JP2019040179A - Laminate and display including laminate - Google Patents

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Hideyuki Kamii
英行 神井
健太朗 松田
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健太朗 松田
宮松 隆
Takashi Miyamatsu
隆 宮松
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Abstract

To provide a laminate that is applicable to a color conversion system and can provide a color excellent in color purity, and a display including the laminate.SOLUTION: There is disclosed a laminate comprising: a substrate; a wavelength conversion layer located on a first surface of the substrate; and a color filter located on the first surface of the substrate and having an absorption peak within a range of 400 nm to 500 nm. At least one of the wavelength conversion layer and color filter is configured to diffuse light within a wavelength range of 400 nm to 500 nm.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、光の波長変換が可能な積層体、およびこれを含む表示装置に関する。   The present invention relates to a laminate capable of wavelength conversion of light and a display device including the same.

表示装置の代表例として液晶表示装置や有機EL(Electroluminescence)表示装置などが知られている。表示装置は基板上に三原色、すなわち赤色、緑色、青色のいずれかを与える画素をそれぞれ複数有しており、これらの画素を適宜駆動することにより、フルカラー表示が行われる。   As a typical example of a display device, a liquid crystal display device, an organic EL (Electroluminescence) display device, and the like are known. The display device has a plurality of pixels each providing one of the three primary colors, that is, red, green, and blue on the substrate, and full color display is performed by appropriately driving these pixels.

フルカラー表示を行う方式は、三色方式(塗り分け方式)、白色方式(白+カラーフィルタ方式)、および色変換方式に大別される。三色方式は有機EL表示装置で多用される方式であり、画素ごとに異なる発光を与える発光層が設置され、発光層からの発光が直接映像形成に利用される。白色方式は、液晶表示装置や有機EL表示装置のいずれにも適用可能な方法であり、白色発光素子や白色を与えるバックライトからの光をカラーフィルタを用いて調整する方式である。この方式により、画素ごとにカラーフィルタの光学特性に基づく光を得ることができる。色変換方式では、青色発光素子、あるいは青色を与えるバックライトなどの光源からの光を励起光として用い、緑色、あるいは赤色に発光する蛍光材料から得られる緑色発光、赤色発光、ならびに光源からの青色発光を組み合わせることでフルカラー表示が行われる。例えば特許文献1、2では、色変換方式が採用された液晶表示装置が開示されている。   Methods for performing full-color display are roughly divided into three-color methods (painting method), white methods (white + color filter method), and color conversion methods. The three-color method is a method often used in organic EL display devices, in which a light emitting layer that gives different light emission is installed for each pixel, and light emission from the light emitting layer is directly used for image formation. The white method is a method applicable to both a liquid crystal display device and an organic EL display device, and is a method of adjusting light from a white light emitting element or a backlight that gives white using a color filter. With this method, light based on the optical characteristics of the color filter can be obtained for each pixel. In the color conversion method, light from a blue light emitting element or a light source such as a backlight that gives blue is used as excitation light, and green light emission, red light emission obtained from a fluorescent material that emits green or red light, and blue light from the light source Full color display is performed by combining light emission. For example, Patent Documents 1 and 2 disclose liquid crystal display devices that employ a color conversion method.

特開2016−58586号公報JP-A-2006-58586 特開2016−212348号公報JP 2016-212348 A

本発明の実施形態の一つは、色変換方式のフルカラー表示に適用可能であり、色純度に優れた光を単色光減から取り出すことを可能にする積層体、およびこの積層体を含む表示装置を提供することを課題の一つとする。   One embodiment of the present invention is applicable to full-color display of a color conversion method, and a stacked body that can extract light with excellent color purity from monochromatic light reduction, and a display device including the stacked body Is one of the issues.

本発明の実施形態の一つは、基板、基板の第1の面側に位置する波長変換層、および基板の第1の面側に位置し、波長変換層と重なり、400nmから500nmの範囲に吸収ピークを有するカラーフィルタを備える積層体である。波長変換層とカラーフィルタの少なくとも一方は、400nmから500nmの波長範囲の光を拡散する。   One embodiment of the present invention is a substrate, a wavelength conversion layer located on the first surface side of the substrate, and a first surface side of the substrate, overlapping the wavelength conversion layer and in a range of 400 nm to 500 nm. A laminate including a color filter having an absorption peak. At least one of the wavelength conversion layer and the color filter diffuses light in a wavelength range of 400 nm to 500 nm.

本発明の実施形態の一つは、第1の面に第1の領域、第2の領域、および第3の領域を有する基板、第1の面側に位置し、第1の領域に重なる第1の波長変換層、第1の面側に位置し、第2の領域に重なる第2の波長変換層、第1の面側に位置し、第3の領域に重なる光透過層、および第1の領域と第2の領域において第1の波長変換層と第2の波長変換層と重なるカラーフィルタを備える積層体である。カラーフィルタは、400nmから500nmの範囲に吸収ピークを有する。第1の波長変換層、第2の波長変換層、およびカラーフィルタの少なくとも一つは、400nmから500nmの波長範囲の光を拡散する。第1の波長変換層と第2の波長変換層は、上記光を吸収して互いに異なる色で発光する。   One embodiment of the present invention includes a substrate having a first region, a second region, and a third region on a first surface, a first surface located on the first surface side, and overlapping the first region. One wavelength conversion layer, a second wavelength conversion layer located on the first surface side and overlapping the second region, a light transmission layer located on the first surface side and overlapping the third region, and the first The multilayer body includes a color filter that overlaps the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer in the second region and the second region. The color filter has an absorption peak in the range of 400 nm to 500 nm. At least one of the first wavelength conversion layer, the second wavelength conversion layer, and the color filter diffuses light in a wavelength range of 400 nm to 500 nm. The first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer absorb the light and emit light in different colors.

本発明の実施形態の一つは、基板、基板の第1の面側に位置する波長変換層、基板の第1の面側に位置し、波長変換層と重なり、400nmから500nmの範囲に吸収ピークを有するカラーフィルタ、および基板の第1の面側に位置し、400nmから500nmの波長範囲の光を拡散する光拡散層を備える積層体である。   One embodiment of the present invention is a substrate, a wavelength conversion layer located on the first surface side of the substrate, and located on the first surface side of the substrate, overlapping the wavelength conversion layer and absorbing in the range of 400 nm to 500 nm. A laminate including a color filter having a peak and a light diffusion layer located on the first surface side of the substrate and diffusing light in a wavelength range of 400 nm to 500 nm.

本発明の実施形態の一つは、第1の面に第1の領域、第2の領域、および第3の領域を有する基板、第1の面側に位置し、第1の領域に重なる第1の波長変換層、第1の面側に位置し、第2の領域に重なる第2の波長変換層、第1の面側に位置し、第3の領域に重なる光透過層、第1の領域と第2の領域において第1の波長変換層と第2の波長変換層と重なり、400nmから500nmの範囲に吸収ピークを有するカラーフィルタ、および第1の領域と第2の領域において第1の波長変換層、第2の波長変換層、およびカラーフィルタと重なり、400nmから500nmの波長範囲の光を拡散する光拡散層を備える。第1の波長変換層と第2の波長変換層は400nmから500nmの波長範囲の光を吸収し、互いに異なる色で発光する。   One embodiment of the present invention includes a substrate having a first region, a second region, and a third region on a first surface, a first surface located on the first surface side, and overlapping the first region. 1 wavelength conversion layer, located on the first surface side, the second wavelength conversion layer overlapping the second region, the light transmission layer located on the first surface side, overlapping the third region, A color filter that overlaps the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer in the region and the second region and has an absorption peak in the range of 400 nm to 500 nm; and the first in the first region and the second region. A light diffusion layer is provided that overlaps the wavelength conversion layer, the second wavelength conversion layer, and the color filter and diffuses light in the wavelength range of 400 nm to 500 nm. The first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer absorb light in the wavelength range of 400 nm to 500 nm and emit light in different colors.

本発明の実施形態の一つは、表示基板、表示基板上の画素、および画素上に位置する積層体を有する表示装置である。積層体は、基板、基板の第1の面側に位置する波長変換層、および基板の第1の面側に位置し、400nmから500nmの範囲に吸収ピークを有するカラーフィルタを備える積層体である。波長変換層とカラーフィルタの少なくとも一方は、400nmから500nmの波長範囲の光を拡散する。波長変換層とカラーフィルタは、表示基板と基板に挟まれ、画素と重なるように配置される。   One embodiment of the present invention is a display device including a display substrate, pixels on the display substrate, and a stacked body positioned on the pixels. The laminate is a laminate comprising a substrate, a wavelength conversion layer located on the first surface side of the substrate, and a color filter located on the first surface side of the substrate and having an absorption peak in the range of 400 nm to 500 nm. . At least one of the wavelength conversion layer and the color filter diffuses light in a wavelength range of 400 nm to 500 nm. The wavelength conversion layer and the color filter are disposed between the display substrate and the substrate so as to overlap the pixels.

本発明の実施形態の一つは、表示基板、表示基板上の第1の画素、第2の画素、および第3の画素、ならびに第1の画素、第2の画素、および第3の画素上に位置する積層体を有する表示装置である。積層体は、第1の面に第1の領域、第2の領域、および第3の領域を有する基板、第1の面側に位置し、第1の領域に重なる第1の波長変換層、第1の面側に位置し、第2の領域に重なる第2の波長変換層、第1の面側に位置し、第3の領域に重なる光透過層、および第1の面側に位置し、第1の領域と第2の領域と重なるカラーフィルタを備える。カラーフィルタは、400nmから500nmの範囲に吸収ピークを有する。第1の波長変換層、第2の波長変換層、およびカラーフィルタの少なくとも一つは、400nmから500nmの波長範囲の光を拡散する。第1の波長変換層と第2の波長変換層は、上記光を吸収して互いに異なる色で発光する。第1の波長変換層、第2の波長変換層、光透過層、およびカラーフィルタは、表示基板と基板に挟まれるように配置される。第1の波長変換層、第2の波長変換層、および光透過層はそれぞれ、第1の画素、第2の画素、および第3の画素と重なるように配置される。   One embodiment of the present invention includes a display substrate, a first pixel, a second pixel, and a third pixel on the display substrate, and a first pixel, a second pixel, and a third pixel. It is a display apparatus which has a laminated body located in. The stacked body includes a substrate having a first region, a second region, and a third region on a first surface, a first wavelength conversion layer located on the first surface side and overlapping the first region, The second wavelength conversion layer located on the first surface side and overlapping the second region, the light transmission layer located on the first surface side and overlapping the third region, and located on the first surface side And a color filter that overlaps the first region and the second region. The color filter has an absorption peak in the range of 400 nm to 500 nm. At least one of the first wavelength conversion layer, the second wavelength conversion layer, and the color filter diffuses light in a wavelength range of 400 nm to 500 nm. The first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer absorb the light and emit light in different colors. The first wavelength conversion layer, the second wavelength conversion layer, the light transmission layer, and the color filter are disposed so as to be sandwiched between the display substrate and the substrate. The first wavelength conversion layer, the second wavelength conversion layer, and the light transmission layer are disposed so as to overlap with the first pixel, the second pixel, and the third pixel, respectively.

本発明の一実施形態の表示装置の上面模式図。1 is a schematic top view of a display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の表示装置の画素の上面模式図。1 is a schematic top view of a pixel of a display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の表示装置の画素の断面模式図。1 is a schematic cross-sectional view of a pixel of a display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の積層体の断面模式図。The cross-sectional schematic diagram of the laminated body of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の積層体の断面模式図。The cross-sectional schematic diagram of the laminated body of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の積層体の断面模式図。The cross-sectional schematic diagram of the laminated body of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の積層体の断面模式図。The cross-sectional schematic diagram of the laminated body of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の表示装置の画素の上面模式図。1 is a schematic top view of a pixel of a display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の表示装置の画素の断面模式図。1 is a schematic cross-sectional view of a pixel of a display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の表示装置の画素の上面模式図。1 is a schematic top view of a pixel of a display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の表示装置の画素の断面模式図。1 is a schematic cross-sectional view of a pixel of a display device according to an embodiment of the present invention. 実施例の試料10から12のポストベーク前後の650nmにおける相対受光強度。Relative light receiving intensity at 650 nm before and after the post-baking of Samples 10 to 12 in Examples.

以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention can be implemented in various modes without departing from the gist thereof, and is not construed as being limited to the description of the embodiments exemplified below.

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。   In order to make the explanation clearer, the drawings may be schematically represented with respect to the width, thickness, shape, and the like of each part as compared to the actual embodiment, but are merely examples and limit the interpretation of the present invention. Not what you want. In this specification and each drawing, elements having the same functions as those described with reference to the previous drawings may be denoted by the same reference numerals, and redundant description may be omitted.

ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって本明細書および請求項においては、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。   When a plurality of films are formed by processing one film, the plurality of films may have different functions and roles. However, the plurality of films are derived from films formed as the same layer in the same process, and have the same layer structure and the same material. Therefore, in the present specification and claims, these plural films are defined as existing in the same layer.

(第1実施形態)
本実施形態では、本発明の実施形態の一つである積層体170、およびこれを含む表示装置100の構造に関して説明する。
(First embodiment)
In the present embodiment, a structure of a stacked body 170 that is one embodiment of the present invention and a display device 100 including the stacked body 170 will be described.

[1.全体構成]
表示装置100の上面図を図1に示す。表示装置100は、表示基板102上に複数の画素104を有しており、これらの画素104によって表示領域106が表示基板102上に定義される。各画素104には液晶素子や有機EL素子、電流駆動型発光ダイオード(LED)、微小電子機械(MEMS)シャッタなどの種々の表示素子が備えられる。画素104の配列に制限はなく、ストライプ配列やデルタ配列など、様々な配列を採用することができる。本実施形態では、表示素子として液晶素子を用いた形態を述べる。
[1. overall structure]
A top view of the display device 100 is shown in FIG. The display device 100 includes a plurality of pixels 104 on a display substrate 102, and a display region 106 is defined on the display substrate 102 by these pixels 104. Each pixel 104 includes various display elements such as a liquid crystal element, an organic EL element, a current-driven light emitting diode (LED), and a micro electromechanical (MEMS) shutter. The arrangement of the pixels 104 is not limited, and various arrangements such as a stripe arrangement and a delta arrangement can be employed. In this embodiment, a mode using a liquid crystal element as a display element will be described.

表示領域106を取り囲む領域(周辺領域)には、画素104を駆動するための駆動回路が設けられる。図1に示した例では、表示領域106を挟む二つのゲート側駆動回路108や、ソース側駆動回路110が設けられる。表示領域106やゲート側駆動回路108、ソース側駆動回路110からは図示しない配線が表示基板102の一辺へ延び、表示基板102の端部で露出されて端子114を形成する。端子114はフレキシブル印刷回路基板(FPC)116と電気的に接続される。FPC116上、あるいは表示基板102上には画素104を制御するためのドライバIC112をさらに搭載してもよい。なお、ソース側駆動回路110を周辺領域上に設けず、この機能をドライバIC112によって実現してもよい。表示素子はゲート側駆動回路108やソース側駆動回路110などによって制御され、これにより画像が表示領域106に表示される。   A drive circuit for driving the pixels 104 is provided in a region (peripheral region) surrounding the display region 106. In the example illustrated in FIG. 1, two gate side driver circuits 108 and a source side driver circuit 110 sandwiching the display region 106 are provided. A wiring (not shown) extends from the display region 106, the gate side driver circuit 108, and the source side driver circuit 110 to one side of the display substrate 102, and is exposed at an end portion of the display substrate 102 to form a terminal 114. The terminal 114 is electrically connected to a flexible printed circuit board (FPC) 116. A driver IC 112 for controlling the pixel 104 may be further mounted on the FPC 116 or the display substrate 102. Note that this function may be realized by the driver IC 112 without providing the source side driver circuit 110 on the peripheral region. The display element is controlled by the gate side driver circuit 108, the source side driver circuit 110, and the like, whereby an image is displayed in the display area 106.

[2.画素]
図2に、画素104の上面模式図を示す。図2では隣接する三つの画素104が示されている。明瞭化のため、画素電極152や容量電極151、対向電極156やこれらの一部は、一部の画素104では描かれていない。
[2. Pixel]
FIG. 2 shows a schematic top view of the pixel 104. In FIG. 2, three adjacent pixels 104 are shown. For the sake of clarity, the pixel electrode 152, the capacitor electrode 151, the counter electrode 156, and some of them are not drawn in some of the pixels 104.

表示装置100は複数の画素104と電気的に接続される複数の走査線122、複数の信号線120、複数の容量線124を有している。走査線122、容量線124は、図1に示すゲート側駆動回路108へ接続され、信号線120はソース側駆動回路110、および/あるいはドライバIC112へ接続される。各走査線122と容量線124は、走査線122、容量線124が伸びる方向に配置される複数の画素104と接続され、各信号線120は、信号線120が伸びる方向に配置される複数の画素104と接続される。   The display device 100 includes a plurality of scanning lines 122, a plurality of signal lines 120, and a plurality of capacitor lines 124 that are electrically connected to the plurality of pixels 104. The scanning line 122 and the capacitor line 124 are connected to the gate side driving circuit 108 shown in FIG. 1, and the signal line 120 is connected to the source side driving circuit 110 and / or the driver IC 112. Each scanning line 122 and the capacitance line 124 are connected to a plurality of pixels 104 arranged in the direction in which the scanning line 122 and the capacitance line 124 extend, and each signal line 120 is arranged in a plurality in the direction in which the signal line 120 extends. Connected to the pixel 104.

各画素104には、液晶素子に加え、少なくとも一つのトランジスタ130と容量150を含む。トランジスタ130は、半導体膜134、走査線122の一部(図中、下側に突き出た部分)であるゲート電極132、信号線120の一部(図中、右側に突き出た部分)であるソース/ドレイン電極136、ソース/ドレイン電極138などから構成される。本明細書と請求項において、ソース電極とドレイン電極は、電流の向きやトランジスタの極性などによって互いに入れ替わることがある。したがって、これらを特に区別することなく、両者をソース/ドレイン電極と記す。   Each pixel 104 includes at least one transistor 130 and a capacitor 150 in addition to the liquid crystal element. The transistor 130 includes a semiconductor film 134, a gate electrode 132 which is a part of the scanning line 122 (a part protruding downward in the drawing), and a source which is a part of the signal line 120 (a part protruding to the right side in the drawing). / Drain electrode 136, source / drain electrode 138, and the like. In the present specification and claims, the source electrode and the drain electrode may be interchanged depending on the direction of current, the polarity of the transistor, or the like. Accordingly, these are referred to as source / drain electrodes without particular distinction.

ソース/ドレイン電極138の一部は容量150の一方の電極(容量電極)151としても機能する。容量150は、この容量電極151と容量線124、およびこれらの間に設けられるゲート絶縁膜(後述)142によって形成される。容量150は、トランジスタ130を介して信号線120から画素電極152に与えられる電位を一定時間保持する機能を有する。   Part of the source / drain electrode 138 also functions as one electrode (capacitance electrode) 151 of the capacitor 150. The capacitor 150 is formed by the capacitor electrode 151, the capacitor line 124, and a gate insulating film (described later) 142 provided therebetween. The capacitor 150 has a function of holding a potential supplied from the signal line 120 to the pixel electrode 152 through the transistor 130 for a certain period of time.

図3に、図2の鎖線A−A´に沿った断面模式図を示す。表示基板102の下には、バックライトユニット190が設けられ、青色の光がバックライトユニット190から表示基板102を介して液晶層160側へ供給される。ここで青色の光とは、400nmから500nm、435nmから500nm、あるいは435nmから480nmの領域において発光ピークを有する光であり、その発光スペクトルはこの波長範囲(以下、青色波長領域)を逸脱してもよい。また、発光ピークをこの波長範囲で複数有してもよい。詳細は省略するが、バックライトユニット190は、青色に発光するLEDや導光板などによって構成される。LEDの活性層の材料に限定は無いが、例えばInGaNなどの化合物半導体などを利用することで、青色発光を得ることができる。   FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along the chain line AA ′ in FIG. A backlight unit 190 is provided below the display substrate 102, and blue light is supplied from the backlight unit 190 to the liquid crystal layer 160 side through the display substrate 102. Here, the blue light is light having an emission peak in the region of 400 nm to 500 nm, 435 nm to 500 nm, or 435 nm to 480 nm, and the emission spectrum thereof deviates from this wavelength range (hereinafter referred to as blue wavelength region). Good. Moreover, you may have two or more light emission peaks in this wavelength range. Although details are omitted, the backlight unit 190 is configured by a blue light emitting LED, a light guide plate, or the like. Although there is no limitation in the material of the active layer of LED, blue light emission can be obtained by utilizing compound semiconductors, such as InGaN, for example.

バックライトユニット190と表示基板102の間には偏光板126が設けられる。図3に示した構成では、偏光板126はバックライトユニット190や表示基板102と接するように設けられるが、これらの間には他の層や部材が挿入されていてもよい。   A polarizing plate 126 is provided between the backlight unit 190 and the display substrate 102. In the configuration illustrated in FIG. 3, the polarizing plate 126 is provided so as to be in contact with the backlight unit 190 and the display substrate 102, but another layer or member may be inserted between them.

図3に示すように、トランジスタ130は、任意の構成である下地膜140を介して表示基板102上に設けられる。ゲート電極132上にはゲート絶縁膜142が設けられ、この上に半導体膜134、ソース/ドレイン電極136、138が設けられる。図3で示すトランジスタ130はボトムゲート型のトランジスタであるが、トランジスタ130の構造に制限はなく、トランジスタ130はトップゲート型でもよく、半導体膜134の上下にゲート電極を備える構造を有してもよい。また、半導体膜134とソース/ドレイン電極138、136の上下関係にも制約はない。   As shown in FIG. 3, the transistor 130 is provided on the display substrate 102 through a base film 140 having an arbitrary configuration. A gate insulating film 142 is provided on the gate electrode 132, and a semiconductor film 134 and source / drain electrodes 136 and 138 are provided thereon. Although the transistor 130 illustrated in FIG. 3 is a bottom-gate transistor, the structure of the transistor 130 is not limited. The transistor 130 may be a top-gate transistor and may have a structure in which gate electrodes are provided above and below the semiconductor film 134. Good. Further, there is no restriction on the vertical relationship between the semiconductor film 134 and the source / drain electrodes 138 and 136.

容量150も下地膜140上に設けることができ、容量線124の一部、ゲート絶縁膜142、容量電極151を含む。表示装置100はさらに層間絶縁膜144を有している。層間絶縁膜144はトランジスタ130や容量150を覆うように設けられ、これらに起因する凹凸を吸収して平坦な表面を与えるような厚さで形成してもよい。画素電極152が層間絶縁膜144上に設けられ、画素電極152は層間絶縁膜144に形成されるコンタクトホール146においてソース/ドレイン電極138と電気的に接続される。   The capacitor 150 can also be provided over the base film 140 and includes a part of the capacitor line 124, the gate insulating film 142, and the capacitor electrode 151. The display device 100 further includes an interlayer insulating film 144. The interlayer insulating film 144 may be provided so as to cover the transistor 130 and the capacitor 150, and may be formed to have a thickness so as to absorb unevenness caused by these and provide a flat surface. A pixel electrode 152 is provided on the interlayer insulating film 144, and the pixel electrode 152 is electrically connected to the source / drain electrode 138 in a contact hole 146 formed in the interlayer insulating film 144.

画素104はさらに、画素電極152を覆う第1の配向膜148を有する。第1の配向膜148は液晶層160内の液晶分子を一定の方向に配向させる機能を有する絶縁膜であり、液晶分子の初期(画素電極152と対向電極156間に電位差が与えられていないとき)の配向状態を決める。第1の配向膜148上には、液晶層160を介して第2の配向膜154、対向電極156、および偏光板128が設けられる。偏光板126を通過したバックライトユニット190からの光は、液晶層160によってその偏光面が回転され、偏光板128を通して出射される。偏光面の回転は液晶層内の液晶分子の配向によって決まる。信号線120から供給される画像信号に基づいて画素電極152と対向電極156間に電位差が与えられ、液晶分子は初期における配向状態から、電場によって決まる配向状態へ変化する。この配向状態の変化に伴って液晶素子の光透過率が変化し、諧調表示が実現される。   The pixel 104 further includes a first alignment film 148 that covers the pixel electrode 152. The first alignment film 148 is an insulating film having a function of aligning liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 160 in a certain direction, and the initial alignment of the liquid crystal molecules (when no potential difference is applied between the pixel electrode 152 and the counter electrode 156). ) Is determined. A second alignment film 154, a counter electrode 156, and a polarizing plate 128 are provided over the first alignment film 148 with the liquid crystal layer 160 interposed therebetween. The light from the backlight unit 190 that has passed through the polarizing plate 126 has its polarization plane rotated by the liquid crystal layer 160 and is emitted through the polarizing plate 128. The rotation of the polarization plane is determined by the orientation of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer. A potential difference is applied between the pixel electrode 152 and the counter electrode 156 based on an image signal supplied from the signal line 120, and the liquid crystal molecules change from an initial alignment state to an alignment state determined by an electric field. With the change in the alignment state, the light transmittance of the liquid crystal element changes, and a gradation display is realized.

[3.積層体]
画素104上には、バックライトユニット190から液晶層160を介して取り出される光の波長変換を担う積層体170が形成される。積層体170は、波長変換層172とカラーフィルタ174を含み、さらに後述する光透過層176を含むことがある。なお、基板118を積層体170の構成の一つとして認識してもよく、以下、この認識の下で説明を行う。
[3. Laminate]
On the pixel 104, a stacked body 170 that performs wavelength conversion of light extracted from the backlight unit 190 through the liquid crystal layer 160 is formed. The laminate 170 includes a wavelength conversion layer 172 and a color filter 174, and may further include a light transmission layer 176 described later. Note that the substrate 118 may be recognized as one of the structures of the stacked body 170, and the following description will be given under this recognition.

積層体170では、基板118、波長変換層172、およびカラーフィルタ174は互いに重なる。すなわち、基板118の主面の一つ(対向電極156に対向する面。以下、第1の面とも記す)の側に波長変換層172とカラーフィルタ174が設けられる。波長変換層172とカラーフィルタ174は、基板118と表示基板102の間に配置される。   In the stacked body 170, the substrate 118, the wavelength conversion layer 172, and the color filter 174 overlap each other. That is, the wavelength conversion layer 172 and the color filter 174 are provided on one side of the main surface of the substrate 118 (a surface facing the counter electrode 156; hereinafter also referred to as a first surface). The wavelength conversion layer 172 and the color filter 174 are disposed between the substrate 118 and the display substrate 102.

なお、表示装置100には任意の構成として、例えばトランジスタ130や信号線120、走査線122と重なる遮光膜(ブラックマトリクス)164や、遮光膜164や波長変換層172、カラーフィルタ174を覆う保護膜(以下、オーバーコート)162が備えられてもよい。また、オーバーコート162と偏光板128の間には図示しない接着層を設け、これを用いて偏光板128と積層体170を固定してもよい。オーバーコート162は、窒化ケイ素や酸化ケイ素などのケイ素含有無機化合物、あるいはポリオレフィンやポリカルボナート、ポリエステル、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの高分子材料を含むことができる。図示していないが、偏光板128とオーバーコート162の間(オーバーコート162を設けない場合には、偏光板128と積層体170の間)に可視光を透過する基板(ガラス基板やプラスチック基板など)をさらに設けてもよい。   Note that the display device 100 has an arbitrary configuration, for example, a light shielding film (black matrix) 164 that overlaps the transistor 130, the signal line 120, and the scanning line 122, or a protective film that covers the light shielding film 164, the wavelength conversion layer 172, and the color filter 174. (Hereinafter referred to as overcoat) 162 may be provided. Further, an adhesive layer (not shown) may be provided between the overcoat 162 and the polarizing plate 128, and the polarizing plate 128 and the laminated body 170 may be fixed using this. The overcoat 162 can include a silicon-containing inorganic compound such as silicon nitride or silicon oxide, or a polymer material such as polyolefin, polycarbonate, polyester, epoxy resin, or acrylic resin. Although not shown, a substrate (such as a glass substrate or a plastic substrate) that transmits visible light between the polarizing plate 128 and the overcoat 162 (between the polarizing plate 128 and the stacked body 170 when the overcoat 162 is not provided). ) May be further provided.

積層体170の詳細な構造を図4に示す。図4は、図2における鎖線B−B´に沿った断面模式図であり、隣接する三つの画素104上に設けられる積層体170を示している。見やすさを考慮し、ここでは対向電極156より下の構成は省略されている。ここで、最も短波長の光、すなわち青色の光を取り出す画素を104bとし、最も長波長の光(すなわち赤色の光)を取り出す画素を104rとし、緑色の光を取り出す画素を104gとする。ここで緑色の光とは、500nmから600nm、500nmから580nm、あるいは500nmから560nmの波長範囲(以下、緑色波長領域)においてスペクトルのピークを示す光である。一方赤色の発光とは、600nmから800nm、600nmから750nm、あるいは610nmから750nmの波長範囲(以下、赤色波長領域)においてスペクトルのピークを示す光である。それぞれの光のスペクトルは上述した波長範囲外に存在してもよく、これらの波長範囲で複数のピークを有してもよい。   The detailed structure of the laminated body 170 is shown in FIG. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along the chain line BB ′ in FIG. 2 and shows a stacked body 170 provided on three adjacent pixels 104. In view of ease of viewing, the configuration below the counter electrode 156 is omitted here. Here, a pixel that extracts the shortest wavelength light, that is, blue light is 104b, a pixel that extracts the longest wavelength light (that is, red light) is 104r, and a pixel that extracts the green light is 104g. Here, the green light is light that exhibits a spectrum peak in a wavelength range of 500 nm to 600 nm, 500 nm to 580 nm, or 500 nm to 560 nm (hereinafter, green wavelength region). On the other hand, red light emission is light having a spectrum peak in a wavelength range of 600 nm to 800 nm, 600 nm to 750 nm, or 610 nm to 750 nm (hereinafter, red wavelength region). The spectrum of each light may exist outside the wavelength ranges described above, and may have a plurality of peaks in these wavelength ranges.

画素104rでは、積層体170は互いに重なる波長変換層172rとカラーフィルタ174を有する。同様に画素104gでは、積層体170は互いに重なる波長変換層172gとカラーフィルタ174を有する。一方画素104bにおいては、波長変換層172g、172r、およびカラーフィルタ174は設けられず、光透過層176が形成される。以下、波長変換層172g、172rは、これらのいずれかを特に区別しない場合には、波長変換層172と記す。また、波長変換層172g、172rをそれぞれ第1の波長変換層、第2の波長変換層と記すことがある。   In the pixel 104r, the stacked body 170 includes a wavelength conversion layer 172r and a color filter 174 that overlap each other. Similarly, in the pixel 104g, the stacked body 170 includes a wavelength conversion layer 172g and a color filter 174 that overlap each other. On the other hand, in the pixel 104b, the wavelength conversion layers 172g and 172r and the color filter 174 are not provided, and the light transmission layer 176 is formed. Hereinafter, the wavelength conversion layers 172g and 172r will be referred to as the wavelength conversion layer 172 unless any of these is particularly distinguished. Further, the wavelength conversion layers 172g and 172r may be referred to as a first wavelength conversion layer and a second wavelength conversion layer, respectively.

3−1.波長変換層
波長変換層172g、172rは、バックライトユニット190からの光、すなわち青色の光を吸収し、それぞれ緑色と赤色の発光を与える機能を有する膜である。すなわち、青色の光を励起光としてフォトルミネッセンスを示す膜である。これにより、画素104g、104rからはそれぞれ、緑色と赤色の光を得ることができる。
3-1. Wavelength Conversion Layer The wavelength conversion layers 172g and 172r are films having a function of absorbing light from the backlight unit 190, that is, blue light, and emitting green and red light, respectively. That is, the film exhibits photoluminescence using blue light as excitation light. Thereby, green and red light can be obtained from the pixels 104g and 104r, respectively.

このような機能を有する波長変換層172g、172rは、蛍光を示す色素(以下、蛍光材料)と蛍光材料を分散するためのマトリクスを含む。蛍光材料は染料や顔料でも良い。蛍光材料としては、例えばクマリン系色素、キナクリドン系色素、アントラセン系色素、ピレン系色素、ピラン系色素、キノリノール錯体系色素などの有機化合物、ガリウムやセレン、亜鉛、インジウム、カドミウムなどの金属を含む化合物半導体などが挙げられる。化合物半導体を用いる場合には、その大きさが数nmから数十nmに制御された量子ドットを利用してもよい。この場合、粒子の大きさを制御することで発光色を調整することが可能である。量子ドットとしては、亜鉛、カドミウム、鉛などの金属と硫黄、セレン、テルルなどの16族元素との化合物が挙げられ、CdSe、ZnSなどが例示される。あるいはインジウムやガリウムなどの13族元素とリンやひ素などの15族元素との化合物が挙げられ、InP、GaAsなどが例示される。   The wavelength conversion layers 172g and 172r having such a function include a fluorescent dye (hereinafter referred to as a fluorescent material) and a matrix for dispersing the fluorescent material. The fluorescent material may be a dye or a pigment. Examples of fluorescent materials include organic compounds such as coumarin dyes, quinacridone dyes, anthracene dyes, pyrene dyes, pyran dyes, quinolinol complex dyes, and compounds containing metals such as gallium, selenium, zinc, indium, and cadmium. A semiconductor etc. are mentioned. When a compound semiconductor is used, quantum dots whose size is controlled from several nm to several tens of nm may be used. In this case, the emission color can be adjusted by controlling the size of the particles. Examples of the quantum dot include a compound of a metal such as zinc, cadmium, or lead and a group 16 element such as sulfur, selenium, or tellurium, and examples thereof include CdSe and ZnS. Alternatively, a compound of a group 13 element such as indium or gallium and a group 15 element such as phosphorus or arsenic is exemplified, and InP, GaAs, and the like are exemplified.

マトリクスとしては、可視光に対して吸収の小さい、あるいは可視光領域に吸収ピークを持たない高分子材料を使用することができる。例えばポリメタクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステル、芳香族ポリカルボナート、ポリオレフィン、ポリスチレンなどの高分子材料が挙げられる。あるいはエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの光、熱硬化性樹脂を用いてもよい。波長変換層172はこれらのマトリクスと蛍光材料を含む混合液をインクジェット法や印刷法などによって塗布し、その後乾燥、あるいは硬化することで形成することができる。   As the matrix, a polymer material having a small absorption with respect to visible light or having no absorption peak in the visible light region can be used. Examples thereof include polymer materials such as polymethacrylic acid ester, polyacrylic acid ester, aromatic polycarbonate, polyolefin, and polystyrene. Alternatively, light such as an epoxy resin or an acrylic resin, or a thermosetting resin may be used. The wavelength conversion layer 172 can be formed by applying a mixed liquid containing the matrix and the fluorescent material by an inkjet method or a printing method, and then drying or curing.

波長変換層172は、蛍光材料の酸化を防止するための酸化防止剤をさらに含んでもよい。酸化防止剤としては、例えばトリアルキルホスファイト、アルキルアリルホスファイト、トリアリルホスファイトなどを基本骨格とするリン系酸化防止剤、オルト位にt−ブチル基などの立体障害の大きな置換基を有するフェノール骨格を一つ、あるいは複数有するフェノール系酸化防止剤、チオエーテル基を有する硫黄系酸化防止剤などを用いることができる。これにより、波長変換層172内に分散する蛍光材料の寿命を向上させ、波長変換層172の劣化を防ぐ、あるいは抑制することができる。   The wavelength conversion layer 172 may further include an antioxidant for preventing oxidation of the fluorescent material. As an antioxidant, for example, a phosphorus-based antioxidant having a basic skeleton of trialkyl phosphite, alkylallyl phosphite, triallyl phosphite, etc., and having a sterically hindered substituent such as a t-butyl group at the ortho position A phenol-based antioxidant having one or more phenol skeletons, a sulfur-based antioxidant having a thioether group, and the like can be used. Thereby, the lifetime of the fluorescent material dispersed in the wavelength conversion layer 172 can be improved, and deterioration of the wavelength conversion layer 172 can be prevented or suppressed.

3−2.カラーフィルタ
カラーフィルタ174は、波長変換層172g、172rにおいて吸収されずに透過したバックライトユニット190からの光を吸収する機能を有する膜である。したがってカラーフィルタ174は、バックライトユニット190が与える青色の光を選択的に吸収する。換言すると、カラーフィルタ174は青色波長領域に吸収ピークを有し、他の波長領域では吸収を示さない、あるいは青色波長領域と比較して他の波長領域における吸収が小さいという特性を有する膜である。したがって、例えば黄色の光(例えば550nmから600nmの範囲にスペクトルのピークを有する光)を透過しやすい。カラーフィルタ174はこのような光学特性を有する色素を含む。色素は染料、顔料のいずれでも良く、例えばC.I.Pigment Yellow 150、同213、同215、同185、同138、同139、C.I.Solvent Yellow 21、同82、同83:1、同33、同162などの色素から一つ、あるいは複数選択することができる。
3-2. Color Filter The color filter 174 is a film having a function of absorbing light from the backlight unit 190 that is transmitted without being absorbed by the wavelength conversion layers 172g and 172r. Therefore, the color filter 174 selectively absorbs blue light provided by the backlight unit 190. In other words, the color filter 174 is a film that has an absorption peak in the blue wavelength region and does not exhibit absorption in other wavelength regions, or has a characteristic that absorption in other wavelength regions is small compared to the blue wavelength region. . Therefore, for example, yellow light (for example, light having a spectrum peak in the range of 550 nm to 600 nm) is easily transmitted. The color filter 174 includes a pigment having such optical characteristics. The dye may be either a dye or a pigment. I. Pigment Yellow 150, 213, 215, 185, 138, 139, C.I. I. One or a plurality of dyes such as Solvent Yellow 21, 82, 83: 1, 33, and 162 can be selected.

カラーフィルタ174も波長変換層172と同様、マトリクスと色素を含む混合液(懸濁液)を用い、インクジェット法や印刷法などを適用して形成することができる。   Similarly to the wavelength conversion layer 172, the color filter 174 can be formed by using a mixed liquid (suspension) containing a matrix and a dye and applying an inkjet method or a printing method.

3−3.光透過層
光透過層176は、青色領域において吸収を持たない、あるいは吸収ピークを示さない材料を含み、バックライトユニット190からの光を効率よく透過する機能を有する。具体的には、上述した高分子材料を含むことができる。この構成により、画素104bからは青色の光を得ることができる。
3-3. Light Transmission Layer The light transmission layer 176 includes a material that does not absorb in the blue region or does not show an absorption peak, and has a function of efficiently transmitting light from the backlight unit 190. Specifically, the above-described polymer material can be included. With this configuration, blue light can be obtained from the pixel 104b.

図4に示す例では、基板118はカラーフィルタ174や遮光膜164、光透過層176と接する。ただし、図示していないが、基板118とカラーフィルタ174の間、基板118と遮光膜164の間、および基板118と光透過層176の間に絶縁膜を設けてもよい。この絶縁膜は、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素などのケイ素含有無機化合物を含むことができ、単層構造、あるいは積層構造を有することができる。この絶縁膜を設けることで、基板118に含まれる不純物の拡散を防止することができる。   In the example shown in FIG. 4, the substrate 118 is in contact with the color filter 174, the light shielding film 164, and the light transmission layer 176. Note that although not illustrated, insulating films may be provided between the substrate 118 and the color filter 174, between the substrate 118 and the light-shielding film 164, and between the substrate 118 and the light transmission layer 176. This insulating film can contain, for example, a silicon-containing inorganic compound such as silicon oxide or silicon nitride, and can have a single layer structure or a laminated structure. By providing this insulating film, diffusion of impurities contained in the substrate 118 can be prevented.

3−4.光拡散
本実施形態の積層体170では、カラーフィルタ174と波長変換層172のうち少なくとも一方は、バックライトユニット190からの光のうち、少なくとも青色波長領域の光を拡散するように構成される。
3-4. Light Diffusion In the laminate 170 of this embodiment, at least one of the color filter 174 and the wavelength conversion layer 172 is configured to diffuse at least the light in the blue wavelength region from the light from the backlight unit 190.

例えばカラーフィルタ174と波長変換層172のうち少なくとも一方は、光拡散粒子180を含むように構成される。光拡散粒子180は無機化合物、あるいは有機化合物を含むことができる。無機化合物としては、金属の酸化物、硫化物、硫酸塩、ハロゲン化物、窒化物、ケイ酸塩などが挙げられ、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、二酸化チタン、二酸化ケイ素(シリカゲル)、酸化ジルコニウム、ケイ酸アルミニウムなどが例示される。有機化合物としては、ポリメタクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステル、ポリカルボナート、ポリスチレン、ポリオレフィン、あるいはポリノルボルネンを基本骨格とする高分子が挙げられる。これらの高分子は分子間で架橋していてもよい。あるいは、主鎖や側鎖にフッ素、塩素や臭素などのハロゲンが導入された高分子を用いてもよい。フッ素が導入された高分子としては、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素含有ポリオレフィンが例示される。高分子を用いる場合、光拡散粒子180は中空構造の三次元構造を有してもよい。すなわち、コア−シェル構造を有し、シェル部分が高分子で構成され、コア部分に空気が含まれる光拡散粒子180を用いてもよい。   For example, at least one of the color filter 174 and the wavelength conversion layer 172 is configured to include the light diffusion particles 180. The light diffusing particles 180 may include an inorganic compound or an organic compound. Inorganic compounds include metal oxides, sulfides, sulfates, halides, nitrides, silicates, etc., calcium carbonate, barium sulfate, titanium dioxide, silicon dioxide (silica gel), zirconium oxide, silicic acid Examples include aluminum. Examples of the organic compound include polymers having a basic skeleton of polymethacrylic acid ester, polyacrylic acid ester, polycarbonate, polystyrene, polyolefin, or polynorbornene. These polymers may be cross-linked between molecules. Alternatively, a polymer in which a halogen such as fluorine, chlorine or bromine is introduced into the main chain or side chain may be used. Examples of the polymer into which fluorine is introduced include fluorine-containing polyolefins such as polytetrafluoroethylene. When a polymer is used, the light diffusion particle 180 may have a three-dimensional structure having a hollow structure. That is, the light diffusing particles 180 having a core-shell structure, the shell portion being composed of a polymer, and the core portion containing air may be used.

あるいは、カラーフィルタ174と波長変換層172のうち少なくとも一方は複数の細孔182を有し、細孔182内に含まれる空気とマトリクスとの屈折率の差を利用して光拡散を実現してもよい。   Alternatively, at least one of the color filter 174 and the wavelength conversion layer 172 has a plurality of pores 182, and light diffusion is realized using a difference in refractive index between air contained in the pores 182 and the matrix. Also good.

光拡散粒子180や細孔182の形状に制限はない。光拡散粒子180の平均粒径や細孔182の平均直径は100nmから500μm、1μmから300μm、あるいは10μmから100μmとすることができる。光拡散粒子180が波長変換層172に含まれる場合、その濃度は波長変化層172の全量を100重量%としたときに、5重量%以上20重量%以下、あるいは5重量%以上10重量%以下とすればよい。光拡散粒子180を含有するカラーフィルタ174や波長変換層172は、マトリクスと色素、あるいは蛍光材料との混合液に光拡散粒子180を追加的に加え、この混合液をインクジェット法や印刷法などによって塗布し、その後乾燥、あるいは硬化することで形成することができる。   There is no restriction | limiting in the shape of the light-diffusion particle | grains 180 and the pore 182. FIG. The average particle diameter of the light diffusing particles 180 and the average diameter of the pores 182 can be 100 nm to 500 μm, 1 μm to 300 μm, or 10 μm to 100 μm. When the light diffusing particles 180 are included in the wavelength conversion layer 172, the concentration is 5% by weight or more and 20% by weight or less, or 5% by weight or more and 10% by weight or less when the total amount of the wavelength changing layer 172 is 100% by weight. And it is sufficient. The color filter 174 and the wavelength conversion layer 172 containing the light diffusing particles 180 add the light diffusing particles 180 to a mixed solution of a matrix and a dye or a fluorescent material, and the mixed solution is added by an inkjet method or a printing method. It can be formed by coating and then drying or curing.

一方、光透過層176には、光拡散機能を付与する必要は無い。したがって、光拡散粒子180の添加や細孔182の形成は光透過層176において行う必要は無く、カラーフィルタ174と波長変換層172のいずれか、あるいは両者に対して選択的に行えばよい。   On the other hand, the light transmission layer 176 does not need to be provided with a light diffusion function. Therefore, the addition of the light diffusing particles 180 and the formation of the pores 182 do not need to be performed in the light transmission layer 176, and may be performed selectively with respect to either the color filter 174 or the wavelength conversion layer 172, or both.

光変換方式が採用された表示装置では、波長変換層とカラーフィルタを積層することで、波長変換されずに波長変換層を通過する光をカラーフィルタである程度吸収できることが知られている。これにより、比較的波長の長い光を与える画素(例えば緑色や赤色を与える画素)において短波長の光に起因する混色をある程度抑制することができる。   In a display device employing a light conversion method, it is known that light passing through a wavelength conversion layer without wavelength conversion can be absorbed to some extent by the color filter by laminating a wavelength conversion layer and a color filter. Thereby, in a pixel that gives light having a relatively long wavelength (for example, a pixel that gives green or red), color mixing caused by light having a short wavelength can be suppressed to some extent.

しかしながら、カラーフィルタのみでは、波長変換されなかった光を完全に吸収することは困難であり、このためには非常に大きな厚さのカラーフィルタを用いる、あるいは、カラーフィルタの色素含有率を大幅に増大させる必要がある。発明者らの試算によると、バックライトユニットからの発光のうち、波長変換層で波長変換されなかった光を完全に吸収するためには、1μm以下の薄膜カラーフィルタの場合には90重量%以上の色素含有率が要求される。このような高い色素含有率を有するカラーフィルタは独立した膜として安定に存在、作製することは事実上不可能である。   However, with color filters alone, it is difficult to completely absorb light that has not been wavelength-converted. For this purpose, a color filter with a very large thickness is used, or the dye content of the color filter is greatly increased. Need to increase. According to the calculation by the inventors, in order to completely absorb the light emitted from the backlight unit and not wavelength-converted by the wavelength conversion layer, it is 90% by weight or more in the case of a thin film color filter of 1 μm or less. Is required. A color filter having such a high pigment content is stably present as an independent film and is virtually impossible to produce.

これに対して発明者らは、波長変換層172、あるいはカラーフィルタ174を青色波長領域の光を拡散するように構成することで、波長変換層172の見かけ上の光変換効率(すなわち、見かけ上の発光量子効率)が向上し、その結果、波長変換されることなく波長変換層172を透過する光の強度が減少し、画素104g、104rから取り出される光の混色を効果的に抑制することが可能であることを見出した。したがって、積層体170を用いることで、画素104b、104g、104rからそれぞれ色純度の高い青色、緑色、赤色を得ることができ、広い色域を有する表示装置を提供することができる。さらに、カラーフィルタ174の厚さを小さくする、あるいはカラーフィルタ174の色素含有率を下げることが可能となる。その結果、表示装置のさらなる薄型化や製造コストの削減が可能となる。   On the other hand, the inventors configured the wavelength conversion layer 172 or the color filter 174 to diffuse light in the blue wavelength region, so that the apparent light conversion efficiency of the wavelength conversion layer 172 (that is, the appearance) As a result, the intensity of light transmitted through the wavelength conversion layer 172 is reduced without being wavelength-converted, and the color mixture of light extracted from the pixels 104g and 104r can be effectively suppressed. I found it possible. Therefore, by using the stacked body 170, blue, green, and red with high color purity can be obtained from the pixels 104b, 104g, and 104r, respectively, and a display device having a wide color gamut can be provided. Furthermore, the thickness of the color filter 174 can be reduced, or the pigment content of the color filter 174 can be reduced. As a result, the display device can be further thinned and the manufacturing cost can be reduced.

<第2実施形態>
積層体101の構成は第1実施形態で示した構造に限られず、様々な構造に変更することができる。例えば第1実施形態の積層体170では、波長変換層172は遮光膜164上で互いに離間して接していないが(図4)、図5(A)に示すように、隣接する画素104の間で波長変換層172同士が接し、重なってもよい。図5(A)に示した例では、波長変換層172g、172rが互いに接し、重なる。
Second Embodiment
The configuration of the stacked body 101 is not limited to the structure shown in the first embodiment, and can be changed to various structures. For example, in the stacked body 170 of the first embodiment, the wavelength conversion layers 172 are not in contact with each other on the light shielding film 164 (FIG. 4), but as shown in FIG. The wavelength conversion layers 172 may be in contact with each other and may overlap. In the example shown in FIG. 5A, the wavelength conversion layers 172g and 172r are in contact with each other and overlap each other.

第1実施形態の積層体170では、隣接する画素104間でカラーフィルタ174は連続的に形成されて一体化されている(図4)。すなわち、1つのカラーフィルタ174が隣接する二つの画素104gと104rによって共有される。しかしながら図5(B)に示すように、カラーフィルタ174は隣接する画素104間で互いに離間してもよい。この場合、遮光膜164はオーバーコート162、あるいは波長変換層172と接してもよい。   In the stacked body 170 of the first embodiment, the color filter 174 is continuously formed and integrated between adjacent pixels 104 (FIG. 4). That is, one color filter 174 is shared by two adjacent pixels 104g and 104r. However, as shown in FIG. 5B, the color filters 174 may be separated from each other between adjacent pixels 104. In this case, the light shielding film 164 may be in contact with the overcoat 162 or the wavelength conversion layer 172.

あるいは図6に示すように、オーバーコート162を設けず、画素104bのみならず、画素104gや105rの波長変換層172と重なるように、光透過層176を画素104g、104rに設けてもよい。この場合、光透過層176は、積層体170と偏光板128を接着する接着層としても機能することができる。   Alternatively, as illustrated in FIG. 6, the light transmission layer 176 may be provided in the pixels 104 g and 104 r so as to overlap with the wavelength conversion layer 172 of not only the pixel 104 b but also the pixels 104 g and 105 r without providing the overcoat 162. In this case, the light transmission layer 176 can also function as an adhesive layer that bonds the stacked body 170 and the polarizing plate 128 together.

上述した構成を採用しても、第1実施形態の積層体170と同様の効果を実現することができる。したがって、本実施形態の積層体170を適用することによって表示装置に広い色域を付与するだけでなく、表示装置の薄型化や製造コストの削減を達成することができる。   Even if the configuration described above is adopted, the same effect as that of the stacked body 170 of the first embodiment can be realized. Therefore, by applying the laminate 170 of the present embodiment, not only a wide color gamut can be given to the display device, but also the display device can be made thinner and the manufacturing cost can be reduced.

<第3実施形態>
本実施形態では、第1実施形態で述べた積層体170とは構造が異なる積層体184に関して説明を行う。第1、第2実施形態と類似する、あるいは同一の構成に関しては説明を省略することがある。
<Third Embodiment>
In the present embodiment, a description is given of a stacked body 184 having a structure different from that of the stacked body 170 described in the first embodiment. A description of the configuration similar to or the same as that of the first and second embodiments may be omitted.

積層体184は、波長変換層172やカラーフィルタ174に光拡散粒子180が添加されていない、あるいは細孔182が形成されていない点、および、光拡散層178を含む点で積層体170と異なる。   The laminated body 184 is different from the laminated body 170 in that the light diffusing particles 180 are not added to the wavelength conversion layer 172 and the color filter 174 or the pores 182 are not formed and the light diffusing layer 178 is included. .

より具体的には、図7に示すように、積層体184は、互いに重なる波長変換層172、カラーフィルタ174、および光拡散層178を有する。これらは基板118の第1面側に配置される。積層体170と同様、積層体184は光透過層176を有してもよい。図7に示した例では、光透過層176は画素104bと重なり、波長変換層172g、172rはそれぞれ画素104g、104rと重なり、カラーフィルタ174と光拡散層178は画素104g、104rの両者と重なる。波長変換層172はカラーフィルタ174と光拡散層178の間に位置し、カラーフィルタ174は基板118と波長変換層172の間に位置する。   More specifically, as illustrated in FIG. 7, the stacked body 184 includes a wavelength conversion layer 172, a color filter 174, and a light diffusion layer 178 that overlap each other. These are arranged on the first surface side of the substrate 118. Similar to the stacked body 170, the stacked body 184 may include a light transmission layer 176. In the example shown in FIG. 7, the light transmission layer 176 overlaps with the pixel 104b, the wavelength conversion layers 172g and 172r overlap with the pixels 104g and 104r, respectively, and the color filter 174 and the light diffusion layer 178 overlap with both the pixels 104g and 104r. . The wavelength conversion layer 172 is located between the color filter 174 and the light diffusion layer 178, and the color filter 174 is located between the substrate 118 and the wavelength conversion layer 172.

上述したように、カラーフィルタ174、波長変換層172g、172rには光拡散粒子180が添加されていない、あるいは細孔182が形成されていない。これに対し光拡散層178はマトリクスを含み、かつ、光拡散粒子180、あるいは細孔182が含まれる。これらのマトリクスや光拡散粒子180、細孔182は第1実施形態のそれと同様である。   As described above, the light diffusing particles 180 are not added or the pores 182 are not formed in the color filter 174 and the wavelength conversion layers 172g and 172r. On the other hand, the light diffusion layer 178 includes a matrix and includes light diffusion particles 180 or pores 182. These matrices, light diffusion particles 180, and pores 182 are the same as those in the first embodiment.

積層体184では、バックライトユニット190からの光が光拡散層178において拡散され、その結果、波長変換層172における見かけ上の光変換効率が向上する。このため、波長変換されることなく波長変換層172を透過する光の強度が減少し、カラーフィルタ174によって透過光が効率的に吸収される。したがって、画素104b、104g、104rからそれぞれ色純度の高い青色、緑色、赤色を得ることができ、広い色域を有する表示装置を提供することができる。さらに、カラーフィルタ174の厚さを小さくするとともに、カラーフィルタ174の色素含有率を下げることができ、これは表示装置のさらなる薄型化や製造コストの削減に寄与する。   In the laminate 184, the light from the backlight unit 190 is diffused in the light diffusion layer 178, and as a result, the apparent light conversion efficiency in the wavelength conversion layer 172 is improved. For this reason, the intensity of the light transmitted through the wavelength conversion layer 172 without wavelength conversion is reduced, and the transmitted light is efficiently absorbed by the color filter 174. Accordingly, blue, green, and red with high color purity can be obtained from the pixels 104b, 104g, and 104r, respectively, and a display device having a wide color gamut can be provided. Furthermore, the thickness of the color filter 174 can be reduced, and the pigment content of the color filter 174 can be reduced, which contributes to further thinning of the display device and reduction of manufacturing costs.

<第4実施形態>
本発明の実施形態の一つである表示装置100では、第1実施形態で示した画素104とは異なる構造を有する画素105を用いることも可能である。このような形態を以下に説明する。第1から第3実施形態で述べた構成と類似する、あるいは同一の構成に関しては説明を省略することがある。
<Fourth embodiment>
In the display device 100 which is one embodiment of the present invention, a pixel 105 having a structure different from that of the pixel 104 described in the first embodiment can be used. Such a form will be described below. The description of the configuration that is similar to or the same as the configuration described in the first to third embodiments may be omitted.

画素105の上面模式図を図8に、図8の鎖線C−C´に沿った断面模式図を図9に示す。これらの図に示すように、画素105は、画素電極152が櫛歯状の形状を有し、画素電極152が絶縁膜145を介して対向電極156上に形成される点が画素104と異なる点の一つである。画素電極152はスリット153を有する。このスリット153は閉じた形状でも、開いた形状であってもよい。図8に示した例では、閉じた形状のスリット153と開いた形状のスリット153の両者が画素電極152含まれる。画素電極152は、トランジスタ130上に設けられる層間絶縁膜144と平坦化膜158に設けられるコンタクトホール146を通じてトランジスタ130と電気的に接続される。   FIG. 8 is a schematic top view of the pixel 105, and FIG. 9 is a schematic cross-sectional view taken along the chain line CC ′ of FIG. As shown in these drawings, the pixel 105 is different from the pixel 104 in that the pixel electrode 152 has a comb-like shape and the pixel electrode 152 is formed over the counter electrode 156 with the insulating film 145 interposed therebetween. one of. The pixel electrode 152 has a slit 153. The slit 153 may be closed or open. In the example shown in FIG. 8, both the closed slit 153 and the open slit 153 are included in the pixel electrode 152. The pixel electrode 152 is electrically connected to the transistor 130 through an interlayer insulating film 144 provided over the transistor 130 and a contact hole 146 provided in the planarization film 158.

対向電極156は走査線122が延伸する方向にストライプ状に配列し、複数の画素105によって共有される。ただし、対向電極156を走査線122に対して垂直、すなわち信号線120と平行に配置してもよい。このような構造を有する画素105では、表示基板102の上面に対してほぼ平行な方向で液晶層160に電界が生じ、この電界によって表示装置100がIPS(In−Plane Switching)モードで駆動される   The counter electrode 156 is arranged in a stripe shape in the direction in which the scanning line 122 extends, and is shared by the plurality of pixels 105. However, the counter electrode 156 may be arranged perpendicular to the scanning line 122, that is, parallel to the signal line 120. In the pixel 105 having such a structure, an electric field is generated in the liquid crystal layer 160 in a direction substantially parallel to the upper surface of the display substrate 102, and the display device 100 is driven in an IPS (In-Plane Switching) mode by the electric field.

第1実施形態の表示装置100と同様、このような構造を有する画素105上にも積層体170や積層体184を設けることができる。したがって、本実施形態を適用することにより、広い色域を有し、より薄型化されたIPS型液晶表示装置を低コストで提供することができる。   Similar to the display device 100 of the first embodiment, the stacked body 170 and the stacked body 184 can be provided also on the pixel 105 having such a structure. Therefore, by applying this embodiment, an IPS liquid crystal display device having a wide color gamut and being made thinner can be provided at low cost.

<第5実施形態>
本実施形態では、本発明の実施形態の一つである有機EL表示装置について説明する。第1から第4実施形態で述べた構成と類似する、あるいは同一の構成に関しては説明を省略することがある。
<Fifth Embodiment>
In the present embodiment, an organic EL display device which is one embodiment of the present invention will be described. The description of the configuration similar to or the same as that described in the first to fourth embodiments may be omitted.

有機EL表示装置は、図1に示した表示装置100と同様、複数の画素104やゲート側駆動回路108、ソース側駆動回路110、ドライバIC112などを表示基板102上に有している。複数の画素104の各々には、有機EL素子が備えられる。   Similar to the display device 100 shown in FIG. 1, the organic EL display device includes a plurality of pixels 104, a gate side driver circuit 108, a source side driver circuit 110, a driver IC 112, and the like on a display substrate 102. Each of the plurality of pixels 104 includes an organic EL element.

隣接する三つの画素104の上面模式図を図10に、図10の鎖線D−D´に沿った断面模式図を図11に示す。明瞭化のため、対向電極244や画素電極240、容量電極220、あるいはこれらの一部は、一部の画素104では描かれていない。これら図に示すように、有機EL表示装置は、複数の画素104と電気的に接続される複数の走査線202、複数の信号線200、複数の電流供給線204を有している。走査線202はゲート側駆動回路108へ接続され、信号線200はソース側駆動回路110、および/あるいはドライバIC112へ接続される。各走査線202は、走査線202が伸びる方向に配置される複数の画素104と接続され、各信号線200と電流供給線204は、これらの配線が伸びる方向に配置される複数の画素104と接続される。   FIG. 10 is a schematic top view of three adjacent pixels 104, and FIG. 11 is a schematic cross-sectional view taken along the chain line DD ′ in FIG. For the sake of clarity, the counter electrode 244, the pixel electrode 240, the capacitor electrode 220, or a part thereof is not drawn in some pixels 104. As shown in these drawings, the organic EL display device includes a plurality of scanning lines 202, a plurality of signal lines 200, and a plurality of current supply lines 204 that are electrically connected to the plurality of pixels 104. The scanning line 202 is connected to the gate side driving circuit 108, and the signal line 200 is connected to the source side driving circuit 110 and / or the driver IC 112. Each scanning line 202 is connected to a plurality of pixels 104 arranged in a direction in which the scanning line 202 extends, and each signal line 200 and the current supply line 204 are connected to a plurality of pixels 104 arranged in a direction in which these wirings extend. Connected.

各画素104は少なくともスイッチングトランジスタ210、駆動トランジスタ230、および容量250を含む。スイッチングトランジスタ210は、走査線202の一部(図中、下側に突き出た部分)であるゲート電極214、信号線200の一部(図中、右側に突き出た部分)であるソース/ドレイン電極216、半導体膜212、ソース/ドレイン電極218などから構成される。ソース/ドレイン電極218は、コンタクトホール224を介し、走査線202と同一の層に存在する容量電極220と接続される。駆動トランジスタ230は、容量電極220の一部(図中、下に突き出た部分)であるゲート電極234、電流供給線204の一部(図中、左側に突き出た部分)であるソース/ドレイン電極236、半導体膜232の一部、ソース/ドレイン電極238などから構成される。半導体膜232の他の一部、後述するゲート絶縁膜252、および容量電極220によって容量250が形成され、これは駆動トランジスタ230のゲート電位の保持に寄与する。   Each pixel 104 includes at least a switching transistor 210, a driving transistor 230, and a capacitor 250. The switching transistor 210 includes a gate electrode 214 which is a part of the scanning line 202 (a part protruding downward in the figure) and a source / drain electrode which is a part of the signal line 200 (a part protruding rightward in the figure). 216, a semiconductor film 212, a source / drain electrode 218, and the like. The source / drain electrode 218 is connected to the capacitor electrode 220 existing in the same layer as the scanning line 202 via the contact hole 224. The drive transistor 230 includes a gate electrode 234 which is a part of the capacitor electrode 220 (a part protruding downward in the figure) and a source / drain electrode which is a part of the current supply line 204 (a part protruding to the left side in the figure). 236, part of the semiconductor film 232, source / drain electrodes 238, and the like. A capacitor 250 is formed by another part of the semiconductor film 232, a gate insulating film 252, which will be described later, and the capacitor electrode 220.

図11に示すように、駆動トランジスタ230をはじめスイッチングトランジスタ210や容量250は、任意の構成である下地膜248を介して表示基板102上に設けられる。下地膜248上には半導体膜232が配置される。半導体膜232には、ゲート電極234と重なるチャネル形成領域232a、およびチャネル形成領域232aを挟むドープ領域232bが形成される。容量電極220と対向するドープ領域232bが容量250の一方の電極として機能する。   As shown in FIG. 11, the driving transistor 230, the switching transistor 210, and the capacitor 250 are provided on the display substrate 102 through a base film 248 having an arbitrary configuration. A semiconductor film 232 is disposed on the base film 248. In the semiconductor film 232, a channel formation region 232a overlapping with the gate electrode 234 and a doped region 232b sandwiching the channel formation region 232a are formed. The doped region 232 b facing the capacitor electrode 220 functions as one electrode of the capacitor 250.

駆動トランジスタ230や容量250を覆い、平坦な表面を与える平坦化膜256にはソース/ドレイン電極238を露出する開口が設けられ、駆動トランジスタ230と平坦化膜256上の画素電極240との電気的接続が行われる。画素電極240は可視光を反射するように構成され、例えばアルミニウムや銀などの反射率の高い金属が含まれるよう形成される。あるいは、上記金属上にインジウム−スズ酸化物(ITO)やインジウム−亜鉛酸化物(IZO)などの可視光を透過する導電性酸化物の膜を設けてもよい。これにより、以下に述べる電界発光層(以下、EL層)242へのホール注入障壁を低減することができる。   An opening exposing the source / drain electrode 238 is provided in the planarizing film 256 that covers the driving transistor 230 and the capacitor 250 and provides a flat surface. The electrical connection between the driving transistor 230 and the pixel electrode 240 on the planarizing film 256 is provided. A connection is made. The pixel electrode 240 is configured to reflect visible light, and is formed to include a metal having a high reflectance such as aluminum or silver. Alternatively, a conductive oxide film that transmits visible light, such as indium-tin oxide (ITO) or indium-zinc oxide (IZO), may be provided over the metal. Thereby, the hole injection barrier to the electroluminescent layer (hereinafter referred to as EL layer) 242 described below can be reduced.

画素電極240の端部は隔壁258によって覆われ、画素電極240と隔壁258上にはEL層242が形成される。EL層242の構成は任意であり、例えば電荷注入層、電荷輸送層、発光層、電荷ブロック層、励起子ブロック層など、種々の機能を有する機能層を適宜組み合わせてEL層242が形成される。図11では、代表的な機能層として、ホール注入/輸送層242a、発光層242b、電子注入/輸送層242cが描かれている。本実施形態のEL表示装置では、全ての画素104において青色の発光が得られるよう、EL層242が構成される。したがって、EL層242の構造は画素104間で同一でも良い。   An end portion of the pixel electrode 240 is covered with a partition wall 258, and an EL layer 242 is formed over the pixel electrode 240 and the partition wall 258. The structure of the EL layer 242 is arbitrary. For example, the EL layer 242 is formed by appropriately combining functional layers having various functions such as a charge injection layer, a charge transport layer, a light emitting layer, a charge block layer, and an exciton block layer. . In FIG. 11, a hole injection / transport layer 242a, a light emitting layer 242b, and an electron injection / transport layer 242c are illustrated as typical functional layers. In the EL display device of this embodiment, the EL layer 242 is configured so that blue light emission can be obtained in all the pixels 104. Therefore, the structure of the EL layer 242 may be the same between the pixels 104.

青色の発光を与える発光層242bは、単一の化合物で形成されていてもよく、あるいはいわゆるホスト―ゲスト型の構成を有していてもよい。ホスト―ゲスト型の場合、ホスト材料としては、例えばスチルベン誘導体、アントラセン誘導体などの縮合芳香族化合物、カルバゾール誘導体、芳香族アミン、フェナントロリン誘導体などの含窒素ヘテロ芳香族化合物などを用いることができる。ゲストはホスト―ゲスト型の発光層242bにおいて発光材料として機能し、青色発光領域に発光ピークを与える蛍光材料、あるいは燐光材料から選択される。蛍光材料としては、例えばクマリン誘導体、ピラン誘導体、キナクリドン誘導体、ピレン誘導体、アントラセン誘導体など、比較的共役長の短い化合物が例示される。燐光色素としては、イリジウム系オルトメタル錯体などが利用できる。発光層242bを単一の化合物で構成する場合、上述したホスト材料を用いることができる。この場合、ホスト材料が発光材料として働く。   The light-emitting layer 242b that emits blue light may be formed of a single compound or may have a so-called host-guest structure. In the case of the host-guest type, examples of the host material include condensed aromatic compounds such as stilbene derivatives and anthracene derivatives, nitrogen-containing heteroaromatic compounds such as carbazole derivatives, aromatic amines, and phenanthroline derivatives. The guest is selected from a fluorescent material or a phosphorescent material which functions as a light emitting material in the host-guest type light emitting layer 242b and gives a light emission peak in the blue light emitting region. Examples of the fluorescent material include compounds having a relatively short conjugation length such as a coumarin derivative, a pyran derivative, a quinacridone derivative, a pyrene derivative, and an anthracene derivative. As the phosphorescent dye, an iridium-based orthometal complex or the like can be used. In the case where the light-emitting layer 242b is formed using a single compound, the above-described host material can be used. In this case, the host material functions as a light emitting material.

EL層242上には対向電極244が設けられる。対向電極244は可視光を少なくとも一部透過するように構成される。具体的には、ITOやIZOなどの可視光を透過する導電性酸化物を含む層、可視光が透過可能な厚さで形成され、マグネシウムなどの比較的仕事関数の小さい金属を含む膜、あるいはこれらの積層が対向電極244として利用される。画素電極240、EL層242、対向電極244によって有機EL素子が構築される。   A counter electrode 244 is provided over the EL layer 242. The counter electrode 244 is configured to transmit at least part of visible light. Specifically, a layer containing a conductive oxide that transmits visible light such as ITO or IZO, a film that is formed with a thickness that allows visible light to pass through, and that includes a metal with a relatively low work function such as magnesium, or These stacked layers are used as the counter electrode 244. An organic EL element is constructed by the pixel electrode 240, the EL layer 242, and the counter electrode 244.

任意の構成として、有機EL素子を保護するための保護膜260を設けることができる。保護膜260は水や酸素の透過率が低いことが好ましく、例えば窒化ケイ素を含む。   As an arbitrary configuration, a protective film 260 for protecting the organic EL element can be provided. The protective film 260 preferably has a low water or oxygen permeability, and includes, for example, silicon nitride.

各画素104上には、積層体170、あるいは積層体184が設けられる。積層体170、184の光透過層176(図6参照)は青色発光を得る画素104bと重なり、波長変換層172gとカラーフィルタ174が緑色発光を取り出す画素104gと重なり、波長変換層172rとカラーフィルタ174が赤色発光を取り出す画素104rと重なるよう、積層体170、184が配置される。画素104bでは、EL層242で生成する光が光透過層176を透過し、青色の光が観察される。一方、画素104g、104rでは、EL層242で生成する光が波長変換層172g、172rで緑色、赤色の光にそれぞれ変換され、かつ、波長変換されずに波長変換層172を透過する青色の光はカラーフィルタ174によって吸収される。したがって、画素104b、104g、104rからそれぞれ色純度の高い青色、緑色、赤色を得ることができ、広い色域を有する表示装置を提供することができる。さらに、カラーフィルタ174の厚さを小さくするとともに、その色素含有率を下げることが可能となる。その結果、表示装置のさらなる薄型化や製造コストの削減が可能となる。   On each pixel 104, a stacked body 170 or a stacked body 184 is provided. The light transmission layer 176 (see FIG. 6) of the stacked bodies 170 and 184 overlaps with the pixel 104b that obtains blue light emission, and the wavelength conversion layer 172g and the color filter 174 overlap with the pixel 104g that extracts green light emission, and the wavelength conversion layer 172r and the color filter. The stacked bodies 170 and 184 are arranged so that 174 overlaps the pixel 104r that extracts red light emission. In the pixel 104b, light generated in the EL layer 242 passes through the light transmission layer 176, and blue light is observed. On the other hand, in the pixels 104g and 104r, the light generated by the EL layer 242 is converted into green and red light by the wavelength conversion layers 172g and 172r, respectively, and is transmitted through the wavelength conversion layer 172 without wavelength conversion. Is absorbed by the color filter 174. Accordingly, blue, green, and red with high color purity can be obtained from the pixels 104b, 104g, and 104r, respectively, and a display device having a wide color gamut can be provided. Furthermore, the thickness of the color filter 174 can be reduced and the pigment content can be reduced. As a result, the display device can be further thinned and the manufacturing cost can be reduced.

本実施例では、上述した実施形態で述べた構造を有する波長変換層172の光学特性を評価した結果を述べる。   In this example, the result of evaluating the optical characteristics of the wavelength conversion layer 172 having the structure described in the above embodiment will be described.

[1.蛍光材料の合成]
1−1.In(OLA)3溶液の調製
真空ラインと窒素ラインへの連結管、熱電対温度計、およびセプタムを取り付けた3つ口フラスコに酢酸インジウム(In(OAc)3)0.57g、オレイン酸(OLA)1.66g、およびオクタデセン(ODE)7.52gを加えた。フラスコ内を油回転型真空ポンプを用いて減圧しながら260℃で1時間加熱し、この混合物から生成する酢酸、水、および酸素を除去した。これにより、In(OLA)3溶液(溶液A)を得た。
[1. Synthesis of fluorescent material]
1-1. Preparation of In (OLA) 3 solution In a three-necked flask equipped with a connecting tube to a vacuum line and a nitrogen line, a thermocouple thermometer, and a septum, 0.57 g of indium acetate (In (OAc) 3 ), oleic acid (OLA) ) 1.66 g and octadecene (ODE) 7.52 g. The inside of the flask was heated at 260 ° C. for 1 hour while reducing the pressure using an oil rotary vacuum pump to remove acetic acid, water, and oxygen generated from this mixture. Thereby, an In (OLA) 3 solution (solution A) was obtained.

1−2.P(SiMe3)3・オクタデセン溶液の調製
グローブボックス中でトリス(トリメチルシリル)ホスフィン(P(SiMe33)0.25g、およびODE0.98gを混合し、得られたP(SiMe3)3・ODE溶液(溶液B)を耐圧バイアルに封入した。
1-2. Preparation of P (SiMe3) 3 .octadecene solution 0.25 g of tris (trimethylsilyl) phosphine (P (SiMe 3 ) 3 ) and 0.98 g of ODE were mixed in a glove box, and the resulting P (SiMe3) 3 · ODE solution (Solution B) was sealed in a pressure-resistant vial.

1−3.InPコアの合成
フラスコ内で溶液Aを300℃に加熱し、その後別途調製し脱気したミリスチン酸亜鉛の20重量%ODE溶液、および溶液Bをキャニュラを用いて順次溶液Aに添加した。その後、反応温度270℃にて2時間反応させ、室温まで冷却した。なお、In(OLA)3、P(SiMe33、およびリガンドとなるミリスチン酸亜鉛が、それぞれ2mmol、1mmol、3mmolとなるように、溶液A、溶液B、ミリスチン酸亜鉛を用いた。
1-3. Synthesis of InP Core Solution A was heated to 300 ° C. in a flask, and 20 wt% ODE solution of zinc myristate separately prepared and degassed, and Solution B were sequentially added to Solution A using a cannula. Then, it was made to react at reaction temperature 270 degreeC for 2 hours, and it cooled to room temperature. In addition, Solution A, Solution B, and zinc myristate were used so that In (OLA) 3 , P (SiMe 3 ) 3 , and zinc myristate serving as a ligand were 2 mmol, 1 mmol, and 3 mmol, respectively.

得られた反応液の入ったフラスコをグローブボックス中に移し、反応液をビーカーに移した。反応液が入ったビーカーにトルエン8gを加えた後、n−ブタノール100gを加え、粒子を沈降させた。その後、遠心分離を行って粒子を沈降分離させた。沈降した粒子から上澄み溶媒を除き、粒子を再びトルエン20gに分散させた。同様の操作を5回繰り返し行った。その後、再分散液にn−ブタノール100gを加え、粒子を再度沈降させ、デカンテーションによって上澄みを除去した後、得られた粒子を真空乾燥(50℃、1.0Torr、1時間)した。乾燥後の粒子にヘキサン10gを加えて再分散させ、InPコアのヘキサン分散液を得た。   The obtained flask containing the reaction solution was transferred into a glove box, and the reaction solution was transferred to a beaker. After 8 g of toluene was added to the beaker containing the reaction solution, 100 g of n-butanol was added to precipitate the particles. Thereafter, centrifugation was performed to separate the particles. The supernatant solvent was removed from the settled particles, and the particles were dispersed again in 20 g of toluene. The same operation was repeated 5 times. Thereafter, 100 g of n-butanol was added to the redispersed liquid, the particles were precipitated again, the supernatant was removed by decantation, and the obtained particles were vacuum dried (50 ° C., 1.0 Torr, 1 hour). 10 g of hexane was added to the dried particles and redispersed to obtain a hexane dispersion of InP core.

1−4.ZnSシェルの合成
得られたコア分散液から、InPコアを100mg含有するコア分散液をフラスコに取り出し、Zn(OLA)2の3.75mmol/ODE5g溶液と混合した後、真空下60℃で1時間加熱し、ヘキサンを除去した。フラスコ内を窒素雰囲気にした後、この溶液を200℃まで加熱し、30分間同温度で維持した。
1-4. Synthesis of ZnS Shell From the obtained core dispersion, a core dispersion containing 100 mg of InP core was taken out into a flask, mixed with a 3.75 mmol / ODE 5 g solution of Zn (OLA) 2 , and then at 60 ° C. under vacuum for 1 hour. Heat to remove hexane. After making the inside of a flask nitrogen atmosphere, this solution was heated to 200 ° C. and maintained at the same temperature for 30 minutes.

その後、反応液を210℃に加熱し、ドデカンチオール3.75mmol/ODE5g溶液を30分かけて滴下し、その後1.5時間同温度で維持した。さらにZn(OLA)3/ODE溶液を添加した後、ドデカンチオールをシリンジポンプを用いて混合溶液に添加することにより、蛍光材料としての量子ドットを合成した。なお、本合成においては、Zn(OLA)2とドデカンチオールとの反応によりZnSシェルが形成される。また、最後に添加したドデカンチオールが、リガンド(第2リガンド)としてZnSシェルの外面に付着する。すなわち、得られたこの量子ドットは、InPコアにZnSシェルが被覆したコアシェル型のナノ結晶と、リガンドとしてこのナノ結晶に付着するドデカンチオールとを有する。 Thereafter, the reaction solution was heated to 210 ° C., and a dodecanethiol 3.75 mmol / ODE 5 g solution was added dropwise over 30 minutes, and then maintained at the same temperature for 1.5 hours. Further, after adding a Zn (OLA) 3 / ODE solution, dodecanethiol was added to the mixed solution using a syringe pump to synthesize quantum dots as fluorescent materials. In this synthesis, a ZnS shell is formed by the reaction of Zn (OLA) 2 and dodecanethiol. Moreover, the dodecanethiol added at the end adheres to the outer surface of the ZnS shell as a ligand (second ligand). That is, the obtained quantum dot has a core-shell type nanocrystal in which an InP core is coated with a ZnS shell, and dodecanethiol attached to the nanocrystal as a ligand.

[2.蛍光材料の評価]
透過型電子顕微鏡(SEM:日本電子社製JEM−2010F)を用いて得られた量子ドットの平均粒径を測定した。具体的には、任意に選択した20個の量子ドットの粒子の長径と短径を測定し、各粒子の直径((長径+短径)/2)を求め、平均値を算出した。量子ドットの平均粒径は4.8nmであった。
[2. Evaluation of fluorescent materials]
The average particle diameter of the quantum dots obtained using a transmission electron microscope (SEM: JEM-2010F manufactured by JEOL Ltd.) was measured. Specifically, the major axis and minor axis of 20 arbitrarily selected quantum dots were measured, the diameter of each particle ((major axis + minor axis) / 2) was determined, and the average value was calculated. The average particle size of the quantum dots was 4.8 nm.

SEMに搭載されるEDS(エネルギー分散型X線分析)を用いた元素マッピングにより、量子ドットを評価した。その結果、ZnSのみを含む粒子がコアシェルナノ結晶100個あたり1個未満であることを確認した。これより、実質的に全てのZnとSが、InとPを含むコアシェルナノ結晶を被覆していることを確認した。   The quantum dots were evaluated by elemental mapping using EDS (energy dispersive X-ray analysis) mounted on the SEM. As a result, it was confirmed that the number of particles containing only ZnS was less than 1 per 100 core-shell nanocrystals. From this, it was confirmed that substantially all of Zn and S covered the core-shell nanocrystal containing In and P.

[3.波長変換層172の形成]
光拡散粒子180として酸化チタン粒子(堺化学社製A−190、平均粒径150nm)、あるいは酸化イットリウム粒子(日本イットリウム株式会社製、平均粒径150nm)を用いた。また、酸化イットリウム粒子の分散剤としてBYK−102(ビックケミー社製)、酸化チタン粒子の分散剤として2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸/ベンジルメタクリレート共重合体を用いた。酸化防止剤としては、リン系酸化防止剤(城北化学工業社製JA−805)、あるいはフェノール系酸化防止剤(アデカ社製AO−80)を用いた。樹脂としてシクロヘキシルメタクリレート/コハク酸モノ(2−メタクリロイルアクリレート)共重合体を用い、架橋剤としてジペンタエリストールヘキサアクリレートを用いた。樹脂、および架橋剤の重合体が波長変換層172のマトリクスに相当する。感放射線性化合物としては、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド(BASF社製ルシリンLR8953X)とO−アシルオキシム化合物(ADEKA社製NCI−930)の質量比1:1の混合物を用いた。波長変換層172作製時の溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いた。
[3. Formation of wavelength conversion layer 172]
As the light diffusing particles 180, titanium oxide particles (A-190 manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd., average particle size 150 nm) or yttrium oxide particles (manufactured by Japan Yttrium Co., Ltd., average particle size 150 nm) were used. Moreover, BYK-102 (manufactured by Big Chemie) was used as a dispersant for yttrium oxide particles, and 2-methacryloyloxyethyl succinic acid / benzyl methacrylate copolymer was used as a dispersant for titanium oxide particles. As antioxidant, phosphorus antioxidant (Johoku Chemical Co., Ltd. JA-805) or phenolic antioxidant (Adeka AO-80) was used. Cyclohexyl methacrylate / succinic acid mono (2-methacryloyl acrylate) copolymer was used as the resin, and dipentaerystol hexaacrylate was used as the crosslinking agent. The resin and the polymer of the crosslinking agent correspond to the matrix of the wavelength conversion layer 172. As the radiation sensitive compound, a mixture of 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide (Lucirin LR8953X manufactured by BASF) and O-acyl oxime compound (NCI-930 manufactured by ADEKA) in a mass ratio of 1: 1 was used. . Propylene glycol monomethyl ether acetate was used as a solvent for producing the wavelength conversion layer 172.

架橋剤、樹脂、感放射線性化合物、光拡散粒子180、分散剤、蛍光材料、および酸化防止剤を含むプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの分散液を調製し、スピナーを用いてこの分散液を無アルカリガラス基板上に塗布した後、90℃のホットプレート上で2分間プレベークすることにより塗膜を形成した。次いで、高圧水銀ランプを用いて放射線照射(露光量120mJ/cm2)を行い、硬化膜を形成した。硬化膜に対して0.05重量%の水酸化カリウム水溶液を用い、23℃、60秒間現像を行った。これにより、波長変換層172を形成した。スピナーによる塗布の条件や分散液の濃度は、波長変換層172の厚さが10nmになるように調整した。分散液中の主な成分の組成比は表1から表3に示したとおりである。分散液中の架橋剤、樹脂、感放射線性化合物の組成は、それぞれ15重量%、15重量%、3重量%であった。 A dispersion of propylene glycol monomethyl ether acetate containing a crosslinking agent, a resin, a radiation sensitive compound, light diffusing particles 180, a dispersing agent, a fluorescent material, and an antioxidant is prepared, and this dispersion is converted to an alkali-free glass using a spinner. After coating on the substrate, a coating film was formed by prebaking on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes. Next, irradiation with radiation (exposure 120 mJ / cm 2 ) was performed using a high-pressure mercury lamp to form a cured film. Development was performed at 23 ° C. for 60 seconds using a 0.05 wt% potassium hydroxide aqueous solution with respect to the cured film. Thereby, the wavelength conversion layer 172 was formed. The conditions for coating with a spinner and the concentration of the dispersion were adjusted so that the wavelength conversion layer 172 had a thickness of 10 nm. The composition ratios of main components in the dispersion are as shown in Tables 1 to 3. The composition of the crosslinking agent, the resin and the radiation sensitive compound in the dispersion was 15% by weight, 15% by weight and 3% by weight, respectively.

[4.カラーフィルタ174の形成]
着色剤としてC.I.ピグメントイエロー139を、分散剤としてBYK−LPN21116(ビックケミー社製)を、樹脂としてメタクリル酸/スチレン/ベンジルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート/2−エチルヘキシルメタクリレート共重合体を、架橋剤としてジペンタエリストールヘキサアクリレートを、感放射線性化合物として2−ベンジル-2−ジメチルアミノ―4’−モルフォリノブチロフェノン(BASF社製IRGACURE369)とO−アシルオキシム化合物(ADEKA社製NCI−930)の質量比1:1を用い、これらの混合物を含むプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのカラーフィルタ174形成用分散液を調製した。分散液中の着色剤、分散剤、樹脂、架橋剤、感放射線性化合物の組成は、それぞれ10.5重量%、3.1重量%、1.9重量%、5.1重量%、0.6重量%であった。
[4. Formation of color filter 174]
As a coloring agent, C.I. I. Pigment Yellow 139, BYK-LPN21116 (manufactured by Big Chemie) as a dispersant, methacrylic acid / styrene / benzyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / 2-ethylhexyl methacrylate copolymer as a resin, and dipentaerystol as a crosslinking agent Mass ratio of 2-benzyl-2-dimethylamino-4′-morpholinobutyrophenone (IRGACURE369 manufactured by BASF) and O-acyloxime compound (NCI-930 manufactured by ADEKA) as a radiation sensitive compound is 1: 1. A dispersion for forming a color filter 174 of propylene glycol monomethyl ether acetate containing these mixtures was prepared. The composition of the colorant, the dispersant, the resin, the crosslinking agent, and the radiation-sensitive compound in the dispersion is 10.5% by weight, 3.1% by weight, 1.9% by weight, 5.1% by weight, and 0.8%, respectively. It was 6% by weight.

着色剤、分散剤、樹脂、架橋剤、および感放射線性化合物を含むプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの分散液を調製し、上記硬化膜上に、スピナーにより塗布した後、90℃のホットプレート上で2分間プレベークすることにより塗膜を形成した。次いで、高圧水銀ランプを用いて放射線照射を行い(露光量120mJ/cm2)、波長変換層172とカラーフィルタ174の積層膜を形成した。スピナーによる塗布の条件や分散液の濃度は、カラーフィルタ174の厚さが1μmになるように調整した。 A dispersion of propylene glycol monomethyl ether acetate containing a colorant, a dispersant, a resin, a crosslinking agent, and a radiation-sensitive compound is prepared, applied onto the cured film with a spinner, and then heated on a hot plate at 90 ° C. A coating film was formed by pre-baking for a minute. Next, irradiation with radiation was performed using a high-pressure mercury lamp (exposure amount 120 mJ / cm 2 ) to form a laminated film of the wavelength conversion layer 172 and the color filter 174. The conditions of application using a spinner and the concentration of the dispersion were adjusted so that the thickness of the color filter 174 was 1 μm.

[5.評価方法]
大塚電子製全光束測定装置を用いて測定を行った。具体的には、光源にブルーLEDを用い、光源上に波長変換層172、あるいは波長変換層172とカラーフィルタ174の積層膜を配置し、これらの層や膜を透過した光を積分球で集光して蛍光強度評価を行った。評価は、無アルカリガラス基板のみを透過した光の450nmにおける強度(表1の試料1)を100とした際の各試料における450nm、650nmの光の相対強度(相対受光強度)を算出、比較することで行った。
[5. Evaluation method]
Measurement was performed using a total luminous flux measuring device manufactured by Otsuka Electronics. Specifically, a blue LED is used as a light source, a wavelength conversion layer 172 or a laminated film of the wavelength conversion layer 172 and the color filter 174 is disposed on the light source, and light transmitted through these layers and films is collected by an integrating sphere. Fluorescence intensity evaluation was performed with light. The evaluation is performed by calculating and comparing the relative intensities (relative light receiving intensities) of light at 450 nm and 650 nm in each sample when the intensity at 450 nm (sample 1 in Table 1) of the light transmitted only through the alkali-free glass substrate is 100. I went there.

[6.光拡散粒子180の効果]
光拡散粒子180の効果を検討するため、試料1から5を作製した。試料1と2はブランク実験に相当し、これらの試料では、それぞれ無アルカリガラス基板のみ、あるいは無アルカリガラス基板上に形成された、蛍光材料と光拡散粒子180のいずれも含まないマトリクスのみを用いた。一方、試料3は、無アルカリガラス基板上に光拡散粒子180を含まない波長変換層172を設けた試料である。試料4と試料5は、光拡散粒子180としてそれぞれ酸化イットリウム(Y23)と酸化チタン(TiO2)を含む波長変換層172を形成した試料である。
[6. Effect of light diffusion particle 180]
In order to examine the effect of the light diffusing particles 180, samples 1 to 5 were prepared. Samples 1 and 2 correspond to blank experiments, and in these samples, only a non-alkali glass substrate or only a matrix formed on the non-alkali glass substrate and containing neither the fluorescent material nor the light diffusion particles 180 is used. It was. On the other hand, Sample 3 is a sample in which a wavelength conversion layer 172 that does not include the light diffusing particles 180 is provided on an alkali-free glass substrate. Samples 4 and 5 are samples in which a wavelength conversion layer 172 containing yttrium oxide (Y 2 O 3 ) and titanium oxide (TiO 2 ) is formed as the light diffusing particles 180, respectively.

試料1、2の結果は、マトリクス自体は450nmの青色の光をほとんど吸収せず、また、青色光を長波長の光(650nm)へ変換する機能を持たないことを示している。試料3の結果から、蛍光材料である量子ドットを添加することで、青色光の一部が吸収され、長波長の光へ変換されることが理解される。これに対し、光拡散粒子180として酸化イットリウムを用いた場合(試料4)、青色光はさらに吸収されることが確認できる。さらに酸化チタンを含む波長変換層172を用いた場合(試料5)には、450nmの相対受光強度は大きく低下し、光散乱粒子180の非存在下の場合と比較して650nmの受光強度が2倍以上に増大することが分かった。以上のことから、光拡散粒子180を添加することで、短波長の光がより効率よく吸収され、効果的に長波長の光へ変換されることが分かった。特に酸化チタンを用いることで、効果的に短波長の光の波長変換が可能であることが分かった。   The results of Samples 1 and 2 indicate that the matrix itself hardly absorbs 450 nm blue light and does not have a function of converting blue light into long wavelength light (650 nm). From the result of the sample 3, it is understood that a part of blue light is absorbed and converted into light having a long wavelength by adding quantum dots that are fluorescent materials. On the other hand, when yttrium oxide is used as the light diffusing particles 180 (sample 4), it can be confirmed that blue light is further absorbed. Further, when the wavelength conversion layer 172 containing titanium oxide is used (sample 5), the relative light receiving intensity at 450 nm is greatly reduced, and the light receiving intensity at 650 nm is 2 as compared with the case where the light scattering particles 180 are not present. It was found to increase more than twice. From the above, it was found that by adding the light diffusing particles 180, the short wavelength light is more efficiently absorbed and effectively converted into the long wavelength light. In particular, it has been found that wavelength conversion of light having a short wavelength can be effectively performed by using titanium oxide.

表2に、蛍光材料と光拡散粒子180の濃度の影響をまとめる。これらの試料6から9は、表2に示した組成で蛍光材料と酸化チタンを含む波長変換層172が無アルカリガラス上に形成された試料である。全体的な傾向として、蛍光材料と光拡散粒子180のそれぞれの濃度の増大に伴って短波長の光が効果的に吸収されて長波長の光へ変換されることが分かる。この表から、光拡散粒子180を5.0重量%から10重量%の濃度で添加することで、光変換が十分に促進できると言える。   Table 2 summarizes the influence of the concentration of the fluorescent material and the light diffusing particles 180. These samples 6 to 9 are samples in which a wavelength conversion layer 172 containing a fluorescent material and titanium oxide having the composition shown in Table 2 is formed on alkali-free glass. As an overall trend, it can be seen that short wavelength light is effectively absorbed and converted to long wavelength light as the respective concentrations of the fluorescent material and the light diffusing particle 180 increase. From this table, it can be said that the light conversion can be sufficiently accelerated by adding the light diffusion particles 180 at a concentration of 5.0 wt% to 10 wt%.

[7.酸化防止剤の効果]
酸化防止剤の効果を検証するため、蛍光材料、および光散乱粒子180として酸化チタンを含む波長変換層172を無アルカリガラス上に形成し、その上にカラーフィルタ174を設けた試料10から12を作製した。試料10は波長変換層172に酸化防止剤は含まず、一方、試料11と12は波長変換層172にそれぞれリン系、フェノール系の酸化防止剤を含む。結果を表3に示す。
[7. Effect of antioxidants]
In order to verify the effect of the antioxidant, samples 10 to 12 in which a wavelength conversion layer 172 containing titanium oxide as a light-scattering particle 180 and a fluorescent material is formed on non-alkali glass, and a color filter 174 is provided thereon. Produced. Sample 10 does not contain an antioxidant in wavelength conversion layer 172, while samples 11 and 12 contain a phosphorous and phenolic antioxidant in wavelength conversion layer 172, respectively. The results are shown in Table 3.

表3から理解されるように、酸化防止剤を波長変換層172に添加しても、その光学特性に大きな影響を与えない。すなわち、試料10から12のいずれのケースでも短波長の光が効率よく長波長の光へ変換されることが確認された。   As understood from Table 3, the addition of an antioxidant to the wavelength conversion layer 172 does not significantly affect the optical characteristics. That is, it was confirmed that the short wavelength light was efficiently converted into the long wavelength light in any case of the samples 10 to 12.

しかしながら酸化防止剤は、これらの試料をクリーンオーブンにて180℃、20分の加熱処理(ポストベーク)を行った場合の650nmにおける相対受光強度の大幅な低下を抑制できることが確認された。すなわち、図12に示すように試料10では、ポストベーク後の650nmにおける相対受光強度は、ポストベーク前と比較して20%程度に大きく低下することが分かる。これは蛍光材料である量子ドットが熱的、あるいは化学的な安定性に欠けるため、ポストベークによって一部が劣化しているためと考えられる。これに対し酸化防止剤を添加することで、劣化は完全には抑制できないものの、その劣化の程度を抑制できることが図12の結果から理解される。以上のことから、酸化防止剤は波長変換層172の光学特性に影響を与えることなく、蛍光材料の劣化速度を低下できることが確認された。   However, it was confirmed that the antioxidant can suppress a significant decrease in the relative light reception intensity at 650 nm when these samples were subjected to a heat treatment (post-bake) for 20 minutes at 180 ° C. in a clean oven. That is, as shown in FIG. 12, in sample 10, the relative received light intensity at 650 nm after post-baking is greatly reduced to about 20% compared to before post-bake. This is presumably because the quantum dots that are fluorescent materials lack thermal or chemical stability and are partially degraded by post-baking. On the other hand, it can be understood from the results of FIG. 12 that the addition of an antioxidant prevents the deterioration completely but suppresses the degree of the deterioration. From the above, it was confirmed that the antioxidant can reduce the deterioration rate of the fluorescent material without affecting the optical characteristics of the wavelength conversion layer 172.

本明細書においては、発明の実施形態である積層体170や184を含む表示装置として、液晶表示装置と有機EL表示装置を例として説明を行ったが、表示装置はこれらに限られることは無く、様々な表示装置に積層体170や184を適用することができる。例えばMEMSシャッタによって諧調制御を行う表示装置(MEMS表示装置)、表面伝導型電子放出素子を有する表示装置(SED)、プラズマディスプレイパネルなどの種々の表示装置に積層体170、184を適用することができ、積層体170、184が含まれるこれらの表示装置も本発明の実施形態の一つである。   In this specification, a liquid crystal display device and an organic EL display device have been described as examples of the display device including the laminates 170 and 184 which are embodiments of the invention. However, the display device is not limited to these. The laminates 170 and 184 can be applied to various display devices. For example, the stacked bodies 170 and 184 may be applied to various display devices such as a display device (MEMS display device) that performs gradation control using a MEMS shutter, a display device (SED) having a surface conduction electron-emitting device, and a plasma display panel. These display devices including the stacked bodies 170 and 184 are also one embodiment of the present invention.

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。   The embodiments described above as the embodiments of the present invention can be implemented in appropriate combination as long as they do not contradict each other. Based on each embodiment, those in which those skilled in the art appropriately added, deleted, or changed the design of components are also included in the scope of the present invention as long as they have the gist of the present invention.

上述した各実施形態によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと理解される。   Of course, other operational effects that are different from the operational effects provided by the above-described embodiments, which are apparent from the description of the present specification or can be easily predicted by those skilled in the art, are naturally included in the present invention. It is understood that

100:表示装置、101:積層体、102:表示基板、104:画素、104b:画素、104g:画素、104r:画素、105:画素、106:表示領域、108:ゲート側駆動回路、110:ソース側駆動回路、114:端子、116:FPC基板、118:基板、120:信号線、122:走査線、124:容量線、126:偏光板、128:偏光板、130:トランジスタ、132:ゲート電極、134:半導体膜、136:ソース/ドレイン電極、138:ソース/ドレイン電極、140:下地膜、142:ゲート絶縁膜、144:層間絶縁膜、145:絶縁膜、146:コンタクトホール、148:第1の配向膜、150:容量、151:容量電極、152:画素電極、153:スリット、154:第2の配向膜、156:対向電極、158:平坦化膜、160:液晶層、162:オーバーコート、164:遮光膜、170:積層体、172:波長変換層、172g:波長変換層、172r:波長変換層、174:カラーフィルタ、176:光透過層、178:光拡散層、180:光拡散粒子、182:細孔、184:積層体、190:バックライトユニット、200:信号線、202:走査線、204:電流供給線、210:スイッチングトランジスタ、212:半導体膜、214:ゲート電極、216:ソース/ドレイン電極、218:ソース/ドレイン電極、220:容量電極、224:コンタクトホール、230:駆動トランジスタ、232:半導体膜、232a:チャネル形成領域、232b:ドープ領域、234:ゲート電極、236:ソース/ドレイン電極、238:ソース/ドレイン電極、240:画素電極、242:EL層、242a:ホール注入/輸送層、242b:発光層、242c:電子注入/輸送層、244:対向電極、248:下地膜、250:容量、252:ゲート絶縁膜、256:平坦化膜、258:隔壁、260:保護膜   DESCRIPTION OF SYMBOLS 100: Display apparatus, 101: Laminated body, 102: Display board | substrate, 104: Pixel, 104b: Pixel, 104g: Pixel, 104r: Pixel, 105: Pixel, 106: Display area, 108: Gate side drive circuit, 110: Source Side drive circuit, 114: terminal, 116: FPC board, 118: board, 120: signal line, 122: scanning line, 124: capacitance line, 126: polarizing plate, 128: polarizing plate, 130: transistor, 132: gate electrode , 134: semiconductor film, 136: source / drain electrode, 138: source / drain electrode, 140: base film, 142: gate insulating film, 144: interlayer insulating film, 145: insulating film, 146: contact hole, 148: first 1 alignment film, 150: capacitor, 151: capacitor electrode, 152: pixel electrode, 153: slit, 154: second alignment film, 156: Counter electrode, 158: planarization film, 160: liquid crystal layer, 162: overcoat, 164: light shielding film, 170: laminate, 172: wavelength conversion layer, 172g: wavelength conversion layer, 172r: wavelength conversion layer, 174: color Filter: 176: Light transmission layer, 178: Light diffusion layer, 180: Light diffusion particle, 182: Fine pore, 184: Laminate, 190: Backlight unit, 200: Signal line, 202: Scan line, 204: Current supply Line 210: Switching transistor 212: Semiconductor film 214: Gate electrode 216: Source / drain electrode 218: Source / drain electrode 220: Capacitance electrode 224: Contact hole 230: Drive transistor 232: Semiconductor film 232a: channel formation region, 232b: doped region, 234: gate electrode, 236: source / drain 238: source / drain electrode, 240: pixel electrode, 242: EL layer, 242a: hole injection / transport layer, 242b: light emitting layer, 242c: electron injection / transport layer, 244: counter electrode, 248: base film 250: capacitance, 252: gate insulating film, 256: planarization film, 258: partition wall, 260: protective film

Claims (18)

基板、
前記基板の第1の面側に位置する波長変換層、および
前記基板の前記第1の面側に位置し、前記波長変換層と重なり、400nmから500nmの範囲に吸収ピークを有するカラーフィルタを備え、
前記波長変換層と前記カラーフィルタの少なくとも一方は、400nmから500nmの波長範囲の光を拡散する積層体。
substrate,
A wavelength conversion layer located on the first surface side of the substrate; and a color filter located on the first surface side of the substrate, overlapping the wavelength conversion layer and having an absorption peak in the range of 400 nm to 500 nm. ,
At least one of the wavelength conversion layer and the color filter is a laminate that diffuses light in a wavelength range of 400 nm to 500 nm.
前記カラーフィルタは、前記基板と前記波長変換層の間に位置する、請求項1に記載の積層体。   The laminate according to claim 1, wherein the color filter is located between the substrate and the wavelength conversion layer. 前記光を拡散する前記波長変換層、あるいは前記カラーフィルタは、無機化合物、あるいは有機化合物を含む光拡散粒子を含み、
前記無機化合物は、金属の酸化物、硫化物、硫酸塩、ハロゲン化物、窒化物、ケイ酸塩から選択され、
前記有機化合物は高分子を含み、
前記有機化合物を含む前記光拡散粒子は中空粒子である、請求項1に記載の積層体。
The wavelength conversion layer for diffusing the light or the color filter includes light diffusing particles containing an inorganic compound or an organic compound,
The inorganic compound is selected from metal oxides, sulfides, sulfates, halides, nitrides, silicates,
The organic compound includes a polymer,
The laminate according to claim 1, wherein the light diffusion particles containing the organic compound are hollow particles.
前記光を拡散する前記波長変換層、あるいは前記カラーフィルタは、空気を含有する細孔を含む、請求項1に記載の積層体。   The laminate according to claim 1, wherein the wavelength conversion layer or the color filter that diffuses the light includes pores containing air. 前記光拡散粒子が前記波長変換層に含まれる、請求項3に記載の積層体。   The laminate according to claim 3, wherein the light diffusion particles are included in the wavelength conversion layer. 前記細孔が前記波長変換層に含まれる、請求項4に記載の積層体。   The laminate according to claim 4, wherein the pores are included in the wavelength conversion layer. 前記波長変換層は、前記光を吸収し500nmから750nmの範囲に発光ピークを与える蛍光材料を含む、請求項1に記載の積層体。   The laminate according to claim 1, wherein the wavelength conversion layer includes a fluorescent material that absorbs the light and gives an emission peak in a range of 500 nm to 750 nm. 表示基板、
前記表示基板上の画素、および
前記画素上に位置する請求項1に記載の積層体を有し、
前記波長変換層と前記カラーフィルタは、前記表示基板と前記基板に挟まれ、前記画素と重なるように配置される表示装置。
Display board,
The pixel on the display substrate, and the laminate according to claim 1 located on the pixel,
The wavelength conversion layer and the color filter are sandwiched between the display substrate and the substrate, and are disposed so as to overlap the pixels.
第1の面に第1の領域、第2の領域、および第3の領域を有する基板、
前記第1の面側に位置し、前記第1の領域に重なる第1の波長変換層、
前記第1の面側に位置し、前記第2の領域に重なる第2の波長変換層、
前記第1の面側に位置し、前記第3の領域に重なる光透過層、および
前記第1の面側に位置し、前記第1の領域と前記第2の領域において前記第1の波長変換層と前記第2の波長変換層と重なり、400nmから500nmの範囲に吸収ピークを有するカラーフィルタを備え、
前記第1の波長変換層、前記第2の波長変換層、および前記カラーフィルタの少なくとも一つは、400nmから500nmの波長範囲の光を拡散し、
前記第1の波長変換層と前記第2の波長変換層は、前記光を吸収して互いに異なる色で発光する積層体。
A substrate having a first region, a second region, and a third region on a first surface;
A first wavelength conversion layer located on the first surface side and overlapping the first region;
A second wavelength conversion layer located on the first surface side and overlapping the second region;
A light transmission layer located on the first surface side and overlapping the third region; and the first wavelength conversion located on the first surface side in the first region and the second region. A color filter having an absorption peak in the range of 400 nm to 500 nm, overlapping the layer and the second wavelength conversion layer,
At least one of the first wavelength conversion layer, the second wavelength conversion layer, and the color filter diffuses light in a wavelength range of 400 nm to 500 nm;
The first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer are laminated bodies that absorb the light and emit light in different colors.
前記カラーフィルタは、前記基板と前記第1の波長変換層の間、および前記基板と前記第2の波長変換層の間に位置する、請求項9に記載の積層体。   The laminate according to claim 9, wherein the color filter is located between the substrate and the first wavelength conversion layer and between the substrate and the second wavelength conversion layer. 前記光を拡散する前記第1の波長変換層、前記第2の波長変換層、あるいは前記カラーフィルタは、無機化合物、あるいは有機化合物を含む光拡散粒子を含み、
前記無機化合物は、金属の酸化物、硫化物、硫酸塩、ハロゲン化物、窒化物、ケイ酸塩から選択され、
前記有機化合物は高分子を含み、
前記有機化合物を含む前記光拡散粒子は中空粒子である、請求項9に記載の積層体。
The first wavelength conversion layer, the second wavelength conversion layer, or the color filter that diffuses the light includes light diffusion particles including an inorganic compound or an organic compound,
The inorganic compound is selected from metal oxides, sulfides, sulfates, halides, nitrides, silicates,
The organic compound includes a polymer,
The laminate according to claim 9, wherein the light diffusing particles containing the organic compound are hollow particles.
前記光を拡散する前記第1の波長変換層、前記第2の波長変換層、あるいは前記カラーフィルタは、空気を含有する細孔を含む、請求項9に記載の積層体。   The laminate according to claim 9, wherein the first wavelength conversion layer, the second wavelength conversion layer, or the color filter that diffuses the light includes pores containing air. 前記光拡散粒子が前記第1の波長変換層と前記第2の波長変換層に含まれる、請求項11に記載の積層体。   The laminate according to claim 11, wherein the light diffusion particles are included in the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer. 前記細孔が前記第1の波長変換層と前記第2の波長変換層に含まれる、請求項12に記載の積層体。   The laminate according to claim 12, wherein the pores are included in the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer. 前記第1の波長変換層と前記第2の波長変換層は、前記光を吸収し、それぞれ500nmから600nmの範囲、650nmから750nmの範囲に発光ピークを与える蛍光材料を含む、請求項9に記載の積層体。   The first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer include a fluorescent material that absorbs the light and gives emission peaks in a range of 500 nm to 600 nm and a range of 650 nm to 750 nm, respectively. Laminated body. 表示基板、
前記表示基板上の第1の画素、第2の画素、および第3の画素、ならびに
前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素上に位置する請求項9に記載の積層体を有し、
前記第1の波長変換層、前記第2の波長変換層、前記光透過層、および前記カラーフィルタは、前記表示基板と前記基板に挟まれるように配置され、
前記第1の波長変換層、前記第2の波長変換層、および前記光透過層はそれぞれ、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素と重なるように配置される表示装置。
Display board,
The first pixel, the second pixel, and the third pixel on the display substrate, and the first pixel, the second pixel, and the third pixel, respectively. Having a laminate,
The first wavelength conversion layer, the second wavelength conversion layer, the light transmission layer, and the color filter are arranged so as to be sandwiched between the display substrate and the substrate,
The display in which the first wavelength conversion layer, the second wavelength conversion layer, and the light transmission layer are arranged so as to overlap with the first pixel, the second pixel, and the third pixel, respectively. apparatus.
基板、
前記基板の第1の面側に位置する波長変換層、
前記基板の前記第1の面側に位置し、前記波長変換層と重なり、400nmから500nmの範囲に吸収ピークを有するカラーフィルタ、および
前記基板の前記第1の面側に位置し、400nmから500nmの波長範囲の光を拡散する光拡散層を備える積層体。
substrate,
A wavelength conversion layer located on the first surface side of the substrate;
A color filter located on the first surface side of the substrate, overlapping the wavelength conversion layer and having an absorption peak in the range of 400 nm to 500 nm, and located on the first surface side of the substrate, from 400 nm to 500 nm The laminated body provided with the light-diffusion layer which diffuses the light of the wavelength range.
第1の面に第1の領域、第2の領域、および第3の領域を有する基板、
前記第1の面側に位置し、前記第1の領域に重なる第1の波長変換層、
前記第1の面側に位置し、前記第2の領域に重なる第2の波長変換層、
前記第1の面側に位置し、前記第3の領域に重なる光透過層、
前記第1の面側に位置し、前記第1の領域と前記第2の領域において前記第1の波長変換層と前記第2の波長変換層と重なり、400nmから500nmの範囲に吸収ピークを有するカラーフィルタ、および
前記第1の面側に位置し、前記第1の領域と前記第2の領域において前記第1の波長変換層、前記第2の波長変換層、および前記カラーフィルタと重なり、400nmから500nmの波長範囲の光を拡散する光拡散層を備え、
前記第1の波長変換層と前記第2の波長変換層は400nmから500nmの波長範囲の光を吸収し、互いに異なる色で発光する積層体。
A substrate having a first region, a second region, and a third region on a first surface;
A first wavelength conversion layer located on the first surface side and overlapping the first region;
A second wavelength conversion layer located on the first surface side and overlapping the second region;
A light transmissive layer located on the first surface side and overlapping the third region;
Located on the first surface side, overlaps the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer in the first region and the second region, and has an absorption peak in the range of 400 nm to 500 nm. A color filter, which is located on the first surface side and overlaps the first wavelength conversion layer, the second wavelength conversion layer, and the color filter in the first region and the second region, and is 400 nm Comprising a light diffusing layer for diffusing light in the wavelength range from to 500 nm,
The first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer are laminated bodies that absorb light in a wavelength range of 400 nm to 500 nm and emit light in different colors.
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