は、比較例における基板処理装置14の回路構成を模式的に示した回路図である。図3、比較例において形成されるプラズマ領域を示す模式図である(本実施例の図1(b)と比較するための図)。
本実施例で示した、カソード及びアノードに対して電気的に絶縁したフローティング部の設置箇所は、あくまで一例であり、フローティング部の好適な設置個所は装置構成によって異なるものである。すなわち、本実施例では、基板を縦にして搬送する装置構成となっており、アノードとなる基板ホルダ支持構成部との近傍領域となる基板下端部周辺にフローティング部を設ける必要があった。例えば、基板を平置きにして逆スパッタリング処理を行う装置構成においては、基板の周縁を囲むようにフローティング部を設けるようにしてもよい。あるいは、基板外周に沿った領域のうち必要な領域にのみ設ける、すなわち、アノードに連結された構成部のうち基板周縁に近接する一部分のみをフローティング部に変更する構成としてもよい。
Claims (10)
- 基板が配置されるとともに放電ガスが導入されるチャンバと、
前記基板を前記チャンバ内で保持する基板ホルダと、
前記基板ホルダを前記チャンバ内で支持する基板ホルダ支持部と、
前記基板ホルダをカソードとし、少なくとも前記チャンバ及び前記基板ホルダ支持部をアノードとして、前記基板に電圧を印加する電圧印加手段と、
を備え、
前記電圧印加手段の電圧印加により発生する放電によって前記チャンバ内に発生させたイオン又は電子を前記基板の表面に照射することで、前記基板の表面処理を行う基板処理装置において、
前記基板ホルダと前記基板ホルダ支持部が、前記基板ホルダ及び前記基板ホルダ支持部に対して電気的に絶縁されたフローティング部を介して、連結されていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記フローティング部は、基板の外周に沿った領域の少なくとも一部に配置されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記フローティング部は、前記基板ホルダ支持部と、前記基板の周縁のうち前記基板ホルダ支持部に近い部分と、の間に配置されることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記基板ホルダは、前記基板を被処理面が垂直となるように保持し、
前記フローティング部は、前記基板の下端部の下方に配置されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記フローティング部は、前記基板の下端部に対してその全域に渡って近接する部分を有することを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記フローティング部は、前記基板ホルダ及び前記基板ホルダ支持部に対して絶縁部材を介して連結されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記フローティング部は、金属製の板状部材であり、基板の被処理面と平行に配置されることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記チャンバ内に配置される防着板をさらに備え、
前記防着板は、前記アノードに含まれることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記基板ホルダ支持部は、前記チャンバ内を移動可能に構成されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の基板処理装置と、
前記基板処理装置によって表面処理が施された基板の表面に成膜処理を行う成膜処理部と、
を備えることを特徴とする成膜装置。
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JP2009246392A (ja) * | 2009-07-27 | 2009-10-22 | Canon Anelva Corp | 基板処理装置 |
JP2011068918A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及びプラズマ成膜装置 |
JP2018076561A (ja) * | 2016-11-10 | 2018-05-17 | 株式会社アルバック | 成膜方法及び成膜装置 |
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---|---|---|---|---|
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JP2006083459A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Alps Electric Co Ltd | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
CN100539000C (zh) * | 2004-12-03 | 2009-09-09 | 东京毅力科创株式会社 | 电容耦合型等离子体处理装置 |
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Patent Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JP2009246392A (ja) * | 2009-07-27 | 2009-10-22 | Canon Anelva Corp | 基板処理装置 |
JP2011068918A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及びプラズマ成膜装置 |
JP2018076561A (ja) * | 2016-11-10 | 2018-05-17 | 株式会社アルバック | 成膜方法及び成膜装置 |
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