JP2019031665A - ケイ素含有下層 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】縮合ポリマーを含む湿潤剥離性下層組成物を使用する。下層組成物は(a)1つ以上の溶媒と、(b)(i)1つ以上の有機ポリマーであって、重合単位として、酸性プロトンと水中で−5〜13のpKaとを有する部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマー、及び縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第2の不飽和モノマーを含み、前記縮合性ケイ素含有部分が、前記有機ポリマー骨格にペンダント結合する、1つ以上の有機ポリマー、ならびに(ii)1つ以上の縮合性ケイ素モノマーからなる縮合物及び/または加水分解物と、を含む、組成物。
【選択図】なし
Description
Si(OR15)4 (D)
Si(R50)q(X)4−q (9)
式中、各R50は、C1−30ヒドロカルビル部分及び置換C1−30ヒドロカルビル部分から独立して選択され、各Xは、ハロゲン、C1−10アルコキシ、−OH、−O−C(O)−R50、−(O−Si(R51)2)q2−X1及び(Si(R51)2)q3−X1から独立して選択され、X1は、ハロゲン、C1−10アルコキシ、−OH、−O−C(O)−R50から独立して選択され、各R51はR50及びXから独立して選択され、qは0〜3の整数であり、q2は1〜10の整数であり、q3は1〜10の整数である。好ましくは、qは、0〜2の整数、より好ましくは0〜1、さらにより好ましくはq=0である。Xは、好ましくは、C1−10アルコキシ、−OH、−O−C(O)−R50、及び−(O−Si(R51)2)q2−X1から、より好ましくはC1−10アルコキシ及び−OHから選択される。X1は、好ましくは、C1−10アルコキシ及び−OHから選択される。R50の置換C1−30ヒドロカルビル部分は、ヒドロキシ、メルカプト、C1−20アルコキシ、アミノ、C1−20アルキルアミノ、ジ−C1−20アルキルアミノ、シアノ、ハロゲン、エポキシド、−C(=O)O−R51、−C(=O)−N(R51)2、及び−C(=O)−O−C(=O)−R51から選択される、1つ以上の置換基で置換される、その水素の1つ以上を有する、任意のC1−30ヒドロカルビル部分を指し、各R51は、H及びC1−20アルキルから選択される。これに限定するものではないが、好適なR50の置換C1−30ヒドロカルビル部分は、C1−30アルキル、C2−30アルケニル、C2−30アルキニル、C3−30シクロアルキル、及びC6−30アリールであり、好ましくはC1−20アルキル、C2−20アルケニル、C2−20アルキニル、C3−20シクロアルキル、及びC6−25アリールである。ケイ素モノマーは、しばしば、モノマーにおけるケイ素に結合される加水分解性部分の数によって言及される。例えば、「Mモノマー」は、式(R50)3SiXのモノマー等の1つの加水分解性部分を有するケイ素モノマーを指し、「Dモノマー」は、式(R50)2SiXのモノマー等の2つの加水分解性部分を有するケイ素モノマーを指し、「Tモノマー」は、式R50SiX3のモノマー等の3つの加水分解性部分を有するケイ素モノマーを指し、「Qモノマー」は、式SiX4のモノマー等の4つの加水分解性部分を有するケイ素モノマーを指し、式中、各モノマーにおけるX及びR50は、上記のとおりである。本縮合ポリマーを調製するために、M、D、T、及びQモノマーのうちのいずれも、個々に使用されてもよく、または前述のうちのいずれかの混合物が、使用されてもよい。好ましくは、縮合性ケイ素モノマーは、式(9a)、(9b)、(9c)、及び(9d)から選択される、1つ以上のモノマーであり、
(R50)3SiX (9a)
(R50)2SiX2 (9b)
R50SiX3 (9c)
SiX4 (9d)
式中、各X及びR50は、式(9)について上記のとおりである。1つ以上のQモノマー、つまり、式(9d)のモノマーが、本縮合ポリマーを調製するために使用されることが好ましい。そのような縮合性ケイ素モノマーは、一般的に市販されており、そのまま使用されてもよく、またはさらに精製されてもよい。
G(X2)m4 (10)
式中、Gは、炭素及びケイ素を除く、周期表の13〜15族からの元素であり、各X2は、ハロゲン及びOR52から独立して選択され、各R52は、独立して、H、または1〜30個の炭素原子を有する有機基であり、m4は、Gの原子価である。好ましくは、R52は、H、C1−10アルキル、−C(O)−C1−10アルキル、及びC6−10アリールから、より好ましくはH、C1−10アルキル、及び−C(O)−C1−10アルキルから選択される。Gは、好ましくは、ボロン、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、ゲルマニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ビスマス、スズ、リン、バナジウム、ヒ素、アンチモン、ニオブ、及びタンタルから、より好ましくはボロン、アルミニウム、及びゲルマニウムから選択される元素であり、さらにより好ましくは、Gは、ボロンである。式(10)の好適な化合物としては、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル、ホウ酸トリプロピル、ホウ酸トリブチル、ホウ酸トリペンチル、ホウ酸トリヘキシル、ホウ酸トリシクロペンチル、ホウ酸トリシクロヘキシル、ホウ酸トリアリル、ホウ酸トリフェニル、ホウ素メトキシエトキシド、ホウ酸、酸化ホウ素;アルミニウムメトキシド、アルミニウムエトキシド、アルミニウムプロポキシド、アルミニウムブトキシド、アルミニウムアミルオキシド、アルミニウムヘキシルオキシド、アルミニウムシクロペントキシド、アルミニウムシクロヘキシルオキシド、アルミニウムアリルオキシド、アルミニウムフェノキシド、アルミニウムエトキシエトキシド、アルミニウムジプロポキシエチルアセトアセテート、アルミニウムジブトキシエチルアセトアセテート、アルミニウムプロポキシ−ビス−エチル−アセトアセテート、アルミニウムブトキシ−ビス−エチル−アセトアセテート、アルミニウム2,4−ペンタンジオネート、アルミニウム2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネート、ゲルマニウムメトキシド、ゲルマニウムエトキシド、ゲルマニウムプロポキシド、ゲルマニウムブトキシド、ゲルマニウムアミルオキシド、ゲルマニウムヘキシルオキシド、ゲルマニウムシクロペントキシド、ゲルマニウムシクロヘキシルオキシド、ゲルマニウムアリルオキシド、ゲルマニウムフェノキシド、ゲルマニウムエトキシエトキシドが挙げられるが、それらに限定されない。好適なエッチング選択性改良剤は、米国特許第8,951,917号に開示されており、Gelest,Inc.(Tullytown,Pennsylvania)より入手可能であり得る。
Claims (20)
- (a)1つ以上の溶媒と、(b)(i)1つ以上の有機ポリマーであって、重合単位として、酸性プロトンと水中で−5〜13のpKaとを有する部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマー、及び縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第2の不飽和モノマーを含み、前記縮合性ケイ素含有部分が、前記有機ポリマー骨格にペンダント結合する、1つ以上の有機ポリマー、ならびに(ii)1つ以上の縮合性ケイ素モノマーからなる縮合物及び/または加水分解物と、を含む、組成物。
- 少なくとも1つの第1の不飽和モノマーが、カルボン酸、スルホン酸、スルフィン酸、スルファミン酸、ボロン酸、リン酸、ならびにこれらの組み合わせ及び酸塩、ヒドロキシアリール基、非置換イミド基、メルカプト基、ならびにC1−20ヒドロキシル置換ハロアルキル基からなる群から選択される酸性部分を有する、請求項1に記載の組成物。
- 少なくとも1つの第1の不飽和モノマーが、式(1)を有し、
- L1が、単共有結合、または1〜20個の炭素原子及び任意に1個以上のヘテロ原子を有する2価の有機ラジカルである、請求項3に記載の組成物。
- 前記縮合性ケイ素含有部分が、式(2)を有し、
- 少なくとも1つの第2の不飽和モノマーが、式(3)を有し、
- L2が、1〜20個の炭素原子及び任意に1個以上のヘテロ原子を有する2価の有機ラジカルである、請求項6に記載の組成物。
- 前記2価の連結基が、式−C(=O)−O−L3−を有し、式中、L3は、単結合、または1〜20個の炭素原子を有する有機ラジカルである、請求項6に記載の組成物。
- 前記有機ポリマーが、重合単位として、酸性プロトンを有し、かつ水中で−5〜13のpKaを有する酸性部分を含まず、縮合性ケイ素含有部分を含まない1つ以上の第3の不飽和モノマーをさらに含む、請求項1に記載の組成物。
- 少なくとも1つの第3の不飽和モノマーが、式(4)を有し、
- 少なくとも1つの第3の不飽和モノマーが、式(5)を有し、
- 前記有機ポリマーが、重合単位として、発色団部分を有する1つ以上の不飽和モノマーをさらに含む、請求項1に記載の組成物。
- 前記発色団部分が、前記有機ポリマー骨格からペンダント結合している、請求項12に記載の組成物。
- 前記発色団部分が、フリル、ピリル(pyryl)、チオフェニル、ピリジル、フェニル、ナフチル、アセナフチル、フルオレニル、カルバゾリル、アントラセニル、フェナントリル、ピレニル、コロネニル、テトラセニル、ペンタセニル、テトラフェニル、ベンゾテトラセニル、トリフェニレニル、ペリレニル、ベンジル、フェネチル、トリル、キシリル、スチレニル、ビニルナフチル、ビニルアントラセニル、ジベンゾチオフェニル、チオキサントニル、インドリル、及びアクリジニルからなる群から選択される、請求項13に記載の組成物。
- 少なくとも1つの縮合性ケイ素モノマーが、式(9)を有し、
Si(R50)p(X)4−p (9)
各R50は、C1−30ヒドロカルビル部分及び置換C1−30ヒドロカルビル部分から独立して選択され、各Xは、ハロゲン、C1−10アルコキシ、−OH、−O−C(O)−R50、−(O−Si(R51)2)p2−X1、及び−(Si(R51)2)p3−X1から独立して選択され、X1は、ハロゲン、C1−10アルコキシ、−OH、−O−C(O)−R50から独立して選択され、各R51は、R50及びXから独立して選択され、pは、0〜3の整数であり、p2は、1〜10の整数であり、p3は、1〜10の整数である、請求項1に記載の組成物。 - p=0または1である、請求項15に記載の組成物。
- (a)1つ以上の溶媒と、(b)酸性プロトンと水中で−5〜13のpKaとを有するペンダント結合部分を有し、かつペンダント結合したシロキサン部分を有する有機ポリマー鎖を有する1つ以上の縮合ポリマーと、を含む、組成物。
- (a)請求項1に記載の組成物で基板をコーティングして、コーティング層を形成することと、(b)前記コーティング層を硬化させてポリマー下層を形成することと、(c)前記ポリマー下層にフォトレジストの層を配設することと、(d)前記フォトレジスト層をパターン状に露光して、潜像を形成することと、(e)前記潜像を現像して、中にレリーフ画像を有するパターン形成されたフォトレジスト層を形成することと、(f)前記レリーフ画像を前記基板に転写することと、(g)湿潤剥離によって前記ポリマー下層を除去することと、を含む、方法。
- 前記ポリマー下層が、室温で、湿潤剥離によって除去される、請求項18に記載の方法。
- (a)請求項17に記載の組成物で基板をコーティングして、コーティング層を形成することと、(b)前記コーティング層を硬化させて、ポリマー下層を形成することと、(c)前記ポリマー下層にフォトレジストの層を配設することと、(d)前記フォトレジスト層をパターン状に露光して、潜像を形成することと、(e)前記潜像を現像して、中にレリーフ画像を有するパターン形成されたフォトレジスト層を形成することと、(f)前記レリーフ画像を前記基板に転写することと、(g)湿潤剥離によって前記ポリマー下層を除去することと、を含む、方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019090010A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-13 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | ケイ素含有下層 |
WO2024128157A1 (ja) * | 2022-12-15 | 2024-06-20 | 日産化学株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180164685A1 (en) * | 2016-12-14 | 2018-06-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method using silicon-containing underlayers |
JP7310471B2 (ja) * | 2019-09-12 | 2023-07-19 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及び組成物 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999009457A1 (fr) * | 1997-08-14 | 1999-02-25 | Showa Denko K.K. | Resine de reserve sa composition et procede de creation de motifs l'utilisant |
JP2008076889A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物及びその製造方法 |
JP2010122322A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Jsr Corp | ネガ型感放射線性組成物、パターン形成方法及び硬化パターン |
WO2015137438A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | Dic株式会社 | 酸素プラズマエッチング用レジスト材料、レジスト膜、及びそれを用いた積層体 |
JP2017020000A (ja) * | 2015-06-15 | 2017-01-26 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 湿式剥離性シリコン含有反射防止剤 |
JP2017111441A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 奇美實業股▲分▼有限公司 | 感光性樹脂組成物、保護膜、および液晶表示素子 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1524630A (en) * | 1975-12-29 | 1978-09-13 | Du Pont | Tetrafluoroethylene resin moulding powder |
US5942638A (en) * | 1998-01-05 | 1999-08-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method of functionalizing polycyclic silicones and the resulting compounds |
JP2005154587A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Dainippon Ink & Chem Inc | 水性硬化性樹脂組成物、水性塗料及び塗装物 |
JP2010000612A (ja) | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Fujifilm Corp | ナノインプリント用硬化性組成物、パターン形成方法 |
JP5935297B2 (ja) | 2011-11-09 | 2016-06-15 | Jnc株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
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US11506979B2 (en) * | 2016-12-14 | 2022-11-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method using silicon-containing underlayers |
US20190146343A1 (en) * | 2017-11-10 | 2019-05-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Silicon-containing underlayers |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999009457A1 (fr) * | 1997-08-14 | 1999-02-25 | Showa Denko K.K. | Resine de reserve sa composition et procede de creation de motifs l'utilisant |
JP2008076889A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物及びその製造方法 |
JP2010122322A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Jsr Corp | ネガ型感放射線性組成物、パターン形成方法及び硬化パターン |
WO2015137438A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | Dic株式会社 | 酸素プラズマエッチング用レジスト材料、レジスト膜、及びそれを用いた積層体 |
JP2017020000A (ja) * | 2015-06-15 | 2017-01-26 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 湿式剥離性シリコン含有反射防止剤 |
JP2017111441A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 奇美實業股▲分▼有限公司 | 感光性樹脂組成物、保護膜、および液晶表示素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019090010A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-13 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | ケイ素含有下層 |
WO2024128157A1 (ja) * | 2022-12-15 | 2024-06-20 | 日産化学株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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