JP2019062229A - レーザ発振装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】パルス状に発光されるレーザ光の偏光方向を容易に同一方向化可能なレーザ発振装置を提供する。【解決手段】励起レーザ光4を照射する発光部2と、前記励起レーザ光を吸収して自然放出光12を放出するレーザ媒質5と、前記自然放出光を吸収しパルス光9を射出する可飽和吸収体6と、前記レーザ媒質を密着状態で保持する冷却手段としてのホルダ11とを具備し、該ホルダは前記レーザ媒質の少なくとも1面と密着し、前記レーザ媒質の前記ホルダと密着する側の縁部であって、且つ射出される前記パルス光の偏光方向を同一方向化させる位置に前記励起レーザ光を照射する様構成した。【選択図】図1
Description
本発明は、半導体レーザを励起源としたレーザ発振装置に関するものである。
分光計測、形状計測、非線結晶励起等に利用されるレーザ発振装置として、例えばNd:YAG等の等方性レーザ媒質を使ったQスイッチレーザ装置がある。Qスイッチレーザ装置は、所定波長のレーザ光を射出する発光部と、光共振器とから構成され、該光共振器は第1の誘電反射体と第2の誘電反射体、及び第1の誘電反射体と第2の誘電反射体との間に配置されたレーザ結晶と可飽和吸収体からなっている。
Qスイッチレーザ装置では、発光部から射出された励起レーザ光によりレーザ結晶が励起され、レーザ結晶から放出された自然放出光は可飽和吸収体に吸収される。自然放出光の吸収に伴い、可飽和吸収体の励起準位の電子密度が次第に増加し、電子密度が飽和することで可飽和吸収体が透明化する。可飽和吸収体が透明化することで、レーザ発振が生じてパルス光が射出される。
パルス光の波長変換や形状測定を行う場合、射出されるパルス光の偏光方向が一致しているのが望ましい。然し乍ら、上記したQスイッチレーザ装置は、パルス光が直交する方向に交互に偏光されて射出される偏光特性を有している為、従来は光共振器内に偏光素子を設ける等により、パルス光の偏光方向を制御していた。
本発明は斯かる実情に鑑み、パルス状に発光されるレーザ光の偏光方向を容易に同一方向化可能なレーザ発振装置を提供するものである。
本発明は、励起レーザ光を照射する発光部と、前記励起レーザ光を吸収して自然放出光を放出するレーザ媒質と、前記自然放出光を吸収しパルス光を射出する可飽和吸収体と、前記レーザ媒質を密着状態で保持する冷却手段としてのホルダとを具備し、該ホルダは前記レーザ媒質の少なくとも1面と密着し、前記レーザ媒質の前記ホルダと密着する側の縁部であって、且つ射出される前記パルス光の偏光方向を同一方向化させる位置に前記励起レーザ光を照射する様構成したレーザ発振装置に係るものである。
又本発明は、前記ホルダに冷却ユニットを設けたレーザ発振装置に係るものである。
更に又本発明は、前記発光部に照射位置変更手段を設け、該照射位置変更手段により前記レーザ媒質に対する前記励起レーザ光の照射位置を変更可能としたレーザ発振装置に係るものである。
本発明によれば、励起レーザ光を照射する発光部と、前記励起レーザ光を吸収して自然放出光を放出するレーザ媒質と、前記自然放出光を吸収しパルス光を射出する可飽和吸収体と、前記レーザ媒質を密着状態で保持する冷却手段としてのホルダとを具備し、該ホルダは前記レーザ媒質の少なくとも1面と密着し、前記レーザ媒質の前記ホルダと密着する側の縁部であって、且つ射出される前記パルス光の偏光方向を同一方向化させる位置に前記励起レーザ光を照射する様構成したので、前記レーザ媒質に大きな熱復屈折を生じさせ、前記パルス光の偏光方向を容易に同一方向化させることができると共に、該パルス光の偏光方向を同一方向化させる為に別途光学部材を設ける必要がなく、装置の小型化及びコストの低減を図ることができる。
又本発明によれば、前記ホルダに冷却ユニットを設けたので、前記レーザ媒質に形成される熱復屈折を更に大きくすることができ、前記発光部より照射する前記励起レーザ光の出力を低減させることができる。
更に又本発明によれば、前記発光部に照射位置変更手段を設け、該照射位置変更手段により前記レーザ媒質に対する前記励起レーザ光の照射位置を変更可能としたので、前記励起レーザ光の照射位置を容易に変更でき、所望の偏光方向の前記パルス光を得ることができるという優れた効果を発揮する。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。
先ず、図1(A)、図1(B)に於いて、本発明の実施例に係るレーザ発振装置について説明する。尚、本実施例に於けるレーザ発振装置としては、Qスイッチレーザ装置が用いられる。
図1(A)中、1はレーザ発振装置1を示し、該レーザ発振装置1は発光部2と光共振部3とから構成されている。前記発光部2には照射位置変更手段10が設けられ、又前記発光部2は例えば半導体レーザ等のレーザ光を射出する発光器(図示せず)と集光レンズ(図示せず)等から構成され、所定波長の励起レーザ光4を射出する様になっている。
又、前記光共振部3は、第1の光学結晶としてのレーザ媒質5と、第2の光学結晶としての可飽和吸収体6と、前記レーザ媒質5の前記発光部2側の端面に形成された第1共振部ミラー7と、前記可飽和吸収体6の射出側に設けられた第2共振部ミラー8とから構成されている。
前記光共振部3は、前記レーザ媒質5の<111>(図2参照)軸と、前記可飽和吸収体6の<100>(図2参照)軸と、前記励起レーザ光4の光軸とが平行になる様に配置され、パルス光9を射出する様になっている。図1(A)中では、前記レーザ媒質5と前記可飽和吸収体6とが別体となっている。前記レーザ媒質5は、例えば冷却手段である金属製のホルダ11により保持され、熱伝導性接着剤等で密着されている。
前記レーザ媒質5としては、例えばNd3 + :YAG結晶が用いられる。前記レーザ媒質5は、波長808nmの前記励起レーザ光4で励起され、入射した該励起レーザ光4を増幅して波長1064nmの自然放出光(光子)12を放出する様になっている。
又、前記可飽和吸収体6としては、例えばCr4 + :YAG結晶が用いられる。前記可飽和吸収体6は、前記レーザ媒質5から放出された前記自然放出光12を吸収する性質を有し、又該自然放出光12の吸収に伴い透過率が増加し、電子密度が増大して飽和した際に透明化する性質を有している。前記可飽和吸収体6が透明化することで、該可飽和吸収体6より波長1064nmの前記パルス光9を射出する様になっている。
前記第1共振部ミラー7は、前記発光部2からの前記励起レーザ光4に対して高透過であると共に、前記レーザ媒質5から放出される前記自然放出光12に対して高反射となっている。又、前記第2共振部ミラー8より前記パルス光9が射出される様になっている。
又、前記照射位置変更手段10としては、ボルト等で高さを調整し傾斜を調整する、或は弾性部材を設け、弾性部材に弾性変形を与えることで傾斜を調整する等がある。前記照射位置変更手段10により、前記励起レーザ光4の照射位置を変更することで、前記レーザ媒質5に入射する前記励起レーザ光4の照射位置を変更することができる。
前記発光部2から前記励起レーザ光4が照射されると、該励起レーザ光4は前記第1共振部ミラー7を透過して前記レーザ媒質5に入射する。前記励起レーザ光4により前記レーザ媒質5が励起され、前記励起レーザ光4が吸収、増幅されて前記自然放出光12として前記可飽和吸収体6に入射する。前記自然放出光12の吸収に伴い、前記可飽和吸収体6の電子密度が増大し飽和すると、該可飽和吸収体6が透明化し、前記第2共振部ミラー8を透過して前記パルス光9を射出する。
又、図1(B)は、前記光共振部3が、前記レーザ媒質5と前記可飽和吸収体6とがオプティカルコンタクト、熱拡散接合等で一体化さた構成となっている。前記レーザ媒質5と前記可飽和吸収体6は冷却手段を兼ねる金属製のホルダ13に保持され、前記第1共振部ミラー7が前記レーザ媒質5の入射面に設けられ、前記第2共振部ミラー8が前記可飽和吸収体6の射出面に設けられている。
図1(B)の場合も、図1(A)の場合と同様、前記発光部2から前記励起レーザ光4が照射されると、該励起レーザ光4は前記第1共振部ミラー7を透過して前記レーザ媒質5に入射する。前記励起レーザ光4により前記レーザ媒質5が励起され、その際に発生する前記自然放出光(光子)12の一部が前記可飽和吸収体6に入射する。又、該自然放出光12の吸収に伴い、前記可飽和吸収体6の電子密度が増大し飽和すると、該可飽和吸収体6が透明化し、前記第2共振部ミラー8を透過して前記パルス光9が射出される。
次に、図2に於いて、前記パルス光9の偏光方向について説明する。尚、図2中では、前記レーザ媒質5と前記可飽和吸収体6とが別体となった場合を示している。
図2中では、前記ホルダ11が、断面L字状で金属製の下ホルダ部14と、断面矩形で金属製の横ホルダ部15と、断面矩形で樹脂製の上ホルダ部16から構成されている。前記レーザ媒質5は、前記下ホルダ部14の角部に配置され、前記横ホルダ部15により横方向から押圧され、更に上部が前記上ホルダ部16で閉塞されることで、前記ホルダ11に保持される様になっている。又、前記レーザ媒質5と前記下ホルダ部14、前記レーザ媒質5と前記横ホルダ部15、前記レーザ媒質5と前記上ホルダ部16とは、それぞれ熱伝導性接着剤によって密着されている。
又、図3は、図2に示される様に、前記励起レーザ光4の照射位置19を、前記レーザ媒質5の中心部の照射位置19aとした場合に於ける温度分布を示す縦断面である。
図3中、Aは最も温度の高い領域を示し、Fは最も温度の低い領域を示しており、AからFに向って漸次温度が低くなっている。図3に示される様に、金属製の下ホルダ部14に接している下部は、樹脂製の上ホルダ部16と接している上部と比べて強く冷却され、急激に温度が低下し、温度勾配が大きくなっている。図3の結果より、前記レーザ媒質5には、中心部と下部との熱膨張の差により熱応力が生じ、熱復屈折が生じる。
この状態で、前記レーザ媒質5より照射される前記自然放出光12が前記可飽和吸収体6に入射した場合には、該可飽和吸収体6から射出される前記パルス光9は、図2に示される様に、P偏光パルス9aとS偏光パルス9bとが交互に発生し、前記パルス光9の偏光方向が安定しない。
本発明に於いて、発明者等は、前記レーザ媒質5に照射する前記励起レーザ光4の照射位置を変更することで、前記パルス光9の偏光方向の同一方向化が可能であることを見出した。以下、図4〜図6に於いて、前記パルス光9の偏光方向の同一方向化について説明する。
図4は、前記励起レーザ光4を前記レーザ媒質5の入射面の下端部の照射位置19bに照射した場合を示している。前記励起レーザ光4を前記照射位置19bに照射することで、前記可飽和吸収体6から射出される前記パルス光9は、全てS偏光パルス9bとなり、前記パルス光9の偏光方向が全て同一方向化される。
偏光方向が同一化される理由として、前記レーザ媒質5は、下面が冷却手段である金属製の下ホルダ部14と接触しており、前記照射位置19が冷却手段の近傍となる為、前記レーザ媒質5の下端部には、図3に示されたものよりも更に急激な温度勾配が生じる。従って、前記レーザ媒質5にはより大きな熱復屈折が生じ、該大きな熱復屈折により前記パルス光9の偏光方向が同一方向化されると考えられる。
又、図5(A)、図5(B)は、前記励起レーザ光4を前記レーザ媒質5の入射面の両側端部の照射位置19c,19dに照射した場合を示している。前記励起レーザ光4を前記照射位置19c,19dに照射した場合、前記可飽和吸収体6から射出される前記パルス光9は、全てP偏光パルス9aとなり、前記パルス光9の偏光方向が全て同一方向化される。
図5(A)に於いては、前記レーザ媒質5の紙面に対して左側の側面が冷却手段である金属製の前記下ホルダ部14と接触し、該下ホルダ部14により冷却されており、図4と同様急激な熱勾配を生じる。又、図5(B)に於いては、前記レーザ媒質5の紙面に対して右側の側面が冷却手段である金属製の前記横ホルダ部15と接触し、該横ホルダ部15により冷却されており、図4と同様急激な熱勾配を生じる。
従って、図5(A)、図5(B)に於いても、前記レーザ媒質5に大きな熱復屈折が生じ、該大きな熱復屈折により、前記パルス光9の偏光方向が同一方向化されると考えられる。
尚、前記励起レーザ光4を前記レーザ媒質5の入射面の上端部に照射した場合には、前記可飽和吸収体6から射出される前記パルス光9の偏光方向は同一方向化されなかった。これは、前記レーザ媒質5の上面と接触する前記上ホルダ部16が樹脂製であり、前記レーザ媒質5の冷却効果が低い為、該レーザ媒質5に急激な温度勾配が形成されず、該レーザ媒質5に大きな熱復屈折が生じなかった為だと考えられる。
図6(A)〜図6(L)は、種々の条件に於いて、前記レーザ媒質5に前記励起レーザ光4を照射した場合を示している。
尚、図6(A)〜図6(L)中、17は前記下ホルダ部14の角部に形成された切欠部、18は前記横ホルダ部15の下端に形成された切欠部を示している。前記切欠部17,18を形成することにより、前記下ホルダ部14、前記横ホルダ部15を機械加工した際にRが残るのを防止でき、前記ホルダ11に前記レーザ媒質5を取付ける際に、該レーザ媒質5の下面と前記下ホルダ部14とを確実に密着させることができる。
図6(A)〜図6(C)では前記レーザ媒質5のサンプル5aを用い、図6(D)〜図6(F)では前記レーザ媒質5のサンプル5bを用い、図6(G)〜図6(I)では前記レーザ媒質5のサンプル5cを用い、図6(J)〜図6(L)では前記レーザ媒質5のサンプル5dを用いている。
又、図6(A)、図6(D)、図6(G)、図6(J)では前記サンプル5a〜5dに照射する前記励起レーザ光4のスポット径を70μmとし、図6(B)、図6(E)、図6(H)、図6(K)では前記サンプル5a〜5dに照射する前記励起レーザ光4のスポット径を60μmとし、図6(C)、図6(F)、図6(I)、図6(L)では前記サンプル5a〜5dに照射する前記励起レーザ光4のスポット径を50μmとしている。
更に、図6(A)〜図6(L)は、何れの場合も、前記レーザ媒質5に大きな熱復屈折が生じる様、前記励起レーザ光4の照射位置19を、前記レーザ媒質5の側端部或は下端部、即ち冷却手段である前記下ホルダ部14や前記横ホルダ部15に近接する箇所としている。
上記した図6(A)〜図6(L)の条件で、前記発光部2(図1参照)より前記励起レーザ光4を照射した場合、前記可飽和吸収体6から射出される前記パルス光9は、全て前記P偏光パルス9a、或は全て前記S偏光パルス9bとなり、前記パルス光9の偏光方向が全て同一方向化された。
従って、前記レーザ媒質5として、Nd3 + :YAG結晶を用いる場合には、各サンプル5a〜5dの個体差に拘わらず、又照射される前記励起レーザ光4のスポット径に拘わらず、前記パルス光9の偏光方向が同一化されることが分った。
上述の様に、本実施例では、前記レーザ媒質5の入射面の端部、即ち冷却手段である金属製の前記下ホルダ部14、前記横ホルダ部15と密着する面の近傍に前記励起レーザ光4を照射し、前記レーザ媒質5に急激な熱勾配を生じさせて大きな熱復屈折を生じさせることで、前記可飽和吸収体6から射出される前記パルス光9の偏光方向を同一方向化させることができる。
従って、前記照射位置変更手段10により前記発光部2を傾斜させ、前記励起レーザ光4の前記レーザ媒質5に対する前記照射位置19を選択するだけで、前記パルス光9の偏光方向の同一方向化、偏光方向の切換えを容易に行うことができ、所望の偏光方向の前記パルス光9を得ることができる。
又、該パルス光9の偏光方向を同一方向化させる為に、前記光共振部3に別途光学部材を設ける必要がないので、前記レーザ発振装置1の小型化が図れると共に、コストの低減を図ることができる。
又、前記レーザ媒質5を冷却すればする程、即ち該レーザ媒質5に形成される熱勾配が大きくなり、熱復屈折が大きくなる。前記ホルダ11にペルチェ素子等の冷却ユニットを別途設け、該冷却ユニットで前記ホルダ11を更に冷却することで、前記レーザ媒質5に形成される熱勾配、熱復屈折を更に大きくできる。
尚、本実施例では、該励起レーザ光4を前記レーザ媒質5の下部、又は両側部に照射しているが、前記上ホルダ部16を金属製とした場合には、前記励起レーザ光4を前記レーザ媒質5の上部に照射してもよい。
又、本実施例では、前記可飽和吸収体6として、Cr4 + :YAG結晶を用いているが、V3 + :YAG結晶、GaAs(ヒ化ガリウム)を可飽和吸収体として用いてもよい。
1 レーザ発振装置
2 発光部
3 光共振部
4 励起レーザ光
5 レーザ媒質
6 可飽和吸収体
7 第1共振部ミラー
8 第2共振部ミラー
9 パルス光
10 照射位置変更手段
11 ホルダ
19 照射位置
2 発光部
3 光共振部
4 励起レーザ光
5 レーザ媒質
6 可飽和吸収体
7 第1共振部ミラー
8 第2共振部ミラー
9 パルス光
10 照射位置変更手段
11 ホルダ
19 照射位置
Claims (3)
- 励起レーザ光を照射する発光部と、前記励起レーザ光を吸収して自然放出光を放出するレーザ媒質と、前記自然放出光を吸収しパルス光を射出する可飽和吸収体と、前記レーザ媒質を密着状態で保持する冷却手段としてのホルダとを具備し、該ホルダは前記レーザ媒質の少なくとも1面と密着し、前記レーザ媒質の前記ホルダと密着する側の縁部であって、且つ射出される前記パルス光の偏光方向を同一方向化させる位置に前記励起レーザ光を照射する様構成したことを特徴とするレーザ発振装置。
- 前記ホルダに冷却ユニットを設けた請求項1のレーザ発振装置。
- 前記発光部に照射位置変更手段を設け、該照射位置変更手段により前記レーザ媒質に対する前記励起レーザ光の照射位置を変更可能とした請求項1又は請求項2のレーザ発振装置。
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Legal Events
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A02 | Decision of refusal |
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