JP2019036988A - 電子機器 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 212
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 168
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 43
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 23
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 10
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 27
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 44
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 44
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 29
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 5
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 5
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/60—Control of cameras or camera modules
- H04N23/63—Control of cameras or camera modules by using electronic viewfinders
- H04N23/631—Graphical user interfaces [GUI] specially adapted for controlling image capture or setting capture parameters
- H04N23/632—Graphical user interfaces [GUI] specially adapted for controlling image capture or setting capture parameters for displaying or modifying preview images prior to image capturing, e.g. variety of image resolutions or capturing parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
- H04N25/533—Control of the integration time by using differing integration times for different sensor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
- H04N25/581—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously
- H04N25/583—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously with different integration times
-
- H—ELECTRICITY
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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- H—ELECTRICITY
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/134—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
Abstract
Description
本発明の第1態様によれば、撮像領域の第1領域と第1領域とは異なる第2領域とでそれぞれ異なる撮像条件で第1動画と第2動画との撮像を行う撮像素子と、第1領域と第2領域とで撮像した第1動画と第2動画とを生成する動画生成部とを有する電子機器が提供される。
図1は、積層型撮像素子の断面図である。なお、この積層型撮像素子100は、本願出願人が先に出願した特願2012−139026号に記載されているものである。撮像素子100は、入射光に対応した画素信号を出力する撮像チップ113と、画素信号を処理する信号処理チップ111と、画素信号を記憶するメモリチップ112とを備える。これら撮像チップ113、信号処理チップ111、及びメモリチップ112は積層されており、Cu等の導電性を有するバンプ109により互いに電気的に接続される。
第2実施形態では、上記した第1実施形態における電子機器1を、撮像装置1Aと電子機器1Bとに分離した構成としている。
Claims (39)
- 複数の画素と、複数の前記画素のうち、第1方向と前記第1方向と交差する第2方向とにおいてそれぞれ配置される複数の第1画素に接続され、前記第1画素を制御するための第1制御信号が出力される第1制御線と、複数の前記画素のうち、前記第1方向と前記第2方向とにおいてそれぞれ配置される複数の第2画素に接続され、前記第2画素を制御するための第2制御信号が出力される第2制御線と、を有する撮像素子と、
前記第1画素から出力される第1信号に基づく第1画像データと、前記第2画素から出力される第2信号に基づく第2画像データと、を生成する生成部と、
を備える電子機器。 - 前記撮像素子は、前記第1画素に接続され、前記第1信号が出力される第1信号線と、前記第2画素に接続され、前記第2信号が出力される第2信号線と、を有し、
前記生成部は、前記第1信号線に出力された前記第1信号に基づく前記第1画像データと、前記第2信号線に出力された前記第2信号に基づく前記第2画像データと、を生成する請求項1に記載の電子機器。 - 前記第1画素は、光を電荷に変換する第1光電変換部と前記第1制御線に接続される第1回路部とを有し、
前記第2画素は、光を電荷に変換する第2光電変換部と前記第2制御線に接続される第2回路部とを有する請求項1又は請求項2に記載の電子機器。 - 前記第1回路部は、前記第1制御線に接続され、前記第1制御信号に基づいて前記第1光電変換部から電荷を転送する第1転送部を有し、
前記第2回路部は、前記第2制御線に接続され、前記第2制御信号に基づいて前記第2光電変換部から電荷を転送する第2転送部を有する請求項3に記載の電子機器。 - 前記第1回路部は、前記第1制御線に接続され、前記第1制御信号に基づいて、前記第1光電変換部からの電荷が転送される第1フローティングディフュージョンの電位をリセットする第1リセット部を有し、
前記第2回路部は、前記第2制御線に接続され、前記第2制御信号に基づいて、前記第2光電変換部からの電荷が転送される第2フローティングディフュージョンの電位をリセットする第2リセット部を有する請求項3に記載の電子機器。 - 前記第2制御信号は、前記第1制御信号が前記第1制御線に出力されるタイミングとは異なるタイミングで前記第2制御線に出力される請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の電子機器。
- 前記撮像素子は、複数の前記第1画素に接続され、前記第1画素を制御するための第3制御信号が出力される第3制御線と、複数の前記第2画素に接続され、前記第2画素を制御するための第4制御信号が出力される第4制御線と、を有する請求項1又は請求項2に記載の電子機器。
- 前記第1画素は、光を電荷に変換する第1光電変換部と、前記第1制御線及び前記第3制御線に接続される第1回路部と、を有し、
前記第2画素は、光を電荷に変換する第2光電変換部と、前記第2制御線及び前記第4制御線に接続される第2回路部とを有する請求項7に記載の電子機器。 - 前記第1回路部は、前記第1制御線に接続され、前記第1制御信号に基づいて前記第1光電変換部から電荷を転送する第1転送部と、前記第3制御線に接続され、前記第3制御信号に基づいて、前記第1光電変換部からの電荷が転送される第1フローティングディフュージョンの電位をリセットする第1リセット部と、を有し、
前記第2回路部は、前記第2制御線に接続され、前記第2制御信号に基づいて前記第2光電変換部から電荷を転送する第2転送部と、前記第4制御線に接続され、前記第4制御信号に基づいて、前記第2光電変換部からの電荷が転送される第2フローティングディフュージョンの電位をリセットする第2リセット部と、を有する請求項8に記載の電子機器。 - 前記第2制御信号は、前記第1制御信号が前記第1制御線に出力されるタイミングとは異なるタイミングで前記第2制御線に出力され、
前記第4制御信号は、前記第3制御信号が前記第3制御線に出力されるタイミングとは異なるタイミングで前記第4制御線に出力される請求項7から請求項9のいずれか一項に記載の電子機器。 - 前記第1光電変換部は、前記撮像素子において光が入射される第1領域に配置され、
前記第2光電変換部は、前記撮像素子において光が入射される第2領域に配置される請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の電子機器。 - 前記撮像素子は、前記第1領域が前記第1方向において複数配置される請求項11に記載の電子機器。
- 前記撮像素子は、前記第2領域が前記第1方向において複数配置される請求項11又は請求項12に記載の電子機器。
- 前記撮像素子は、前記第2領域が、前記第1方向において配置される複数の前記第1領域の間に配置される請求項13に記載の電子機器。
- 前記撮像素子は、前記第1領域及び前記第2領域が前記第1方向において交互に配置される請求項14に記載の電子機器。
- 前記撮像素子は、前記第1領域が前記第2方向において複数配置される請求項11から請求項15のいずれか一項に記載の電子機器。
- 前記撮像素子は、前記第2領域が前記第2方向において複数配置される請求項16に記載の電子機器。
- 前記撮像素子は、前記第2領域が、前記第2方向において配置される複数の前記第1領域の間に配置される請求項16又は請求項17に記載の電子機器。
- 前記撮像素子は、前記第1領域及び前記第2領域が前記第2方向において交互に配置される請求項18に記載の電子機器。
- 前記第1画像データの画像と前記第2画像データの画像とを表示部に表示させる表示制御部を備える請求項1から請求項19のいずれか一項に記載の電子機器。
- 前記第1画像データと前記第2画像データとを記録部に記録させる記録制御部を備える請求項1から請求項20のいずれか一項に記載の電子機器。
- 前記第1画像データは、動画像データである請求項1から請求項21のいずれか一項に記載の電子機器。
- 前記第2画像データは、動画像データである請求項1から請求項22のいずれか一項に記載の電子機器。
- 前記撮像素子は、前記第1信号と前記第2信号とに信号処理を行う信号処理部を有し、
前記生成部は、前記信号処理部により信号処理が行われた前記第1信号に基づく前記第1画像データと、前記信号処理部により信号処理が行われた前記第2信号に基づく前記第2画像データと、を生成する請求項1から請求項23のいずれか一項に記載の電子機器。 - 前記信号処理部は、前記第1信号と前記第2信号とを増幅する増幅部を有し、
前記生成部は、前記増幅部により増幅された前記第1信号に基づく前記第1画像データと、前記増幅部により増幅された前記第2信号に基づく前記第2画像データと、を生成する請求項24に記載の電子機器。 - 前記信号処理部は、前記第1信号と前記第2信号とをデジタル信号に変換するために用いられる変換部を有し、
前記生成部は、前記変換部を用いてデジタル信号に変換された前記第1信号に基づく前記第1画像データと、前記変換部を用いてデジタル信号に変換された前記第2信号に基づく前記第2画像データと、を生成する請求項24又は請求項25に記載の電子機器。 - 前記撮像素子は、前記第1光電変換部及び前記第2光電変換部が配置される第1半導体チップと、前記変換部の少なくとも一部に回路が配置される前記第1半導体チップとは異なる第2半導体チップと、を有する請求項26に記載の電子機器。
- 前記第1半導体チップは、前記第2半導体チップに積層される請求項27に記載の電子機器。
- 前記撮像素子は、前記変換部を用いてデジタル信号に変換された前記第1信号と、前記変換部を用いてデジタル信号に変換された前記第2信号と、を記憶する記憶部を有し、
前記生成部は、前記記憶部に記憶された前記第1信号に基づく前記第1画像データと、前記記憶部に記憶された前記第2信号に基づく前記第2画像データと、を生成する請求項26に記載の電子機器。 - 前記撮像素子は、前記第1光電変換部及び前記第2光電変換部が配置される第1半導体チップと、前記変換部が配置される前記第1半導体チップとは異なる第2半導体チップと、前記記憶部が配置される前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップとは異なる第3半導体チップと、を有する請求項29に記載の電子機器。
- 前記第1半導体チップは、前記第3半導体チップに積層される請求項30に記載の電子機器。
- 前記信号処理部は、前記第1信号に信号処理を行う第1信号処理回路と、前記第2信号に信号処理を行う第2信号処理回路と、を有し、
前記生成部は、前記第1信号処理回路により信号処理が行われた前記第1信号に基づく前記第1画像データと、前記第2信号処理回路により信号処理が行われた前記第2信号に基づく前記第2画像データと、を生成する請求項24に記載の電子機器。 - 前記第1信号処理回路は、前記第1信号を増幅する第1増幅回路を有し、
前記第2信号処理回路は、前記第2信号を増幅する第2増幅回路を有し、
前記生成部は、前記第1増幅回路で増幅された前記第1信号に基づく前記第1画像データと、前記第2増幅回路で増幅された前記第2信号に基づく前記第2画像データと、を生成する請求項32に記載の電子機器。 - 前記第1信号処理回路は、前記第1信号をデジタル信号に変換するために用いられる第1変換回路を有し、
前記第2信号処理回路は、前記第2信号をデジタル信号に変換するために用いられる第2変換回路を有し、
前記生成部は、前記第1変換回路を用いてデジタル信号に変換された前記第1信号に基づく前記第1画像データと、前記第2変換回路を用いてデジタル信号に変換された前記第2信号に基づく前記第2画像データと、を生成する請求項32又は請求項33に記載の電子機器。 - 前記撮像素子は、前記第1光電変換部及び前記第2光電変換部が配置される第1半導体チップと、前記第1変換回路の少なくとも一部の回路と前記第2変換回路の少なくとも一部の回路とが配置される前記第1半導体チップとは異なる第2半導体チップと、を有する請求項34に記載の電子機器。
- 前記第1半導体チップは、前記第2半導体チップに積層される請求項35に記載の電子機器。
- 前記撮像素子は、前記第1変換回路を用いてデジタル信号に変換された前記第1信号を記憶する第1記憶回路と、前記第2変換回路を用いてデジタル信号に変換された前記第2信号を記憶する第2記憶回路と、を有し、
前記生成部は、前記第1記憶回路に記憶された前記第1信号に基づく前記第1画像データと、前記第2記憶回路に記憶された前記第2信号に基づく前記第2画像データと、を生成する請求項34に記載の電子機器。 - 前記撮像素子は、前記第1光電変換部及び前記第2光電変換部が配置される第1半導体チップと、前記第1変換回路の少なくとも一部の回路と前記第2変換回路の少なくとも一部の回路とが配置される前記第1半導体チップとは異なる第2半導体チップと、前記第1記憶回路及び前記第2記憶回路が配置される前記第1半導体チップ及び前記第2半導体チップとは異なる第3半導体チップと、を有する請求項37に記載の電子機器。
- 前記第1半導体チップは、前記第3半導体チップに積層される請求項38に記載の電子機器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013167308 | 2013-08-12 | ||
JP2013167308 | 2013-08-12 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015531789A Division JPWO2015022900A1 (ja) | 2013-08-12 | 2014-08-07 | 電子機器、電子機器の制御方法、及び制御プログラム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020191181A Division JP7192843B2 (ja) | 2013-08-12 | 2020-11-17 | 撮像素子及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019036988A true JP2019036988A (ja) | 2019-03-07 |
JP7063788B2 JP7063788B2 (ja) | 2022-05-09 |
Family
ID=52468286
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015531789A Pending JPWO2015022900A1 (ja) | 2013-08-12 | 2014-08-07 | 電子機器、電子機器の制御方法、及び制御プログラム |
JP2018196396A Active JP7063788B2 (ja) | 2013-08-12 | 2018-10-18 | 電子機器 |
JP2020191181A Active JP7192843B2 (ja) | 2013-08-12 | 2020-11-17 | 撮像素子及び電子機器 |
JP2022196223A Pending JP2023024534A (ja) | 2013-08-12 | 2022-12-08 | 撮像素子 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015531789A Pending JPWO2015022900A1 (ja) | 2013-08-12 | 2014-08-07 | 電子機器、電子機器の制御方法、及び制御プログラム |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020191181A Active JP7192843B2 (ja) | 2013-08-12 | 2020-11-17 | 撮像素子及び電子機器 |
JP2022196223A Pending JP2023024534A (ja) | 2013-08-12 | 2022-12-08 | 撮像素子 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US10321083B2 (ja) |
EP (1) | EP3035667A4 (ja) |
JP (4) | JPWO2015022900A1 (ja) |
CN (2) | CN110213508B (ja) |
WO (1) | WO2015022900A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10321083B2 (en) * | 2013-08-12 | 2019-06-11 | Nikon Corporation | Electronic apparatus, method for controlling electronic apparatus, and control program |
JP2015065270A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP6343163B2 (ja) * | 2014-04-07 | 2018-06-13 | キヤノン株式会社 | 集積回路装置 |
EP3358820B1 (en) * | 2015-09-30 | 2021-06-09 | Nikon Corporation | Imaging device, image processing device and display device |
JP6521085B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-05-29 | 株式会社ニコン | 撮像装置、および制御装置 |
WO2017170725A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社ニコン | 撮像装置、被写体検出装置、および電子機器 |
JPWO2017170719A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2019-02-28 | 株式会社ニコン | 撮像装置、および電子機器 |
US10885610B2 (en) | 2016-03-31 | 2021-01-05 | Nikon Corporation | Image device, image processing device, and electronic apparatus |
CN109196855A (zh) * | 2016-03-31 | 2019-01-11 | 株式会社尼康 | 摄像装置、图像处理装置及电子设备 |
JPWO2017170718A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2019-02-28 | 株式会社ニコン | 撮像装置、被写体検出装置、および電子機器 |
JPWO2017170726A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2019-02-28 | 株式会社ニコン | 撮像装置および電子機器 |
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JP6727998B2 (ja) * | 2016-09-08 | 2020-07-22 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム |
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JP5653207B2 (ja) | 2010-12-27 | 2015-01-14 | アルパイン株式会社 | 消費電力制御システム |
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JP5791571B2 (ja) | 2011-08-02 | 2015-10-07 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
JP2013084744A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Sony Corp | 固体撮像素子および電子機器 |
JP5809936B2 (ja) * | 2011-11-08 | 2015-11-11 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
CN102999918B (zh) * | 2012-04-19 | 2015-04-22 | 浙江工业大学 | 全景视频序列图像的多目标对象跟踪系统 |
EP2846538B1 (en) | 2012-05-02 | 2021-06-23 | Nikon Corporation | Imaging device |
-
2014
- 2014-08-07 US US14/910,428 patent/US10321083B2/en active Active
- 2014-08-07 CN CN201910337550.5A patent/CN110213508B/zh active Active
- 2014-08-07 EP EP14835954.0A patent/EP3035667A4/en active Pending
- 2014-08-07 WO PCT/JP2014/070874 patent/WO2015022900A1/ja active Application Filing
- 2014-08-07 CN CN201480044359.7A patent/CN105474627B/zh active Active
- 2014-08-07 JP JP2015531789A patent/JPWO2015022900A1/ja active Pending
-
2018
- 2018-10-18 JP JP2018196396A patent/JP7063788B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-26 US US16/395,351 patent/US10805566B2/en active Active
-
2020
- 2020-08-06 US US16/986,644 patent/US11356629B2/en active Active
- 2020-11-17 JP JP2020191181A patent/JP7192843B2/ja active Active
-
2022
- 2022-05-05 US US17/737,142 patent/US11758303B2/en active Active
- 2022-12-08 JP JP2022196223A patent/JP2023024534A/ja active Pending
-
2023
- 2023-08-01 US US18/228,899 patent/US20230388674A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007228019A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Olympus Corp | 撮像装置 |
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WO2015022900A1 (ja) * | 2013-08-12 | 2015-02-19 | 株式会社ニコン | 電子機器、電子機器の制御方法、及び制御プログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110213508A (zh) | 2019-09-06 |
US20230388674A1 (en) | 2023-11-30 |
JP2023024534A (ja) | 2023-02-16 |
US10805566B2 (en) | 2020-10-13 |
US10321083B2 (en) | 2019-06-11 |
US20220264048A1 (en) | 2022-08-18 |
US20200366862A1 (en) | 2020-11-19 |
JP7063788B2 (ja) | 2022-05-09 |
JP7192843B2 (ja) | 2022-12-20 |
US20190253655A1 (en) | 2019-08-15 |
CN105474627B (zh) | 2019-06-04 |
US11758303B2 (en) | 2023-09-12 |
CN110213508B (zh) | 2021-10-15 |
EP3035667A4 (en) | 2017-03-22 |
JPWO2015022900A1 (ja) | 2017-03-02 |
US11356629B2 (en) | 2022-06-07 |
JP2021036719A (ja) | 2021-03-04 |
EP3035667A1 (en) | 2016-06-22 |
CN105474627A (zh) | 2016-04-06 |
WO2015022900A1 (ja) | 2015-02-19 |
US20160198115A1 (en) | 2016-07-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181018 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190924 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191029 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200317 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200515 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200818 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20201117 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20210817 |
|
C13 | Notice of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13 Effective date: 20211012 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211213 |
|
C126 | Written invitation by the chief administrative judge to file intermediate amendments |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C126 Effective date: 20220111 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20220308 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20220419 |
|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20220419 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220421 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7063788 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |