JP2019070845A - Display device - Google Patents

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Abstract

To efficiently arrange a plurality of wires in a frame area of a display device.SOLUTION: A circuit part of a display device LCD1 comprises: a display element part in which a plurality of display elements are arranged in a position overlapping with a display area where a display function layer is formed; an input part which transmits a signal for driving the display function layer on the display element part; and a lead-out wiring part LD electrically connecting the display element part and the input part. The lead-out wiring part LD includes a plurality of laminated wiring layers and the plurality of wiring layers include a wiring layer L1 on which a plurality of wires WL1 of wiring width W1 are formed and a wiring layer L2 on which a plurality of wires WL2 of wiring width W2 narrower than the wiring width W1 are formed. The number of the plurality of wires WL2 is greater than the number of the plurality of wires WL1.SELECTED DRAWING: Figure 10

Description

本発明は、表示装置に関し、例えば、表示領域に形成された複数の表示素子に信号を伝送する複数の引出配線を有する表示装置に適用して有効な技術に関する。   The present invention relates to a display device, for example, to a technology effectively applied to a display device having a plurality of lead wirings for transmitting signals to a plurality of display elements formed in a display region.

表示領域に形成された複数の表示素子に複数の引出配線を介して信号を伝送し、画像を表示させる表示装置がある。   There is a display device which transmits a signal to a plurality of display elements formed in a display region via a plurality of lead wirings and displays an image.

例えば、特開2007−164219号公報(特許文献1)には、画素領域に形成された複数のゲート線に接続される複数のゲート接続線を、複数の配線層に形成する技術が記載されている。   For example, Japanese Patent Laid-Open No. 2007-164219 (Patent Document 1) describes a technique for forming a plurality of gate connection lines connected to a plurality of gate lines formed in a pixel region in a plurality of wiring layers. There is.

特開2007−164219号公報JP 2007-164219 A

表示装置は、例えば、液晶層、あるいはエレクトロルミネッセンスを利用する発光層、などの表示機能層を有する。また、表示装置は、表示領域に形成されたトランジスタなどの複数の表示素子を有する。表示装置では、複数の表示素子に信号を伝送し、表示素子を駆動することにより、画像を表示する。   The display device includes, for example, a display functional layer such as a liquid crystal layer or a light emitting layer using electroluminescence. In addition, the display device includes a plurality of display elements such as transistors formed in a display region. In a display device, signals are transmitted to a plurality of display elements, and an image is displayed by driving the display elements.

上記複数の表示素子に信号を伝送するためには、多数の信号線が必要になる。信号線の数は、表示画像の高精細化に伴って増大する。また、表示装置に対しては、表示領域の周囲を囲む非表示部分である周辺領域、あるいは額縁領域と呼ばれる部分の面積を低減する技術が要求されている。額縁領域には、信号線に接続され、信号線に信号を供給する引出線が形成されている。つまり、表示装置の性能を向上させるためには、額縁領域において、多数の引出線が効率的にレイアウトされている必要がある。   In order to transmit signals to the plurality of display elements, a large number of signal lines are required. The number of signal lines increases as the definition of the display image increases. In addition, for a display device, a technique for reducing the area of a peripheral region which is a non-display portion surrounding the periphery of a display region or a portion called a frame region is required. In the frame area, a lead that is connected to the signal line and supplies a signal to the signal line is formed. That is, in order to improve the performance of the display device, a large number of lead lines need to be efficiently laid out in the frame area.

そこで、本願発明者は、絶縁膜を介して積層された複数の配線層に多数の引出線を割り振って設けることにより、引出線の配線密度を向上させる技術に関して検討を行い、以下の課題を見出した。なお、引出線は表示領域の信号線に接続しており、信号線の一部であるとも考えられるため、以下、引出線を信号線とも称する。   Therefore, the inventor of the present application studies a technique for improving the wiring density of the lead wires by allocating and providing a large number of lead wires in the plurality of wiring layers stacked via the insulating film, and finds the following problems. The Note that the leader line is connected to the signal line in the display area, and is considered to be a part of the signal line, so the leader line is hereinafter also referred to as a signal line.

すなわち、複数の信号線を積層する場合、各信号線が互いに干渉し、ノイズの影響を受ける原因になる。また、製造プロセス上の理由などにより、配線幅や配線間距離の最小値を規定する設計ルールが、配線層毎に異なる場合、上層の配線層に形成された配線と、下層の配線層に形成された配線とが、交互に配列されるようにすると、信号線の配線密度を十分に向上させることができない場合があることが判った。   That is, when a plurality of signal lines are stacked, the signal lines interfere with each other, which causes noise. In addition, when the design rule for defining the minimum value of the wiring width and the distance between the wirings is different for each wiring layer due to the reason for the manufacturing process, etc., the wiring formed in the upper wiring layer and the wiring layer in the lower layer are formed. It has been found that, if the arranged wirings are alternately arranged, it may not be possible to sufficiently improve the wiring density of the signal lines.

本発明の目的は、表示装置の額縁領域において、複数の配線を効率的に配列する技術を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a technique for efficiently arranging a plurality of wirings in a frame region of a display device.

本発明の一態様である表示装置は、第1面を備える基板と、前記基板の前記第1面に設けられた表示機能層と、前記基板の前記第1面に形成され、前記表示機能層を駆動する回路部と、を有し、
前記第1面は、前記表示機能層を駆動するための複数の表示素子が配列された表示素子部と、前記表示素子部に供給される信号が入力される入力部と、前記表示素子部と前記入力部とを電気的に接続する引出配線部と、を有し、
前記引出配線部は、絶縁膜を介して積層された複数の配線層を有し、
前記複数の配線層には、第1の配線幅の複数の第1配線が形成された第1配線層と、前記第1の配線幅よりも狭い第2の配線幅の複数の第2配線が形成された第2配線層と、が含まれ、
前記複数の第2配線の数は、前記複数の第1配線の数よりも多い。
A display device according to an aspect of the present invention includes a substrate including a first surface, a display functional layer provided on the first surface of the substrate, and the display functional layer formed on the first surface of the substrate. And a circuit unit for driving the
The first surface includes a display element unit in which a plurality of display elements for driving the display functional layer are arranged, an input unit to which a signal supplied to the display element unit is input, and the display element unit And a lead-out wiring portion electrically connected to the input portion;
The lead wiring portion has a plurality of wiring layers stacked via an insulating film,
In the plurality of wiring layers, a first wiring layer in which a plurality of first wirings having a first wiring width is formed, and a plurality of second wirings having a second wiring width narrower than the first wiring width are provided. And the formed second wiring layer,
The number of the plurality of second wires is greater than the number of the plurality of first wires.

また、他の一態様として、前記基板の前記第1面は、第1方向に沿って延びる第1辺、前記第1辺の反対側に位置する第2辺、前記第1方向に直交する第2方向に沿って延びる第3辺、および前記第3辺の反対側に位置する第4辺を備え、
前記基板の前記第1辺と前記表示素子部との間には、前記第1辺側から前記入力部、および前記引出配線部が順に設けられ、
前記第1方向における前記入力部の長さは、前記第1方向における前記表示素子部の長さよりも短くても良い。
Further, as another aspect, the first surface of the substrate has a first side extending in a first direction, a second side located opposite to the first side, and a second side orthogonal to the first direction. A third side extending in two directions, and a fourth side opposite to the third side,
Between the first side of the substrate and the display element portion, the input portion and the lead-out wiring portion are sequentially provided from the first side.
The length of the input portion in the first direction may be shorter than the length of the display element portion in the first direction.

また、他の一態様として、前記基板の前記第1面は、第1方向に沿って延びる第1辺、前記第1辺の反対側に位置する第2辺、前記第1方向に直交する第2方向に沿って延びる第3辺、および前記第3辺の反対側に位置する第4辺を備え、
前記引出配線部は、
前記表示素子部と前記入力部との間において、前記複数の第1配線および前記複数の第2配線を含む複数の引出配線が前記第2方向に沿って延びる第1部分と、
前記第1部分と前記入力部との間において、前記複数の引出配線が前記第2方向および前記第1方向と交差する第3方向に沿って延びる第2部分と、
前記第2部分と前記入力部との間において、前記複数の引出配線が前記第2方向に沿って延びる第3部分と、
を有し、
平面視において、前記複数の第1配線と、前記複数の第2配線とは互いに重ならなくても良い。
Further, as another aspect, the first surface of the substrate has a first side extending in a first direction, a second side located on the opposite side of the first side, and a first side orthogonal to the first direction. A third side extending in two directions, and a fourth side opposite to the third side,
The lead wiring portion is
A first portion between the display element portion and the input portion, the plurality of lead wirings including the plurality of first wirings and the plurality of second wirings extending in the second direction;
Between the first portion and the input portion, a second portion extending along a third direction in which the plurality of lead-out lines intersect the second direction and the first direction;
A third portion between the second portion and the input portion, the plurality of lead wirings extending in the second direction;
Have
In a plan view, the plurality of first wirings and the plurality of second wirings may not overlap with each other.

また、他の一態様として、前記引出配線部の前記第2部分において、
前記複数の第1配線は、第1離間距離で配列され、
前記複数の第2配線は、前記第1離間距離よりも小さい第2離間距離で配列されていても良い。
Further, as another aspect, in the second portion of the lead-out wiring portion,
The plurality of first wires are arranged at a first distance,
The plurality of second wires may be arranged at a second separation distance smaller than the first separation distance.

また、他の一態様として、平面視において、前記複数の第1配線のうち、隣り合う第1配線の間には、前記複数の第2配線がそれぞれ複数本ずつ配列されていても良い。   As another aspect, in plan view, a plurality of the plurality of second wirings may be respectively arranged between the adjacent first wirings among the plurality of first wirings.

また、他の一態様として、前記表示素子部に配列された前記複数の表示素子のそれぞれは、ゲート電極を有するトランジスタであって、
前記ゲート電極は、前記第1配線層と同層に形成されていても良い。
In another aspect, each of the plurality of display elements arranged in the display element portion is a transistor having a gate electrode,
The gate electrode may be formed in the same layer as the first wiring layer.

また、他の一態様として、前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とは、互いに異なる種類の金属材料により形成されていても良い。   Further, as another aspect, the plurality of first wirings and the plurality of second wirings may be formed of metal materials of different types.

また、他の一態様として、前記複数の配線層には、前記第2の配線幅よりも広い第3の配線幅の複数の第3配線が形成された第3配線層がさらに含まれ、
前記複数の第2配線の数は、前記複数の第3配線の数よりも多くても良い。
Further, as another aspect, the plurality of wiring layers further include a third wiring layer in which a plurality of third wirings having a third wiring width wider than the second wiring width is formed,
The number of the plurality of second wires may be larger than the number of the plurality of third wires.

また、他の一態様として、前記第1配線層と前記第2配線層との間には、第1絶縁膜が設けられ、
前記第2配線層と前記第3配線層との間には、前記第1絶縁膜よりも厚い第2絶縁膜が設けられ、
平面視において、前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とは互いに重ならず、かつ、前記複数の第3配線は、前記複数の第1配線および前記複数の第2配線のうちの一部と重なっていても良い。
In another embodiment, a first insulating film is provided between the first wiring layer and the second wiring layer.
A second insulating film thicker than the first insulating film is provided between the second wiring layer and the third wiring layer,
In a plan view, the plurality of first wires and the plurality of second wires do not overlap each other, and the plurality of third wires are selected from the plurality of first wires and the plurality of second wires. It may overlap with part.

また、他の一態様として、平面視において、前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とは互いに重ならず、前記複数の第2配線と前記複数の第3配線とは互いに重ならず、かつ、前記複数の第3配線は、前記複数の第1配線と重なっていても良い。   In another aspect, the plurality of first wires and the plurality of second wires do not overlap each other in plan view, and the plurality of second wires and the plurality of third wires overlap each other. Alternatively, the plurality of third wires may overlap the plurality of first wires.

また、他の一態様として、前記基板の前記第1面は、第1方向に沿って延びる第1辺、前記第1辺の反対側に位置する第2辺、前記第1方向に直交する第2方向に沿って延びる第3辺、および前記第3辺の反対側に位置する第4辺を備え、
前記引出配線部は、
前記表示素子部と前記入力部との間において、前記複数の第1配線、前記複数の第2配線、および前記複数の第3配線を含む複数の引出配線が前記第2方向に沿って延びる第1部分と、
前記第1部分と前記入力部との間において、前記複数の引出配線が前記第2方向および前記第1方向と交差する第3方向に沿って延びる第2部分と、
前記第2部分と前記入力部との間において、前記複数の引出配線が前記第2方向に沿って延びる第3部分と、
を有し、
前記第1配線層と前記第2配線層との間には、無機絶縁膜である第1絶縁膜が設けられ、
前記第2配線層と前記第3配線層との間には、有機絶縁膜である第2絶縁膜が設けられ、
前記引出配線部の前記第3部分には、前記第2絶縁膜を厚さ方向に貫通するように前記第1方向に沿って延びる開口部が設けらていても良い。
Further, as another aspect, the first surface of the substrate has a first side extending in a first direction, a second side located on the opposite side of the first side, and a first side orthogonal to the first direction. A third side extending in two directions, and a fourth side opposite to the third side,
The lead wiring portion is
Between the display element portion and the input portion, a plurality of lead wirings including the plurality of first wirings, the plurality of second wirings, and the plurality of third wirings extend along the second direction. One part,
Between the first portion and the input portion, a second portion extending along a third direction in which the plurality of lead-out lines intersect the second direction and the first direction;
A third portion between the second portion and the input portion, the plurality of lead wirings extending in the second direction;
Have
A first insulating film which is an inorganic insulating film is provided between the first wiring layer and the second wiring layer,
A second insulating film which is an organic insulating film is provided between the second wiring layer and the third wiring layer,
The third portion of the lead-out wiring portion may be provided with an opening extending along the first direction so as to penetrate the second insulating film in the thickness direction.

また、他の一態様である表示装置は、第1面を備える基板と、前記基板の前記第1面に形成された表示機能層と、前記基板の前記第1面に形成され、前記表示機能層を駆動する回路部と、を有し、
前記回路部は、前記表示機能層が形成された表示領域と重なる位置に複数の表示素子が配列された表示素子部と、前記表示素子部に前記表示機能層を駆動する信号を伝送する入力部と、前記表示素子部と前記入力部とを電気的に接続する引出配線部と、を有し、
前記引出配線部は、積層された複数の配線層を有し、
前記複数の配線層には、第1離間距離で複数の第1配線が形成された第1配線層と、前記第1離間距離よりも小さい第2離間距離で複数の第2配線が形成された第2配線層と、が含まれ、
前記複数の第2配線の数は、前記複数の第1配線の数よりも多い。
Moreover, the display apparatus which is the other one aspect | mode is formed in the said 1st surface of the board | substrate provided with a 1st surface, the display functional layer formed in the said 1st surface of the said board | substrate, and the said substrate, The said display function And circuitry for driving the layer;
The circuit unit is a display element unit in which a plurality of display elements are arranged at a position overlapping the display region in which the display function layer is formed, and an input unit for transmitting a signal for driving the display function layer to the display element unit. And a lead-out wiring portion electrically connecting the display element portion and the input portion;
The lead wiring portion has a plurality of stacked wiring layers,
In the plurality of wiring layers, a first wiring layer in which a plurality of first wires are formed at a first distance and a plurality of second wires are formed in a second distance smaller than the first distance. And a second wiring layer,
The number of the plurality of second wires is greater than the number of the plurality of first wires.

実施の形態の表示装置の一例を示す平面図である。It is a top view showing an example of a display of an embodiment. 図1のA−A線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the AA of FIG. 図2のB部の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the B section of FIG. 図2のC部の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the C section of FIG. 図1に示す引出配線部のレイアウトを模式的に示す拡大平面図である。It is an enlarged plan view which shows typically the layout of the lead-out wiring part shown in FIG. 図1に示す引出配線部において、複数の配線を二層の配線層で引き回した場合のレイアウト例を示す拡大平面図である。FIG. 7 is an enlarged plan view showing a layout example in the case where a plurality of wirings are drawn by two wiring layers in the lead wiring portion shown in FIG. 1; 図6に対応する検討例であって、複数の配線を単層の配線層で引き回した場合のレイアウト例を示す拡大平面図である。It is a study example corresponding to FIG. 6, which is an enlarged plan view showing a layout example in the case where a plurality of wires are drawn by a single layer wiring layer. 図6に対応する別の検討例であって、複数の配線を二層の配線層で引き回した場合のレイアウト例を示す拡大平面図である。It is another study example corresponding to FIG. 6, which is an enlarged plan view showing a layout example in the case where a plurality of wirings are routed by two wiring layers. 図8のA−A線に沿った拡大断面図である。It is an expanded sectional view along the AA line of FIG. 図6のA−A線に沿った拡大断面図である。It is an expanded sectional view along the AA line of FIG. 図1に示す表示素子部に設けられた表示素子の構造例を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the structural example of the display element provided in the display element part shown in FIG. 図6および図10に示す第一層目の配線層の配線と第二層目の配線層の配線とを電気的に接続する構造例を示す拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view showing a structural example of electrically connecting the wiring of the first wiring layer and the wiring of the second wiring layer shown in FIGS. 6 and 10; 図6に対する変形例であって、複数の配線を三層の配線層で引き回した場合のレイアウト例を示す拡大平面図である。FIG. 7 is an enlarged plan view showing a layout example in the case where a plurality of wirings are drawn by three wiring layers, which is a modification of FIG. 6; 図13のA−A線に沿った拡大断面図である。It is an expanded sectional view along the AA of FIG. 図13に対する変形例であって、複数の配線のうちの一部が、厚さ方向に重なっている場合のレイアウト例を示す拡大平面図である。FIG. 14 is an enlarged plan view showing a layout example in the case where some of the plurality of wires overlap in the thickness direction, which is a modification example of FIG. 13; 図15のA−A線に沿った拡大断面図である。It is an expanded sectional view along the AA of FIG. 図13および図15に示す表示装置において、複数の配線層の配線を電気的に接続する部分の構造例を示す拡大断面図である。FIG. 18 is an enlarged cross-sectional view showing a structural example of a portion for electrically connecting the wirings of a plurality of wiring layers in the display device shown in FIGS. 13 and 15;

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一または関連する符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The disclosure is merely an example, and it is naturally included within the scope of the present invention as to what can be easily conceived of by those skilled in the art as to appropriate changes while maintaining the gist of the invention. In addition, the drawings may be schematically represented as to the width, thickness, shape, etc. of each portion in comparison with the actual embodiment in order to clarify the description, but this is merely an example, and the interpretation of the present invention is not limited. It is not limited. In the specification and the drawings, the same or related reference numerals are given to the same elements as those described above with reference to the drawings, and the detailed description may be appropriately omitted.

また、以下の実施の形態で説明する技術は、表示機能層が設けられた表示領域の複数の素子に、表示領域の周囲から信号を供給する機構を備える表示装置に広く適用可能である。上記のような表示装置には、例えば、液晶表示装置、有機EL(Electro-Luminescence)表示装置など、種々の表示装置が例示できる。以下の実施の形態では、表示装置の代表例として、液晶表示装置を取り上げて説明する。   Further, the technology described in the following embodiment can be widely applied to a display device provided with a mechanism for supplying a signal from the periphery of the display area to a plurality of elements in the display area provided with the display functional layer. Examples of the display device as described above include various display devices such as a liquid crystal display device and an organic EL (Electro-Luminescence) display device. In the following embodiments, a liquid crystal display device will be described as a representative example of a display device.

また、液晶表示装置は、表示機能層である液晶層の液晶分子の配向を変化させるための電界の印加方向により、大きくは以下の2通りに分類される。すなわち、第1の分類として、表示装置の厚さ方向(あるいは面外方向)に電界が印加される、所謂、縦電界モードがある。縦電界モードには、例えばTN(Twisted Nematic)モードや、VA(Vertical Alignment)モードなどがある。また、第2の分類として、表示装置の平面方向(あるいは面内方向)に電界が印加される、所謂、横電界モードがある。横電界モードには、例えばIPS(In-Plane Switching)モードや、IPSモードの一つであるFFS(Fringe Field Switching)モードなどがある。以下で説明する技術は、縦電界モードおよび横電界モードのいずれにも適用できるが、以下で説明する実施の形態では、一例として、横電界モードの表示装置を取り上げて説明する。   Liquid crystal display devices are roughly classified into the following two types according to the application direction of an electric field for changing the alignment of liquid crystal molecules of a liquid crystal layer which is a display functional layer. That is, as a first classification, there is a so-called vertical electric field mode in which an electric field is applied in the thickness direction (or the out-of-plane direction) of the display device. The vertical electric field mode includes, for example, a TN (Twisted Nematic) mode and a VA (Vertical Alignment) mode. In addition, as a second classification, there is a so-called horizontal electric field mode in which an electric field is applied in the plane direction (or in-plane direction) of the display device. The horizontal electric field mode includes, for example, an IPS (In-Plane Switching) mode, and an FFS (Fringe Field Switching) mode which is one of the IPS modes. The techniques described below can be applied to any of the vertical electric field mode and the horizontal electric field mode, but in the embodiments described below, the display device of the horizontal electric field mode will be described by way of example.

<表示装置の基本構成>
まず、表示装置の基本構成について説明する。図1は、本実施の形態の表示装置の一例を示す平面図、図2は図1のA−A線に沿った断面図である。また、図3は、図2のB部の拡大断面図である。また、図4は、図2のC部の拡大断面図である。
<Basic Configuration of Display Device>
First, the basic configuration of the display device will be described. FIG. 1 is a plan view showing an example of the display device of the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a portion B of FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a portion C of FIG.

なお、図1では、平面視における表示部DPと額縁部(周辺部)FLの境界を見やすくするため、表示部DPの輪郭を二点鎖線で示している。また、図1に示す複数の配線WLは、表示部DPの周辺領域から表示部DPと重なる領域まで延びている。しかし、図1では見易さのため、表示部DPと重なる領域では、配線WLの図示を省略している。また、図2は断面図であるが、見易さのためにハッチングは省略した。   In FIG. 1, the contour of the display unit DP is indicated by a two-dot chain line in order to make it easy to see the boundary between the display unit DP and the frame unit (peripheral unit) FL in plan view. In addition, the plurality of wirings WL illustrated in FIG. 1 extend from the peripheral region of the display unit DP to a region overlapping the display unit DP. However, in FIG. 1, the wiring WL is omitted in a region overlapping with the display portion DP for easy viewing. Further, FIG. 2 is a cross-sectional view, but hatching is omitted for easy viewing.

図1に示すように、本実施の形態の表示装置LCD1は、入力信号に応じて外部から視認可能な画像が形成される表示領域である表示部DPを有する。また、表示装置LCD1は、平面視において、表示部DPの周囲に枠状に設けられた非表示領域である額縁部FLを有する。なお、本表示装置の表示領域は矩形形状を有しているが、表示領域が多角形や円形であってもよい。また、表示領域が表示装置の端部近傍まで延在するものであってもよい。この場合、表示領域の周辺領域は額縁形状とはならないが、この場合であっても額縁部と称する。   As shown in FIG. 1, the display device LCD 1 according to the present embodiment has a display unit DP which is a display region in which an image visually recognizable from the outside is formed according to an input signal. In addition, the display device LCD1 has a frame portion FL which is a non-display region provided in a frame shape around the display portion DP in plan view. Although the display area of the present display device has a rectangular shape, the display area may be a polygon or a circle. Further, the display area may extend to the vicinity of the end portion of the display device. In this case, the peripheral area of the display area does not have a frame shape, but even in this case, it is referred to as a frame portion.

また、表示装置LCD1は、対向配置される一対の基板の間に、表示機能層である液晶層が形成された構造を備える。すなわち、図2に示すように、表示装置LCD1は、表示面側の基板FS、基板FSの反対側に位置する基板BS、および基板FSと基板BSの間に配置される液晶層LCL(図3参照)を有する。   Further, the display device LCD 1 has a structure in which a liquid crystal layer which is a display function layer is formed between a pair of substrates disposed opposite to each other. That is, as shown in FIG. 2, the display device LCD 1 includes a substrate FS on the display surface side, a substrate BS located on the opposite side of the substrate FS, and a liquid crystal layer LCL disposed between the substrate FS and the substrate BS (FIG. 3). See).

また、図1に示す基板BSは、平面視において、X方向に沿って延びる辺BSs1、辺BSs1に対向する辺BSs2、X方向に対して直交するY方向に沿って延びる辺BSs3、および辺BSs3に対向する辺BSs4を有する。図1に示す基板BSが有する辺BSs2、辺BSs3、および辺BSs4のそれぞれから表示部DPまでの距離は、同程度であって、辺BSs1から表示部DPまでの距離よりも短い。以下、本願において、基板BSの周縁部と記載した場合には、基板BSの外縁を構成する辺BSs1、辺BSs2、辺BSs3、および辺BSs4のうちのいずれかを意味する。また、単に周縁部と記載した場合には、基板BSの周縁部を意味する。   Further, in plan view, the substrate BS shown in FIG. 1 has a side BSs1 extending along the X direction, a side BSs2 opposite to the side BSs1, a side BSs3 extending along the Y direction orthogonal to the X direction, and a side BSs3. And the side BSs4 opposite to. The distances from the side BSs2, the side BSs3, and the side BSs4 of the substrate BS shown in FIG. 1 to the display part DP are approximately the same and shorter than the distance from the side BSs1 to the display part DP. Hereinafter, in the present application, when the peripheral portion of the substrate BS is described, one of the side BSs1, the side BSs2, the side BSs3, and the side BSs4 that constitute the outer edge of the substrate BS is meant. Moreover, when it only describes as a peripheral part, the peripheral part of board | substrate BS is meant.

また、図1に示す表示部DPに設けられた液晶層LCLは、回路部CCに印加される信号に応じて画素(詳しくはサブピクセル)毎に駆動される。   Further, the liquid crystal layer LCL provided in the display unit DP shown in FIG. 1 is driven for each pixel (specifically, a sub-pixel) in accordance with a signal applied to the circuit unit CC.

回路部CCは、表示部DPと重なる位置に複数の表示素子が配列された表示素子部DPQに接続される。表示素子部DPQに設けられた複数の表示素子は、画素(詳しくはサブピクセル)毎に行列状に設けられ、スイッチング動作をする。本実施の形態では、複数の表示素子は、基板に形成されたTFT(Thin-Film Transistor)と呼ばれるトランジスタである。   The circuit unit CC is connected to a display element unit DPQ in which a plurality of display elements are arranged at a position overlapping with the display unit DP. The plurality of display elements provided in the display element unit DPQ are provided in a matrix for each pixel (specifically, sub-pixel) and perform switching operation. In this embodiment, the plurality of display elements are transistors called thin film transistors (TFTs) formed on a substrate.

また、回路部CCは、表示部DPの周囲の額縁部FLに設けられ、表示素子部DPQの複数の表示素子と電気的に接続される複数の配線WLが含まれる。また、表示機能層を駆動する回路部CCには、表示素子部DPQと電気的に接続され、複数の配線WLを介して表示素子部DPQの複数の表示素子に駆動信号や映像信号を入力する、入力部IPCが含まれる。図1に示す例では、入力部IPCには、画像表示用の駆動回路DR1や制御回路CNT1が形成された半導体チップCHPが搭載されている。   In addition, the circuit portion CC is provided in the frame portion FL around the display portion DP, and includes a plurality of wirings WL electrically connected to a plurality of display elements of the display element portion DPQ. The circuit portion CC for driving the display functional layer is electrically connected to the display element portion DPQ, and inputs driving signals and video signals to the plurality of display elements of the display element portion DPQ through the plurality of wirings WL. , Input part IPC is included. In the example shown in FIG. 1, the semiconductor chip CHP in which the drive circuit DR1 for image display and the control circuit CNT1 are formed is mounted on the input unit IPC.

また、図1に示す例では、入力部IPCは、表示装置LCD1の額縁部FLのうち、基板BSの辺BSs1と表示部DPとの間に設けられている。また、基板BSの辺BSs1と表示部DPとの間には、複数の配線WLが形成された引出配線部LDが設けられている。表示素子部DPQと入力部IPCとは、引出配線部LDを介して電気的に接続されている。引出配線部LDの詳細な構造については、後述する。   Further, in the example illustrated in FIG. 1, the input unit IPC is provided between the side BSs1 of the substrate BS and the display unit DP in the frame unit FL of the display device LCD1. Further, between the side BSs1 of the substrate BS and the display unit DP, a lead-out wiring portion LD in which a plurality of wirings WL are formed is provided. The display element unit DPQ and the input unit IPC are electrically connected via the lead-out wiring unit LD. The detailed structure of the lead-out wiring portion LD will be described later.

また、表示装置LCD1は、平面視において、額縁部FLに形成されたシール部を有する。シール部は、表示部DPの周囲を連続的に囲むように形成され、図2に示す基板FSと基板BSは、シール部に設けられるシール材より接着固定される。このように、表示部DPの周囲にシール部を設けることで、表示機能層である液晶層LCL(図3参照)を封止することができる。   Further, the display device LCD 1 has a seal portion formed in the frame portion FL in a plan view. The seal portion is formed so as to continuously surround the periphery of the display portion DP, and the substrate FS and the substrate BS shown in FIG. 2 are adhesively fixed by the seal material provided in the seal portion. Thus, the liquid crystal layer LCL (see FIG. 3), which is a display function layer, can be sealed by providing the seal portion around the display portion DP.

また、図2に示すように、表示装置LCD1の基板BSの背面BSb側には、光源LSから発生した光を偏光する偏光板PL2が設けられている。偏光板PL2は、基板BSに固定されている。一方、基板FSの前面FSf側には、偏光板PL1が設けられている。偏光板PL1は、基板FSに固定されている。   Further, as shown in FIG. 2, on the back surface BSb side of the substrate BS of the display device LCD1, a polarizing plate PL2 for polarizing the light generated from the light source LS is provided. The polarizing plate PL2 is fixed to the substrate BS. On the other hand, on the front surface FSf side of the substrate FS, a polarizing plate PL1 is provided. The polarizing plate PL1 is fixed to the substrate FS.

なお、図2では、表示画像を形成するための基本的な構成部品を例示的に示しているが、変形例としては図2に示す構成部品に加えて、他の部品を追加することができる。例えば、偏光板PL1を傷や汚れなどから保護する保護層として、保護フィルムやカバー部材を偏光板PL1の前面側に取り付けても良い。また例えば、偏光板PL1及び偏光板PL2に、位相差板などの光学素子を貼り付ける実施態様に適用することができる。あるいは、基板FS及び基板BSのそれぞれに、光学素子を成膜する方法を適用することができる。   Although FIG. 2 exemplarily shows basic components for forming a display image, as a modification, in addition to the components shown in FIG. 2, other components can be added. . For example, a protective film or a cover member may be attached to the front side of the polarizing plate PL1 as a protective layer for protecting the polarizing plate PL1 from scratches, dirt and the like. For example, it can apply to the embodiment which sticks optical elements, such as a phase difference plate, to polarizing plate PL1 and polarizing plate PL2. Alternatively, a method of forming an optical element on each of the substrate FS and the substrate BS can be applied.

また、図3に示すように、表示装置LCD1は、基板FSと基板BSの間に配置される複数の画素電極PE、および共通電極CEを有する。本実施の形態の表示装置LCD1は、上記したように横電界モードの表示装置なので、複数の画素電極PEおよび共通電極CEは、それぞれ基板BSに形成されている。   Further, as shown in FIG. 3, the display device LCD 1 has a plurality of pixel electrodes PE disposed between the substrate FS and the substrate BS, and a common electrode CE. Since the display device LCD1 of the present embodiment is a display device of the transverse electric field mode as described above, the plurality of pixel electrodes PE and the common electrode CE are respectively formed on the substrate BS.

図3に示す、基板BSは、ガラス基板などから成る基材BSgを有し、主として画像表示用の回路が基材BSgに形成されている。基板BSは、基板FS側に位置する前面BSfおよびその反対側に位置する背面BSb(図2参照)を有する。また、基板BSの前面BSf側には、TFTなどの表示素子と、複数の画素電極PEがマトリクス状に形成されている。   The substrate BS shown in FIG. 3 has a base material BSg made of a glass substrate or the like, and a circuit mainly for image display is formed on the base material BSg. The substrate BS has a front surface BSf located on the substrate FS side and a back surface BSb (see FIG. 2) located on the opposite side. Further, on the front surface BSf side of the substrate BS, a display element such as a TFT and a plurality of pixel electrodes PE are formed in a matrix.

図3に示す例は、横電界モード(詳しくはFFSモード)の表示装置LCD1を示しているので、共通電極CEは、基板BSが備える基材BSgの前面側に形成され、絶縁膜(絶縁層)OC2に覆われる。また、複数の画素電極PEは、絶縁膜OC2を介して共通電極CEと対向するように絶縁膜OC2の基板FS側に形成される。   Since the example shown in FIG. 3 shows the display device LCD1 in the lateral electric field mode (specifically, the FFS mode), the common electrode CE is formed on the front side of the base material BSg provided in the substrate BS, and the insulating film (insulating layer ) Covered by OC2. Further, the plurality of pixel electrodes PE are formed on the substrate FS side of the insulating film OC2 so as to face the common electrode CE via the insulating film OC2.

また、図3に示す基板FSは、ガラス基板などから成る基材FSgに、カラー表示の画像を形成するカラーフィルタCFが形成された基板であって、表示面側である前面FSf(図2参照)および前面FSfの反対側に位置する背面FSbを有する。基板FSのように、カラーフィルタCFが形成された基板は、上記したTFTが形成されたTFT基板と区別する際に、カラーフィルタ基板、あるいは、液晶層を介してTFT基板と対向するため、対向基板と呼ばれる。なお、図3に対する変形例としては、カラーフィルタCFをTFT基板に設ける構成を採用しても良い。   A substrate FS shown in FIG. 3 is a substrate on which a color filter CF for forming a color display image is formed on a base material FSg made of a glass substrate or the like, and is a front surface FSf on the display surface side (see FIG. 2). And a back surface FSb opposite to the front surface FSf. Like the substrate FS, the substrate on which the color filter CF is formed is opposed to the TFT substrate on which the above-described TFT is formed because the substrate is opposed to the color filter substrate or the TFT substrate through the liquid crystal layer. It is called a substrate. As a modification of FIG. 3, a configuration in which the color filter CF is provided on the TFT substrate may be adopted.

基板FSは、例えばガラス基板などの基材FSgの一方の面に、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色のカラーフィルタ画素CFr、CFg、CFbを周期的に配列して構成されたカラーフィルタCFが形成されている。カラー表示装置では、例えばこの赤(R)、緑(G)、青(B)の3色のサブピクセルを1組として、1画素(1ピクセルともいう)を構成する。基板FSの複数のカラーフィルタ画素CFr、CFg、CFbは、基板BSに形成されている画素電極PEを有するそれぞれのサブピクセルと、互いに対向する位置に配置されている。   For example, the substrate FS periodically arranges color filter pixels CFr, CFg, and CFb of three colors of red (R), green (G), and blue (B) on one surface of a base material FSg such as a glass substrate. A color filter CF configured as described above is formed. In a color display device, one pixel (also referred to as one pixel) is configured, for example, by combining the three color sub-pixels of red (R), green (G) and blue (B). The plurality of color filter pixels CFr, CFg, CFb of the substrate FS are disposed at positions facing each other with the respective sub-pixels having the pixel electrode PE formed on the substrate BS.

また、各色のカラーフィルタ画素CFr、CFg、CFbのそれぞれの境界には、遮光膜BMが形成されている。遮光膜BMはブラックマトリクスと呼ばれ、例えば黒色の樹脂や、低反射性の金属から成る。遮光膜BMは、平面視において、格子状に形成される。言い換えれば、基板FSは、格子状に形成された遮光膜BMの開口部に、形成された、各色のカラーフィルタ画素CFr、CFg、CFbを有する。なお、1画素を構成するものは赤(R)、緑(G)、青(B)の3色に限定されるものではない。また、ブラックマトリクスは格子状に限定されるものでなく、ストライプ状のものであっても良い。   In addition, a light shielding film BM is formed at each boundary of the color filter pixels CFr, CFg, and CFb of each color. The light shielding film BM is called a black matrix, and is made of, for example, a black resin or a low reflective metal. The light shielding film BM is formed in a lattice shape in plan view. In other words, the substrate FS has the color filter pixels CFr, CFg, and CFb of the respective colors formed in the openings of the light shielding film BM formed in a lattice. In addition, what constitutes one pixel is not limited to three colors of red (R), green (G) and blue (B). In addition, the black matrix is not limited to a lattice, and may be a stripe.

なお、本願において、表示部DPまたは表示領域と記載する領域は、額縁部FLよりも内側の領域として規定される。また、額縁部FLは、図2に示す光源LSから照射された光を遮光する遮光膜BMにより覆われた領域である。遮光膜BMは表示部DP内にも形成されるが、表示部DPには、遮光膜BMに複数の開口部が形成されている。一般的に、遮光膜BMに形成され、カラーフィルタCFが埋め込まれた開口部のうち、最も周縁部側に形成された開口部の端部が、表示部DPと額縁部FLの境界として規定される。   In the present application, the area described as the display part DP or the display area is defined as an area inside the frame part FL. In addition, the frame portion FL is a region covered with a light shielding film BM that shields the light emitted from the light source LS illustrated in FIG. Although the light shielding film BM is also formed in the display part DP, in the display part DP, a plurality of openings are formed in the light shielding film BM. Generally, among the openings formed in the light shielding film BM and in which the color filter CF is embedded, the end of the opening formed closest to the peripheral edge is defined as the boundary between the display part DP and the frame part FL. Ru.

また、基板FSは、カラーフィルタCFを覆う樹脂層OC1を有する。各色のカラーフィルタ画素CFr、CFg、CFbの境界には、遮光膜BMが形成されているので、カラーフィルタCFの内面は、凹凸面になっている。樹脂層OC1は、カラーフィルタCFの内面の凹凸を平坦化する、平坦化膜として機能する。あるいは、樹脂層OC1は、カラーフィルタCFから液晶層に対して不純物が拡散するのを防止する保護膜として機能する。樹脂層OC1は、材料に熱硬化性樹脂成分、あるいは、光硬化性樹脂成分など、エネルギーを付与することで硬化する成分を含有させることで、樹脂材料を硬化させることができる。   Further, the substrate FS has a resin layer OC1 covering the color filter CF. Since the light shielding film BM is formed at the boundary between the color filter pixels CFr, CFg, and CFb of the respective colors, the inner surface of the color filter CF is an uneven surface. The resin layer OC1 functions as a planarizing film that planarizes the unevenness of the inner surface of the color filter CF. Alternatively, the resin layer OC1 functions as a protective film that prevents impurities from being diffused from the color filter CF to the liquid crystal layer. The resin layer OC1 can cure the resin material by including a component that is cured by applying energy, such as a thermosetting resin component or a photocurable resin component, to the material.

また、基板FSと基板BSの間には、画素電極PEと共通電極CEとの間に表示用電圧が印加されることで表示画像を形成する液晶層LCLが設けられる。液晶層LCLは、印加された電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものである。   In addition, a liquid crystal layer LCL for forming a display image is provided between the substrate FS and the substrate BS by applying a display voltage between the pixel electrode PE and the common electrode CE. The liquid crystal layer LCL modulates the light passing therethrough according to the state of the applied electric field.

また、基板FSは、液晶層LCLと接する界面である背面FSbに、樹脂層OC1を覆う配向膜AF1を有する。また、基板BSは、液晶層LCLと接する界面である前面BSfに、絶縁膜OC2および複数の画素電極PEを覆う配向膜AF2を有する。この配向膜AF1、AF2は液晶層LCLに含まれる液晶の初期配向を揃えるために形成された樹脂膜であって、例えばポリイミド樹脂から成る。   Further, the substrate FS has an alignment film AF1 covering the resin layer OC1 on the back surface FSb which is an interface in contact with the liquid crystal layer LCL. Further, the substrate BS has an alignment film AF2 covering the insulating film OC2 and the plurality of pixel electrodes PE on the front surface BSf which is an interface in contact with the liquid crystal layer LCL. The alignment films AF1 and AF2 are resin films formed to align the initial alignment of the liquid crystal contained in the liquid crystal layer LCL, and are made of, for example, polyimide resin.

図3に示す表示装置LCD1によるカラー画像の表示方法は、例えば以下の通りである。すなわち、光源LS(図2参照)から出射された光は、偏光板PL2(図2参照)によってフィルタリングされ、偏光板PL2を通過する光が液晶層LCLに入射する。液晶層LCLに入射した光は、液晶の屈折率異方性(言い換えれば複屈折)に応じて偏光状態を変化させて液晶層LCLの厚さ方向(言い換えれば基板BSから基板FSに向かう方向)に伝搬され、基板FSから出射される。この時、画素電極PEと共通電極CEに電圧を印加して形成される電界により、液晶配向が制御され、液晶層LCLは光学的なシャッターとして機能する。つまり、液晶層LCLにおいて、サブピクセル毎に光の透過率を制御することができる。基板FSに到達した光は、基板FSに形成されたカラーフィルタにおいて、色フィルタリング処理(すなわち、所定の波長以外の光を吸収する処理)が施され、前面FSfから出射される。また、前面FSfから出射された光は、偏光板PL1を介して観者VWに到達する。   A method of displaying a color image by the display device LCD1 shown in FIG. 3 is, for example, as follows. That is, the light emitted from the light source LS (see FIG. 2) is filtered by the polarizing plate PL2 (see FIG. 2), and the light passing through the polarizing plate PL2 enters the liquid crystal layer LCL. The light incident on the liquid crystal layer LCL changes its polarization state according to the refractive index anisotropy (in other words, birefringence) of the liquid crystal, and the thickness direction of the liquid crystal layer LCL (in other words, the direction from the substrate BS to the substrate FS) , And emitted from the substrate FS. At this time, the liquid crystal alignment is controlled by an electric field formed by applying a voltage to the pixel electrode PE and the common electrode CE, and the liquid crystal layer LCL functions as an optical shutter. That is, in the liquid crystal layer LCL, the light transmittance can be controlled for each sub-pixel. The light that has reached the substrate FS is subjected to color filtering processing (that is, processing to absorb light other than a predetermined wavelength) in a color filter formed on the substrate FS, and emitted from the front surface FSf. In addition, light emitted from the front surface FSf reaches the viewer VW via the polarizing plate PL1.

また、図4に示すように、液晶層LCLの周縁部側に設けられたシール部SLは、シール材(封着材)SLpを備える。液晶層LCLは、シール材SLpで囲まれた領域内に封入されている。つまり、シール材SLpは、液晶層LCLの漏れ出しを防ぐ封着材としての機能を有している。また、シール材SLpは、基板FSの背面FSbおよび基板BSの前面BSfのそれぞれに密着しており、基板FSと基板BSとは、シール材SLpを介して接着固定されている。つまり、シール材SLpは、基板FS及び基板BSを接着固定する接着部材としての機能を有している。   Further, as shown in FIG. 4, the seal portion SL provided on the peripheral edge side of the liquid crystal layer LCL includes a seal material (sealing material) SLp. The liquid crystal layer LCL is enclosed in a region surrounded by the sealing material SLp. That is, the sealing material SLp has a function as a sealing material for preventing the liquid crystal layer LCL from leaking. The sealing material SLp is in close contact with the back surface FSb of the substrate FS and the front surface BSf of the substrate BS, and the substrate FS and the substrate BS are bonded and fixed via the sealing material SLp. That is, the sealing material SLp has a function as an adhesive member for adhesively fixing the substrate FS and the substrate BS.

また、図4に示す例では、シール部SLは、液晶層LCLの周囲に配置され、液晶層LCLの外縁に沿って延びる部材である、部材PSを有している。部材PSは、配向膜AF1の広がりを堰き止める堰き止め用部材として機能する。また、図3および図4に示す液晶層LCLの厚さは、基板FSや基板BSの厚さと比較して極端に薄い。例えば、液晶層LCLの厚さは、基板FSや基板BSの厚さと比較すると、0.1%〜10%程度の厚さである。図3および図4に示す例では、液晶層LCLの厚さは、例えば3μm〜4μm程度である。   In the example shown in FIG. 4, the seal portion SL includes a member PS which is a member disposed around the liquid crystal layer LCL and extending along the outer edge of the liquid crystal layer LCL. The member PS functions as a damming member for blocking the spread of the alignment film AF1. The thickness of the liquid crystal layer LCL shown in FIGS. 3 and 4 is extremely thin compared to the thickness of the substrate FS or the substrate BS. For example, the thickness of the liquid crystal layer LCL is about 0.1% to 10% as compared to the thicknesses of the substrate FS and the substrate BS. In the example shown in FIGS. 3 and 4, the thickness of the liquid crystal layer LCL is, for example, about 3 μm to 4 μm.

<引出配線部の詳細>
次に、図1に示す引出配線部LDの詳細について説明する。図5は、図1に示す引出配線部のレイアウトを模式的に示す拡大平面図である。また、図6は、図1に示す引出配線部において、複数の配線を二層の配線層で引き回した場合のレイアウト例を示す拡大平面図である。また、図7は、図6に対応する検討例であって、複数の配線を単層の配線層で引き回した場合のレイアウト例を示す拡大平面図である。また、図8は、図6に対応する別の検討例であって、複数の配線を二層の配線層で引き回した場合のレイアウト例を示す拡大平面図である。また、図9は、図8のA−A線に沿った拡大断面図である。また、図10は、図6のA−A線に沿った拡大断面図である。また、図11は、図1に示す表示素子部に設けられた表示素子の構造例を示す拡大断面図である。
<Details of the lead wiring section>
Next, the details of the lead-out wiring portion LD shown in FIG. 1 will be described. FIG. 5 is an enlarged plan view schematically showing the layout of the lead-out wiring portion shown in FIG. FIG. 6 is an enlarged plan view showing a layout example in the case where a plurality of wirings are drawn by two wiring layers in the lead wiring portion shown in FIG. 7 is an examination example corresponding to FIG. 6, and is an enlarged plan view showing a layout example in the case where a plurality of wires are drawn by a single layer wiring layer. FIG. 8 is an enlarged plan view showing another example of study corresponding to FIG. 6, in which a plurality of wires are routed by two wiring layers. FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view taken along the line AA of FIG. FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view showing a structural example of the display element provided in the display element portion shown in FIG.

なお、図6および図8では、異なる層に形成された配線WL1と配線WL2の区別をし易くするために、第1層目に形成された配線WL1を実線で示し、第2層目に形成された配線WL2を点線で示している。   In FIGS. 6 and 8, in order to make it easy to distinguish between the wire WL1 and the wire WL2 formed in different layers, the wire WL1 formed in the first layer is shown by a solid line and formed in the second layer. The wire WL2 is shown by a dotted line.

図1に示す引出配線部LDには、表示素子部DPQに映像信号を伝送する複数の信号線、および表示素子部DPQにゲート信号を伝送する複数のゲート線を含む複数の配線WLが形成されている。表示装置の画素数を増加させて、表示画像の精細度を向上させるためには、信号線およびゲート線の数を増加させる必要があるので、限られたスペースに、多数の配線WLを配置する技術が必要になる。そこで、本願発明者は、複数の配線WLを積層された複数の配線層に形成することで、配線WLの数を増加させる技術において検討を行った。   In the lead-out wiring portion LD shown in FIG. 1, a plurality of wiring lines WL including a plurality of signal lines transmitting a video signal to the display element portion DPQ and a plurality of gate lines transmitting a gate signal to the display element portion DPQ are formed. ing. In order to increase the number of pixels of the display device and improve the definition of the display image, it is necessary to increase the number of signal lines and gate lines, so a large number of wirings WL are provided in a limited space. Technology is required. Therefore, the inventor of the present application has studied on a technique of increasing the number of the wirings WL by forming the plurality of wirings WL in a plurality of stacked wiring layers.

まず、図5に示すように、X方向における入力部IPCの長さPL1と表示素子部DPQの長さPL2とは異なる。このため、入力部IPCと表示素子部DPQとを電気的に接続する配線WL(図6参照)の一部は、X方向、およびX方向と直交するY方向のそれぞれに対して交差する方向に延ばす必要がある。このため、引出配線部LDは、表示素子部DPQと入力部IPCとの間において、複数の配線WLがY方向に沿って延びる部分LD1を有する。また、引出配線部LDは、部分LD1と入力部IPCとの間において、複数の配線WLがY方向およびX方向と交差する方向に沿って延びる部分LD2を有する。また、引出配線部LDは、部分LD2と入力部IPCとの間において、複数の配線WLがY方向に沿って延びる部分LD3を有する。   First, as shown in FIG. 5, the length PL1 of the input section IPC in the X direction is different from the length PL2 of the display element section DPQ. Therefore, a part of the wiring WL (see FIG. 6) electrically connecting the input portion IPC and the display element portion DPQ is in a direction intersecting with each of the X direction and the Y direction orthogonal to the X direction. I need to extend it. For this reason, the lead-out wiring portion LD includes a portion LD1 in which the plurality of wirings WL extend along the Y direction between the display element portion DPQ and the input portion IPC. Further, the lead-out wiring portion LD includes a portion LD2 extending along the direction in which the plurality of wires WL intersect the Y direction and the X direction, between the portion LD1 and the input portion IPC. The lead-out wiring portion LD also has a portion LD3 in which a plurality of wires WL extend along the Y direction between the portion LD2 and the input portion IPC.

本実施の形態のように、複数の配線WLがY方向およびX方向と交差する方向に沿って延びる部分LD2では、チップのコスト削減のためにチップの長さを小さくすることによって入力部IPCの長さPL1が小さくなる場合や、狭額縁化のために額縁部FLのうち、基板BSの辺BSs1と表示部DPとの間隔を狭める場合、隣り合う配線WL間の距離は、部分LD2において狭くなる。言い換えれば、部分LD2における配線密度を向上させる必要がある。   As in the present embodiment, in the portion LD2 in which the plurality of wires WL extend along the direction crossing the Y direction and the X direction, the length of the chip is reduced to reduce the cost of the chip. When the length PL1 decreases, or when the distance between the side BSs1 of the substrate BS and the display portion DP in the frame portion FL is narrowed for narrowing the frame, the distance between the adjacent wires WL is narrow in the portion LD2. Become. In other words, it is necessary to improve the wiring density in the portion LD2.

次に、図7に示す表示装置LCD2のように、単層で配線WLを引き回す場合について検討する。表示装置LCD2のように複数の配線WLを単層で引き回す場合、レイアウト可能な配線WLの数は、隣り合う配線WL間の離間距離の最小値により規定される。例えば、図7に示す複数の配線WL1のそれぞれの配線幅が4.2μm、且つ、隣り合う配線WL1の離間距離が5.1μmの設計ルールの配線層で、複数の配線WLを引き回す場合、部分LD2における隣り合う配線WL1の中心間距離は、9.3μm以上にしなければならない。言い換えれば、図7に示すレイアウトの場合、部分LD2において、9.3μm以上の配線ピッチで、配線WL1を配置する必要がある。   Next, as in the display device LCD2 shown in FIG. 7, the case of drawing the wiring WL in a single layer will be examined. When a plurality of wires WL are routed in a single layer as in the display device LCD2, the number of wires WL that can be laid out is defined by the minimum value of the separation distance between the adjacent wires WL. For example, in the case of drawing a plurality of wirings WL in a wiring layer of a design rule in which the wiring width of each of the plurality of wirings WL1 shown in FIG. 7 is 4.2 μm and the separation distance between adjacent wirings WL1 is 5.1 μm. The distance between the centers of the adjacent wires WL1 in the LD 2 must be 9.3 μm or more. In other words, in the case of the layout shown in FIG. 7, the wiring WL1 needs to be disposed at a wiring pitch of 9.3 μm or more in the partial LD2.

次に、図8および図9に示す表示装置LCD3のように、絶縁膜を挟んだ二層の配線層で配線WLを引き回す場合について検討する。例えば、絶縁膜を挟んだ一方の配線層はTFTのゲート電極と同層であり、他方の配線層はTFTのソース・ドレイン電極と同層である。二層の配線層で配線WLを引き回す場合、図8および図9に示すように、第一層目の配線層L1(図9参照)に設けられた配線WL1と、第二層目の配線層L2(図9参照)に設けられた配線WL2とが、互いに重ならないように設けられていることが好ましい。配線WL1と配線WL2とが互いに重ならないように設けることで、配線WL1を流れる電流と、配線WL2を流れる電流とが、互いに干渉することを抑制できる。   Next, as in the display device LCD3 shown in FIG. 8 and FIG. 9, the case where the wiring WL is routed in the two wiring layers sandwiching the insulating film will be examined. For example, one wiring layer sandwiching the insulating film is the same layer as the gate electrode of the TFT, and the other wiring layer is the same layer as the source / drain electrode of the TFT. When the wiring WL is routed in two wiring layers, as shown in FIGS. 8 and 9, the wiring WL1 provided in the first wiring layer L1 (see FIG. 9) and the second wiring layer The wiring WL2 provided in L2 (see FIG. 9) is preferably provided so as not to overlap with each other. By providing the wiring WL1 and the wiring WL2 so as not to overlap with each other, interference between the current flowing through the wiring WL1 and the current flowing through the wiring WL2 can be suppressed.

そこで、表示装置LCD3の例では、図8に示すように、平面視において、配線WL1と配線WL2とが交互に配列されている。この場合、第一層目の配線層L1(図9参照)に形成された複数の配線WL1のうち、隣り合う配線WL1の間のスペースを配線WL2の形成領域として活用できるので、第一層目の配線層L1のみで、配線WLを引き回す場合と比較して、配線密度を向上させることができる。なお、それぞれの配線は、単層の金属であっても良いし、複数の金属を積層したものであってもよい。   Therefore, in the example of the display device LCD3, as shown in FIG. 8, the wires WL1 and the wires WL2 are alternately arranged in a plan view. In this case, among the plurality of wirings WL1 formed in the first wiring layer L1 (see FIG. 9), the space between the adjacent wirings WL1 can be utilized as a formation region of the wiring WL2, so the first layer The wiring density can be improved as compared with the case where the wiring WL is routed only by the wiring layer L1. Each of the wirings may be a single layer metal or a stack of a plurality of metals.

例えば、図9に示す例では、配線層L1では、複数の配線WL1のそれぞれの配線幅W1が4.2μm、且つ、隣り合う配線WL1の離間距離が5.1μmになっている。また、配線層L2では、複数の配線WL2のそれぞれの配線幅W2が1.8μm、且つ、隣り合う配線WL2の離間距離が7.5μmになっている。この場合、図8に示す複数の配線WLのうち、平面視において隣り合う配線WLの中心間距離は、約4.7μmになる。言い換えれば、図8に示すレイアウトの場合、部分LD2において、配線ピッチが4.7μm以上であれば良いので、図7に示す表示装置LCD2の場合と比較して、配線密度を向上させることができる。   For example, in the example shown in FIG. 9, in the wiring layer L1, the wiring width W1 of each of the plurality of wirings WL1 is 4.2 μm, and the distance between adjacent wirings WL1 is 5.1 μm. In the wiring layer L2, the wiring width W2 of each of the plurality of wirings WL2 is 1.8 μm, and the separation distance between the adjacent wirings WL2 is 7.5 μm. In this case, among the plurality of wirings WL shown in FIG. 8, the distance between the centers of the adjacent wirings WL in plan view is about 4.7 μm. In other words, in the case of the layout shown in FIG. 8, the wiring pitch can be improved as compared to the case of the display device LCD 2 shown in FIG. .

ところで、表示装置LCD3のように、複数の配線層にそれぞれ配線WLを形成する場合、製造プロセス上の理由などにより、配線層ごとに、配線幅および配線間距離の設計ルール、すなわち、配線幅および配線間距離の下限値が異なる場合がある。例えば、図1に示す表示素子部DPQには複数の表示素子としてTFTを形成することを説明した。図8および図9に示す引出配線部LDの複数の配線層を効率的に形成する観点からは、TFTのゲート電極やソース電極を形成する際に、一括して形成することが好ましい。この場合、TFTの製造プロセスに起因して、配線層ごとに、配線幅および配線間距離の設計ルールが異なる場合がある。   When the wirings WL are formed in a plurality of wiring layers as in the display device LCD3, the design rule of the wiring width and the distance between the wiring layers for each wiring layer, ie, the wiring width and The lower limit of the inter-wire distance may be different. For example, it has been described that TFTs are formed as a plurality of display elements in the display element portion DPQ shown in FIG. From the viewpoint of efficiently forming the plurality of wiring layers of the lead-out wiring portion LD shown in FIGS. 8 and 9, it is preferable to collectively form the gate electrode and the source electrode of the TFT. In this case, design rules for the wire width and the distance between wires may differ depending on the wiring layer due to the manufacturing process of the TFT.

例えば、上記した表示素子であるTFTが、図11に示すトランジスタQ1のように、ゲート電極GTがソース電極STおよびドレイン電極DTよりも下方に形成されるボトムゲート方式の構造を備える場合、最下層の配線層L1(図1参照)には、ゲート電極GTが形成される。また、第二層目の配線層L2には、ソース電極STおよびドレイン電極DTが形成される。図11に示す例では、ゲート電極GTは、第一層目の配線層L1に形成され、ゲート絶縁膜である絶縁膜(絶縁層)IL1に覆われる。絶縁膜IL1は、例えば酸化珪素、窒化珪素、あるいはこれらの積層膜から成る無機絶縁膜である。また、ソース電極STおよびドレイン電極DTは、絶縁膜IL1上に設けられた第二層目の配線層L2に形成され、絶縁膜(絶縁層)IL2に覆われる。絶縁膜IL2は、トランジスタQ1や配線層L2の保護膜として機能する絶縁膜である。絶縁膜IL2は、トランジスタQ1を覆うので、無機膜よりの被覆性が良い有機膜で構成され、さらに窒化珪素などの無機絶縁膜から成る絶縁膜(絶縁層)IL3に覆われている。   For example, when the TFT as the display element described above has a bottom gate structure in which the gate electrode GT is formed below the source electrode ST and the drain electrode DT as in the transistor Q1 shown in FIG. The gate electrode GT is formed in the wiring layer L1 (see FIG. 1). Further, the source electrode ST and the drain electrode DT are formed in the second wiring layer L2. In the example shown in FIG. 11, the gate electrode GT is formed in the first wiring layer L1, and is covered with the insulating film (insulating layer) IL1 which is a gate insulating film. The insulating film IL1 is, for example, an inorganic insulating film formed of silicon oxide, silicon nitride, or a laminated film of these. The source electrode ST and the drain electrode DT are formed in the second wiring layer L2 provided on the insulating film IL1, and covered with the insulating film (insulating layer) IL2. The insulating film IL2 is an insulating film which functions as a protective film of the transistor Q1 and the wiring layer L2. Since the insulating film IL2 covers the transistor Q1, the insulating film IL2 is formed of an organic film having a better coverage than the inorganic film, and is further covered by an insulating film (insulating layer) IL3 formed of an inorganic insulating film such as silicon nitride.

図11に示すトランジスタQ1の製造プロセスでは、ゲート電極GTが形成された後、半導体層SCLが、ゲート電極GTを覆うゲート絶縁膜である絶縁膜IL1上に形成される。図11のトランジスタはボトムゲートであるが、基体BSgに近い側に半導体層を形成し、半導体層を形成した後にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を設けるトップゲートのトランジスタも存在する。トランジスタの形成時には、熱処理を行う場合があり、ゲート電極GTが形成される配線層L1に形成される配線WL1(図8および図9参照)には、熱処理に対する耐性が要求されることが多い。そのため、配線層L1を、例えば、モリブデン(Mo)などの高融点金属材料により形成する場合がある。一方、ソース電極STやドレイン電極DTは、熱処理の後で形成することができるので、配線層L2に形成される配線WL1(図8および図9参照)には、例えばアルミニウムなどの低抵抗金属材料を用いることができる。この結果、配線層L2の配線WL2は、配線層L1の配線WL1と比較して、配線幅を狭くすることが可能になる。   In the manufacturing process of the transistor Q1 shown in FIG. 11, after the gate electrode GT is formed, the semiconductor layer SCL is formed over the insulating film IL1 which is a gate insulating film covering the gate electrode GT. Although the transistor in FIG. 11 is a bottom gate, a top gate transistor in which a semiconductor layer is formed on the side close to the base BSg, a semiconductor layer is formed, a gate insulating film is formed, and a gate electrode is provided over the gate insulating film Exists. At the time of formation of a transistor, heat treatment may be performed, and resistance to heat treatment is often required for the wiring WL1 (see FIGS. 8 and 9) formed in the wiring layer L1 in which the gate electrode GT is formed. Therefore, the wiring layer L1 may be formed of, for example, a high melting point metal material such as molybdenum (Mo). On the other hand, since the source electrode ST and the drain electrode DT can be formed after heat treatment, a low resistance metal material such as aluminum is used for the wiring WL1 (see FIGS. 8 and 9) formed in the wiring layer L2. Can be used. As a result, the wiring WL2 of the wiring layer L2 can have a narrower wiring width than the wiring WL1 of the wiring layer L1.

なお、上記した配線WL1および配線WL2のそれぞれに互いに異なる金属材料を用いる例は、配線層ごとに、配線幅および配線間距離の設計ルールが異なる理由の一例であり、配線WL1と配線WL2に例えばそれぞれアルミニウムを用いる場合もある。ただし、配線WL1と配線WL2に同じ金属材料を用いた場合でも、プロセス上の制約、あるいはステップカバレッジ等の理由により、配線層ごとに、配線の厚さ、配線幅および配線間距離の設計ルールが異なる場合がある。   Note that the example in which different metal materials are used for the wiring WL1 and the wiring WL2 described above is an example of the reason why the design rule of the wiring width and the distance between the wirings is different for each wiring layer. In some cases, aluminum is used. However, even if the same metal material is used for the wiring WL1 and the wiring WL2, the design rule of the wiring thickness, the wiring width, and the distance between the wirings is set for each wiring layer due to process restrictions or step coverage. It may be different.

図9に示す例では、配線WL2はアルミニウム配線であって、設計ルールとしては、配線間距離は、例えば2.5μm以上であれば良い。したがって、全ての配線WLを図9に示す第二層目の配線層L2に配置すれば、隣り合う配線WL2の中心間距離、すなわち、配線ピッチは、約4.3μmになる。つまり、図9に示す例の場合、平面視において、配線WL1と配線WL2とが交互に配列されているので、全ての配線WLを第二層目の配線層L2に設ける場合と比較して、配線密度が低くなっている。このように、配線層ごとに、配線幅および配線間距離の設計ルールが異なる場合において、単純に配線WL1と配線WL2とを交互に配列した場合、第二層目の配線層L2の単層で配線WLを引き回す場合と比較して、却って配線密度が低くなる場合もあることが判った。   In the example shown in FIG. 9, the wiring WL2 is an aluminum wiring, and as a design rule, the distance between the wirings may be, for example, 2.5 μm or more. Therefore, if all the wirings WL are arranged in the second wiring layer L2 shown in FIG. 9, the distance between the centers of the adjacent wirings WL2, that is, the wiring pitch is about 4.3 μm. That is, in the case of the example shown in FIG. 9, since the wires WL1 and the wires WL2 are alternately arranged in plan view, compared to the case where all the wires WL are provided in the second wiring layer L2, Wiring density is low. As described above, in the case where the wiring WL1 and the wiring WL2 are simply alternately arranged in the case where the design rule of the wiring width and the wiring distance is different for each wiring layer, a single layer of the second wiring layer L2 is used. It has been found that the wiring density may be lower than in the case where the wiring WL is routed.

そこで、本願発明者は、複数の配線層にそれぞれ配線WLを配置する場合に、配線密度を高くすることができる構成についてさらに検討を行い、図6および図10に示す本実施の形態の構成を見出した。すなわち、表示装置LCD1では、相対的に配線密度を向上させ易い配線層L2に形成される配線WL2の数が、相対的に配線密度を向上させ難い配線層L1に形成される配線WL1の数よりも多い。   Therefore, the inventors of the present application further study a configuration capable of increasing the wiring density when arranging the wirings WL in each of the plurality of wiring layers, and the configuration of the present embodiment shown in FIG. 6 and FIG. I found it. That is, in the display device LCD1, the number of the wirings WL2 formed in the wiring layer L2 that can relatively easily improve the wiring density is higher than the number of the wirings WL1 that is relatively formed in the wiring layer L1. There are also many.

図6および図10に示すように、本実施の形態の表示装置が備える引出配線部LD(図6参照)は、配線層L1(図10参照)および配線層L2(図10参照)から成る複数の配線層を有する。また、配線層L1には、配線幅W1の複数の配線WL1が形成され、配線層L2には、配線幅W1よりも狭い配線幅W2の複数の配線WL2が形成されている。つまり、配線層L2は、配線層L1と比較して、相対的に配線密度を向上させ易い配線層である。上記のように、複数の配線層に配線幅が異なる複数の配線WL1および複数の配線WL2が形成されている点は、図8および図9に示す表示装置LCD3と同様である。   As shown in FIGS. 6 and 10, the lead-out wiring portion LD (see FIG. 6) included in the display device of the present embodiment includes a plurality of wiring layers L1 (see FIG. 10) and wiring layers L2 (see FIG. 10). The wiring layer of Further, in the wiring layer L1, a plurality of wirings WL1 having a wiring width W1 are formed, and in the wiring layer L2, a plurality of wirings WL2 having a wiring width W2 smaller than the wiring width W1 are formed. That is, the wiring layer L2 is a wiring layer that can easily improve the wiring density relatively compared to the wiring layer L1. As described above, the point that the plurality of wirings WL1 and the plurality of wirings WL2 having different wiring widths are formed in the plurality of wiring layers is the same as the display device LCD3 illustrated in FIG. 8 and FIG.

また、図8および図9に示す表示装置LCD3の場合、配線WL1と配線WL2とが交互に配列されているので、配線WL1の数と配線WL2の数は同数である。一方、図6および図10に示す表示装置LCD1の場合、平面視において、隣り合う配線WL1の間に複数(図6では2本)の配線WL2が形成されている。したがって、図10に示す配線層L2に形成された複数の配線WL2の数は、配線層L1に形成される複数の配線WL1の数よりも多い。つまり、本実施の形態の表示装置LCD1では、相対的に配線密度を向上させ易い配線層L2に形成される配線WL2の数が、相対的に配線密度を向上させ難い配線層L1に形成される配線WL1の数よりも多いので、複数の配線WLの配線密度を向上させることができる。   Further, in the case of the display device LCD3 shown in FIGS. 8 and 9, since the wirings WL1 and the wirings WL2 are alternately arranged, the number of the wirings WL1 and the number of the wirings WL2 are the same. On the other hand, in the case of the display device LCD1 shown in FIGS. 6 and 10, a plurality of (two in FIG. 6) wires WL2 are formed between the adjacent wires WL1 in plan view. Therefore, the number of the plurality of wirings WL2 formed in the wiring layer L2 shown in FIG. 10 is larger than the number of the plurality of wirings WL1 formed in the wiring layer L1. That is, in the display device LCD1 according to the present embodiment, the number of the wirings WL2 formed in the wiring layer L2 relatively easy to improve the wiring density is formed relatively in the wiring layer L1 relatively difficult to improve the wiring density Since the number is larger than the number of the wirings WL1, the wiring density of the plurality of wirings WL can be improved.

図10に示す例では、配線WL2の配線幅W2は1.8μmであって、配線層L2の配線間距離は、例えば2.5μm以上であれば良い。一方、配線WL1の配線幅W1は、4.2μmであって、配線層L1の配線間距離は、例えば5.1μm以上であれば良い。ただし、図10に示す例では、平面視において、隣り合う配線WL1の間に二本の配線WL2を配列するために、配線層L1の配線間距離は、7.0μmとしている。この場合、平面視において、11.2μmの範囲に三本の配線WLが配置されるので、隣り合う配線WL同士の中心間距離、すなわち、配線ピッチは、約3.7μmになる。したがって、図7に示す表示装置LCD2、図8に示す表示装置LCD3、あるいは、図9に示す第二層目の配線層L2の単層で配線WLを引き回す場合の何れと比較しても、配線密度を向上させることができる。   In the example shown in FIG. 10, the wiring width W2 of the wiring WL2 is 1.8 μm, and the distance between the wiring layers L2 may be, for example, 2.5 μm or more. On the other hand, the wiring width W1 of the wiring WL1 may be 4.2 μm, and the distance between the wirings in the wiring layer L1 may be 5.1 μm or more, for example. However, in the example shown in FIG. 10, in order to arrange two wires WL2 between the adjacent wires WL1 in plan view, the distance between the wires of the wire layer L1 is 7.0 μm. In this case, since three wires WL are arranged in a range of 11.2 μm in plan view, the distance between centers of adjacent wires WL, that is, the wire pitch is about 3.7 μm. Therefore, compared with either of the case where the wiring WL is drawn in a single layer of the display device LCD2 shown in FIG. 7, the display device LCD3 shown in FIG. 8 or the second wiring layer L2 shown in FIG. Density can be improved.

また、上記説明では、配線密度の向上し易さを表す指標として、配線WLの幅を用いて表現した。しかし、配線密度の向上し易さを表す指標として、配線層L1において隣り合う配線WL1の離間距離と、配線層L2において隣り合う配線WL2の離間距離とを用いて表現することができる。   Further, in the above description, the width of the wiring WL is used as an index indicating the ease of improvement of the wiring density. However, as an index indicating the ease of improvement of the wiring density, it can be expressed using the distance between the adjacent wires WL1 in the wiring layer L1 and the distance between the adjacent wires WL2 in the wiring layer L2.

すなわち、図10に示す配線層L1には、離間距離S1で複数の配線WL1が形成されている。また、配線層L2には、離間距離S1よりも小さい離間距離S2で複数の配線WL2が形成されている。なお、図10に示す例では、複数の配線WL2の離間距離には、離間距離S2と離間距離S4が含まれるが、離間距離S2および離間距離S4のいずれも離間距離S1よりも小さい。このように、隣り合う配線WLの離間距離が、配線層ごとに異なる場合、離間距離が小さい配線層の方が、配線密度を向上させ易い。すなわち、図10に示す例では、配線層L2の方が、配線層L1よりも配線密度を向上させ易い。   That is, in the wiring layer L1 shown in FIG. 10, the plurality of wirings WL1 are formed at the separation distance S1. Further, in the wiring layer L2, a plurality of wires WL2 are formed at a separation distance S2 smaller than the separation distance S1. In the example shown in FIG. 10, although the separation distance S2 and the separation distance S4 are included in the separation distances of the plurality of wirings WL2, both the separation distance S2 and the separation distance S4 are smaller than the separation distance S1. As described above, when the separation distance between the adjacent wirings WL is different for each wiring layer, the wiring density can be easily improved in the wiring layer having a small separation distance. That is, in the example shown in FIG. 10, the wiring layer L2 is easier to improve the wiring density than the wiring layer L1.

また、上記したように、図5に示す引出配線部LDのうち、特に、配線密度を向上させる必要がある部分は、複数の配線WL(図6参照)がX方向およびY方向に交差する方向に延びる部分LD2である。例えば図6に示すように、複数の配線WLがY方向に沿って延びる部分LD1および部分LD3では、部分LD2と比較して配線密度が低い。したがって、入力部IPCに接続される部分では、複数の配線WLのそれぞれを、例えば第一層目の配線層L1に集約して設けることができる。   Further, as described above, in a portion of the lead-out wiring portion LD shown in FIG. 5, in particular, in a portion where the wiring density needs to be improved, a direction in which the plurality of wirings WL (see FIG. 6) cross in the X direction Is a portion LD2 extending to For example, as shown in FIG. 6, in the portions LD1 and LD3 in which the plurality of wires WL extend along the Y direction, the wire density is lower than in the portion LD2. Therefore, in the portion connected to the input unit IPC, each of the plurality of wirings WL can be collectively provided, for example, in the first wiring layer L1.

第一層目の配線層L1と第二層目の配線層L2とを電気的に接続する方法は、例えば、図12に例示する通りである。図12は、図6および図10に示す第一層目の配線層の配線と第二層目の配線層の配線とを電気的に接続する構造例を示す拡大断面図である。   A method of electrically connecting the first wiring layer L1 and the second wiring layer L2 is, for example, as illustrated in FIG. FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view showing a structural example for electrically connecting the wiring of the first wiring layer and the wiring of the second wiring layer shown in FIGS. 6 and 10.

図12に示す例では、第一層目の配線層L1を覆う絶縁膜IL1には、開口部OP1が形成され、開口部OP1において、配線WL1は絶縁膜IL1から露出している。また、第二層目の配線層L2に形成された配線WL2の一部は、絶縁膜IL1に形成された開口部OP1に埋め込まれており、配線WL1と電気的に接続されている。このように、配線層L1を覆う絶縁膜IL1の一部に開口部OP1を形成することにより、第二層目の配線層L2の配線WL2と第一層目の配線層L1の配線WL1とを電気的に接続することができる。なお、図12では、複数の配線層を第一層目の配線層L1に集約する例を示しているが、変形例としては、例えば第2層目の配線層L2に集約することもできる。   In the example shown in FIG. 12, an opening OP1 is formed in the insulating film IL1 covering the first wiring layer L1, and in the opening OP1, the wiring WL1 is exposed from the insulating film IL1. Further, a part of the wiring WL2 formed in the second wiring layer L2 is embedded in the opening OP1 formed in the insulating film IL1, and is electrically connected to the wiring WL1. Thus, by forming the opening OP1 in a part of the insulating film IL1 covering the wiring layer L1, the wiring WL2 of the second wiring layer L2 and the wiring WL1 of the first wiring layer L1 are formed. It can be connected electrically. Although FIG. 12 shows an example in which the plurality of wiring layers are integrated into the first wiring layer L1, as a modification, for example, the plurality of wiring layers can be integrated into the second wiring layer L2.

また、図12に示すように、異なる配線層に形成された配線WL1と配線WL2とを電気的に接続する、開口部OP1は、図6に示す部分LD3に形成されていることが好ましい。部分LD1、部分LD2、および部分LD3のうち、最も入力部IPCに近い部分LD3において、配線経路を複数の配線層に分配することで、部分LD2において配線密度を向上させることができる。   Further, as shown in FIG. 12, it is preferable that an opening OP1 electrically connecting the wiring WL1 and the wiring WL2 formed in different wiring layers is formed in the portion LD3 shown in FIG. The wiring density can be improved in the portion LD2 by distributing the wiring path to the plurality of wiring layers in the portion LD3 closest to the input portion IPC among the portion LD1, the portion LD2, and the portion LD3.

<変形例>
次に、上記した実施の形態に対する変形例について、代表的な変形例を例示的に説明する。
<Modification>
Next, representative modifications of the above-described embodiment will be exemplarily described.

<変形例1>
図6および図10では、複数の配線層のそれぞれに配線を形成する実施態様の例として、複数の配線WLを二層の配線層で引き回した場合の構造例を取り上げて説明した。本変形例1では、複数の配線WLを三層の配線層で引き回した場合の構造例を説明する。図13は、図6に対する変形例であって、複数の配線を三層の配線層で引き回した場合のレイアウト例を示す拡大平面図である。また、図14は、図13のA−A線に沿った拡大断面図である。なお、図13では、異なる層に形成された配線WL1、配線WL2、および配線WL3の区別をし易くするために、第一層目に形成された配線WL1を実線で示し、第二層目に形成された配線WL2を点線で示し、第三層目に形成された配線WL3を一点鎖線で示している。
<Modification 1>
In FIG. 6 and FIG. 10, as an example of the embodiment in which the wiring is formed in each of the plurality of wiring layers, a structural example in the case where the plurality of wirings WL are drawn by the two wiring layers is described. In the first modification, an example of a structure in which a plurality of wirings WL are routed by three wiring layers will be described. FIG. 13 is an enlarged plan view showing a layout example in the case where a plurality of wirings are drawn by three wiring layers, which is a modification of FIG. FIG. 14 is an enlarged cross-sectional view taken along the line AA of FIG. Note that in FIG. 13, in order to easily distinguish the wirings WL1, WL2, and WL3 formed in different layers, the wirings WL1 formed in the first layer are indicated by solid lines, and the second layer is formed. The formed wiring WL2 is indicated by a dotted line, and the wiring WL3 formed in the third layer is indicated by an alternate long and short dash line.

図13および図14に示す表示装置LCD4は、第三層目の配線層L3に形成された配線WL3を有している点で、図6に示す表示装置LCD1と相違する。第三層目の配線層L3は、配線層L2を覆う絶縁膜IL2上に形成され、無機絶縁膜である絶縁膜IL3に覆われている。また、図14に示す例では、配線WL3の配線幅W3は、第二層目の配線層L2の配線WL2の配線幅W2よりも広い。つまり、本変形例1の表示装置LCD4は、配線層ごとに設計ルールが異なる。詳しくは、配線層L2は相対的に最も配線密度を向上させ易く、配線層L1および配線層L3は、それぞれ配線層L2よりも配線密度を向上させ難い。   The display device LCD4 shown in FIGS. 13 and 14 is different from the display device LCD1 shown in FIG. 6 in that the display device LCD4 has the wiring WL3 formed in the third wiring layer L3. The third wiring layer L3 is formed on the insulating film IL2 covering the wiring layer L2, and is covered with the insulating film IL3 which is an inorganic insulating film. Further, in the example shown in FIG. 14, the wiring width W3 of the wiring WL3 is wider than the wiring width W2 of the wiring WL2 of the second wiring layer L2. That is, in the display device LCD 4 of the first modification, the design rule differs for each wiring layer. Specifically, the wiring layer L2 can most easily improve the wiring density relatively, and the wiring layer L1 and the wiring layer L3 can hardly improve the wiring density more than the wiring layer L2.

本変形例1のように、複数の配線WLを配線レイアウトの設計ルールが異なる三層の配線層で引き回す場合でも、上記した表示装置LCD1と同様に考えることができる。すなわち、表示装置LCD3では、相対的に配線密度を向上させ易い配線層L2に形成される配線WL2の数が、相対的に配線密度を向上させ難い配線層L1に形成される配線WL1の数、および配線層L3に形成される配線WL3の数よりも多い。これにより、複数の配線WLの配線密度を向上させることができる。   Even in the case where the plurality of wirings WL are routed by using three wiring layers having different wiring layout design rules as in the first modification, it can be considered in the same manner as the display device LCD 1 described above. That is, in the display device LCD3, the number of the wirings WL2 formed in the wiring layer L2 which can relatively easily improve the wiring density is the number of the wirings WL1 formed in the wiring layer L1 which relatively hardly improves the wiring density, And the number of wirings WL3 formed in the wiring layer L3. Thereby, the wiring density of the plurality of wirings WL can be improved.

図14に示す例では、配線WL1の配線幅W1は、4.2μmであって、配線層L1の配線WL1の離間距離S1は、例えば5.1μm以上であれば良い。また、配線WL2の配線幅W2は1.8μmであって、配線層L2の配線WL2の離間距離S2は、例えば2.5μm以上であれば良い。また、配線WL3の配線幅W3は、4.2μmであって、配線層L3の配線WL3の離間距離S3は、例えば5.1μm以上であれば良い。   In the example shown in FIG. 14, the wiring width W1 of the wiring WL1 may be 4.2 μm, and the separation distance S1 of the wiring WL1 of the wiring layer L1 may be 5.1 μm or more, for example. The wiring width W2 of the wiring WL2 may be 1.8 μm, and the separation distance S2 of the wiring WL2 of the wiring layer L2 may be, for example, 2.5 μm or more. The wiring width W3 of the wiring WL3 may be 4.2 μm, and the separation distance S3 of the wiring WL3 of the wiring layer L3 may be 5.1 μm or more, for example.

ただし、図14に示す例では、平面視において、隣り合う配線WL同士が、互いに重ならないようにするために、配線層L1の配線WL1の離間距離S1は9.7μmとし、配線層L2の配線WL2の離間距離S2は5.2μmとし、配線層L3の配線WL3の離間距離S3は、9.7μmとしている。   However, in the example illustrated in FIG. 14, in order to prevent adjacent wires WL from overlapping each other in plan view, the separation distance S1 of the wires WL1 in the wiring layer L1 is 9.7 μm, and the wires in the wiring layer L2 are The separation distance S2 of the WL2 is 5.2 μm, and the separation distance S3 of the wiring WL3 of the wiring layer L3 is 9.7 μm.

この場合、平面視において、13.9μmの範囲に四本の配線WLが配置されるので、隣り合う配線WL同士の中心間距離、すなわち、配線ピッチは、約3.5μmになる。したがって、図1に示す表示装置LCD1よりもさらに、配線密度を向上させることができる。   In this case, since four wires WL are arranged in a range of 13.9 μm in plan view, the distance between centers of adjacent wires WL, that is, the wire pitch is about 3.5 μm. Therefore, the wiring density can be further improved compared to the display device LCD1 shown in FIG.

また、上記説明では、配線密度の向上し易さを表す指標として、配線WLの幅を用いて表現した。しかし、配線密度の向上し易さを表す指標として、配線層L1において隣り合う配線WL1の離間距離と、配線層L2において隣り合う配線WL2の離間距離とを用いて表現することができる。   Further, in the above description, the width of the wiring WL is used as an index indicating the ease of improvement of the wiring density. However, as an index indicating the ease of improvement of the wiring density, it can be expressed using the distance between the adjacent wires WL1 in the wiring layer L1 and the distance between the adjacent wires WL2 in the wiring layer L2.

すなわち、配線層L2に形成された複数の配線WL2のうち、隣り合う配線WL2の離間距離S2は、配線層L1における配線WL1の離間距離S1、および配線層L3における配線WL3の離間距離S3よりも小さい。したがって、配線層L2は相対的に最も配線密度を向上させ易く、配線層L1および配線層L3は、それぞれ配線層L2よりも配線密度を向上させ難い。   That is, among the plurality of interconnections WL2 formed in interconnection layer L2, the separation distance S2 between adjacent interconnections WL2 is greater than the separation distance S1 of interconnection WL1 in interconnection layer L1 and the separation S3 of interconnection WL3 in interconnection layer L3. small. Therefore, the wiring layer L2 can relatively easily improve the wiring density relatively, and the wiring layer L1 and the wiring layer L3 can hardly improve the wiring density more than the wiring layer L2.

上記した相違点以外は、図13および図14に示す表示装置LCD4は、図6および図10に示す表示装置LCD1と同様である。したがって、重複する説明は省略する。   The display device LCD4 shown in FIGS. 13 and 14 is the same as the display device LCD1 shown in FIGS. 6 and 10, except for the differences described above. Therefore, duplicate explanations are omitted.

<変形例2>
次に、上記した図6に示す表示装置LCD1、図7に示す表示装置LCD2、図8に示す表示装置LCD3、および図13に示す表示装置LCD4では、各配線層に形成された配線WLが互いに重ならない実施態様について説明した。しかし、配線密度を向上させる点に着目すれば、異なる配線層に形成された配線WLの一部が厚さ方向に重なっている方が配線密度を向上させることができる。一方、異なる配線層に形成された配線WLの一部が厚さ方向に重なっている場合、各信号線が互いに干渉しノイズが生じたり、配線間の寄生容量によって信号が影響を受けたり、絶縁膜の欠陥により配線間が短絡したりする懸念が考えられる。そこで、本変形例2では、異なる配線層に形成された配線WLの一部が厚さ方向に重なっており、かつ重なった部分のノイズの影響を低減する技術について説明する。
<Modification 2>
Next, in the display device LCD1 shown in FIG. 6, the display device LCD2 shown in FIG. 7, the display device LCD3 shown in FIG. 8, and the display device LCD 4 shown in FIG. Embodiments have been described which do not overlap. However, focusing on the point of improving the wiring density, the wiring density can be improved by partially overlapping the wirings WL formed in different wiring layers in the thickness direction. On the other hand, when part of the wirings WL formed in different wiring layers overlap in the thickness direction, the signal lines interfere with each other to generate noise, or the parasitic capacitance between the wirings affects the signal, or insulation There is a concern that a defect in the film may cause a short circuit between wires. Therefore, in the second modification, a technology for reducing the influence of noise in a part where the wirings WL formed in different wiring layers overlap in the thickness direction and in the overlapping part will be described.

図15は、図13に対する変形例であって、複数の配線のうちの一部が、厚さ方向に重なっている場合のレイアウト例を示す拡大平面図である。また、図16は、図15のA−A線に沿った拡大断面図である。   FIG. 15 is an enlarged plan view showing a layout example in the case where a part of a plurality of wires overlap in the thickness direction, which is a modification of FIG. FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view along the line AA of FIG.

図15および図16に示す表示装置LCD5は、第三層目の配線層L3に形成された配線WL3と、第一層目の配線層L1に形成された配線WLとが互いに重なっている点で、図13に示す表示装置LCD4と相違する。   The display device LCD5 shown in FIGS. 15 and 16 has a point that the wiring WL3 formed in the third wiring layer L3 and the wiring WL formed in the first wiring layer L1 overlap with each other. , And is different from the display device LCD 4 shown in FIG.

また、図16に示すように、配線層L2を覆う絶縁膜IL2の厚さTH2は、配線層L1を覆う絶縁膜IL1の厚さTH1よりも厚い。絶縁膜IL1は、図11に示すトランジスタQ1のゲート絶縁膜を兼ねるので、厚さTH1が極端に大きいと、トランジスタQ1の駆動が難しくなる。一方、絶縁膜IL2は、ソース電極STおよびドレイン電極DTを確実に覆う観点から、厚くなり易い。図16に示す例では、絶縁膜IL1の厚さは1μmよりも小さく、絶縁膜IL2の厚さは、例えば2μm程度である。   Further, as shown in FIG. 16, the thickness TH2 of the insulating film IL2 covering the wiring layer L2 is thicker than the thickness TH1 of the insulating film IL1 covering the wiring layer L1. Since the insulating film IL1 doubles as the gate insulating film of the transistor Q1 shown in FIG. 11, if the thickness TH1 is extremely large, it becomes difficult to drive the transistor Q1. On the other hand, the insulating film IL2 tends to be thick from the viewpoint of reliably covering the source electrode ST and the drain electrode DT. In the example shown in FIG. 16, the thickness of the insulating film IL1 is smaller than 1 μm, and the thickness of the insulating film IL2 is, for example, about 2 μm.

ここで、各配線層間のノイズ等を考慮した場合、配線層間の距離が遠い程、影響は低減することができる。したがって、相対的に薄い絶縁膜IL1を介して設けられた配線層L1と配線層L2との間では配線WL間の相互の影響が大きくなりやすい。一方、有機絶縁膜等で形成され、相対的に厚い絶縁膜IL2を介して設けられた配線層L2と配線層L3との間では、配線WL間の相互の影響が低減させ易い。   Here, when noise and the like between the wiring layers are taken into consideration, the influence can be reduced as the distance between the wiring layers increases. Therefore, the mutual influence between the wirings WL tends to be large between the wiring layer L1 and the wiring layer L2 provided via the relatively thin insulating film IL1. On the other hand, mutual influence between the wirings WL can be easily reduced between the wiring layer L2 and the wiring layer L3 which are formed of an organic insulating film or the like and are provided via the relatively thick insulating film IL2.

上記より、各配線層間のノイズ影響、および配線密度の向上をそれぞれ考慮すると、以下の構成が好ましい。すなわち、相対的にノイズ影響が大きい配線層L1の複数の配線WL1と配線層L2の複数の配線WL2とが互いに重なっていないことが好ましい。この場合、厚さTH2が厚さTH1よりも厚い絶縁膜IL2上に設けられている複数の配線WL3は、複数の配線WL1および複数のWL1のうちの一部と重なっていても良い。   From the above, the following configuration is preferable in consideration of noise influence between wiring layers and improvement of wiring density. That is, it is preferable that the plurality of wirings WL1 of the wiring layer L1 relatively influenced by noise and the plurality of wirings WL2 of the wiring layer L2 do not overlap with each other. In this case, the plurality of wirings WL3 provided over the insulating film IL2 whose thickness TH2 is thicker than the thickness TH1 may overlap with part of the plurality of wirings WL1 and the plurality of WL1.

なお、図16に示す例では、配線WL3と配線WL2とは重なっていないが、絶縁膜IL2の厚さTH2が十分に厚く、ノイズや寄生容量の影響が低く、配線間の短絡の可能性が低い場合には、配線WL3と配線WL2とが重なっていても良い。   In the example shown in FIG. 16, although the wiring WL3 and the wiring WL2 do not overlap, the thickness TH2 of the insulating film IL2 is sufficiently thick, the influence of noise and parasitic capacitance is low, and there is a possibility of shorting between the wirings In the case of the low level, the wiring WL3 and the wiring WL2 may overlap.

また、図16に示す例のように、配線WL3と配線WL2とが重なっていない場合、互いに重なる配線WL1と配線WL3の離間距離は、厚さTH1と厚さTH2の合計値になるので、特にノイズ影響を低減できる。   Further, as in the example shown in FIG. 16, when the wiring WL3 and the wiring WL2 do not overlap, the distance between the wiring WL1 and the wiring WL3 overlapping with each other is the total value of the thickness TH1 and the thickness TH2 in particular. Noise effects can be reduced.

本変形例2の表示装置LCD5のように、複数の配線層に形成される配線WLの一部が互いに重なるように設けられている場合、図13に示す表示装置LCD4よりも、さらに複数の配線WLの配線密度を向上させることができる。   When the wirings WL formed in the plurality of wiring layers are provided so as to partially overlap with each other as in the display device LCD5 of the second modification, a plurality of wirings are further provided than in the display device LCD4 shown in FIG. The wiring density of WL can be improved.

図16に示す例では、配線WL1の配線幅W1は、4.2μmであって、配線層L1の配線WL1の離間距離S1は、例えば5.1μm以上であれば良い。また、配線WL2の配線幅W2は1.8μmであって、配線層L2の配線WL2の離間距離S2は、例えば2.5μm以上であれば良い。また、配線WL3の配線幅W3は、4.2μmであって、配線層L3の配線WL3の離間距離S3は、例えば5.1μm以上であれば良い。   In the example illustrated in FIG. 16, the wiring width W1 of the wiring WL1 may be 4.2 μm, and the separation distance S1 of the wiring WL1 of the wiring layer L1 may be 5.1 μm or more, for example. The wiring width W2 of the wiring WL2 may be 1.8 μm, and the separation distance S2 of the wiring WL2 of the wiring layer L2 may be, for example, 2.5 μm or more. The wiring width W3 of the wiring WL3 may be 4.2 μm, and the separation distance S3 of the wiring WL3 of the wiring layer L3 may be 5.1 μm or more, for example.

ただし、図16に示す例では、平面視において、複数の配線WL2と複数の配線WL1とが、互いに重ならないようにするために、配線層L1の配線WL1の離間距離S1は7.0μmとし、配線層L2の配線WL2の離間距離S2は2.5μmとし、配線層L3の配線WL3の離間距離S3は、7.0μmとしている。   However, in the example illustrated in FIG. 16, in order to prevent the plurality of wirings WL2 and the plurality of wirings WL1 from overlapping each other in plan view, the separation distance S1 of the wirings WL1 of the wiring layer L1 is 7.0 μm, The separation distance S2 of the wiring WL2 of the wiring layer L2 is 2.5 μm, and the separation distance S3 of the wiring WL3 of the wiring layer L3 is 7.0 μm.

この場合、平面視において、9.2μmの範囲に四本の配線WLが配置されるので、隣り合う配線WL同士の中心間距離、すなわち、配線ピッチは、約2.3μmになる。したがって、図13に示す表示装置LCD4よりもさらに、配線密度を向上させることができる。   In this case, since four wires WL are arranged in a range of 9.2 μm in plan view, the distance between centers of adjacent wires WL, that is, the wire pitch is about 2.3 μm. Therefore, the wiring density can be further improved compared to the display device LCD 4 shown in FIG.

上記した相違点以外は、図15および図16に示す表示装置LCD5は、図13および図14に示す表示装置LCD4と同様である。したがって、重複する説明は省略する。   Except for the difference described above, the display device LCD5 shown in FIGS. 15 and 16 is the same as the display device LCD4 shown in FIGS. 13 and 14. Therefore, duplicate explanations are omitted.

<変形例3>
また、上記変形例1で説明した表示装置LCD4や上記変形例2で説明した表示装置LCD5のように、絶縁膜IL2上に、配線WL3を形成する場合、配線WL3が形成されている領域には、絶縁膜IL2が形成されている必要がある。
<Modification 3>
In the case where the wiring WL3 is formed on the insulating film IL2 as in the display device LCD4 described in the first modification and the display device LCD5 described in the second modification, in the region where the wiring WL3 is formed. , And the insulating film IL2 needs to be formed.

ここで、有機絶縁膜である絶縁膜IL2と無機絶縁膜である絶縁膜IL1との界面には、表示装置の外部から水分が浸入し易いという特徴がある。このため、水分が表示部DP(図1参照)まで浸入することを防止する観点から、図17に示すように、絶縁膜IL2の一部を取り除き、スリットSLTを形成することが好ましい。図17は、図13および図15に示す表示装置において、複数の配線層の配線を電気的に接続する部分の構造例を示す拡大断面図である。図17に示すスリットSLTは、図1に示すX方向に沿って延びるように形成された溝であって、スリットSLTの開口部において、下地層である絶縁膜IL1が露出している。   Here, the interface between the insulating film IL2 which is an organic insulating film and the insulating film IL1 which is an inorganic insulating film is characterized in that moisture easily infiltrates from the outside of the display device. For this reason, it is preferable to form a slit SLT by removing a part of the insulating film IL2 as shown in FIG. 17 from the viewpoint of preventing moisture from infiltrating to the display part DP (see FIG. 1). FIG. 17 is an enlarged cross-sectional view showing a structural example of a portion for electrically connecting the wirings of a plurality of wiring layers in the display shown in FIGS. 13 and 15. The slit SLT shown in FIG. 17 is a groove formed to extend along the X direction shown in FIG. 1, and the insulating film IL1 as a base layer is exposed at the opening of the slit SLT.

図17に示すようにスリットSLTを形成するためには、スリットを避けた領域において第三層目の配線層L3の配線WL3と、配線層L2の配線WL2とを電気的に接続する必要がある。   As shown in FIG. 17, in order to form the slits SLT, it is necessary to electrically connect the wiring WL3 of the third wiring layer L3 and the wiring WL2 of the wiring layer L2 in a region avoiding the slits. .

一方、上記したように、図5に示す引出配線部LDのうち、配線密度を特に向上させる必要がある部分は、部分LD2である。したがって、図17に示すようにスリットSLTを形成する場所は、引出配線部LDの部分LD3であることが好ましい。また、第三層目の配線層L3の配線WL3と、配線層L2の配線WL2とが、部分LD3で接続されていることが好ましい。   On the other hand, as described above, in the lead-out wiring portion LD shown in FIG. 5, the portion where the wiring density needs to be particularly improved is the portion LD2. Therefore, as shown in FIG. 17, it is preferable that the location where the slit SLT is formed is the portion LD3 of the lead-out wiring portion LD. Further, it is preferable that the wiring WL3 of the third wiring layer L3 and the wiring WL2 of the wiring layer L2 be connected by the partial LD3.

以上、本願発明者によってなされた発明を実施の形態および代表的な変形例に基づき具体的に説明したが、例えば、上記した種々の変形例同士を組み合わせて適用することもできる。また、配線層L3は、横電界方式の表示装置であれば共通電極を低抵抗化するための金属と兼用できる。配線層L3をアルミニウムのような低抵抗金属で形成した場合、配線WL2と同程度の配線幅や配線間隔で形成することが出来る。あるいは、配線層L3の膜厚によっては配線WL2よりも少し配線幅を太くして形成することが可能である。このような場合であっても本願発明を適用することが出来る。   As mentioned above, although the invention made by the present inventor was concretely explained based on an embodiment and a typical modification, for example, the above-mentioned various modifications can be combined and applied. The wiring layer L3 can also be used as a metal for lowering the resistance of the common electrode in the case of a display device of the lateral electric field type. When the wiring layer L3 is formed of a low resistance metal such as aluminum, the wiring layer L3 can be formed with a wiring width and a wiring interval similar to those of the wiring WL2. Alternatively, depending on the film thickness of the wiring layer L3, the wiring width can be made slightly wider than the wiring WL2. Even in such a case, the present invention can be applied.

また、絶縁膜L1の特性によっては、配線WL1と配線WL2とを部分的に重畳させることも可能である。同様に、絶縁膜L2を無機膜で形成した場合に、配線WL2と配線WL3とを重畳させることも可能である。これにより、更なる高密度化が実現できる。   Further, depending on the characteristics of the insulating film L1, the wiring WL1 and the wiring WL2 can be partially overlapped. Similarly, in the case where the insulating film L2 is formed using an inorganic film, the wiring WL2 and the wiring WL3 can also be overlapped. Thereby, further densification can be realized.

また、トップゲートの薄膜トランジスタでは、バックライトと半導体層との間に、バックライトの光を遮光するための遮光金属が用いられる場合がある。この遮光金属を配線層WL3に代えて使用することも可能である。また、前記遮光金属を4つ目の配線層として使用することも可能である。なお、上記で示した配線層は、表示領域のトランジスタのソース電極、あるいはドレイン電極に接続される配線を想定しているが、薄膜トランジスタのゲートに接続される配線、クロックや電源等を供給する配線、あるいは、半導体チップに信号を供給する配線等に適用することも可能である。また例えば、上述の実施の形態では、表示機能層として液晶層を用いる表示装置を開示しているがこれに限ったものではない。例えば、表示機能層として有機化合物から成る発光素子を用いる、所謂、有機ELタイプの表示装置の引出配線部に上記した技術を適用することもできる。   Further, in the top gate thin film transistor, a light shielding metal for shielding light of the backlight may be used between the backlight and the semiconductor layer. It is also possible to use this light shielding metal instead of the wiring layer WL3. Moreover, it is also possible to use the said light shielding metal as a 4th wiring layer. Note that although the wiring layer described above is assumed to be a wiring connected to the source electrode or the drain electrode of the transistor in the display region, a wiring connected to the gate of a thin film transistor, a wiring for supplying a clock, a power supply, and the like Alternatively, the present invention can be applied to a wiring or the like for supplying a signal to a semiconductor chip. Further, for example, in the above-described embodiment, although the display device using the liquid crystal layer as the display functional layer is disclosed, the present invention is not limited to this. For example, the above-described technique can be applied to a lead wiring portion of a so-called organic EL type display device using a light emitting element formed of an organic compound as a display functional layer.

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。   It will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the concept of the present invention, and such changes and modifications are also considered to fall within the scope of the present invention. For example, a person skilled in the art appropriately adds, deletes or changes the design of the component or adds or omits a process or changes conditions to the above-described embodiments. As long as it is included in the scope of the present invention.

本発明は、表示装置や表示装置が組み込まれた電子機器に利用可能である。   The present invention is applicable to a display device and an electronic device in which the display device is incorporated.

AF1、AF2 配向膜
BM 遮光膜
BS、FS 基板
BSb、FSb 背面
BSf、FSf 前面
BSg、FSg 基材
BSs1、BSs2、BSs3、BSs4 辺
CC 回路部
CE 共通電極
CF カラーフィルタ
CFr、CFg、CFb カラーフィルタ画素
CHP 半導体チップ
CNT1 制御回路
DP 表示部
DPQ 表示素子部
DR1 駆動回路
DT ドレイン電極
FL 額縁部
GT ゲート電極
IL1、IL2、IL3 絶縁膜
IPC 入力部
L1、L2、L3 配線層
LCD1、LCD2、LCD3、LCD4、LCD5 表示装置
LCL 液晶層
LD 引出配線部
LD1、LD2、LD3 部分
LS 光源
OC1、OC2 樹脂層
OP1 開口部
PE 画素電極
PL1、PL2 偏光板
PS 部材
Q1 トランジスタ
S1、S2、S3、S4 離間距離
SCL 半導体層
SL シール部
SLp シール材(封着材)
SLT スリット
ST ソース電極
VW 観者
W1、W2、W3 配線幅
WL、WL1、WL2、WL3 配線
AF1, AF2 Alignment film BM Light shielding film BS, FS substrate BSb, FSb Back surface BSf, FSf Front surface BSg, FSg Base materials BSs1, BSs2, BSs3, BSs4 Side CC circuit portion CE common electrode CF color filter CFr, CFg, CFb color filter pixel CHP semiconductor chip CNT1 control circuit DP display section DPQ display element section DR1 drive circuit DT drain electrode FL frame section GT gate electrode IL1, IL2, IL3 insulating film IPC input section L1, L2, L3 wiring layer LCD1, LCD2, LCD3, LCD4, LCD 5 display LCL liquid crystal layer LD lead wiring LD1, LD2, LD3 partial LS light source OC1, OC2 resin layer OP1 opening PE pixel electrode PL1, PL2 polarizer PS member Q1 transistor S1, S2, S3, S4 distance distance SCL semiconductor layer L seal portion SLp sealant (sealing material)
SLT Slit ST Source electrode VW Viewer W1, W2, W3 Wiring width WL, WL1, WL2, WL3 Wiring

Claims (1)

第1面を備える基板と、表示機能層と、を有し、
前記第1面は、前記表示機能層を駆動するための複数の表示素子が配列された表示素子部と、前記表示素子部に供給される信号が入力される入力部と、前記表示素子部と前記入力部とを電気的に接続する引出配線部と、を有し、
前記引出配線部は、絶縁膜を介して積層された複数の配線層を有し、
前記複数の配線層には、第1の配線幅の複数の第1配線が形成された第1配線層と、前記第1の配線幅よりも狭い第2の配線幅の複数の第2配線が形成された第2配線層と、が含まれ、
前記複数の第2配線の数は、前記複数の第1配線の数よりも多い、表示装置。
A substrate having a first surface, and a display function layer,
The first surface includes a display element unit in which a plurality of display elements for driving the display functional layer are arranged, an input unit to which a signal supplied to the display element unit is input, and the display element unit And a lead-out wiring portion electrically connected to the input portion;
The lead wiring portion has a plurality of wiring layers stacked via an insulating film,
In the plurality of wiring layers, a first wiring layer in which a plurality of first wirings having a first wiring width is formed, and a plurality of second wirings having a second wiring width narrower than the first wiring width are provided. And the formed second wiring layer,
The display device, wherein the number of the plurality of second wirings is larger than the number of the plurality of first wirings.
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