JP2018180027A - 光モジュール、及びこれを用いた電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】温度変化が生じる環境下でも、外部光配線と光配線基板上の光導波路の間の接続の信頼性を維持することのできる光モジュールを提供する。【解決手段】光モジュールは、光導波路が形成された光配線基板12と、光ファイバ21を保持して光配線基板に搭載されるファイバホルダと50を有し、ファイバホルダは、光ファイバの先端を光配線基板に形成された光導波路に光接続し、光配線基板との接続面に光ファイバの先端を収容する溝53を有する。【選択図】図2
Description
本発明は、光モジュールと、これを用いた電子機器に関する。
近年のスーパーコンピュータやハイエンドサーバでの大規模演算システムでは、LSI(Large-Scale Integration:大規模集積回路)間、LSI−メモリ間、及びLSI−ストレージ間のデータ通信で電気気信号による高速通信が行われてきた。長距離の電気配線では伝送損失やクロストークによる波形劣化が発生し、波形補償のための電力増大が問題となっている。将来的には、電気配線はパッケージ基板内の配線長程度の距離に限定されることが予測される。
一方、電気信号を光信号に変換し、光配線で通信を行う光インターコネクトが注目されている。光インターコネクトを用いることで、電気伝送の問題を解決しつつ広帯域化が可能となり、電気伝送の問題が顕著な長距離配線から順に光配線に置き換わりつつある。近い将来の光インターコネクトの形態としては、チップサイズの光トランシーバを光電気変換部品として用い、パッケージ基板上でLSIの近傍に光トランシーバを配置する構成が予測される。
パッケージ基板に搭載される微小な光トランシーバを実現する技術として、シリコンフォトニクスが注目されている。シリコンフォトニクスでは、シリコン基板上に光制御機能を有する微細な光回路をCMOSプロセスで形成することができる。光制御機能を有する回路としては、光変調器や光検出器があり、これらの光回路を接続する細線導波路が既に実現している。細線導波路には、外部光配線である光ファイバと接続する光インターフェースの形成技術も開発されている。
光インターフェースの一例として、シリコンフォトニクス技術で形成された光配線チップ上の回折格子に、光ファイバを基板と垂直な方向から位置合わせして光接続する構成が知られている(たとえば、特許文献1参照)。光ファイバを保持するファイバホルダの材料として一般にガラスが用いられている。ガラスに高精度の加工を施して多心の光ファイバの位置とピッチを規定する。位置合わせされたファイバホルダは接着剤により光配線チップに固定される。
ガラスのファイバホルダは、石英やシリコンの基板に光導波路が形成された光配線チップと熱膨張の差異が小さい。温度サイクル時にファイバホルダを固定する接着剤にかかる応力の絶対値と履歴が小さく、接続の信頼性が維持される。
ガラスを用いたファイバホルダは安価な射出成型で作製することが難しい。ガラスの軟化点が高くホットプレス成型の金型を作ること自体が困難だからである。ガラスのファイバホルダは、通常は高精度の機械加工で作製されている。また、ファイバホルダのファイバガイド構造は、溝が形成された基部と基部を覆う蓋などのように2個以上の部品で形成されており、製造コストが高い。低コストでファイバホルダを作製するには、安価な樹脂材料を用いた射出成型が望ましいが、樹脂は光配線チップと比較して熱膨張が大きい。ファイバホルダを樹脂で形成した場合、使用環境の温度変化により、光ファイバの実装位置を固定する接着層に大きなせん断応力が発生する。そのため、接続の長期信頼性を保つことが難しい。
本発明は、温度変化が生じる環境下でも外部光配線と光配線基板上の光導波路の間の接続の信頼性を維持することのできる光モジュールを提供することを目的とする。
一つの態様では、光モジュールは、
光導波路が形成された光配線基板と、
光ファイバを保持して前記光配線基板に搭載されるファイバホルダとを有し、
前記ファイバホルダは、前記光ファイバの先端を前記光配線基板に形成された前記光導波路に光接続させ、
前記光配線基板との接続面に前記光ファイバの先端を収容する溝を有する。
光導波路が形成された光配線基板と、
光ファイバを保持して前記光配線基板に搭載されるファイバホルダとを有し、
前記ファイバホルダは、前記光ファイバの先端を前記光配線基板に形成された前記光導波路に光接続させ、
前記光配線基板との接続面に前記光ファイバの先端を収容する溝を有する。
一つの側面として、温度変化が生じる環境下でも外部光配線と光配線基板上の光導波路の間の接続の信頼性を維持することができる。
以下で図面を参照して、実施形態の光モジュールの接続構成を説明する。
<第1実施形態>
図1は、第1実施形態の光モジュール10で用いられるファイバホルダ50を側面から見た模式図である。図2は第1実施形態の光モジュール10で用いられるファイバホルダ50を正面から見た模式図と、基板との接続面55を示す図である。
図1は、第1実施形態の光モジュール10で用いられるファイバホルダ50を側面から見た模式図である。図2は第1実施形態の光モジュール10で用いられるファイバホルダ50を正面から見た模式図と、基板との接続面55を示す図である。
光モジュール10は、基板12上に光導波路14が形成された光配線チップ11と、外部配線である光ファイバ21を保持して光導波路14に光接続するファイバホルダ50を有する。光配線チップ11は、たとえばシリコンフォトニクスで作製されたシリコンチップであり、光導波路14はシリコン細線導波路である。光配線チップ11はこの例に限定されず、石英基板上に石英導波路が形成されたチップや、セラミック基板上にポリマー光導波路が形成されたチップであってもよい。
光配線チップ11の光導波路14の端部には、光入出力部として回折格子15が形成されている。回折格子15は光インターフェースとして機能し、光導波路14を伝搬してきた光を基板と垂直または垂直に近い角度で出射して、出射光を光ファイバ21のコア22の端面に結合させる。あるいは、光ファイバ21のコア22の端面から出射された光を光導波路14へ入力する。光導波路14と回折格子15が形成された光配線チップ11の表面は、使用される波長の光に対して透明な保護層18で保護されている。
ファイバホルダ50は、内部に光ファイバ21を保持した状態で、接着剤41により光配線チップ11の表面に固定されている。図2の例では、4心の光ファイバ21がテープ被覆24によって束ねられたテープファイバ―25が用いられている。テープファイバ―25の先端側でテープ被覆24が剥離されて、各光ファイバ21の素線がファイバホルダ50内に収容されている。光ファイバ21のクラッド23は紫外線硬化樹脂等でコーティングされていてもよい。多心の光ファイバ21は、ファイバホルダ50の基部側(ファイバ挿入側)で接着剤42によりホルダ本体51に固定されている。ホルダ本体51は、透明または半透明であってもよいし、不透明であってもよい。ファイバホルダ50の端部側は、光配線チップ11に固定される接続面55となっている。接続面55を含む面内で、各光ファイバ21の端面は対応する回折格子15と光結合する位置にある。
本明細書では、光ファイバ21の配列方向をX方向、光ファイバ21の光軸方向をY方向、X方向とY方向の双方に直交する方向をZ方向とする。
実施形態の特徴として、ファイバホルダ50は、光配線チップ11との接続面55に光ファイバ21の先端が収容される溝53を有する。第1実施形態では、図2に示すように、光ファイバ21の配列方向(X方向)に延設された単一の溝53が配置されている。溝53は、環境変化(温度変化)によりファイバホルダ50に生じる歪を緩和して接着剤41にかかるせん断応力を低減する役割を果たす。図2の例では、溝53の内部は空気層となっている。 ファイバホルダ50の接続面55は、接着剤41により光配線チップ11の表面に強固に固定されているが、溝53の存在により接続面55の近傍でファイバホルダ50の剛性が低減され、変形しやすくなっている。温度サイクルによるファイバホルダ50の熱膨張時に、ファイバホルダ50が接続面55の近傍で歪むことで、接着剤41に集中していた大きなせん断応力を分散させ緩和することができる。
接続面55に形成された溝53の大きさと深さは、接着剤41で光配線チップ11に固定された部分から発生する応力を逃がすことのできる寸法に設計されている。溝53の底面53bから突起54が突き出て、各突起54で光ファイバ21の先端部が支持されている。突起54により、溝53内で各光ファイバ21が互いに分離し、独立して存在する。
突起54の端面の位置は接続面55とほぼ揃っており、突起54の端面は接続面55の一部となる。突起54の端面は接着剤41で光配線チップ11に固定されており、ファイバホルダ50は熱膨張時に、光ファイバ21と光配線チップ11の回折格子15との位置関係を維持したまま、接続面55の近傍領域で変形することができる。
図2の下側の図に示すように、突起54の形状は端面が矩形の角柱型の突起54Aでもよいし、光ファイバ21を取り囲む円柱型の突起54Bでもよい。
図3は、光モジュール10の温度変化時の状態を示す図である。ファイバホルダ50が光配線チップ11よりも大きな熱膨張係数を有する材料、たとえば樹脂材料で形成されている場合を考える。ファイバホルダ50は、接着剤41により光配線チップ11に固定され、光ファイバ21のコアと回折格子15との位置関係が維持されている。光モジュール10の使用時に環境温度が上昇すると、樹脂製のファイバホルダ50は熱膨張する。接続面55の近傍は接着剤41で固定されているので、接続面55自体は面内方向に伸長しない。ファイバホルダ50の基部側は拘束がないため膨張し、矢印で示すように、主として光ファイバ21の配列方向に変位する。図3では説明の便宜上、膨張が誇張されて描かれているが、実際はわずかな体積変化がファイバホルダ50に生じる。
一方、光配線チップ11の熱膨張率は、樹脂製のファイバホルダ50と比較してきわめて小さく、温度サイクルによってその体積またはサイズはほとんど変化しない。光ファイバ21のコアと回折格子15の位置関係を維持するために熱膨張率の小さい接着剤41が用いられている場合、従来のガラスホルダをそのまま樹脂ホルダに置き換えた構成では、接着剤41に大きなせん断応力がかかる。このせん断応力は、光配線チップ11とファイバホルダの熱膨張率の差に起因する。長期にわたって継続的にせん断応力が印加されると接着剤41にクラックが発生し、長期信頼性を保つことができない。
この問題は、実施形態で接続面55に形成された溝53によって解消される。光ファイバの配列方向に延びる溝53を形成することで、ファイバホルダ50の熱膨張時に、ファイバホルダ50を接続面55の近傍で等方的に歪ませて熱膨張係数の違いにより発生する応力を均等に分散することができる。突起54及び/またはホルダ本体51の変形により接着剤41にかかるせん断応力が抑制される。温度サイクルを繰り返しても、光ファイバ21と回折格子15の位置関係は維持され、接続劣化による光結合効率の低下を防止することができる。
図4は、第1実施形態の光モジュール10で用いられるファイバホルダ50の構成例である。図4(a)はX−Y平面でみた図、図4(b)は図4(a)のX−X’断面でみた図、図4(c)は接続面55から見た図である。図4(b)に示すように、ファイバホルダ50の光配線チップ11との接続面55は、所定の傾斜角を有していてもよい。傾斜角は、回折格子15の反射角度に対応して設けられる。接続面55に回折格子15の反射角に対応する傾斜を設けることで、光ファイバ21のコアと回折格子15とを低損失で光結合することができる。
ホルダ本体51には、光ファイバを案内するファイバガイド穴52が形成されており、接続面55に、ファイバガイド穴52を囲む溝53が形成されている。溝53は、X方向で対向する一対の内壁53wxと、Z方向で対向する一対の内壁53wzを有し、溝53の内部は空気層となっている。溝53の内部には、溝53の底面53bからy方向に突出する突起54Aが等間隔に形成されている。突起54Aは角柱の形状を有し、突起54AをY方向に貫通してファイバガイド穴52が形成されている。
図4の例で、溝53の底面53bの近傍で、突起54Aの根元にテーパ541が形成されている。突起54Aの根本側を太くすることで、微細な突起54Aで安定して光ファイバ21の先端を支持することできる。テーパ541は必須ではなく、突起54Aが溝53の底面53bから垂直に突出する構成としてもよい。
ファイバガイド穴52は、接続面55と反対側でファイバ挿入溝56と連通している。ファイバ挿入溝56の径はファイバガイド穴52の径よりも大きく、ファイバガイド穴52との連通部にテーパ57が設けられている。これにより光ファイバ21を接続面55まで挿入しやすい構成となっている。ホルダ本体51の基部側に、ファイバ挿入溝56を含むファイバ挿入口58が形成されている。
一例として、ホルダ本体51のy方向の長さは4mm、ファイバガイド穴52の直径は125μm、ピッチは250μmである。接続面55から溝53の底面53bまでの深さは200〜400μm、突起54Aの端面のサイズは225μm×225μmである。
図5は、図4のファイバホルダ50に多心ファイバを実装した状態を示す。4心のテープファイバ25を所定の長さで切断し、切断部近傍の被覆24をストリッパで除去して、多心の光ファイバ21の素線アレイを得る。光ファイバ21の素線の切断面を、レーザ加工等より例えばファイバホルダ50の接続面55の傾斜と同じ角度に加工した後、光ファイバ21をファイバホルダ50に挿入する。ファイバ挿入溝56に形成されたテーパ57を利用することで、ファイバガイド穴52へのスムーズな挿入が可能となる。光ファイバ21は、突起54を貫通するファイバガイド穴52を通って接続面55まで挿入される。光ファイバ21の挿入後、治具等を用いて接続面55(すなわち突起54の端面)でファイバ位置を揃えながら、ファイバ挿入口58の近傍で光ファイバ21を接着剤42でファイバホルダ50に固定する。これにより光ファイバ21の実装が完了する。
図6は、光ファイバ21が実装されたファイバホルダ50を光配線チップ11に固定した状態を示す。図6の左図で、あらかじめ粘度の高い接着剤61を接続面55と突起54Aの端面に薄く塗布しておく。光ファイバ21のコア22の端面を回折格子15に位置合わせして、ファイバホルダ50を光配線チップ11の表面に接着固定する。接着剤61の薄い層を接続面55と突起54Aの端面に塗布しておくことで、溝53の内部への接着剤61の侵入を抑制して、ファイバホルダ50を光配線チップ11に搭載することができる。
溝53の内部では、突起54Aの端面だけが光配線チップ11に固定されている。図6の右図に示すように、接着剤61の熱膨張率が大きく接着剤61自体が熱膨張した場合でも、その熱膨張は主として光配線チップ11の表面に垂直な法線方向の変位となる。接着剤61の熱膨張により突起54AにY方向の応力がかかっても、細い突起54Aは溝53の空間内で変位または変形して応力を分散することができる。光ファイバ21のコア22と回折格子15との位置関係は維持される。
図7は、角柱シェルの突起54Aに替えて、円柱形の突起54Bを溝53の内部に設けた構成例を示す。突起54Bの径は、たとえば225μm、ファイバガイド穴52を取り巻く円柱壁の厚さは50μmである。図7のファイバホルダ50の構成は、円柱形の突起54Bを配置すること以外は、図4の構成と同じである。光ファイバ21が実装されるときは、光ファイバ21の先端が円柱型の突起54Bで支持されて突起54Bの端面位置に導かれる。
突起54Bは、ファイバガイド穴52の中心に対して対称性の高い構造となっている。突起54Bが光軸に対して対称な形状を有することで、温度サイクルによる熱膨張時に各突起54Bで均一な歪を発生させることができる。
図7の例では、溝53の底面53bの近傍で、突起54Bの根元にテーパ542が形成されている。突起54Bの根本側を太くすることで、微細な突起54Bで安定して光ファイバ21の先端を支持することできる。テーパ542は必須ではなく、溝53の底面53bから垂直に突出する円柱形の突起としてもよい。
<変形例1>
図8は、第1実施形態の変形例1のファイバホルダ50−1の模式図である。変形例1では、接続面55に形成される溝63は、接続面55の端部まで延びる複数のスリット63−1〜63−5を含み、溝63の中に光ファイバ21の配列が位置する。複数のスリット63−1〜63−5は、光ファイバの配列方向(X方向)に沿って配置され、各スリット63−1〜63−5はZ方向に延びている。
隣接するスリットとスリットの間にリブ型の突起64が形成されており、突起64を貫通してファイバガイド穴52が形成されている。突起64の端面と接続面55にあらかじめ接着剤が薄く塗布されて、光配線チップ11に固定される。
熱膨張の影響はファイバの配列方向(X方向)で大きいため、ファイバホルダ50−1の接続面55においてZ方向の両端まで延びる複数のスリット63−1〜63−5をファイバ配列方向に並べることで、応力発生時に突起64をX方向に撓ませることができる。接続面55と突起64の端面を光配線チップ11に固定する接着剤にかかるせん断応力を低減して接続の信頼性を維持することができる。
図8は、第1実施形態の変形例1のファイバホルダ50−1の模式図である。変形例1では、接続面55に形成される溝63は、接続面55の端部まで延びる複数のスリット63−1〜63−5を含み、溝63の中に光ファイバ21の配列が位置する。複数のスリット63−1〜63−5は、光ファイバの配列方向(X方向)に沿って配置され、各スリット63−1〜63−5はZ方向に延びている。
隣接するスリットとスリットの間にリブ型の突起64が形成されており、突起64を貫通してファイバガイド穴52が形成されている。突起64の端面と接続面55にあらかじめ接着剤が薄く塗布されて、光配線チップ11に固定される。
熱膨張の影響はファイバの配列方向(X方向)で大きいため、ファイバホルダ50−1の接続面55においてZ方向の両端まで延びる複数のスリット63−1〜63−5をファイバ配列方向に並べることで、応力発生時に突起64をX方向に撓ませることができる。接続面55と突起64の端面を光配線チップ11に固定する接着剤にかかるせん断応力を低減して接続の信頼性を維持することができる。
図8の例では、溝63の底面63bの近傍で、リブ型の突起64の根元にテーパ641が形成されている。突起64の根本側を太くすることで、薄い突起64で安定して光ファイバ21の先端を支持することできる。テーパ641は必須ではなく、溝63の底面63bから垂直に突出するリブ型の突起としてもよい。
<変形例2>
図9は、第1実施形態の変形例2のファイバホルダ50−2に光ファイバ21を実装した状態を示す。ファイバホルダ50−2のホルダ本体51の形状自体は、図4のファイバホルダ50と同じであり、光ファイバ21の実装態様も同じである。相違点は、接続面55に形成された溝53内にホルダ本体51よりも弾性率(ヤング率)の低い充填材35、例えばゴムやゲル等の樹脂が充填されている点である。
図9は、第1実施形態の変形例2のファイバホルダ50−2に光ファイバ21を実装した状態を示す。ファイバホルダ50−2のホルダ本体51の形状自体は、図4のファイバホルダ50と同じであり、光ファイバ21の実装態様も同じである。相違点は、接続面55に形成された溝53内にホルダ本体51よりも弾性率(ヤング率)の低い充填材35、例えばゴムやゲル等の樹脂が充填されている点である。
ホルダ本体51が、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリアセタール等のポリマー材料を用いて射出成型で作製されている場合、充填材35としてポリエチレン、ポリプロピレン等を溝53内に充填し硬化することができる。この場合の材料の組み合わせは自由である。
光ファイバ21の先端を支持する角柱シェルの突起54Aは、溝53内で充填材35に取り囲まれている。空気層に替えて低ヤング率の充填層を用いることによっても、ファイバホルダの50−2の接続面55の近傍の実効的な剛性が低減され、応力緩和の効果が得られる。
<変形例3>
図10は、第1実施形態の変形例3のファイバホルダ50−3に光ファイバ21を実装した状態を示す。変形例3では、溝53内に突起を設けず、光ファイバ21の先端を露出する構成とする。ファイバ挿入溝56に連通するファイバガイド穴52は、溝53の底面53bまで延びる。接続面55が接着剤により光配線チップ11に固定されると、ファイバガイド穴52から突き出た光ファイバ21は、ファイバ自体の剛性により回折格子15との光結合位置に高精度に位置決めされる。ファイバホルダ50−3が熱サイクルにより熱膨張する場合、ホルダ本体51は光ファイバ21と回折格子15の位置関係を保ったまま接続面55の近傍で等方的に変形して、接着剤にかかるせん断応力を緩和する。これにより接続の信頼性が保たれる。
図10は、第1実施形態の変形例3のファイバホルダ50−3に光ファイバ21を実装した状態を示す。変形例3では、溝53内に突起を設けず、光ファイバ21の先端を露出する構成とする。ファイバ挿入溝56に連通するファイバガイド穴52は、溝53の底面53bまで延びる。接続面55が接着剤により光配線チップ11に固定されると、ファイバガイド穴52から突き出た光ファイバ21は、ファイバ自体の剛性により回折格子15との光結合位置に高精度に位置決めされる。ファイバホルダ50−3が熱サイクルにより熱膨張する場合、ホルダ本体51は光ファイバ21と回折格子15の位置関係を保ったまま接続面55の近傍で等方的に変形して、接着剤にかかるせん断応力を緩和する。これにより接続の信頼性が保たれる。
<その他の変形例>
図11の光モジュール10Aは、光インターフェースとして回折格子15に替えてミラー19を用いている。ミラー19は多層反射膜、高反射膜などで形成することができる。ミラー19を約45°の角度で傾斜させることで、光導波路14と光ファイバ21の間で、ほぼ垂直な角度で光を入出力することができる。この場合、ホルダ本体51の接続面55に傾斜を設けずに、光配線チップ11上にファイバホルダ50をほぼ垂直に固定することができる。
図11の光モジュール10Aは、光インターフェースとして回折格子15に替えてミラー19を用いている。ミラー19は多層反射膜、高反射膜などで形成することができる。ミラー19を約45°の角度で傾斜させることで、光導波路14と光ファイバ21の間で、ほぼ垂直な角度で光を入出力することができる。この場合、ホルダ本体51の接続面55に傾斜を設けずに、光配線チップ11上にファイバホルダ50をほぼ垂直に固定することができる。
ファイバホルダ50の接続面55は、接着剤41によって光配線チップ11Aに固定されている。ファイバホルダ50が樹脂成型材料で形成されている場合でも、熱膨張時に発生する応力は溝53によって分散、緩和され、接着剤41にかかるせん断応力を低減することができる。
図11の光配線チップ11Aは、ファイバホルダの変形例1〜3のすべてに適用され得る。
<第2実施形態>
図12は、第2実施形態の光モジュール30の概略図である。図12の上図は、光配線チップ11上にファイバホルダ70が固定された状態を側面から見た図、図12の下図は、ファイバホルダ70の接続面55から見た図である。
図12は、第2実施形態の光モジュール30の概略図である。図12の上図は、光配線チップ11上にファイバホルダ70が固定された状態を側面から見た図、図12の下図は、ファイバホルダ70の接続面55から見た図である。
第2実施形態のファイバホルダ70は、ホルダ本体71の内部で光ファイバ21を所定の曲率で曲げて保持し、光伝搬方向をほぼ90度変換する低背タイプのファイバホルダである。ファイバホルダ70の接続面75は、接着剤81により光配線チップ11の表面に固定されている。ファイバホルダ70の接続面75には、光ファイバ21の先端位置の周囲に溝83が形成されている。
溝83の中に、光ファイバ21の配列方向(X方向)に並ぶ複数の突起84が配置されて対応する光ファイバ21の先端部を支持する。各突起84は、光ファイバ21のコア端面が光配線チップ11の回折格子15に光結合する位置に形成されている。
ファイバホルダ70の接続面75には、溝83の他に、複数の溝73−0〜73−nが形成されている。溝73−0〜73−nは、ホルダ本体71の長軸方向または光ファイバ21の挿入方向(図12の例ではY方向)に沿って配列されている。ファイバホルダ70の接続面75が接着剤81で固定された状態で熱膨張する場合、ホルダ本体71の長さ方向への歪みの影響が大きい。そこで溝73−0〜73−nによりファイバホルダ70の接続面75近傍での剛性を低下させてホルダ本体71を変形させ、接着剤81にかかるせん断応力を低減する。
光ファイバ21の先端を支持する突起84は、その端面で接着剤81により回折格子15との結合位置に固定されているが、熱膨張係数の差異により突起84に発生する応力は突起84が溝83内で変形することで緩和することができる。これにより、光ファイバ21と光配線チップ11の光結合効率の低下を回避しながら、接続面75と突起84の端面で接着剤81にかかるせん断応力を低減することができる。
突起84の形状は、図4のような角柱シェルであってもよいし、図10のように突起を設けずに、光ファイバ21の先端の剛性を利用して回折格子15に光結合させてもよい。複数の溝73−0〜73−nは、図8のように、接続面75でX方向の両端に到達するスリットとして形成してもよい。また、溝83の内部と、溝73−0〜73−nの少なくとも一部に、ホルダ本体51よりも弾性率(ヤング率)の小さい材料を充填してもよい。光配線チップ11の光入出力部として、回折格子15に替えてミラー19(図11参照)を用いてもよい。
第1実施形態と第2実施形態の構成は、ファイバホルダ50または70が、安価な樹脂材料で射出成型されている場合に特に有効である。ファイバホルダ50または70の接続面55または75に溝を形成することで剛性を低減し、高温時にホルダ本体51または71を積極的に歪ませて接着層への応力集中を緩和することができる。
<光トランシーバへの適用例>
図13は、実施形態のファイバホルダ50を用いて配線実装した光モジュール10の適用例として、光トランシーバ100を示す。図13の上段が光トランシーバ100の上面図、下段がA−A’断面図である。図13では、第1実施形態のファイバホルダ50が図示されているが、第2実施形態のファイバホルダ70を用いた光モジュール30も等しく適用可能である。
<光トランシーバへの適用例>
図13は、実施形態のファイバホルダ50を用いて配線実装した光モジュール10の適用例として、光トランシーバ100を示す。図13の上段が光トランシーバ100の上面図、下段がA−A’断面図である。図13では、第1実施形態のファイバホルダ50が図示されているが、第2実施形態のファイバホルダ70を用いた光モジュール30も等しく適用可能である。
光トランシーバ100は、サブパッケージ基板101上にアセンブリされている。サブパッケージ基板101は、たとえば、LSI5が搭載されたパッケージ基板3上に配置される。サブパッケージ基板101には、光モジュール10とともに、例えば、レーザ等が形成された光源チップ102と、ドライバおよびトランスインピーダンスアンプ機能を有する電気回路チップ103が搭載されている。
光モジュール10は、光配線チップ11と、光配線チップ11に固定されたファイバホルダ50を有する。ファイバホルダ50は外部光配線である光ファイバ21を保持して、光ファイバ21と光配線チップ11上の光導波路14を光学的に接続している。光導波路14は、光変調および光検出を行う光デバイスが形成された回路28に接続されている。
光トランシーバ100は、サーバやスーパーコンピュータ等の大型演算システムで演算を行うLSI5と同じパッケージ基板3上で、LSI5の近傍に配置される。この適用例以外にも、例えば、サブパッケージ基板101上に組み立てた光トランシーバ100を部品として、所定のフォームファクタに対応するケース内部に収容してもよい。
図14は、光トランシーバ100が用いられる電子機器の一例として、システムボード1の概略構成を示す。上段がシステムボード1の上面図、下段がIV−IV’断面図である。システムボード1は、スーパーコンピュータやサーバ等の大型計算装置に用いられる。
電子部品であるLSIチップ5がパッケージ基板3に搭載されており、複数の光トランシーバ100がLSIチップ5の近傍に配置される。図示の便宜上、単一のパッケージ基板3が描かれているが、複数のパッケージ基板3がボールグリッドアレイ(BGA)4によってボード基板2に搭載されていてもよい。
LSIチップ5により生成された電気信号は、パッケージ基板3を介して光トランシーバ100に伝送され、高速変調された光信号として出力される。光信号は外部光配線となる光ファイバ21により、たとえば他のパッケージ基板に搭載されたLSIの近傍の光トランシーバに伝送される。また、他の光トランシーバから送信され光トランシーバ100で受信された光信号は電気信号に変換されて、LSIチップ5に伝送される。
LSIチップ5と光トランシーバ100の一部にヒートシンク9を搭載してシステムボード1の動作時に冷却を行ってもよい。冷却装置として、ヒートシンク9に限らず、水冷用のクーリングプレート等を用いてもよい。
図14の構成とすることで光インターコネクションが実現され、電気配線を極力短く、かつパッケージ基板3から広帯域の光伝送信号を取り出すことが可能となる。光トランシーバ100は、安価な樹脂材料のファイバホルダ50または70を用いた光モジュール10または30を用いつつ、温度サイクルをともなう環境下で接続の信頼性を維持することができる。したがって、光トランシーバ100を駆動時に高温になるLSI5の近傍に配置することができ、システムボード1のレイアウトと適用範囲を広げることができる。
以上、述べてきた構成は、シリコンフォトニクス技術を想定したほんの一例であり、本発明はシリコンフォトニクス光配線チップの用途だけに限定されるものではない。本発明の構成は、多心の光ファイバの接続に限定されず、単心の光ファイバを保持するファイバホルダにも適用され得る。光信号の伝送モードとしては、シングルモードだけでなくマルチモードにも適用できる。実施形態のファイバホルダ50または70を用いた光配線接続は、面発光レーザや面型光検出器にも適用可能である。この場合も、ファイバホルダ50または70の溝構造により、熱膨張係数の差異によりファイバホルダの接続面の近傍で発生する応力を分散させて、接着剤にかかるせん断応力を低減することができる。
以上の説明に対し、以下の付記を提示する。
(付記1)
光導波路が形成された光配線基板と、
光ファイバを保持して前記光配線基板に搭載されるファイバホルダと、
を有し、
前記ファイバホルダは、前記光ファイバの先端を前記光配線基板に形成された前記光導波路に光接続し、
前記光配線基板との接続面に前記光ファイバの先端を収容する溝を有することを特徴とする光モジュール。
(付記2)
前記溝の内部に、前記光ファイバの先端を支持する突起を有することを特徴とする付記1に記載の光モジュール。
(付記3)
前記突起は、前記溝の底面から突出する角柱型、円柱型、またはリブ型の突起であることを特徴とする付記2に記載の光モジュール。
(付記4)
前記ファイバホルダは、前記光ファイバを案内するファイバガイド穴を有し、
前記ファイバガイド穴は、前記光ファイバの光軸方向に前記突起を貫通することを特徴とする付記2または3に記載の光モジュール。
(付記5)
前記光ファイバの先端は前記溝内で、前記溝の底面から前記光配線基板との接続面まで突出していることを特徴とする付記1に記載の光モジュール。
(付記6)
前記ファイバホルダは、前記光ファイバを案内するファイバガイド穴を有し、
前記ファイバガイド穴は、前記溝と連通していることを特徴とする付記5に記載の光モジュール。
(付記7)
前記ファイバホルダは複数の光ファイバの配列を保持し、
前記溝は、前記光ファイバの配列を取り囲む単一の溝であることを特徴とする付記1〜6のいずれかに記載の光モジュール。
(付記8)
前記ファイバホルダは複数の光ファイバの配列を保持し、
前記溝は、前記光ファイバを隔てる複数スリットであることを特徴とする付記1〜6のいずれかに記載の光モジュール。
(付記9)
前記複数のスリットは前記光ファイバの配列方向に並べられ、
前記複数のスリットの各々は、前記光ファイバの配列方向と直交する方向に延設されていることを特徴とする付記8に記載の光モジュール。
(付記10)
前記溝の内部に充填される充填材、
をさらに有し、前記充填材は前記ファイバホルダよりも低い弾性率を有することを特徴とする付記1〜9のいずれかに記載の光モジュール。
(付記11)
前記光ファイバは、前記接続面と垂直な方向から前記ファイバホルダに挿入されていることを特徴とする付記1〜10のいずれかに記載の光モジュール。
(付記12)
前記光ファイバは、前記接続面と平行な方向から前記ファイバホルダに挿入され、前記ファイバホルダ内で所定の曲率で曲げられて挿入方向とほぼ直交する方向に方向転換されていることを特徴とする付記1〜10のいずれかに記載の光モジュール。
(付記13)
前記接続面は、前記光ファイバを取り囲む第1の溝と、前記光ファイバの挿入方向に沿って並べられる1以上の第2の溝を有することを特徴とする付記12に記載の光モジュール。
(付記14)
前記ファイバホルダは樹脂材料で形成されていることを特徴とする付記1〜13のいずれかに記載の光モジュール。
(付記15)
前記ファイバホルダは、前記光配線基板に接着固定されていることを特徴とする付記1〜14のいずれかに記載の光モジュール。
(付記16)
付記1〜15のいずれかに記載の光モジュールと、
光源と、
前記光モジュールに接続される電気回路部品と、
を有する光トランシーバ。
(付記17)
基板と、
前記基板に配置される電子部品と、
前記基板に配置されて前記電子部品と接続される付記16に記載の光トランシーバと、
を有する電子機器。
(付記1)
光導波路が形成された光配線基板と、
光ファイバを保持して前記光配線基板に搭載されるファイバホルダと、
を有し、
前記ファイバホルダは、前記光ファイバの先端を前記光配線基板に形成された前記光導波路に光接続し、
前記光配線基板との接続面に前記光ファイバの先端を収容する溝を有することを特徴とする光モジュール。
(付記2)
前記溝の内部に、前記光ファイバの先端を支持する突起を有することを特徴とする付記1に記載の光モジュール。
(付記3)
前記突起は、前記溝の底面から突出する角柱型、円柱型、またはリブ型の突起であることを特徴とする付記2に記載の光モジュール。
(付記4)
前記ファイバホルダは、前記光ファイバを案内するファイバガイド穴を有し、
前記ファイバガイド穴は、前記光ファイバの光軸方向に前記突起を貫通することを特徴とする付記2または3に記載の光モジュール。
(付記5)
前記光ファイバの先端は前記溝内で、前記溝の底面から前記光配線基板との接続面まで突出していることを特徴とする付記1に記載の光モジュール。
(付記6)
前記ファイバホルダは、前記光ファイバを案内するファイバガイド穴を有し、
前記ファイバガイド穴は、前記溝と連通していることを特徴とする付記5に記載の光モジュール。
(付記7)
前記ファイバホルダは複数の光ファイバの配列を保持し、
前記溝は、前記光ファイバの配列を取り囲む単一の溝であることを特徴とする付記1〜6のいずれかに記載の光モジュール。
(付記8)
前記ファイバホルダは複数の光ファイバの配列を保持し、
前記溝は、前記光ファイバを隔てる複数スリットであることを特徴とする付記1〜6のいずれかに記載の光モジュール。
(付記9)
前記複数のスリットは前記光ファイバの配列方向に並べられ、
前記複数のスリットの各々は、前記光ファイバの配列方向と直交する方向に延設されていることを特徴とする付記8に記載の光モジュール。
(付記10)
前記溝の内部に充填される充填材、
をさらに有し、前記充填材は前記ファイバホルダよりも低い弾性率を有することを特徴とする付記1〜9のいずれかに記載の光モジュール。
(付記11)
前記光ファイバは、前記接続面と垂直な方向から前記ファイバホルダに挿入されていることを特徴とする付記1〜10のいずれかに記載の光モジュール。
(付記12)
前記光ファイバは、前記接続面と平行な方向から前記ファイバホルダに挿入され、前記ファイバホルダ内で所定の曲率で曲げられて挿入方向とほぼ直交する方向に方向転換されていることを特徴とする付記1〜10のいずれかに記載の光モジュール。
(付記13)
前記接続面は、前記光ファイバを取り囲む第1の溝と、前記光ファイバの挿入方向に沿って並べられる1以上の第2の溝を有することを特徴とする付記12に記載の光モジュール。
(付記14)
前記ファイバホルダは樹脂材料で形成されていることを特徴とする付記1〜13のいずれかに記載の光モジュール。
(付記15)
前記ファイバホルダは、前記光配線基板に接着固定されていることを特徴とする付記1〜14のいずれかに記載の光モジュール。
(付記16)
付記1〜15のいずれかに記載の光モジュールと、
光源と、
前記光モジュールに接続される電気回路部品と、
を有する光トランシーバ。
(付記17)
基板と、
前記基板に配置される電子部品と、
前記基板に配置されて前記電子部品と接続される付記16に記載の光トランシーバと、
を有する電子機器。
1 システムボード(電子機器)
3 パッケージ基板
5 LSIチップ(電子部品)
10、10A、30 光モジュール
11、11A 光配線チップ(光配線基板)
14 光導波路
15 回折格子
35 充填材
50、50−1、50−2、50−3、70 ファイバホルダ
51 ホルダ本体
52 ファイバガイド穴
53、63、83 溝
54、54A、54B、64、84 突起
55、75 接続面
63−1〜63−5 スリット
100 光トランシーバ
3 パッケージ基板
5 LSIチップ(電子部品)
10、10A、30 光モジュール
11、11A 光配線チップ(光配線基板)
14 光導波路
15 回折格子
35 充填材
50、50−1、50−2、50−3、70 ファイバホルダ
51 ホルダ本体
52 ファイバガイド穴
53、63、83 溝
54、54A、54B、64、84 突起
55、75 接続面
63−1〜63−5 スリット
100 光トランシーバ
Claims (9)
- 光導波路が形成された光配線基板と、
光ファイバを保持して前記光配線基板に搭載されるファイバホルダと、
を有し、
前記ファイバホルダは、前記光ファイバの先端を前記光配線基板に形成された前記光導波路に光接続し、
前記光配線基板との接続面に前記光ファイバの先端を収容する溝を有する
ことを特徴とする光モジュール。 - 前記溝の内部に、前記光ファイバの先端を支持する突起を有することを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。
- 前記突起は、前記溝の底面から突出する角柱型、円柱型、またはリブ型の突起であることを特徴とする請求項2に記載の光モジュール。
- 前記ファイバホルダは複数の光ファイバの配列を保持し、
前記溝は、前記光ファイバの配列を取り囲む単一の溝であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の光モジュール。 - 前記ファイバホルダは複数の光ファイバの配列を保持し、
前記溝は、前記光ファイバを隔てる複数スリットであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の光モジュール。 - 前記複数のスリットは前記光ファイバの配列方向に並べられ、
前記複数のスリットの各々は、前記光ファイバの配列方向と直交する方向に延設されていることを特徴とする請求項5に記載の光モジュール。 - 前記溝の内部に充填される充填材、
をさらに有し、前記充填材は前記ファイバホルダよりも低い弾性率を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の光モジュール。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の光モジュールと、
光源と、
前記光モジュールに接続される電気回路部品と、
を有する光トランシーバ。 - 基板と、
前記基板に配置される電子部品と、
前記基板に配置されて前記電子部品と接続される請求項8に記載の光トランシーバと、
を有する電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017073939A JP2018180027A (ja) | 2017-04-03 | 2017-04-03 | 光モジュール、及びこれを用いた電子機器 |
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ID=64275202
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JP (1) | JP2018180027A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023105593A1 (ja) * | 2021-12-06 | 2023-06-15 | 日本電信電話株式会社 | 光回路素子、集積型光デバイスおよび集積型光デバイスの製造方法 |
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-
2017
- 2017-04-03 JP JP2017073939A patent/JP2018180027A/ja active Pending
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