JP2019053261A - 光処理装置、光コネクタ - Google Patents

Abstract

【課題】光コネクタ及び半導体デバイスの光結合を提供するに際して、光コネクタの厚さ及び半導体デバイスの厚さの和より小さい寸法を可能にする構造を有する光処理装置を提供する。【解決手段】光処理装置は、第１軸の方向に配列された第１領域及び第２領域を含む回路基板と、回路基板の前記第１領域に搭載された半導体デバイスと、半導体デバイスの主面及び回路基板の第２領域によって支持され、光ファイバ及びホルダを含む光コネクタと、半導体デバイスの厚さより薄い支持板を備え、ホルダは、第１ホルダ部品及び第２ホルダ部品を含み、支持板は、回路基板の前記第２領域と光コネクタの２ホルダ部品との間に設けられ、光ファイバは、第１ホルダ部品に支持される第１光ファイバ部を有し、光ファイバの第１ファイバ部は、第１軸の方向に延在する第１基準面に沿ったクラッド面と、端部とを有する。【選択図】図１

Description

本発明は、光処理装置、及び光コネクタに関する。

特許文献１は、光ファイバと集積デバイスとの光結合を開示する。

米国特許７１６２１２４号公報

特許文献１における光ファイバと集積デバイスとの光結合は、光ファイバの向き及び位置を半導体デバイスに合わせる点で煩雑である。発明者の知見によれば、光ファイバ及びホルダは、半導体デバイスと光ファイバとの光結合に先立って、光コネクタを構成できる。具体的には、光コネクタは、ホルダを用いて光ファイバの向き及び位置を整列する。光コネクタは、上記の煩雑さを回避でき、また半導体デバイスと光ファイバとの光結合を含む光処理装置の提供を可能にする。この光処理装置では、光コネクタを集積デバイスの主面に向けて配置すると、光コネクタの端面に位置する光ファイバが集積デバイスの光結合素子に光結合できる。この配置では、光処理装置の高さは、集積デバイスの厚さ及び光コネクタの長さの和になる。光処理装置には、低い高さと安定な光結合とを有することが求められる。

本発明の一側面は、光コネクタ及び半導体デバイスの光結合を提供するに際して、光コネクタの厚さ及び半導体デバイスの厚さの和より小さい寸法を可能にする構造を有する光処理装置を提供することを目的とする。本発明の別の側面は、光コネクタを提供することを目的とし、この光コネクタは、基板上に搭載されたデバイスに光結合を形成するに際して、光コネクタ及びデバイスの縦積みを避けると共に光コネクタの厚さ及び半導体デバイスの厚さの和より小さい寸法を可能にする構造を有する。

本発明の一側面に係る光処理装置は、第１軸の方向に配置された第１領域及び第２領域を含む回路基板と、前記回路基板の前記第１領域に搭載されており、光結合素子を有する半導体デバイスと、前記半導体デバイスの主面及び前記回路基板の前記第２領域によって支持され、光ファイバ及びホルダを含む光コネクタと、前記半導体デバイスの厚さより薄い支持板と、を備え、前記ホルダは、第１ホルダ部品及び第２ホルダ部品を含み、前記支持板は、前記回路基板の前記第２領域と前記光コネクタの前記第２ホルダ部品との間に設けられ、前記光ファイバは、前記第１軸の方向に延在するように前記第１ホルダ部品に支持される第１光ファイバ部、及び前記第１ホルダ部品と前記第２ホルダ部品との間に保持される第２光ファイバ部を有し、前記光ファイバの前記第１光ファイバ部は、前記第１軸の方向に延在する第１基準面に沿ったクラッド面と、端部とを有し、前記光コネクタの前記クラッド面は、前記半導体デバイスの前記主面から離間して前記半導体デバイスの前記光結合素子に対して位置決めされる。

本発明の別の側面に係る光コネクタは、第１ホルダ部品及び第２ホルダ部品を含むホルダと、第１軸の方向に延在するように前記第１ホルダ部品に支持される第１光ファイバ部、及び前記第１ホルダ部品と前記第２ホルダ部品との間に保持される第２光ファイバ部、及び前記第１ホルダ部品及び前記第２ホルダ部品から延出して前記第１軸の方向に延在するように前記第１ホルダ部品に支持される第３光ファイバ部を有する光ファイバと、を備え、前記第１ホルダ部品及び前記第２ホルダ部品は、前記第１軸の方向に交差する第２軸の方向に配列され、前記光ファイバの前記第１光ファイバ部は、前記第２軸に交差する第１基準面に沿って延在するクラッド面と、端部とを有する。

本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。

以上説明したように、本発明の一側面によれば、光コネクタ及び半導体デバイスの光結合を提供するに際して、光コネクタの厚さ及び半導体デバイスの厚さの和より小さい寸法を可能にする構造を有する光処理装置が提供される。本発明の別の側面によれば、光コネクタが提供され、この光コネクタは、基板上に搭載されたデバイスに光結合を形成するに際して、光コネクタ及び半導体デバイスの縦積みを避けると共に光コネクタの厚さ及びデバイスの厚さの和より小さい寸法を可能にする。

図１は、本実施形態に係る光処理装置を概略的に示す図面である。 図２は、光処理装置のいくつかの構造を模式的に示す図面である。 図３は、本実施形態に係る光処理装置を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。 図４は、本実施形態に係る光処理装置を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。 図５は、本実施形態に係る光処理装置を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。 図６は、本実施形態に係る光処理装置を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。 図７は、半導体デバイスのサイズ及び光コネクタのサイズと、これらを用いる光処理装置のサイズを模式的に示す図面である。 図８は、本実施形態に係る光コネクタを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。 図９は、本実施形態に係る光コネクタを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。 図１０は、本実施形態に係る光コネクタを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。

いくつかの具体例を説明する。

具体例に係る光処理装置は、（ａ）第１軸の方向に配置された第１領域及び第２領域を含む回路基板と、（ｂ）前記回路基板の前記第１領域に搭載されており、光結合素子を有する半導体デバイスと、（ｃ）前記半導体デバイスの主面及び前記回路基板の前記第２領域によって支持され、光ファイバ及びホルダを含む光コネクタと、（ｄ）前記半導体デバイスの厚さより薄い支持板と、を備え、前記ホルダは、第１ホルダ部品及び第２ホルダ部品を含み、前記支持板は、前記回路基板の前記第２領域と前記光コネクタの前記第２ホルダ部品との間に設けられ、前記光ファイバは、前記第１軸の方向に延在するように前記第１ホルダ部品に支持される第１光ファイバ部、及び前記第１ホルダ部品と前記第２ホルダ部品との間に保持される第２光ファイバ部を有し、前記光ファイバの前記第１光ファイバ部は、前記第１軸の方向に延在する第１基準面に沿ったクラッド面と、端部とを有し、前記光コネクタの前記クラッド面は、前記半導体デバイスの前記主面から離間して前記半導体デバイスの前記光結合素子に対して位置決めされる。

光処理装置によれば、光コネクタの第１ホルダ部品及び第２ホルダ部品は、光ファイバの第１ファイバ部に繋がる第２ファイバ部が第１軸の方向に延在するように第２ファイバ部を保持すると共に、光コネクタの第１ホルダ部品は、第２ホルダ部品無しに、光ファイバの第１ファイバ部が第１軸の方向に延在するように第１ファイバ部を支持する。光コネクタの第２ホルダ部品は、光ファイバの第１ファイバ部が半導体デバイスに光学的に結合することに干渉しない。また、半導体デバイスの厚さより薄い支持板の使用により、光コネクタが回路基板の第２領域に直接に固定されることを避けると共に、光コネクタは、回路基板の第１領域に搭載される半導体デバイスの主面に支持されることに加えて、回路基板の第２領域に支持されることを可能にする。回路基板の第２領域は、光結合の高さと異なる高さにおいて光コネクタを支持する。光コネクタに加わる外力は、光結合に係る半導体デバイスにだけでなく、回路基板にも加わる。回路基板の第２領域及び半導体デバイスによる複数の支持によれば、光コネクタと半導体デバイスとの光結合を安定にできる。

具体例に係る光処理装置では、前記光コネクタは、前記第１基準面に傾斜する第２基準面に沿って延在する傾斜端面を有し、前記光ファイバの前記端部は、前記第２基準面に沿って延在する端面を有する。

光処理装置によれば、光ファイバのクラッド面は、光コネクタの傾斜端面における光ファイバの端面に出会う。傾斜側面は、光コネクタが半導体デバイスに光学的に結合されるように光の伝搬方向を変えることを容易にする。

具体例に係る光処理装置では、前記光コネクタは、前記傾斜端面上に設けられた反射部材を含む。

光処理装置によれば、反射部材は、光の伝搬方向の変更の際の光学ロスを低減できる。

具体例に係る光処理装置では、前記光ファイバは、前記第１ホルダ部品及び前記第２ホルダ部品から延出する第３光ファイバ部を含み、前記第３光ファイバ部は、前記第１軸の方向に延在するように前記第１ホルダ部品に支持される。

光処理装置によれば、第１ホルダ部品は、第３光ファイバ部を第２ホルダ部品無しに支持すると共に、第３光ファイバ部の延在方向を第１基準面の方向に保って、回路基板の第２領域が第２ホルダ部品を支持するために大きなサイズになることを回避できる。

具体例に係る光処理装置では、前記光ファイバの前記第１光ファイバ部及び前記第２光ファイバ部は、前記第１基準面に沿って配列されており、前記第１ホルダ部品は、前記第１基準面から前記第１ホルダ部品への方向に後退する後退部を有し、前記第３光ファイバ部は、前記後退部に固定される。

光処理装置によれば、第１ホルダ部品の後退部は、光ファイバが回路基板から離れて延在することを可能にする。

具体例に係る光処理装置では、前記光コネクタは、前記ホルダから延出するピグテールファイバを含む。

光処理装置によれば、ピグテールファイバは、光コネクタが外部デバイスに光学的に接続されることを容易にする。

具体例に係る光コネクタは、（ａ）第１ホルダ部品及び第２ホルダ部品を含むホルダと、（ｂ）第１軸の方向に延在するように前記第１ホルダ部品に支持される第１光ファイバ部、及び前記第１ホルダ部品と前記第２ホルダ部品との間に保持される第２光ファイバ部、及び前記第１ホルダ部品及び前記第２ホルダ部品から延出して前記第１軸の方向に延在するように前記第１ホルダ部品に支持される第３光ファイバ部を有する光ファイバと、を備え、前記第１ホルダ部品及び前記第２ホルダ部品は、前記第１軸の方向に交差する第２軸の方向に配列され、前記光ファイバの前記第１光ファイバ部は、前記第２軸に交差する第１基準面に沿って延在するクラッド面と、端部とを有する。

光コネクタによれば、第１ホルダ部品は、第３光ファイバ部の延在方向を第１基準面の方向に維持すると共に、この維持によれば、第２ホルダ部品のサイズを第１ホルダ部品に比べて小さくすることを可能にする。

本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の光処理装置、及び光コネクタに係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。

図１の（ａ）部は、本実施形態に係る光処理装置を概略的に示す斜視図である。図１の（ｂ）部は、図１の（ａ）部に示されたＩｂ−Ｉｂ線に沿ってとられた断面に示す。図１の（ｃ）部は、図１の（ａ）部に示されたＩｃ−Ｉｃ線に沿ってとられた断面に示す。

光処理装置１１は、回路基板１３、半導体デバイス１５、光コネクタ１７、及び支持板１９を備える。回路基板１３は、主面１３ａを有すると共に、第１軸Ａｘ１の方向に配置された第１領域１３ｂ及び第２領域１３ｃを含む。半導体デバイス１５は、主面１５ａを有する。半導体デバイス１５は、例えばグレーティングカプラといった光結合素子１５ｂを含み、また光導波路及び光電変換素子（例えば、フォトダイオード）といった半導体光素子（１５ｃ）、並びに光変調器及びトランジスタ回路といった半導体電子素子（１５ｃ）を更に含むことができる。半導体デバイス１５は、例えばシリコンフォトニクス素子であることができる。半導体デバイス１５は、回路基板１３の第１領域１３ｂに搭載されると共に、回路基板１３に導電体ＷＲを介して接続される。光コネクタ１７は、光ファイバ２１及びホルダ２３を含む。光コネクタ１７内の光ファイバ２１は、半導体デバイス１５に光学的に結合される。光コネクタ１７は、回路基板１３の第２領域１３ｃ上の半導体デバイス１５によって支持される。本実施例では。光コネクタ１７は、樹脂体２９を用いて半導体デバイス１５の主面１５ａに固定される。具体的には、樹脂体２９は、半導体デバイス１５の主面１５ａと光コネクタ１７の光ファイバ２１との間を満たし、光ファイバ２１を伝搬する光を透過可能である。樹脂体２９は、例えば希釈剤、添加剤、紫外線硬化剤及び／又は熱硬化剤を含むことができる。本実施例では、ホルダ２３は、第１ホルダ部品２５及び第２ホルダ部品２７を含み、第１ホルダ部品２５及び第２ホルダ部品２７は、例えばガラス又はセラミック、具体的には石英、テンパックス（登録商標）、パイレックス（登録商標）、アルミナまたはジルコニアを備えることができる。本実施例では、第１ホルダ部品２５及び第２ホルダ部品２７は、第１軸Ａｘ１の方向に交差する第２軸Ａｘ２の方向に配列される。支持板１９は、回路基板１３の第２領域１３ｃ上に設けられる。具体的には、支持板１９は、回路基板１３と光コネクタ１７の第２ホルダ部品２７との間に設けられて、光コネクタ１７の第２ホルダ部品２７を支持する。光ファイバ２１は、第１光ファイバ部２１ａ及び第２光ファイバ部２１ｂを有する。第１光ファイバ部２１ａは、第１軸Ａｘ１の方向に延在するように第１ホルダ部品２５に支持されると共に、第２光ファイバ部２１ｂは、第１ホルダ部品２５と第２ホルダ部品２７との間に保持される。第１光ファイバ部２１ａは、第２光ファイバ部２１ｂに繋がる。第１ホルダ部品２５は、第１光ファイバ部２１ａと第２光ファイバ部２１ｂとの境界を越えて前方に延出して、第１光ファイバ部２１ａを支持する。

光処理装置１１によれば、光コネクタ１７の第１ホルダ部品２５及び第２ホルダ部品２７は、光ファイバ２１の第１光ファイバ部２１ａに繋がる第２光ファイバ部２１ｂが第１軸Ａｘ１の方向に延在するように第２光ファイバ部２１ｂを保持すると共に、光コネクタ１７の第１ホルダ部品２６は、第２ホルダ部品２７無しに、光ファイバ２１の第１光ファイバ部２１ａが第１軸Ａｘ１の方向に延在するように第１光ファイバ部２１ａを支持する。光コネクタ１７の第２ホルダ部品２７は、光ファイバ２１の第１光ファイバ部２１ａが半導体デバイス１５に光学的に結合することに干渉しない。また、半導体デバイス１５の厚さより薄い支持板１９の使用により、光コネクタ１７が回路基板１３の第２領域１３ｃに直接に固定されることを避ける。また、光コネクタ１７は、回路基板１３の第１領域１３ｂに搭載される半導体デバイス１５の主面１５ａに支持されることに加えて、回路基板１３の第２領域１３ｃに支持される。回路基板１３の第２領域１３ｃは、光結合の高さと異なる高さにおいて光コネクタ１７を支持する。使用中及び製造中に光コネクタ１７に加わる外力は、光結合に係る半導体デバイス１５にだけでなく、回路基板１３にも加わる。回路基板１３の第２領域１３ｃ及び半導体デバイス１５の主面１５ａによる異なるレベルの支持によれば、光コネクタ１７と半導体デバイス１５との光結合を安定化できる。

光ファイバ２１の第１光ファイバ部２１ａは、第１軸Ａｘ１の方向に延在する第１基準面Ｒ１ＥＦに沿ったクラッド面２１ｅと、端部２１ｆとを備える。光コネクタ１７のクラッド面２１ｅは、半導体デバイス１５の光結合素子１５ｂに対して位置決めされる。光ファイバ２１はコア２１ｃｒ及びクラッド２１ｃｄを含み、クラッド面２１ｅとコア２１ｃｒとの間隔は、例えば5〜30マイクロメートル以下であることができる。クラッド面２１ｅと半導体デバイス１５の主面１５ａの間隔は、例えば1〜30マイクロメートル以下であることができ、例えば１０マイクロメートルである。

支持板１９は、半導体デバイス１５の厚さ（ＤＤ）より小さい厚さ（ＳＤ）を有する。光ファイバ２１を保持する第１ホルダ部品２５及び第２ホルダ部品２７を含む光コネクタ１７において、第１ホルダ部品２５の上面と第２ホルダ部品２７の下面との間隔（ＣＤ）は、半導体デバイス１５の厚さ（ＤＤ）及び支持板１９の厚さ（ＳＤ）より大きい。また、回路基板１３の第２領域１３ｃの主面と光コネクタ１７の上面との距離は、間隔（ＣＤ）と厚さ（ＤＤ）との和より小さい。

支持板１９は、ゴムやゲルといった可撓性を有する材料を含むことがよい。支持板１９には、回路基板１３の第２領域１３ｃ上において、回路基板１３の主面１３ａと第２ホルダ部品２７の下面との間隔以下の厚さが提供される。第２ホルダ部品２７の下面とクラッド面２１ｅとの間隔の寸法ばらつき許容範囲は、例えば20マイクロメートル以下である。回路基板１３の第２領域１３ｃと回路基板１３との間に位置する支持板１９の厚さばらつき許容範囲は、例えば30マイクロメートル以下である。これらの寸法範囲は、半導体デバイス１５の主面１５ａにおいて位置決めされた光コネクタ１７の光学結合を失わせる押し上げ力を支持板１９が生成することを避ける。支持板１９は、支持板１９自体が容易に変形すること可能にする材料からなることがよく、具体的には、１００ＭＰａ以下のヤング率を有することがよい。また、確実な支持を可能にするために、支持板１９は、１００ｋＰａ以上のヤング率を有することがよい。支持板１９の寸法ばらつき許容範囲は、無荷重の状態で、例えば200マイクロメートル以下である。

本実施例では、光ファイバ２１は、第３光ファイバ部２１ｃを更に有しており、第３光ファイバ部２１ｃは第２ホルダ部品２７に支持されることなく、第３光ファイバ部２１ｃは第２光ファイバ部２１ｂに繋がる。

光コネクタ１７はピグテール構造を有することができる。具体的には、光コネクタ１７は、ホルダ２３から延出するピグテールファイバを含む。ピグテールファイバは、光コネクタ１７が外部デバイスに光学的に接続されることを容易にする。

図１の（ｂ）部及び（ｃ）部に示されるように、ホルダ２３において、光ファイバ２１、第１ホルダ部品２５及び第２ホルダ部品２７は樹脂体３３により固定される。樹脂体３３は、例えば希釈剤、添加剤、紫外線硬化剤及び／又は熱硬化剤を含むことができる。光コネクタ１７は傾斜端面１７ａを有し、傾斜端面１７ａは、第１基準面Ｒ１ＥＦに傾斜する第２基準面Ｒ２ＥＦに沿って延在する。第１基準面Ｒ１ＥＦと第２基準面Ｒ２ＥＦとの角度は、例えば０度より大きく９０度より小さい範囲にあることができる。光コネクタ１７は、第１光ファイバ部２１ａと第２光ファイバ部２１ｂとの境界に位置する前端面２７ａを有し、前端面２７ａは、第２ホルダ部品２７によって提供され、また第１軸Ａｘ１に交差する方向に延在する。前端面２７ａは、回路基板１３の側面から離れている。

本実施例では、第１ホルダ部品２５は、光ファイバ２１を位置決めするガイドを有しており、ガイド２５ｆは、光ファイバ２１が第１軸Ａｘ１に延在するようにガイドする。本実施例では、ガイド２５ｆは、例えば溝２５ｇの配列であって、個々の溝は第１軸Ａｘ１に延在する。配列された溝２５ｇは、光ファイバ２１を受け入れて、光ファイバ２１を位置決めする。

ホルダ２３は、第１部分２３ｂ及び第２部分２３ｃを含み、第１部分２３ｂ及び第２部分２３ｃは、第１軸Ａｘ１の方向に配列される。光コネクタ１７のホルダ２３では、第１部分２３ｂは、第１軸Ａｘ１の方向に延在するように第１光ファイバ部２１ａを案内すると共に、第２部分２３ｃは、第１軸Ａｘ１の方向に延在するように第２光ファイバ部２１ｂに保持する。第１部分２３ｂ及び第２部分２３ｃは、それぞれ、第１ホルダ面２３ａ及び第２ホルダ面２３ｄを提供しており、第１ホルダ面２３ａ及び第２ホルダ面２３ｄは、第１軸Ａｘ１の方向に延在する。ホルダ２３は、第２軸Ａｘ２の方向に関して互いに異なる高さに、第１ホルダ面２３ａ及び第２ホルダ面２３ｄを配置する。第１ホルダ面２３ａ及び第２ホルダ面２３ｄは、それぞれ、半導体デバイス１５及び支持板１９によって支持される。第１ホルダ面２３ａは、第１ホルダ部品２５上に配置される樹脂体３３の表面及びクラッド面２１ｅを備え、第２ホルダ面２３ｄは、第２ホルダ部品２７によって提供される。

図１の（ｂ）部を参照すると、光ファイバ２１の第１光ファイバ部２１ａは、クラッド面２１ｅ及び端部２１ｆを有する。クラッド面２１ｅは、第２軸Ａｘ２に交差する第１基準面Ｒ１ＥＦに沿って延在する。具体的には、クラッド面２１ｅは、傾斜端面１７ａ（２５ａ）に繋がり、傾斜端面１７ａの縁から第１軸Ａｘ１の方向に延在すると共に、第２ホルダ部品２７の前端面２７ａに向けて延在する。

光コネクタ１７のクラッド面２１ｅは、半導体デバイス１５の光結合素子１５ｂ上に置かれて、半導体デバイス１５の主面１５ａ及び光ファイバ２１のクラッド面２１ｅを介して光ファイバ２１を光結合素子１５ｂに光学的に結合される。光ファイバ２１の端部２１ｆは光結合素子１５ｂに対して位置決めされる。光ファイバ２１の端部２１ｆは、第２基準面Ｒ２ＥＦに沿って延在する傾斜端面２１ｇを有する。光処理装置１１によれば、光ファイバ２１のクラッド面２１ｅは、光コネクタ１７の傾斜端面１７ａにおける光ファイバ２１の傾斜端面２１ｇに出会う。傾斜端面１７ａは、光コネクタ１７が半導体デバイス１５に光学的に結合されるように光Ｌの伝搬方向を変えることを容易にする。

図１の（ｃ）部を参照すると、本実施例では、第１ホルダ部品２５は、配列された溝２５ｇを規定する盛り上がり部（畝）２５ｈを有する。盛り上がり部（畝）２５ｈは、第１軸Ａｘ１の方向に延在して、第１ホルダ面２３ａを提供する。第１ホルダ部品２５及び第２ホルダ部品２７を用いて光ファイバ２１を保持するホルダ２３の盛り上がり部（畝）２５ｈでは、樹脂体３３が、第１ホルダ部品２５の第１面２５ｊと第２ホルダ部品２７の第１面２７ｊとの間のギャップを満して、第１ホルダ部品２５及び第２ホルダ部品２７をしっかり接着する。

光コネクタ１７は、第１光ファイバ部２１ａの端部２１ｆ上に設けられた反射部材３１を含み、反射部材３１は、光の伝搬方向の変更の際の光学ロスを低減できる。本実施例では、反射部材３１は、傾斜端面１７ａ上に設けられる。

図２は、光処理装置のいくつかの構造を模式的に示す図面である。

（構造１）
光コネクタ１７の第２ホルダ部品２７は、回路基板１３の第２領域１３ｃ上の支持板１９によって支持されている。光コネクタ１７は、半導体デバイス１５の主面１５ａに樹脂体２９により固定される。具体的には、図２の（ａ）部に示されるように、光コネクタ１７の第２ホルダ部品２７の下面は、回路基板１３の第２領域１３ｃ上の支持板１９の上面に密着している。第２ホルダ部品２７は第１ホルダ部品２５より薄い。
例示的な構造１の構造。
光コネクタ１７の第２ホルダ部品２７の厚さ：500マイクロメートル。
支持板１９の厚さ：200マイクロメートル。

（構造２）
光コネクタ１７の第２ホルダ部品２７は、回路基板１３の第２領域１３ｃ上の支持板１９によって支持されている。光コネクタ１７は、半導体デバイス１５の主面１５ａに樹脂体２９により固定される。具体的には、図２の（ｂ）部に示されるように、第２ホルダ部品２７の下面と支持板１９との間に樹脂体３５で満たしている。樹脂体３５は、例えば希釈剤、添加剤、紫外線硬化剤及び／又は熱硬化剤を含むことができる。樹脂体３５は、第２ホルダ部品２７の下面を支持板１９に固定する。第２ホルダ部品２７を第１ホルダ部品２５より薄い。
例示的な構造２の構造。
光コネクタ１７の第２ホルダ部品２７の厚さ：500マイクロメートル。
支持板１９の厚さ：180マイクロメートル。
樹脂体３５の厚さ：20マイクロメートル。

（構造３）
光コネクタ１７の第２ホルダ部品２７は、回路基板１３によって支持されていない。具体的には、第２ホルダ部品２７の下面は、回路基板１３の第２領域１３ｃの主面から離れている。半導体デバイス１５の主面１５ａと光コネクタ１７とを固定する樹脂体２９が、光ファイバ２１を介して加わる可能性のある外力を受ける。
例示的な構造３の構造。
第２ホルダ部品２７の下面と回路基板１３の第２領域１３ｃの主面１３ａとの間隔：200マイクロメートル。

図３〜図５は、本実施形態に係る光処理装置を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。図３〜図５を参照しながら、光処理装置を作製する方法を説明する。理解を容易にするために、可能な場合には、引き続く説明において図１及び図２において付された参照符号を用いる。

工程Ｓ１０１では、図３の（ａ）部に示されるように、半導体デバイス１５及び支持板１９をそれぞれ回路基板１３の第１領域１３ｂ及び第２領域１３ｃ上に実装した第１中間生産物ＳＰ１を準備する。半導体デバイス１５は、光結合素子１５ｂの配列を有する。本実施例では、回路基板１３、半導体デバイス１５及び支持板１９を準備し、また半導体デバイス１５及び支持板１９をそれぞれ回路基板１３の第１領域１３ｂ及び第２領域１３ｃ上に配列して、第１中間生産物ＳＰ１を形成する。具体的には、図４の（ａ）部に示されるように、半導体デバイス１５を回路基板１３の第１領域１３ｂ上に実装する。この実装は、例えば半田を用いて、摂氏300度のリフローにより行われる。図４の（ｂ）部に示されるように、支持板１９を回路基板１３の第２領域１３ｃ上に実装する。この実装は、例えば溶着や接着により行われる。本実施例では、支持板１９の実装が半導体デバイス１５の実装に引き続く順序であり、可能な場合には、実装された支持板１９への熱ストレスを避けるために、半導体デバイス１５の実装が支持板１９の実装に引き続く順序であることができる。第１中間生産物ＳＰ１では、半導体デバイス１５及び支持板１９が、それぞれ、回路基板１３の第１領域１３ｂ及び第２領域１３ｃに位置決めされている。

工程Ｓ１０２では、図３の（ｂ）部に示されるように、光コネクタ１７を準備すると共に、光コネクタ１７を第１中間生産物ＳＰ１に位置決めする。具体的には、光コネクタ１７の光ファイバ２１の配列が半導体デバイス１５の光結合素子１５ｂの配列に光学的に結合されるように、光コネクタ１７及び半導体デバイス１５の一方を他方に対して移動して、アクティブ調芯を行う。支持板１９の上面のサイズは、光コネクタ１７の第２ホルダ部品２７の下面のサイズより大きい。このサイズの違いは、第２ホルダ部品２７の下面の寸法にばらつきがあっても第２ホルダ部品２７の下面全体を支持板１９の上面で支えることを可能にするためである。

本実施例では、図５の（ａ）部に示されるように、回路基板１３の第１領域１３ｂ上の半導体デバイス１５の主面１５ａが光コネクタ１７のクラッド面２１ｅを支持すると共に回路基板１３の第２領域１３ｃ上の支持板１９が光コネクタ１７の第２ホルダ部品２７を支持するように、光コネクタ１７を第１中間生産物ＳＰ１上に配置する。この配置に先立って、或いはこの配置の後に、図５の（ｂ）部に示されるように、光コネクタ１７のクラッド面２１ｅと半導体デバイス１５の主面１５ａとの間に樹脂２８を供給する。樹脂２８は、紫外線硬化剤及び熱硬化剤の少なくともいずれかを含む。また、光コネクタ１７の光ファイバ２１を測定装置（図３の（ｂ）部に示された測定装置ＭＤ）に接続する。測定装置ＭＤの光源は、光コネクタ１７の光ファイバ２１に光を提供すると共に、この光が半導体デバイス１５及び光コネクタ１７を介して測定装置ＭＤの受光装置に到達する。測定装置ＭＤを用いて、光コネクタ１７及び半導体デバイス１５の光学的な位置決めを行う。光学的な位置決めが完了した段階で、第２ホルダ部品２７の下面と支持板１９は密着させる。この光学的な位置決めの後に、図５の（ｃ）部に示されるように、硬化処理により樹脂２８を固化して、光コネクタ１７のクラッド面を樹脂体２９によって半導体デバイス１５に固定する。この固定により、光コネクタ１７のクラッド面２１ｅを半導体デバイス１５の光結合素子１５ｂに光学的に結合される。光コネクタ１７は、半導体デバイス１５及び支持板１９によって支持される。

或いは、本実施例では、図６の（ａ）部に示されるように、回路基板１３の第１領域１３ｂ上の半導体デバイス１５の主面１５ａが光コネクタ１７のクラッド面２１ｅを支持すると共に回路基板１３の第２領域１３ｃ上の支持板１９が光コネクタ１７の第２ホルダ部品２７を支持するように、光コネクタ１７を第１中間生産物ＳＰ１上に配置する。この配置に先立って、或いはこの配置の後に、光コネクタ１７のクラッド面２１ｅと半導体デバイス１５の主面１５ａとの間に樹脂２８を供給し、光コネクタ１７の光ファイバ２１を測定装置（図３の（ｂ）部に示された測定装置ＭＤ）に接続する。測定装置ＭＤの光源は、光コネクタ１７の光ファイバ２１に光を提供すると共に、この光が半導体デバイス１５及び光コネクタ１７を介して測定装置ＭＤの受光装置に到達する。測定装置ＭＤを用いて、光コネクタ１７及び半導体デバイス１５の光学的な位置決め及び固定を行う。

本実施例では、以下の手順により、光コネクタ１７及び半導体デバイス１５の光学的な位置決め及び固定を行う。

光学的な位置決めに先だって、図６の（ｂ）部に示されるように、光コネクタ１７のクラッド面２１ｅと半導体デバイス１５の主面１５ａとの間に樹脂２８を供給する。樹脂２８は、紫外線硬化剤及び熱硬化剤の少なくともいずれかを含む。樹脂２８の供給及び調芯の後に、樹脂２８を固化して、光コネクタ１７のクラッド面２１ｅを樹脂体２９によって半導体デバイス１５に固定する。この固定により、光コネクタ１７のクラッド面２１ｅを半導体デバイス１５の光結合素子１５ｂに光学的な結合を達成できる。光コネクタ１７は、半導体デバイス１５によって支持される。

光コネクタ１７を半導体デバイス１５に固定した後に、或いは光コネクタ１７を半導体デバイス１５に固定するに先だって、第２ホルダ部品２７の下面と支持板１９との間に樹脂３４を供給すると共に光コネクタ１７を支持板１９に押圧する。樹脂３４は、紫外線硬化剤及び熱硬化剤の少なくともいずれかを含む。光コネクタ１７のクラッド面２１ｅを樹脂体２９によって半導体デバイス１５に固定することに加えて、樹脂３４を固化して、第２ホルダ部品２７の下面を樹脂体３５によって支持板１９に固定する。この固定により、光コネクタ１７が、回路基板１３上の半導体デバイス１５と支持板１９との上に両方によって支持される。また、光コネクタ１７は、半導体デバイス１５及び支持板１９それぞれのレベルにおいて支持される。

具体的には、半導体デバイス１５の光結合素子１５ｂのアレイ上に第１中間生産物ＳＰ１と光コネクタ１７との間に樹脂３４を入れて、半導体デバイス１５及び光コネクタ１７の調心を行う。所望の精度で調芯を得た位置で樹脂を硬化させる。この位置において、光コネクタ１７と支持板１９との間に隙間（例えば1〜50マイクロメートルの隙間）ができる。この隙間に樹脂３４を供給すると共にこの樹脂３４を固化して樹脂体３５を形成して、光コネクタ１７と支持板１９とを固定する。上記の隙間には、低い粘度（５０００ｃＰ以下）の樹脂が入れやすい。この樹脂３４が、支持板１９から回路基板１３の主面１３ａの漏れないように、低すぎる粘度を避けて、粘度（１００ｃＰ以上）の樹脂を用いること好適である。この樹脂３４の硬化は、調芯の後に行われる。半導体デバイス１５に光コネクタ１７を樹脂２８により固定することに続いて、支持板１９に光コネクタ１７を樹脂３４により固定する。

これらの工程におり、光処理装置１１の作製が完了する。

図７は、半導体デバイスのサイズ及び光コネクタのサイズと、これらを用いる光処理装置のサイズを模式的に示す図面である。図７の（ａ）部を参照しながら、回路基板１３の主面１３ａ上に実装された半導体デバイス１５及び光コネクタ１７を含む光処理装置１１を説明する。回路基板１３の主面１３ａから光コネクタ１７の上端までの高さＨ１ＧＴは、光コネクタ１７の高さ（ＣＤ）と支持板１９の厚さ（ＳＤ）との和になり、半導体デバイス１５の厚さと和より小さい。高さＨ１ＧＴは、例えば2.5ミリメートル程度である。図７の（ｂ）部を参照しながら、回路基板１３の主面１３ａ上に実装された半導体デバイスＤＥＶ及び光コネクタＣＯＮを含む光処理装置ＯＰを説明する。回路基板１３の主面１３ａから光コネクタＣＯＮの上端までの高さＨ２ＧＴは、半導体デバイス１５及び光コネクタ１７の長さ（ＣＬ）と半導体デバイスＤＥＶの厚さ（ＤＤ）との和になり、例えば高さＨ１ＧＴは、例えば3ミリメートル程度である。光処理装置ＯＰでは、光コネクタＣＯＮの末尾からピグテールファイバＦＢが延出する。

図８〜図１０は、本実施形態に係る光コネクタを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。図８〜図１０を参照しながら、光コネクタを作製する方法を説明する。理解を容易にするために、可能な場合には、引き続く説明において図１及び図２において付された参照符号を用いる。

工程Ｓ２０１では、図８の（ａ）部に示されるように、一又は複数の光ファイバ４１、並びにホルダのための第１部品４５及び第２部品４７を準備する。本実施例では、第１部品４５及び第２部品４７の各々は、例えば単一のホルダを形成できる横幅の形状を有している。第１部品４５及び第２部品４７は、例えばガラス、又はセラミック、具体的には石英、テンパックス（登録商標）、パイレックス（登録商標）、アルミナまたはジルコニアを含む。これらの材料は、引き続く工程において適用される機械加工により結果物に所望の精度を提供できる。

第２部品４７は、光ファイバアレイを支持する第１面４７ａを有しており、実質的に第１面４７ａは平坦である。第１部品４５は、光ファイバアレイを支持する第１面４５ａを有する。第１部品４５は、第４軸Ａｘ４の方向に順に配列された第１領域４５ｂ、第２領域４５ｃ及び第３領域４５ｄを有する。第１領域４５ｂ及び第２領域４５ｃの第１面４５ａは、光ファイバを受け入れる一又は複数の溝４３を有しており、溝４３は、第４軸Ａｘ４の方向に延在する。具体的には、個々の溝４３は、ファイバの側面を支持する第１支持面４３ａ及び第２支持面４３ｂを含む。溝４３は、第２領域４５ｃと第３領域４５ｄとの境界で終端しており、第３領域４５ｄは、第１領域４５ｂ及び第２領域４５ｃの第１面４５ａに比べて後退する後退部４５ｅを規定する。後退量ＤＰは、例えば100〜500マイクロメートル程度である。第２部品４７は、第１部品４５の第１領域４５ｂ及び第２領域４５ｃを覆える長さを有する。第１部品４５の長さＬ１は、例えば3000〜8000マイクロメートル程度であり、第２部品４７の長さＬ２は、例えば2000〜5000マイクロメートル程度である。

工程Ｓ２０２では、図８の（ｂ）部に示されるように、第１部品４５の溝４３に光ファイバ４１を配置すると共に、第１部品４５の第１領域４５ｂ及び第２領域４５ｃ並びに光ファイバ４１上に樹脂４９を塗布すると共に、必要な場合には、更に第３領域４５ｄ上にも樹脂４９を塗布することができる。樹脂４９の塗布の後に、第２部品４７を第１部品４５及び光ファイバ４１上に置くと、第１部品４５及び第２部品４７は第２軸Ａｘ２の方向に配列されると共に、光ファイバ４１は、第１部品４５の第１領域４５ｂ及び第２領域４５ｃと第２部品４７との間に延在し、また第１部品４５と第２部品４７との間から延出した光ファイバ４１は、第１部品４５の第３領域４５ｄに向けて垂れ下がりながら第３領域４５ｄから離れて延在する。

工程Ｓ２０３では、図９の（ａ）部に示されるように、樹脂４９を硬化させて、第１部品４５の第１領域４５ｂ及び第２領域４５ｃと第２部品４７との間に光ファイバ４１を固定すると共に、第３領域４５ｄ上において光ファイバ４１を固定して、第１生産物ＰＤ１を形成する。硬化された樹脂４９を樹脂体５１として参照する。第１生産物ＰＤ１において、光ファイバ４１は、第１部品４５の第１領域４５ｂ及び第２領域４５ｃと第２部品４７との間において、第２軸Ａｘ２に交差する基準平面ＲＥＦに沿って延在する。また、第１部品４５と第２部品４７との間から延出した光ファイバ４１は、基準平面ＲＥＦを基準に第２部品４７から第１部品４５への方向に曲がりながら第１部品４５の第３領域４５ｄ上の樹脂体５１内を延在する。垂下量ＤＲＰは、例えば0〜300マイクロメートル程度である。

工程Ｓ２０４では、図９の（ｂ）部に示されるように、第１生産物ＰＤ１の一端、具体的には、第１生産物ＰＤ１の第１部品４５の第１領域４５ｂ及び第１領域４５ｂ上の第２部品４７を加工装置５３ａを用いて研磨して、基準平面ＲＥＦに対して傾斜した傾斜端面１７ａを形成する。第１部品４５の加工により、第１ホルダ部品２５が形成される。この加工により、第２生産物ＰＤ２が得られる。

工程Ｓ２０５では、図１０の（ａ）部に示されるように、第２生産物ＰＤ２の傾斜端面１７ａ上に反射部材３１を接着材を用いて固定して、第３生産物ＰＤ３を形成する。

工程Ｓ２０６では、図１０の（ｂ）部に示されるように、第３生産物ＰＤ３の一端、具体的には、第３生産物ＰＤ３の第２部品４７及び反射部材３１を加工装置５３ｂを用いて加工して、第１部品４５の第１領域４５ｂ上の第２部品４７を除去する。本実施例では、この工程において第１部品４５を加工しない。第２部品４７の除去により、光ファイバ４１から光ファイバ２１が形成されると共に、クラッド面２１ｅが形成される。

これらの工程により、光コネクタ１７が形成される。

図１及び図１０の（ｂ）部を参照すると、光コネクタ１７は、ホルダ２３と、光ファイバ２１と、樹脂体５１とを有する。ホルダ２３は、第１ホルダ部品２５及び第２ホルダ部品２７を含む。第１ホルダ部品２５は、第１領域２５ｂ、第２領域２５ｃ及び第３領域２５ｄを備え、第１領域２５ｂ、第２領域２５ｃ及び第３領域２５ｄは第１軸Ａｘ１の方向に配列される。第２ホルダ部品２７は、第１ホルダ部品２５の第１領域２５ｂ及び第３領域２５ｄ上に設けられることなく、第２領域２５ｃ上に設けられる。光ファイバ２１は、第１軸Ａｘ１の方向に延在するように第１ホルダ部品２５の第１領域２５ｂに支持される第１光ファイバ部２１ａ、第１ホルダ部品２５と第２ホルダ部品２７との間に保持される第２光ファイバ部２１ｂ、及び第１ホルダ部品２５と第２ホルダ部品２７との間から第１軸Ａｘ１の方向に延出して第１ホルダ部品２５に支持される第３光ファイバ部２１ｃを有する。樹脂体５１は、第１ホルダ部品２５の第２領域２５ｃ、光ファイバ２１、及び第２ホルダ部品２７を固定すると共に、第１ホルダ部品２５の第３領域２５ｄにおいて第３光ファイバ部２１ｃを第３領域２５ｄの後退部２５ｅに固定する。

第１ホルダ部品２５の後退部２５ｅは、第１基準面Ｒ１ＥＦから第１ホルダ部品２５への方向に後退する。第３光ファイバ部２１ｃは、後退部２５ｅに樹脂体５１によって保持される。

図１０の（ｃ）部は、加工により形成された光ファイバの先端部分を示す断面と、加工により形成された光ファイバの先端部分及びホルダ端面とを示す図面である。図１０の（ｃ）部に示されるように、断面及びホルダ端面において第１基準面Ｒ１ＥＦの位置が合わされている。光ファイバ２１の第１光ファイバ部２１ａは、第２軸Ａｘ２に交差する第１基準面Ｒ１ＥＦに沿って延在するクラッド面２１ｅと、クラッド面２１ｅを介して外部光学素子に光学的に結合可能な端部２１ｆを有する。

光コネクタ１７によれば、第１ホルダ部品２５は、第３光ファイバ部２１ｃの延在方向を第１基準面Ｒ１ＥＦの方向に維持すると共に、第２ホルダ部品２７のサイズを第１ホルダ部品２５に比べて小さくすることを可能にする。

再び図１及び図２を参照すると、上記の説明から理解されるように、光処理装置１１では、光ファイバ２１は、端部２１ｆ及びクラッド面２１ｅを有する第１光ファイバ部２１ａ、第１光ファイバ部２１ａに接続された第２光ファイバ部２１ｂ、並びに第２光ファイバ部２１ｂに接続された第３光ファイバ部２１ｃを含む。光コネクタ１７のホルダ２３は、第１光ファイバ部２１ａを第１軸Ａｘ１の方向に延在するように案内する第１部分２３ｂと、第１軸Ａｘ１の方向に延在するように第２光ファイバ部２１ｂを保持する第２部分２３ｃとを含む。支持板１９は、回路基板１３の第２領域１３ｃと光コネクタ１７の第２部分１７ｃとの間に設けられる。ホルダ２３の第１部分２３ｂは、第１基準面Ｒ１ＥＦに沿って延在する第１ホルダ面２３ａを有する。半導体デバイス１５の主面１５ａは、第１ホルダ面２３ａを支持する。ホルダ２３の第２部分２３ｃは、第２軸Ａｘ２に交差する第３基準面Ｒ３ＥＦに沿って延在する第２ホルダ面２３ｄを有する。回路基板１３の第２領域１３ｃは、第２ホルダ面２３ｄを支持する。本実施例では、第３基準面Ｒ３ＥＦは第１基準面Ｒ１ＥＦに実質的に平行であり、例えば第１ホルダ面２３ａと第２ホルダ面２３ｄとの角度差は、例えば−10〜＋10度の範囲にある。

また、上記の説明から理解されるように、光処理装置１１は、回路基板１３と、半導体デバイス１５と、光ファイバ２１及び該光ファイバ２１を保持するホルダ２３を含む光コネクタ１７と、回路基板１３の第２領域１３ｃと光コネクタ１７のホルダ２３との間に設けられた支持板１９を備える。ホルダ２３は、第１軸Ａｘ１の方向に配置された第１部分２３ｂ及び第２部分２３ｃを含む。ホルダ２３の第１部分２３ｂ及び半導体デバイス１５は、半導体デバイス１５の主面１５ａがホルダ２３の第１部分２３ｂを支持するように、第２軸Ａｘ２の方向に配列される。ホルダ２３の第２部分２３ｃ及び回路基板１３の第２領域１３ｃは、回路基板１３の第２領域１３ｃがホルダ２３の第２部分２３ｃを支持するように、第２軸Ａｘ２の方向に配列される。

以上説明したように、本実施形態に係る光処理装置１１は、光コネクタ１７及び半導体デバイス１５の光結合を提供するに際して、光コネクタ１７の厚さ及び半導体デバイス１５の厚さの和より小さい厚さを可能にする構造を有する。また、本実施形態に係る光コネクタ１７は、第１ホルダ部品２５のより短い第２ホルダ部品２７を有しており、光コネクタ１７の第２ホルダ部品２７が、回路基板１３に支持される。本実施例では、光コネクタ１７では、光ファイバ２１が回路基板１３に触れないように、光ファイバ２１は、回路基板１３の縁の近傍まで光コネクタ１７の第１ホルダ部品２５によって支持される。光コネクタ１７は、基板上に搭載された半導体デバイス１５に光結合を形成するに際して、回路基板１３に大きな支持エリアを求めない光コネクタ１７が提供される。

好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本実施の形態では、本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。

以上説明したように、本実施形態によれば、光コネクタ及び半導体デバイスの光結合を提供するに際して、光コネクタの厚さ及び半導体デバイスの厚さの和より小さい厚さを可能にする構造を有する光処理装置が提供される。本実施形態によれば、光コネクタが提供され、この光コネクタは、支持基板上に搭載されたデバイスに光結合を形成するに際して、光コネクタ及び半導体デバイスの縦積みを避けると共に光コネクタの厚さ及び半導体デバイスの厚さの和より小さい厚さを可能にする。

１１…光処理装置、１３…回路基板、１５…半導体デバイス、１７…光コネクタ、１９…支持板、２３…ホルダ、２５…第１ホルダ部品、２７…第２ホルダ部品。

Claims (7)

1. 光処理装置であって、
   第１軸の方向に配置された第１領域及び第２領域を含む回路基板と、
   前記回路基板の前記第１領域に搭載されており、光結合素子を有する半導体デバイスと、
   前記半導体デバイスの主面及び前記回路基板の前記第２領域によって支持され、光ファイバ及びホルダを含む光コネクタと、
   前記半導体デバイスの厚さより薄い支持板と、
   を備え、
   前記ホルダは、第１ホルダ部品及び第２ホルダ部品を含み、
   前記支持板は、前記回路基板の前記第２領域と前記光コネクタの前記第２ホルダ部品との間に設けられ、
   前記光ファイバは、前記第１軸の方向に延在するように前記第１ホルダ部品に支持される第１光ファイバ部、及び前記第１ホルダ部品と前記第２ホルダ部品との間に保持される第２光ファイバ部とを有し、
   前記光ファイバの前記第１光ファイバ部は、前記第１軸の方向に延在する第１基準面に沿ったクラッド面と、端部とを備え、
   前記光コネクタの前記クラッド面は、前記半導体デバイスの前記主面から離間して前記半導体デバイスの前記光結合素子に対して位置決めされる、光処理装置。
2. 前記光コネクタは、前記第１基準面に傾斜する第２基準面に沿って延在する傾斜端面を有し、前記光ファイバの前記端部は、前記第２基準面に沿って延在する端面を有する、請求項１に記載された光処理装置。
3. 前記光コネクタは、前記傾斜端面上に設けられた反射部材を含む、請求項２に記載された光処理装置。
4. 前記光ファイバは、前記第１ホルダ部品及び前記第２ホルダ部品から延出する第３光ファイバ部を含み、前記第３光ファイバ部は、前記第１軸の方向に延在するように前記第１ホルダ部品に支持される、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載された光処理装置。
5. 前記光ファイバの前記第１光ファイバ部及び前記第２光ファイバ部は、前記第１基準面に沿って配列されており、
   前記第１ホルダ部品は、前記第１基準面から前記第１ホルダ部品への方向に後退する後退部を有し、
   前記第３光ファイバ部は、前記後退部に固定される、請求項４に記載された光処理装置。
6. 前記光コネクタは、前記ホルダから延出するピグテールファイバを含む、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載された光処理装置。
7. 光コネクタであって、
   第１ホルダ部品及び第２ホルダ部品を含むホルダと、
   第１軸の方向に延在するように前記第１ホルダ部品に支持される第１光ファイバ部、及び前記第１ホルダ部品と前記第２ホルダ部品との間に保持される第２光ファイバ部、及び前記第１ホルダ部品及び前記第２ホルダ部品から延出して前記第１軸の方向に延在するように前記第１ホルダ部品に支持される第３光ファイバ部を有する光ファイバと、
   を備え、
   前記第１ホルダ部品及び前記第２ホルダ部品は、前記第１軸の方向に交差する第２軸の方向に配列され、
   前記光ファイバの前記第１光ファイバ部は、前記第２軸に交差する第１基準面に沿って延在するクラッド面と、端部とを有する、光コネクタ。

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